JPH06314708A - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH06314708A JPH06314708A JP10268293A JP10268293A JPH06314708A JP H06314708 A JPH06314708 A JP H06314708A JP 10268293 A JP10268293 A JP 10268293A JP 10268293 A JP10268293 A JP 10268293A JP H06314708 A JPH06314708 A JP H06314708A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップを所定のダイボンディング位置
に正確に載置・固定すると共に、プリフォーム材の盛り
上がり部分を平坦にし、且つプリフォーム材の吸い込み
を防止した半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を
提供する。 【構成】 半導体チップ７を把持する凹部４と、該凹部
４に把持された半導体チップ７を真空吸着する吸気孔２
と、を有するコレット１を備え、該コレット１に把持さ
れた半導体チップ７の側面と該コレット１とが形成する
隙間に連通する排気孔３を設け、該排気孔３に、不活性
ガスをプリフォーム材８に向けて吹き出す不活性ガス排
気手段５を接続した。
に正確に載置・固定すると共に、プリフォーム材の盛り
上がり部分を平坦にし、且つプリフォーム材の吸い込み
を防止した半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を
提供する。 【構成】 半導体チップ７を把持する凹部４と、該凹部
４に把持された半導体チップ７を真空吸着する吸気孔２
と、を有するコレット１を備え、該コレット１に把持さ
れた半導体チップ７の側面と該コレット１とが形成する
隙間に連通する排気孔３を設け、該排気孔３に、不活性
ガスをプリフォーム材８に向けて吹き出す不活性ガス排
気手段５を接続した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置及び半
導体装置の製造方法に係り、特に、半導体チップをパッ
ケージに組み込む際に行われるダイボンディング工程で
使用される半導体製造装置、及び半導体チップを所定の
ダイボンディング位置にダイボンディングする半導体装
置の製造方法に関する。
導体装置の製造方法に係り、特に、半導体チップをパッ
ケージに組み込む際に行われるダイボンディング工程で
使用される半導体製造装置、及び半導体チップを所定の
ダイボンディング位置にダイボンディングする半導体装
置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体チップをリード・フレ
ームやパッケージのケースに接着するダイボンディング
工程では、一般的に、合金法、はんだ法、接着法等が行
われている。これらの方法では、いずれも、コレットの
所定位置に吸着把持した半導体チップをＡｇを含有した
樹脂、Ａｕ／Ｓｉ層、ろう材、エポキシ樹脂等の接着剤
（以下、『プリフォーム材』という）が塗布されたパッ
ケージのダイパッド上（ダイボンディング位置）に載置
して圧着・固定している。
ームやパッケージのケースに接着するダイボンディング
工程では、一般的に、合金法、はんだ法、接着法等が行
われている。これらの方法では、いずれも、コレットの
所定位置に吸着把持した半導体チップをＡｇを含有した
樹脂、Ａｕ／Ｓｉ層、ろう材、エポキシ樹脂等の接着剤
（以下、『プリフォーム材』という）が塗布されたパッ
ケージのダイパッド上（ダイボンディング位置）に載置
して圧着・固定している。
【０００３】このダイボンディング方法では、前記プリ
フォーム材の塗布量を制御することが困難であり、当該
プリフォーム材が多く塗布された場合は、半導体チップ
をプリフォーム材に圧着した際に、当該プリフォーム材
が接着面から外部にはみ出して、半導体チップの周辺で
球状に固まってしまったり、半導体チップを吸着する吸
引力により、はみ出したプリフォーム材が半導体チップ
の側面をはい上がり、半導体チップに形成されている素
子を汚染する等の問題があった。
フォーム材の塗布量を制御することが困難であり、当該
プリフォーム材が多く塗布された場合は、半導体チップ
をプリフォーム材に圧着した際に、当該プリフォーム材
が接着面から外部にはみ出して、半導体チップの周辺で
球状に固まってしまったり、半導体チップを吸着する吸
引力により、はみ出したプリフォーム材が半導体チップ
の側面をはい上がり、半導体チップに形成されている素
子を汚染する等の問題があった。
【０００４】そこで、このような問題を解決するため、
特開昭６３−２２８７２８号公報に開示されているよう
に、半導体チップを把持可能な形状の凹部を有する半導
体チップ把持部と、該凹部と半導体チップとによって形
成される空間に連通する吸気孔とを備えたコレットと、
該吸気孔に連通されて、前記コレットの吸気孔に連通さ
れたガス供給手段とを備え、前記凹部の空間を排気して
該凹部に半導体チップを真空吸着することと、当該空間
から半導体チップの周囲にガスを吹き出すことを、選択
的に行うダイボンディング装置を紹介している。
特開昭６３−２２８７２８号公報に開示されているよう
に、半導体チップを把持可能な形状の凹部を有する半導
体チップ把持部と、該凹部と半導体チップとによって形
成される空間に連通する吸気孔とを備えたコレットと、
該吸気孔に連通されて、前記コレットの吸気孔に連通さ
れたガス供給手段とを備え、前記凹部の空間を排気して
該凹部に半導体チップを真空吸着することと、当該空間
から半導体チップの周囲にガスを吹き出すことを、選択
的に行うダイボンディング装置を紹介している。
【０００５】このダイボンディング装置は、半導体チッ
プの周囲にガスを吹き出すことにより、半導体チップと
ダイパッドの接着面からはみ出したプリフォーム材の盛
り上がり部分を平坦にし、当該プリフォーム材が玉状に
固まったり、半導体チップの側面をはい上がるのを防止
している。
プの周囲にガスを吹き出すことにより、半導体チップと
ダイパッドの接着面からはみ出したプリフォーム材の盛
り上がり部分を平坦にし、当該プリフォーム材が玉状に
固まったり、半導体チップの側面をはい上がるのを防止
している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開昭６３−２２８７２８号公報に開示されているダイボ
ンディング装置は、コレットの凹部に半導体チップを真
空吸着することと、該凹部と半導体チップとが形成する
空間から半導体チップの周囲にガスを吹き出すことを選
択的に行う構造、即ち、同一の孔を使用し、真空と吹き
出し（ブロー）の切り替えを行うことにより、半導体チ
ップの吸着・ガスの吹き出しを行うため、吸着・吹き出
しの切り替えを行うタイミング制御が困難であるという
問題があった。
開昭６３−２２８７２８号公報に開示されているダイボ
ンディング装置は、コレットの凹部に半導体チップを真
空吸着することと、該凹部と半導体チップとが形成する
空間から半導体チップの周囲にガスを吹き出すことを選
択的に行う構造、即ち、同一の孔を使用し、真空と吹き
出し（ブロー）の切り替えを行うことにより、半導体チ
ップの吸着・ガスの吹き出しを行うため、吸着・吹き出
しの切り替えを行うタイミング制御が困難であるという
問題があった。
【０００７】そして、半導体チップをコレットに吸着し
た状態から半導体チップの周囲にガスを吹き出す状態に
切り替える際のタイミングが早すぎると、当該コレット
から半導体チップが落下し、所定のダイボンディング位
置に半導体チップを載置することができないという問題
があった。また、最悪の場合には、落下した半導体チッ
プ上にコレットが降ろされ、半導体チップの表面にキズ
が付くという問題があった。
た状態から半導体チップの周囲にガスを吹き出す状態に
切り替える際のタイミングが早すぎると、当該コレット
から半導体チップが落下し、所定のダイボンディング位
置に半導体チップを載置することができないという問題
があった。また、最悪の場合には、落下した半導体チッ
プ上にコレットが降ろされ、半導体チップの表面にキズ
が付くという問題があった。
【０００８】一方、半導体チップをコレットに吸着した
状態から半導体チップの周囲にガスを吹き出す状態に切
り替える際のタイミングが遅すぎると、半導体チップを
吸着するための吸引力により、プリフォーム材が半導体
チップの側面をはい上がり、半導体チップに形成されて
いる素子を汚染するという問題があった。本発明は、こ
のような従来の問題点を解決することを課題とするもの
であり、半導体チップを所定のダイボンディング位置に
正確に載置・固定することができると共に、プリフォー
ム材の盛り上がり部分を平坦にすることができ、且つ、
プリフォーム材の吸い込みを防止した半導体製造装置及
び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
状態から半導体チップの周囲にガスを吹き出す状態に切
り替える際のタイミングが遅すぎると、半導体チップを
吸着するための吸引力により、プリフォーム材が半導体
チップの側面をはい上がり、半導体チップに形成されて
いる素子を汚染するという問題があった。本発明は、こ
のような従来の問題点を解決することを課題とするもの
であり、半導体チップを所定のダイボンディング位置に
正確に載置・固定することができると共に、プリフォー
ム材の盛り上がり部分を平坦にすることができ、且つ、
プリフォーム材の吸い込みを防止した半導体製造装置及
び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、半導体チップを把持する凹部と、当該凹
部に把持された半導体チップと該凹部とが形成する空間
に連通され、該半導体チップを真空吸着する吸気孔を有
するコレットを備えた半導体製造装置において、前記コ
レットに把持された半導体チップの側面と該コレットと
が形成する隙間に連通する排気孔と、当該排気孔に連通
され、該排気孔を介して不活性ガスを吹き出す不活性ガ
ス排気手段と、を備えたことを特徴とする半導体製造装
置を提供するものである。
め、本発明は、半導体チップを把持する凹部と、当該凹
部に把持された半導体チップと該凹部とが形成する空間
に連通され、該半導体チップを真空吸着する吸気孔を有
するコレットを備えた半導体製造装置において、前記コ
レットに把持された半導体チップの側面と該コレットと
が形成する隙間に連通する排気孔と、当該排気孔に連通
され、該排気孔を介して不活性ガスを吹き出す不活性ガ
ス排気手段と、を備えたことを特徴とする半導体製造装
置を提供するものである。
【００１０】そして、コレットの所定位置に吸着把持し
た半導体チップを、プリフォーム材が塗布された所定の
ダイボンデイング位置に載置し、当該半導体チップをダ
イボンディングする半導体装置の製造方法において、前
記コレットに把持された半導体チップの側面と該コレッ
トとが形成する隙間から不活性ガスを吹き出しながら、
当該半導体チップを所定のダイボンデイング位置に載置
・固定することを特徴とする半導体装置の製造方法を提
供するものである。
た半導体チップを、プリフォーム材が塗布された所定の
ダイボンデイング位置に載置し、当該半導体チップをダ
イボンディングする半導体装置の製造方法において、前
記コレットに把持された半導体チップの側面と該コレッ
トとが形成する隙間から不活性ガスを吹き出しながら、
当該半導体チップを所定のダイボンデイング位置に載置
・固定することを特徴とする半導体装置の製造方法を提
供するものである。
【００１１】
【作用】本発明に係る半導体製造装置は、コレットの凹
部に把持された半導体チップを真空吸着する吸気孔の他
に、半導体チップの側面と該コレットとが形成する隙間
に連通する排気孔と、当該排気孔に連通され、該排気孔
を介して不活性ガスを吹き出す不活性ガス排気手段と、
を備えているため、半導体チップの真空吸着と、プリフ
ォーム材の盛り上がり部分を平坦にすると共に、プリフ
ォーム材の吸い込みを防止するために行う不活性ガスの
吹き出しとを独立して行うことができる。従って、半導
体チップを所定のダイボンディング位置に載置する際
に、真空吸着と吹き出しとの切り替えを行う必要がな
い。このため、半導体チップを所定のダイボンディング
位置に正確に載置・固定することができ、且つ、プリフ
ォーム材の盛り上がり部分を平坦にすることができると
共に、プリフォーム材の吸い込みを防止することができ
る。
部に把持された半導体チップを真空吸着する吸気孔の他
に、半導体チップの側面と該コレットとが形成する隙間
に連通する排気孔と、当該排気孔に連通され、該排気孔
を介して不活性ガスを吹き出す不活性ガス排気手段と、
を備えているため、半導体チップの真空吸着と、プリフ
ォーム材の盛り上がり部分を平坦にすると共に、プリフ
ォーム材の吸い込みを防止するために行う不活性ガスの
吹き出しとを独立して行うことができる。従って、半導
体チップを所定のダイボンディング位置に載置する際
に、真空吸着と吹き出しとの切り替えを行う必要がな
い。このため、半導体チップを所定のダイボンディング
位置に正確に載置・固定することができ、且つ、プリフ
ォーム材の盛り上がり部分を平坦にすることができると
共に、プリフォーム材の吸い込みを防止することができ
る。
【００１２】そして、本発明に係る半導体装置の製造方
法は、半導体チップをコレットの所定位置に吸着把持
し、当該半導体チップの側面と該コレットとが形成する
隙間から不活性ガスを吹き出しながら、当該半導体チッ
プを所定のダイボンデイング位置に載置・固定するた
め、半導体チップの真空吸着と、不活性ガスの吹き出し
とを独立して行うことができる。従って、前記半導体チ
ップは、所定のダイボンディング位置に載置・固定され
るまでコレットに確実に把持させておくことができるた
め、該半導体チップを正確な位置に載置・固定すること
ができる。そして、この載置・固定は、不活性ガスを吹
き出しながら行うため、プリフォーム材の盛り上がり部
分を平坦にすることができると共に、プリフォーム材の
吸い込みを防止することができる。
法は、半導体チップをコレットの所定位置に吸着把持
し、当該半導体チップの側面と該コレットとが形成する
隙間から不活性ガスを吹き出しながら、当該半導体チッ
プを所定のダイボンデイング位置に載置・固定するた
め、半導体チップの真空吸着と、不活性ガスの吹き出し
とを独立して行うことができる。従って、前記半導体チ
ップは、所定のダイボンディング位置に載置・固定され
るまでコレットに確実に把持させておくことができるた
め、該半導体チップを正確な位置に載置・固定すること
ができる。そして、この載置・固定は、不活性ガスを吹
き出しながら行うため、プリフォーム材の盛り上がり部
分を平坦にすることができると共に、プリフォーム材の
吸い込みを防止することができる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明に係る実施例について、図面を
参照して説明する。図１は、本発明の実施例に係る半導
体製造装置の構成断面図、図２は、図１に示す半導体製
造装置のＡ側平面図である。図１及び図２に示す半導体
製造装置は、半導体チップの大きさに対応したサイズを
有し、当該半導体チップを把持可能な錐状の凹部４が設
けられたコレット１を備えている。前記凹部４の開放側
と対向した面には、吸気孔２が連通されており、この吸
気孔２には、吸気管１１を介して真空ポンプ６が接続さ
れている。
参照して説明する。図１は、本発明の実施例に係る半導
体製造装置の構成断面図、図２は、図１に示す半導体製
造装置のＡ側平面図である。図１及び図２に示す半導体
製造装置は、半導体チップの大きさに対応したサイズを
有し、当該半導体チップを把持可能な錐状の凹部４が設
けられたコレット１を備えている。前記凹部４の開放側
と対向した面には、吸気孔２が連通されており、この吸
気孔２には、吸気管１１を介して真空ポンプ６が接続さ
れている。
【００１４】前記凹部４の外側であって、コレット１の
当該凹部４の各辺の中心に対応した位置には、排気孔３
が各々連通されており、この各排気孔３には、排気管１
２を介して不活性ガス排気手段５が接続されている。次
に、本実施例に係る半導体製造装置の具体的動作につい
て図面を参照して説明する。
当該凹部４の各辺の中心に対応した位置には、排気孔３
が各々連通されており、この各排気孔３には、排気管１
２を介して不活性ガス排気手段５が接続されている。次
に、本実施例に係る半導体製造装置の具体的動作につい
て図面を参照して説明する。
【００１５】図３は、本実施例に係る半導体製造装置を
使用して半導体チップを所定のダイボンディング位置に
ダイボンディングする工程を示す断面図である。先ず、
図３（１）に示す工程では、半導体製造装置のコレット
１の凹部４に、半導体チップ７の表面（素子が形成され
ている面）を上向きにして該半導体チップ７を収容す
る。次に、真空ポンプ６を作動し、吸気管１１を介して
吸気孔２から吸引を行い、前記凹部４に収容した半導体
チップ７を真空吸着する。
使用して半導体チップを所定のダイボンディング位置に
ダイボンディングする工程を示す断面図である。先ず、
図３（１）に示す工程では、半導体製造装置のコレット
１の凹部４に、半導体チップ７の表面（素子が形成され
ている面）を上向きにして該半導体チップ７を収容す
る。次に、真空ポンプ６を作動し、吸気管１１を介して
吸気孔２から吸引を行い、前記凹部４に収容した半導体
チップ７を真空吸着する。
【００１６】次いで、図３（２）に示す工程では、図３
（１）に示す工程で半導体チップ７を吸着把持したコレ
ット１を、プリフォーム材８が塗布されたダイパッド１
３上まで移動する。次に、この状態で、不活性ガス排気
手段５を作動し、排気管１２を介して不活性ガスを排気
孔３から吹き出しながら、前記プリフォーム材８が塗布
されたダイパッド１３に向けて前記コレット１を降下さ
せる。
（１）に示す工程で半導体チップ７を吸着把持したコレ
ット１を、プリフォーム材８が塗布されたダイパッド１
３上まで移動する。次に、この状態で、不活性ガス排気
手段５を作動し、排気管１２を介して不活性ガスを排気
孔３から吹き出しながら、前記プリフォーム材８が塗布
されたダイパッド１３に向けて前記コレット１を降下さ
せる。
【００１７】なお、本実施例では、プリフォーム材８と
して、Ａｇ粉末を含むエポキシ樹脂を使用し、不活性ガ
スとして、Ｎ2 を使用した。次に、図３（３）に示す工
程では、図３（２）に示す工程に連続して、コレット１
を降下し、半導体チップ７をプリフォーム材８の上に載
置して圧着する。この時、前記排気孔３から吹き出され
る不活性ガスにより、半導体チップ７裏面からはみ出し
たプリフォーム材８が平坦となって硬化する。さらに、
この吹き出される不活性ガスにより、プリフォーム材８
が、半導体チップ７を吸着するための吸引力により吸い
込まれることを防止することができるため、半導体チッ
プ７に形成されている素子が当該プリフォーム材８によ
り汚染されることがない。さらにまた、排気孔３から吹
き出すガスとしてＮ2 を使用しているため、プリフォー
ム材８上にＮ2 ガス層が形成され、プリフォーム材８の
酸化を防止することができる。
して、Ａｇ粉末を含むエポキシ樹脂を使用し、不活性ガ
スとして、Ｎ2 を使用した。次に、図３（３）に示す工
程では、図３（２）に示す工程に連続して、コレット１
を降下し、半導体チップ７をプリフォーム材８の上に載
置して圧着する。この時、前記排気孔３から吹き出され
る不活性ガスにより、半導体チップ７裏面からはみ出し
たプリフォーム材８が平坦となって硬化する。さらに、
この吹き出される不活性ガスにより、プリフォーム材８
が、半導体チップ７を吸着するための吸引力により吸い
込まれることを防止することができるため、半導体チッ
プ７に形成されている素子が当該プリフォーム材８によ
り汚染されることがない。さらにまた、排気孔３から吹
き出すガスとしてＮ2 を使用しているため、プリフォー
ム材８上にＮ2 ガス層が形成され、プリフォーム材８の
酸化を防止することができる。
【００１８】また、半導体チップ７は、接着性の樹脂８
により所定位置に固定されるまでコレット１の凹部４に
吸着把持されているため、載置・圧着・固定中に動くこ
とがないため、所定位置に正確に固定することができ
る。その後、半導体チップ７の固定が終了した際には、
不活性ガス排気手段５及び真空ポンプ６の作動を停止
し、コレット１を元の位置まで戻す。
により所定位置に固定されるまでコレット１の凹部４に
吸着把持されているため、載置・圧着・固定中に動くこ
とがないため、所定位置に正確に固定することができ
る。その後、半導体チップ７の固定が終了した際には、
不活性ガス排気手段５及び真空ポンプ６の作動を停止
し、コレット１を元の位置まで戻す。
【００１９】なお、本実施例では、排気孔３を、凹部４
の外側であって、コレット１の当該凹部４の各辺の中心
に対応した位置に各々１箇所づつ設けたが、これに限ら
ず、排気孔３は、コレット１に把持された半導体チップ
７の側面と該コレット１とが形成する隙間に連通してい
れば、図４に示すように、凹部４の各辺に複数づつ開口
してもよく、また図５に示すように、スリット形状の排
気孔９を開口する等、任意に開口してよい。
の外側であって、コレット１の当該凹部４の各辺の中心
に対応した位置に各々１箇所づつ設けたが、これに限ら
ず、排気孔３は、コレット１に把持された半導体チップ
７の側面と該コレット１とが形成する隙間に連通してい
れば、図４に示すように、凹部４の各辺に複数づつ開口
してもよく、また図５に示すように、スリット形状の排
気孔９を開口する等、任意に開口してよい。
【００２０】また、本実施例では、凹部４の開放側と対
向した面に吸気孔２を開口したが、これに限らず、吸気
孔２は、凹部４に把持された半導体チップ７と該凹部４
とが形成する空間に連通されていれば、他の部分に開口
してもよい。そして、本実施例では、プリフォーム材８
としてＡｇ粉末を含むエポキシ樹脂を使用したが、これ
に限らず、ダイボンディングに使用可能であれば、他の
樹脂を使用してもよい。
向した面に吸気孔２を開口したが、これに限らず、吸気
孔２は、凹部４に把持された半導体チップ７と該凹部４
とが形成する空間に連通されていれば、他の部分に開口
してもよい。そして、本実施例では、プリフォーム材８
としてＡｇ粉末を含むエポキシ樹脂を使用したが、これ
に限らず、ダイボンディングに使用可能であれば、他の
樹脂を使用してもよい。
【００２１】そしてまた、本実施例では、プリフォーム
材８として、樹脂を用いた接着法について説明したが、
これに限らず、Ａｕ／Ｓｉ共晶合金法やはんだ接着法等
についても同様の効果が得られることは勿論である。特
に、Ａｕ／Ｓｉ共晶合金法やはんだ接着法では、加熱さ
れた接着剤に不活性ガスの吹きつけを行うため、該接着
剤の冷却速度が高まり、接着速度を向上することもでき
る。
材８として、樹脂を用いた接着法について説明したが、
これに限らず、Ａｕ／Ｓｉ共晶合金法やはんだ接着法等
についても同様の効果が得られることは勿論である。特
に、Ａｕ／Ｓｉ共晶合金法やはんだ接着法では、加熱さ
れた接着剤に不活性ガスの吹きつけを行うため、該接着
剤の冷却速度が高まり、接着速度を向上することもでき
る。
【００２２】また、本実施例では、不活性ガスとしてＮ
2 を使用したが、これに限らず、Ａｒ等、他の不活性ガ
スを使用してもよい。そしてまた、本実施例では、略四
角錐形状の凹部４を備えたコレット１を使用したが、こ
れに限らず、ゲタ型（二方向タイプ）のコレット１等、
他の種類のコレット１を使用しても同様の効果を得るこ
とができる。
2 を使用したが、これに限らず、Ａｒ等、他の不活性ガ
スを使用してもよい。そしてまた、本実施例では、略四
角錐形状の凹部４を備えたコレット１を使用したが、こ
れに限らず、ゲタ型（二方向タイプ）のコレット１等、
他の種類のコレット１を使用しても同様の効果を得るこ
とができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体製造装置は、コレットの凹部に把持された半導体チッ
プを真空吸着する吸気孔と、半導体チップを接着するプ
リフォーム材の盛り上がり部分を平坦にすると共に、プ
リフォーム材の吸い込みを防止するために吹き出す不活
性ガスの排気孔とを独立して備えているため、半導体チ
ップを所定のダイボンディング位置に載置する際に、真
空吸着と吹き出しとの切り替えを行う必要がない。この
ため、半導体チップは、所定のダイボンディング位置に
載置・固定されるまでコレットに確実に把持させておく
ことができる結果、正確な位置に載置・固定することが
できる。そして、この載置・固定は、不活性ガスの吹き
出しながら行うことができる結果、プリフォーム材の盛
り上がり部分を平坦にすることができると共に、プリフ
ォーム材の吸い込みを防止することができ、半導体チッ
プに形成された素子が汚染されることを防止することが
できる。
体製造装置は、コレットの凹部に把持された半導体チッ
プを真空吸着する吸気孔と、半導体チップを接着するプ
リフォーム材の盛り上がり部分を平坦にすると共に、プ
リフォーム材の吸い込みを防止するために吹き出す不活
性ガスの排気孔とを独立して備えているため、半導体チ
ップを所定のダイボンディング位置に載置する際に、真
空吸着と吹き出しとの切り替えを行う必要がない。この
ため、半導体チップは、所定のダイボンディング位置に
載置・固定されるまでコレットに確実に把持させておく
ことができる結果、正確な位置に載置・固定することが
できる。そして、この載置・固定は、不活性ガスの吹き
出しながら行うことができる結果、プリフォーム材の盛
り上がり部分を平坦にすることができると共に、プリフ
ォーム材の吸い込みを防止することができ、半導体チッ
プに形成された素子が汚染されることを防止することが
できる。
【００２４】そして、本発明に係る半導体装置の製造方
法は、半導体チップをコレットの所定位置に吸着把持
し、当該半導体チップの側面と該コレットとが形成する
隙間から不活性ガスを吹き出しながら、該半導体チップ
を所定のダイボンデイング位置に載置・固定するため、
半導体チップの真空吸着と、不活性ガスの吹き出しとを
独立して行うことができる。従って、前記半導体チップ
は、所定のダイボンディング位置に載置・固定されるま
でコレットに確実に把持させておくことができる結果、
正確な位置に載置・固定することができる。そして、こ
の載置・固定は、不活性ガスを吹き出しながら行うた
め、プリフォーム材の盛り上がり部分を平坦にすること
ができると共に、プリフォーム材の吸い込みを防止する
ことができ、半導体チップに形成された素子が汚染され
ることを防止することができる。
法は、半導体チップをコレットの所定位置に吸着把持
し、当該半導体チップの側面と該コレットとが形成する
隙間から不活性ガスを吹き出しながら、該半導体チップ
を所定のダイボンデイング位置に載置・固定するため、
半導体チップの真空吸着と、不活性ガスの吹き出しとを
独立して行うことができる。従って、前記半導体チップ
は、所定のダイボンディング位置に載置・固定されるま
でコレットに確実に把持させておくことができる結果、
正確な位置に載置・固定することができる。そして、こ
の載置・固定は、不活性ガスを吹き出しながら行うた
め、プリフォーム材の盛り上がり部分を平坦にすること
ができると共に、プリフォーム材の吸い込みを防止する
ことができ、半導体チップに形成された素子が汚染され
ることを防止することができる。
【図１】本発明の実施例に係る半導体製造装置の構成断
面図である。
面図である。
【図２】図１に示す半導体製造装置のＡ側平面図であ
る。
る。
【図３】本実施例に係る半導体製造装置を使用して半導
体チップを所定のダイボンディング位置にダイボンディ
ングする工程を示す断面図である。
体チップを所定のダイボンディング位置にダイボンディ
ングする工程を示す断面図である。
【図４】本発明の他の実施例に係る半導体製造装置の平
面図である。
面図である。
【図５】本発明の他の実施例に係る半導体製造装置の平
面図である。
面図である。
１ コレット ２ 吸気孔 ３ 排気孔 ４ 凹部 ５ 不活性ガス排気手段 ６ 真空ポンプ ７ 半導体チップ ８ プリフォーム材 ９ 排気孔 １１ 吸気管 １２ 排気管
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップを把持する凹部と、当該凹
部に把持された半導体チップと該凹部とが形成する空間
に連通され、該半導体チップを真空吸着する吸気孔を有
するコレットを備えた半導体製造装置において、 前記コレットに把持された半導体チップの側面と該コレ
ットとが形成する隙間に連通する排気孔と、当該排気孔
に連通され、該排気孔を介して不活性ガスを吹き出す不
活性ガス排気手段と、を備えたことを特徴とする半導体
製造装置。 - 【請求項２】 コレットの所定位置に吸着把持した半導
体チップを、プリフォーム材が塗布された所定のダイボ
ンデイング位置に載置し、当該半導体チップをダイボン
ディングする半導体装置の製造方法において、 前記コレットに把持された半導体チップの側面と該コレ
ットとが形成する隙間から不活性ガスを吹き出しなが
ら、当該半導体チップを所定のダイボンデイング位置に
載置・固定することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268293A JPH06314708A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268293A JPH06314708A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314708A true JPH06314708A (ja) | 1994-11-08 |
Family
ID=14334011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10268293A Pending JPH06314708A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06314708A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009076606A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Shibaura Mechatronics Corp | 電子部品の実装装置及び実装方法 |
| JP2014110262A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 剥離装置および剥離方法 |
| US20190067238A1 (en) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for inhibiting bonding materials from contaminating a semiconductor processing tool |
| CN113319500A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-08-31 | 大连交通大学 | 一种真空吸盘式焊缝背部防氧化装置 |
| KR20220136193A (ko) * | 2021-03-31 | 2022-10-07 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 픽업 콜릿, 픽업 장치 및 실장 장치 |
| JP2022174463A (ja) * | 2021-05-11 | 2022-11-24 | 澁谷工業株式会社 | ボンディング装置 |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP10268293A patent/JPH06314708A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US10700038B2 (en) * | 2017-08-25 | 2020-06-30 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for inhibiting bonding materials from contaminating a semiconductor processing tool |
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| CN113319500B (zh) * | 2021-05-18 | 2023-10-20 | 大连交通大学 | 一种真空吸盘式焊缝背部防氧化装置 |
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