JPH0631850A - 高ガスバリヤー性透明導電性フィルム - Google Patents
高ガスバリヤー性透明導電性フィルムInfo
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- JPH0631850A JPH0631850A JP4188091A JP18809192A JPH0631850A JP H0631850 A JPH0631850 A JP H0631850A JP 4188091 A JP4188091 A JP 4188091A JP 18809192 A JP18809192 A JP 18809192A JP H0631850 A JPH0631850 A JP H0631850A
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- JP
- Japan
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- film
- transparent conductive
- oxide
- gas barrier
- conductive film
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ポリエーテルスルフォン等の高分子フィルム
の少なくとも片面上に、酸化珪素、酸化アルミニウム、
酸化チタンのなかから少なくとも１つ選ばれた金属酸化
物中に酸化ホウ素が５〜２０モル％均一に分散した膜が
膜厚１０〜１０００ｎｍの範囲で形成され、さらに、そ
のフィルムの少なくとも片面上に酸化インジウムを主成
分とする透明導電性薄膜が形成されたフィルム。 【効果】 液晶表示素子用フィルムに用いるのに適し
た、透明性ならびに高度のガスバリヤー性を持つ透明導
電性フィルムを提供される。
の少なくとも片面上に、酸化珪素、酸化アルミニウム、
酸化チタンのなかから少なくとも１つ選ばれた金属酸化
物中に酸化ホウ素が５〜２０モル％均一に分散した膜が
膜厚１０〜１０００ｎｍの範囲で形成され、さらに、そ
のフィルムの少なくとも片面上に酸化インジウムを主成
分とする透明導電性薄膜が形成されたフィルム。 【効果】 液晶表示素子用フィルムに用いるのに適し
た、透明性ならびに高度のガスバリヤー性を持つ透明導
電性フィルムを提供される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高分子フィルムを基材
とした透明導電性フィルムに関し、さらに詳しくは高ガ
スバリヤー性を有する透明導電性フィルムに関し、さら
には、液晶表示用として好適に使用しうる高ガスバリヤ
ー性を有する透明導電性フィルムに関するものである。
とした透明導電性フィルムに関し、さらに詳しくは高ガ
スバリヤー性を有する透明導電性フィルムに関し、さら
には、液晶表示用として好適に使用しうる高ガスバリヤ
ー性を有する透明導電性フィルムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より液晶表示用透明導電体の基材と
してはガラスが用いられてきたが、近年になり、軽量で
ある、大面積化が容易である、割れない、加工性が優れ
ているという性質をもつ透明導電性フィルムが電極に用
いられる用になってきた。しかし、導電性フィルムを使
用した場合、フィルムを透過する水蒸気や酸素等の気体
が液晶素子の性能劣化を招くことがわかってきた。この
ような問題を解決するために、高分子フィルム基材に気
体に対するバリヤー性を付与する必要が明らかになっ
た。
してはガラスが用いられてきたが、近年になり、軽量で
ある、大面積化が容易である、割れない、加工性が優れ
ているという性質をもつ透明導電性フィルムが電極に用
いられる用になってきた。しかし、導電性フィルムを使
用した場合、フィルムを透過する水蒸気や酸素等の気体
が液晶素子の性能劣化を招くことがわかってきた。この
ような問題を解決するために、高分子フィルム基材に気
体に対するバリヤー性を付与する必要が明らかになっ
た。
【０００３】気体に対するバリヤー性を付与するため、
高分子フィルムの片面もしくは両面に、ＳｉＯ、ＳｉＯ
2 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎ
ｂ2 Ｏ3 、等の酸化物や窒化アルミの層を設け、これら
高分子層の少なくとも片面上に酸化インジウムを主成分
とする被膜を形成した透明導電性フィルムが開示されて
いる（例えば、特開昭５９−２０４５４５、特開昭６３
−２０５０９４）。しかしながら、これら酸化物や窒化
物の薄膜は、透明性、気体バリヤー性もある程度はもっ
ているが、高分子フィルム上に作成されるため、低温度
で成膜しなければならず高いバリヤー性を得ることがで
きない。また、高ガスバリヤー性を得るためには、包装
材料の分野で用いられるアルミニウム等の金属を蒸着を
施すと、可視光の透過性が全く損なわれてしまうという
欠点があった。
高分子フィルムの片面もしくは両面に、ＳｉＯ、ＳｉＯ
2 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎ
ｂ2 Ｏ3 、等の酸化物や窒化アルミの層を設け、これら
高分子層の少なくとも片面上に酸化インジウムを主成分
とする被膜を形成した透明導電性フィルムが開示されて
いる（例えば、特開昭５９−２０４５４５、特開昭６３
−２０５０９４）。しかしながら、これら酸化物や窒化
物の薄膜は、透明性、気体バリヤー性もある程度はもっ
ているが、高分子フィルム上に作成されるため、低温度
で成膜しなければならず高いバリヤー性を得ることがで
きない。また、高ガスバリヤー性を得るためには、包装
材料の分野で用いられるアルミニウム等の金属を蒸着を
施すと、可視光の透過性が全く損なわれてしまうという
欠点があった。
【０００４】
【発明が解決しょうとする課題】上記のように、従来の
技術では、透明導電性フィルムにおいて透明性ならびに
完全なガスバリヤー性を同時に成立せすることは困難で
あった。本発明の目的は上記の従来の方法の欠点を解決
し、透明性、および優れたガスバリヤー性を有する透明
導電性フィルムを提供することにある。
技術では、透明導電性フィルムにおいて透明性ならびに
完全なガスバリヤー性を同時に成立せすることは困難で
あった。本発明の目的は上記の従来の方法の欠点を解決
し、透明性、および優れたガスバリヤー性を有する透明
導電性フィルムを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
めに鋭意研究を重ねた結果、可視光領域において透過率
が高く、かつ、気体の透過率が著しく低い透明導電性フ
ィルムとして、高分子フィルム基材の少なくとも片面上
に、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、
酸化チタンの群から選ばれた少なくとも１つ以上の金属
酸化物（ＭＯ）と酸化硼素（ＢＯ）がモル比で、ＢＯ／
ＭＯ＝０．０５〜０．２となされた層（ＭＯ＋ＢＯ薄
膜）を形成したものを見いだし、本発明に到達した。す
なわち、本発明は、高分子フィルム基材の少なくとも片
面上に、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタンの群
から選ばれた少なくとも１つ以上の金属酸化物（以下Ｍ
Ｏと略記）に酸化硼素（ＢＯと略記）がモル比で、Ｂ
Ｏ：ＭＯ＝０．０５〜０．２となされた組成物の１０〜
１０００ｎｍの膜厚をもつ薄膜層( ＭＯ＋ＢＯ薄膜 )が
形成され、該フィルムの少なくとも一方にインジウム酸
化物を主成分とする透明な導電性膜が形成されてなる高
ガスバリヤー性の透明導電性フィルム、を提供するもの
である。
めに鋭意研究を重ねた結果、可視光領域において透過率
が高く、かつ、気体の透過率が著しく低い透明導電性フ
ィルムとして、高分子フィルム基材の少なくとも片面上
に、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、
酸化チタンの群から選ばれた少なくとも１つ以上の金属
酸化物（ＭＯ）と酸化硼素（ＢＯ）がモル比で、ＢＯ／
ＭＯ＝０．０５〜０．２となされた層（ＭＯ＋ＢＯ薄
膜）を形成したものを見いだし、本発明に到達した。す
なわち、本発明は、高分子フィルム基材の少なくとも片
面上に、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタンの群
から選ばれた少なくとも１つ以上の金属酸化物（以下Ｍ
Ｏと略記）に酸化硼素（ＢＯと略記）がモル比で、Ｂ
Ｏ：ＭＯ＝０．０５〜０．２となされた組成物の１０〜
１０００ｎｍの膜厚をもつ薄膜層( ＭＯ＋ＢＯ薄膜 )が
形成され、該フィルムの少なくとも一方にインジウム酸
化物を主成分とする透明な導電性膜が形成されてなる高
ガスバリヤー性の透明導電性フィルム、を提供するもの
である。
【０００６】本発明の透明導電性フィルムとしては、種
々の形態がありうるが、例えば、図５〜図８にその一例
を示した。ここで、１は、高分子フィルム基材、２はＭ
Ｏ＋ＢＯ薄膜層、3 は透明な導電性膜である。本発明に
おいて、基材となる高分子フィルムは、とくに限定しな
いが、透明導電性フィルムの製造工程で１００℃〜２０
０℃になることを考慮すれば、ある程度の耐熱性を持つ
ことが望ましく、ポリエステル、ポリエーテルスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリオレフィンフ
ィルム等が挙げられ、特に、ポリエーテルスルフォン、
ポリイミドが好ましい。なお、基材フィルムの厚みは、
特に限定するものではないが、通常５〜１０００μm 程
度が使用される。勿論、目的に応じてこれ以外の膜厚も
使用可能である。
々の形態がありうるが、例えば、図５〜図８にその一例
を示した。ここで、１は、高分子フィルム基材、２はＭ
Ｏ＋ＢＯ薄膜層、3 は透明な導電性膜である。本発明に
おいて、基材となる高分子フィルムは、とくに限定しな
いが、透明導電性フィルムの製造工程で１００℃〜２０
０℃になることを考慮すれば、ある程度の耐熱性を持つ
ことが望ましく、ポリエステル、ポリエーテルスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリオレフィンフ
ィルム等が挙げられ、特に、ポリエーテルスルフォン、
ポリイミドが好ましい。なお、基材フィルムの厚みは、
特に限定するものではないが、通常５〜１０００μm 程
度が使用される。勿論、目的に応じてこれ以外の膜厚も
使用可能である。
【０００７】本発明で用いられるＭＯ＋ＢＯ薄膜は、１
０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の膜厚で均一な連続膜を形
成とすることが好ましい。これにより、透明性を損なわ
ず、優れた高ガスバリヤー性を発揮する。１０ｎｍ未満
ではガスバリヤー性が充分でなく、膜厚の増加とともに
ガスバリヤー性は増加するが、１００ｎｍ以上ではその
性質は飽和傾向を示し、さらに１０００ｎｍ以上では膜
の密着強度が減少するので、本発明のＭＯ＋ＢＯ薄膜の
膜厚は、１０〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。さら
に、好ましくは２０〜５００ｎｍの範囲である。
０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の膜厚で均一な連続膜を形
成とすることが好ましい。これにより、透明性を損なわ
ず、優れた高ガスバリヤー性を発揮する。１０ｎｍ未満
ではガスバリヤー性が充分でなく、膜厚の増加とともに
ガスバリヤー性は増加するが、１００ｎｍ以上ではその
性質は飽和傾向を示し、さらに１０００ｎｍ以上では膜
の密着強度が減少するので、本発明のＭＯ＋ＢＯ薄膜の
膜厚は、１０〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。さら
に、好ましくは２０〜５００ｎｍの範囲である。
【０００８】本発明における膜厚の測定には、触針粗さ
計、繰り返し反射干渉計、マイクロバランス、水晶振動
子を用いる方法等があるが、水晶振動子法では成膜中に
膜厚測定が可能なので所望の膜厚を得るのに適してい
る。ＭＯ＋ＢＯ薄膜中のモル組成比ＢＯ／ＭＯの増加に
ともない透明性の低下が見られるため、本発明の膜にお
けるモル組成比ＢＯ／ＭＯの範囲としては、０．０５〜
０．２が好ましい。より好ましくは、０．０５〜０．１
である。
計、繰り返し反射干渉計、マイクロバランス、水晶振動
子を用いる方法等があるが、水晶振動子法では成膜中に
膜厚測定が可能なので所望の膜厚を得るのに適してい
る。ＭＯ＋ＢＯ薄膜中のモル組成比ＢＯ／ＭＯの増加に
ともない透明性の低下が見られるため、本発明の膜にお
けるモル組成比ＢＯ／ＭＯの範囲としては、０．０５〜
０．２が好ましい。より好ましくは、０．０５〜０．１
である。
【０００９】本発明において、ＭＯ＋ＢＯ薄膜を作成す
る手段は特に限定されないが、公知の成膜法であるマグ
ネトロンスパッタ法やイオンビームスパッタ法等の物理
気相蒸着法で作成することができる。また、適宜、真空
蒸着法や電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法を
組み合わせることができる。基材が高分子材料であり、
金属やセラミックスに比べると耐熱性に劣るため、なる
べく低い温度で作成することが重要である。この目的の
ために、基材冷却を行いないつつ、所望の金属酸化物と
ＢＯをターゲットにしアルゴンイオンによりスパッタし
室温で成膜するマグネトロンスパッタ法またはイオンビ
ームスパッタ法が有効である。ＢＯの組成を制御は、ス
パッタ法にいてはターゲット表面における金属酸化物と
ＢＯの占める面積の割合を変化させることによって行う
ことができる。あるいは、反応性ガスとして酸素を使用
した反応性スパッタ法、反応性イオンプレーティング法
等により製造する場合は酸素の流量を制御しながら硼素
を蒸着することによりＢＯの組成比を制御することが可
能である。また、組成の測定は、Ｘ線光電子分光法やＸ
線マイクロ分析法を用いることができる。
る手段は特に限定されないが、公知の成膜法であるマグ
ネトロンスパッタ法やイオンビームスパッタ法等の物理
気相蒸着法で作成することができる。また、適宜、真空
蒸着法や電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法を
組み合わせることができる。基材が高分子材料であり、
金属やセラミックスに比べると耐熱性に劣るため、なる
べく低い温度で作成することが重要である。この目的の
ために、基材冷却を行いないつつ、所望の金属酸化物と
ＢＯをターゲットにしアルゴンイオンによりスパッタし
室温で成膜するマグネトロンスパッタ法またはイオンビ
ームスパッタ法が有効である。ＢＯの組成を制御は、ス
パッタ法にいてはターゲット表面における金属酸化物と
ＢＯの占める面積の割合を変化させることによって行う
ことができる。あるいは、反応性ガスとして酸素を使用
した反応性スパッタ法、反応性イオンプレーティング法
等により製造する場合は酸素の流量を制御しながら硼素
を蒸着することによりＢＯの組成比を制御することが可
能である。また、組成の測定は、Ｘ線光電子分光法やＸ
線マイクロ分析法を用いることができる。
【００１０】ＭＯ＋ＢＯ薄膜を形成する前に高分子フィ
ルム基材に前処理として、コロナ放電処理、プラズマ処
理、グロー放電処理、逆スパッタ処理、粗面化処理、化
学処理などの表面処理や公知のアンダーコートを施した
することを適宜行うことも好ましい。また、ＭＯ＋ＢＯ
膜は化学的に安定であるが、長期にわたって過酷な条件
で使用される場合には必要に応じてＭＯ＋ＢＯ膜上に保
護層を形成することが望ましい。保護層には透明な樹脂
を用いればよく、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ビ
ニル樹脂、ポリカーボネート等が挙げられる。
ルム基材に前処理として、コロナ放電処理、プラズマ処
理、グロー放電処理、逆スパッタ処理、粗面化処理、化
学処理などの表面処理や公知のアンダーコートを施した
することを適宜行うことも好ましい。また、ＭＯ＋ＢＯ
膜は化学的に安定であるが、長期にわたって過酷な条件
で使用される場合には必要に応じてＭＯ＋ＢＯ膜上に保
護層を形成することが望ましい。保護層には透明な樹脂
を用いればよく、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ビ
ニル樹脂、ポリカーボネート等が挙げられる。
【００１１】なお、特開昭５９ー１３７９２７にホウ素
を含有するシリカコーティング膜に関する技術が開示さ
れているが、本発明においては、硼素ではなく酸化硼
素が酸化硅素中に均一に分散している点、および、成
膜環境と成膜方法が低温度かつドライである点が異なっ
ている。したがって、作成される膜の構造・物性も異な
っていおり、本発明は、本質的に特開昭５９ー１３７９
２７とは全く別のものである。勿論、引例の膜では本願
発明の目的を達成することはできない。酸化インジュウ
ムを主体とする透明導電層の製造方法は特に限定されな
いが、公知の成膜技術である真空蒸着法、電子ビーム蒸
着法、イオンプレーティング法、スパッタ法等で行うこ
とができる。例えば、真空蒸着法で行う場合は、酸化イ
ンジュウムを主体とする原料を、酸素分圧が約１０-4Ｔ
ｏｒｒに制御されたの真空中で抵抗加熱により蒸発さ
せ、高分子フィルム上に透明導電層を得ることができ
る。
を含有するシリカコーティング膜に関する技術が開示さ
れているが、本発明においては、硼素ではなく酸化硼
素が酸化硅素中に均一に分散している点、および、成
膜環境と成膜方法が低温度かつドライである点が異なっ
ている。したがって、作成される膜の構造・物性も異な
っていおり、本発明は、本質的に特開昭５９ー１３７９
２７とは全く別のものである。勿論、引例の膜では本願
発明の目的を達成することはできない。酸化インジュウ
ムを主体とする透明導電層の製造方法は特に限定されな
いが、公知の成膜技術である真空蒸着法、電子ビーム蒸
着法、イオンプレーティング法、スパッタ法等で行うこ
とができる。例えば、真空蒸着法で行う場合は、酸化イ
ンジュウムを主体とする原料を、酸素分圧が約１０-4Ｔ
ｏｒｒに制御されたの真空中で抵抗加熱により蒸発さ
せ、高分子フィルム上に透明導電層を得ることができ
る。
【００１２】
【発明の効果】本発明の高ガスバリヤー性透明導電性フ
ィルムは、上述のごとく構成したので、以下のような優
れた効果を有する。 （１）ガスバリヤー性に優れる。 （２）透明性に優れる。 （３）液晶表示用電極として好適に使用できる。
ィルムは、上述のごとく構成したので、以下のような優
れた効果を有する。 （１）ガスバリヤー性に優れる。 （２）透明性に優れる。 （３）液晶表示用電極として好適に使用できる。
【００１３】
実施例１ 基材フィルムとして５０μｍのＰＥＳを用い、反応性マ
グネトロンスパッタ法によりＳｉＯ2 とＢをターゲット
として、モル組成比ＢＯ／ＭＯ＝０．１の膜を、膜厚１
０ｎｍから１０００ｎｍの範囲で作成し、酸化インジュ
ウムを主成分とする導電膜層をその上に２０ｎｍ作成し
た。表１に作成条件を示す。酸素ガス透過率および可視
光の透過率、膜の密着強度を測定し、結果を図１および
図２に示した。図１はガス透過率とガスバリヤー層の膜
厚の関係を示している。図２は可視光の透過率とガスバ
リヤー層の膜厚の関係を示したのである。表２は膜の密
着強度をスコッチテープテストで行った結果を示したも
のである。また、膜厚５０ｎｍにおける酸素の透過率は
０．２ｃｃ／ｍ2 ／２４ｈｒ（１気圧）であった。
グネトロンスパッタ法によりＳｉＯ2 とＢをターゲット
として、モル組成比ＢＯ／ＭＯ＝０．１の膜を、膜厚１
０ｎｍから１０００ｎｍの範囲で作成し、酸化インジュ
ウムを主成分とする導電膜層をその上に２０ｎｍ作成し
た。表１に作成条件を示す。酸素ガス透過率および可視
光の透過率、膜の密着強度を測定し、結果を図１および
図２に示した。図１はガス透過率とガスバリヤー層の膜
厚の関係を示している。図２は可視光の透過率とガスバ
リヤー層の膜厚の関係を示したのである。表２は膜の密
着強度をスコッチテープテストで行った結果を示したも
のである。また、膜厚５０ｎｍにおける酸素の透過率は
０．２ｃｃ／ｍ2 ／２４ｈｒ（１気圧）であった。
【００１４】実施例２ 基材フィルムとして１００μｍのＰＥＳを用い、反応性
マグネトロンスパッタ法によりＳｉＯ2 とＢをターゲッ
トとして、モル組成比ＢＯ／ＭＯの値を変化させた膜厚
１００ｎｍの膜を作成し、可視光の透過率およびヘリウ
ムガスの透過率を測定した。結果を図３および図４に示
す。図３は、モル組成比ＢＯ／ＭＯと可視光の透過率の
関係を示したものである。図４は、モル組成比ＢＯ／Ｍ
Ｏとヘリウムの透過率の関係を示したものである。
マグネトロンスパッタ法によりＳｉＯ2 とＢをターゲッ
トとして、モル組成比ＢＯ／ＭＯの値を変化させた膜厚
１００ｎｍの膜を作成し、可視光の透過率およびヘリウ
ムガスの透過率を測定した。結果を図３および図４に示
す。図３は、モル組成比ＢＯ／ＭＯと可視光の透過率の
関係を示したものである。図４は、モル組成比ＢＯ／Ｍ
Ｏとヘリウムの透過率の関係を示したものである。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【図１】ガス透過率とガスバリヤー層の膜厚の関係を示
す図。
す図。
【図２】可視光の透過率とガスバリヤー層の膜厚との関
係を示す図。
係を示す図。
【図３】可視光の透過率とモル組成比ＢＯ／ＭＯとの関
係を示す図。
係を示す図。
【図４】ヘリウム透過率とモル組成比ＢＯ／ＭＯとの関
係を示す図。
係を示す図。
【図５】本発明の導電性フィルムの層構成の一例を示す
模式図。
模式図。
【図６】本発明の導電性フィルムの層構成の一例を示す
模式図。
模式図。
【図７】本発明の導電性フィルムの層構成の一例を示す
模式図。
模式図。
【図８】本発明の導電性フィルムの層構成の一例を示す
模式図。
模式図。
１ 高分子フィルム基材層 ２ ＭＯ＋ＢＯ薄膜層 ３ 透明な導電層
Claims (2)
- 【請求項１】 高分子フィルム基材の少なくとも片面上
に、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタンの群から
選ばれた少なくとも１つ以上の金属酸化物（以下ＭＯと
略記）に酸化硼素（ＢＯと略記）がモル比で、ＢＯ／Ｍ
Ｏ＝０．０５〜０．２となされた組成物の１０〜１００
０ｎｍの膜厚をもつ薄膜層が形成され、該フィルムの少
なくとも一方にインジウム酸化物を主成分とする透明な
導電性膜が形成されてなる高ガスバリヤー性の透明導電
性フィルム。 - 【請求項２】 高分子フィルムがポリエーテルスルフォ
ンである請求項１記載の高ガスバリヤー性の透明導電性
フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4188091A JPH0631850A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 高ガスバリヤー性透明導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4188091A JPH0631850A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 高ガスバリヤー性透明導電性フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0631850A true JPH0631850A (ja) | 1994-02-08 |
Family
ID=16217550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4188091A Pending JPH0631850A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 高ガスバリヤー性透明導電性フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0631850A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003077607A1 (en) * | 2002-03-13 | 2003-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic luminescence device and its production method |
| WO2008015756A1 (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Tohkai-Giken Co., Ltd | Apparatus for mixing powdery material with liquid material and method of producing mixture by using the mixing apparatus |
| KR101719520B1 (ko) | 2015-09-16 | 2017-03-24 | 한국화학연구원 | 탄화불소 박막을 포함하는 다층 배리어 필름 및 이의 제조방법 |
-
1992
- 1992-07-15 JP JP4188091A patent/JPH0631850A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003077607A1 (en) * | 2002-03-13 | 2003-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic luminescence device and its production method |
| WO2008015756A1 (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Tohkai-Giken Co., Ltd | Apparatus for mixing powdery material with liquid material and method of producing mixture by using the mixing apparatus |
| KR101719520B1 (ko) | 2015-09-16 | 2017-03-24 | 한국화학연구원 | 탄화불소 박막을 포함하는 다층 배리어 필름 및 이의 제조방법 |
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