JPH06304968A - トランスファーモールド金型 - Google Patents
トランスファーモールド金型Info
- Publication number
- JPH06304968A JPH06304968A JP12352093A JP12352093A JPH06304968A JP H06304968 A JPH06304968 A JP H06304968A JP 12352093 A JP12352093 A JP 12352093A JP 12352093 A JP12352093 A JP 12352093A JP H06304968 A JPH06304968 A JP H06304968A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- movable pin
- mold
- separated
- protrusion
- lower molds
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 効率よくパッケージ成型が可能で、コスト削
減可能なトランスファーモールド金型を提供する。 【構成】 上金型１０ｂと下金型１０ａとからなり、上
下金型１０の離間時には上下金型合わせ面１４より突出
しており、上下金型１０の圧接時には上下金型合わせ面
１４に等しい高さに摺動する第一の突出部１６ａと、こ
の第一の突出部１６ａに連接され、上下金型１０の離間
時にはキャビティ基準面１２ａより突出しており、上下
金型１０の圧接時にはキャビティ基準面１２ａに等しい
高さに摺動する第二の突出部１６ｂと、を有する第一の
可動ピン１６と、上下金型１０の離間時には第一の可動
ピン１６よりも下がっており、上下金型１０の圧接時に
は第一の可動ピン１６より突出するように摺動する第二
の可動ピン１８とを有する。このとき、第一の可動ピン
１６と第二の可動ピン１８はバネ２０により離間されて
いる。
減可能なトランスファーモールド金型を提供する。 【構成】 上金型１０ｂと下金型１０ａとからなり、上
下金型１０の離間時には上下金型合わせ面１４より突出
しており、上下金型１０の圧接時には上下金型合わせ面
１４に等しい高さに摺動する第一の突出部１６ａと、こ
の第一の突出部１６ａに連接され、上下金型１０の離間
時にはキャビティ基準面１２ａより突出しており、上下
金型１０の圧接時にはキャビティ基準面１２ａに等しい
高さに摺動する第二の突出部１６ｂと、を有する第一の
可動ピン１６と、上下金型１０の離間時には第一の可動
ピン１６よりも下がっており、上下金型１０の圧接時に
は第一の可動ピン１６より突出するように摺動する第二
の可動ピン１８とを有する。このとき、第一の可動ピン
１６と第二の可動ピン１８はバネ２０により離間されて
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体装置等を
トランスファーモールド成型するトランスファーモール
ド金型に関する。
トランスファーモールド成型するトランスファーモール
ド金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板にＩＣチップを搭載した後、ＩＣチ
ップを保護する等のために、基板にＩＣチップを搭載し
た半導体装置を樹脂封止する。この樹脂封止の方法の一
つに、上型と下型の金型からなるトランスファーモール
ド金型を用いて樹脂封止を行うトランスファーモールド
法がある。
ップを保護する等のために、基板にＩＣチップを搭載し
た半導体装置を樹脂封止する。この樹脂封止の方法の一
つに、上型と下型の金型からなるトランスファーモール
ド金型を用いて樹脂封止を行うトランスファーモールド
法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、トランスファー
モールド法により成型された半導体パッケージの放熱性
を高めるために、パッケージ表面に凹部を形成してい
た。この凹部を形成することによって放熱面積が大きく
なり、ＩＣチップが発する放熱性が向上する。トランス
ファーモールド法を用いてパッケージ表面に凹部を成型
する際には、金型のキャビティ内に凸部を設けて成型し
ていた。
モールド法により成型された半導体パッケージの放熱性
を高めるために、パッケージ表面に凹部を形成してい
た。この凹部を形成することによって放熱面積が大きく
なり、ＩＣチップが発する放熱性が向上する。トランス
ファーモールド法を用いてパッケージ表面に凹部を成型
する際には、金型のキャビティ内に凸部を設けて成型し
ていた。
【０００４】また、樹脂を金型のキャビティ内に注入す
る際に、樹脂の流動によりＩＣチップが浮いてしまうた
めに、ＩＣチップを保持しなければならなかった。その
保持する方法としては、トランスファーモールド金型に
ＩＣチップ保持用のピンを設け、モールド中に保持用ピ
ンを可動させてＩＣチップを固定していた。
る際に、樹脂の流動によりＩＣチップが浮いてしまうた
めに、ＩＣチップを保持しなければならなかった。その
保持する方法としては、トランスファーモールド金型に
ＩＣチップ保持用のピンを設け、モールド中に保持用ピ
ンを可動させてＩＣチップを固定していた。
【０００５】しかし、パッケージに凹部を形成する、あ
るいはＩＣチップをモールド中に保持するために、金型
にそれぞれ凸部ピンあるいは保持用のピンを設けていた
が、トランスファーモールド成型後にパッケージを金型
から取外すためには、上記の凸部ピンあるいは保持用の
ピンの他に、パッケージ取り出し専用のピンを設けなけ
ればならないという問題があった。そのため、各ピンを
それぞれ操作しなければならないので、金型を製作する
ためのコストがかかり、また、作業の効率が悪いという
問題があった。
るいはＩＣチップをモールド中に保持するために、金型
にそれぞれ凸部ピンあるいは保持用のピンを設けていた
が、トランスファーモールド成型後にパッケージを金型
から取外すためには、上記の凸部ピンあるいは保持用の
ピンの他に、パッケージ取り出し専用のピンを設けなけ
ればならないという問題があった。そのため、各ピンを
それぞれ操作しなければならないので、金型を製作する
ためのコストがかかり、また、作業の効率が悪いという
問題があった。
【０００６】そこで、本発明は、効率よくパッケージを
成型することが可能で、コスト削減可能なトランスファ
ーモールド金型を提供することを目的とする。
成型することが可能で、コスト削減可能なトランスファ
ーモールド金型を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明であるトランスファーモールド金型は、上型
と下型からなり、上下金型の離間時には、上下金型合わ
せ面より突出しており、前記上下金型の圧接時には、前
記上下金型合わせ面に等しい高さに摺動する第一の突出
部と、この第一の突出部に連接され、前記上下金型の離
間時には、キャビティ基準面より突出しており、前記上
下金型の圧接時には、前記キャビティ基準面に等しい高
さに摺動する第二の突出部と、を有する第一の可動ピン
と、前記上下金型の離間時には、前記第一の可動ピンよ
りも下がっており、前記上下金型の圧接時には、前記第
一の可動ピンより突出するように摺動する第二の可動ピ
ンと、を有するものである。
に、本発明であるトランスファーモールド金型は、上型
と下型からなり、上下金型の離間時には、上下金型合わ
せ面より突出しており、前記上下金型の圧接時には、前
記上下金型合わせ面に等しい高さに摺動する第一の突出
部と、この第一の突出部に連接され、前記上下金型の離
間時には、キャビティ基準面より突出しており、前記上
下金型の圧接時には、前記キャビティ基準面に等しい高
さに摺動する第二の突出部と、を有する第一の可動ピン
と、前記上下金型の離間時には、前記第一の可動ピンよ
りも下がっており、前記上下金型の圧接時には、前記第
一の可動ピンより突出するように摺動する第二の可動ピ
ンと、を有するものである。
【０００８】また、前記第一の可動ピンと前記第二の可
動ピン間に前記２つの可動ピンを離間させる方向に力を
働かせる付勢手段が設けられているものである。さら
に、前記第二の突出部と前記第二の可動ピンは同心円状
に設けられているものである。
動ピン間に前記２つの可動ピンを離間させる方向に力を
働かせる付勢手段が設けられているものである。さら
に、前記第二の突出部と前記第二の可動ピンは同心円状
に設けられているものである。
【０００９】
【作用】上記本発明のトランスファーモールド金型の構
成によれば、上下金型が離間している際には、上下金型
合わせ面より突出している第一の突出部とこの第一の突
出部と連接されキャビティ基準面より突出している第二
の突出部が、上下金型が圧接している際には、前記第一
の突出部は上下金型合わせ面に等しい高さまで押し下げ
られ、前記第二の突出部はキャビティ基準面に等しい高
さまで押し下げられる。そして、上下金型が離間してい
る際には、前記第一の突出部と第二の突出部を有する第
一の可動ピンよりも下がっている第二の可動ピンは、上
下金型を圧接する際には、キャビティ内で前記第二の突
出部よりも突出するので、パッケージ本体に凹部を成型
するとともに、モールド成型中にＩＣチップを保持する
ことができる。また、モールド成型が終了し、上下金型
を離間する際には、再び前記第一の可動ピンの第一の突
出部が上下金型合わせ面より押し出され、前記第一の可
動ピンの第二の突出部がキャビティ基準面より押し出さ
れ、前記第二の可動ピンが押し下げられるので、効率よ
く金型からパッケージを取り出すことができる。
成によれば、上下金型が離間している際には、上下金型
合わせ面より突出している第一の突出部とこの第一の突
出部と連接されキャビティ基準面より突出している第二
の突出部が、上下金型が圧接している際には、前記第一
の突出部は上下金型合わせ面に等しい高さまで押し下げ
られ、前記第二の突出部はキャビティ基準面に等しい高
さまで押し下げられる。そして、上下金型が離間してい
る際には、前記第一の突出部と第二の突出部を有する第
一の可動ピンよりも下がっている第二の可動ピンは、上
下金型を圧接する際には、キャビティ内で前記第二の突
出部よりも突出するので、パッケージ本体に凹部を成型
するとともに、モールド成型中にＩＣチップを保持する
ことができる。また、モールド成型が終了し、上下金型
を離間する際には、再び前記第一の可動ピンの第一の突
出部が上下金型合わせ面より押し出され、前記第一の可
動ピンの第二の突出部がキャビティ基準面より押し出さ
れ、前記第二の可動ピンが押し下げられるので、効率よ
く金型からパッケージを取り出すことができる。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例であるトランスファーモー
ルド金型について、図１〜図６を参照して説明する。
ルド金型について、図１〜図６を参照して説明する。
【００１１】図１は、トランスファーモールド金型の上
下金型離間時の下金型の断面図であり、図２は、図１の
下金型のキャビティ内部の斜視図である。図３は、上下
金型圧接時の金型の断面図であり、図４は、図３の下金
型のキャビティ内部の斜視図である。また、図５は、樹
脂封止を行う半導体装置を金型内に載置し、型締めした
状態を示す金型の断面図である。さらに、図６はトラン
スファーモールドされた半導体パッケージを示す斜視図
である。
下金型離間時の下金型の断面図であり、図２は、図１の
下金型のキャビティ内部の斜視図である。図３は、上下
金型圧接時の金型の断面図であり、図４は、図３の下金
型のキャビティ内部の斜視図である。また、図５は、樹
脂封止を行う半導体装置を金型内に載置し、型締めした
状態を示す金型の断面図である。さらに、図６はトラン
スファーモールドされた半導体パッケージを示す斜視図
である。
【００１２】図１及び図３に示すように、半導体装置を
トランスファーモールドするための金型１０は、上金型
１０ｂと下金型１０ａよりなっている。下金型１０ａに
は、上下金型１０が離間している際には、図１に示すよ
うに、金型合わせ面１４よりも突出し、上下金型１０が
圧接している際には、図３に示すように、金型合わせ面
１４に等しい高さにまで押し下げられる第一の突出部１
６ａを有する。また、下金型１０ａのキャビティ１２に
おいて、上下金型１０が離間している際には、図１に示
すように、キャビティ基準面１２ａより突出しており、
上下金型１０が圧接している際には、図３に示すよう
に、キャビティ基準面１２ａと等しい高さまで押し下げ
られる第二の突出部１６ｂを有する。この第一の突出部
１６ａと第二の突出部１６ｂは連接され、第一の可動ピ
ン１６を構成している。
トランスファーモールドするための金型１０は、上金型
１０ｂと下金型１０ａよりなっている。下金型１０ａに
は、上下金型１０が離間している際には、図１に示すよ
うに、金型合わせ面１４よりも突出し、上下金型１０が
圧接している際には、図３に示すように、金型合わせ面
１４に等しい高さにまで押し下げられる第一の突出部１
６ａを有する。また、下金型１０ａのキャビティ１２に
おいて、上下金型１０が離間している際には、図１に示
すように、キャビティ基準面１２ａより突出しており、
上下金型１０が圧接している際には、図３に示すよう
に、キャビティ基準面１２ａと等しい高さまで押し下げ
られる第二の突出部１６ｂを有する。この第一の突出部
１６ａと第二の突出部１６ｂは連接され、第一の可動ピ
ン１６を構成している。
【００１３】また、この連接された第一の可動ピン１６
に対して、下金型１０ａには第二の可動ピン１８が設け
られており、図２に示すように、この第二の可動ピン１
８と第二の突出部１６ｂは同心円状に形成されている。
第二の可動ピン１８の頭部は、上下金型１０が離間して
いる際には、図１及び図２に示すように、第二の突出部
１６ｂより下方にあるが、上下金型１０が圧接している
際には、図３及び図４に示すように、第二の可動ピン１
８は第二の突出部１６ｂよりも突出している。第一の可
動ピン１６及び第二の可動ピン１８は、バネ２０によっ
て、上下に離間するようにバネが加えられている。
に対して、下金型１０ａには第二の可動ピン１８が設け
られており、図２に示すように、この第二の可動ピン１
８と第二の突出部１６ｂは同心円状に形成されている。
第二の可動ピン１８の頭部は、上下金型１０が離間して
いる際には、図１及び図２に示すように、第二の突出部
１６ｂより下方にあるが、上下金型１０が圧接している
際には、図３及び図４に示すように、第二の可動ピン１
８は第二の突出部１６ｂよりも突出している。第一の可
動ピン１６及び第二の可動ピン１８は、バネ２０によっ
て、上下に離間するようにバネが加えられている。
【００１４】なお、本実施例で樹脂封止する半導体装置
は、絶縁性・可撓性を有するフィルム基材上にリードパ
ターンが形成されているＴＡＢ（Tape Automated Bondi
ng)テープにＩＣチップをボンディングしたものであ
る。図５に示すように、フィルム基材２４上に形成され
たリード（図示せず）とＩＣチップ２２をボンディング
した半導体装置を、下金型１０ａと上金型１０ｂとの間
に載置する。上下金型１０によって挟持された半導体装
置のＩＣチップ２２は、突出した第二の可動ピン１８上
に載置される。樹脂封止の間、ＩＣチップ２２は第二の
可動ピン１８上で保持されるので、樹脂の流動によって
浮上したりすることはない。
は、絶縁性・可撓性を有するフィルム基材上にリードパ
ターンが形成されているＴＡＢ（Tape Automated Bondi
ng)テープにＩＣチップをボンディングしたものであ
る。図５に示すように、フィルム基材２４上に形成され
たリード（図示せず）とＩＣチップ２２をボンディング
した半導体装置を、下金型１０ａと上金型１０ｂとの間
に載置する。上下金型１０によって挟持された半導体装
置のＩＣチップ２２は、突出した第二の可動ピン１８上
に載置される。樹脂封止の間、ＩＣチップ２２は第二の
可動ピン１８上で保持されるので、樹脂の流動によって
浮上したりすることはない。
【００１５】樹脂封止後、上下金型１０は離間するが、
バネ２０の弾性力によって、押し下げられた第一の可動
ピン１６は上方に摺動し、押し上げられていた第二の可
動ピン１８は下方に摺動するので、トランスファーモー
ルドされた半導体装置は各可動ピン１６、１８の摺動に
より金型１０より取り外される。また、トランスファー
モールドされた半導体パッケージ２６を図６に示すが、
第二の可動ピン１８が突出していたことによりキャビテ
ィ１２内には凸部１８ａができるので、モールドされた
パッケージ２６には、図６（ａ）に示すように、凹部２
８が形成される。なお、この凹部２８には、図６（ｂ）
に示すように、放熱性の高い樹脂３０を埋めてもよい。
バネ２０の弾性力によって、押し下げられた第一の可動
ピン１６は上方に摺動し、押し上げられていた第二の可
動ピン１８は下方に摺動するので、トランスファーモー
ルドされた半導体装置は各可動ピン１６、１８の摺動に
より金型１０より取り外される。また、トランスファー
モールドされた半導体パッケージ２６を図６に示すが、
第二の可動ピン１８が突出していたことによりキャビテ
ィ１２内には凸部１８ａができるので、モールドされた
パッケージ２６には、図６（ａ）に示すように、凹部２
８が形成される。なお、この凹部２８には、図６（ｂ）
に示すように、放熱性の高い樹脂３０を埋めてもよい。
【００１６】上述したような第一の可動ピン１６と第二
の可動ピン１８を金型１０に設けることによって、トラ
ンスファーモールドの際のＩＣチップ２２の保持、樹脂
封止後のパッケージ２６の取り外し、放熱性向上のパッ
ケージ２６表面の凹部形成が可能になるので、金型１０
の構造が容易になる。また、それぞれのピン１６、１８
に対する操作が不要になるので作業の効率も向上し、金
型１０製作のためのコストも削減できる。
の可動ピン１８を金型１０に設けることによって、トラ
ンスファーモールドの際のＩＣチップ２２の保持、樹脂
封止後のパッケージ２６の取り外し、放熱性向上のパッ
ケージ２６表面の凹部形成が可能になるので、金型１０
の構造が容易になる。また、それぞれのピン１６、１８
に対する操作が不要になるので作業の効率も向上し、金
型１０製作のためのコストも削減できる。
【００１７】なお、本実施例においては、下金型に第一
の可動ピンと第二の可動ピンとを設けたが、これに限定
することはない。また、第二の突出部と第二の可動ピン
とを同心円状に設けたが、これに限定されることはな
い。さらに、第一の可動ピンと第二の可動ピンとを離間
させるための付勢手段としてバネを用いたが、これに限
定されることはない。
の可動ピンと第二の可動ピンとを設けたが、これに限定
することはない。また、第二の突出部と第二の可動ピン
とを同心円状に設けたが、これに限定されることはな
い。さらに、第一の可動ピンと第二の可動ピンとを離間
させるための付勢手段としてバネを用いたが、これに限
定されることはない。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、上
下金型が圧接する際には、キャビティ内で第二の可動ピ
ンが第一の可動ピンの第二の突出部より突出するので、
パッケージ本体に凹部を成型するとともに、モールド成
型中にＩＣチップを確実に保持することができる。ま
た、モールド成型が終了して、上下金型を離間する際に
は、再び前記第一の可動ピンの第一の突出部が上下金型
合わせ面より押し出され、前記第一の可動ピンの第二の
突出部がキャビティ基準面より押し出され、前記第二の
可動ピンが押し下げられるので、効率よく金型から成型
されたパッケージを取り出すことができる。また、トラ
ンスファーモールド金型に第一の可動ピンと第二の可動
ピンとを設けたことにより、パッケージの凹部成型用の
凸部やＩＣチップ保持用のピン、あるいはパッケージ取
外しのためのピンをそれぞれ金型内に設ける必要がなく
なるので、金型製作のコストを大幅に削減し、トランス
ファーモールドの作業の効率が向上する。
下金型が圧接する際には、キャビティ内で第二の可動ピ
ンが第一の可動ピンの第二の突出部より突出するので、
パッケージ本体に凹部を成型するとともに、モールド成
型中にＩＣチップを確実に保持することができる。ま
た、モールド成型が終了して、上下金型を離間する際に
は、再び前記第一の可動ピンの第一の突出部が上下金型
合わせ面より押し出され、前記第一の可動ピンの第二の
突出部がキャビティ基準面より押し出され、前記第二の
可動ピンが押し下げられるので、効率よく金型から成型
されたパッケージを取り出すことができる。また、トラ
ンスファーモールド金型に第一の可動ピンと第二の可動
ピンとを設けたことにより、パッケージの凹部成型用の
凸部やＩＣチップ保持用のピン、あるいはパッケージ取
外しのためのピンをそれぞれ金型内に設ける必要がなく
なるので、金型製作のコストを大幅に削減し、トランス
ファーモールドの作業の効率が向上する。
【図１】本発明の一実施例であるトランスファーモール
ド金型の上下金型離間時の下金型の断面図である。
ド金型の上下金型離間時の下金型の断面図である。
【図２】図１の下金型のキャビティ内部の斜視図であ
る。
る。
【図３】上下金型圧接時の金型の断面図である。
【図４】図３の下金型のキャビティ内部の斜視図であ
る。
る。
【図５】樹脂封止を行う半導体装置を金型内に載置し、
型締めした状態を示す金型の断面図である。
型締めした状態を示す金型の断面図である。
【図６】トランスファーモールド成型した半導体パッケ
ージの斜視図である。
ージの斜視図である。
１０ トランスファーモールド金型 １０ａ 下金型 １０ｂ 上金型 １２ キャビティ １２ａ キャビティ基準面 １４ 金型合わせ面 １６ 第一の可動ピン １６ａ 第一の突出部 １６ｂ 第二の突出部 １８ 第二の可動ピン １８ａ 凸部 ２０ バネ（付勢手段） ２２ ＩＣチップ ２４ フィルム基材 ２６ 半導体パッケージ ２８ 凹部 ３０ 樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】 トランスファーモールド法に用いられて
いる上型と下型からなるトランスファーモールド金型に
おいて、 上下金型の離間時には、上下金型合わせ面より突出して
おり、前記上下金型の圧接時には、前記上下金型合わせ
面に等しい高さに摺動する第一の突出部と、この第一の
突出部に連接され、前記上下金型の離間時には、キャビ
ティ基準面より突出しており、前記上下金型の圧接時に
は、前記キャビティ基準面に等しい高さに摺動する第二
の突出部と、を有する第一の可動ピンと、 前記上下金型の離間時には、前記第一の可動ピンよりも
下がっており、前記上下金型の圧接時には、前記第一の
可動ピンより突出するように摺動する第二の可動ピン
と、を有することを特徴とするトランスファーモールド
金型。 - 【請求項２】 前記第一の可動ピンと前記第二の可動ピ
ン間に前記２つの可動ピンを離間させる方向に力を働か
せる付勢手段が設けられていることを特徴とする請求項
１記載のトランスファーモールド金型。 - 【請求項３】 前記第二の突出部と前記第二の可動ピン
は同心円状に設けられていることを特徴とする請求項１
記載のトランスファーモールド金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12352093A JPH06304968A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | トランスファーモールド金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12352093A JPH06304968A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | トランスファーモールド金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06304968A true JPH06304968A (ja) | 1994-11-01 |
Family
ID=14862652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12352093A Withdrawn JPH06304968A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | トランスファーモールド金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06304968A (ja) |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP12352093A patent/JPH06304968A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |