JPH0721543A

JPH0721543A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH0721543A
Application number: JP16349993A
Authority: JP
Inventors: Misuzu Yamada; 山田みすず; Toshihiro Kogure; 敏博小暮
Original assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Current assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Priority date: 1993-07-01
Filing date: 1993-07-01
Publication date: 1995-01-24
Anticipated expiration: 2013-10-08
Also published as: JP2809049B2

Abstract

(57)【要約】【目的】下地膜の結晶格子定数と合金磁性膜の結晶格子
定数とを近づけることにより、磁気特性及び記録再生特
性が向上した磁気記録媒体を提供する。【構成】ガラス基板上に、Ｃｒからなる非磁性下地膜、
Ｐｔを含有しＣｏを主成分とする合金磁性膜およびカー
ボン保護膜を順次被覆した磁気記録媒体において、非磁
性下地膜と合金磁性膜との間に、ＣｒＭｏ合金からなる
第２の非磁性下地膜を介在させ、第２の非磁性下地膜の
結晶格子定数を、Ｃｒ下地膜のそれより大きくして、合
金磁性膜の結晶格子定数の値に近づけた磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気テ゛ィスク装置などの磁
気記録装置に用いられる磁気記録体に関し、さらに詳述
すれば、非磁性下地膜が改善されたことにより、磁気特
性及び記録再生特性が向上した磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録における記録媒体として、従来
より非磁性支持体の上に、酸化鉄粉末と有機バインダー
とからなる磁性膜を形成した、いわゆる塗布型磁気記録
媒体が使用されているが、近年磁気記録の高密度化の要
請から、強磁性金属膜を記録担体とする金属薄膜型磁気
記録媒体が広く用いられてきている。その磁性膜の成
分、組成は、磁気特性、記録再生特性、耐環境性、経済
性等を考慮して決定されるが、現在Ｃｏを主成分とした
ＣｏＮｉＣｒ合金、ＣｏＣｒＴａ合金、ＣｏＮｉＣｒＴ
ａ合金等が検討され、用いられている。またこれらのＣ
ｏ合金はＣｏが主成分であるため、Ｃｏ単体金属と同じ
六方晶の結晶構造をとり、磁気的には一軸磁気異方性を
もつことが知られている。そして、その磁気異方性の方
向は、その結晶のｃ軸方向と一致することが知られてい
る。記録される磁化が膜面と平行な方向を向く、いわゆ
る長手方向記録において、保磁力、角形比等の磁気特性
を向上させるためには、この結晶のｃ軸を膜面方向に向
けることが重要であり、このために従来からこの分野で
は、Ｃｏ合金磁性膜を成膜する前に、ＣｒまたはＣｒを
主成分とする下地膜を形成し、この下地膜の表面の原子
配列に整合するようにＣｏ合金磁性膜を成長させ、Ｃｏ
合金磁性膜のｃ軸の方向を膜面方向に向けるようにす
る、いわゆる結晶方位の制御を行い、磁気特性を向上さ
せている。また最近になって、Ｃｒ等の下地膜の組成を
その上の磁気膜組成に合わせて合金化することが提案さ
れている。（例えば特開平２ー１１３４１９号）また、磁性膜については、Ｃｏ合金にＰｔ，Ｐｄ等の貴
金属を添加することにより、その保磁力が著しく向上す
ることが報告されている。ＰｔあるいはＰｄを混入し保
磁力を向上させた磁気記録媒体は、それらの貴金属が高
価であるためその経済性に難点があるが、将来の磁気記
録の高密度化のために重要と考えられる。しかしながら
貴金属のＰｔ、Ｐｄの原子半径は、Ｃｏの原子半径が
１．６７オングストロームであるのに対してそれぞれ、
１．８３オングストローム、１．７９オングストローム
と大きく，保磁力を向上させるために数％以上のＰｔを
添加すると、Ｃｏ合金磁性膜の結晶格子定数は増加し、
このことが上述したＣｒの単一成分からなる非磁性下地
膜表面との原子配列の整合性を悪くするために、磁化容
易軸であるｃ軸が面内配向を起こさなくなり，たとえば
保磁力角形比等が悪化してしまうという問題が起きる。
これを解決する手段として例えば，Ｃｒ金属からなる非
磁性下地膜にその膜の結晶格子定数を大きくする第２の
金属，例えばＣｒ金属と同じ６ａ族の元素であるＭｏや
Ｗを膜中に均一に含有させた非磁性下地膜を用いること
が提案されている（例えば特願平４−１２４４１６）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｃｒ金
属にＣｒ金属よりも原子半径の大きい金属元素を含有さ
せたものを非磁性下地膜とすることにより，非磁性下地
膜の上にＰｔ等の貴金属が添加されたＣｏ合金磁性膜を
被覆するときに、両膜の結晶格子のマッチングが良くな
り、保磁力角形比の磁気特性が大きく改善される。しか
し、磁気特性のもうひとつの重要な特性である媒体ノイ
ズは、Ｃｒに異種金属を添加することにより急激に大き
くなっていくことが実験より明らかになった。このよう
な媒体ノイズの増加は、高密度磁気記録には明らかに好
ましくないものである。そして透過電子顕微鏡でこのよ
うなＣｒ下地膜を観察したところ，原子半径の大きな金
属，例えばＭｏ等をある程度以上添加すると，Ｃｒの結
晶粒は著しく小さくなり，またその結晶粒内には多くの
格子欠陥と考えられるコントラストが確認され，結晶性
の低下が甚だしいことが分かった。すなわち、このよう
な結晶性の悪いＣｒ合金下地膜上にＣｏ合金磁性膜を被
覆すると、Ｃｏ合金磁性膜は下地膜の上にエピタキシー
成長あるいは、下地膜の結晶性に強く影響を受けて成長
するため，合金磁性膜の結晶性が下地膜と同様に大きく
劣化することが分かった。そして、それが媒体ノイズを
増加させる原因であることが判明した。特に磁性膜が、
Ｐｔ等の原子半径が大きい貴金属を含有するＣｏ合金磁
性膜である場合には、結晶格子の大きさのマッチングが
とれ，かつ結晶性がよい下地膜を磁性膜に接して設ける
ことが必要であることが分かった。本発明の目的は、上
記の本発明者により得られた知見に基づいてなされたも
のであって、貴金属を含有するＣｏ主成分の合金磁性膜
に適した非磁性下地膜を有する磁気記録媒体を提供する
にある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明の第１は、非磁性
支持体上に、体心立方最密充填結晶構造を有する金属か
らなる非磁性下地膜、貴金属を含有しＣｏを主成分とす
る合金磁性膜および保護膜を、順次被覆した磁気記録媒
体において、前記非磁性下地膜と前記合金磁性膜との間
に、前記非磁性下地膜と前記合金磁性膜とに接して第２
の非磁性下地膜を介在させ、前記第２の非磁性下地膜
を、前記金属の結晶格子定数よりも大きい結晶格子定数
を有する第２の金属と前記金属との合金の膜とすること
により、前記非磁性下地膜と前記合金磁性膜との結晶格
子定数の差よりも前記第２の非磁性下地膜と前記合金磁
性膜との結晶格子定数の差を小さくしたことを特徴とす
る磁気記録媒体である。

【０００５】本発明にかかる、合金磁性膜に先立ち設け
られる下地膜は、体心立方最密充填結晶構造を有する金
属からなる非磁性下地膜と第２の非磁性下地膜の２層積
層体で構成される。そして、非磁性支持体側に設けられ
る非磁性下地膜は、結晶性がよい金属膜であればとくに
限定されないが、単一組成の金属が好ましく、とりわけ
Ｃｒ単独膜が好ましい。このＣｒ膜のごとき、単一組成
で結晶性が極めて良好で良い磁気特性を与える金属膜
は、スパッタリング法により得ることができる。Ｃｒか
らなる下地膜の結晶格子面間隔と、その上に設ける貴金
属を含有するＣｏ主成分の合金磁性膜の結晶格子面間隔
には０．１５４オングストロームという大きな差があ
る。

【０００６】本発明の第１においては、合金磁性膜と接
する第２の非磁性下地膜は、体心立方最密充填構造を有
する金属からなる非磁性下地膜よりも大きな結晶格子面
間隔をもつ金属からなる膜である。そして、この金属膜
は、前記非磁性下地膜を構成する金属とその金属より大
きい原子半径を有する第２の金属との合金または混合物
で構成される。本発明の第１においては、合金磁性膜
は、その膜の結晶格子面間隔に近い値を有する第２の非
磁性下地膜表面上に被覆されるので、合金磁性膜がエピ
タキシー成長するに際しては結晶格子のミスマッチが小
さく制御され、結晶配向と結晶性の両者を、良好な磁気
特性が得られるように制御することができる。

【０００７】合金磁性膜とそれに接する第２の非磁性下
地膜との結晶格子面間隔の差は、本発明の目的からは、
０．１４オングストローム以下とするのが好ましく、さ
らに０．１２オングストローム以下とするのが好まし
い。

【０００８】非磁性下地膜をＣｒ金属からなる膜とした
とき、第２の非磁性下地膜の主成分であるＣｒ金属に添
加する第２の金属としては、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの群より選ばれたいずれか１種と
するのが好ましい。これらの金属はいずれもＣｒよりも
その原子半径が大きく、Ｃｒとの合金薄膜としたとき、
その膜の結晶格子定数を大きくする。また、六方最密充
填結晶構造のＴｉ，Ｚｒを適当量添加することができ
る。本発明の非磁性下地膜の金属としてＣｒを用い、第
２の金属としてＣｒと同じ６ａ族のＭｏを用いた場合、
Ｍｏ金属は２５原子％の範囲まで膜中に含有させても、
Ｃｒ原子と相分離を起こすことなく結晶格子中に固溶
し，その格子定数はＣｒの格子定数をａ_Crとし，Ｍｏの
含有量をｘ_Mo（原子％）とすると，ＣｒＭｏ合金の格子
定数ａ_alloyは、ａ_alloy＝ａ_Cr・（1+0.0092・ｘ_Mo）、で表される。上記の他の第２の金属についても、含有す
る第２の金属量と得られる第２の非磁性下地膜の結晶格
子定数には直線関係がある。合金磁性膜に接する第２の
非磁性下地膜の第２の金属の含有量は、その上に被覆さ
れる合金磁性膜との格子マッチングが最適となるように
決定される。一方、非磁性下地膜には、非磁性下地膜を
構成する主成分の金属の結晶性を損なわない程度に第２
の金属の量の含ませることができる。

【０００９】第２の非磁性下地膜に含有させる第２の金
属の含有量は、合金磁性膜中に含まれる貴金属含有量に
より適当に調整される。貴金属を４〜８重量％含有しＣ
ｏを主成分とする合金磁気膜に対しては、第２の金属を
４〜９重量％含有させることが、第２の非磁性下地膜
を、その下に設けられる非磁性下地膜の優れた結晶性と
同様の結晶性を保持しながら、その結晶格子定数を合金
磁性膜の結晶格子定数の値に近づけるので好ましい。ま
た、貴金属を８〜１２重量％含有するＣｏ合金磁性膜に
対しては、第２の金属を９〜１２重量％含有させること
が、第２の非磁性下地膜を、その下に設けられる非磁性
下地膜の優れた結晶性と同様の結晶性を保持しながら、
その結晶格子定数を合金磁性膜の結晶格子定数の値に近
づけるので好ましい。

【００１０】結晶性の優れた非磁性下地膜と、非磁性下
地膜の結晶性に影響を受けて良好な結晶性を有しながら
結晶格子定数が非磁性下地膜よりも拡大された第２の非
磁性下地膜の厚みについては、非磁性下地膜の厚みを８
０〜１４０ｎｍ、第２の非磁性下地膜を２０〜５０ｎｍ
とするのが好ましい。非磁性下地膜の上限と下限の厚み
は、その結晶構造が優れた結晶性を有する範囲として定
められ、第２の非磁性下地膜の上限と下限の厚みは、前
記下地膜の優れた結晶性を有すると共に、磁性膜に適し
た格子定数となる範囲として定められる。そして、非磁
性下地膜を８０〜１００ｎｍとし、第２の非磁性下地膜
を２０〜４０ｎｍとする膜厚みの組み合わせが最も好ま
しい。

【００１１】本発明にかかるＣｏを主成分とする合金磁
性膜中に含有される貴金属は、ＰｔおよびＰｄの群から
選ばれた少なくとも１種で、その合計量が２〜１２重量
％とするのが好ましい。

【００１２】また本発明の目的を達成できる範囲内で、
下地膜を結晶格子定数の異なった３以上の積層体で構成
することもできる。本発明の第１に用いられる保護膜
は、公知の、たとえばカーボン膜、炭化珪素膜、二酸化
珪素膜などを用いることができる。本発明の非磁性下地
膜、第２の非磁性下地膜、合金磁性膜および保護膜は、
いずれもスパッタリング法で被覆するのが好ましい。

【００１３】本発明の第２は、非磁性支持体上に、体心
立方最密充填結晶構造を有する金属からなる非磁性下地
膜、貴金属を含有しＣｏを主成分とする合金磁性膜およ
び保護膜を、順次被覆した磁気記録媒体において、前記
非磁性下地膜を、Ｃｒを主成分とする金属膜とし、か
つ、前記非磁性支持体側から前記合金磁性膜側にいくに
従い連続的にＣｒよりも原子半径の大きい第２の金属を
より多く含ませた膜とすることにより、前記非磁性下地
膜の前記合金磁性膜に接する面の結晶格子定数を、前記
磁性合金膜の結晶格子定数に近づけたことを特徴とする
磁気記録媒体である。

【００１４】本発明の第２において、非磁性下地膜中の
非磁性支持体側から合金磁性膜に向かって濃度勾配を有
する第２の金属は、本発明の第１と同様、Ｍｏ，Ｗ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの群より選ばれたい
ずれか１種とすることができる。たとえば、第２の金属
は、非磁性支持体との界面で含まれないか、小量しか含
まれないようにし、合金磁性体との界面において、合金
磁性膜中に含有される貴金属量に応じて含ませる。第２
の金属の膜中の含有は、非磁性支持体から合金磁性膜に
向かうにつれて単調増加するように制御される。

【００１５】合金磁性膜の貴金属含有量が４〜８重量％
としたときは、非磁性下地膜の合金磁性膜との界面にお
いて、第２の金属を４〜９重量％とするのが好ましい。
また、合金磁性膜の貴金属含有量が８〜１２重量％とし
たときは、非磁性下地膜の合金磁性膜との界面におい
て、第２の金属を９〜１２重量％とするのが好ましい。
そして、非磁性下地膜の厚みは７０〜１２０ｎｍとする
のが好ましい。７０ｎｍより薄いと非磁性下地膜が有す
る結晶性が悪くなるので好ましくなく、１２０ｎｍより
厚いと結晶粒径が大きくなりすぎるので好ましくない。

【００１６】

【作用】非磁性支持体側に設けられる本発明の第１にか
かる非磁性下地膜は、結晶性の良い金属膜からなる。そ
して、前記非磁性下地膜と合金磁性膜の両者に接してそ
の間に設けられる第２の非磁性下地膜は、前記非磁性下
地膜の結晶格子定数よりも大きい結晶格子定数を有する
合金膜からなり、前記非磁性下地膜上にエピタキシー成
長により被覆されている。そして、合金磁性膜は、その
膜の結晶格子定数に近づけられ、かつ、結晶性が改善さ
れた第２の非磁性下地膜の上にエピタキシー成長により
被覆されるので、膜面方向にｃ軸が良く成長し、保持力
角形比と媒体ノイズの両磁気特性を良好にする結晶性の
良い膜となる。

【００１７】本発明の第２にかかる非磁性下地膜は、非
磁性下地膜側から合金磁性膜側に向かって、膜の結晶格
子定数が連続的に増加し、合金磁性膜の結晶格子定数に
近づくようになっている。そして、非磁性下地膜の被覆
の初期過程すなわち非磁性下地膜側では、結晶性の良い
単一組成または単一組成に近い金属膜で構成されてい
る。そして、合金磁性膜の方向にいくに従い、膜中の第
２の金属成分が増加しつつエピタキシー成長しているの
で、その表面近傍では合金磁性膜の結晶格子定数に近づ
けられた結晶格子定数を有しかつ、結晶性がよい膜とな
っている。合金磁性膜は、かかる結晶性がよい非磁性下
地膜の上にエピタキシー成長により被覆されるので、膜
面方向にｃ軸が良く成長し、磁気特性を良好にする結晶
性の良い膜となる。

【００１８】本発明においては、貴金属を含有するＣｏ
主成分の合金磁性膜の結晶格子定数と結晶方位をその非
磁性下地膜により制御することができ、それにより保磁
力角形比を大きく、媒体ノイズレベルを低くすることが
できるので、高密度記録と高記録再生特性を併せもつ磁
気記録媒体を得ることができる。

【００１９】

【実施例】以下に、実施例と比較例により本発明をより
詳細に説明する。実施例１良く洗浄されたソーダライムシリカガラス組成のガラス
基板（円盤状に加工され化学強化されたもの）１をスパ
ッタリング装置内の真空中で２００℃に加熱し、アルゴ
ン（Ａｒ）ガスを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法に
よりＴｉ膜（ガラス基板からの放出ガストラップ膜）２
及び島状構造を有するアルミニウム（凹凸形物）３を１
０ｍＴｏｒｒにて連続してスパッタ蒸着した。Ｔｉ成膜
前のアルゴンガスを流す前の真空度を１×１０^-6Ｔｏｒ
ｒ以下とし、Ｔｉ膜の膜厚は約３０ｎｍとした。Ａｌの
スパッタ条件は約１５ｎｍ厚のＡｌが成膜されると考え
られる条件で行い、またＡｌのスパッタ時の温度を２０
０℃とした。更に連続して、同じくＡｒガスを用いたＤ
Ｃマグネトロンスパッタ法によりチタニウムシリサイド
（ＴｉＳｉ）膜４を３０ｎｍ厚被覆し、基板を３００℃
まで加熱した後，Ｃｒ膜（非磁性下地膜）５、Ｃｒ₉₀Ｍ
ｏ₁₀膜（第２の非磁性下地膜）６，Ｃｏ₈₁Ｃｒ₁₃Ｐｔ₆
組成の合金磁性膜７及びカーボン保護膜８を順次それぞ
れ１２０ｎｍ、３０ｎｍ、５６ｎｍ、２０ｎｍの厚さで
被覆した（組成表示はすべて原子％）。得られた磁気記
録媒体（サンプル１）の膜断面構造の模式図を図１に示
す。このときＴｉ膜２の被覆からカーボン膜７の被覆
は、インライン型スパッタリング装置により、真空状態
を破ることなく連続的に行った。

【００２０】

【表１】

【００２１】比較例１実施例１のＣｒ膜５とＣｒ₉₀Ｍｏ₁₀膜６の２層構成の下
地膜の代わりに、下地膜として１５０ｎｍの厚みのＣｒ
単一組成の膜５のみを被覆した以外は、実施例１と同じ
ようにして磁気記録媒体の比較サンプル１を作成した。

【００２２】比較例２実施例１のＣｒ膜５とＣｒ₉₀Ｍｏ₁₀膜６の２層構成の下
地膜の代わりに、下地膜として、１５０ｎｍの厚みのＣ
ｒ₉₀Ｍｏ₁₀膜６のみを被覆した以外は、実施例１と同じ
ようにして磁気記録媒体の比較サンプル２を作製した。
図３は、比較サンプル２の膜断面構造の模式図である。

【００２３】作製したサンプル１、比較サンプル１〜２
の磁気特性を、次に述べるサンプル２および比較サンプ
ル３とともにまとめて表１に示す。下地膜としてＣｒ膜
のみを用いた比較サンプル１は、保磁力Ｈ_Cが１６００
ｏｅ程度を示したが、保磁力角形比Ｓ^*は０．７５とや
や小さい値となった。また、比較サンプル１をヘッドと
磁気記録媒体の表面の間の距離（フライングハイト）を
３マイクロインチとして記録再生特性を測定したとこ
ろ，高周波信号の書き込み，読み取り時の媒体ノイズ
と、その読み取り時の信号強度の比（Ｓ／Ｎ比）は３１
ｄＢであった．また、ＣｒＭｏ合金膜のみを用いた比較
サンプル２は、Ｈ_cが１６５０ｏｅで比較サンプル１よ
り若干増大し、Ｓ^*は０．８５と大きく向上した。しか
しながら、Ｓ／Ｎ比は２８ｄＢと大きく低下した。これ
らに対して下地膜を２層膜構成としたサンプル１は、Ｈ
_cは１６２０ｏｅ程度で、かつ、Ｓ^*も０．８５と大き
く、さらにＳ／Ｎ比も３０．２ｄＢという値を示した。

【００２４】次にこれらのサンプルを透過電子顕微鏡に
より分析したところ，上記の純粋なＣｒ膜の上に積層さ
れたＣｒ₉₀Ｍｏ₁₀膜は、Ｃｒ単一組成の膜とほとんど変
わらないような結晶粒径と欠陥密度をもっており，それ
はＣｒ₉₀Ｍｏ₁₀膜のみを形成したのとは大きく異なって
おり，確実に結晶性が向上していることが確認できた．
またＸ線回折によりＣｏ合金磁性膜の結晶配向を調べた
ところ，Ｃｏ合金磁性膜の００２反射の積分強度は、Ｃ
ｒ₉₀Ｍｏ₁₀膜とＣｒ膜を積層したサンプル１では、Ｃｒ
単一組成の膜の上に合金磁性膜を被覆した比較サンプル
１に比べて１／３程度に減少しており，磁化容易軸の面
内配向がＣｒ₉₀Ｍｏ₁₀膜をＣｏ合金磁性膜の直下に形成
することにより促進されていることが確認された。ま
た、得られた膜の結晶格子面間隔は、Ｃｏ合金磁性膜が
２．１９４オングストローム、Ｃｒ₉₀Ｍｏ₁₀膜が２．０
５８オングストローム、Ｃｒ膜が２．０４０オングスト
ロームであった。実施例２良く洗浄されたソーダライムシリカ組成のガラス基板
（円盤状に加工され化学強化されたもの）１をスパッタ
リング装置の真空中で２００℃に加熱し、その上にアル
ゴンガスを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法によりＴ
ｉＳｉ膜４を３０ｎｍ厚被覆した。次にガラス基板を３
６０℃まで加熱した後で，図４に示すようなタングステ
ン（Ｗ）チップ１０を設置したＣｒ金属の平板型スパッ
タターゲット９を用い、このターゲット面上をガラス基
板１を移動させながら膜厚方向に組成勾配を有する非磁
性下地膜１１を形成し，さらにこの非磁性下地膜１１の
上にＣｏ_63.7Ｎｉ₂₂Ｐｔ₄Ｃｒ_9.5Ｎｂ_0.8の組成のＰｔ
含有Ｃｏ合金磁性膜１２及びカーボン保護膜８を順次そ
れぞれ１００ｎｍ、５１ｎｍ、１５ｎｍの厚みに被覆
し，磁気記録媒体のサンプル２を作製した。ＴｉＳｉ膜
４の被覆からカーボンからなる保護膜８の被覆は、イン
ライン型スパッタリング゛装置により、真空状態を破る
ことなく連続的に行った。得られたサンプル２の膜断面
構造の模式図を図２に示す。

【００２５】比較例３実施例２とは、Ｃｒのスパッタターゲット（ターゲット
表面上に設置したタングステンチップを取り除いたも
の）を用いたことを除いては、全く同じようにして磁気
記録媒体を作成し、比較サンプル３を得た。

【００２６】得られた磁気記録媒体の磁気特性を測定し
たところ、Ｃｒ単一組成からなる下地膜を用いた比較サ
ンプル３は、保磁力Ｈ_cが１５２０ｏｅ程度の値を示し
保磁力角形比Ｓ^*は０．８５であった。これに対して組
成勾配を有するサンプル２はＨ_cが１６００ｏｅと増大
し、またＳ^*は０．９０と向上した。また、サンプルを
磁気ヘッドと磁気記録媒体表面の間の距離を７５ｎｍ程
度として記録再生特性を測定したところ、比較サンプル
３は、Ｓ／Ｎ比が３０．０ｄＢ、Ｐw50（孤立波出力の
半値幅）が５８０ｎｍであったが、サンプル２は、Ｓ／
Ｎ比が３１．０ｄＢ、Ｐw50が５５２ｎｍと高密度記録
に適した特性を有していた。次にサンプル２の非磁性
下地膜をオージェ電子分光分析により，その膜厚方向の
組成変化を調べたところ，ＣｒＷ膜のガラス基板側では
その組成はＣｒ₉₈ＷW₂程度で、また合金磁性膜の界面近
傍ではＣｒ₉₁ＷW₉程度となっており，その間で組成は連
続的に単調に変化していた。またＸ線回折より，このＣ
ｒＷ膜の１１０回折ピークは非常に幅広いものとなって
いることが判明し，これはＣｒＷ膜内でその結晶格子定
数に分布が存在することを示唆するものと考えられた。

【００２７】

【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、従来のＣｒ単
一組成からなる下地膜上にＰｔ等の貴金属を含有するＣ
ｏ合金磁性膜を形成したものに比較して、優れた磁気特
性及び記録再生特性を有しており、より高周波域での記
録再生においても大きな出力と小さな媒体ノイズを有す
るので、より高密度の記録再生が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で得られる磁気記録媒体の膜断面構造
を示す図である。

【図２】実施例２で得られる磁気記録媒体の膜断面構造
を示す図である。

【図３】比較例２で得られる磁気記録媒体の膜断面構造
を示す図である。

【図４】実施例２の組成勾配を有する非磁性下地膜を被
覆する方法を説明する図である。

【符号の説明】

１・・・ガラス基板、５・・・Ｃｒからなる非磁性下地
膜、６・・・ＣｒＭｏ合金からなる第２の非磁性下地
膜、７、１２・・・Ｐｔを含有しＣｏを主成分とする合
金磁性膜、８・・・カーボン保護膜、１１・・・膜厚方
向に組成勾配を有するＣｒＷからなる非磁性下地膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体上に、体心立方最密充填結晶
構造を有する金属からなる非磁性下地膜、貴金属を含有
しＣｏを主成分とする合金磁性膜および保護膜を、順次
被覆した磁気記録媒体において、前記非磁性下地膜と前
記合金磁性膜との間に、前記非磁性下地膜と前記合金磁
性膜とに接して第２の非磁性下地膜を介在させ、前記第
２の非磁性下地膜を、前記金属の結晶格子定数よりも大
きい結晶格子定数を有する第２の金属と前記金属との合
金の膜とすることにより、前記非磁性下地膜と前記合金
磁性膜との結晶格子定数の差よりも前記第２の非磁性下
地膜と前記合金磁性膜との結晶格子定数の差を小さくし
たことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】前記金属がＣｒであり、第２の金属がＭ
ｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの群より選
ばれたいずれか１種であることを特徴とする請求項１に
記載の磁気記録媒体。
【請求項３】前記第２の非磁性下地膜は、前記第２の金
属を４〜９重量％含有し、前記合金磁性膜はＰｔおよび
Ｐｄからなる貴金属群より選ばれた少なくとも１種を合
計量で４〜８重量％含有することを特徴とする請求項１
または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】前記第２の非磁性下地膜は、前記第２の金
属を９〜１２重量％含有し、前記合金磁性膜はＰｔおよ
びＰｄからなる貴金属群より選ばれた少なくとも１種を
合計量で８〜１２重量％含有することを特徴とする請求
項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】前記非磁性下地膜の厚みを８０〜１４０ｎ
ｍとし、前記第２の非磁性下地膜を２０〜５０ｎｍとし
たことを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載
の磁気記録媒体。
【請求項６】非磁性支持体上に、体心立方最密充填結晶
構造を有する金属からなる非磁性下地膜、貴金属を含有
しＣｏを主成分とする合金磁性膜および保護膜を、順次
被覆した磁気記録媒体において、前記非磁性下地膜を、
Ｃｒを主成分とする金属膜とし、かつ、前記非磁性支持
体側から前記合金磁性膜側にいくに従い連続的にＣｒよ
りも原子半径の大きい第２の金属をより多く含ませた膜
とすることにより、前記非磁性下地膜の前記合金磁性膜
に接する面の結晶格子定数を、前記合金磁性膜の結晶格
子定数に近づけたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】前記第２の金属がＭｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの群より選ばれたいずれか１種で
あることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】前記非磁性下地膜の前記合金磁性膜との界
面において、前記第２の金属が４〜９重量％含有し、前
記合金磁性膜はＰｔおよびＰｄからなる貴金属群より選
ばれた少なくとも１種を合計量で４〜８重量％含有する
ことを特徴とする請求項６または７に記載の磁気記録媒
体。
【請求項９】前記非磁性下地膜の前記合金磁性膜との界
面において、前記第２の金属が９〜１２重量％含有し、
前記合金磁性膜はＰｔおよびＰｄからなる貴金属群より
選ばれた少なくとも１種を合計量で８〜１２重量％含有
することを特徴とする請求項６または７に記載の磁気記
録媒体。
【請求項１０】前記非磁性下地膜の厚みを７０〜１２０
ｎｍとしたことを特徴とする請求項６〜９のいずれかの
項に記載の磁気記録媒体。