JPH06310079A - イオン注入用基板加熱装置 - Google Patents
イオン注入用基板加熱装置Info
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- JPH06310079A JPH06310079A JP5101349A JP10134993A JPH06310079A JP H06310079 A JPH06310079 A JP H06310079A JP 5101349 A JP5101349 A JP 5101349A JP 10134993 A JP10134993 A JP 10134993A JP H06310079 A JPH06310079 A JP H06310079A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- platen
- ion implantation
- substrate
- heating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板にイオン注入を行う際に半導体基
板を室温より高い温度に昇温するイオン注入用基板加熱
装置に関し、枚葉式でカセットツーカセットに対応で
き、半導体基板をプラテン部に連続的かつ容易に着脱さ
せることができることを目的とする。 【構成】 半導体基板(10)を加熱昇温するプラテン(20)
と着脱器(30)とを備える。プラテン(20)は、半導体基板
(10)を載せる上面に半導体基板の位置決めを行うガイド
ピン(22)と、側面に半導体基板の外周よりも深く切れ込
んだ凹部(21)とを有する。着脱器(30)は、プラテン(20)
に載せた半導体基板(10)の外縁部を上からプラテンに押
し付けるドーナツ盤(31)と、このドーナツ盤(30)に一端
が結合され先端がプラテン(20)の凹部(21)に応じた形状
を有し半導体基板(10)を下から保持する複数の爪(32)と
により構成される。
板を室温より高い温度に昇温するイオン注入用基板加熱
装置に関し、枚葉式でカセットツーカセットに対応で
き、半導体基板をプラテン部に連続的かつ容易に着脱さ
せることができることを目的とする。 【構成】 半導体基板(10)を加熱昇温するプラテン(20)
と着脱器(30)とを備える。プラテン(20)は、半導体基板
(10)を載せる上面に半導体基板の位置決めを行うガイド
ピン(22)と、側面に半導体基板の外周よりも深く切れ込
んだ凹部(21)とを有する。着脱器(30)は、プラテン(20)
に載せた半導体基板(10)の外縁部を上からプラテンに押
し付けるドーナツ盤(31)と、このドーナツ盤(30)に一端
が結合され先端がプラテン(20)の凹部(21)に応じた形状
を有し半導体基板(10)を下から保持する複数の爪(32)と
により構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板（ウェハ）
にイオン注入を行う際に半導体基板を室温より高い温度
に昇温するイオン注入用基板加熱装置に関する。特に、
半導体基板をプラテン部に連続的に着脱させる機構を有
するイオン注入用基板加熱装置に関する。
にイオン注入を行う際に半導体基板を室温より高い温度
に昇温するイオン注入用基板加熱装置に関する。特に、
半導体基板をプラテン部に連続的に着脱させる機構を有
するイオン注入用基板加熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板にイオン注入を行う従来装置
では、図５に示すように、基板加熱機構を有するプラテ
ン５１に半導体基板１０を取り付け、真空にしてから加
熱昇温する構成になっていた。ここで、プラテン５１
は、イオンビームに垂直な軸の周りに４面をもち、１面
はビーム調整用に用い、残りの３面に半導体基板１０が
取り付けられる。
では、図５に示すように、基板加熱機構を有するプラテ
ン５１に半導体基板１０を取り付け、真空にしてから加
熱昇温する構成になっていた。ここで、プラテン５１
は、イオンビームに垂直な軸の周りに４面をもち、１面
はビーム調整用に用い、残りの３面に半導体基板１０が
取り付けられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来装置で
はイオン注入後の手順として、一旦温度を下げ、プラテ
ン５１ごと取り出して半導体基板１０を外し、次の半導
体基板を取り付けるようになっていた。したがって、多
くの半導体基板を扱う場合には作業が長時間に及ぶこと
があった。また、プラテン５１の温度がその都度上下す
るので、各サイクルの半導体基板１０はそれぞれ熱履歴
が異なってしまう欠点もあった。
はイオン注入後の手順として、一旦温度を下げ、プラテ
ン５１ごと取り出して半導体基板１０を外し、次の半導
体基板を取り付けるようになっていた。したがって、多
くの半導体基板を扱う場合には作業が長時間に及ぶこと
があった。また、プラテン５１の温度がその都度上下す
るので、各サイクルの半導体基板１０はそれぞれ熱履歴
が異なってしまう欠点もあった。
【０００４】また、１ロット10枚程度の試作や温度を変
えてイオン注入する場合には、この手順を繰り返すこと
になり、作業時間がさらに長くなっていた。本発明は、
枚葉式でカセットツーカセットに対応でき、半導体基板
をプラテン部に連続的かつ容易に着脱させることができ
るイオン注入用基板加熱装置を提供することを目的とす
る。
えてイオン注入する場合には、この手順を繰り返すこと
になり、作業時間がさらに長くなっていた。本発明は、
枚葉式でカセットツーカセットに対応でき、半導体基板
をプラテン部に連続的かつ容易に着脱させることができ
るイオン注入用基板加熱装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明の
イオン注入用基板加熱装置は、半導体基板を加熱昇温す
るプラテンと着脱器とを備えた構成である。プラテン
は、半導体基板を載せる上面に半導体基板の位置決めを
行うガイドピンと、側面に半導体基板の外周よりも深く
切れ込んだ凹部とを有する。着脱器は、プラテンに載せ
た半導体基板の外縁部を上からプラテンに押し付けるド
ーナツ盤と、このドーナツ盤に一端が結合され先端がプ
ラテンの凹部に応じた形状を有し半導体基板を下から保
持する複数の爪とにより構成される。
イオン注入用基板加熱装置は、半導体基板を加熱昇温す
るプラテンと着脱器とを備えた構成である。プラテン
は、半導体基板を載せる上面に半導体基板の位置決めを
行うガイドピンと、側面に半導体基板の外周よりも深く
切れ込んだ凹部とを有する。着脱器は、プラテンに載せ
た半導体基板の外縁部を上からプラテンに押し付けるド
ーナツ盤と、このドーナツ盤に一端が結合され先端がプ
ラテンの凹部に応じた形状を有し半導体基板を下から保
持する複数の爪とにより構成される。
【０００６】請求項２に記載の発明のイオン注入用基板
加熱装置は、請求項１に記載のプラテンまたは着脱器の
いずれか一方を固定し他方を上下移動させる機構と、着
脱器のドーナツ盤により半導体基板の外縁部を上からプ
ラテンに押し付けた状態で回転移動させる機構とを備え
る。
加熱装置は、請求項１に記載のプラテンまたは着脱器の
いずれか一方を固定し他方を上下移動させる機構と、着
脱器のドーナツ盤により半導体基板の外縁部を上からプ
ラテンに押し付けた状態で回転移動させる機構とを備え
る。
【０００７】請求項３に記載の発明は、請求項１または
請求項２に記載のイオン注入用基板加熱装置において、
着脱器の爪で半導体基板を保持し、半導体基板をプラテ
ンの上面から離している状態で、爪と爪の間から半導体
基板を移送して爪に積み降ろしする移載器を備える。
請求項２に記載のイオン注入用基板加熱装置において、
着脱器の爪で半導体基板を保持し、半導体基板をプラテ
ンの上面から離している状態で、爪と爪の間から半導体
基板を移送して爪に積み降ろしする移載器を備える。
【０００８】
【作用】プラテンの側面に着脱器の爪が上下移動できる
凹部を形成することにより、着脱器のドーナツ盤と爪と
の間に半導体基板を位置させたまま、プラテンと着脱器
を相対的に上下させることができる。これにより、プラ
テンと着脱器のドーナツ盤との間に半導体基板を挟んで
半導体基板をプラテンに密着させることができ、またプ
ラテンと着脱器のドーナツ盤を引き離して半導体基板を
着脱器の爪で保持した状態にすることができる。
凹部を形成することにより、着脱器のドーナツ盤と爪と
の間に半導体基板を位置させたまま、プラテンと着脱器
を相対的に上下させることができる。これにより、プラ
テンと着脱器のドーナツ盤との間に半導体基板を挟んで
半導体基板をプラテンに密着させることができ、またプ
ラテンと着脱器のドーナツ盤を引き離して半導体基板を
着脱器の爪で保持した状態にすることができる。
【０００９】さらに、プラテンの上面に半導体基板の位
置決めを行うガイドピンを設けることにより、着脱器の
爪で保持されている半導体基板をプラテンに載せるとき
の位置ずれを回避することができる。
置決めを行うガイドピンを設けることにより、着脱器の
爪で保持されている半導体基板をプラテンに載せるとき
の位置ずれを回避することができる。
【００１０】また、半導体基板が着脱器の爪に保持され
ている状態では、プラテンが高温状態であっても、移載
器を用いることにより半導体基板を容易に移送すること
ができる。
ている状態では、プラテンが高温状態であっても、移載
器を用いることにより半導体基板を容易に移送すること
ができる。
【００１１】
【実施例】図１および図２は、本発明装置の実施例構成
を示す図である。図において、本発明装置は、半導体基
板１０を載せて加熱昇温するプラテン２０と、半導体基
板１０を上からプラテン２０に押し付け、また半導体基
板１０を下から保持してプラテン２０から離す着脱器３
０とから構成される。(1) は、着脱器３０を透視して半
導体基板１０およびプラテン２０を見た透視斜視図であ
り、(2) はそのａ−ａ断面図、(3) はそのｂ−ｂ断面図
である。
を示す図である。図において、本発明装置は、半導体基
板１０を載せて加熱昇温するプラテン２０と、半導体基
板１０を上からプラテン２０に押し付け、また半導体基
板１０を下から保持してプラテン２０から離す着脱器３
０とから構成される。(1) は、着脱器３０を透視して半
導体基板１０およびプラテン２０を見た透視斜視図であ
り、(2) はそのａ−ａ断面図、(3) はそのｂ−ｂ断面図
である。
【００１２】着脱器３０は、ドーナツ盤３１と、その外
周からＬ字型に伸びた４本の爪３２とを有する。ドーナ
ツ盤３１の内径は半導体基板１０の直径よりも小さく、
半導体基板１０の外縁部を上から均一に押し付ける部分
となる。一方、４本の爪３２は半導体基板１０の外縁部
を下から保持するのに十分な長さを有し、着脱器３０を
持ち上げたときに、爪３２が半導体基板１０を保持して
プラテン２０から離す働きをする。なお、半導体基板１
０を載せたプラテン２０を下げても同様である。
周からＬ字型に伸びた４本の爪３２とを有する。ドーナ
ツ盤３１の内径は半導体基板１０の直径よりも小さく、
半導体基板１０の外縁部を上から均一に押し付ける部分
となる。一方、４本の爪３２は半導体基板１０の外縁部
を下から保持するのに十分な長さを有し、着脱器３０を
持ち上げたときに、爪３２が半導体基板１０を保持して
プラテン２０から離す働きをする。なお、半導体基板１
０を載せたプラテン２０を下げても同様である。
【００１３】プラテン２０は、半導体基板１０を載せて
室温から 250℃以上に加熱昇温するものである。プラテ
ン２０の側面に設けられる凹部２１は、半導体基板１０
の外周よりも深く切れ込み、着脱器３０の爪３２が上下
移動して半導体基板１０を下から保持できるようにして
いる。また、プラテン２０には、装着される半導体基板
１０の位置決めを行うとともに、半導体基板１０がプラ
テン２０上で移動するのを阻止するガイドピン２２が設
けられる。なお、着脱器３０のドーナツ盤３１には、こ
のガイドピン２２に対応する位置に孔３３が設けられる
が、ガイドピン２２の高さが半導体基板１０の厚さ以下
であればこの孔３３は不要である。
室温から 250℃以上に加熱昇温するものである。プラテ
ン２０の側面に設けられる凹部２１は、半導体基板１０
の外周よりも深く切れ込み、着脱器３０の爪３２が上下
移動して半導体基板１０を下から保持できるようにして
いる。また、プラテン２０には、装着される半導体基板
１０の位置決めを行うとともに、半導体基板１０がプラ
テン２０上で移動するのを阻止するガイドピン２２が設
けられる。なお、着脱器３０のドーナツ盤３１には、こ
のガイドピン２２に対応する位置に孔３３が設けられる
が、ガイドピン２２の高さが半導体基板１０の厚さ以下
であればこの孔３３は不要である。
【００１４】図１は、プラテン２０に載せた半導体基板
１０を着脱器３０のドーナツ盤３１が上から押し付け、
半導体基板１０とプラテン２０が密着している状態を示
す。すなわち、半導体基板固定時の状態である。図２
は、着脱器３０が持ち上がり（あるいは半導体基板１０
を載せたプラテン２０が下がり）、着脱器３０の爪３２
が半導体基板１０を保持している状態を示す。すなわ
ち、半導体基板着脱時の状態である。なお、図１(2) お
よび図２(2) のａ−ａ断面図には、便宜的に爪３２，凹
部２１およびガイドピン２２を表す線を書き入れてい
る。また、図１(3) のｂ−ｂ断面図には、便宜的に凹部
２１を表す線を書き入れている。
１０を着脱器３０のドーナツ盤３１が上から押し付け、
半導体基板１０とプラテン２０が密着している状態を示
す。すなわち、半導体基板固定時の状態である。図２
は、着脱器３０が持ち上がり（あるいは半導体基板１０
を載せたプラテン２０が下がり）、着脱器３０の爪３２
が半導体基板１０を保持している状態を示す。すなわ
ち、半導体基板着脱時の状態である。なお、図１(2) お
よび図２(2) のａ−ａ断面図には、便宜的に爪３２，凹
部２１およびガイドピン２２を表す線を書き入れてい
る。また、図１(3) のｂ−ｂ断面図には、便宜的に凹部
２１を表す線を書き入れている。
【００１５】このように、着脱器３０（あるいはプラテ
ン２０）を上下移動させることにより、プラテン２０に
半導体基板１０を密着させるか、半導体基板１０を着脱
器３０の爪３２で保持した状態にすることができる。
ン２０）を上下移動させることにより、プラテン２０に
半導体基板１０を密着させるか、半導体基板１０を着脱
器３０の爪３２で保持した状態にすることができる。
【００１６】ここで、半導体基板１０を着脱器３０の爪
３２で保持してプラテン２０から離すと、図２に示すよ
うに半導体基板１０とプラテン２０との間に空間が生ず
る。この空間にフォーク（移載器）４１を差し入れ、着
脱器３０の爪３２と爪３２の間からフォーク４１を上に
移動させることにより、フォーク４１の上に半導体基板
１０を載せることができる。この状態でフォーク４１を
引き出すことにより、半導体基板１０をイオン注入用基
板加熱装置の外に持ち出すことができる。
３２で保持してプラテン２０から離すと、図２に示すよ
うに半導体基板１０とプラテン２０との間に空間が生ず
る。この空間にフォーク（移載器）４１を差し入れ、着
脱器３０の爪３２と爪３２の間からフォーク４１を上に
移動させることにより、フォーク４１の上に半導体基板
１０を載せることができる。この状態でフォーク４１を
引き出すことにより、半導体基板１０をイオン注入用基
板加熱装置の外に持ち出すことができる。
【００１７】また、半導体基板１０をイオン注入用基板
加熱装置のプラテン２０の上に載せる場合には、以上の
動作を逆に辿って半導体基板１０を着脱器３０の爪３２
に一旦載せ、着脱器３０（あるいはプラテン２０）を上
下移動させることにより、プラテン２０に半導体基板１
０を密着させる。図２(1) に示すフォーク４１に載った
半導体基板１０は、図２(2) では破線で示している。こ
れにより、枚葉式でカセットツーカセットに対応するこ
とが可能となる。なお、フォーク４１のガイドピン４２
は、上に載せただけの半導体基板１０が搬送中にずれな
いように位置決めするものである。
加熱装置のプラテン２０の上に載せる場合には、以上の
動作を逆に辿って半導体基板１０を着脱器３０の爪３２
に一旦載せ、着脱器３０（あるいはプラテン２０）を上
下移動させることにより、プラテン２０に半導体基板１
０を密着させる。図２(1) に示すフォーク４１に載った
半導体基板１０は、図２(2) では破線で示している。こ
れにより、枚葉式でカセットツーカセットに対応するこ
とが可能となる。なお、フォーク４１のガイドピン４２
は、上に載せただけの半導体基板１０が搬送中にずれな
いように位置決めするものである。
【００１８】ところで、着脱器３０のドーナツ盤３１
は、その内円の縁で半導体基板１０の外縁部を押し付け
られる寸法であればよく、外周の形状は必ずしも円形で
ある必要はない。ただし、ドーナツ盤３１の寸法および
爪３２の取付位置は、爪３２と爪３２との間を半導体基
板１０が出入りできるようにする必要がある。また、爪
３２の長さは、プラテン２０の凹部２１の切れ込みの深
さにも影響し、さらにフォーク４１の幅の上限を決定す
ることにもなるので必要以上に長くすることはできない
が、半導体基板１０を保持できる十分な長さは必要であ
る。
は、その内円の縁で半導体基板１０の外縁部を押し付け
られる寸法であればよく、外周の形状は必ずしも円形で
ある必要はない。ただし、ドーナツ盤３１の寸法および
爪３２の取付位置は、爪３２と爪３２との間を半導体基
板１０が出入りできるようにする必要がある。また、爪
３２の長さは、プラテン２０の凹部２１の切れ込みの深
さにも影響し、さらにフォーク４１の幅の上限を決定す
ることにもなるので必要以上に長くすることはできない
が、半導体基板１０を保持できる十分な長さは必要であ
る。
【００１９】図３は、イオン注入時における本発明装置
の位置を示す図である。(1) は半導体基板１０にイオン
注入するために、半導体基板１０をプラテン２０に密着
させて垂直位置に立てた状態を示す。この状態でイオン
ビームを照射することによりイオン注入が行われる。な
お、半導体基板１０の角度は、垂直位置から±45度の範
囲で変化できるものとする。また、(2) は半導体基板１
０を水平位置に戻した状態を示す。
の位置を示す図である。(1) は半導体基板１０にイオン
注入するために、半導体基板１０をプラテン２０に密着
させて垂直位置に立てた状態を示す。この状態でイオン
ビームを照射することによりイオン注入が行われる。な
お、半導体基板１０の角度は、垂直位置から±45度の範
囲で変化できるものとする。また、(2) は半導体基板１
０を水平位置に戻した状態を示す。
【００２０】以上示したように、本発明のイオン注入用
基板加熱装置には、室温から 250℃以上に加熱昇温した
状態の中で、プラテン２０あるいは着脱器３０を相対的
に上下させて半導体基板１０の着脱を可能にする機構
と、フォーク４１を前後上下に移動させて半導体基板１
０の積み降ろしを行う機構と、半導体基板１０をプラテ
ン２０に密着させた状態で水平位置と垂直位置とを入れ
替え、かつ垂直位置から±45度の範囲で変化させる機構
が別途備えられる。なお、これらは電気的に絶縁した状
態で設置される。
基板加熱装置には、室温から 250℃以上に加熱昇温した
状態の中で、プラテン２０あるいは着脱器３０を相対的
に上下させて半導体基板１０の着脱を可能にする機構
と、フォーク４１を前後上下に移動させて半導体基板１
０の積み降ろしを行う機構と、半導体基板１０をプラテ
ン２０に密着させた状態で水平位置と垂直位置とを入れ
替え、かつ垂直位置から±45度の範囲で変化させる機構
が別途備えられる。なお、これらは電気的に絶縁した状
態で設置される。
【００２１】ここで、半導体基板１０の着脱を可能にす
る機構例を図４に示す。図４において、プラテン２０は
図示しない軸機構に保持され、回転自在になっている。
一方、着脱器３０には絶縁されたフレーム４３が結合さ
れる。フレーム４３とプラテン２０との間にはバネ４４
および絶縁板４５が介在し、バネ４４の力によって着脱
器３０を押し下げ、半導体基板１０をプラテン２０に密
着させる構造である（図１の状態）。また、図示しない
機構によりフレーム４３を押し上げることにより着脱器
３０が持ち上がり、その爪３２によって半導体基板１０
を持ち上げることができる（図２の状態）。このよう
に、フレーム４３の上下移動に伴って半導体基板１０の
着脱を可能にすることができる。
る機構例を図４に示す。図４において、プラテン２０は
図示しない軸機構に保持され、回転自在になっている。
一方、着脱器３０には絶縁されたフレーム４３が結合さ
れる。フレーム４３とプラテン２０との間にはバネ４４
および絶縁板４５が介在し、バネ４４の力によって着脱
器３０を押し下げ、半導体基板１０をプラテン２０に密
着させる構造である（図１の状態）。また、図示しない
機構によりフレーム４３を押し上げることにより着脱器
３０が持ち上がり、その爪３２によって半導体基板１０
を持ち上げることができる（図２の状態）。このよう
に、フレーム４３の上下移動に伴って半導体基板１０の
着脱を可能にすることができる。
【００２２】また、プラテン２０を保持する軸機構を動
作させることにより、半導体基板１０をプラテン２０に
密着させた状態で水平位置と垂直位置とを入れ替え、か
つ垂直位置から±45度の範囲で変化させることができ
る。なお、フレーム４３（着脱器３０）を上下移動させ
る機構と、基板加熱装置（プラテン２０）を回転させる
機構は、偏心カム等を用いることにより連動させること
ができる。
作させることにより、半導体基板１０をプラテン２０に
密着させた状態で水平位置と垂直位置とを入れ替え、か
つ垂直位置から±45度の範囲で変化させることができ
る。なお、フレーム４３（着脱器３０）を上下移動させ
る機構と、基板加熱装置（プラテン２０）を回転させる
機構は、偏心カム等を用いることにより連動させること
ができる。
【００２３】これらの機構は、温度特性のよい絶縁物を
介することにより、高温においても電気的に絶縁された
状態を維持することができる。これにより、半導体基板
１０に注入されたイオンビーム電流は、本発明装置に電
流積算計を接続して測定することができ、それを用いて
容易にイオン注入量を制御することができる。
介することにより、高温においても電気的に絶縁された
状態を維持することができる。これにより、半導体基板
１０に注入されたイオンビーム電流は、本発明装置に電
流積算計を接続して測定することができ、それを用いて
容易にイオン注入量を制御することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のイオン注
入用基板加熱装置は、半導体基板をプラテンに密着させ
ることと、半導体基板をプラテンから引き離して着脱器
の爪で保持した状態とを容易に実現することができる。
これにより、プラテンが高温状態であっても、半導体基
板の移送およびプラテンへの着脱が可能となる。
入用基板加熱装置は、半導体基板をプラテンに密着させ
ることと、半導体基板をプラテンから引き離して着脱器
の爪で保持した状態とを容易に実現することができる。
これにより、プラテンが高温状態であっても、半導体基
板の移送およびプラテンへの着脱が可能となる。
【００２５】したがって、イオン注入される半導体基板
ごとの温度を任意に制御できるとともに、プラテンの温
度を一定にして半導体基板ごとの熱履歴を一定にするこ
とができる。また、これにより半導体基板ごとのイオン
注入特性を再現性よく制御することができる。
ごとの温度を任意に制御できるとともに、プラテンの温
度を一定にして半導体基板ごとの熱履歴を一定にするこ
とができる。また、これにより半導体基板ごとのイオン
注入特性を再現性よく制御することができる。
【００２６】さらに、枚葉式でカセットツーカセットに
対応する機構との結合も容易になり、その場合には１ロ
ット10枚程度の試作や基板温度を変えてイオン注入する
作業を極めて効率的に行うことができる。
対応する機構との結合も容易になり、その場合には１ロ
ット10枚程度の試作や基板温度を変えてイオン注入する
作業を極めて効率的に行うことができる。
【図１】本発明装置の実施例構成（半導体基板固定時の
状態）を示す図。
状態）を示す図。
【図２】本発明装置の実施例構成（半導体基板着脱時の
状態）を示す図。
状態）を示す図。
【図３】イオン注入時における本発明装置の位置を示す
図。
図。
【図４】半導体基板の着脱を可能にする機構例を示す
図。
図。
【図５】従来のイオン注入用基板加熱装置の構成を示す
図。
図。
１０ 半導体基板 ２０，５１ プラテン ２１ 凹部 ２２ ガイドピン ３０ 着脱器 ３１ ドーナツ盤 ３２ 爪 ３３ 孔 ４１ フォーク ４２ ガイドピン ４３ フレーム ４４ バネ ４５ 絶縁板
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板を載せる上面に半導体基板の
位置決めを行うガイドピンと、側面に半導体基板の外周
よりも深く切れ込んだ凹部とを有し、半導体基板を加熱
昇温するプラテンと、 前記プラテンに載せた半導体基板の外縁部を上からプラ
テンに押し付けるドーナツ盤と、このドーナツ盤に一端
が結合され先端が前記プラテンの凹部に応じた形状を有
し半導体基板を下から保持する複数の爪とにより構成さ
れる着脱器とを備えたことを特徴とするイオン注入用基
板加熱装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のプラテンまたは着脱器
のいずれか一方を固定し他方を上下移動させる機構と、 前記着脱器のドーナツ盤により前記半導体基板の外縁部
を上から前記プラテンに押し付けた状態で回転移動させ
る機構とを備えたことを特徴とするイオン注入用基板加
熱装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のイオン
注入用基板加熱装置において、 着脱器の爪で半導体基板を保持し、半導体基板をプラテ
ンの上面から離している状態で、爪と爪の間から半導体
基板を移送して爪に積み降ろしする移載器を備えたこと
を特徴とするイオン注入用基板加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5101349A JPH06310079A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | イオン注入用基板加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5101349A JPH06310079A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | イオン注入用基板加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310079A true JPH06310079A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14298365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5101349A Pending JPH06310079A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | イオン注入用基板加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310079A (ja) |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP5101349A patent/JPH06310079A/ja active Pending
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