JPH06306596A - マグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲット材 - Google Patents
マグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲット材Info
- Publication number
- JPH06306596A JPH06306596A JP12096093A JP12096093A JPH06306596A JP H06306596 A JPH06306596 A JP H06306596A JP 12096093 A JP12096093 A JP 12096093A JP 12096093 A JP12096093 A JP 12096093A JP H06306596 A JPH06306596 A JP H06306596A
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- Japan
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- erosion
- target material
- sputtering
- erosion portion
- magnetron sputtering
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 長期に亘ってパーティクルの少ない成膜形成
が可能なマグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲット
材を提供する。 【構成】 マグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲッ
ト材が、スパッタ面の平面リング状のエロージョン部
を、残りのスパッタ面中央部および外周縁部を構成する
非エロージョン部に対して突出させ、かつ前記エロージ
ョン部の表面粗さを０．０１〜０．０５μｍＲａ（中心
線平均粗さ）とし、前記非エロージョン部の表面粗さを
０．２〜２μｍＲａとしてなる。
が可能なマグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲット
材を提供する。 【構成】 マグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲッ
ト材が、スパッタ面の平面リング状のエロージョン部
を、残りのスパッタ面中央部および外周縁部を構成する
非エロージョン部に対して突出させ、かつ前記エロージ
ョン部の表面粗さを０．０１〜０．０５μｍＲａ（中心
線平均粗さ）とし、前記非エロージョン部の表面粗さを
０．２〜２μｍＲａとしてなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、長期に亘ってパーテ
ィクルの少ない成膜形成が可能なマグネトロンスパッタ
リング用Ｓｉターゲット材に関するものである。
ィクルの少ない成膜形成が可能なマグネトロンスパッタ
リング用Ｓｉターゲット材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般に、雰囲気ガスとしてＮ2 や
Ｏ2 などの反応性ガスを用いてプラズマを発生させ、マ
グネットによりＳｉターゲット材の表面に垂直方向の磁
界を印加しながら、前記Ｓｉターゲット材表面をスパッ
タして基体の表面にＳｉＮ膜などを形成するマグネトロ
ンスパッタリング法が知られている。
Ｏ2 などの反応性ガスを用いてプラズマを発生させ、マ
グネットによりＳｉターゲット材の表面に垂直方向の磁
界を印加しながら、前記Ｓｉターゲット材表面をスパッ
タして基体の表面にＳｉＮ膜などを形成するマグネトロ
ンスパッタリング法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年のこの種マ
グネトロンスパッタリング装置の大型化および高性能化
はめざましく、これに伴ないスパッタ条件は一段と苛酷
さを増す状況にあるが、上記の従来Ｓｉターゲット材の
場合、苛酷な条件下でのスパッタでは、比較的短時間の
操業で成膜中に、通常直径：０．３μｍ以上の粗大なパ
ーティクルが多数発生するようになり、これが原因で使
用寿命に至るのが現状である。
グネトロンスパッタリング装置の大型化および高性能化
はめざましく、これに伴ないスパッタ条件は一段と苛酷
さを増す状況にあるが、上記の従来Ｓｉターゲット材の
場合、苛酷な条件下でのスパッタでは、比較的短時間の
操業で成膜中に、通常直径：０．３μｍ以上の粗大なパ
ーティクルが多数発生するようになり、これが原因で使
用寿命に至るのが現状である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、成膜中に粗大パーティクルを発
生させないマグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲッ
ト材を開発すべく研究を行なった結果、 （ａ） 従来Ｓｉターゲット材の場合、比較的短時間の
使用で成膜中に多数のパーティクルが形成されるように
なるのは、操業中にターゲット材のスパッタ面の非エロ
ージョン部、すなわちスパッタ面の中央部および外周縁
部にＳｉＮなどのスパッタ生成物が堆積するが、この堆
積物がある量になると、スパッタ中に前記非エロージョ
ン部から剥離し、これが成膜中にパーティクルとして混
入するようになることに原因があること。
上述のような観点から、成膜中に粗大パーティクルを発
生させないマグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲッ
ト材を開発すべく研究を行なった結果、 （ａ） 従来Ｓｉターゲット材の場合、比較的短時間の
使用で成膜中に多数のパーティクルが形成されるように
なるのは、操業中にターゲット材のスパッタ面の非エロ
ージョン部、すなわちスパッタ面の中央部および外周縁
部にＳｉＮなどのスパッタ生成物が堆積するが、この堆
積物がある量になると、スパッタ中に前記非エロージョ
ン部から剥離し、これが成膜中にパーティクルとして混
入するようになることに原因があること。
【０００５】（ｂ） 一般に、従来Ｓｉターゲット材に
おいては、そのスパッタ面の面粗さを全面に亘って０．
０２〜０．１μｍＲａ（中心線平均粗さ、以下同じ）と
しているが、これをスパッタ面における上記非エロージ
ョン部の面粗さを相対的に粗い０．２〜２μｍＲａと
し、残りの平面リング状のエロージョン部の面粗さをこ
れより平滑な０．０１〜０．０５μｍＲａとすると、前
記エロージョン部の表面粗さによってスパッタが円滑
に、かつ多数のパーティクルの発生が極力抑制された状
態で行なわれるようになり、一方上記非エロージョン部
の相対的に粗い面粗さによって操業中に堆積したスパッ
タ生成物との間に強固な密着力が形成されることから、
苛酷な条件でスパッタを行なっても前記スパッタ生成堆
積物が非エロージョン部から剥離することがなく、成膜
中のパーティクルの形成が長期に亘って抑制されるよう
になること。
おいては、そのスパッタ面の面粗さを全面に亘って０．
０２〜０．１μｍＲａ（中心線平均粗さ、以下同じ）と
しているが、これをスパッタ面における上記非エロージ
ョン部の面粗さを相対的に粗い０．２〜２μｍＲａと
し、残りの平面リング状のエロージョン部の面粗さをこ
れより平滑な０．０１〜０．０５μｍＲａとすると、前
記エロージョン部の表面粗さによってスパッタが円滑
に、かつ多数のパーティクルの発生が極力抑制された状
態で行なわれるようになり、一方上記非エロージョン部
の相対的に粗い面粗さによって操業中に堆積したスパッ
タ生成物との間に強固な密着力が形成されることから、
苛酷な条件でスパッタを行なっても前記スパッタ生成堆
積物が非エロージョン部から剥離することがなく、成膜
中のパーティクルの形成が長期に亘って抑制されるよう
になること。
【０００６】（ｃ） スパッタ面における上記非エロー
ジョン部を同エロージョン部に対して面レベルで低くす
る、すなわちエロージョン部を非エロージョン部に対し
て突出させると、操業中に非エロージョン部に堆積した
スパッタ生成物がスパッタ反応空間の影響を受けにくく
なるので、成膜中のパータィクルの形成がさらに一段と
抑制されるようになること。なお、この場合、エロージ
ョン部をスパッタ面中央部の非エロージョン部に対して
面高さで０．０５〜５mm高くするのが望ましく、また、
非エロージョン部の外周縁部を面取り加工面とすること
や、上記突出したエロージョン部の角部をＲ加工面とす
ることが望ましく、これによってパーティクル発生の原
因となる異常放電が著しく低減するようになること。 以上（ａ）〜（ｃ）に示される研究結果が得られたので
ある。
ジョン部を同エロージョン部に対して面レベルで低くす
る、すなわちエロージョン部を非エロージョン部に対し
て突出させると、操業中に非エロージョン部に堆積した
スパッタ生成物がスパッタ反応空間の影響を受けにくく
なるので、成膜中のパータィクルの形成がさらに一段と
抑制されるようになること。なお、この場合、エロージ
ョン部をスパッタ面中央部の非エロージョン部に対して
面高さで０．０５〜５mm高くするのが望ましく、また、
非エロージョン部の外周縁部を面取り加工面とすること
や、上記突出したエロージョン部の角部をＲ加工面とす
ることが望ましく、これによってパーティクル発生の原
因となる異常放電が著しく低減するようになること。 以上（ａ）〜（ｃ）に示される研究結果が得られたので
ある。
【０００７】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、スパッタ面の平面リング状のエ
ロージョン部を、残りのスパッタ面中央部および外周縁
部で構成された非エロージョン部に対して突出させ、か
つ前記エロージョン部の表面粗さを０．０１〜０．０５
μｍＲａとし、前記非エロージョン部の表面粗さを０．
２〜２μｍＲａとすることにより、長期に亘ってパーテ
ィクルの少ない成膜形成を可能ならしめたマグネトロン
スパッタリング用Ｓｉターゲット材に特徴を有するもの
である。
なされたものであって、スパッタ面の平面リング状のエ
ロージョン部を、残りのスパッタ面中央部および外周縁
部で構成された非エロージョン部に対して突出させ、か
つ前記エロージョン部の表面粗さを０．０１〜０．０５
μｍＲａとし、前記非エロージョン部の表面粗さを０．
２〜２μｍＲａとすることにより、長期に亘ってパーテ
ィクルの少ない成膜形成を可能ならしめたマグネトロン
スパッタリング用Ｓｉターゲット材に特徴を有するもの
である。
【０００８】つぎに、この発明のＳｉターゲット材にお
いて、エロージョン部および非エロージョン部の表面粗
さを上記の通りに限定した理由を説明する。すなわち、
エロージョン部の表面粗さを０．０１〜０．０５μｍＲ
ａとしたのは、その表面粗さが０．０１μｍＲａ未満で
は、スパッタ面が平滑すぎて、特に初期段階でのスパッ
タがスムーズに行なわれず、一方その表面粗さが０．０
５μｍＲａを越えると、異常放電が発生し易くなり、パ
ーティクルの多発形成の原因になるという理由によるも
のである。また、非エロージョン部の表面粗さを０．２
〜２μｍＲａとしたのは、その表面粗さが０．２μｍＲ
ａ未満では、スパッタ生成堆積物との間にスパッタ中に
剥離のない強固な密着力を形成することができず、この
結果上記の通りスパッタ生成堆積物の剥離が起ってパー
ティクルの多数発生の原因となり、一方その表面粗さが
２μｍＲａを越えると、特にスパッタ初期において、粗
面が原因で異常放電を起し易くなり、同様に成膜中のパ
ーティクル数が増大するようになるという理由にもとづ
くものである。さらに、エロージョン部を非エロージョ
ン部における中央部に対して面高さで０．０５〜５mm高
くするのが望ましい理由は、その高さが０．０５mm未満
では所望のパーティクルの発生抑制効果が得られず、一
方その高さが５mmを越えると、スパッタ効率が低下し、
成膜速度が低下するようになることにある。
いて、エロージョン部および非エロージョン部の表面粗
さを上記の通りに限定した理由を説明する。すなわち、
エロージョン部の表面粗さを０．０１〜０．０５μｍＲ
ａとしたのは、その表面粗さが０．０１μｍＲａ未満で
は、スパッタ面が平滑すぎて、特に初期段階でのスパッ
タがスムーズに行なわれず、一方その表面粗さが０．０
５μｍＲａを越えると、異常放電が発生し易くなり、パ
ーティクルの多発形成の原因になるという理由によるも
のである。また、非エロージョン部の表面粗さを０．２
〜２μｍＲａとしたのは、その表面粗さが０．２μｍＲ
ａ未満では、スパッタ生成堆積物との間にスパッタ中に
剥離のない強固な密着力を形成することができず、この
結果上記の通りスパッタ生成堆積物の剥離が起ってパー
ティクルの多数発生の原因となり、一方その表面粗さが
２μｍＲａを越えると、特にスパッタ初期において、粗
面が原因で異常放電を起し易くなり、同様に成膜中のパ
ーティクル数が増大するようになるという理由にもとづ
くものである。さらに、エロージョン部を非エロージョ
ン部における中央部に対して面高さで０．０５〜５mm高
くするのが望ましい理由は、その高さが０．０５mm未満
では所望のパーティクルの発生抑制効果が得られず、一
方その高さが５mmを越えると、スパッタ効率が低下し、
成膜速度が低下するようになることにある。
【０００９】
【実施例】つぎに、この発明のＳｉターゲット材を実施
例により具体的に説明する。図１にそれぞれ概略縦断面
図で示されるＡ型、Ｂ型、およびＣ型の形状および表１
に示される寸法を有し、かつ表２に示される表面粗さを
もった平面円形の本発明Ｓｉターゲット材１〜９をそれ
ぞれ用意した。また、比較の目的で同じく表２に示され
る寸法およびスパッタ面表面粗さをもった従来Ｓｉター
ゲット材１〜３を用意した。ついで、これらの各種Ｓｉ
ターゲット材を用い、直流マグネトロンスパッタリング
装置にて、電圧：４００Ｖ、出力：１０００Ｗ、雰囲
気：Ａｒ＋Ｎ2 、雰囲気圧力：１０torr（ただし、Ｎ2
分圧：３torr）の条件で、直径：２５０mm×厚さ：１０
mmの寸法をもった平面円形のＳｉウエハの表面に厚さ：
０．５μｍのＳｉＮ成膜を形成する操作を連続的に行な
い、一方で前記ＳｉＮ成膜中に存在する直径：０．３μ
ｍ以上のパーティクル数をパーティクルカウンターを用
い、レーザ光を当てて観察し、前記成膜中に前記パーテ
ィクルが１００個以上存在するに至るまでのＳｉウエハ
枚数を測定した。これらの測定結果を表２に示した。
例により具体的に説明する。図１にそれぞれ概略縦断面
図で示されるＡ型、Ｂ型、およびＣ型の形状および表１
に示される寸法を有し、かつ表２に示される表面粗さを
もった平面円形の本発明Ｓｉターゲット材１〜９をそれ
ぞれ用意した。また、比較の目的で同じく表２に示され
る寸法およびスパッタ面表面粗さをもった従来Ｓｉター
ゲット材１〜３を用意した。ついで、これらの各種Ｓｉ
ターゲット材を用い、直流マグネトロンスパッタリング
装置にて、電圧：４００Ｖ、出力：１０００Ｗ、雰囲
気：Ａｒ＋Ｎ2 、雰囲気圧力：１０torr（ただし、Ｎ2
分圧：３torr）の条件で、直径：２５０mm×厚さ：１０
mmの寸法をもった平面円形のＳｉウエハの表面に厚さ：
０．５μｍのＳｉＮ成膜を形成する操作を連続的に行な
い、一方で前記ＳｉＮ成膜中に存在する直径：０．３μ
ｍ以上のパーティクル数をパーティクルカウンターを用
い、レーザ光を当てて観察し、前記成膜中に前記パーテ
ィクルが１００個以上存在するに至るまでのＳｉウエハ
枚数を測定した。これらの測定結果を表２に示した。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【表２】
【００１２】
【発明の効果】表２に示される結果から、本発明Ｓｉタ
ーゲット材１〜９は、いずれもエロージョン部はスパッ
タ効率の点から従来表面粗さと同等であるが、特に非エ
ロージョン部を構成するスパッタ面中央部および外周縁
部の表面粗さを相対的に粗くすることにより、これに堆
積するスパッタ生成物との密着性が高いものとなってい
るので、スパッタ中に前記スパッタ生成堆積物が剥れる
ことがなくなり、この結果成膜中のパーティクルの多発
が著しく長期に亘って抑制されるようになるのに対し
て、従来Ｓｉターゲット材１〜３は、スパッタ面の表面
粗さが全面同じであり、その表面粗さもスパッタ効率を
主体としたものとなり、どうしても相対的に平滑なもの
とならざるを得ず、この結果特に苛酷な条件でのスパッ
タではスパッタ生成堆積物のスパッタ面からの剥離を避
けることができなくなり、短時間の操業でパーティクル
の多発を見るようになることが明らかである。上述のよ
うに、この発明のＳｉターゲット材は、苛酷な条件での
スパッタでも成膜中にパーティクルが多発するのを長期
に亘って抑制することができるので、マグネトロンスパ
ッタリング装置の大型化および高性能化に十分満足に対
応でき、長い使用寿命を示すものである。
ーゲット材１〜９は、いずれもエロージョン部はスパッ
タ効率の点から従来表面粗さと同等であるが、特に非エ
ロージョン部を構成するスパッタ面中央部および外周縁
部の表面粗さを相対的に粗くすることにより、これに堆
積するスパッタ生成物との密着性が高いものとなってい
るので、スパッタ中に前記スパッタ生成堆積物が剥れる
ことがなくなり、この結果成膜中のパーティクルの多発
が著しく長期に亘って抑制されるようになるのに対し
て、従来Ｓｉターゲット材１〜３は、スパッタ面の表面
粗さが全面同じであり、その表面粗さもスパッタ効率を
主体としたものとなり、どうしても相対的に平滑なもの
とならざるを得ず、この結果特に苛酷な条件でのスパッ
タではスパッタ生成堆積物のスパッタ面からの剥離を避
けることができなくなり、短時間の操業でパーティクル
の多発を見るようになることが明らかである。上述のよ
うに、この発明のＳｉターゲット材は、苛酷な条件での
スパッタでも成膜中にパーティクルが多発するのを長期
に亘って抑制することができるので、マグネトロンスパ
ッタリング装置の大型化および高性能化に十分満足に対
応でき、長い使用寿命を示すものである。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】
【発明の効果】表２に示される結果から、本発明Ｓｉタ
ーゲット材１〜９は、いずれもエロージョン部はスパッ
タ効率の点から従来表面粗さと同等であるが、特に非エ
ロージョン部を構成するスパッタ面中央部および外周縁
部の表面粗さを相対的に粗くすることにより、これに堆
積するスパッタ生成物との密着性が高いものとなってい
るので、スパッタ中に前記スパッタ生成堆積物が剥れる
ことがなくなり、この結果成膜中のパーティクルの多発
が著しく長期に亘って抑制されるようになるのに対し
て、従来Ｓｉターゲット材１〜３は、スパッタ面の表面
粗さが全面同じであり、その表面粗さもスパッタ効率を
主体としたものとなり、どうしても相対的に平滑なもの
とならざるを得ず、この結果特に苛酷な条件でのスパッ
タではスパッタ生成堆積物のスパッタ面からの剥離を避
けることができなくなり、短時間の操業でパーティクル
の多発を見るようになることが明らかである。上述のよ
うに、この発明のＳｉターゲット材は、苛酷な条件での
スパッタでも成膜中にパーティクルが多発するのを長期
に亘って抑制することができるので、マグネトロンスパ
ッタリング装置の大型化および高性能化に十分満足に対
応でき、長い使用寿命を示すものである。
ーゲット材１〜９は、いずれもエロージョン部はスパッ
タ効率の点から従来表面粗さと同等であるが、特に非エ
ロージョン部を構成するスパッタ面中央部および外周縁
部の表面粗さを相対的に粗くすることにより、これに堆
積するスパッタ生成物との密着性が高いものとなってい
るので、スパッタ中に前記スパッタ生成堆積物が剥れる
ことがなくなり、この結果成膜中のパーティクルの多発
が著しく長期に亘って抑制されるようになるのに対し
て、従来Ｓｉターゲット材１〜３は、スパッタ面の表面
粗さが全面同じであり、その表面粗さもスパッタ効率を
主体としたものとなり、どうしても相対的に平滑なもの
とならざるを得ず、この結果特に苛酷な条件でのスパッ
タではスパッタ生成堆積物のスパッタ面からの剥離を避
けることができなくなり、短時間の操業でパーティクル
の多発を見るようになることが明らかである。上述のよ
うに、この発明のＳｉターゲット材は、苛酷な条件での
スパッタでも成膜中にパーティクルが多発するのを長期
に亘って抑制することができるので、マグネトロンスパ
ッタリング装置の大型化および高性能化に十分満足に対
応でき、長い使用寿命を示すものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】追加
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明のＳｉターゲット材のＡ型、Ｂ型、お
よびＣ型の実施例を示す概略縦断面図である。
よびＣ型の実施例を示す概略縦断面図である。
【符号の説明】 １ エロージョン部 ２ａ、２ｂ 非エロージョン部
Claims (4)
- 【請求項１】 スパッタ面の平面リング状のエロージョ
ン部を、残りのスパッタ面中央部および外周縁部で構成
された非エロージョン部に対して突出させ、かつ前記エ
ロージョン部の表面粗さを０．０１〜０．０５μｍＲａ
（中心線平均粗さ）とし、前記非エロージョン部の表面
粗さを０．２〜２μｍＲａとしたことを特徴とするマグ
ネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲット材。 - 【請求項２】 上記エロージョン部を、スパッタ面中央
部の非エロージョン部に対して面高さで０．０５〜５mm
高くしたことを特徴とする上記請求項１記載のマグネト
ロンスパッタリング用Ｓｉターゲット材。 - 【請求項３】 スパッタ面外周縁部の非エロージョン部
を面取り加工面としたことを特徴とする上記請求項１ま
たは２記載のマグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲ
ット材。 - 【請求項４】 上記エロージョン部の角部をＲ加工面と
したことを特徴とする上記請求項１，２、または３記載
のマグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲット材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5120960A JP2917743B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | マグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5120960A JP2917743B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | マグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲット材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06306596A true JPH06306596A (ja) | 1994-11-01 |
| JP2917743B2 JP2917743B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=14799261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5120960A Expired - Lifetime JP2917743B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | マグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲット材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2917743B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000020654A1 (en) * | 1998-10-06 | 2000-04-13 | Nikko Materials Company, Limited | Sputtering target assembly of oxide sintered body |
| JP2002302762A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Tosoh Corp | Ｉｔｏスパッタリングターゲット |
| JP2008133520A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Mitsubishi Materials Corp | シリコンターゲット材 |
| JP2008248346A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲット |
| US20120145534A1 (en) * | 2010-12-14 | 2012-06-14 | Asahi Glass Company, Limited | Process for producing reflective mask blank for euv lithography and process for producing substrate with functional film for the mask blank |
| JP2017043812A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリング用シリコンターゲット材及びそのターゲット材に割れ防止層を形成する方法 |
| JPWO2015111576A1 (ja) * | 2014-01-21 | 2017-03-23 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲット |
Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS59211575A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Toshiba Corp | スパツタリング用タ−ゲツト |
| JPH04173965A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-22 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | スパッタリング用ターゲット |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP5120960A patent/JP2917743B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2017043812A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリング用シリコンターゲット材及びそのターゲット材に割れ防止層を形成する方法 |
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