JPH06306596A - Si target material for magnetron sputtering - Google Patents
Si target material for magnetron sputteringInfo
- Publication number
- JPH06306596A JPH06306596A JP12096093A JP12096093A JPH06306596A JP H06306596 A JPH06306596 A JP H06306596A JP 12096093 A JP12096093 A JP 12096093A JP 12096093 A JP12096093 A JP 12096093A JP H06306596 A JPH06306596 A JP H06306596A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- erosion
- target material
- sputtering
- erosion portion
- magnetron sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 長期に亘ってパーティクルの少ない成膜形成
が可能なマグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲット
材を提供する。
【構成】 マグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲッ
ト材が、スパッタ面の平面リング状のエロージョン部
を、残りのスパッタ面中央部および外周縁部を構成する
非エロージョン部に対して突出させ、かつ前記エロージ
ョン部の表面粗さを０．０１〜０．０５μｍＲａ（中心
線平均粗さ）とし、前記非エロージョン部の表面粗さを
０．２〜２μｍＲａとしてなる。
(57) [Summary] [Object] To provide a Si target material for magnetron sputtering capable of forming a film with few particles over a long period of time. A Si target material for magnetron sputtering causes a flat ring-shaped erosion portion of a sputtering surface to protrude from a non-erosion portion that constitutes the center portion and outer peripheral edge portion of the remaining sputtering surface, and the surface of the erosion portion. The roughness is 0.01 to 0.05 μmRa (center line average roughness), and the surface roughness of the non-erosion portion is 0.2 to 2 μmRa.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、長期に亘ってパーテ
ィクルの少ない成膜形成が可能なマグネトロンスパッタ
リング用Ｓｉターゲット材に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a Si target material for magnetron sputtering capable of forming a film with few particles for a long period of time.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、一般に、雰囲気ガスとしてＮ2 や
Ｏ2 などの反応性ガスを用いてプラズマを発生させ、マ
グネットによりＳｉターゲット材の表面に垂直方向の磁
界を印加しながら、前記Ｓｉターゲット材表面をスパッ
タして基体の表面にＳｉＮ膜などを形成するマグネトロ
ンスパッタリング法が知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, in general, a reactive gas such as N 2 or O 2 is used as an atmospheric gas to generate plasma, and a magnetic field in a vertical direction is applied to the surface of a Si target material by a magnet while the Si target A magnetron sputtering method is known in which the surface of a material is sputtered to form a SiN film or the like on the surface of a substrate.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】一方、近年のこの種マ
グネトロンスパッタリング装置の大型化および高性能化
はめざましく、これに伴ないスパッタ条件は一段と苛酷
さを増す状況にあるが、上記の従来Ｓｉターゲット材の
場合、苛酷な条件下でのスパッタでは、比較的短時間の
操業で成膜中に、通常直径：０．３μｍ以上の粗大なパ
ーティクルが多数発生するようになり、これが原因で使
用寿命に至るのが現状である。On the other hand, in recent years, the magnetron sputtering apparatus of this kind has been remarkably increased in size and performance, and along with this, the sputtering conditions are becoming more severe. In the case of material, spattering under harsh conditions usually causes a large number of coarse particles with a diameter of 0.3 μm or more to be generated during film formation in a relatively short period of operation, which causes the service life to increase. It is the current situation.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、成膜中に粗大パーティクルを発
生させないマグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲッ
ト材を開発すべく研究を行なった結果、 （ａ） 従来Ｓｉターゲット材の場合、比較的短時間の
使用で成膜中に多数のパーティクルが形成されるように
なるのは、操業中にターゲット材のスパッタ面の非エロ
ージョン部、すなわちスパッタ面の中央部および外周縁
部にＳｉＮなどのスパッタ生成物が堆積するが、この堆
積物がある量になると、スパッタ中に前記非エロージョ
ン部から剥離し、これが成膜中にパーティクルとして混
入するようになることに原因があること。Therefore, the present inventors have
From the above viewpoints, as a result of research to develop a Si target material for magnetron sputtering that does not generate coarse particles during film formation, as a result, (a) In the case of a conventional Si target material, a relatively short period of time is required. A large number of particles are formed in the film because, during operation, sputter products such as SiN are deposited on the non-erosion portion of the sputtering surface of the target material, that is, on the central portion and outer peripheral edge portion of the sputtering surface. The reason for this is that when a certain amount of this deposit is released from the non-erosion portion during sputtering, this becomes mixed as particles during film formation.
【０００５】（ｂ） 一般に、従来Ｓｉターゲット材に
おいては、そのスパッタ面の面粗さを全面に亘って０．
０２〜０．１μｍＲａ（中心線平均粗さ、以下同じ）と
しているが、これをスパッタ面における上記非エロージ
ョン部の面粗さを相対的に粗い０．２〜２μｍＲａと
し、残りの平面リング状のエロージョン部の面粗さをこ
れより平滑な０．０１〜０．０５μｍＲａとすると、前
記エロージョン部の表面粗さによってスパッタが円滑
に、かつ多数のパーティクルの発生が極力抑制された状
態で行なわれるようになり、一方上記非エロージョン部
の相対的に粗い面粗さによって操業中に堆積したスパッ
タ生成物との間に強固な密着力が形成されることから、
苛酷な条件でスパッタを行なっても前記スパッタ生成堆
積物が非エロージョン部から剥離することがなく、成膜
中のパーティクルの形成が長期に亘って抑制されるよう
になること。(B) Generally, in the conventional Si target material, the surface roughness of the sputter surface is 0.
02-0.1 μmRa (center line average roughness, the same applies hereinafter), but the surface roughness of the non-erosion portion on the sputter surface is relatively rough 0.2-2 μmRa, and the remaining flat ring-like When the surface roughness of the erosion part is set to be 0.01 to 0.05 μmRa, which is smoother than this, the surface roughness of the erosion part allows the sputtering to be performed smoothly and the generation of a large number of particles to be suppressed as much as possible. On the other hand, since a strong adhesion is formed between the sputter product deposited during the operation due to the relatively rough surface roughness of the non-erosion portion,
Even if sputtering is performed under severe conditions, the sputter-generated deposits do not separate from the non-erosion portion, and the formation of particles during film formation can be suppressed for a long period of time.
【０００６】（ｃ） スパッタ面における上記非エロー
ジョン部を同エロージョン部に対して面レベルで低くす
る、すなわちエロージョン部を非エロージョン部に対し
て突出させると、操業中に非エロージョン部に堆積した
スパッタ生成物がスパッタ反応空間の影響を受けにくく
なるので、成膜中のパータィクルの形成がさらに一段と
抑制されるようになること。なお、この場合、エロージ
ョン部をスパッタ面中央部の非エロージョン部に対して
面高さで０．０５〜５mm高くするのが望ましく、また、
非エロージョン部の外周縁部を面取り加工面とすること
や、上記突出したエロージョン部の角部をＲ加工面とす
ることが望ましく、これによってパーティクル発生の原
因となる異常放電が著しく低減するようになること。 以上（ａ）〜（ｃ）に示される研究結果が得られたので
ある。(C) When the non-erosion portion on the sputter surface is lowered at the surface level with respect to the erosion portion, that is, the erosion portion is projected from the non-erosion portion, the spatter deposited on the non-erosion portion during operation. Since the products are less affected by the sputtering reaction space, the formation of particles during film formation is further suppressed. In this case, it is desirable that the erosion portion has a surface height higher by 0.05 to 5 mm than the non-erosion portion at the center of the sputtering surface.
It is desirable that the outer peripheral edge portion of the non-erosion portion be a chamfered surface, and that the corner portion of the protruding erosion portion be a R processed surface, so that abnormal discharge that causes generation of particles is significantly reduced. To become a. The research results shown in (a) to (c) above were obtained.
【０００７】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、スパッタ面の平面リング状のエ
ロージョン部を、残りのスパッタ面中央部および外周縁
部で構成された非エロージョン部に対して突出させ、か
つ前記エロージョン部の表面粗さを０．０１〜０．０５
μｍＲａとし、前記非エロージョン部の表面粗さを０．
２〜２μｍＲａとすることにより、長期に亘ってパーテ
ィクルの少ない成膜形成を可能ならしめたマグネトロン
スパッタリング用Ｓｉターゲット材に特徴を有するもの
である。The present invention has been made on the basis of the above research results. The flat ring-shaped erosion portion of the sputter surface is replaced with a non-erosion portion composed of the central portion and the outer peripheral edge portion of the remaining sputter surface. And the surface roughness of the erosion part is 0.01 to 0.05.
μmRa, and the surface roughness of the non-erosion portion is 0.
The characteristic of the Si target material for magnetron sputtering is that it can be formed into a film with a small number of particles over a long period of time by setting it to 2 to 2 μmRa.
【０００８】つぎに、この発明のＳｉターゲット材にお
いて、エロージョン部および非エロージョン部の表面粗
さを上記の通りに限定した理由を説明する。すなわち、
エロージョン部の表面粗さを０．０１〜０．０５μｍＲ
ａとしたのは、その表面粗さが０．０１μｍＲａ未満で
は、スパッタ面が平滑すぎて、特に初期段階でのスパッ
タがスムーズに行なわれず、一方その表面粗さが０．０
５μｍＲａを越えると、異常放電が発生し易くなり、パ
ーティクルの多発形成の原因になるという理由によるも
のである。また、非エロージョン部の表面粗さを０．２
〜２μｍＲａとしたのは、その表面粗さが０．２μｍＲ
ａ未満では、スパッタ生成堆積物との間にスパッタ中に
剥離のない強固な密着力を形成することができず、この
結果上記の通りスパッタ生成堆積物の剥離が起ってパー
ティクルの多数発生の原因となり、一方その表面粗さが
２μｍＲａを越えると、特にスパッタ初期において、粗
面が原因で異常放電を起し易くなり、同様に成膜中のパ
ーティクル数が増大するようになるという理由にもとづ
くものである。さらに、エロージョン部を非エロージョ
ン部における中央部に対して面高さで０．０５〜５mm高
くするのが望ましい理由は、その高さが０．０５mm未満
では所望のパーティクルの発生抑制効果が得られず、一
方その高さが５mmを越えると、スパッタ効率が低下し、
成膜速度が低下するようになることにある。Next, the reason why the surface roughness of the erosion portion and the non-erosion portion in the Si target material of the present invention is limited as described above will be explained. That is,
The surface roughness of the erosion part is 0.01 to 0.05 μmR
When the surface roughness is less than 0.01 μmRa, the sputtered surface is too smooth and the spattering is not performed smoothly especially in the initial stage.
This is because if it exceeds 5 μmRa, abnormal discharge is likely to occur, which causes frequent particle formation. In addition, the surface roughness of the non-erosion part is 0.2
˜2 μmRa means that the surface roughness is 0.2 μmR
If it is less than a, a strong adhesion force that does not cause peeling during sputtering can not be formed between the sputter-produced deposits, and as a result, the sputter-produced deposits are peeled off and a large number of particles are generated as described above. On the other hand, if the surface roughness exceeds 2 μmRa, abnormal discharge is likely to occur due to the rough surface, especially at the initial stage of sputtering, and the number of particles during film formation also increases. It is a thing. Furthermore, the reason why it is desirable to increase the surface height of the erosion portion by 0.05 to 5 mm with respect to the central portion in the non-erosion portion is that if the height is less than 0.05 mm, the desired particle generation suppressing effect can be obtained. On the other hand, if the height exceeds 5 mm, the sputtering efficiency will decrease,
This is because the film forming speed will decrease.
【０００９】[0009]
【実施例】つぎに、この発明のＳｉターゲット材を実施
例により具体的に説明する。図１にそれぞれ概略縦断面
図で示されるＡ型、Ｂ型、およびＣ型の形状および表１
に示される寸法を有し、かつ表２に示される表面粗さを
もった平面円形の本発明Ｓｉターゲット材１〜９をそれ
ぞれ用意した。また、比較の目的で同じく表２に示され
る寸法およびスパッタ面表面粗さをもった従来Ｓｉター
ゲット材１〜３を用意した。ついで、これらの各種Ｓｉ
ターゲット材を用い、直流マグネトロンスパッタリング
装置にて、電圧：４００Ｖ、出力：１０００Ｗ、雰囲
気：Ａｒ＋Ｎ2 、雰囲気圧力：１０torr（ただし、Ｎ2
分圧：３torr）の条件で、直径：２５０mm×厚さ：１０
mmの寸法をもった平面円形のＳｉウエハの表面に厚さ：
０．５μｍのＳｉＮ成膜を形成する操作を連続的に行な
い、一方で前記ＳｉＮ成膜中に存在する直径：０．３μ
ｍ以上のパーティクル数をパーティクルカウンターを用
い、レーザ光を当てて観察し、前記成膜中に前記パーテ
ィクルが１００個以上存在するに至るまでのＳｉウエハ
枚数を測定した。これらの測定結果を表２に示した。EXAMPLES Next, the Si target material of the present invention will be specifically described by way of examples. Shapes of A-type, B-type, and C-type shown in schematic longitudinal sectional views in FIG. 1 and Table 1, respectively.
The planar target circular Si target materials 1 to 9 having the dimensions shown in Table 1 and the surface roughness shown in Table 2 were prepared. For comparison purposes, the conventional Si target materials 1 to 3 having the dimensions and the surface roughness of the sputter surface shown in Table 2 were prepared. Then, these various Si
Using a target material and a DC magnetron sputtering apparatus, voltage: 400 V, output: 1000 W, atmosphere: Ar + N 2 , atmosphere pressure: 10 torr (however, N 2
Partial pressure: 3 torr), diameter: 250 mm x thickness: 10
Thickness on the surface of a planar circular Si wafer with dimensions of mm:
The operation of forming a 0.5 μm SiN film is continuously performed, while the diameter existing in the SiN film is 0.3 μm.
The number of particles of m or more was observed by irradiating a laser beam with a particle counter, and the number of Si wafers until 100 or more particles were present during the film formation was measured. The results of these measurements are shown in Table 2.
【００１０】[0010]
【表１】 [Table 1]
【００１１】[0011]
【表２】 [Table 2]
【００１２】[0012]
【発明の効果】表２に示される結果から、本発明Ｓｉタ
ーゲット材１〜９は、いずれもエロージョン部はスパッ
タ効率の点から従来表面粗さと同等であるが、特に非エ
ロージョン部を構成するスパッタ面中央部および外周縁
部の表面粗さを相対的に粗くすることにより、これに堆
積するスパッタ生成物との密着性が高いものとなってい
るので、スパッタ中に前記スパッタ生成堆積物が剥れる
ことがなくなり、この結果成膜中のパーティクルの多発
が著しく長期に亘って抑制されるようになるのに対し
て、従来Ｓｉターゲット材１〜３は、スパッタ面の表面
粗さが全面同じであり、その表面粗さもスパッタ効率を
主体としたものとなり、どうしても相対的に平滑なもの
とならざるを得ず、この結果特に苛酷な条件でのスパッ
タではスパッタ生成堆積物のスパッタ面からの剥離を避
けることができなくなり、短時間の操業でパーティクル
の多発を見るようになることが明らかである。上述のよ
うに、この発明のＳｉターゲット材は、苛酷な条件での
スパッタでも成膜中にパーティクルが多発するのを長期
に亘って抑制することができるので、マグネトロンスパ
ッタリング装置の大型化および高性能化に十分満足に対
応でき、長い使用寿命を示すものである。From the results shown in Table 2, in the Si target materials 1 to 9 of the present invention, the erosion part is equivalent to the conventional surface roughness in terms of the sputtering efficiency, but especially the spatter forming the non-erosion part. By making the surface roughness of the central part and the outer peripheral edge part relatively large, the adhesion with the sputter product deposited on the surface is high, so that the sputter product deposits are removed during sputtering. As a result, the occurrence of many particles during film formation is suppressed for a very long period of time, whereas the conventional Si target materials 1 to 3 have the same surface roughness on the sputtering surface. However, the surface roughness is mainly based on the sputtering efficiency, and it is unavoidable that the surface roughness is relatively smooth. As a result, spatter is generated especially in spattering under severe conditions. Can not be avoided the peeling from the sputtering surface of the product material, it is clear that so view particles frequently in a short time of operation. As described above, the Si target material of the present invention can suppress the generation of many particles during film formation for a long period even in spattering under severe conditions. It has a long service life and can be fully satisfied.
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年１０月１９日[Submission date] October 19, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１２[Correction target item name] 0012
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１２】[0012]
【発明の効果】表２に示される結果から、本発明Ｓｉタ
ーゲット材１〜９は、いずれもエロージョン部はスパッ
タ効率の点から従来表面粗さと同等であるが、特に非エ
ロージョン部を構成するスパッタ面中央部および外周縁
部の表面粗さを相対的に粗くすることにより、これに堆
積するスパッタ生成物との密着性が高いものとなってい
るので、スパッタ中に前記スパッタ生成堆積物が剥れる
ことがなくなり、この結果成膜中のパーティクルの多発
が著しく長期に亘って抑制されるようになるのに対し
て、従来Ｓｉターゲット材１〜３は、スパッタ面の表面
粗さが全面同じであり、その表面粗さもスパッタ効率を
主体としたものとなり、どうしても相対的に平滑なもの
とならざるを得ず、この結果特に苛酷な条件でのスパッ
タではスパッタ生成堆積物のスパッタ面からの剥離を避
けることができなくなり、短時間の操業でパーティクル
の多発を見るようになることが明らかである。上述のよ
うに、この発明のＳｉターゲット材は、苛酷な条件での
スパッタでも成膜中にパーティクルが多発するのを長期
に亘って抑制することができるので、マグネトロンスパ
ッタリング装置の大型化および高性能化に十分満足に対
応でき、長い使用寿命を示すものである。From the results shown in Table 2, in the Si target materials 1 to 9 of the present invention, the erosion part is equivalent to the conventional surface roughness in terms of the sputtering efficiency, but especially the spatter forming the non-erosion part. By making the surface roughness of the central part and the outer peripheral edge part relatively large, the adhesion with the sputter product deposited on the surface is high, so that the sputter product deposits are removed during sputtering. As a result, the occurrence of many particles during film formation is suppressed for a very long period of time, whereas the conventional Si target materials 1 to 3 have the same surface roughness on the sputtering surface. However, the surface roughness is mainly based on the sputtering efficiency, and it is unavoidable that the surface roughness is relatively smooth. As a result, spatter is generated especially in spattering under severe conditions. Can not be avoided the peeling from the sputtering surface of the product material, it is clear that so view particles frequently in a short time of operation. As described above, the Si target material of the present invention can suppress the generation of many particles during film formation even during sputtering under severe conditions for a long period of time. It has a long service life and can be fully satisfied.
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing
【補正方法】追加[Correction method] Added
【補正内容】[Correction content]
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】この発明のＳｉターゲット材のＡ型、Ｂ型、お
よびＣ型の実施例を示す概略縦断面図である。FIG. 1 is a schematic vertical sectional view showing an A-type, B-type, and C-type embodiment of a Si target material of the present invention.
【符号の説明】 １ エロージョン部 ２ａ、２ｂ 非エロージョン部[Explanation of Codes] 1 Erosion part 2a, 2b Non-erosion part
Claims (4)
ン部を、残りのスパッタ面中央部および外周縁部で構成
された非エロージョン部に対して突出させ、かつ前記エ
ロージョン部の表面粗さを０．０１〜０．０５μｍＲａ
（中心線平均粗さ）とし、前記非エロージョン部の表面
粗さを０．２〜２μｍＲａとしたことを特徴とするマグ
ネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲット材。1. A flat ring-shaped erosion portion of a sputter surface is projected to a non-erosion portion composed of a center portion and an outer peripheral edge portion of the remaining sputter surface, and a surface roughness of the erosion portion is set to 0. 01-0.05 μmRa
(Center line average roughness) and the surface roughness of the non-erosion portion is 0.2 to 2 μmRa. A Si target material for magnetron sputtering.
部の非エロージョン部に対して面高さで０．０５〜５mm
高くしたことを特徴とする上記請求項１記載のマグネト
ロンスパッタリング用Ｓｉターゲット材。2. The surface height of the erosion portion is 0.05 to 5 mm with respect to the non-erosion portion at the center of the sputtering surface.
The Si target material for magnetron sputtering according to claim 1, wherein the Si target material is made higher.
を面取り加工面としたことを特徴とする上記請求項１ま
たは２記載のマグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲ
ット材。3. The Si target material for magnetron sputtering according to claim 1, wherein the non-erosion portion at the outer peripheral edge of the sputtering surface is a chamfered surface.
したことを特徴とする上記請求項１，２、または３記載
のマグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲット材。4. The Si target material for magnetron sputtering according to claim 1, wherein the corner portion of the erosion portion is an R processed surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5120960A JP2917743B2 (en) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | Si target material for magnetron sputtering |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5120960A JP2917743B2 (en) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | Si target material for magnetron sputtering |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06306596A true JPH06306596A (en) | 1994-11-01 |
| JP2917743B2 JP2917743B2 (en) | 1999-07-12 |
Family
ID=14799261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5120960A Expired - Lifetime JP2917743B2 (en) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | Si target material for magnetron sputtering |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2917743B2 (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000020654A1 (en) * | 1998-10-06 | 2000-04-13 | Nikko Materials Company, Limited | Sputtering target assembly of oxide sintered body |
| JP2002302762A (en) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Tosoh Corp | ITO sputtering target |
| JP2008133520A (en) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Mitsubishi Materials Corp | Silicon target material |
| JP2008248346A (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tosoh Corp | Sputtering target |
| US20120145534A1 (en) * | 2010-12-14 | 2012-06-14 | Asahi Glass Company, Limited | Process for producing reflective mask blank for euv lithography and process for producing substrate with functional film for the mask blank |
| JP2017043812A (en) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 三菱マテリアル株式会社 | Silicon target material for sputtering and method of forming crack prevention layer in the target |
| JPWO2015111576A1 (en) * | 2014-01-21 | 2017-03-23 | 住友化学株式会社 | Sputtering target |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59211575A (en) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Toshiba Corp | Target for sputtering |
| JPH04173965A (en) * | 1990-11-05 | 1992-06-22 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | Target for sputtering |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP5120960A patent/JP2917743B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59211575A (en) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Toshiba Corp | Target for sputtering |
| JPH04173965A (en) * | 1990-11-05 | 1992-06-22 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | Target for sputtering |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000020654A1 (en) * | 1998-10-06 | 2000-04-13 | Nikko Materials Company, Limited | Sputtering target assembly of oxide sintered body |
| JP2002302762A (en) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Tosoh Corp | ITO sputtering target |
| JP2008133520A (en) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Mitsubishi Materials Corp | Silicon target material |
| JP2008248346A (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tosoh Corp | Sputtering target |
| US20120145534A1 (en) * | 2010-12-14 | 2012-06-14 | Asahi Glass Company, Limited | Process for producing reflective mask blank for euv lithography and process for producing substrate with functional film for the mask blank |
| US8562794B2 (en) * | 2010-12-14 | 2013-10-22 | Asahi Glass Company, Limited | Process for producing reflective mask blank for EUV lithography and process for producing substrate with functional film for the mask blank |
| JPWO2015111576A1 (en) * | 2014-01-21 | 2017-03-23 | 住友化学株式会社 | Sputtering target |
| JP2017043812A (en) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 三菱マテリアル株式会社 | Silicon target material for sputtering and method of forming crack prevention layer in the target |
| WO2017038299A1 (en) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | 三菱マテリアル株式会社 | Sputtering silicon target material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2917743B2 (en) | 1999-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2720755B2 (en) | Ti target material for magnetron sputtering | |
| KR100515906B1 (en) | Sputtering target producing few particles | |
| US7909949B2 (en) | Sputtering target with few surface defects, and surface processing method thereof | |
| CN101990584B (en) | Sputtering target with low generation of particles | |
| JPH06306596A (en) | Si target material for magnetron sputtering | |
| EP1087033A1 (en) | Extended life sputter targets | |
| JP2001073115A (en) | Carbon sputtering device | |
| JP5540948B2 (en) | Sputtering target | |
| JP2917744B2 (en) | Si target material for magnetron sputtering | |
| JP2738263B2 (en) | Ti target material for magnetron sputtering | |
| JPH07221019A (en) | Parallelizing attachment device | |
| JP2001011617A (en) | Sputtering target | |
| JPH04173965A (en) | Target for sputtering | |
| JPS6167768A (en) | spatuta target | |
| JPH09209133A (en) | Ti target for magnetron sputtering | |
| JP3407518B2 (en) | Ti target for magnetron sputtering | |
| JPH11236663A (en) | Sputtering target, sputtering apparatus and sputtering method | |
| JPH09176842A (en) | Ti target for magnetron sputtering | |
| US11821077B2 (en) | Sputtering target | |
| JP2001262326A (en) | Indium oxide-metallic thin powder mixture, ito sputtering target using the same powdery mixture as raw material and method for producing the same target | |
| JP2768980B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH0790576A (en) | Sputtering target | |
| JP5540947B2 (en) | Sputtering target | |
| JPH06306590A (en) | Metal target for sputtering equipment | |
| JP2024175910A (en) | Gallium nitride film deposition sputtering target |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990323 |