JPH06309647A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH06309647A JPH06309647A JP10318193A JP10318193A JPH06309647A JP H06309647 A JPH06309647 A JP H06309647A JP 10318193 A JP10318193 A JP 10318193A JP 10318193 A JP10318193 A JP 10318193A JP H06309647 A JPH06309647 A JP H06309647A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２２００Ｏｅ以上の保磁力Ｈc を有する磁気
記録媒体及びその製造方法を提供する。 【構成】 磁気ディスク１はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔの
四元合金からなる磁性膜２が、Ｃｒからなる下地膜３、
及びプリコート膜４を設けたガラス基板５の上に形成さ
れている。そして、磁気ディスク１は、Ｃｒ結晶の格子
面Ｃｒ（２００）及びＣｏ結晶の格子面Ｃｏ（１１０）
が共にガラス基板面に平行に優先配向した場合のＸ線回
折強度と比較して、Ｃｒ（２００）及びＣｏ（１１０）
のＸ線回折強度は低くなっている。
記録媒体及びその製造方法を提供する。 【構成】 磁気ディスク１はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔの
四元合金からなる磁性膜２が、Ｃｒからなる下地膜３、
及びプリコート膜４を設けたガラス基板５の上に形成さ
れている。そして、磁気ディスク１は、Ｃｒ結晶の格子
面Ｃｒ（２００）及びＣｏ結晶の格子面Ｃｏ（１１０）
が共にガラス基板面に平行に優先配向した場合のＸ線回
折強度と比較して、Ｃｒ（２００）及びＣｏ（１１０）
のＸ線回折強度は低くなっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス基板を使用した
磁気記録媒体に関し、特に、高い保磁力Ｈcを有する高
密度記録に好適な磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体に関し、特に、高い保磁力Ｈcを有する高
密度記録に好適な磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近来、磁気記録媒体はますます高密度記
録の可能なものが希求されており、そのためにより高い
保磁力Ｈcをもつ磁気記録媒体の開発努力がなされてい
る。磁気ディスクの分野に関しては、従来塗布型ディス
クであったものが高密度記録に対応できるスパッタ型デ
ィスクが主流となってきている。
録の可能なものが希求されており、そのためにより高い
保磁力Ｈcをもつ磁気記録媒体の開発努力がなされてい
る。磁気ディスクの分野に関しては、従来塗布型ディス
クであったものが高密度記録に対応できるスパッタ型デ
ィスクが主流となってきている。
【０００３】上記スパッタ型による磁気ディスクは、当
初ＮiＰをめっきしたＡl基板上にＣr下地膜、Ｃo−Ｎi
あるいはＣo−Ｎi−Ｃr磁性膜をこの順に設け、この磁
性膜の上にカーボン膜及び潤滑層を設けたものが開発さ
れた。そして、記録密度の向上により、ヘッドの浮上量
をより少なくできるガラス基板が登場し、磁性膜につい
ては低ノイズのＣo−Ｃr−Ｔa、Ｃo−Ｃr−Ｐtが開発さ
れた。
初ＮiＰをめっきしたＡl基板上にＣr下地膜、Ｃo−Ｎi
あるいはＣo−Ｎi−Ｃr磁性膜をこの順に設け、この磁
性膜の上にカーボン膜及び潤滑層を設けたものが開発さ
れた。そして、記録密度の向上により、ヘッドの浮上量
をより少なくできるガラス基板が登場し、磁性膜につい
ては低ノイズのＣo−Ｃr−Ｔa、Ｃo−Ｃr−Ｐtが開発さ
れた。
【０００４】上記保磁力Ｈcをより高くするために、例
えば特開平１−２５６０１７号公報にはＣo−Ｃr−Ｔa
−Ｐtからなる磁性層を用いる技術が記載され、また、
特公平４−５０６５３号公報には、負のバイアス電圧を
印加しながら成膜するバイアススパッタ技術が記載され
ている。
えば特開平１−２５６０１７号公報にはＣo−Ｃr−Ｔa
−Ｐtからなる磁性層を用いる技術が記載され、また、
特公平４−５０６５３号公報には、負のバイアス電圧を
印加しながら成膜するバイアススパッタ技術が記載され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のいずれ
の技術においても、前記低浮上量特性に優れたガラス基
板を用いた場合には、保磁力Ｈcが２２００（Ｏｅ）を
超える高特性の磁気ディスクは得られていない。本発明
の目的は、上記２２００（Ｏｅ）以上の保磁力Ｈcを有
する磁気記録媒体及びその製造方法を提供することにあ
る。
の技術においても、前記低浮上量特性に優れたガラス基
板を用いた場合には、保磁力Ｈcが２２００（Ｏｅ）を
超える高特性の磁気ディスクは得られていない。本発明
の目的は、上記２２００（Ｏｅ）以上の保磁力Ｈcを有
する磁気記録媒体及びその製造方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の磁気記録媒体は、磁性膜中のＣr結晶及び
Ｃo結晶の格子面が、Ｃr結晶の格子面Ｃr（２００）及
びＣo結晶の格子面Ｃo（１１０）が共にガラス基板面に
平行に優先配向した場合のＸ線回折強度と比較して、Ｃ
r（２００）及びＣo（１１０）のＸ線回折強度を低くし
てある。
め、本発明の磁気記録媒体は、磁性膜中のＣr結晶及び
Ｃo結晶の格子面が、Ｃr結晶の格子面Ｃr（２００）及
びＣo結晶の格子面Ｃo（１１０）が共にガラス基板面に
平行に優先配向した場合のＸ線回折強度と比較して、Ｃ
r（２００）及びＣo（１１０）のＸ線回折強度を低くし
てある。
【０００７】また本発明の製造方法は、プリコート膜を
少なくともＶ，Ｍo，ＮiＰのうちの１種を含む材料によ
って成膜し、さらに下地膜及び磁性膜を、負のバイアス
電圧を印加しながらスパッタ法によって形成してある。
少なくともＶ，Ｍo，ＮiＰのうちの１種を含む材料によ
って成膜し、さらに下地膜及び磁性膜を、負のバイアス
電圧を印加しながらスパッタ法によって形成してある。
【０００８】
【作用】本発明の磁気記録媒体は、プリコート膜、下地
膜及び磁性膜の成膜条件等を操作することにより、成長
するＣr結晶及びＣo結晶の格子面とガラス基板面との相
対位置を調整し、保磁力Ｈcの向上を図る。
膜及び磁性膜の成膜条件等を操作することにより、成長
するＣr結晶及びＣo結晶の格子面とガラス基板面との相
対位置を調整し、保磁力Ｈcの向上を図る。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。ここにおいて図１は本発明に基づく磁気ディスクの
一例を示す部分断面図である。この磁気ディスク１はＣ
o−Ｃr−Ｔa−Ｐtの四元合金からなる磁性膜２が、Ｃr
からなる下地膜３、及びプリコート膜４を設けたガラス
基板５の上に形成されている。磁気ディスク１として使
用するには、磁性膜２の上に図示しないカーボン潤滑層
をおき、さらにその上に潤滑剤を塗布する。
る。ここにおいて図１は本発明に基づく磁気ディスクの
一例を示す部分断面図である。この磁気ディスク１はＣ
o−Ｃr−Ｔa−Ｐtの四元合金からなる磁性膜２が、Ｃr
からなる下地膜３、及びプリコート膜４を設けたガラス
基板５の上に形成されている。磁気ディスク１として使
用するには、磁性膜２の上に図示しないカーボン潤滑層
をおき、さらにその上に潤滑剤を塗布する。
【００１０】そして、磁性膜２においては、Ｃr結晶
（体心立方晶）及びＣo結晶（六方晶）の格子面は、Ｃr
結晶の格子面Ｃr（２００）及びＣo結晶の格子面Ｃo
（１１０）が共にガラス基板面に平行に優先配向した場
合のＸ線回折強度と比較して、Ｃr（２００）及びＣo
（１１０）のＸ線回折強度は低くなっている。また、同
様にＣr（１１０）のＸ線回折強度は高くなっている。
このような格子面を有する本発明に基づく磁気ディスク
１は保磁力Ｈcが２２００（Ｏｅ）以上となり、さらに
は３２００（Ｏｅ）を超えることも可能である。
（体心立方晶）及びＣo結晶（六方晶）の格子面は、Ｃr
結晶の格子面Ｃr（２００）及びＣo結晶の格子面Ｃo
（１１０）が共にガラス基板面に平行に優先配向した場
合のＸ線回折強度と比較して、Ｃr（２００）及びＣo
（１１０）のＸ線回折強度は低くなっている。また、同
様にＣr（１１０）のＸ線回折強度は高くなっている。
このような格子面を有する本発明に基づく磁気ディスク
１は保磁力Ｈcが２２００（Ｏｅ）以上となり、さらに
は３２００（Ｏｅ）を超えることも可能である。
【００１１】上記内容を具体的に説明する。図９は、従
来のＣr（２００）及びＣo（１１０）がガラス基板面に
平行に優先配向した磁性膜２に係るＣr結晶及びＣo結晶
の単位胞を示す概念図である。２θ／θ法によるＸ線回
折においては、ガラス基板５の面に対して平行となった
格子面のみからＸ線が回折されるため、図９においては
これらＣr（２００）及びＣo（１１０）の回折強度が強
く出る。
来のＣr（２００）及びＣo（１１０）がガラス基板面に
平行に優先配向した磁性膜２に係るＣr結晶及びＣo結晶
の単位胞を示す概念図である。２θ／θ法によるＸ線回
折においては、ガラス基板５の面に対して平行となった
格子面のみからＸ線が回折されるため、図９においては
これらＣr（２００）及びＣo（１１０）の回折強度が強
く出る。
【００１２】しかし、上述のようにＣr（２００）及び
Ｃo（１１０）がガラス基板５面に平行に優先配向した
場合には、図１０に示すように、Ｃr（１１０）はガラ
ス基板５の面と平行でなくなる。従って、このＣr（１
１０）の回折強度は低下する。
Ｃo（１１０）がガラス基板５面に平行に優先配向した
場合には、図１０に示すように、Ｃr（１１０）はガラ
ス基板５の面と平行でなくなる。従って、このＣr（１
１０）の回折強度は低下する。
【００１３】図２は、本発明に基づくＣr（１１０）が
ガラス基板面に平行に優先配向した磁性膜２のＣr結晶
の単位胞を示す概念図である。この図２及び上記図１０
の比較から明らかなように、図２におけるＣr（１１
０）の回折強度は図１０の場合よりも強くなる。一方、
図３には本発明に基づくＣr（２００）及びＣo（１１
０）の様子を示したが、図９との比較から明らかなよう
に図３におけるＣr（２００）及びＣo（１１０）の回折
強度は図９の場合よりも弱くなる。
ガラス基板面に平行に優先配向した磁性膜２のＣr結晶
の単位胞を示す概念図である。この図２及び上記図１０
の比較から明らかなように、図２におけるＣr（１１
０）の回折強度は図１０の場合よりも強くなる。一方、
図３には本発明に基づくＣr（２００）及びＣo（１１
０）の様子を示したが、図９との比較から明らかなよう
に図３におけるＣr（２００）及びＣo（１１０）の回折
強度は図９の場合よりも弱くなる。
【００１４】すなわち、本発明に基づく磁性膜２中のＣ
r（２００）及びＣo（１１０）のＸ線回折強度をそれぞ
れＩCr(200)及びＩCo(110)とし、前記図９におけるＣr
（２００）及びＣo（１１０）のＸ線回折強度をそれぞ
れＩ0Cr(200)及びＩ0Co(110)としたとき、（ＩCr(200)
／Ｉ0Cr(200)）＜１となるが好ましくは（ＩCr(200)／
Ｉ0Cr(200)）≦０．４である。また（ＩCo(110)／Ｉ
0Co(110)）＜１となるが好ましくは（ＩCo(110)／Ｉ
0Co(110)）≦０．６である。
r（２００）及びＣo（１１０）のＸ線回折強度をそれぞ
れＩCr(200)及びＩCo(110)とし、前記図９におけるＣr
（２００）及びＣo（１１０）のＸ線回折強度をそれぞ
れＩ0Cr(200)及びＩ0Co(110)としたとき、（ＩCr(200)
／Ｉ0Cr(200)）＜１となるが好ましくは（ＩCr(200)／
Ｉ0Cr(200)）≦０．４である。また（ＩCo(110)／Ｉ
0Co(110)）＜１となるが好ましくは（ＩCo(110)／Ｉ
0Co(110)）≦０．６である。
【００１５】また、本発明に基づく磁性膜２中のＣr
（１１０）のＸ線回折強度をＩCr(110)とし、前記図１
０におけるＣr（１１０）のＸ線回折強度をＩ0Cr(110)
としたとき、（ＩCr(110)／Ｉ0Cr(110)）＞１となるが
好ましくは（ＩCr(110)／Ｉ0Cr(11 0)）≧１．３５であ
る。
（１１０）のＸ線回折強度をＩCr(110)とし、前記図１
０におけるＣr（１１０）のＸ線回折強度をＩ0Cr(110)
としたとき、（ＩCr(110)／Ｉ0Cr(110)）＞１となるが
好ましくは（ＩCr(110)／Ｉ0Cr(11 0)）≧１．３５であ
る。
【００１６】次に、本発明に基づく磁気ディスク１の製
造方法の一例を説明するが、上述のように、磁性膜２中
のＣr及びＣo結晶の優先配向面が変化することが最も大
事であり、この配向面の変化を引き起こすことができる
製造方法であればどのようなものでも制限はない。
造方法の一例を説明するが、上述のように、磁性膜２中
のＣr及びＣo結晶の優先配向面が変化することが最も大
事であり、この配向面の変化を引き起こすことができる
製造方法であればどのようなものでも制限はない。
【００１７】図４は、本発明に係るスパッタ装置の一例
を示す概略図である。同図において、スパッタ装置６は
真空層７内にターゲット８及び磁気ディスクホルダ９を
備えており、また、Ａr等の不活性ガスの導入口１０及
び真空排気口１１が設けられている。そして、ターゲッ
ト８にはスパッタ用直流電源１２が接続されており、ま
た、磁気ディスクホルダ９にはバイアス用直流電源１３
が接続されている。
を示す概略図である。同図において、スパッタ装置６は
真空層７内にターゲット８及び磁気ディスクホルダ９を
備えており、また、Ａr等の不活性ガスの導入口１０及
び真空排気口１１が設けられている。そして、ターゲッ
ト８にはスパッタ用直流電源１２が接続されており、ま
た、磁気ディスクホルダ９にはバイアス用直流電源１３
が接続されている。
【００１８】スパッタ装置６を用いて本発明に基づく磁
気ディスク１を製造するには、先ず、既にスパッタ法等
によってＶ，Ｍo，ＮiＰのうちの１種以上を含む材料に
よって成膜してあるプリコート膜４付きのガラス基板５
を磁気ディスクホルダ９に取り付ける。そして、真空排
気口１１から真空引きした後に導入口１０から例えばＡ
rガスを導入し、スパッタ用直流電源１２及びバイアス
用直流電源１３によってそれぞれＤＣ電圧を印加する。
気ディスク１を製造するには、先ず、既にスパッタ法等
によってＶ，Ｍo，ＮiＰのうちの１種以上を含む材料に
よって成膜してあるプリコート膜４付きのガラス基板５
を磁気ディスクホルダ９に取り付ける。そして、真空排
気口１１から真空引きした後に導入口１０から例えばＡ
rガスを導入し、スパッタ用直流電源１２及びバイアス
用直流電源１３によってそれぞれＤＣ電圧を印加する。
【００１９】上述のようにプリコート膜４付きのガラス
基板５に負のバイアス電圧を印加しながらＣrの下地膜
３あるいはＣo−Ｃr−Ｔa−Ｐtの四元合金の磁性膜２を
形成する場合、ターゲット８から飛来してガラス基板５
に付着したＣr等の原子の一部は、負のバイアス電圧の
影響でスパッタされて優先配向面の変化を生じ、前記本
発明に基づく格子面を有するようになり、保磁力Ｈc２
２００（Ｏｅ）以上の磁気ディスク１とすることができ
る。
基板５に負のバイアス電圧を印加しながらＣrの下地膜
３あるいはＣo−Ｃr−Ｔa−Ｐtの四元合金の磁性膜２を
形成する場合、ターゲット８から飛来してガラス基板５
に付着したＣr等の原子の一部は、負のバイアス電圧の
影響でスパッタされて優先配向面の変化を生じ、前記本
発明に基づく格子面を有するようになり、保磁力Ｈc２
２００（Ｏｅ）以上の磁気ディスク１とすることができ
る。
【００２０】次に、本発明に基づく実施例をさらに詳細
に説明する。実施例１ ３．５インチのガラス基板５上に、直流マグネトロン法
によりＶからなるプリコート膜４を６０Å成膜した。こ
のときの成膜条件は、到達真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、Ａrスパッタガス圧を２ｍＴｏｒｒ、ガラス基板５
の加熱温度を２００℃とした。上記プリコート膜４の成
膜後、ガラス基板５を冷却して真空装置から取り外し
た。
に説明する。実施例１ ３．５インチのガラス基板５上に、直流マグネトロン法
によりＶからなるプリコート膜４を６０Å成膜した。こ
のときの成膜条件は、到達真空度を２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、Ａrスパッタガス圧を２ｍＴｏｒｒ、ガラス基板５
の加熱温度を２００℃とした。上記プリコート膜４の成
膜後、ガラス基板５を冷却して真空装置から取り外し
た。
【００２１】次に、上記プリコート膜４付きのガラス基
板５をスパッタ装置６の磁気ディスクホルダ９に取り付
け、ガラス基板５に−２００Ｖのバイアス電圧を印加し
ながらＣrからなる下地膜３を４０００Å、さらにこの
上にＣo75.2Ｃr9.4Ｔa5.7Ｐt9 .7（各原子に添えた数値
はat％である）の組成からなる四元合金の磁性膜２を２
５０Å成膜して磁気ディスク１とした。このときの成膜
条件は、到達真空度を２×１０-6Ｔｏｒｒ、Ａrスパッ
タガス圧を２ｍＴｏｒｒ、ガラス基板５の加熱温度を２
５０℃とした。
板５をスパッタ装置６の磁気ディスクホルダ９に取り付
け、ガラス基板５に−２００Ｖのバイアス電圧を印加し
ながらＣrからなる下地膜３を４０００Å、さらにこの
上にＣo75.2Ｃr9.4Ｔa5.7Ｐt9 .7（各原子に添えた数値
はat％である）の組成からなる四元合金の磁性膜２を２
５０Å成膜して磁気ディスク１とした。このときの成膜
条件は、到達真空度を２×１０-6Ｔｏｒｒ、Ａrスパッ
タガス圧を２ｍＴｏｒｒ、ガラス基板５の加熱温度を２
５０℃とした。
【００２２】また、本実施例の比較用として、バイアス
電圧を印加しない以外は上記製造方法と全く同様にして
磁気ディスク１（Ｒ−１）を作成した。そして、実施例
１及びＲ−１の磁性膜２の結晶配向性をＸ線回折装置に
よって、また、磁気特性（保磁力Ｈc）を振動試料型磁
力計（ＶＳＭ）によって測定した。
電圧を印加しない以外は上記製造方法と全く同様にして
磁気ディスク１（Ｒ−１）を作成した。そして、実施例
１及びＲ−１の磁性膜２の結晶配向性をＸ線回折装置に
よって、また、磁気特性（保磁力Ｈc）を振動試料型磁
力計（ＶＳＭ）によって測定した。
【００２３】得られた磁気ディスク１に関する結果を図
５、図７及び図８に示した。図５はＸ線回折強度の測定
チャートであり、Ｒ−１に比較して本実施例の磁性膜２
はＣr（２００）及びＣo（１１０）の強度が低くなり、
Ｃr（１１０）の強度が高くなっていた。また、図７は
バイアス電圧−保磁力Ｈc線図であり、Ｒ−１の磁気デ
ィスク１の保磁力Ｈcは２１００（Ｏｅ）であるのに対
して本実施例のものは３０６０（Ｏｅ）と高かった。
５、図７及び図８に示した。図５はＸ線回折強度の測定
チャートであり、Ｒ−１に比較して本実施例の磁性膜２
はＣr（２００）及びＣo（１１０）の強度が低くなり、
Ｃr（１１０）の強度が高くなっていた。また、図７は
バイアス電圧−保磁力Ｈc線図であり、Ｒ−１の磁気デ
ィスク１の保磁力Ｈcは２１００（Ｏｅ）であるのに対
して本実施例のものは３０６０（Ｏｅ）と高かった。
【００２４】さらに、図８はＸ線回折強度比−保磁力Ｈ
c線図であり、図中のＡ〜Ｃは下記内容を表す。なお、
下記中のＩは各実施例の磁性膜２のＸ線回折強度、Ｉ0
は比較用の磁性膜２のＸ線回折強度である。 Ａ……Ｃr（２００）のＸ線回折強度比；Ａ＝ＩCr(200)
／Ｉ0Cr(200) Ｂ……Ｃo（１１０）のＸ線回折強度比；Ｂ＝ＩCo(110)
／Ｉ0Co(110) Ｃ……Ｃr（１１０）のＸ線回折強度比；Ｃ＝ＩCr(110)
／Ｉ0Cr(110) 図８に示したように本実施例による磁性膜２の上記Ａは
０．０８、Ｂは０．１６、Ｃは２．７７であった（な
お、Ｒ−１の磁性膜２はＡ，Ｂ，Ｃとも１である）。
c線図であり、図中のＡ〜Ｃは下記内容を表す。なお、
下記中のＩは各実施例の磁性膜２のＸ線回折強度、Ｉ0
は比較用の磁性膜２のＸ線回折強度である。 Ａ……Ｃr（２００）のＸ線回折強度比；Ａ＝ＩCr(200)
／Ｉ0Cr(200) Ｂ……Ｃo（１１０）のＸ線回折強度比；Ｂ＝ＩCo(110)
／Ｉ0Co(110) Ｃ……Ｃr（１１０）のＸ線回折強度比；Ｃ＝ＩCr(110)
／Ｉ0Cr(110) 図８に示したように本実施例による磁性膜２の上記Ａは
０．０８、Ｂは０．１６、Ｃは２．７７であった（な
お、Ｒ−１の磁性膜２はＡ，Ｂ，Ｃとも１である）。
【００２５】実施例２〜４ 実施例１のガラス基板５に印加するバイアス電圧を−１
００Ｖ（実施例２）、−３００Ｖ（実施例３）、−４０
０Ｖ（実施例４）と代えた以外は実施例１と同様にして
それぞれ磁気ディスク１を製造した。
００Ｖ（実施例２）、−３００Ｖ（実施例３）、−４０
０Ｖ（実施例４）と代えた以外は実施例１と同様にして
それぞれ磁気ディスク１を製造した。
【００２６】これらの結果も図５、図７及び図８に示し
た。図５において、本実施例の磁性膜２はいずれもＲ−
１に比較してＣr（２００）及びＣo（１１０）の強度が
低くなり、Ｃr（１１０）の強度が高くなっている。ま
た、図７に示すように、本実施例２〜４のものの保磁力
Ｈcはそれぞれ２４５０（Ｏｅ），３１００（Ｏｅ），
２８００（Ｏｅ）と高かった。
た。図５において、本実施例の磁性膜２はいずれもＲ−
１に比較してＣr（２００）及びＣo（１１０）の強度が
低くなり、Ｃr（１１０）の強度が高くなっている。ま
た、図７に示すように、本実施例２〜４のものの保磁力
Ｈcはそれぞれ２４５０（Ｏｅ），３１００（Ｏｅ），
２８００（Ｏｅ）と高かった。
【００２７】さらに、図８において本実施例２〜４によ
る磁性膜２の上記Ａはそれぞれ０．１５，０．０３，
０．０７、Ｂは０．２６，０．１３，０．２６、Ｃは
２．８１，２．９３，１．３８であった。
る磁性膜２の上記Ａはそれぞれ０．１５，０．０３，
０．０７、Ｂは０．２６，０．１３，０．２６、Ｃは
２．８１，２．９３，１．３８であった。
【００２８】実施例５ 実施例１の下地膜３の厚さを１０００Åに代えた以外は
実施例１と同様にして磁気ディスク１を製造した。この
磁気ディスク１の保磁力Ｈcは２３００（Ｏｅ）であっ
た。また、バイアス電圧を印加しない比較用の磁気ディ
スク１（Ｒ−２）も作成したが、この保磁力Ｈcは１４
００（Ｏｅ）と低かった。
実施例１と同様にして磁気ディスク１を製造した。この
磁気ディスク１の保磁力Ｈcは２３００（Ｏｅ）であっ
た。また、バイアス電圧を印加しない比較用の磁気ディ
スク１（Ｒ−２）も作成したが、この保磁力Ｈcは１４
００（Ｏｅ）と低かった。
【００２９】図６は本実施例に係るＸ線回折強度の測定
チャートであり、Ｒ−２に比較してＣr（２００）及び
Ｃo（１１０）の強度が低くなっている。
チャートであり、Ｒ−２に比較してＣr（２００）及び
Ｃo（１１０）の強度が低くなっている。
【００３０】実施例６ 実施例１のＶからなるプリコート膜４に代えて、Ｃr膜
５００Å、カーボン膜５００Å及びＭo膜６０Åをこの
順に形成してプリコート膜４とした以外は実施例１と同
様にして磁気ディスク１を製造した。この磁気ディスク
１の保磁力Ｈcは３２３０（Ｏｅ）であった。また、バ
イアス電圧を印加しない比較用の磁気ディスク１（Ｒ−
３）も作成したが、この保磁力Ｈcは２１５０（Ｏｅ）
と低かった。
５００Å、カーボン膜５００Å及びＭo膜６０Åをこの
順に形成してプリコート膜４とした以外は実施例１と同
様にして磁気ディスク１を製造した。この磁気ディスク
１の保磁力Ｈcは３２３０（Ｏｅ）であった。また、バ
イアス電圧を印加しない比較用の磁気ディスク１（Ｒ−
３）も作成したが、この保磁力Ｈcは２１５０（Ｏｅ）
と低かった。
【００３１】比較例１ 実施例１のＶからなるプリコート膜４に代えて、Ｃr膜
６０Åを成膜し、真空装置から取り出さずに、続けて−
２００Ｖのバイアス電圧を印加しながらＣrからなる下
地膜３を２０００Å成膜した以外は実施例１と同様にし
て磁気ディスク１を製造したが、この保磁力Ｈcは２０
５０（Ｏｅ）と低かった。
６０Åを成膜し、真空装置から取り出さずに、続けて−
２００Ｖのバイアス電圧を印加しながらＣrからなる下
地膜３を２０００Å成膜した以外は実施例１と同様にし
て磁気ディスク１を製造したが、この保磁力Ｈcは２０
５０（Ｏｅ）と低かった。
【００３２】以上の結果から明らかなように、負のバイ
アス電圧を印加して形成した本発明に基づく磁気ディス
ク１は、いずれも負のバイアス電圧を印加せずに形成し
たＲ−１〜Ｒ−３の磁気ディスク１よりも高い保磁力Ｈ
cを有している。また、バイアス電圧が−３００Ｖ近辺
に保磁力Ｈcのピークがあり、約３１００（Ｏｅ）の磁
性膜２を得ることができる。また、表１の実施例７に示
すようにプリコート膜４の種類を代えることで保磁力Ｈ
c３２３０（Ｏｅ）と非常に高性能の磁性膜２も得てい
る。
アス電圧を印加して形成した本発明に基づく磁気ディス
ク１は、いずれも負のバイアス電圧を印加せずに形成し
たＲ−１〜Ｒ−３の磁気ディスク１よりも高い保磁力Ｈ
cを有している。また、バイアス電圧が−３００Ｖ近辺
に保磁力Ｈcのピークがあり、約３１００（Ｏｅ）の磁
性膜２を得ることができる。また、表１の実施例７に示
すようにプリコート膜４の種類を代えることで保磁力Ｈ
c３２３０（Ｏｅ）と非常に高性能の磁性膜２も得てい
る。
【００３３】そして、図５及び図６から明らかなよう
に、負のバイアスを印加せずに形成したＲ−１及びＲ−
２の磁性膜２は、Ｃr（２００）及びＣo（１１０）がガ
ラス基板５に平行に優先配向しているが、負のバイアス
を印加した各実施例の磁性膜２はＣr（２００），Ｃo
（１１０）のガラス基板面に対する結晶配向性が低下
し、Ｃr（１１０）がガラス基板５に平行に優先配向さ
れる傾向がある。
に、負のバイアスを印加せずに形成したＲ−１及びＲ−
２の磁性膜２は、Ｃr（２００）及びＣo（１１０）がガ
ラス基板５に平行に優先配向しているが、負のバイアス
を印加した各実施例の磁性膜２はＣr（２００），Ｃo
（１１０）のガラス基板面に対する結晶配向性が低下
し、Ｃr（１１０）がガラス基板５に平行に優先配向さ
れる傾向がある。
【００３４】
【発明の効果】以上に説明したように本発明は、ガラス
基板面に対するＣr（２００），Ｃo（１１０）の結晶配
向性を低下させＣr（１１０）の格子面をガラス基板面
に平行に優先配向してあるため、保磁力Ｈcの非常に高
い高密度記録の可能な磁気記録媒体である。
基板面に対するＣr（２００），Ｃo（１１０）の結晶配
向性を低下させＣr（１１０）の格子面をガラス基板面
に平行に優先配向してあるため、保磁力Ｈcの非常に高
い高密度記録の可能な磁気記録媒体である。
【００３５】また、本発明の製造方法は、プリコート膜
を少なくともＶ，Ｍo，ＮiＰのうちの１種を含む材料に
よって成膜し、さらに下地膜及び磁性膜を、負のバイア
ス電圧を印加しながらスパッタ法によって形成するた
め、Ｃr（１１０）の格子面をガラス基板面に平行に優
先配向させ、高密度記録の可能な磁気記録媒体とするこ
とができる。
を少なくともＶ，Ｍo，ＮiＰのうちの１種を含む材料に
よって成膜し、さらに下地膜及び磁性膜を、負のバイア
ス電圧を印加しながらスパッタ法によって形成するた
め、Ｃr（１１０）の格子面をガラス基板面に平行に優
先配向させ、高密度記録の可能な磁気記録媒体とするこ
とができる。
【図１】本発明に基づく磁気ディスクの一例を示す部分
断面図
断面図
【図２】本発明に基づくＣr（１１０）がガラス基板面
に平行に優先配向した磁性膜のＣr結晶の単位胞を示す
概念図
に平行に優先配向した磁性膜のＣr結晶の単位胞を示す
概念図
【図３】本発明に基づくＣr（２００）及びＣo（１１
０）の配向を示す概念図
０）の配向を示す概念図
【図４】本発明に係るスパッタ装置の一例を示す概略図
【図５】実施例１〜４のＸ線回折強度の測定チャート
【図６】実施例５のＸ線回折強度の測定チャート
【図７】実施例１〜４のバイアス電圧−保磁力Ｈc線図
【図８】実施例１〜４のＸ線回折強度比−保磁力Ｈc線
図
図
【図９】従来のＣr（２００）及びＣo（１１０）がガラ
ス基板面に平行に優先配向した磁性膜に係るＣr結晶及
びＣo結晶の単位胞を示す概念図
ス基板面に平行に優先配向した磁性膜に係るＣr結晶及
びＣo結晶の単位胞を示す概念図
【図１０】従来のＣr（１１０）の配向を示す概念図
１…磁気記録媒体（磁気ディスク）、２…磁性膜、３…
下地膜、４…プリコート膜、５…ガラス基板、６…スパ
ッタ装置、７…真空層、８…ターゲット、９…磁気ディ
スクホルダ、１２…スパッタ用直流電源、１３…バイア
ス用直流電源。
下地膜、４…プリコート膜、５…ガラス基板、６…スパ
ッタ装置、７…真空層、８…ターゲット、９…磁気ディ
スクホルダ、１２…スパッタ用直流電源、１３…バイア
ス用直流電源。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年７月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の磁気記録媒体は、Ｃｒ結晶の格子面Ｃｒ
（２００）及びＣｏ結晶の格子面Ｃｏ（１１０）が共に
ガラス基板面に平行に優先配向した場合のＸ線回折強度
と比較して、Ｃｒ（２００）及びＣｏ（１１０）のＸ線
回折強度を低くしてある。
め、本発明の磁気記録媒体は、Ｃｒ結晶の格子面Ｃｒ
（２００）及びＣｏ結晶の格子面Ｃｏ（１１０）が共に
ガラス基板面に平行に優先配向した場合のＸ線回折強度
と比較して、Ｃｒ（２００）及びＣｏ（１１０）のＸ線
回折強度を低くしてある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】そして、Ｃｒ結晶（体心立方晶）及びＣｏ
結晶（六方晶）の格子面は、Ｃｒ結晶の格子面Ｃｒ（２
００）及びＣｏ結晶の格子面Ｃｏ（１１０）が共にガラ
ス基板面に平行に優先配向した場合のＸ線回折強度と比
較して、Ｃｒ（２００）及びＣｏ（１１０）のＸ線回折
強度は低くなっている。また、同様にＣｒ（１１０）の
Ｘ線回折強度は高くなっている。このような格子面を有
する本発明に基づく磁気ディスク１は保磁力Ｈｃが２２
００（Ｏｅ）以上となり、さらには３２００（Ｏｅ）を
超えることも可能である。
結晶（六方晶）の格子面は、Ｃｒ結晶の格子面Ｃｒ（２
００）及びＣｏ結晶の格子面Ｃｏ（１１０）が共にガラ
ス基板面に平行に優先配向した場合のＸ線回折強度と比
較して、Ｃｒ（２００）及びＣｏ（１１０）のＸ線回折
強度は低くなっている。また、同様にＣｒ（１１０）の
Ｘ線回折強度は高くなっている。このような格子面を有
する本発明に基づく磁気ディスク１は保磁力Ｈｃが２２
００（Ｏｅ）以上となり、さらには３２００（Ｏｅ）を
超えることも可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】上記内容を具体的に説明する。図９は、従
来のＣｒ（２００）及びＣｏ（１１０）がガラス基板面
に平行に優先配向したＣｒ結晶及びＣｏ結晶の単位胞を
示す概念図である。２θ／θ法によるＸ線回折において
は、ガラス基板５の面に対して平行となった格子面のみ
からＸ線が回折されるため、図９においてはこれらＣｒ
（２００）及びＣｏ（１１０）の回折強度が強く出る。
来のＣｒ（２００）及びＣｏ（１１０）がガラス基板面
に平行に優先配向したＣｒ結晶及びＣｏ結晶の単位胞を
示す概念図である。２θ／θ法によるＸ線回折において
は、ガラス基板５の面に対して平行となった格子面のみ
からＸ線が回折されるため、図９においてはこれらＣｒ
（２００）及びＣｏ（１１０）の回折強度が強く出る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】図２は、本発明に基づくＣｒ（１１０）が
ガラス基板面に平行に優先配向した下地膜３のＣｒ結晶
の単位胞を示す概念図である。この図２及び上記図１０
の比較から明らかなように、図２におけるＣｒ（１１
０）の回折強度は図１０の場合よりも強くなる。一方、
図３には本発明に基づくＣｒ（２００）及びＣｏ（１１
０）の様子を示したが、図９との比較から明らかなよう
に図３におけるＣｒ（２００）及びＣｏ（１１０）の回
折強度は図９の場合よりも弱くなる。
ガラス基板面に平行に優先配向した下地膜３のＣｒ結晶
の単位胞を示す概念図である。この図２及び上記図１０
の比較から明らかなように、図２におけるＣｒ（１１
０）の回折強度は図１０の場合よりも強くなる。一方、
図３には本発明に基づくＣｒ（２００）及びＣｏ（１１
０）の様子を示したが、図９との比較から明らかなよう
に図３におけるＣｒ（２００）及びＣｏ（１１０）の回
折強度は図９の場合よりも弱くなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】すなわち、本発明に基づく下地膜３中のＣ
ｒ（２００）及び磁性膜２中のＣｏ（１１０）のＸ線回
折強度をそれぞれＩCr(200) 及びＩCo(110) とし、前記
図９におけるＣｒ（２００）及びＣｏ（１１０）のＸ線
回折強度をそれぞれＩOCr(20 0)及びＩOCo(110)としたと
き、（ＩCr(200) ／ＩOCr(200)）＜１となるが、好まし
くは（ＩCr(200) ／ＩOCr(200)）≦０．４である。また
（ＩCo(110) ／ＩOCo( 110)）＜１となるが、好ましくは
（ＩCo(110) ／ＩOCo(110)）≦０．６である。
ｒ（２００）及び磁性膜２中のＣｏ（１１０）のＸ線回
折強度をそれぞれＩCr(200) 及びＩCo(110) とし、前記
図９におけるＣｒ（２００）及びＣｏ（１１０）のＸ線
回折強度をそれぞれＩOCr(20 0)及びＩOCo(110)としたと
き、（ＩCr(200) ／ＩOCr(200)）＜１となるが、好まし
くは（ＩCr(200) ／ＩOCr(200)）≦０．４である。また
（ＩCo(110) ／ＩOCo( 110)）＜１となるが、好ましくは
（ＩCo(110) ／ＩOCo(110)）≦０．６である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】また、本発明に基づく下地膜３中のＣｒ
（１１０）のＸ線回折強度をＩCr(110 ) とし、前記図１
０におけるＣｒ（１１０）のＸ線回折強度をＩOCr(110)
としたとき、（ＩCr(110) ／ＩOCr(110)）＞１となる
が、好ましくは（ＩCr(110) ／ＩOCr(110)）≧１．３５
である。
（１１０）のＸ線回折強度をＩCr(110 ) とし、前記図１
０におけるＣｒ（１１０）のＸ線回折強度をＩOCr(110)
としたとき、（ＩCr(110) ／ＩOCr(110)）＞１となる
が、好ましくは（ＩCr(110) ／ＩOCr(110)）≧１．３５
である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】次に、本発明に基づく磁気ディスク１の製
造方法の一例を説明するが、上述のように、下地膜３中
のＣｒ及び磁性膜２中のＣｏ結晶の優先配向面が変化す
ることが最も大事であり、この配向面の変化を引き起こ
すことができる製造方法であればどのようなものでも制
限はない。
造方法の一例を説明するが、上述のように、下地膜３中
のＣｒ及び磁性膜２中のＣｏ結晶の優先配向面が変化す
ることが最も大事であり、この配向面の変化を引き起こ
すことができる製造方法であればどのようなものでも制
限はない。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】得られた磁気ディスク１に関する結果を図
５、図７及び図８に示した。図５はＸ線回折強度の測定
チャートであり、Ｒ−１に比較して本実施例の磁気ディ
スク１はＣｒ（２００）及びＣｏ（１１０）の強度が低
くなり、Ｃｒ（１１０）の強度が高くなっていた。ま
た、図７はバイアス電圧−保磁力Ｈｃ線図であり、Ｒ−
１の磁気ディスク１の保磁力Ｈｃは２１００（Ｏｅ）で
あるのに対して本実施例のものは３０６０（Ｏｅ）と高
かった。
５、図７及び図８に示した。図５はＸ線回折強度の測定
チャートであり、Ｒ−１に比較して本実施例の磁気ディ
スク１はＣｒ（２００）及びＣｏ（１１０）の強度が低
くなり、Ｃｒ（１１０）の強度が高くなっていた。ま
た、図７はバイアス電圧−保磁力Ｈｃ線図であり、Ｒ−
１の磁気ディスク１の保磁力Ｈｃは２１００（Ｏｅ）で
あるのに対して本実施例のものは３０６０（Ｏｅ）と高
かった。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】さらに、図８はＸ線回折強度比−保磁力Ｈ
ｃ線図であり、図中のＡ〜Ｃは下記内容を表す。なお、
下記中のＩは各実施例の磁気ディスク１のＸ線回折強
度、ＩＯ は比較用の磁気ディスク１のＸ線回折強度で
ある。 Ａ……Ｃｒ（２００）のＸ線回折強度比；Ａ＝Ｉ
Cr(200) ／ＩOCr(200) Ｂ……Ｃｏ（１１０）のＸ線回折強度比；Ｂ＝Ｉ
Co(110) ／ＩOCo(110) Ｃ……Ｃｒ（１１０）のＸ線回折強度比；Ｃ＝Ｉ
Cr(110) ／ＩOCr(110) 図８に示したように本実施例による磁気ディスク１の上
記Ａは０．０８、Ｂは０．１６、Ｃは２．７７であった
（なお、Ｒ−１の磁気ディスク１はＡ，Ｂ，Ｃとも１で
ある）。
ｃ線図であり、図中のＡ〜Ｃは下記内容を表す。なお、
下記中のＩは各実施例の磁気ディスク１のＸ線回折強
度、ＩＯ は比較用の磁気ディスク１のＸ線回折強度で
ある。 Ａ……Ｃｒ（２００）のＸ線回折強度比；Ａ＝Ｉ
Cr(200) ／ＩOCr(200) Ｂ……Ｃｏ（１１０）のＸ線回折強度比；Ｂ＝Ｉ
Co(110) ／ＩOCo(110) Ｃ……Ｃｒ（１１０）のＸ線回折強度比；Ｃ＝Ｉ
Cr(110) ／ＩOCr(110) 図８に示したように本実施例による磁気ディスク１の上
記Ａは０．０８、Ｂは０．１６、Ｃは２．７７であった
（なお、Ｒ−１の磁気ディスク１はＡ，Ｂ，Ｃとも１で
ある）。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】これらの結果も図５、図７及び図８に示し
た。図５において、本実施例の磁気ディスク１はいずれ
もＲ−１に比較してＣｒ（２００）及びＣｏ（１１０）
の強度が低くなり、Ｃｒ（１１０）の強度が高くなって
いる。また、図７に示すように、本実施例２〜４のもの
の保磁力Ｈｃはそれぞれ２４５０（Ｏｅ），３１００
（Ｏｅ），２８００（Ｏｅ）と高かった。
た。図５において、本実施例の磁気ディスク１はいずれ
もＲ−１に比較してＣｒ（２００）及びＣｏ（１１０）
の強度が低くなり、Ｃｒ（１１０）の強度が高くなって
いる。また、図７に示すように、本実施例２〜４のもの
の保磁力Ｈｃはそれぞれ２４５０（Ｏｅ），３１００
（Ｏｅ），２８００（Ｏｅ）と高かった。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】さらに、図８において本実施例２〜４によ
る磁気ディスク１の上記Ａはそれぞれ０．１５，０．０
３，０．０７、Ｂは０．２６，０．１３，０．２６、Ｃ
は２．８１，２．９３，１．３８であった。
る磁気ディスク１の上記Ａはそれぞれ０．１５，０．０
３，０．０７、Ｂは０．２６，０．１３，０．２６、Ｃ
は２．８１，２．９３，１．３８であった。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】以上の結果から明らかなように、負のバイ
アス電圧を印加して形成した本発明に基づく磁気ディス
ク１は、いずれも負のバイアス電圧を印加せずに形成し
たＲ−１〜Ｒ−３の磁気ディスク１よりも高い保磁力Ｈ
ｃを有している。また、バイアス電圧が−３００Ｖ近辺
に保磁力Ｈｃのピークがあり、約３１００（Ｏｅ）の磁
気ディスク１を得ることができる。また、実施例６に示
すようにプリコート膜４の種類を代えることで保磁力Ｈ
ｃ３２３０（Ｏｅ）と非常に高性能の磁気ディスク１も
得ている。
アス電圧を印加して形成した本発明に基づく磁気ディス
ク１は、いずれも負のバイアス電圧を印加せずに形成し
たＲ−１〜Ｒ−３の磁気ディスク１よりも高い保磁力Ｈ
ｃを有している。また、バイアス電圧が−３００Ｖ近辺
に保磁力Ｈｃのピークがあり、約３１００（Ｏｅ）の磁
気ディスク１を得ることができる。また、実施例６に示
すようにプリコート膜４の種類を代えることで保磁力Ｈ
ｃ３２３０（Ｏｅ）と非常に高性能の磁気ディスク１も
得ている。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３３】そして、図５及び図６から明らかなよう
に、負のバイアスを印加せずに形成したＲ−１及びＲ−
２の磁気ディスク１は、Ｃｒ（２００）及びＣｏ（１１
０）がガラス基板５に平行に優先配向しているが、負の
バイアスを印加した各実施例の磁気ディスク１はＣｒ
（２００），Ｃｏ（１１０）のガラス基板面に対する結
晶配向性が低下し、Ｃｒ（１１０）がガラス基板５に平
行に優先配向される傾向がある。
に、負のバイアスを印加せずに形成したＲ−１及びＲ−
２の磁気ディスク１は、Ｃｒ（２００）及びＣｏ（１１
０）がガラス基板５に平行に優先配向しているが、負の
バイアスを印加した各実施例の磁気ディスク１はＣｒ
（２００），Ｃｏ（１１０）のガラス基板面に対する結
晶配向性が低下し、Ｃｒ（１１０）がガラス基板５に平
行に優先配向される傾向がある。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】本発明に基づくＣｒ（１１０）がガラス基板面
に平行に優先配向した下地膜のＣｒ結晶の単位胞を示す
概念図
に平行に優先配向した下地膜のＣｒ結晶の単位胞を示す
概念図
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正内容】
【図９】従来のＣｒ（２００）及びＣｏ（１１０）がガ
ラス基板面に平行に優先配向したＣｒ結晶及びＣｏ結晶
の単位胞を示す概念図
ラス基板面に平行に優先配向したＣｒ結晶及びＣｏ結晶
の単位胞を示す概念図
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板上にプリコート膜が形成さ
れ、このプリコート膜の上にＣrからなる下地膜及びＣo
−Ｃr−Ｔa−Ｐtの四元合金からなる磁性膜がこの順に
形成された磁気記録媒体において、この磁気記録媒体
は、前記磁性膜中のＣr結晶及びＣo結晶の格子面が、Ｃ
r結晶の格子面Ｃr（２００）及びＣo結晶の格子面Ｃo
（１１０）が共にガラス基板面に平行に優先配向した場
合のＸ線回折強度と比較して、Ｃr（２００）及びＣo
（１１０）のＸ線回折強度が低いことを特徴とする磁気
記録媒体。 - 【請求項２】 ガラス基板上にプリコート膜を形成し、
このプリコート膜の上にＣrからなる下地膜及びＣo−Ｃ
r−Ｔa−Ｐtの四元合金からなる磁性膜をこの順に形成
する磁気記録媒体の製造方法において、この製造方法
は、前記プリコート膜を少なくともＶ，Ｍo，ＮiＰのう
ちの１種を含む材料によって成膜し、さらに前記下地膜
及び磁性膜を、負のバイアス電圧を印加しながらスパッ
タ法によって形成することを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5103181A JP2850312B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5103181A JP2850312B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06309647A true JPH06309647A (ja) | 1994-11-04 |
| JP2850312B2 JP2850312B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=14347345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5103181A Expired - Lifetime JP2850312B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850312B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6071607A (en) * | 1996-04-26 | 2000-06-06 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic disk device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01256017A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH0450653A (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-19 | Takara Shuzo Co Ltd | 癌の検出方法及びキット |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP5103181A patent/JP2850312B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01256017A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH0450653A (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-19 | Takara Shuzo Co Ltd | 癌の検出方法及びキット |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6071607A (en) * | 1996-04-26 | 2000-06-06 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic disk device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2850312B2 (ja) | 1999-01-27 |
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