JPH06314708A - Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor deviceInfo
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- JPH06314708A JPH06314708A JP10268293A JP10268293A JPH06314708A JP H06314708 A JPH06314708 A JP H06314708A JP 10268293 A JP10268293 A JP 10268293A JP 10268293 A JP10268293 A JP 10268293A JP H06314708 A JPH06314708 A JP H06314708A
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- Die Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップを所定のダイボンディング位置
に正確に載置・固定すると共に、プリフォーム材の盛り
上がり部分を平坦にし、且つプリフォーム材の吸い込み
を防止した半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を
提供する。
【構成】 半導体チップ7を把持する凹部4と、該凹部
4に把持された半導体チップ7を真空吸着する吸気孔2
と、を有するコレット1を備え、該コレット1に把持さ
れた半導体チップ7の側面と該コレット1とが形成する
隙間に連通する排気孔3を設け、該排気孔3に、不活性
ガスをプリフォーム材8に向けて吹き出す不活性ガス排
気手段5を接続した。
(57) [Abstract] [Purpose] A semiconductor manufacturing apparatus in which a semiconductor chip is accurately placed and fixed at a predetermined die bonding position, a raised portion of a preform material is made flat, and suction of the preform material is prevented, and A method for manufacturing a semiconductor device is provided. [Structure] A recess 4 for holding a semiconductor chip 7 and an air intake hole 2 for vacuum-sucking the semiconductor chip 7 held in the recess 4.
And an exhaust hole 3 communicating with a side surface of the semiconductor chip 7 held by the collet 1 and a gap formed by the collet 1, and an inert gas is introduced into the exhaust hole 3. The inert gas exhausting means 5 blown toward the reform material 8 was connected.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置及び半
導体装置の製造方法に係り、特に、半導体チップをパッ
ケージに組み込む際に行われるダイボンディング工程で
使用される半導体製造装置、及び半導体チップを所定の
ダイボンディング位置にダイボンディングする半導体装
置の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method, and more particularly to a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor chip used in a die bonding process performed when a semiconductor chip is incorporated into a package. The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, which is die-bonded to a predetermined die-bonding position.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来から、半導体チップをリード・フレ
ームやパッケージのケースに接着するダイボンディング
工程では、一般的に、合金法、はんだ法、接着法等が行
われている。これらの方法では、いずれも、コレットの
所定位置に吸着把持した半導体チップをAgを含有した
樹脂、Au/Si層、ろう材、エポキシ樹脂等の接着剤
(以下、『プリフォーム材』という)が塗布されたパッ
ケージのダイパッド上(ダイボンディング位置)に載置
して圧着・固定している。2. Description of the Related Art Conventionally, an alloying method, a soldering method, an adhering method or the like has been generally used in a die bonding process for adhering a semiconductor chip to a lead frame or a case of a package. In any of these methods, an adhesive (hereinafter, referred to as a "preform material") such as a resin containing Ag, a Au / Si layer, a brazing material, or an epoxy resin is used for a semiconductor chip sucked and held at a predetermined position of a collet. It is placed on the die pad (die bonding position) of the applied package and pressure bonded and fixed.
【0003】このダイボンディング方法では、前記プリ
フォーム材の塗布量を制御することが困難であり、当該
プリフォーム材が多く塗布された場合は、半導体チップ
をプリフォーム材に圧着した際に、当該プリフォーム材
が接着面から外部にはみ出して、半導体チップの周辺で
球状に固まってしまったり、半導体チップを吸着する吸
引力により、はみ出したプリフォーム材が半導体チップ
の側面をはい上がり、半導体チップに形成されている素
子を汚染する等の問題があった。In this die bonding method, it is difficult to control the coating amount of the preform material, and when a large amount of the preform material is coated, when the semiconductor chip is pressure-bonded to the preform material, The preform material sticks out to the outside from the adhesive surface and solidifies into a spherical shape around the semiconductor chip, or the suction force that sucks the semiconductor chip causes the protruding preform material to rise up the side surface of the semiconductor chip and become a semiconductor chip. There is a problem that the formed element is contaminated.
【0004】そこで、このような問題を解決するため、
特開昭63−228728号公報に開示されているよう
に、半導体チップを把持可能な形状の凹部を有する半導
体チップ把持部と、該凹部と半導体チップとによって形
成される空間に連通する吸気孔とを備えたコレットと、
該吸気孔に連通されて、前記コレットの吸気孔に連通さ
れたガス供給手段とを備え、前記凹部の空間を排気して
該凹部に半導体チップを真空吸着することと、当該空間
から半導体チップの周囲にガスを吹き出すことを、選択
的に行うダイボンディング装置を紹介している。Therefore, in order to solve such a problem,
As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-228728, a semiconductor chip gripping portion having a recessed shape capable of gripping a semiconductor chip, and an air intake hole communicating with a space formed by the recessed portion and the semiconductor chip. With a collet,
A gas supply means communicating with the suction hole and communicating with the suction hole of the collet; exhausting the space of the recess to vacuum-suck the semiconductor chip into the recess; Introducing a die bonding machine that selectively blows gas around.
【0005】このダイボンディング装置は、半導体チッ
プの周囲にガスを吹き出すことにより、半導体チップと
ダイパッドの接着面からはみ出したプリフォーム材の盛
り上がり部分を平坦にし、当該プリフォーム材が玉状に
固まったり、半導体チップの側面をはい上がるのを防止
している。In this die bonding apparatus, by blowing gas around the semiconductor chip, the swelled portion of the preform material protruding from the bonding surface between the semiconductor chip and the die pad is flattened, and the preform material is solidified into a ball shape. , It prevents the semiconductor chip from climbing up the side surface.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開昭63−228728号公報に開示されているダイボ
ンディング装置は、コレットの凹部に半導体チップを真
空吸着することと、該凹部と半導体チップとが形成する
空間から半導体チップの周囲にガスを吹き出すことを選
択的に行う構造、即ち、同一の孔を使用し、真空と吹き
出し(ブロー)の切り替えを行うことにより、半導体チ
ップの吸着・ガスの吹き出しを行うため、吸着・吹き出
しの切り替えを行うタイミング制御が困難であるという
問題があった。However, in the die bonding apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 63-228728, the semiconductor chip is vacuum-sucked in the recess of the collet, and the recess and the semiconductor chip are separated from each other. A structure that selectively blows gas from the space to be formed around the semiconductor chip, that is, by using the same hole and switching between vacuum and blowing (blowing), adsorption of semiconductor chip and blowing of gas Therefore, there is a problem that it is difficult to control the timing of switching between suction and blowing.
【0007】そして、半導体チップをコレットに吸着し
た状態から半導体チップの周囲にガスを吹き出す状態に
切り替える際のタイミングが早すぎると、当該コレット
から半導体チップが落下し、所定のダイボンディング位
置に半導体チップを載置することができないという問題
があった。また、最悪の場合には、落下した半導体チッ
プ上にコレットが降ろされ、半導体チップの表面にキズ
が付くという問題があった。If the timing at which the semiconductor chip is adsorbed by the collet is switched to a state in which gas is blown out around the semiconductor chip too early, the semiconductor chip falls from the collet and is placed at a predetermined die bonding position. There was a problem that it could not be placed. Further, in the worst case, there is a problem that the collet is dropped on the dropped semiconductor chip and the surface of the semiconductor chip is scratched.
【0008】一方、半導体チップをコレットに吸着した
状態から半導体チップの周囲にガスを吹き出す状態に切
り替える際のタイミングが遅すぎると、半導体チップを
吸着するための吸引力により、プリフォーム材が半導体
チップの側面をはい上がり、半導体チップに形成されて
いる素子を汚染するという問題があった。本発明は、こ
のような従来の問題点を解決することを課題とするもの
であり、半導体チップを所定のダイボンディング位置に
正確に載置・固定することができると共に、プリフォー
ム材の盛り上がり部分を平坦にすることができ、且つ、
プリフォーム材の吸い込みを防止した半導体製造装置及
び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。On the other hand, if the timing of switching from the state in which the semiconductor chip is adsorbed by the collet to the state in which the gas is blown out around the semiconductor chip is too late, the preform material will be attracted to the semiconductor chip by the suction force for adsorbing the semiconductor chip. There is a problem that it goes up from the side surface of the device and contaminates the element formed on the semiconductor chip. The present invention has an object to solve such conventional problems, and it is possible to accurately mount and fix a semiconductor chip at a predetermined die bonding position, and a raised portion of a preform material. Can be made flat, and
An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method in which the suction of a preform material is prevented.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、半導体チップを把持する凹部と、当該凹
部に把持された半導体チップと該凹部とが形成する空間
に連通され、該半導体チップを真空吸着する吸気孔を有
するコレットを備えた半導体製造装置において、前記コ
レットに把持された半導体チップの側面と該コレットと
が形成する隙間に連通する排気孔と、当該排気孔に連通
され、該排気孔を介して不活性ガスを吹き出す不活性ガ
ス排気手段と、を備えたことを特徴とする半導体製造装
置を提供するものである。In order to achieve this object, the present invention relates to a recess for holding a semiconductor chip, a semiconductor chip held in the recess and a space formed by the recess, In a semiconductor manufacturing apparatus provided with a collet having an intake hole for vacuum suctioning a chip, an exhaust hole communicating with a gap formed between the side surface of the semiconductor chip gripped by the collet and the collet, and communicating with the exhaust hole, The present invention provides a semiconductor manufacturing apparatus, comprising: an inert gas exhausting unit that blows out an inert gas through the exhaust hole.
【0010】そして、コレットの所定位置に吸着把持し
た半導体チップを、プリフォーム材が塗布された所定の
ダイボンデイング位置に載置し、当該半導体チップをダ
イボンディングする半導体装置の製造方法において、前
記コレットに把持された半導体チップの側面と該コレッ
トとが形成する隙間から不活性ガスを吹き出しながら、
当該半導体チップを所定のダイボンデイング位置に載置
・固定することを特徴とする半導体装置の製造方法を提
供するものである。In the method of manufacturing a semiconductor device, the semiconductor chip sucked and gripped at a predetermined position of the collet is placed at a predetermined die bonding position where the preform material is applied, and the semiconductor chip is die-bonded. While blowing an inert gas from the gap formed by the side surface of the semiconductor chip gripped by the collet and the collet,
The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, which comprises mounting and fixing the semiconductor chip at a predetermined die bonding position.
【0011】[0011]
【作用】本発明に係る半導体製造装置は、コレットの凹
部に把持された半導体チップを真空吸着する吸気孔の他
に、半導体チップの側面と該コレットとが形成する隙間
に連通する排気孔と、当該排気孔に連通され、該排気孔
を介して不活性ガスを吹き出す不活性ガス排気手段と、
を備えているため、半導体チップの真空吸着と、プリフ
ォーム材の盛り上がり部分を平坦にすると共に、プリフ
ォーム材の吸い込みを防止するために行う不活性ガスの
吹き出しとを独立して行うことができる。従って、半導
体チップを所定のダイボンディング位置に載置する際
に、真空吸着と吹き出しとの切り替えを行う必要がな
い。このため、半導体チップを所定のダイボンディング
位置に正確に載置・固定することができ、且つ、プリフ
ォーム材の盛り上がり部分を平坦にすることができると
共に、プリフォーム材の吸い込みを防止することができ
る。In the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, in addition to the suction hole for vacuum-sucking the semiconductor chip held in the recess of the collet, the exhaust hole communicating with the side surface of the semiconductor chip and the gap formed by the collet, An inert gas exhaust means communicating with the exhaust hole and blowing out an inert gas through the exhaust hole;
Since the semiconductor chip is provided, the vacuum suction of the semiconductor chip and the rising portion of the preform material can be flattened, and the blowing of the inert gas for preventing the suction of the preform material can be performed independently. . Therefore, it is not necessary to switch between vacuum suction and blowing when mounting the semiconductor chip at a predetermined die bonding position. Therefore, the semiconductor chip can be accurately placed and fixed at a predetermined die bonding position, the raised portion of the preform material can be flattened, and suction of the preform material can be prevented. it can.
【0012】そして、本発明に係る半導体装置の製造方
法は、半導体チップをコレットの所定位置に吸着把持
し、当該半導体チップの側面と該コレットとが形成する
隙間から不活性ガスを吹き出しながら、当該半導体チッ
プを所定のダイボンデイング位置に載置・固定するた
め、半導体チップの真空吸着と、不活性ガスの吹き出し
とを独立して行うことができる。従って、前記半導体チ
ップは、所定のダイボンディング位置に載置・固定され
るまでコレットに確実に把持させておくことができるた
め、該半導体チップを正確な位置に載置・固定すること
ができる。そして、この載置・固定は、不活性ガスを吹
き出しながら行うため、プリフォーム材の盛り上がり部
分を平坦にすることができると共に、プリフォーム材の
吸い込みを防止することができる。Then, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the semiconductor chip is suction-held at a predetermined position of the collet, and the inert gas is blown from the gap formed by the side surface of the semiconductor chip and the collet. Since the semiconductor chip is placed and fixed at a predetermined die bonding position, the vacuum suction of the semiconductor chip and the blowing of the inert gas can be performed independently. Therefore, the semiconductor chip can be securely gripped by the collet until it is mounted and fixed at a predetermined die bonding position, so that the semiconductor chip can be mounted and fixed at an accurate position. Further, since the placing and fixing are performed while blowing the inert gas, it is possible to flatten the rising portion of the preform material and prevent the preform material from being sucked.
【0013】[0013]
【実施例】次に、本発明に係る実施例について、図面を
参照して説明する。図1は、本発明の実施例に係る半導
体製造装置の構成断面図、図2は、図1に示す半導体製
造装置のA側平面図である。図1及び図2に示す半導体
製造装置は、半導体チップの大きさに対応したサイズを
有し、当該半導体チップを把持可能な錐状の凹部4が設
けられたコレット1を備えている。前記凹部4の開放側
と対向した面には、吸気孔2が連通されており、この吸
気孔2には、吸気管11を介して真空ポンプ6が接続さ
れている。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. 1 is a sectional view of the configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. The semiconductor manufacturing apparatus shown in FIGS. 1 and 2 includes a collet 1 having a size corresponding to the size of a semiconductor chip and provided with a conical recess 4 capable of gripping the semiconductor chip. An intake hole 2 is communicated with the surface of the recess 4 facing the open side, and a vacuum pump 6 is connected to the intake hole 2 via an intake pipe 11.
【0014】前記凹部4の外側であって、コレット1の
当該凹部4の各辺の中心に対応した位置には、排気孔3
が各々連通されており、この各排気孔3には、排気管1
2を介して不活性ガス排気手段5が接続されている。次
に、本実施例に係る半導体製造装置の具体的動作につい
て図面を参照して説明する。The exhaust hole 3 is provided outside the recess 4 and at a position corresponding to the center of each side of the recess 4 of the collet 1.
Are communicated with each other, and each exhaust hole 3 has an exhaust pipe 1
An inert gas exhaust means 5 is connected via 2. Next, a specific operation of the semiconductor manufacturing apparatus according to this embodiment will be described with reference to the drawings.
【0015】図3は、本実施例に係る半導体製造装置を
使用して半導体チップを所定のダイボンディング位置に
ダイボンディングする工程を示す断面図である。先ず、
図3(1)に示す工程では、半導体製造装置のコレット
1の凹部4に、半導体チップ7の表面(素子が形成され
ている面)を上向きにして該半導体チップ7を収容す
る。次に、真空ポンプ6を作動し、吸気管11を介して
吸気孔2から吸引を行い、前記凹部4に収容した半導体
チップ7を真空吸着する。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a process of die-bonding a semiconductor chip to a predetermined die-bonding position using the semiconductor manufacturing apparatus according to this embodiment. First,
In the step shown in FIG. 3A, the semiconductor chip 7 is housed in the recess 4 of the collet 1 of the semiconductor manufacturing apparatus with the surface (the surface on which the elements are formed) of the semiconductor chip 7 facing upward. Next, the vacuum pump 6 is operated, suction is performed from the suction hole 2 through the suction pipe 11, and the semiconductor chip 7 housed in the recess 4 is vacuum-sucked.
【0016】次いで、図3(2)に示す工程では、図3
(1)に示す工程で半導体チップ7を吸着把持したコレ
ット1を、プリフォーム材8が塗布されたダイパッド1
3上まで移動する。次に、この状態で、不活性ガス排気
手段5を作動し、排気管12を介して不活性ガスを排気
孔3から吹き出しながら、前記プリフォーム材8が塗布
されたダイパッド13に向けて前記コレット1を降下さ
せる。Next, in the step shown in FIG.
The die pad 1 in which the preform material 8 is applied to the collet 1 that has sucked and gripped the semiconductor chip 7 in the step (1)
Move up to 3. Next, in this state, the inert gas exhausting means 5 is operated to blow out the inert gas from the exhaust hole 3 through the exhaust pipe 12, and the collet is directed toward the die pad 13 to which the preform material 8 is applied. Drop 1
【0017】なお、本実施例では、プリフォーム材8と
して、Ag粉末を含むエポキシ樹脂を使用し、不活性ガ
スとして、N2 を使用した。次に、図3(3)に示す工
程では、図3(2)に示す工程に連続して、コレット1
を降下し、半導体チップ7をプリフォーム材8の上に載
置して圧着する。この時、前記排気孔3から吹き出され
る不活性ガスにより、半導体チップ7裏面からはみ出し
たプリフォーム材8が平坦となって硬化する。さらに、
この吹き出される不活性ガスにより、プリフォーム材8
が、半導体チップ7を吸着するための吸引力により吸い
込まれることを防止することができるため、半導体チッ
プ7に形成されている素子が当該プリフォーム材8によ
り汚染されることがない。さらにまた、排気孔3から吹
き出すガスとしてN2 を使用しているため、プリフォー
ム材8上にN2 ガス層が形成され、プリフォーム材8の
酸化を防止することができる。In this example, an epoxy resin containing Ag powder was used as the preform material 8 and N 2 was used as the inert gas. Next, in the step shown in FIG. 3C, the collet 1 is continuously processed in the step shown in FIG.
, And the semiconductor chip 7 is placed on the preform material 8 and pressure-bonded. At this time, the preform material 8 protruding from the back surface of the semiconductor chip 7 is flattened and hardened by the inert gas blown out from the exhaust hole 3. further,
Due to the inert gas blown out, the preform material 8
However, since it is possible to prevent the semiconductor chip 7 from being sucked by the suction force for sucking the semiconductor chip 7, the elements formed on the semiconductor chip 7 are not contaminated by the preform material 8. Furthermore, since N 2 is used as the gas blown out from the exhaust hole 3, an N 2 gas layer is formed on the preform material 8 and the preform material 8 can be prevented from being oxidized.
【0018】また、半導体チップ7は、接着性の樹脂8
により所定位置に固定されるまでコレット1の凹部4に
吸着把持されているため、載置・圧着・固定中に動くこ
とがないため、所定位置に正確に固定することができ
る。その後、半導体チップ7の固定が終了した際には、
不活性ガス排気手段5及び真空ポンプ6の作動を停止
し、コレット1を元の位置まで戻す。The semiconductor chip 7 has an adhesive resin 8
Since it is sucked and gripped by the concave portion 4 of the collet 1 until it is fixed at a predetermined position, it does not move during mounting, pressure bonding, and fixing, so that it can be accurately fixed at a predetermined position. After that, when the fixing of the semiconductor chip 7 is completed,
The operation of the inert gas exhausting means 5 and the vacuum pump 6 is stopped, and the collet 1 is returned to its original position.
【0019】なお、本実施例では、排気孔3を、凹部4
の外側であって、コレット1の当該凹部4の各辺の中心
に対応した位置に各々1箇所づつ設けたが、これに限ら
ず、排気孔3は、コレット1に把持された半導体チップ
7の側面と該コレット1とが形成する隙間に連通してい
れば、図4に示すように、凹部4の各辺に複数づつ開口
してもよく、また図5に示すように、スリット形状の排
気孔9を開口する等、任意に開口してよい。In this embodiment, the exhaust hole 3 is provided with the recess 4
It is provided on the outside of the collet 1 at a position corresponding to the center of each side of the concave portion 4 of the collet 1. However, the present invention is not limited to this, and the exhaust holes 3 may be formed on the semiconductor chip 7 held by the collet 1. If it communicates with the gap formed by the side surface and the collet 1, a plurality of openings may be formed on each side of the recess 4 as shown in FIG. 4, and as shown in FIG. It may be opened arbitrarily, such as opening the hole 9.
【0020】また、本実施例では、凹部4の開放側と対
向した面に吸気孔2を開口したが、これに限らず、吸気
孔2は、凹部4に把持された半導体チップ7と該凹部4
とが形成する空間に連通されていれば、他の部分に開口
してもよい。そして、本実施例では、プリフォーム材8
としてAg粉末を含むエポキシ樹脂を使用したが、これ
に限らず、ダイボンディングに使用可能であれば、他の
樹脂を使用してもよい。Further, in the present embodiment, the intake hole 2 is opened on the surface facing the open side of the recess 4, but the present invention is not limited to this, and the intake hole 2 includes the semiconductor chip 7 held by the recess 4 and the recess. Four
As long as they are communicated with the space formed by and, they may be opened to other portions. In the present embodiment, the preform material 8
Although the epoxy resin containing Ag powder is used as the above, the present invention is not limited to this, and another resin may be used as long as it can be used for die bonding.
【0021】そしてまた、本実施例では、プリフォーム
材8として、樹脂を用いた接着法について説明したが、
これに限らず、Au/Si共晶合金法やはんだ接着法等
についても同様の効果が得られることは勿論である。特
に、Au/Si共晶合金法やはんだ接着法では、加熱さ
れた接着剤に不活性ガスの吹きつけを行うため、該接着
剤の冷却速度が高まり、接着速度を向上することもでき
る。In this embodiment, the adhesive method using resin as the preform material 8 has been described.
Of course, similar effects can be obtained not only by this but also by the Au / Si eutectic alloy method, the solder bonding method and the like. In particular, in the Au / Si eutectic alloy method and the solder bonding method, since the heated adhesive is sprayed with an inert gas, the cooling rate of the adhesive is increased and the adhesion rate can be improved.
【0022】また、本実施例では、不活性ガスとしてN
2 を使用したが、これに限らず、Ar等、他の不活性ガ
スを使用してもよい。そしてまた、本実施例では、略四
角錐形状の凹部4を備えたコレット1を使用したが、こ
れに限らず、ゲタ型(二方向タイプ)のコレット1等、
他の種類のコレット1を使用しても同様の効果を得るこ
とができる。Further, in this embodiment, N is used as the inert gas.
Although 2 is used, the present invention is not limited to this, and other inert gas such as Ar may be used. Further, in this embodiment, the collet 1 provided with the recess 4 having a substantially quadrangular pyramid shape is used.
The same effect can be obtained by using another type of collet 1.
【0023】[0023]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体製造装置は、コレットの凹部に把持された半導体チッ
プを真空吸着する吸気孔と、半導体チップを接着するプ
リフォーム材の盛り上がり部分を平坦にすると共に、プ
リフォーム材の吸い込みを防止するために吹き出す不活
性ガスの排気孔とを独立して備えているため、半導体チ
ップを所定のダイボンディング位置に載置する際に、真
空吸着と吹き出しとの切り替えを行う必要がない。この
ため、半導体チップは、所定のダイボンディング位置に
載置・固定されるまでコレットに確実に把持させておく
ことができる結果、正確な位置に載置・固定することが
できる。そして、この載置・固定は、不活性ガスの吹き
出しながら行うことができる結果、プリフォーム材の盛
り上がり部分を平坦にすることができると共に、プリフ
ォーム材の吸い込みを防止することができ、半導体チッ
プに形成された素子が汚染されることを防止することが
できる。As described above, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the suction hole for vacuum-sucking the semiconductor chip held in the recess of the collet and the raised portion of the preform material for bonding the semiconductor chip are flat. In addition, since the exhaust hole for the inert gas blown out to prevent the suction of the preform material is independently provided, when the semiconductor chip is mounted at a predetermined die bonding position, vacuum suction and blowout are performed. There is no need to switch between and. Therefore, the semiconductor chip can be securely held by the collet until it is placed and fixed at a predetermined die bonding position, and as a result, it can be placed and fixed at an accurate position. The placement and fixing can be performed while blowing out an inert gas, and as a result, the raised portion of the preform material can be made flat and suction of the preform material can be prevented, and the semiconductor chip It is possible to prevent the element formed on the substrate from being contaminated.
【0024】そして、本発明に係る半導体装置の製造方
法は、半導体チップをコレットの所定位置に吸着把持
し、当該半導体チップの側面と該コレットとが形成する
隙間から不活性ガスを吹き出しながら、該半導体チップ
を所定のダイボンデイング位置に載置・固定するため、
半導体チップの真空吸着と、不活性ガスの吹き出しとを
独立して行うことができる。従って、前記半導体チップ
は、所定のダイボンディング位置に載置・固定されるま
でコレットに確実に把持させておくことができる結果、
正確な位置に載置・固定することができる。そして、こ
の載置・固定は、不活性ガスを吹き出しながら行うた
め、プリフォーム材の盛り上がり部分を平坦にすること
ができると共に、プリフォーム材の吸い込みを防止する
ことができ、半導体チップに形成された素子が汚染され
ることを防止することができる。In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the semiconductor chip is suction-held at a predetermined position of the collet, and the inert gas is blown from the gap formed by the side surface of the semiconductor chip and the collet while In order to mount and fix the semiconductor chip at the specified die bonding position,
The vacuum suction of the semiconductor chip and the blowing of the inert gas can be performed independently. Therefore, the semiconductor chip can be securely held by the collet until it is placed and fixed at a predetermined die bonding position.
It can be placed and fixed in an accurate position. Since this mounting and fixing is performed while blowing out an inert gas, the raised portion of the preform material can be made flat and suction of the preform material can be prevented, so that it is formed on the semiconductor chip. The device can be prevented from being contaminated.
【図1】本発明の実施例に係る半導体製造装置の構成断
面図である。FIG. 1 is a sectional view showing the configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1に示す半導体製造装置のA側平面図であ
る。FIG. 2 is a plan view of an A side of the semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG.
【図3】本実施例に係る半導体製造装置を使用して半導
体チップを所定のダイボンディング位置にダイボンディ
ングする工程を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a process of die-bonding a semiconductor chip to a predetermined die-bonding position using the semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment.
【図4】本発明の他の実施例に係る半導体製造装置の平
面図である。FIG. 4 is a plan view of a semiconductor manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図5】本発明の他の実施例に係る半導体製造装置の平
面図である。FIG. 5 is a plan view of a semiconductor manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.
1 コレット 2 吸気孔 3 排気孔 4 凹部 5 不活性ガス排気手段 6 真空ポンプ 7 半導体チップ 8 プリフォーム材 9 排気孔 11 吸気管 12 排気管 1 Collet 2 Intake Hole 3 Exhaust Hole 4 Recess 5 Inert Gas Exhaust Means 6 Vacuum Pump 7 Semiconductor Chip 8 Preform Material 9 Exhaust Hole 11 Intake Pipe 12 Exhaust Pipe
Claims (2)
部に把持された半導体チップと該凹部とが形成する空間
に連通され、該半導体チップを真空吸着する吸気孔を有
するコレットを備えた半導体製造装置において、 前記コレットに把持された半導体チップの側面と該コレ
ットとが形成する隙間に連通する排気孔と、当該排気孔
に連通され、該排気孔を介して不活性ガスを吹き出す不
活性ガス排気手段と、を備えたことを特徴とする半導体
製造装置。1. A semiconductor manufacturing device comprising: a recess for holding a semiconductor chip; and a collet having a suction hole that communicates with a space formed by the semiconductor chip held by the recess and the recess, and vacuum suctions the semiconductor chip. In the device, an exhaust gas communicating with a gap formed by the side face of the semiconductor chip held by the collet and the collet, and an inert gas exhaust gas that communicates with the exhaust hole and blows out an inert gas through the exhaust hole. And a means for manufacturing the semiconductor.
体チップを、プリフォーム材が塗布された所定のダイボ
ンデイング位置に載置し、当該半導体チップをダイボン
ディングする半導体装置の製造方法において、 前記コレットに把持された半導体チップの側面と該コレ
ットとが形成する隙間から不活性ガスを吹き出しなが
ら、当該半導体チップを所定のダイボンデイング位置に
載置・固定することを特徴とする半導体装置の製造方
法。2. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein a semiconductor chip sucked and gripped at a predetermined position of a collet is placed at a predetermined die bonding position where a preform material is applied, and the semiconductor chip is die-bonded. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising placing and fixing the semiconductor chip at a predetermined die bonding position while blowing an inert gas from a gap formed between the side surface of the semiconductor chip gripped by the collet and the collet.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268293A JPH06314708A (en) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268293A JPH06314708A (en) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314708A true JPH06314708A (en) | 1994-11-08 |
Family
ID=14334011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10268293A Pending JPH06314708A (en) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06314708A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2022174463A (en) * | 2021-05-11 | 2022-11-24 | 澁谷工業株式会社 | bonding equipment |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP10268293A patent/JPH06314708A/en active Pending
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