JPH06310467A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH06310467A JPH06310467A JP9587093A JP9587093A JPH06310467A JP H06310467 A JPH06310467 A JP H06310467A JP 9587093 A JP9587093 A JP 9587093A JP 9587093 A JP9587093 A JP 9587093A JP H06310467 A JPH06310467 A JP H06310467A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フロン・ガスを用いずにＧａＡｓ／ＡｌＧａ
Ａｓ積層系のエッチングを行う。 【構成】 ＨＥＭＴのゲート電極形成用のリセス５ａの
加工において、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４上のｎ+ −Ｇａ
Ａｓ層５を、酸化炭素、酸化窒素、酸化イオウ等の無機
酸化物とフッ素系化合物とを含むガスを用いてエッチン
グする。レジスト・マスク６の分解生成物に由来する炭
素系ポリマーに＞Ｃ＝Ｏ基，＞Ｓ＝Ｏ基，−Ｎ＝Ｏ基等
の極性官能基、またはＣ−Ｃ結合よりも結合エネルギー
の大きいＣ−Ｏ結合，Ｃ−Ｓ結合，Ｃ−Ｎ結合等が導入
され、強固な側壁保護膜７が形成される。異方性加工に
必要な入射イオン・エネルギーと炭素系ポリマーの堆積
量を低減でき、高選択・低汚染エッチングが行える。ガ
ス組成の例は、ＣＯ／ＮＦ3／Ａｒ，ＳＯ2 ／ＮＦ3 ／
Ｃｌ2 ，ＮＯ／Ｓ2 Ｆ2 ／Ｃｌ2 等。
Ａｓ積層系のエッチングを行う。 【構成】 ＨＥＭＴのゲート電極形成用のリセス５ａの
加工において、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４上のｎ+ −Ｇａ
Ａｓ層５を、酸化炭素、酸化窒素、酸化イオウ等の無機
酸化物とフッ素系化合物とを含むガスを用いてエッチン
グする。レジスト・マスク６の分解生成物に由来する炭
素系ポリマーに＞Ｃ＝Ｏ基，＞Ｓ＝Ｏ基，−Ｎ＝Ｏ基等
の極性官能基、またはＣ−Ｃ結合よりも結合エネルギー
の大きいＣ−Ｏ結合，Ｃ−Ｓ結合，Ｃ−Ｎ結合等が導入
され、強固な側壁保護膜７が形成される。異方性加工に
必要な入射イオン・エネルギーと炭素系ポリマーの堆積
量を低減でき、高選択・低汚染エッチングが行える。ガ
ス組成の例は、ＣＯ／ＮＦ3／Ａｒ，ＳＯ2 ／ＮＦ3 ／
Ｃｌ2 ，ＮＯ／Ｓ2 Ｆ2 ／Ｃｌ2 等。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造等に適
用されるドライエッチング方法に関し、特にたとえばＨ
ＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）のゲート・リセス
形成工程におけるＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ選択エッチン
グ等を、パーティクル汚染を発生させずに行う方法に関
する。
用されるドライエッチング方法に関し、特にたとえばＨ
ＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）のゲート・リセス
形成工程におけるＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ選択エッチン
グ等を、パーティクル汚染を発生させずに行う方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓＭＥＳ−ＦＥＴ（ｍｅｔａｌ
ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃ
ｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を単一基板上に集積化した
ＭＭＩＣ（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｍｉｃｒｏｗａｖｅ
ＩＣ）は、高速高周波応答性、低雑音、低消費電力等
の特長を有し、移動体通信や衛生通信用のデバイスとし
て広く利用されている。
ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃ
ｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を単一基板上に集積化した
ＭＭＩＣ（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｍｉｃｒｏｗａｖｅ
ＩＣ）は、高速高周波応答性、低雑音、低消費電力等
の特長を有し、移動体通信や衛生通信用のデバイスとし
て広く利用されている。
【０００３】１９８０年には、上記ＧａＡｓＭＥＳ−Ｆ
ＥＴのさらなる高速化を目指した研究から、ＨＥＭＴ
（ｈｉｇｈ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が開発されている。これは、Ｇａ
Ａｓ化合物半導体のヘテロ接合界面における２次元電子
ガスが、不純物による散乱を受けることなく高速で移動
できることを利用したデバイスである。このＨＥＭＴに
ついても高集積化を実現するための研究が続けられてお
り、その加工を行うドライエッチング技術に対する要求
も、より高精度、より高選択比へと向かっている。
ＥＴのさらなる高速化を目指した研究から、ＨＥＭＴ
（ｈｉｇｈ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が開発されている。これは、Ｇａ
Ａｓ化合物半導体のヘテロ接合界面における２次元電子
ガスが、不純物による散乱を受けることなく高速で移動
できることを利用したデバイスである。このＨＥＭＴに
ついても高集積化を実現するための研究が続けられてお
り、その加工を行うドライエッチング技術に対する要求
も、より高精度、より高選択比へと向かっている。
【０００４】中でも、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ積層系を
選択的にエッチングしてゲート・リセスを形成する工程
は、ＨＥＭＴ，ヘテロＭＩＳ構造ＦＥＴなどのヘテロ接
合ＦＥＴの閾値電圧を決める重要な技術である。それ
は、下層側のＡｌＧａＡｓ層における不純物濃度や厚さ
等が、上層側のＧａＡｓ層のみを除去すれば然るべき閾
値電圧をもつＦＥＴが構成できるように予め設定されて
いるからである。
選択的にエッチングしてゲート・リセスを形成する工程
は、ＨＥＭＴ，ヘテロＭＩＳ構造ＦＥＴなどのヘテロ接
合ＦＥＴの閾値電圧を決める重要な技術である。それ
は、下層側のＡｌＧａＡｓ層における不純物濃度や厚さ
等が、上層側のＧａＡｓ層のみを除去すれば然るべき閾
値電圧をもつＦＥＴが構成できるように予め設定されて
いるからである。
【０００５】このＡｌＧａＡｓ層上におけるＧａＡｓ層
の選択エッチング方法としては、ＣＣｌ2 Ｆ2 等のＣＦ
Ｃ（クロロフルオロカーボン）ガスと希ガスの混合ガス
を用いる方法が代表的なものである。これは、Ｇａが主
として塩化物、Ａｓがフッ化物および塩化物を形成する
ことによりＧａＡｓ層が除去される一方で、下地のＡｌ
ＧａＡｓ層が露出した時点では蒸気圧の低いＡｌＦ
x （フッ化アルミニウム）が表面に形成されてエッチン
グ速度が低下し、高選択比が得られるからである。
の選択エッチング方法としては、ＣＣｌ2 Ｆ2 等のＣＦ
Ｃ（クロロフルオロカーボン）ガスと希ガスの混合ガス
を用いる方法が代表的なものである。これは、Ｇａが主
として塩化物、Ａｓがフッ化物および塩化物を形成する
ことによりＧａＡｓ層が除去される一方で、下地のＡｌ
ＧａＡｓ層が露出した時点では蒸気圧の低いＡｌＦ
x （フッ化アルミニウム）が表面に形成されてエッチン
グ速度が低下し、高選択比が得られるからである。
【０００６】たとえば、Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏ
ｌ．２０．，Ｎｏ．１１（１９８１），ｐ．Ｌ８４７〜
８５０には、ＣＣｌ2 Ｆ2 ／Ｈｅ混合ガスを用いて選択
比２００を達成した例が報告されている。
ａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏ
ｌ．２０．，Ｎｏ．１１（１９８１），ｐ．Ｌ８４７〜
８５０には、ＣＣｌ2 Ｆ2 ／Ｈｅ混合ガスを用いて選択
比２００を達成した例が報告されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ＣＣｌ2 Ｆ2 等のＣＦＣガスは、いわゆるフロン・ガス
と通称されている化合物の一種であり、周知のように地
球のオゾン層破壊の原因とされているため、その製造・
使用の禁止が目前に迫っている。したがって、ドライエ
ッチングの分野においても代替ガス、およびその利用技
術を開発することが急務となっている。
ＣＣｌ2 Ｆ2 等のＣＦＣガスは、いわゆるフロン・ガス
と通称されている化合物の一種であり、周知のように地
球のオゾン層破壊の原因とされているため、その製造・
使用の禁止が目前に迫っている。したがって、ドライエ
ッチングの分野においても代替ガス、およびその利用技
術を開発することが急務となっている。
【０００８】また、上述のＣＦＣガスは、エッチング反
応系内に炭素系ポリマーを大量に生成させ易い。この炭
素系ポリマーは、パターン側壁部に堆積して側壁保護効
果を発揮することで異方性加工に寄与しているが、その
反面、エッチング速度の不安定化やパーティクル・レベ
ルの悪化等を招き易い。そこで本発明は、アルミニウム
（Ａｌ）を含有する化合物半導体層（以下、Ａｌ含有化
合物半導体層と称する。）上におけるＡｌを含まない化
合物半導体層（以下、非Ａｌ含有化合物半導体層と称す
る。）の選択エッチングを、ＣＦＣガスを用いず、しか
もクリーンな条件下で行うことを可能とするドライエッ
チング方法を提供することを目的とする。
応系内に炭素系ポリマーを大量に生成させ易い。この炭
素系ポリマーは、パターン側壁部に堆積して側壁保護効
果を発揮することで異方性加工に寄与しているが、その
反面、エッチング速度の不安定化やパーティクル・レベ
ルの悪化等を招き易い。そこで本発明は、アルミニウム
（Ａｌ）を含有する化合物半導体層（以下、Ａｌ含有化
合物半導体層と称する。）上におけるＡｌを含まない化
合物半導体層（以下、非Ａｌ含有化合物半導体層と称す
る。）の選択エッチングを、ＣＦＣガスを用いず、しか
もクリーンな条件下で行うことを可能とするドライエッ
チング方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法は、上述の目的を達成するために提案されるもの
であり、Ａｌ含有化合物半導体層の上に積層された非Ａ
ｌ含有化合物半導体層を、酸化炭素、酸化窒素、酸化イ
オウから選ばれる少なくとも１種類の無機酸化物とフッ
素系化合物とを含むエッチング・ガスを用いてエッチン
グするものである。
グ方法は、上述の目的を達成するために提案されるもの
であり、Ａｌ含有化合物半導体層の上に積層された非Ａ
ｌ含有化合物半導体層を、酸化炭素、酸化窒素、酸化イ
オウから選ばれる少なくとも１種類の無機酸化物とフッ
素系化合物とを含むエッチング・ガスを用いてエッチン
グするものである。
【００１０】ここで上記酸化炭素として実用性の高い化
合物としては、ＣＯ（一酸化炭素）、ＣＯ2 （二酸化炭
素）、Ｃ3 Ｏ2 （二酸化三炭素，沸点７℃）を挙げるこ
とができる。酸化炭素には、この他にも分子内の炭素原
子数が酸素原子数よりも多い、亜酸化炭素と総称される
化合物が知られており、一酸化炭素中で無声放電を行っ
た場合に生成する組成の一定しない物質や、二酸化五炭
素、九酸化十二炭素（無水メリト酸）等がある。
合物としては、ＣＯ（一酸化炭素）、ＣＯ2 （二酸化炭
素）、Ｃ3 Ｏ2 （二酸化三炭素，沸点７℃）を挙げるこ
とができる。酸化炭素には、この他にも分子内の炭素原
子数が酸素原子数よりも多い、亜酸化炭素と総称される
化合物が知られており、一酸化炭素中で無声放電を行っ
た場合に生成する組成の一定しない物質や、二酸化五炭
素、九酸化十二炭素（無水メリト酸）等がある。
【００１１】また、実用性の高い酸化窒素としては、Ｎ
2 Ｏ（酸化二窒素）、ＮＯ（一酸化窒素）、Ｎ2 Ｏ
3 （三酸化二窒素）、ＮＯ2 （二酸化窒素）、ＮＯ
3 （三酸化窒素）を挙げることができる。この他に知ら
れている酸化窒素としては、Ｎ2 Ｏ5（五酸化二窒素）
とＮ2 Ｏ6 （六酸化二窒素）があるが、前者は昇華点３
２．４℃（１気圧）の固体、後者は不安定な固体であ
る。
2 Ｏ（酸化二窒素）、ＮＯ（一酸化窒素）、Ｎ2 Ｏ
3 （三酸化二窒素）、ＮＯ2 （二酸化窒素）、ＮＯ
3 （三酸化窒素）を挙げることができる。この他に知ら
れている酸化窒素としては、Ｎ2 Ｏ5（五酸化二窒素）
とＮ2 Ｏ6 （六酸化二窒素）があるが、前者は昇華点３
２．４℃（１気圧）の固体、後者は不安定な固体であ
る。
【００１２】さらに、実用性の高い酸化イオウとして
は、ＳＯ（一酸化イオウ）、ＳＯ2 （二酸化イオウ）を
挙げることができる。この他にも数種類の酸化イオウが
知られているが、室温近傍では分解等により複雑な相や
組成を有する混合物として存在するものが多い。たとえ
ば、Ｓ2 Ｏ3 （三酸化二イオウ）は加熱によりＳ，Ｓ
Ｏ，ＳＯ2 に分解する固体である。ＳＯ3 （三酸化イオ
ウ）は、室温近傍で液体、あるいは融点の異なるα型，
β型，γ型のいずれかの形をとる固体である。Ｓ2Ｏ7
（七酸化二イオウ）は融点０℃、昇華点１０℃の固体で
ある。さらに、ＳＯ 4 （四酸化イオウ）は融点３℃の固
体であるが、酸素を発生して分解し、七酸化二イオウを
生成する。
は、ＳＯ（一酸化イオウ）、ＳＯ2 （二酸化イオウ）を
挙げることができる。この他にも数種類の酸化イオウが
知られているが、室温近傍では分解等により複雑な相や
組成を有する混合物として存在するものが多い。たとえ
ば、Ｓ2 Ｏ3 （三酸化二イオウ）は加熱によりＳ，Ｓ
Ｏ，ＳＯ2 に分解する固体である。ＳＯ3 （三酸化イオ
ウ）は、室温近傍で液体、あるいは融点の異なるα型，
β型，γ型のいずれかの形をとる固体である。Ｓ2Ｏ7
（七酸化二イオウ）は融点０℃、昇華点１０℃の固体で
ある。さらに、ＳＯ 4 （四酸化イオウ）は融点３℃の固
体であるが、酸素を発生して分解し、七酸化二イオウを
生成する。
【００１３】本発明はまた、前記エッチング・ガスとし
て、塩素系化合物もしくは臭素系化合物の少なくとも一
方を含むガスを用いるものである。
て、塩素系化合物もしくは臭素系化合物の少なくとも一
方を含むガスを用いるものである。
【００１４】本発明はまた、エッチング・プロセスを２
段階化し、上述のエッチング・ガスのいずれかを用いて
前記非Ａｌ含有化合物半導体層を実質的にその層厚分だ
けジャストエッチングした後、プラズマ中におけるフッ
素系化学種の生成比を前記ジャストエッチング時よりも
相対的に高めるごとくエッチング・ガスの成分混合比を
変更し、前記非Ａｌ含有化合物半導体層の残余部をオー
バーエッチングするものである。
段階化し、上述のエッチング・ガスのいずれかを用いて
前記非Ａｌ含有化合物半導体層を実質的にその層厚分だ
けジャストエッチングした後、プラズマ中におけるフッ
素系化学種の生成比を前記ジャストエッチング時よりも
相対的に高めるごとくエッチング・ガスの成分混合比を
変更し、前記非Ａｌ含有化合物半導体層の残余部をオー
バーエッチングするものである。
【００１５】本発明はさらに、前記エッチング・ガスと
して放電解離条件下でプラズマ中に遊離のイオウを生成
するガスを用いるものである。
して放電解離条件下でプラズマ中に遊離のイオウを生成
するガスを用いるものである。
【００１６】
【作用】脱ＣＦＣプロセスを確立しようとする場合、異
方性加工に必要な側壁保護膜を構成する炭素系ポリマー
を気相中から供給しないとすれば、その供給源はレジス
ト・マスクに求めざるを得ない。しかし、レジスト・マ
スクの分解生成物を大量に供給すべく高い入射エネルギ
ー有するイオンでこれをスパッタしたのでは、レジスト
選択性や下地選択性が必然的に低下する上、下地へのダ
メージ発生やパーティクル汚染も防止できない。
方性加工に必要な側壁保護膜を構成する炭素系ポリマー
を気相中から供給しないとすれば、その供給源はレジス
ト・マスクに求めざるを得ない。しかし、レジスト・マ
スクの分解生成物を大量に供給すべく高い入射エネルギ
ー有するイオンでこれをスパッタしたのでは、レジスト
選択性や下地選択性が必然的に低下する上、下地へのダ
メージ発生やパーティクル汚染も防止できない。
【００１７】本発明のポイントは、炭素系ポリマー自身
の膜質を強化することにより、その堆積量を減少させて
も十分に高い側壁保護効果または表面保護効果を発揮さ
せ、結果として高選択性、低ダメージ性、低汚染性を達
成する点にある。
の膜質を強化することにより、その堆積量を減少させて
も十分に高い側壁保護効果または表面保護効果を発揮さ
せ、結果として高選択性、低ダメージ性、低汚染性を達
成する点にある。
【００１８】本発明では、酸化炭素、酸化窒素、酸化イ
オウの少なくともいずれかをエッチング・ガスの構成成
分のひとつとして使用する。これら無機酸化物は、分子
内に異種原子間の多重結合を有しており、幾つかの分極
構造の共鳴混成体として存在するが、これらの分極構造
のある種のものが高い重合促進活性を有する。この結
果、有機材料層の分解生成物に由来する炭素系ポリマー
の重合度が増し、強固な側壁保護膜が形成される。
オウの少なくともいずれかをエッチング・ガスの構成成
分のひとつとして使用する。これら無機酸化物は、分子
内に異種原子間の多重結合を有しており、幾つかの分極
構造の共鳴混成体として存在するが、これらの分極構造
のある種のものが高い重合促進活性を有する。この結
果、有機材料層の分解生成物に由来する炭素系ポリマー
の重合度が増し、強固な側壁保護膜が形成される。
【００１９】また、これらの無機酸化物の分解生成物
は、炭素系ポリマーにカルボニル基（＞Ｃ＝Ｏ），ニト
ロシル基（−Ｎ＝Ｏ），ニトリル基（−ＮＯ2 ），チオ
ニル基＞Ｓ＝Ｏ），スルフリル基（−ＳＯ2 ）等の極性
基を導入することができる。炭素系ポリマーにかかる極
性基が導入されると、単に−ＣＸ2 −（Ｘはハロゲン原
子を表す。）の繰り返し構造からなる従来の炭素系ポリ
マーよりも化学的，物理的安定性が増すことが、近年の
研究により明らかとなっている。
は、炭素系ポリマーにカルボニル基（＞Ｃ＝Ｏ），ニト
ロシル基（−Ｎ＝Ｏ），ニトリル基（−ＮＯ2 ），チオ
ニル基＞Ｓ＝Ｏ），スルフリル基（−ＳＯ2 ）等の極性
基を導入することができる。炭素系ポリマーにかかる極
性基が導入されると、単に−ＣＸ2 −（Ｘはハロゲン原
子を表す。）の繰り返し構造からなる従来の炭素系ポリ
マーよりも化学的，物理的安定性が増すことが、近年の
研究により明らかとなっている。
【００２０】この現象の理由に関する論拠は、おおよそ
次の２点である。そのひとつは、Ｃ−Ｏ結合（１０７７
ｋＪ／ｍｏｌ）、Ｃ−Ｎ結合（７７０ｋＪ／ｍｏｌ）、
Ｎ−Ｏ結合（６３１ｋＪ／ｍｏｌ）、Ｃ−Ｓ結合（７１
３ｋＪ／ｍｏｌ）の原子間結合エネルギーが、いずれも
Ｃ−Ｃ結合（６０７ｋＪ／ｍｏｌ）よりも大きいという
事実である。
次の２点である。そのひとつは、Ｃ−Ｏ結合（１０７７
ｋＪ／ｍｏｌ）、Ｃ−Ｎ結合（７７０ｋＪ／ｍｏｌ）、
Ｎ−Ｏ結合（６３１ｋＪ／ｍｏｌ）、Ｃ−Ｓ結合（７１
３ｋＪ／ｍｏｌ）の原子間結合エネルギーが、いずれも
Ｃ−Ｃ結合（６０７ｋＪ／ｍｏｌ）よりも大きいという
事実である。
【００２１】いまひとつは、上記の官能基の導入により
炭素系ポリマーの極性が増大し、負に帯電しているエッ
チング中のウェハに対してその静電吸着力が高まるとい
うものである。このことによっても、炭素系ポリマーの
表面保護効果は向上する。
炭素系ポリマーの極性が増大し、負に帯電しているエッ
チング中のウェハに対してその静電吸着力が高まるとい
うものである。このことによっても、炭素系ポリマーの
表面保護効果は向上する。
【００２２】このように、炭素系ポリマー自身の膜質が
強化されることにより、異方性加工に必要な入射イオン
・エネルギーを低減させることができ、レジスト選択性
を向上させることができる。このことは、比較的薄いフ
ォトレジスト塗膜からも十分に実用に耐えるエッチング
・マスクが形成できるようになり、加工寸法変換差の発
生を防止できる一方で、フォトリソグラフィにおける高
解像度を達成できるという波及効果も生む。また、入射
イオン・エネルギーの低減は、当然ながら下地選択性の
向上にもつながる。さらに、高異方性、高選択性を達成
するために必要な炭素系ポリマーの堆積量を低減できる
ので、従来技術に比べてパーティクル汚染を減少させる
ことができる。
強化されることにより、異方性加工に必要な入射イオン
・エネルギーを低減させることができ、レジスト選択性
を向上させることができる。このことは、比較的薄いフ
ォトレジスト塗膜からも十分に実用に耐えるエッチング
・マスクが形成できるようになり、加工寸法変換差の発
生を防止できる一方で、フォトリソグラフィにおける高
解像度を達成できるという波及効果も生む。また、入射
イオン・エネルギーの低減は、当然ながら下地選択性の
向上にもつながる。さらに、高異方性、高選択性を達成
するために必要な炭素系ポリマーの堆積量を低減できる
ので、従来技術に比べてパーティクル汚染を減少させる
ことができる。
【００２３】ところで、非Ａｌ含有／Ａｌ含有化合物半
導体層の積層系のエッチングにおける下地選択性の達成
が原理的にＡｌＦx の生成にもとづいている以上、エッ
チング反応系にはＦ* 等のフッ素系化学種が存在するこ
とが必要である。かかる要件を満たすエッチング・ガス
として、本発明では上述の無機酸化物に加え、フッ素系
化合物を他の構成成分として用いる。
導体層の積層系のエッチングにおける下地選択性の達成
が原理的にＡｌＦx の生成にもとづいている以上、エッ
チング反応系にはＦ* 等のフッ素系化学種が存在するこ
とが必要である。かかる要件を満たすエッチング・ガス
として、本発明では上述の無機酸化物に加え、フッ素系
化合物を他の構成成分として用いる。
【００２４】しかし、エッチング反応系に存在するハロ
ゲン系化学種がフッ素系化学種のみであると、化合物半
導体層の構成元素によっては蒸気圧の高い反応生成物が
得られず、エッチング速度が大幅に低下する虞れがあ
る。そこで本発明ではさらに、上記のエッチング・ガス
にＣｌ系化合物もしくはＢｒ系化合物の少なくとも一方
を添加することを提案する。これにより、エッチング反
応系にＣｌ* ，Ｂｒ* 等の化学種が寄与できるようにな
り、エッチングが高速化できる他、炭素系ポリマーとし
てもＣＣｌx ，ＣＢｒx 等のより堆積し易い組成のもの
が期待できるようになる。
ゲン系化学種がフッ素系化学種のみであると、化合物半
導体層の構成元素によっては蒸気圧の高い反応生成物が
得られず、エッチング速度が大幅に低下する虞れがあ
る。そこで本発明ではさらに、上記のエッチング・ガス
にＣｌ系化合物もしくはＢｒ系化合物の少なくとも一方
を添加することを提案する。これにより、エッチング反
応系にＣｌ* ，Ｂｒ* 等の化学種が寄与できるようにな
り、エッチングが高速化できる他、炭素系ポリマーとし
てもＣＣｌx ，ＣＢｒx 等のより堆積し易い組成のもの
が期待できるようになる。
【００２５】本発明は、以上のような考え方を基本とし
ているが、さらに一層の高選択化、低汚染化、低ダメー
ジ化を図る方法も提案する。そのひとつは、エッチング
をジャストエッチング工程とオーバーエッチング工程と
に２段階化し、オーバーエッチング工程においてプラズ
マ中におけるＦ系化学種の生成比を高めることである。
オーバーエッチング工程では非Ａｌ含有化合物半導体層
の大部分は除去され、被エッチング領域の多くの部分に
は下地のＡｌ含有化合物半導体層が露出している。そこ
で、この段階でＦ系化学種の生成量を増やせば、その露
出面上でＡｌＦx の生成が促進され、選択性が向上する
のである。
ているが、さらに一層の高選択化、低汚染化、低ダメー
ジ化を図る方法も提案する。そのひとつは、エッチング
をジャストエッチング工程とオーバーエッチング工程と
に２段階化し、オーバーエッチング工程においてプラズ
マ中におけるＦ系化学種の生成比を高めることである。
オーバーエッチング工程では非Ａｌ含有化合物半導体層
の大部分は除去され、被エッチング領域の多くの部分に
は下地のＡｌ含有化合物半導体層が露出している。そこ
で、この段階でＦ系化学種の生成量を増やせば、その露
出面上でＡｌＦx の生成が促進され、選択性が向上する
のである。
【００２６】Ｆ系化学種の生成比を高める最も現実的で
簡便な方法は、エッチング・ガスの構成成分のうち、Ｆ
系化学種を放出し得る化合物の流量比をジャストエッチ
ング工程に比べて高めることである。
簡便な方法は、エッチング・ガスの構成成分のうち、Ｆ
系化学種を放出し得る化合物の流量比をジャストエッチ
ング工程に比べて高めることである。
【００２７】また、もうひとつの方法としては、炭素系
ポリマーに加えてイオウ（Ｓ）を側壁保護に利用するこ
とを提案する。Ｓの堆積は、放電解離条件下でプラズマ
中に遊離のＳを放出できる組成のエッチング・ガスを用
いることにより可能となる。Ｓは昇華性物質であり、通
常のドライエッチングが行われるような高真空下であれ
ば、条件にもよるがウェハがおおよそ９０℃以下に温度
制御されている場合にその表面へ堆積することができ
る。この場合、Ｓは上述のＦ系化合物，Ｃｌ系化合物，
Ｂｒ系化合物のいずれかからハロゲン系化学種と同時に
供給されても、あるいは別に添加されたイオウ系化合物
から供給されても、どちらでも構わない。
ポリマーに加えてイオウ（Ｓ）を側壁保護に利用するこ
とを提案する。Ｓの堆積は、放電解離条件下でプラズマ
中に遊離のＳを放出できる組成のエッチング・ガスを用
いることにより可能となる。Ｓは昇華性物質であり、通
常のドライエッチングが行われるような高真空下であれ
ば、条件にもよるがウェハがおおよそ９０℃以下に温度
制御されている場合にその表面へ堆積することができ
る。この場合、Ｓは上述のＦ系化合物，Ｃｌ系化合物，
Ｂｒ系化合物のいずれかからハロゲン系化学種と同時に
供給されても、あるいは別に添加されたイオウ系化合物
から供給されても、どちらでも構わない。
【００２８】また、エッチング反応系に窒素系化学種が
存在している場合には、上記Ｓの少なくとも一部がこの
窒素系化学種と反応し、ポリチアジル（ＳＮ）x を始め
とする種々の窒化イオウ系化合物が生成する可能性があ
る。この窒化イオウ系化合物は昇華性もしくは熱分解性
物質であり、ウェハがおおよそ１３０℃以下に温度制御
されている場合に、その表面へ堆積することができる。
存在している場合には、上記Ｓの少なくとも一部がこの
窒素系化学種と反応し、ポリチアジル（ＳＮ）x を始め
とする種々の窒化イオウ系化合物が生成する可能性があ
る。この窒化イオウ系化合物は昇華性もしくは熱分解性
物質であり、ウェハがおおよそ１３０℃以下に温度制御
されている場合に、その表面へ堆積することができる。
【００２９】これらＳや窒化イオウ系化合物の堆積が期
待できる場合には、その分、炭素系ポリマーの堆積量が
少なくて済む。このため、レジスト・マスクをスパッタ
するイオンの入射エネルギーを低減してレジスト選択比
を向上させることができ、またパーティクル汚染を低減
することができる。なお、Ｓや窒化イオウ系化合物は、
エッチング終了後にウェハをそれぞれ上述の温度以上に
加熱するか、酸素系プラズマ処理を行うことにより、容
易に昇華，分解，燃焼等の機構にしたがって除去するこ
とができ、あるいは、レジスト・アッシングが行われる
プロセスであれば、このアッシング時に燃焼除去するよ
うにしても良い。いずれにしても、Ｓや窒化イオウ系化
合物そのものがパーティクル汚染源となる懸念は、一切
ない。
待できる場合には、その分、炭素系ポリマーの堆積量が
少なくて済む。このため、レジスト・マスクをスパッタ
するイオンの入射エネルギーを低減してレジスト選択比
を向上させることができ、またパーティクル汚染を低減
することができる。なお、Ｓや窒化イオウ系化合物は、
エッチング終了後にウェハをそれぞれ上述の温度以上に
加熱するか、酸素系プラズマ処理を行うことにより、容
易に昇華，分解，燃焼等の機構にしたがって除去するこ
とができ、あるいは、レジスト・アッシングが行われる
プロセスであれば、このアッシング時に燃焼除去するよ
うにしても良い。いずれにしても、Ｓや窒化イオウ系化
合物そのものがパーティクル汚染源となる懸念は、一切
ない。
【００３０】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。
する。
【００３１】実施例１ 本実施例は、本発明をＨＥＭＴのゲート・リセス加工に
適用し、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層上のｎ+ −ＧａＡｓ層を
ＣＯ／ＮＦ3 ／Ａｒ混合ガスを用いてエッチングした例
である。このプロセスを、図１（ａ），（ｃ），（ｄ）
を参照しながら説明する。
適用し、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層上のｎ+ −ＧａＡｓ層を
ＣＯ／ＮＦ3 ／Ａｒ混合ガスを用いてエッチングした例
である。このプロセスを、図１（ａ），（ｃ），（ｄ）
を参照しながら説明する。
【００３２】本実施例においてエッチング・サンプルと
して使用したウェハは、図１（ａ）に示されるように、
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にエピタキシャル成長により
形成され、バッファ層として機能する厚さ約５００ｎｍ
のｅｐｉ−ＧａＡｓ層２、厚さ約２ｎｍのＡｌＧａＡｓ
層３、Ｓｉ等のｎ型不純物がドープされた厚さ約３０ｎ
ｍのｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４、同様にｎ型不純物を含む
厚さ約１００ｎｍのｎ + −ＧａＡｓ層５、所定の形状に
パターニングされたレジスト・マスク（ＰＲ）６が順次
積層されてなるものである。上記レジスト・マスク６の
パターニングは、電子ビーム描画法による露光と現像処
理により行われており、開口部６ａの開口径は約３００
ｎｍである。
して使用したウェハは、図１（ａ）に示されるように、
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にエピタキシャル成長により
形成され、バッファ層として機能する厚さ約５００ｎｍ
のｅｐｉ−ＧａＡｓ層２、厚さ約２ｎｍのＡｌＧａＡｓ
層３、Ｓｉ等のｎ型不純物がドープされた厚さ約３０ｎ
ｍのｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４、同様にｎ型不純物を含む
厚さ約１００ｎｍのｎ + −ＧａＡｓ層５、所定の形状に
パターニングされたレジスト・マスク（ＰＲ）６が順次
積層されてなるものである。上記レジスト・マスク６の
パターニングは、電子ビーム描画法による露光と現像処
理により行われており、開口部６ａの開口径は約３００
ｎｍである。
【００３３】このウェハをＲＦバイアス印加型の有磁場
マイクロ波プラズマ・エッチング装置のウェハ載置電極
にセットし、一例として下記の条件で上記ｎ+ −ＧａＡ
ｓ層５をエッチングした。 ＣＯ流量 ４０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ４０ ＳＣＣＭ Ａｒ流量 ９０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ４０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ載置電極温度 ２０ ℃ このエッチング過程では、ＮＦ3 から生成するＦ* がｎ
+ −ＧａＡｓ層５中のＡｓをＡｓＦ3 ，ＡｓＦ5 等の形
で、またＧａをＧａＦ3 等の形で引き抜く。ただし、Ｇ
ａＦ3 は通常のエッチング反応系では蒸気圧が低いた
め、上記の条件はＧａＦ3 の脱離を促進するためにＡｒ
+ のイオン・スパッタ作用を利用することを意図したも
のとなっている。
マイクロ波プラズマ・エッチング装置のウェハ載置電極
にセットし、一例として下記の条件で上記ｎ+ −ＧａＡ
ｓ層５をエッチングした。 ＣＯ流量 ４０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ４０ ＳＣＣＭ Ａｒ流量 ９０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ４０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ載置電極温度 ２０ ℃ このエッチング過程では、ＮＦ3 から生成するＦ* がｎ
+ −ＧａＡｓ層５中のＡｓをＡｓＦ3 ，ＡｓＦ5 等の形
で、またＧａをＧａＦ3 等の形で引き抜く。ただし、Ｇ
ａＦ3 は通常のエッチング反応系では蒸気圧が低いた
め、上記の条件はＧａＦ3 の脱離を促進するためにＡｒ
+ のイオン・スパッタ作用を利用することを意図したも
のとなっている。
【００３４】またこれと同時に、レジスト・マスク６の
分解生成物に由来してＣＦx が生成し、さらにカルボニ
ル基やＣ−Ｏ結合等がその構造中に取り込まれて強固な
炭素系ポリマーが生成した。この炭素系ポリマーは、生
成量こそ従来プロセス程多くはないが、パターン側壁部
に堆積して図１（ｃ）に示されるような側壁保護膜７を
形成し、少量でも高いエッチング耐性を発揮し、異方性
加工に寄与した。ただし、図中の側壁保護膜７は図示の
都合上、実際よりもかなり厚く描かれている。
分解生成物に由来してＣＦx が生成し、さらにカルボニ
ル基やＣ−Ｏ結合等がその構造中に取り込まれて強固な
炭素系ポリマーが生成した。この炭素系ポリマーは、生
成量こそ従来プロセス程多くはないが、パターン側壁部
に堆積して図１（ｃ）に示されるような側壁保護膜７を
形成し、少量でも高いエッチング耐性を発揮し、異方性
加工に寄与した。ただし、図中の側壁保護膜７は図示の
都合上、実際よりもかなり厚く描かれている。
【００３５】この結果、垂直壁を有するリセス５ａが形
成された。このとき、下地のｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４が
露出した部分では、その表面にＡｌＦx が形成され、エ
ッチング速度を大幅に低下させる役割を果たした。
成された。このとき、下地のｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４が
露出した部分では、その表面にＡｌＦx が形成され、エ
ッチング速度を大幅に低下させる役割を果たした。
【００３６】次に、上記のウェハについてＯ2 プラズマ
処理を行ったところ、図１（ｄ）に示されるように、側
壁保護膜７が燃焼除去された。
処理を行ったところ、図１（ｄ）に示されるように、側
壁保護膜７が燃焼除去された。
【００３７】この後のゲート電極の形成は、従来公知の
方法にしたがって行えば良い。このプロセスを、図２を
参照しながら説明する。すなわち、上記ウェハに対して
Ａｌの電子ビーム蒸着を行うことにより、一例として厚
さ約２００ｎｍのＡｌ層を形成した。この蒸着は、微細
な開口径を有するリセス５ａの内部おいてステップ・カ
バレッジ（段差被覆性）が劣化することを利用したもの
であり、図２（ａ）に示されるように、レジスト・マス
ク６の表面には上部Ａｌ層８ａ、リセス５ａ底部には下
部Ａｌ層８ｂがそれぞれ形成された。
方法にしたがって行えば良い。このプロセスを、図２を
参照しながら説明する。すなわち、上記ウェハに対して
Ａｌの電子ビーム蒸着を行うことにより、一例として厚
さ約２００ｎｍのＡｌ層を形成した。この蒸着は、微細
な開口径を有するリセス５ａの内部おいてステップ・カ
バレッジ（段差被覆性）が劣化することを利用したもの
であり、図２（ａ）に示されるように、レジスト・マス
ク６の表面には上部Ａｌ層８ａ、リセス５ａ底部には下
部Ａｌ層８ｂがそれぞれ形成された。
【００３８】次に、レジスト・マスク６をリフト・オフ
すると、図２（ｂ）に示されるように上部Ａｌ層８ａも
同時に除去され、リセス５ａ底部にゲート電極となる下
部Ａｌ層８ｂのみを残すことができた。
すると、図２（ｂ）に示されるように上部Ａｌ層８ａも
同時に除去され、リセス５ａ底部にゲート電極となる下
部Ａｌ層８ｂのみを残すことができた。
【００３９】実施例２ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、ＳＯ／ＮＦ3
／Ａｒ混合ガスを用いてエッチングした。エッチング条
件は、ＣＯをＳＯに替えた他は、実施例１と同じであ
る。本実施例において、Ｆ* を主エッチング種とするｎ
+ −ＧａＡｓ層５のエッチング機構、および側壁保護機
構、下地選択性の達成機構等は、ほぼ実施例１で上述し
たとおりである。ただし本実施例では、チオニル基やＣ
−Ｓ結合等を取り込んだ炭素系ポリマーが側壁保護膜７
の形成に寄与することになる。
／Ａｒ混合ガスを用いてエッチングした。エッチング条
件は、ＣＯをＳＯに替えた他は、実施例１と同じであ
る。本実施例において、Ｆ* を主エッチング種とするｎ
+ −ＧａＡｓ層５のエッチング機構、および側壁保護機
構、下地選択性の達成機構等は、ほぼ実施例１で上述し
たとおりである。ただし本実施例では、チオニル基やＣ
−Ｓ結合等を取り込んだ炭素系ポリマーが側壁保護膜７
の形成に寄与することになる。
【００４０】本実施例によっても、良好な異方性形状を
有するリセス５ａを形成することができた。
有するリセス５ａを形成することができた。
【００４１】実施例３ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、ＮＯ／ＮＦ3
／Ａｒ混合ガスを用いてエッチングした。エッチング条
件は、ＣＯをＮＯに替えた他は、実施例１と同じであ
る。本実施例において、Ｆ* を主エッチング種とするｎ
+ −ＧａＡｓ層５のエッチング機構、および側壁保護機
構、下地選択性の達成機構等は、ほぼ実施例１で上述し
たとおりである。ただし本実施例では、ニトロシル基や
Ｃ−Ｎ結合等を取り込んだ炭素系ポリマーが側壁保護膜
７の形成に寄与することになる。
／Ａｒ混合ガスを用いてエッチングした。エッチング条
件は、ＣＯをＮＯに替えた他は、実施例１と同じであ
る。本実施例において、Ｆ* を主エッチング種とするｎ
+ −ＧａＡｓ層５のエッチング機構、および側壁保護機
構、下地選択性の達成機構等は、ほぼ実施例１で上述し
たとおりである。ただし本実施例では、ニトロシル基や
Ｃ−Ｎ結合等を取り込んだ炭素系ポリマーが側壁保護膜
７の形成に寄与することになる。
【００４２】本実施例によっても、良好な異方性形状を
有するリセス５ａを形成することができた。
有するリセス５ａを形成することができた。
【００４３】実施例４ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、Ｃ3 Ｏ2 ／Ｎ
Ｆ3 ／Ｃｌ2 混合ガスを用いてエッチングした。以下
に、エッチング条件の一例を示す。 Ｃ3 Ｏ2 流量 ４０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ３０ ＳＣＣＭ Ｃｌ2 流量 ５０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ３０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ載置電極温度 ２０ ℃
Ｆ3 ／Ｃｌ2 混合ガスを用いてエッチングした。以下
に、エッチング条件の一例を示す。 Ｃ3 Ｏ2 流量 ４０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ３０ ＳＣＣＭ Ｃｌ2 流量 ５０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ３０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ載置電極温度 ２０ ℃
【００４４】このエッチング過程では、ＮＦ3 から生成
するＦ* とＣｌ2 から生成するＣｌ * が主エッチング種
となり、Ａｓを主としてＡｓＦ3 ，ＡｓＦ5 ，ＡｓＣｌ
3 等の形で、またＧａを主としてＧａＣｌ3 等の形で引
き抜いた。本実施例では、Ｇａを蒸気圧の高い塩化物の
形で除去できるため、実施例１に比べてＲＦバイアス・
パワーが低減されているにもかかわらず、高速エッチン
グが進行した。
するＦ* とＣｌ2 から生成するＣｌ * が主エッチング種
となり、Ａｓを主としてＡｓＦ3 ，ＡｓＦ5 ，ＡｓＣｌ
3 等の形で、またＧａを主としてＧａＣｌ3 等の形で引
き抜いた。本実施例では、Ｇａを蒸気圧の高い塩化物の
形で除去できるため、実施例１に比べてＲＦバイアス・
パワーが低減されているにもかかわらず、高速エッチン
グが進行した。
【００４５】また、レジスト・マスク６の分解生成物に
由来してＣＣｌx が生成し、これにＣ3 Ｏ2 に由来する
カルボニル基やＣ−Ｏ結合が導入され、強固な側壁保護
膜７が形成された。このときの分解生成物の供給量は、
ＲＦバイアス・パワーの低減により実施例１よりも少な
いが、ＣＣｌx の堆積性がＣＦx よりも優れているた
め、側壁保護効果が何ら低下することはなかった。
由来してＣＣｌx が生成し、これにＣ3 Ｏ2 に由来する
カルボニル基やＣ−Ｏ結合が導入され、強固な側壁保護
膜７が形成された。このときの分解生成物の供給量は、
ＲＦバイアス・パワーの低減により実施例１よりも少な
いが、ＣＣｌx の堆積性がＣＦx よりも優れているた
め、側壁保護効果が何ら低下することはなかった。
【００４６】本実施例によっても、良好な異方性形状を
有するリセス５ａを形成することができた。本実施例に
おいて、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４に対する選択比は約５
０であった。
有するリセス５ａを形成することができた。本実施例に
おいて、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４に対する選択比は約５
０であった。
【００４７】なお、上記のＣｌ2 の代わりにＨＢｒを用
いても、同様に良好な異方性加工を行うことができた。
この場合、炭素系ポリマーとしてＣＢｒx が生成するの
で、レジスト・マスク６に対する選択性をさらに向上さ
せることができた。
いても、同様に良好な異方性加工を行うことができた。
この場合、炭素系ポリマーとしてＣＢｒx が生成するの
で、レジスト・マスク６に対する選択性をさらに向上さ
せることができた。
【００４８】実施例５ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、ＳＯ2 ／ＮＦ
3 ／Ｃｌ2 混合ガスを用いてエッチングした。エッチン
グ条件は、Ｃ3 Ｏ2 をＳＯ2 に替えた他は実施例４と同
じである。本実施例において、Ｆ* ，Ｃｌ* を主エッチ
ング種とするｎ+ −ＧａＡｓ層５のエッチング機構、お
よび側壁保護機構、下地選択性の達成機構等は、ほぼ実
施例４で上述したとおりである。ただし本実施例では、
チオニル基やＣ−Ｓ結合等を取り込んだ炭素系ポリマー
が側壁保護膜７の構成成分として含まれることになる。
3 ／Ｃｌ2 混合ガスを用いてエッチングした。エッチン
グ条件は、Ｃ3 Ｏ2 をＳＯ2 に替えた他は実施例４と同
じである。本実施例において、Ｆ* ，Ｃｌ* を主エッチ
ング種とするｎ+ −ＧａＡｓ層５のエッチング機構、お
よび側壁保護機構、下地選択性の達成機構等は、ほぼ実
施例４で上述したとおりである。ただし本実施例では、
チオニル基やＣ−Ｓ結合等を取り込んだ炭素系ポリマー
が側壁保護膜７の構成成分として含まれることになる。
【００４９】本実施例において、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層
４に対する選択比は約５０であった。
４に対する選択比は約５０であった。
【００５０】なお、上記のＣｌ2 の代わりにＨＢｒを用
いても、同様に良好な異方性加工を行うことができた。
この場合、炭素系ポリマーとしてＣＢｒx が生成するの
で、レジスト・マスク６に対する選択性をさらに向上さ
せることができた。
いても、同様に良好な異方性加工を行うことができた。
この場合、炭素系ポリマーとしてＣＢｒx が生成するの
で、レジスト・マスク６に対する選択性をさらに向上さ
せることができた。
【００５１】実施例６ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、Ｎ2 Ｏ／ＮＦ
3 ／Ｃｌ2 混合ガスを用いてエッチングした。エッチン
グ条件は、Ｃ3 Ｏ2 をＮ2 Ｏに替えた他は実施例４と同
じである。本実施例において、Ｆ* ，Ｃｌ* を主エッチ
ング種とするｎ+ −ＧａＡｓ層５のエッチング機構、お
よび側壁保護機構、下地選択性の達成機構等は、ほぼ実
施例４で上述したとおりである。ただし本実施例では、
ニトロシル基やＣ−Ｎ結合等を取り込んだ炭素系ポリマ
ーが側壁保護膜７の構成成分として含まれることにな
る。
3 ／Ｃｌ2 混合ガスを用いてエッチングした。エッチン
グ条件は、Ｃ3 Ｏ2 をＮ2 Ｏに替えた他は実施例４と同
じである。本実施例において、Ｆ* ，Ｃｌ* を主エッチ
ング種とするｎ+ −ＧａＡｓ層５のエッチング機構、お
よび側壁保護機構、下地選択性の達成機構等は、ほぼ実
施例４で上述したとおりである。ただし本実施例では、
ニトロシル基やＣ−Ｎ結合等を取り込んだ炭素系ポリマ
ーが側壁保護膜７の構成成分として含まれることにな
る。
【００５２】実施例７ 本実施例では、エッチング工程を２段階化し、ＣＯ／Ｎ
Ｆ3 ／Ｃｌ2 混合ガスを用いてｎ+ −ＧａＡｓ層をジャ
ストエッチングした後、上記混合ガス中のＮＦ 3 の含量
比を高めてｎ+ −ＧａＡｓ層の残余部を除去するための
オーバーエッチングを行った。このプロセスを、図１
（ａ），（ｂ），（ｃ）を参照しながら説明する。
Ｆ3 ／Ｃｌ2 混合ガスを用いてｎ+ −ＧａＡｓ層をジャ
ストエッチングした後、上記混合ガス中のＮＦ 3 の含量
比を高めてｎ+ −ＧａＡｓ層の残余部を除去するための
オーバーエッチングを行った。このプロセスを、図１
（ａ），（ｂ），（ｃ）を参照しながら説明する。
【００５３】まず、図１（ａ）に示されるウェハについ
て、一例として下記の条件でｎ+ −ＧａＡｓ層５をジャ
ストエッチングした。 ＣＯ流量 ４０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ３０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比２５％） Ｃｌ2 流量 ５０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ３０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ載置電極温度 ２０ ℃ ジャストエッチング終了時のウェハの状態は図１（ｂ）
に示されるとおりであり、リセス５ａの底部に若干のｎ
+ −ＧａＡｓ層５の残余部５ｂが残った状態であった。
て、一例として下記の条件でｎ+ −ＧａＡｓ層５をジャ
ストエッチングした。 ＣＯ流量 ４０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ３０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比２５％） Ｃｌ2 流量 ５０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ３０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ載置電極温度 ２０ ℃ ジャストエッチング終了時のウェハの状態は図１（ｂ）
に示されるとおりであり、リセス５ａの底部に若干のｎ
+ −ＧａＡｓ層５の残余部５ｂが残った状態であった。
【００５４】次に、エッチング条件を一例として下記の
ように切り替え、上記残余部５ｂを除去するためのオー
バーエッチングを行った。 ＣＯ流量 ４０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ６０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比５０％） Ｃｌ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー １５ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ載置電極温度 ２０ ℃ このオーバーエッチング工程では、ＮＦ3 の含量比がジ
ャストエッチング工程に比べて増大されていることによ
り、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４の露出面上においてＡｌＦ
x の生成が促進された。また、ＲＦバイアス・パワーも
ジャストエッチング工程に比べて半減されていた。この
結果、図１（ｃ）に示されるように、残余部５ｂを除去
した後にも下地のｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４には何ら悪影
響が及ぶことはなかった。本実施例において、ｎ+ −Ａ
ｌＧａＡｓ層４に対する選択比は１００以上に向上し
た。
ように切り替え、上記残余部５ｂを除去するためのオー
バーエッチングを行った。 ＣＯ流量 ４０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ６０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比５０％） Ｃｌ2 流量 ２０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー １５ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ載置電極温度 ２０ ℃ このオーバーエッチング工程では、ＮＦ3 の含量比がジ
ャストエッチング工程に比べて増大されていることによ
り、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４の露出面上においてＡｌＦ
x の生成が促進された。また、ＲＦバイアス・パワーも
ジャストエッチング工程に比べて半減されていた。この
結果、図１（ｃ）に示されるように、残余部５ｂを除去
した後にも下地のｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層４には何ら悪影
響が及ぶことはなかった。本実施例において、ｎ+ −Ａ
ｌＧａＡｓ層４に対する選択比は１００以上に向上し
た。
【００５５】実施例８ 本実施例では、同じｎ+ −ＧａＡｓ層を、Ｃ3 Ｏ2 ／Ｎ
Ｆ3 ／Ｓ2 Ｃｌ2 混合ガスを用いて１段階プロセスによ
りエッチングした。エッチング条件の一例は、下記のと
おりである。 Ｃ3 Ｏ2 流量 ４０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ３０ ＳＣＣＭ Ｓ2 Ｃｌ2 流量 ５０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ２０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ載置電極温度 ２０ ℃
Ｆ3 ／Ｓ2 Ｃｌ2 混合ガスを用いて１段階プロセスによ
りエッチングした。エッチング条件の一例は、下記のと
おりである。 Ｃ3 Ｏ2 流量 ４０ ＳＣＣＭ ＮＦ3 流量 ３０ ＳＣＣＭ Ｓ2 Ｃｌ2 流量 ５０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ２０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ載置電極温度 ２０ ℃
【００５６】このエッチング過程では、カルボニル基等
の導入により強化された炭素系ポリマーの他に、Ｓ2 Ｃ
ｌ2 から解離生成するＳも側壁保護膜７の構成成分に加
わった。さらに、Ｓの一部はＮＦ3 由来のＮ系化学種と
反応し、ポリチアジル（ＳＮ）x を主体とする窒化イオ
ウ系化合物を生成した。したがって、ＣＯ／ＮＦ3 ／Ｃ
ｌ2 系を用いた実施例７のジャストエッチング工程に比
べてＲＦバイアス・パワーを若干下げた条件下でも良好
な異方性エッチングが進行し、レジスト・マスク６に対
する選択性が向上した。
の導入により強化された炭素系ポリマーの他に、Ｓ2 Ｃ
ｌ2 から解離生成するＳも側壁保護膜７の構成成分に加
わった。さらに、Ｓの一部はＮＦ3 由来のＮ系化学種と
反応し、ポリチアジル（ＳＮ）x を主体とする窒化イオ
ウ系化合物を生成した。したがって、ＣＯ／ＮＦ3 ／Ｃ
ｌ2 系を用いた実施例７のジャストエッチング工程に比
べてＲＦバイアス・パワーを若干下げた条件下でも良好
な異方性エッチングが進行し、レジスト・マスク６に対
する選択性が向上した。
【００５７】また、炭素系ポリマーの生成量を相対的に
減少させることができたので、パーティクル汚染が効果
的に抑制された。Ｓおよび窒化イオウ系化合物は、側壁
保護膜７の除去を行うためのＯ2 プラズマ処理を行うと
容易に昇華除去もしくは燃焼除去され、何らウェハ上に
残存することはなかった。
減少させることができたので、パーティクル汚染が効果
的に抑制された。Ｓおよび窒化イオウ系化合物は、側壁
保護膜７の除去を行うためのＯ2 プラズマ処理を行うと
容易に昇華除去もしくは燃焼除去され、何らウェハ上に
残存することはなかった。
【００５８】実施例９ 本実施例は、ＮＯ／Ｓ2 Ｆ2 ／Ｃｌ2 混合ガスを用いた
２段階エッチングの例であり、オーバーエッチング工程
ではジャストエッチング工程に比べて上記混合ガス中の
Ｓ2 Ｆ2 の流量比を高めた。ジャストエッチング工程の
条件は、一例として下記のとおりである。
２段階エッチングの例であり、オーバーエッチング工程
ではジャストエッチング工程に比べて上記混合ガス中の
Ｓ2 Ｆ2 の流量比を高めた。ジャストエッチング工程の
条件は、一例として下記のとおりである。
【００５９】 ＮＯ流量 ４０ ＳＣＣＭ Ｓ2 Ｆ2 流量 ３０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比２５％） Ｃｌ2 流量 ５０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ２０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ載置電極温度 ２０ ℃ このジャストエッチング工程では、強化された炭素系ポ
リマー、Ｓ2 Ｆ2 から生成するＳ、さらにこのＳがＮＯ
由来のＮ系化学種と反応することにより生成する窒化イ
オウ系化合物等により側壁保護膜７が形成された。した
がって、実施例６に比べて低バイアス化された条件下で
も、良好な異方性エッチングが進行した。
・ガス中の含量比２５％） Ｃｌ2 流量 ５０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー ２０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ載置電極温度 ２０ ℃ このジャストエッチング工程では、強化された炭素系ポ
リマー、Ｓ2 Ｆ2 から生成するＳ、さらにこのＳがＮＯ
由来のＮ系化学種と反応することにより生成する窒化イ
オウ系化合物等により側壁保護膜７が形成された。した
がって、実施例６に比べて低バイアス化された条件下で
も、良好な異方性エッチングが進行した。
【００６０】次に、エッチング条件を一例として下記の
ように切り替え、残余部５ｂを除去するためのオーバー
エッチングを行った。 ＮＯ流量 ４０ ＳＣＣＭ Ｓ2 Ｆ2 流量 ５０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比４２％） Ｃｌ2 流量 ３０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー １０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ載置電極温度 ２０ ℃ このオーバーエッチング工程では、Ｓ2 Ｆ2 の含量比が
ジャストエッチング工程に比べて増大されることによ
り、Ｆ* とＳの生成量がジャストエッチング工程に比べ
て増大し、高選択エッチングを行うことができた。
ように切り替え、残余部５ｂを除去するためのオーバー
エッチングを行った。 ＮＯ流量 ４０ ＳＣＣＭ Ｓ2 Ｆ2 流量 ５０ ＳＣＣＭ（エッチング
・ガス中の含量比４２％） Ｃｌ2 流量 ３０ ＳＣＣＭ ガス圧 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ８５０ Ｗ（２．４５ ＧＨ
ｚ） ＲＦバイアス・パワー １０ Ｗ（２ ＭＨｚ） ウェハ載置電極温度 ２０ ℃ このオーバーエッチング工程では、Ｓ2 Ｆ2 の含量比が
ジャストエッチング工程に比べて増大されることによ
り、Ｆ* とＳの生成量がジャストエッチング工程に比べ
て増大し、高選択エッチングを行うことができた。
【００６１】以上、本発明を９例の実施例にもとづいて
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではない。まず、上述の各実施例では化合物半導体
層の積層系としてＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ積層系を例示
したが、本発明は下層側にＡｌが含まれていれば従来公
知の他の化合物半導体の積層系にも適用可能である。た
とえば、ＧａＰ／ＡｌＧａＰ，ＩｎＰ／ＡｌＩｎＰ，Ｇ
ａＮ／ＡｌＧａＮ，ＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ等の２元素
系／３元素系の積層系、さらにあるいは３元素系／４元
素系の積層系等のエッチングにも適用できる。
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではない。まず、上述の各実施例では化合物半導体
層の積層系としてＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ積層系を例示
したが、本発明は下層側にＡｌが含まれていれば従来公
知の他の化合物半導体の積層系にも適用可能である。た
とえば、ＧａＰ／ＡｌＧａＰ，ＩｎＰ／ＡｌＩｎＰ，Ｇ
ａＮ／ＡｌＧａＮ，ＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ等の２元素
系／３元素系の積層系、さらにあるいは３元素系／４元
素系の積層系等のエッチングにも適用できる。
【００６２】さらに本発明は、非Ａｌ含有／Ａｌ含有化
合物半導体の積層系のエッチングが必要とされるプロセ
スであれば、上述のようなＨＥＭＴのゲート・リセス加
工に限られず、たとえば量子ホール素子や半導体レーザ
素子の加工等にも適用可能である。
合物半導体の積層系のエッチングが必要とされるプロセ
スであれば、上述のようなＨＥＭＴのゲート・リセス加
工に限られず、たとえば量子ホール素子や半導体レーザ
素子の加工等にも適用可能である。
【００６３】フッ素系化合物としては、上述のＮＦ3 ，
Ｓ2 Ｆ2 の他、ＳＦ6 ，ＣｌＦ3 ，ＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ
2 Ｆ10等を使用することができる。このうち後三者は、
Ｓの供給源を兼ねる。塩素系化合物としては、上述のＣ
ｌ2 ，Ｓ2 Ｃｌ2 の他、ＨＣｌ，ＢＣｌ3 、およびＳ3
Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 等の他の塩化イオウを使用することが
できる。このうち塩化イオウは、Ｓの供給源を兼ねる。
Ｓ2 Ｆ2 の他、ＳＦ6 ，ＣｌＦ3 ，ＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ
2 Ｆ10等を使用することができる。このうち後三者は、
Ｓの供給源を兼ねる。塩素系化合物としては、上述のＣ
ｌ2 ，Ｓ2 Ｃｌ2 の他、ＨＣｌ，ＢＣｌ3 、およびＳ3
Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 等の他の塩化イオウを使用することが
できる。このうち塩化イオウは、Ｓの供給源を兼ねる。
【００６４】臭素系化合物としては、上述のＨＢｒの
他、Ｂｒ2 ，ＢＢｒ3 、およびＳ3 ＢＢｒ2 ，Ｓ2 Ｂｒ
2 ，ＳＢｒ2 等の臭化イオウ等を使用することができ
る。このうち臭化イオウは、Ｓの供給源を兼ねる。Ｓ供
給源としては、上述のフッ化イオウ，塩化イオウ，臭化
イオウのようにハロゲン系化学種も同時に供給し得る化
合物の他、Ｈ2 Ｓも使用できる。
他、Ｂｒ2 ，ＢＢｒ3 、およびＳ3 ＢＢｒ2 ，Ｓ2 Ｂｒ
2 ，ＳＢｒ2 等の臭化イオウ等を使用することができ
る。このうち臭化イオウは、Ｓの供給源を兼ねる。Ｓ供
給源としては、上述のフッ化イオウ，塩化イオウ，臭化
イオウのようにハロゲン系化学種も同時に供給し得る化
合物の他、Ｈ2 Ｓも使用できる。
【００６５】その他、サンプル・ウェハの構成、エッチ
ング条件、使用するエッチング装置、無機酸化物と各種
ハロゲン系化合物の組み合わせ等が適宜変更可能である
ことは、言うまでもない。
ング条件、使用するエッチング装置、無機酸化物と各種
ハロゲン系化合物の組み合わせ等が適宜変更可能である
ことは、言うまでもない。
【００６６】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明ではＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ積層系に代表される非Ａ
ｌ含有／Ａｌ含有化合物半導体の積層系の選択異方性エ
ッチングにおいて、酸化炭素、酸化窒素、酸化イオウの
いずれかを含むエッチング・ガスを使用することによ
り、炭素系ポリマーの膜質を強化し、その堆積量を減少
させても高異方性、高選択性を達成することが可能とな
る。これら無機酸化物を放電解離条件下でＳを放出し得
るイオウ系化合物と併用すれば、更なる高選択化、低汚
染化、低ダメージ化等を図ることができる。
明ではＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ積層系に代表される非Ａ
ｌ含有／Ａｌ含有化合物半導体の積層系の選択異方性エ
ッチングにおいて、酸化炭素、酸化窒素、酸化イオウの
いずれかを含むエッチング・ガスを使用することによ
り、炭素系ポリマーの膜質を強化し、その堆積量を減少
させても高異方性、高選択性を達成することが可能とな
る。これら無機酸化物を放電解離条件下でＳを放出し得
るイオウ系化合物と併用すれば、更なる高選択化、低汚
染化、低ダメージ化等を図ることができる。
【００６７】したがって本発明は、たとえば化合物半導
体を利用した半導体装置を微細なデザイン・ルールにも
とづいて製造する上で極めて有効であり、さらにこれを
高集積化してＭＭＩＣ等を構成することにも多大な貢献
をなすものである。もちろん、本発明が優れた脱ＣＦＣ
対策を提供するものであることは、言うまでもない。
体を利用した半導体装置を微細なデザイン・ルールにも
とづいて製造する上で極めて有効であり、さらにこれを
高集積化してＭＭＩＣ等を構成することにも多大な貢献
をなすものである。もちろん、本発明が優れた脱ＣＦＣ
対策を提供するものであることは、言うまでもない。
【図１】本発明をＨＥＭＴのゲート・リセス加工に適用
したプロセス例をその工程順にしたがって説明する概略
断面図であり、（ａ）はｎ+ −ＧａＡｓ層の上にレジス
ト・マスクが形成された状態、（ｂ）はｎ+ −ＧａＡｓ
層が側壁保護膜の形成を伴いながらジャストエッチング
された状態、（ｃ）はｎ+ −ＧａＡｓ層のオーバーエッ
チングが終了し、リセスが完成された状態、（ｄ）は側
壁保護膜が除去された状態をそれぞれ表す。
したプロセス例をその工程順にしたがって説明する概略
断面図であり、（ａ）はｎ+ −ＧａＡｓ層の上にレジス
ト・マスクが形成された状態、（ｂ）はｎ+ −ＧａＡｓ
層が側壁保護膜の形成を伴いながらジャストエッチング
された状態、（ｃ）はｎ+ −ＧａＡｓ層のオーバーエッ
チングが終了し、リセスが完成された状態、（ｄ）は側
壁保護膜が除去された状態をそれぞれ表す。
【図２】リセス内部へのゲート電極の形成工程をその工
程順にしたがって説明する概略断面図であり、（ａ）は
レジスト・マスクの表面とリセスの底面に、上部Ａｌ層
と下部Ａｌ層がそれぞれ被着された状態、（ｂ）はレジ
スト・マスクとその表面の上部Ａｌ層が除去され、リセ
スの底面にのみ下部Ａｌ層（ゲート電極）が残された状
態を示す概略断面図である。
程順にしたがって説明する概略断面図であり、（ａ）は
レジスト・マスクの表面とリセスの底面に、上部Ａｌ層
と下部Ａｌ層がそれぞれ被着された状態、（ｂ）はレジ
スト・マスクとその表面の上部Ａｌ層が除去され、リセ
スの底面にのみ下部Ａｌ層（ゲート電極）が残された状
態を示す概略断面図である。
１ ・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２ ・・・ｅｐｉ−ＧａＡｓ層 ３ ・・・ＡｌＧａＡｓ層 ４ ・・・ｎ+ −ＡｌＧａＡｓ層 ５ ・・・ｎ+ −ＧａＡｓ層 ５ａ・・・リセス ５ｂ・・・（ｎ+ −ＧａＡｓ層の）残余部 ６ ・・・レジスト・マスク ６ａ・・・開口部 ７ ・・・側壁保護膜 ８ａ・・・上部Ａｌ層 ８ｂ・・・下部Ａｌ層（ゲート電極）
Claims (4)
- 【請求項１】 アルミニウムを含む化合物半導体層の上
に積層されたアルミニウムを含まない化合物半導体層
を、酸化炭素、酸化窒素、酸化イオウから選ばれる少な
くとも１種類の無機酸化物とフッ素系化合物とを含むエ
ッチング・ガスを用いてエッチングすることを特徴とす
るドライエッチング方法。 - 【請求項２】 前記エッチング・ガスが塩素系化合物も
しくは臭素系化合物の少なくとも一方を含むことを特徴
とする請求項１記載のドライエッチング方法。 - 【請求項３】 請求項１もしくは請求項２に記載のエッ
チング・ガスを用いて前記アルミニウムを含まない化合
物半導体層を実質的にその層厚分だけエッチングするジ
ャストエッチング工程と、 プラズマ中におけるフッ素系化学種の生成比を前記ジャ
ストエッチング工程におけるよりも相対的に高めるごと
く前記エッチング・ガスの成分混合比を変更し、前記ア
ルミニウムを含まない化合物半導体層の残余部をエッチ
ングするオーバーエッチング工程とを有することを特徴
とするドライエッチング方法。 - 【請求項４】 前記エッチング・ガスが、放電解離条件
下でプラズマ中に遊離のイオウを生成することを特徴と
する請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のド
ライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09587093A JP3298226B2 (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09587093A JP3298226B2 (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310467A true JPH06310467A (ja) | 1994-11-04 |
| JP3298226B2 JP3298226B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=14149395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09587093A Expired - Fee Related JP3298226B2 (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3298226B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086545A (ja) * | 2005-11-28 | 2006-03-30 | Sony Corp | 半導体装置 |
| CN114242583A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-03-25 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | AlGaN材料的刻蚀方法及其应用 |
-
1993
- 1993-04-22 JP JP09587093A patent/JP3298226B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086545A (ja) * | 2005-11-28 | 2006-03-30 | Sony Corp | 半導体装置 |
| CN114242583A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-03-25 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | AlGaN材料的刻蚀方法及其应用 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3298226B2 (ja) | 2002-07-02 |
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