JPH06310472A - 透明基板上の薄膜段差の平坦化法 - Google Patents
透明基板上の薄膜段差の平坦化法Info
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- JPH06310472A JPH06310472A JP9457393A JP9457393A JPH06310472A JP H06310472 A JPH06310472 A JP H06310472A JP 9457393 A JP9457393 A JP 9457393A JP 9457393 A JP9457393 A JP 9457393A JP H06310472 A JPH06310472 A JP H06310472A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶表示装置など、透明基板が用いられてい
るばあいに、フォトリソグラフィ工程において使用する
マスク枚数を増やさないで簡易に薄膜段差を平坦化する
方法を提供する。 【構成】 絶縁膜３の段差部分を覆うようにネガ型のフ
ォトレジストを塗布したのち、透明基板１の裏面側から
配線パターン２をマスクとして露光することにより、レ
ジスト膜５に開口部７を設ける。つぎに該レジスト膜５
をマスクとして絶縁膜３の凸部に等方性エッチングを施
す。
るばあいに、フォトリソグラフィ工程において使用する
マスク枚数を増やさないで簡易に薄膜段差を平坦化する
方法を提供する。 【構成】 絶縁膜３の段差部分を覆うようにネガ型のフ
ォトレジストを塗布したのち、透明基板１の裏面側から
配線パターン２をマスクとして露光することにより、レ
ジスト膜５に開口部７を設ける。つぎに該レジスト膜５
をマスクとして絶縁膜３の凸部に等方性エッチングを施
す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明基板上に薄膜パタ
ーンが形成されることにより、段差を有する基板の平坦
化法に関する。さらに詳しくは、アクティブマトリック
ス形液晶表示装置などに用いられる透明基板上の多層配
線構造を有する層間絶縁膜などの段差の平坦化法に関す
る。
ーンが形成されることにより、段差を有する基板の平坦
化法に関する。さらに詳しくは、アクティブマトリック
ス形液晶表示装置などに用いられる透明基板上の多層配
線構造を有する層間絶縁膜などの段差の平坦化法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩなどの超小型で微細構造の
素子においては、配線パターンなどにより生じた段差の
平坦化という工程は配線の断線や短絡などを防止するた
め、不可欠の工程である。一方、液晶表示装置などの透
明基板上に形成される電極などの積層膜は、それ程微細
構造ではなく、また基板自体も大型であり、製造コスト
の低減のために工程の簡略化が重視され、段差の平坦化
法は積極的には用いられていない。
素子においては、配線パターンなどにより生じた段差の
平坦化という工程は配線の断線や短絡などを防止するた
め、不可欠の工程である。一方、液晶表示装置などの透
明基板上に形成される電極などの積層膜は、それ程微細
構造ではなく、また基板自体も大型であり、製造コスト
の低減のために工程の簡略化が重視され、段差の平坦化
法は積極的には用いられていない。
【０００３】しかし液晶表示装置においても、高画質化
の要請より、各画素が小さくなり、配線も細くする必要
があるため、配線膜を厚くして電気抵抗を小さくする傾
向にあり、段差による配線切れなどの問題が生じてきて
いる。たとえば、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴとい
う）が設けられている透明基板上に、アルミニウム膜な
どからなる下層配線を形成したのち、酸化ケイ素などか
らなる薄い絶縁膜をたとえばプラズマＣＶＤ法などによ
り設けるばあい、下層の配線と重なる部分で、絶縁膜に
は段差が生じる。したがって絶縁膜上にさらにアルミニ
ウムなどからなる上層の配線を下層の配線と交差させる
ように形成するばあいには、絶縁膜の段差のところで上
層の配線に断線などの不良が発生し易い。
の要請より、各画素が小さくなり、配線も細くする必要
があるため、配線膜を厚くして電気抵抗を小さくする傾
向にあり、段差による配線切れなどの問題が生じてきて
いる。たとえば、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴとい
う）が設けられている透明基板上に、アルミニウム膜な
どからなる下層配線を形成したのち、酸化ケイ素などか
らなる薄い絶縁膜をたとえばプラズマＣＶＤ法などによ
り設けるばあい、下層の配線と重なる部分で、絶縁膜に
は段差が生じる。したがって絶縁膜上にさらにアルミニ
ウムなどからなる上層の配線を下層の配線と交差させる
ように形成するばあいには、絶縁膜の段差のところで上
層の配線に断線などの不良が発生し易い。
【０００４】また液晶表示装置のばあいは、電極膜や絶
縁膜上に液晶層の液晶分子を配列させるための配向膜が
設けられるが、段差部分ではラビング処理ができず、液
晶分子の配向性が不充分で、光の漏れなどが生じる。
縁膜上に液晶層の液晶分子を配列させるための配向膜が
設けられるが、段差部分ではラビング処理ができず、液
晶分子の配向性が不充分で、光の漏れなどが生じる。
【０００５】このため電気抵抗を小さくすることを目的
として配線導電膜の膜厚を大きくするばあいでも、膜厚
をある程度以上大きくすることはできない。
として配線導電膜の膜厚を大きくするばあいでも、膜厚
をある程度以上大きくすることはできない。
【０００６】一方液晶表示装置のような大型の基板でフ
ォトリソグラフィ工程で用いられるマスクの枚数を増や
すことなく簡単に配線の断線などを防止するために、た
とえば上層の配線が設けられる絶縁膜の段差部に半導
体膜や絶縁膜からなるパッドを設ける、下層の配線に
テーパ状のエッチングを施すことにより絶縁膜の段差を
なだらかにする、一層が断線しても他の層で補償でき
るように上層配線を多層構造にするなどの対策が実用化
されている。
ォトリソグラフィ工程で用いられるマスクの枚数を増や
すことなく簡単に配線の断線などを防止するために、た
とえば上層の配線が設けられる絶縁膜の段差部に半導
体膜や絶縁膜からなるパッドを設ける、下層の配線に
テーパ状のエッチングを施すことにより絶縁膜の段差を
なだらかにする、一層が断線しても他の層で補償でき
るように上層配線を多層構造にするなどの対策が実用化
されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし前述のたとえば
の方法では、金属膜としてタンタルやチタンやモリブ
デンなどを用いればテーパ状にエッチングを施すことが
できるが、アルミニウムではテーパ状にエッチングをす
ることが難しい。また、段差部でのステップカバレッジ
の不良による断線の発生を防止するためには、段差部の
平坦化が最も有効であるが、前述の対策では、絶縁膜を
完全には平坦化するものではないため、製造段階での条
件の変動によっては上層の配線に断線が発生し易いとい
う問題がある。
の方法では、金属膜としてタンタルやチタンやモリブ
デンなどを用いればテーパ状にエッチングを施すことが
できるが、アルミニウムではテーパ状にエッチングをす
ることが難しい。また、段差部でのステップカバレッジ
の不良による断線の発生を防止するためには、段差部の
平坦化が最も有効であるが、前述の対策では、絶縁膜を
完全には平坦化するものではないため、製造段階での条
件の変動によっては上層の配線に断線が発生し易いとい
う問題がある。
【０００８】また、半導体装置などの製造プロセスで用
いられるエッチバック法による平坦化を適用しようとし
ても、下層配線の間隔がたとえば約10μｍ以上と広い領
域では、凹部に充填するエッチバック材料層に凹みがで
きて平坦にならず、この部分にダミーパターンを用いて
さらにエッチバック材料層を充填しなければならない。
したがってフォトリソグラフィのマスク枚数が増加した
り、エッチバック材料層の凹みとダミーパターンのマス
クとのあいだでアライメントずれが発生し易いという問
題がある。
いられるエッチバック法による平坦化を適用しようとし
ても、下層配線の間隔がたとえば約10μｍ以上と広い領
域では、凹部に充填するエッチバック材料層に凹みがで
きて平坦にならず、この部分にダミーパターンを用いて
さらにエッチバック材料層を充填しなければならない。
したがってフォトリソグラフィのマスク枚数が増加した
り、エッチバック材料層の凹みとダミーパターンのマス
クとのあいだでアライメントずれが発生し易いという問
題がある。
【０００９】その結果、液晶表示装置など大型の基板を
有する装置においては、前述のエッチバック法は実用性
に乏しいという問題がある。
有する装置においては、前述のエッチバック法は実用性
に乏しいという問題がある。
【００１０】本発明はこのような問題を解決して、液晶
表示装置など、基板として透明基板が用いられ、とくに
段差の原因となるパターンにアルミニウムやクロムなど
の金属が用いられているばあいに、フォトリソグラフィ
工程において使用するマスク枚数を増やす必要がない、
簡易な薄膜段差の平坦化法を提供することを目的とす
る。
表示装置など、基板として透明基板が用いられ、とくに
段差の原因となるパターンにアルミニウムやクロムなど
の金属が用いられているばあいに、フォトリソグラフィ
工程において使用するマスク枚数を増やす必要がない、
簡易な薄膜段差の平坦化法を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜の段差の平
坦化法は、透明基板の表面上に不透明薄膜パターンが設
けられることにより段差部が形成される透明基板上の薄
膜段差の平坦化法であって、（ａ）前記不透明薄膜パタ
ーンにより形成された段差上に絶縁膜を設け、ついでネ
ガ型のフォトレジストからなるレジスト膜を設け（ｂ）
前記透明基板の裏面側から露光し、ついで前記フォトレ
ジストを現像することにより、前記レジスト膜の前記不
透明薄膜のパターンにより感光されない部分を除去して
開口部を設け、（ｃ）該開口部を有するレジスト膜をマ
スクとして前記絶縁膜に等方性エッチングを施すことに
より平坦化し、（ｄ）前記レジスト膜を剥離するもので
ある。
坦化法は、透明基板の表面上に不透明薄膜パターンが設
けられることにより段差部が形成される透明基板上の薄
膜段差の平坦化法であって、（ａ）前記不透明薄膜パタ
ーンにより形成された段差上に絶縁膜を設け、ついでネ
ガ型のフォトレジストからなるレジスト膜を設け（ｂ）
前記透明基板の裏面側から露光し、ついで前記フォトレ
ジストを現像することにより、前記レジスト膜の前記不
透明薄膜のパターンにより感光されない部分を除去して
開口部を設け、（ｃ）該開口部を有するレジスト膜をマ
スクとして前記絶縁膜に等方性エッチングを施すことに
より平坦化し、（ｄ）前記レジスト膜を剥離するもので
ある。
【００１２】なお、前述の基板の透明や配線パターンの
不透明とは、ネガ型のフォトレジストを感光させるよう
な光（たとえば、紫外線）の波長の領域でそれぞれ透
明、不透明となるものである。
不透明とは、ネガ型のフォトレジストを感光させるよう
な光（たとえば、紫外線）の波長の領域でそれぞれ透
明、不透明となるものである。
【００１３】
【作用】本発明の薄膜段差の平坦化法によれば、透明基
板の裏面側から配線パターンをマスクとしてフォトレジ
ストに光を照射するため、フォトレジストのパターニン
グが自己整合となり、新たにマスクを形成する必要がな
いと共に、アライメントずれが生じない。
板の裏面側から配線パターンをマスクとしてフォトレジ
ストに光を照射するため、フォトレジストのパターニン
グが自己整合となり、新たにマスクを形成する必要がな
いと共に、アライメントずれが生じない。
【００１４】
【実施例】つぎに図面を参照しながら本発明の薄膜積層
基板の段差の平坦化法について説明する。
基板の段差の平坦化法について説明する。
【００１５】図１は本発明の薄膜段差の平坦化法の一実
施例の工程を示す断面説明図である。本実施例では液晶
表示装置などに用いられる透明基板上に、たとえばゲー
ト線やソース線などの信号配線のパターンが形成された
ばあいに、その表面を平坦化する方法について説明す
る。
施例の工程を示す断面説明図である。本実施例では液晶
表示装置などに用いられる透明基板上に、たとえばゲー
ト線やソース線などの信号配線のパターンが形成された
ばあいに、その表面を平坦化する方法について説明す
る。
【００１６】まず、図１（ａ）に示すように、ガラス、
プラスチックス、石英、サファイアなどからなる透明基
板１上に設けられたアルミニウム、タンタルなどからな
る不透明な配線パターン２の段差部４を被覆するよう
に、酸化ケイ素、チッ化ケイ素、金属酸化物などからな
る絶縁膜３を設け、その上の全面にネガ型のフォトレジ
ストを塗布してレジスト膜５を形成する。
プラスチックス、石英、サファイアなどからなる透明基
板１上に設けられたアルミニウム、タンタルなどからな
る不透明な配線パターン２の段差部４を被覆するよう
に、酸化ケイ素、チッ化ケイ素、金属酸化物などからな
る絶縁膜３を設け、その上の全面にネガ型のフォトレジ
ストを塗布してレジスト膜５を形成する。
【００１７】配線パターン２は従来と同様にスパッタ
法、真空蒸着法などで成膜したのち、レジスト膜（図示
されていない）などでマスクをしてエッチングすること
により形成する。この配線パターンの厚さは通常0.1 〜
0.5 μｍ程度に設けられる。また絶縁膜３はＣＶＤ法、
スパッタ法などで成膜し、その厚さは配線パターン２と
同程度またはそれ以上の厚さにする。さらにその上に設
けられるレジスト膜５はたとえば紫外線などを照射した
部分は変質し、照射されない部分は薬品で簡単に溶解さ
れるネガ型のフォトレジストが使用される。ネガ型フォ
トレジストとしては、たとえばＯＭＲ−８３（商品名、
東京応化工業（株））などを使用できる。感光する光は
紫外線には限定されず、その光に対して基板１は透明
で、配線パターン２は不透明であればよい。
法、真空蒸着法などで成膜したのち、レジスト膜（図示
されていない）などでマスクをしてエッチングすること
により形成する。この配線パターンの厚さは通常0.1 〜
0.5 μｍ程度に設けられる。また絶縁膜３はＣＶＤ法、
スパッタ法などで成膜し、その厚さは配線パターン２と
同程度またはそれ以上の厚さにする。さらにその上に設
けられるレジスト膜５はたとえば紫外線などを照射した
部分は変質し、照射されない部分は薬品で簡単に溶解さ
れるネガ型のフォトレジストが使用される。ネガ型フォ
トレジストとしては、たとえばＯＭＲ−８３（商品名、
東京応化工業（株））などを使用できる。感光する光は
紫外線には限定されず、その光に対して基板１は透明
で、配線パターン２は不透明であればよい。
【００１８】つぎに、図１（ｂ）に示すように、透明基
板１の裏面側から配線パターン２をマスクとして露光
し、ついで現像することにより開口部７を設ける。
板１の裏面側から配線パターン２をマスクとして露光
し、ついで現像することにより開口部７を設ける。
【００１９】前述のように、透明基板１は露光する光に
対して透明であるため、露光用の光は透明基板１を透過
し、また酸化ケイ素などの薄い絶縁膜３も光を透過させ
るため、レジスト膜５は感光して変質する。一方配線パ
ターン２はアルミニウムやチタンなどの金属で形成され
ているため遮光し、配線パターン２上のレジスト膜５部
分のみ露光されない。この状態で現像することにより、
レジスト膜５はネガ型であるため、露光されない部分の
み腐蝕されて開口部７が形成される。現像液としてはレ
ジスト膜の種類にもよるが、前述の例のフォトレジスト
を使用すれば、通常、ＯＭＲ現像液（商品名、東京応化
工業（株））などが用いられる。
対して透明であるため、露光用の光は透明基板１を透過
し、また酸化ケイ素などの薄い絶縁膜３も光を透過させ
るため、レジスト膜５は感光して変質する。一方配線パ
ターン２はアルミニウムやチタンなどの金属で形成され
ているため遮光し、配線パターン２上のレジスト膜５部
分のみ露光されない。この状態で現像することにより、
レジスト膜５はネガ型であるため、露光されない部分の
み腐蝕されて開口部７が形成される。現像液としてはレ
ジスト膜の種類にもよるが、前述の例のフォトレジスト
を使用すれば、通常、ＯＭＲ現像液（商品名、東京応化
工業（株））などが用いられる。
【００２０】つぎに図１（ｃ）に示すように、開口部７
が形成されたレジスト膜５をマスクとして絶縁膜３の凸
部を等方性エッチングをすることにより、配線パターン
２上の部分が絶縁膜３の面と平坦になるようにする。こ
のばあい配線パターン２を露出させる必要はなく、図２
に示すように、絶縁膜３が残った状態で平坦化されても
よい。このエッチング液は絶縁膜である酸化ケイ素やチ
ッ化ケイ素などを等方的にエッチングできるものであれ
ばよく、通常はフッ酸溶液、リン酸溶液などが使用され
５〜15分間程度の処理で平坦化できる。また、ＣＨＦ3
とＣＦ4 ガスやＳＦ6 やＣｌ2 などのガスを用いたドラ
イエッチングでも、縦と横のエッチングレートが１：１
程度の等方性エッチングであれば使用できる。また等方
性エッチング以外でも、Ｏ2 ガスを多く含むプラズマに
よって、レジストを後退させながらエッチングすること
により平坦化できる。
が形成されたレジスト膜５をマスクとして絶縁膜３の凸
部を等方性エッチングをすることにより、配線パターン
２上の部分が絶縁膜３の面と平坦になるようにする。こ
のばあい配線パターン２を露出させる必要はなく、図２
に示すように、絶縁膜３が残った状態で平坦化されても
よい。このエッチング液は絶縁膜である酸化ケイ素やチ
ッ化ケイ素などを等方的にエッチングできるものであれ
ばよく、通常はフッ酸溶液、リン酸溶液などが使用され
５〜15分間程度の処理で平坦化できる。また、ＣＨＦ3
とＣＦ4 ガスやＳＦ6 やＣｌ2 などのガスを用いたドラ
イエッチングでも、縦と横のエッチングレートが１：１
程度の等方性エッチングであれば使用できる。また等方
性エッチング以外でも、Ｏ2 ガスを多く含むプラズマに
よって、レジストを後退させながらエッチングすること
により平坦化できる。
【００２１】そののち、図１（ｄ）に示すように、レジ
スト膜５を剥離することにより、表面が平坦化され、そ
の面上に層間絶縁膜、配向膜、保護膜などの目的に応じ
た膜を成膜することができる。この面にさらに前述の絶
縁膜３と同じ酸化ケイ素などからなる絶縁膜６を成膜す
ればより完全な平坦面を形成できる。レジスト膜５の剥
離除去はたとえば剥離液−５０２Ａ（商品名、東京応化
工業（株））などの通常のレジスト膜除去処理液を使用
することができ、またＯ2 プラズマによるアッシングに
よっても除去することができる。
スト膜５を剥離することにより、表面が平坦化され、そ
の面上に層間絶縁膜、配向膜、保護膜などの目的に応じ
た膜を成膜することができる。この面にさらに前述の絶
縁膜３と同じ酸化ケイ素などからなる絶縁膜６を成膜す
ればより完全な平坦面を形成できる。レジスト膜５の剥
離除去はたとえば剥離液−５０２Ａ（商品名、東京応化
工業（株））などの通常のレジスト膜除去処理液を使用
することができ、またＯ2 プラズマによるアッシングに
よっても除去することができる。
【００２２】つぎに具体的実施例により本発明の薄膜積
層基板の表面平坦化法についてさらに詳細に説明する。
層基板の表面平坦化法についてさらに詳細に説明する。
【００２３】実施例１ 液晶表示装置用のガラスからなる透明基板１上に約300n
m の厚さの配線パターン２が形成されたのちに、ＣＶＤ
法で酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）からなる絶縁膜３を全面に
成膜した。絶縁膜３の厚さは約400nm であった。ついで
その表面全面にゴムとビスアジドからなるレジスト膜５
を約1000nmの厚さで設けた（図１（ａ）参照）。
m の厚さの配線パターン２が形成されたのちに、ＣＶＤ
法で酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）からなる絶縁膜３を全面に
成膜した。絶縁膜３の厚さは約400nm であった。ついで
その表面全面にゴムとビスアジドからなるレジスト膜５
を約1000nmの厚さで設けた（図１（ａ）参照）。
【００２４】つぎに、透明基板１の裏面側から全面に波
長が405nm でエネルギー束密度が11mW／cm2 の紫外線を
約15〜30秒間照射した。そののちＯＭＲ現像液に約１分
間浸漬することにより、配線マスク２により露光されな
かった部分が除去され、レジスト膜５に開口部７が形成
された（図１（ｂ）参照）。
長が405nm でエネルギー束密度が11mW／cm2 の紫外線を
約15〜30秒間照射した。そののちＯＭＲ現像液に約１分
間浸漬することにより、配線マスク２により露光されな
かった部分が除去され、レジスト膜５に開口部７が形成
された（図１（ｂ）参照）。
【００２５】そののち、ＣＨＦ3 とＣＦ4 の混合ガスプ
ラズマ雰囲気で約５分間、20〜80℃で反応させることに
より、ＳｉＯ2 からなる絶縁膜３の凸部がエッチングさ
れて配線パターン２が露出した（図１（ｃ）参照）。
ラズマ雰囲気で約５分間、20〜80℃で反応させることに
より、ＳｉＯ2 からなる絶縁膜３の凸部がエッチングさ
れて配線パターン２が露出した（図１（ｃ）参照）。
【００２６】ついで、レジスト剥離液でレジスト膜５を
剥離除去し、ＣＶＤ法で再度ＳｉＯ2 からなる絶縁膜６
を400nm 程度成膜し、表面を平坦化した（図１（Ｄ）参
照）。
剥離除去し、ＣＶＤ法で再度ＳｉＯ2 からなる絶縁膜６
を400nm 程度成膜し、表面を平坦化した（図１（Ｄ）参
照）。
【００２７】
【発明の効果】本発明の薄膜段差の平坦化法によれば、
新たなフォトリソグラフィ工程を必要とせずに、セルフ
アライメントにより凸部のみのエッチングをしているた
め、簡易な方法で、かつ、精度よく薄膜の段差を除去し
て平坦化することができる。また薄膜の段差の除去を等
方性エッチングにより行っているので、安価な装置で加
工することができ、かつ、エッチバック法におけるよう
なイオン衝撃による薄膜の膜質の劣化も少ない。
新たなフォトリソグラフィ工程を必要とせずに、セルフ
アライメントにより凸部のみのエッチングをしているた
め、簡易な方法で、かつ、精度よく薄膜の段差を除去し
て平坦化することができる。また薄膜の段差の除去を等
方性エッチングにより行っているので、安価な装置で加
工することができ、かつ、エッチバック法におけるよう
なイオン衝撃による薄膜の膜質の劣化も少ない。
【図１】本発明の薄膜の平坦化法の一実施例の工程を示
す断面説明図である。
す断面説明図である。
【図２】本発明の薄膜の平坦化法の他の実施例の一工程
を示す断面説明図である。
を示す断面説明図である。
１ 透明基板 ２ 配線パターン ３ 絶縁膜 ４ 段差部 ５ レジスト膜 ７ 開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3205 (72)発明者 波多 俊弘 京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム株 式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板の表面上に不透明薄膜パターン
が設けられることにより段差部が形成される透明基板上
の薄膜段差の平坦化法であって、 （ａ）前記不透明薄膜パターンにより形成された段差上
に絶縁膜を設け、ついでネガ型のフォトレジストからな
るレジスト膜を設け （ｂ）前記透明基板の裏面側から露光し、ついで前記フ
ォトレジストを現像することにより、前記レジスト膜の
前記不透明薄膜パターンにより感光されない部分を除去
して開口部を設け、 （ｃ）該開口部を有するレジスト膜をマスクとして前記
絶縁膜に等方性エッチングを施すことにより平坦化し、 （ｄ）前記レジスト膜を剥離する ことを特徴とする透明基板上の薄膜段差の平坦化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9457393A JPH06310472A (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | 透明基板上の薄膜段差の平坦化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9457393A JPH06310472A (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | 透明基板上の薄膜段差の平坦化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310472A true JPH06310472A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14114048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9457393A Pending JPH06310472A (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | 透明基板上の薄膜段差の平坦化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310472A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8166388B2 (en) | 2002-05-14 | 2012-04-24 | Microsoft Corporation | Overlaying electronic ink |
-
1993
- 1993-04-21 JP JP9457393A patent/JPH06310472A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8166388B2 (en) | 2002-05-14 | 2012-04-24 | Microsoft Corporation | Overlaying electronic ink |
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