JPH063129A - バイアホール検査方法 - Google Patents
バイアホール検査方法Info
- Publication number
- JPH063129A JPH063129A JP16516192A JP16516192A JPH063129A JP H063129 A JPH063129 A JP H063129A JP 16516192 A JP16516192 A JP 16516192A JP 16516192 A JP16516192 A JP 16516192A JP H063129 A JPH063129 A JP H063129A
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- JP
- Japan
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- via hole
- pattern
- max
- fluorescence signal
- determined
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バイアホール検査方法に関し，バイアホール
内に薄いポリイミド膜の残渣がある場合でもバイアホー
ルの面積検査を可能にすることを目的とする。 【構成】 検査対象物に照射した収束レーザ光を走査す
るときに発生する蛍光を検出し，検出された蛍光信号を
該蛍光信号の中央付近のレベルでスライスして２値化し
たパターン１と，該パターン１とバイアホールの位置デ
ータおよびステージ位置データを用いてバイアホールの
有無を判定し，形状検査論理回路を用いて該パターン１
の形状の良否を判定し，該蛍光信号の前記パターン１の
スライスレベルより低い領域を多値化したパターン２を
求め，該多値化したパターン２の総和Ｓと予め設定され
た基準値Ｓmax とを比較し，Ｓ＞Ｓmax あるいは Ｓ≧
Ｓma x ならば欠陥と判定するように構成する。
内に薄いポリイミド膜の残渣がある場合でもバイアホー
ルの面積検査を可能にすることを目的とする。 【構成】 検査対象物に照射した収束レーザ光を走査す
るときに発生する蛍光を検出し，検出された蛍光信号を
該蛍光信号の中央付近のレベルでスライスして２値化し
たパターン１と，該パターン１とバイアホールの位置デ
ータおよびステージ位置データを用いてバイアホールの
有無を判定し，形状検査論理回路を用いて該パターン１
の形状の良否を判定し，該蛍光信号の前記パターン１の
スライスレベルより低い領域を多値化したパターン２を
求め，該多値化したパターン２の総和Ｓと予め設定され
た基準値Ｓmax とを比較し，Ｓ＞Ｓmax あるいは Ｓ≧
Ｓma x ならば欠陥と判定するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリイミド薄膜に形成さ
れたバイアホールの欠陥検査方法に関する。セラミック
基板上に形成された多層配線間の層間絶縁膜としてポリ
イミド膜が用いられるが，ポリイミド膜に開けたバイア
ホールが所定位置で所定面積に開口されているかどうか
を検査する必要がある。
れたバイアホールの欠陥検査方法に関する。セラミック
基板上に形成された多層配線間の層間絶縁膜としてポリ
イミド膜が用いられるが，ポリイミド膜に開けたバイア
ホールが所定位置で所定面積に開口されているかどうか
を検査する必要がある。
【０００２】
【従来の技術】図４(A),(B) は蛍光によるバイアホール
検知の説明図である。図において，１はセラミック基
板, ２は金属配線，３はポリイミド膜，４はバイアホー
ル，５はレーザ光，６は蛍光である。
検知の説明図である。図において，１はセラミック基
板, ２は金属配線，３はポリイミド膜，４はバイアホー
ル，５はレーザ光，６は蛍光である。
【０００３】ポリイミド膜にレーザ光を当てると蛍光が
発生するが，金属配線にレーザ光を当てても蛍光が発生
しないので，この現象を利用してバイアホールとポリイ
ミド膜との識別を行う。蛍光をレーザ光と分離して取り
出すために，図４(B) に示される特性を持つ波長フィル
タを用いる。
発生するが，金属配線にレーザ光を当てても蛍光が発生
しないので，この現象を利用してバイアホールとポリイ
ミド膜との識別を行う。蛍光をレーザ光と分離して取り
出すために，図４(B) に示される特性を持つ波長フィル
タを用いる。
【０００４】図５(A),(B) はバイアホールの検知信号の
例の説明図である。検査対象物にレーザ光を照射するこ
とにより発生する蛍光成分を上記の波長フィルタを用い
て分離し，光センサで検知する。このようにすると，ポ
リイミド膜の上では蛍光の発生により信号強度は大きく
なるが，金属配線の上では蛍光が発生しないので信号強
度は小さくなる。この信号を２つのスライスレベル１，
２で２値化し，高いスライスレベル１でバイアホールの
有無や大きさを検査し，低いスライスレベル２でバイア
ホール内にポリイミド膜の残渣がないかを検査する。
例の説明図である。検査対象物にレーザ光を照射するこ
とにより発生する蛍光成分を上記の波長フィルタを用い
て分離し，光センサで検知する。このようにすると，ポ
リイミド膜の上では蛍光の発生により信号強度は大きく
なるが，金属配線の上では蛍光が発生しないので信号強
度は小さくなる。この信号を２つのスライスレベル１，
２で２値化し，高いスライスレベル１でバイアホールの
有無や大きさを検査し，低いスライスレベル２でバイア
ホール内にポリイミド膜の残渣がないかを検査する。
【０００５】図６は蛍光信号を２値化する回路を示す図
である。図７は従来例によるバイアホールの検査論理の
説明図である。図において，まず，スライスレベル１に
より２値化されたパターン１と，バイアホール位置デー
タと，検査対象物を載せたステージ位置データを用い
て，バイアホール有無判定回路で過剰なバイアホールや
未貫通のバイアホールが存在しないかを検査する。
である。図７は従来例によるバイアホールの検査論理の
説明図である。図において，まず，スライスレベル１に
より２値化されたパターン１と，バイアホール位置デー
タと，検査対象物を載せたステージ位置データを用い
て，バイアホール有無判定回路で過剰なバイアホールや
未貫通のバイアホールが存在しないかを検査する。
【０００６】次に，スライスレベル２により２値化され
たパターン２は面積計測回路に入力され，面積（画素
数）の計測を行う。次いで面積判定回路で計測されたバ
イアホールの面積（Ｓ）と予め設定された最大／最小面
積（Ｓmax ，Ｓmin ）とを比較することにより欠陥の検
出を行う。
たパターン２は面積計測回路に入力され，面積（画素
数）の計測を行う。次いで面積判定回路で計測されたバ
イアホールの面積（Ｓ）と予め設定された最大／最小面
積（Ｓmax ，Ｓmin ）とを比較することにより欠陥の検
出を行う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図８(A),(B) は従来技
術の問題点の説明図である。図のように，バイアホール
の内部にポリイミドの薄い残渣が存在し，かつその蛍光
レベルがスライスレベル２よりも少し低い（暗い）場合
を考える。この場合スライスレベル２で２値化したパタ
ーン２は正常バイアホールの場合と同じ形状（面積）と
なり，欠陥と判定できなくなる。
術の問題点の説明図である。図のように，バイアホール
の内部にポリイミドの薄い残渣が存在し，かつその蛍光
レベルがスライスレベル２よりも少し低い（暗い）場合
を考える。この場合スライスレベル２で２値化したパタ
ーン２は正常バイアホールの場合と同じ形状（面積）と
なり，欠陥と判定できなくなる。
【０００８】本発明はバイアホール内に薄いポリイミド
膜の残渣がある場合でもバイアホールの検査を可能にす
ることを目的とする。
膜の残渣がある場合でもバイアホールの検査を可能にす
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，検査
対象物に照射した収束レーザ光を走査するときに発生す
る蛍光を検出し，検出された蛍光信号を該蛍光信号の中
央付近のレベルでスライスして２値化したパターン１
と，該パターン１とバイアホールの位置データおよびス
テージ位置データを用いてバイアホールの有無を判定
し，形状検査論理回路を用いて該パターン１の形状の良
否を判定し，該蛍光信号の前記パターン１のスライスレ
ベルより低い領域を多値化したパターン２を求め，該多
値化したパターン２の総和Ｓと予め設定された基準値Ｓ
max とを比較し，Ｓ＞Ｓmax あるいはＳ≧Ｓmax ならば
欠陥と判定するバイアホール検査方法により達成され
る。
対象物に照射した収束レーザ光を走査するときに発生す
る蛍光を検出し，検出された蛍光信号を該蛍光信号の中
央付近のレベルでスライスして２値化したパターン１
と，該パターン１とバイアホールの位置データおよびス
テージ位置データを用いてバイアホールの有無を判定
し，形状検査論理回路を用いて該パターン１の形状の良
否を判定し，該蛍光信号の前記パターン１のスライスレ
ベルより低い領域を多値化したパターン２を求め，該多
値化したパターン２の総和Ｓと予め設定された基準値Ｓ
max とを比較し，Ｓ＞Ｓmax あるいはＳ≧Ｓmax ならば
欠陥と判定するバイアホール検査方法により達成され
る。
【００１０】
【作用】本発明では，蛍光検知信号のある一定レベルよ
り低い（暗い）領域を多値化してパターン化する。そし
て，蛍光検知信号の中央付近のレベルで２値化したパタ
ーンの内部の領域に対応する多値化パターンのデータ値
の総和Ｓを積算する。総和Ｓと予め設定されたＳmax を
比較し,Ｓ＞Ｓmax （あるいはＳ≧Ｓmax ）ならば欠陥
と判定し，Ｓ≦Ｓmax （あるいはＳ＜Ｓmax ）ならば正
常と判定する。
り低い（暗い）領域を多値化してパターン化する。そし
て，蛍光検知信号の中央付近のレベルで２値化したパタ
ーンの内部の領域に対応する多値化パターンのデータ値
の総和Ｓを積算する。総和Ｓと予め設定されたＳmax を
比較し,Ｓ＞Ｓmax （あるいはＳ≧Ｓmax ）ならば欠陥
と判定し，Ｓ≦Ｓmax （あるいはＳ＜Ｓmax ）ならば正
常と判定する。
【００１１】以上のように判定することにより，バイア
ホール内に薄いポリイミド残渣が存在する場合にも，そ
の検出が可能となる。
ホール内に薄いポリイミド残渣が存在する場合にも，そ
の検出が可能となる。
【００１２】
【実施例】図において，レーザ光をポリイミド膜に当て
ることにより発生する蛍光の中央付近のレベルで２値化
したパターン１と，バイアホール位置データ11とステー
ジ位置データ12を用いて，バイアホール有無判定回路13
によりバイアホール有無の検査，また形状検査論理回路
14によりバイアホールの径が基準値より大きいか小さい
かを判定して形状の検査を行う。
ることにより発生する蛍光の中央付近のレベルで２値化
したパターン１と，バイアホール位置データ11とステー
ジ位置データ12を用いて，バイアホール有無判定回路13
によりバイアホール有無の検査，また形状検査論理回路
14によりバイアホールの径が基準値より大きいか小さい
かを判定して形状の検査を行う。
【００１３】次に，蛍光検知信号のある一定レベルより
低い（暗い）領域を多値化したパターン２において，パ
ターン１の内部の領域に対応する多値化パターンの総和
Ｓを総和計測回路16積算する。
低い（暗い）領域を多値化したパターン２において，パ
ターン１の内部の領域に対応する多値化パターンの総和
Ｓを総和計測回路16積算する。
【００１４】そして，総和Ｓと予め設定された基準値Ｓ
max 〔例えば，(1000)16〕とを面積判定回路17で比較
し，Ｓ＞Ｓmax （あるいはＳ≧Ｓmax ）ならば欠陥と判
定する。
max 〔例えば，(1000)16〕とを面積判定回路17で比較
し，Ｓ＞Ｓmax （あるいはＳ≧Ｓmax ）ならば欠陥と判
定する。
【００１５】しかしながら, 多値データの積算で判定を
行うと，図２に示すように，正常なバイアホールと欠陥
バイアホールにおいて，それぞれ多値データを積算した
値が同じであった場合，もしくは近い値であった場合，
正常なバイアホールを欠陥と判定してしまうことになる
ので，多値データの積算値だけで判定するのではなく，
多値データの分布やバイアホールの面積を調べることに
よって欠陥の判定を行うようにする。
行うと，図２に示すように，正常なバイアホールと欠陥
バイアホールにおいて，それぞれ多値データを積算した
値が同じであった場合，もしくは近い値であった場合，
正常なバイアホールを欠陥と判定してしまうことになる
ので，多値データの積算値だけで判定するのではなく，
多値データの分布やバイアホールの面積を調べることに
よって欠陥の判定を行うようにする。
【００１６】図２において，正常なバイアホール（中央
部に少しの残渣があっても正常とする）の多値データは
中央の残渣部に対応する部分は(ff)16, 周囲の残渣なし
の領域は(00)16で積算データ値は(1111)16となり，薄い
残膜がバイアホール全域にある欠陥バイアホールではバ
イアホールの全域が例えば(20)16で積算データ値が(111
1)16となる場合は正常なバイアホールを欠陥と判定して
しまうことになる。なお，欠陥バイアホールの点線の蛍
光信号は薄膜残渣のない正常なときのものである。
部に少しの残渣があっても正常とする）の多値データは
中央の残渣部に対応する部分は(ff)16, 周囲の残渣なし
の領域は(00)16で積算データ値は(1111)16となり，薄い
残膜がバイアホール全域にある欠陥バイアホールではバ
イアホールの全域が例えば(20)16で積算データ値が(111
1)16となる場合は正常なバイアホールを欠陥と判定して
しまうことになる。なお，欠陥バイアホールの点線の蛍
光信号は薄膜残渣のない正常なときのものである。
【００１７】図３(A),(B) は多値データの分布図であ
る。図３(A) のように，多値データの分布がしきい値
〔例えば，(20)16〕を満たしている場合に，他のところ
に分布していても正常と判定するが，逆に図３(B) のよ
うにしきい値を満たしていないときは欠陥と判定する。
る。図３(A) のように，多値データの分布がしきい値
〔例えば，(20)16〕を満たしている場合に，他のところ
に分布していても正常と判定するが，逆に図３(B) のよ
うにしきい値を満たしていないときは欠陥と判定する。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば，バイアホール内にポリ
イミド膜の薄い残渣がある場合でもバイアホールの検査
が可能になった。
イミド膜の薄い残渣がある場合でもバイアホールの検査
が可能になった。
【図１】 本発明の実施例の説明図
【図２】 多値データで正常を欠陥と判定する例の説明
図
図
【図３】 多値データの分布図
【図４】 蛍光によるバイアホール検知の説明図
【図５】 バイアホールの検知信号の例の説明図
【図６】 蛍光信号を２値化する回路を示す図
【図７】 従来例によるバイアホールの検査論理の説明
図
図
【図８】 従来技術の問題点の説明図
１ セラミック基板 ２ 金属配線 ３ ポリイミド膜 ４ バイアホール ５ レーザ光 ６ 蛍光 11 バイアホール位置データ 12 ステージ位置データ 13 バイアホール有無判定回路 14 形状検査論理回路 15 多値化回路 16 総和計測回路 17 面積判定回路
Claims (1)
- 【請求項１】 検査対象物に照射した収束レーザ光を走
査するときに発生する蛍光を検出し，検出された蛍光信
号を該蛍光信号の中央付近のレベルでスライスして２値
化したパターン１と，該パターン１とバイアホールの位
置データおよびステージ位置データを用いてバイアホー
ルの有無を判定し，形状検査論理回路を用いて該パター
ン１の形状の良否を判定し，該蛍光信号の前記パターン
１のスライスレベルより低い領域を多値化したパターン
２を求め，該多値化したパターン２の総和Ｓと予め設定
された基準値Ｓmax とを比較し，Ｓ＞Ｓmax あるいはＳ
≧Ｓmax ならば欠陥と判定することを特徴とするバイア
ホール検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16516192A JPH063129A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | バイアホール検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16516192A JPH063129A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | バイアホール検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH063129A true JPH063129A (ja) | 1994-01-11 |
Family
ID=15807032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16516192A Withdrawn JPH063129A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | バイアホール検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002541443A (ja) * | 1999-04-07 | 2002-12-03 | エム・ブイ・リサーチ・リミテッド | 材料検査 |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP16516192A patent/JPH063129A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002541443A (ja) * | 1999-04-07 | 2002-12-03 | エム・ブイ・リサーチ・リミテッド | 材料検査 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |