JPH06318585A - 半導体ウェーハの乾燥方法および乾燥装置 - Google Patents
半導体ウェーハの乾燥方法および乾燥装置Info
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- JPH06318585A JPH06318585A JP10829593A JP10829593A JPH06318585A JP H06318585 A JPH06318585 A JP H06318585A JP 10829593 A JP10829593 A JP 10829593A JP 10829593 A JP10829593 A JP 10829593A JP H06318585 A JPH06318585 A JP H06318585A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウォーターマークの発生を防止し、半導体装
置の製造歩留りや信頼性を高めることが可能な半導体ウ
ェーハの乾燥方法および乾燥装置を提供する。 【構成】 チャンバー１１と、前記チャンバー１１内で
半導体ウェーハを保持する保持手段１５と、前記保持手
段１５に保持された上記半導体ウェーハの表面にリンス
液を供給する供給手段１８と、前記保持手段１５に保持
された上記半導体ウェーハを乾燥させる乾燥手段１４と
を有する半導体ウェーハの乾燥装置を用いて、半導体ウ
ェーハの表面を乾燥開始直前までチャンバー内でリンス
液にさらしておく。
置の製造歩留りや信頼性を高めることが可能な半導体ウ
ェーハの乾燥方法および乾燥装置を提供する。 【構成】 チャンバー１１と、前記チャンバー１１内で
半導体ウェーハを保持する保持手段１５と、前記保持手
段１５に保持された上記半導体ウェーハの表面にリンス
液を供給する供給手段１８と、前記保持手段１５に保持
された上記半導体ウェーハを乾燥させる乾燥手段１４と
を有する半導体ウェーハの乾燥装置を用いて、半導体ウ
ェーハの表面を乾燥開始直前までチャンバー内でリンス
液にさらしておく。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造工程の
うちの洗浄工程に用いられる半導体ウェーハの乾燥方法
および乾燥装置に関するものである。
うちの洗浄工程に用いられる半導体ウェーハの乾燥方法
および乾燥装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、半導体
ウェーハを洗浄した後、乾燥を行っている。この半導体
ウェーハの乾燥には、従来、ダウンフロー型スピンドラ
イヤーを用いていた。図４は従来の乾燥装置を模式的に
示した断面図である。ここで、４１はチャンバー本体、
４２は通気可能なチャンバーの蓋、４３はチャンバーの
蓋４２に取付けられたフィルター、４４は回転テーブル
である。４５ａおよび４５ｂは半導体ウェーハを入れた
キャリアを取付けるクレイドルで、装置停止状態では４
５ａの位置に、乾燥状態では４５ｂの位置にある。４６
はクレイドル４５ａおよび４５ｂを回転テーブル４４に
設置するクレイドル固定ネジ、４７は排気口である。
尚、図を簡略化するために図４には示さなかったが、回
転テーブル４４とクレイドル４５ａおよび４５ｂには孔
やスリット等を設けてあり、水滴を外に排出できるよう
になっている。
ウェーハを洗浄した後、乾燥を行っている。この半導体
ウェーハの乾燥には、従来、ダウンフロー型スピンドラ
イヤーを用いていた。図４は従来の乾燥装置を模式的に
示した断面図である。ここで、４１はチャンバー本体、
４２は通気可能なチャンバーの蓋、４３はチャンバーの
蓋４２に取付けられたフィルター、４４は回転テーブル
である。４５ａおよび４５ｂは半導体ウェーハを入れた
キャリアを取付けるクレイドルで、装置停止状態では４
５ａの位置に、乾燥状態では４５ｂの位置にある。４６
はクレイドル４５ａおよび４５ｂを回転テーブル４４に
設置するクレイドル固定ネジ、４７は排気口である。
尚、図を簡略化するために図４には示さなかったが、回
転テーブル４４とクレイドル４５ａおよび４５ｂには孔
やスリット等を設けてあり、水滴を外に排出できるよう
になっている。
【０００３】次に図４に従って上記従来例の動作を説明
する。チャンバーの蓋４２を開け、洗浄が終了した半導
体ウェーハを、キャリアに保持されたままクレイドル４
５ａに取付ける。チャンバーの蓋４２を閉じ、回転テー
ブル４４が高速回転すると、その遠心力によって、クレ
イドル４５ａはクレイドル固定ネジ４６を支点として回
転し、４５ｂの位置に来るため、半導体ウェーハは水平
になる。そして、この遠心力によって、半導体ウェーハ
表面に付着した超純水等のリンス液が吹き飛ばされる。
また、回転テーブル４４が高速回転すると、フィルター
４３を通して清浄な乾燥空気がチャンバー内に導入さ
れ、吹き飛ばされた水滴と共に排気口４７から排出され
る。回転テーブル４４が高速回転し、半導体ウェーハを
乾燥した後、回転テーブル４４は停止し、クレイドル４
５ｂはクレイドル固定ネジ４６を支点として回転し、４
５ａの位置に戻る。チャンバーの蓋４２を開け、乾燥が
終了した半導体ウェーハをキャリアに保持されたままク
レイドル４５ａから取り出す。このようにして半導体ウ
ェーハの乾燥が行われる。
する。チャンバーの蓋４２を開け、洗浄が終了した半導
体ウェーハを、キャリアに保持されたままクレイドル４
５ａに取付ける。チャンバーの蓋４２を閉じ、回転テー
ブル４４が高速回転すると、その遠心力によって、クレ
イドル４５ａはクレイドル固定ネジ４６を支点として回
転し、４５ｂの位置に来るため、半導体ウェーハは水平
になる。そして、この遠心力によって、半導体ウェーハ
表面に付着した超純水等のリンス液が吹き飛ばされる。
また、回転テーブル４４が高速回転すると、フィルター
４３を通して清浄な乾燥空気がチャンバー内に導入さ
れ、吹き飛ばされた水滴と共に排気口４７から排出され
る。回転テーブル４４が高速回転し、半導体ウェーハを
乾燥した後、回転テーブル４４は停止し、クレイドル４
５ｂはクレイドル固定ネジ４６を支点として回転し、４
５ａの位置に戻る。チャンバーの蓋４２を開け、乾燥が
終了した半導体ウェーハをキャリアに保持されたままク
レイドル４５ａから取り出す。このようにして半導体ウ
ェーハの乾燥が行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置の製造工程
途中では、半導体ウェーハの表面に、親水性の部分と疎
水性の部分の両方が存在することが多い。このような表
面状態の場合、従来の乾燥方法では、乾燥終了時点で親
水性部分の一部（主に疎水性部分との境界付近）にウォ
ーターマークと呼ばれる水シミが発生していた。
途中では、半導体ウェーハの表面に、親水性の部分と疎
水性の部分の両方が存在することが多い。このような表
面状態の場合、従来の乾燥方法では、乾燥終了時点で親
水性部分の一部（主に疎水性部分との境界付近）にウォ
ーターマークと呼ばれる水シミが発生していた。
【０００５】従来の乾燥方法でウォーターマークが発生
する原因は、次の通りである。従来の乾燥方法では、半
導体ウェーハを超純水等のリンス液でオーバーフローリ
ンスする最終洗浄工程を終了してから乾燥を開始するま
での時間が、最短でも３０秒程度かかり、その間に半導
体ウェーハ表面上の物質が半導体ウェーハ上の超純水中
に溶出する。半導体ウェーハ表面の親水性の部分のう
ち、疎水性の部分との境界付近は最も乾燥が遅いので、
上記の溶出した半導体ウェハ表面上の物質が、この乾燥
が最も遅い部分に析出してウォーターマークとなる。
する原因は、次の通りである。従来の乾燥方法では、半
導体ウェーハを超純水等のリンス液でオーバーフローリ
ンスする最終洗浄工程を終了してから乾燥を開始するま
での時間が、最短でも３０秒程度かかり、その間に半導
体ウェーハ表面上の物質が半導体ウェーハ上の超純水中
に溶出する。半導体ウェーハ表面の親水性の部分のう
ち、疎水性の部分との境界付近は最も乾燥が遅いので、
上記の溶出した半導体ウェハ表面上の物質が、この乾燥
が最も遅い部分に析出してウォーターマークとなる。
【０００６】このウォーターマークが発生すると、半導
体装置の製造歩留りや信頼性が低下するという問題点が
あった。
体装置の製造歩留りや信頼性が低下するという問題点が
あった。
【０００７】本発明の目的は、ウォーターマークの発生
を防止し、半導体装置の製造歩留りや信頼性を高めるこ
とが可能な半導体ウェーハの乾燥方法および乾燥装置を
提供することである。
を防止し、半導体装置の製造歩留りや信頼性を高めるこ
とが可能な半導体ウェーハの乾燥方法および乾燥装置を
提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明における半導体ウ
ェーハの乾燥方法は、半導体ウェーハの表面を乾燥開始
直前までチャンバー内でリンス液にさらしておくことを
特徴とするものである。また、本発明における半導体ウ
ェーハの乾燥装置は、チャンバーと、前記チャンバー内
で半導体ウェーハを保持する保持手段と、前記保持手段
に保持された上記半導体ウェーハの表面にリンス液を供
給する供給手段と、前記保持手段に保持された上記半導
体ウェーハを乾燥させる乾燥手段とを有することを特徴
とするものである。
ェーハの乾燥方法は、半導体ウェーハの表面を乾燥開始
直前までチャンバー内でリンス液にさらしておくことを
特徴とするものである。また、本発明における半導体ウ
ェーハの乾燥装置は、チャンバーと、前記チャンバー内
で半導体ウェーハを保持する保持手段と、前記保持手段
に保持された上記半導体ウェーハの表面にリンス液を供
給する供給手段と、前記保持手段に保持された上記半導
体ウェーハを乾燥させる乾燥手段とを有することを特徴
とするものである。
【０００９】
【実施例】図１（Ａ）および（Ｂ）は、実施例の半導体
ウェーハの乾燥装置を模式的に示した断面図であり、
（Ａ）はオーバーフローリンス状態の場合、（Ｂ）は乾
燥状態の場合に対応している。ここで、１１はチャンバ
ー本体、１２は通気可能なチャンバーの蓋、１３はチャ
ンバーの蓋１２に取付けられたフィルター、１４は回転
テーブル（半導体ウェーハを乾燥させる乾燥手段）、１
５は半導体ウェーハを入れたキャリアを取付けるクレイ
ドル（半導体ウェーハの保持手段）、１６はクレイドル
１５を回転テーブル１４に設置するクレイドル固定ネ
ジ、１７は排気口、１８は給水管（リンス液を供給する
供給手段）、１９は排水口である。尚、図を簡略化する
ために図１には示さなかったが、回転テーブル１４とク
レイドル１５と給水管１８には孔やスリット等を設けて
あり、超純水や水滴を供給したり排出できるようになっ
ている。
ウェーハの乾燥装置を模式的に示した断面図であり、
（Ａ）はオーバーフローリンス状態の場合、（Ｂ）は乾
燥状態の場合に対応している。ここで、１１はチャンバ
ー本体、１２は通気可能なチャンバーの蓋、１３はチャ
ンバーの蓋１２に取付けられたフィルター、１４は回転
テーブル（半導体ウェーハを乾燥させる乾燥手段）、１
５は半導体ウェーハを入れたキャリアを取付けるクレイ
ドル（半導体ウェーハの保持手段）、１６はクレイドル
１５を回転テーブル１４に設置するクレイドル固定ネ
ジ、１７は排気口、１８は給水管（リンス液を供給する
供給手段）、１９は排水口である。尚、図を簡略化する
ために図１には示さなかったが、回転テーブル１４とク
レイドル１５と給水管１８には孔やスリット等を設けて
あり、超純水や水滴を供給したり排出できるようになっ
ている。
【００１０】図２（Ａ）〜（Ｃ）は、本実施例で用いる
クレイドルの説明図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は
（Ａ）の下面図、（Ｃ）は（Ａ）のｃ−ｃ部分の断面図
である。ここで、１５はクレイドルで、このクレイドル
１５の上側からキャリアを取付ける。２１はクレイドル
１５に取付けたキャリアストッパーで、キャリアの落下
を防止するものである。２２はクレイドル１５の底面に
取付けたシール材（たとえばシリコンゴムやテフロン樹
脂等）で、オーバーフローリンス時にリンス液の漏れを
防ぐものである。
クレイドルの説明図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は
（Ａ）の下面図、（Ｃ）は（Ａ）のｃ−ｃ部分の断面図
である。ここで、１５はクレイドルで、このクレイドル
１５の上側からキャリアを取付ける。２１はクレイドル
１５に取付けたキャリアストッパーで、キャリアの落下
を防止するものである。２２はクレイドル１５の底面に
取付けたシール材（たとえばシリコンゴムやテフロン樹
脂等）で、オーバーフローリンス時にリンス液の漏れを
防ぐものである。
【００１１】図３は、本実施例における給水方法を説明
する平面図である。ここで、１８は給水管、１５はクレ
イドル、３１は給水管１８に設けられた孔である。給水
管１８からクレイドル１５へのリンス液の供給は、孔３
１を通して行なう。給水管１８の表面とクレイドル１５
の下面が平らで、しかもクレイドル１５の下面にはシー
ル材が取付けられているため、給水管１８の表面とクレ
イドル１５の下面とを合わせるだけでリンス液を漏らさ
ずにオーバーフローリンスできる。尚、図を簡略化する
ために図３にはクレイドルに取付けられたキャリアスト
ッパーを示していない。
する平面図である。ここで、１８は給水管、１５はクレ
イドル、３１は給水管１８に設けられた孔である。給水
管１８からクレイドル１５へのリンス液の供給は、孔３
１を通して行なう。給水管１８の表面とクレイドル１５
の下面が平らで、しかもクレイドル１５の下面にはシー
ル材が取付けられているため、給水管１８の表面とクレ
イドル１５の下面とを合わせるだけでリンス液を漏らさ
ずにオーバーフローリンスできる。尚、図を簡略化する
ために図３にはクレイドルに取付けられたキャリアスト
ッパーを示していない。
【００１２】次に図１〜図３に従って実施例の動作を説
明する。
明する。
【００１３】（Ａ）チャンバーの蓋１２を開け、最終洗
浄が終了した半導体ウェーハをキャリアに保持されたま
まクレイドル１５に取付ける。その直後、給水管１８か
ら超純水等のリンス液がクレイドル１５に供給され、ク
レイドル１５からあふれたリンス液は、回転テーブル１
４とチャンバー本体１１を経由して、排水口１９から排
水される。そこで、半導体ウェーハはクレイドル１５内
でキャリアごとオーバーフローリンスされる。オーバー
フローリンス開始と同時に、チャンバーの蓋１２を閉じ
る。
浄が終了した半導体ウェーハをキャリアに保持されたま
まクレイドル１５に取付ける。その直後、給水管１８か
ら超純水等のリンス液がクレイドル１５に供給され、ク
レイドル１５からあふれたリンス液は、回転テーブル１
４とチャンバー本体１１を経由して、排水口１９から排
水される。そこで、半導体ウェーハはクレイドル１５内
でキャリアごとオーバーフローリンスされる。オーバー
フローリンス開始と同時に、チャンバーの蓋１２を閉じ
る。
【００１４】（Ｂ）オーバーフローリンス終了と同時に
給水が停止し、給水管１８が下に移動する。給水管１８
が下に移動することにより、クレイドル１５中のリンス
液が回転テーブル１４とチャンバー本体１１を経由して
排水口１９から排出される。また、給水管１８が下に移
動すると、クレイドル１５はクレイドル固定ネジ１６を
支点として回転し、１５ａに示す位置に来る。給水管１
８が下に移動し止まると同時に、回転テーブル１４が高
速回転し、その遠心力によって、クレイドル１５はクレ
イドル固定ネジ１６を支点として回転し、１５ｂに示す
位置に来るため、半導体ウェーハは水平になる。そし
て、この遠心力によって、半導体ウェーハ表面に付着し
た超純水等のリンス液が吹き飛ばされる。また、回転テ
ーブル１４が高速回転すると、フィルター１３を通して
清浄な乾燥空気がチャンバー内に導入され、吹き飛ばさ
れた水滴と共に排気口１７から排出される。回転テーブ
ル１４が高速回転し、半導体ウェーハを乾燥した後、回
転テーブル１４は停止し、クレイドル１５ｂはクレイド
ル固定ネジ１６を支点として回転し、１５ａの位置に戻
る。回転テーブル１４の停止と共に、給水管１８が上に
移動する。ただしこの時、給水は停止している。また、
給水管１８が上に移動するので、クレイドル１５はクレ
イドル固定ネジ１６を支点として回転し、（Ａ）に示し
た位置に戻るため、半導体ウェーハは垂直になる。
給水が停止し、給水管１８が下に移動する。給水管１８
が下に移動することにより、クレイドル１５中のリンス
液が回転テーブル１４とチャンバー本体１１を経由して
排水口１９から排出される。また、給水管１８が下に移
動すると、クレイドル１５はクレイドル固定ネジ１６を
支点として回転し、１５ａに示す位置に来る。給水管１
８が下に移動し止まると同時に、回転テーブル１４が高
速回転し、その遠心力によって、クレイドル１５はクレ
イドル固定ネジ１６を支点として回転し、１５ｂに示す
位置に来るため、半導体ウェーハは水平になる。そし
て、この遠心力によって、半導体ウェーハ表面に付着し
た超純水等のリンス液が吹き飛ばされる。また、回転テ
ーブル１４が高速回転すると、フィルター１３を通して
清浄な乾燥空気がチャンバー内に導入され、吹き飛ばさ
れた水滴と共に排気口１７から排出される。回転テーブ
ル１４が高速回転し、半導体ウェーハを乾燥した後、回
転テーブル１４は停止し、クレイドル１５ｂはクレイド
ル固定ネジ１６を支点として回転し、１５ａの位置に戻
る。回転テーブル１４の停止と共に、給水管１８が上に
移動する。ただしこの時、給水は停止している。また、
給水管１８が上に移動するので、クレイドル１５はクレ
イドル固定ネジ１６を支点として回転し、（Ａ）に示し
た位置に戻るため、半導体ウェーハは垂直になる。
【００１５】尚、上記実施例では乾燥装置中のクレイド
ルは２個となっていたが、これに限るものではなく、１
個または３個以上でも構わない。
ルは２個となっていたが、これに限るものではなく、１
個または３個以上でも構わない。
【００１６】上記乾燥方法および乾燥装置において、オ
ーバーフローリンス終了から回転テーブル１４の回転開
始までに要する時間を５秒程度に短縮することにより、
ウォーターマークの発生を防止することができる。
ーバーフローリンス終了から回転テーブル１４の回転開
始までに要する時間を５秒程度に短縮することにより、
ウォーターマークの発生を防止することができる。
【００１７】また、上記実施例の乾燥装置は、乾燥機の
オーバーフローリンス槽が半導体ウェーハ洗浄機の最終
オーバーフローリンス槽を兼ねているので、洗浄機の最
終オーバーフローリンス槽が不要になる。
オーバーフローリンス槽が半導体ウェーハ洗浄機の最終
オーバーフローリンス槽を兼ねているので、洗浄機の最
終オーバーフローリンス槽が不要になる。
【００１８】
【発明の効果】本発明の乾燥方法では、半導体ウェーハ
の表面を乾燥開始直前までチャンバー内でリンス液にさ
らしておくので、また本発明の乾燥装置では、チャンバ
ーと、前記チャンバー内で半導体ウェーハを保持する保
持手段と、前記保持手段に保持された上記半導体ウェー
ハの表面にリンス液を供給する供給手段と、前記保持手
段に保持された上記半導体ウェーハを乾燥させる乾燥手
段とを用いて半導体ウェーハを乾燥開始直前までチャン
バー内でリンス液に浸しておくことができるので、ウォ
ーターマークの発生を防止し、半導体装置の製造歩留り
や信頼性を高めることが可能となる。
の表面を乾燥開始直前までチャンバー内でリンス液にさ
らしておくので、また本発明の乾燥装置では、チャンバ
ーと、前記チャンバー内で半導体ウェーハを保持する保
持手段と、前記保持手段に保持された上記半導体ウェー
ハの表面にリンス液を供給する供給手段と、前記保持手
段に保持された上記半導体ウェーハを乾燥させる乾燥手
段とを用いて半導体ウェーハを乾燥開始直前までチャン
バー内でリンス液に浸しておくことができるので、ウォ
ーターマークの発生を防止し、半導体装置の製造歩留り
や信頼性を高めることが可能となる。
【図１】本発明の実施例を模式的に示した断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例で用いるクレイドルの説明図で
ある。
ある。
【図３】本発明の実施例における給水方法を説明する平
面図である。
面図である。
【図４】従来例を模式的に示した断面図である。
１１……チャンバー １４……回転テーブル（半導体ウェーハを乾燥させる乾
燥手段） １５，１５ａ，１５ｂ……クレイドル（半導体ウェーハ
の保持手段） １８……給水管（リンス液を供給する供給手段）
燥手段） １５，１５ａ，１５ｂ……クレイドル（半導体ウェーハ
の保持手段） １８……給水管（リンス液を供給する供給手段）
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの表面を乾燥開始直前ま
でチャンバー内でリンス液にさらしておくことを特徴と
する半導体ウェーハの乾燥方法。 - 【請求項２】 半導体ウェーハを乾燥開始直前までチャ
ンバー内でリンス液に浸しておくことを特徴とする半導
体ウェーハの乾燥方法。 - 【請求項３】 チャンバーと、 上記チャンバー内で半導体ウェーハを保持する保持手段
と、 上記保持手段に保持された上記半導体ウェーハの表面に
リンス液を供給する供給手段と、 上記保持手段に保持された上記半導体ウェーハを乾燥さ
せる乾燥手段とを有することを特徴とする半導体ウェー
ハの乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10829593A JP3364272B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 半導体ウェーハの洗浄乾燥方法および洗浄乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10829593A JP3364272B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 半導体ウェーハの洗浄乾燥方法および洗浄乾燥装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318585A true JPH06318585A (ja) | 1994-11-15 |
| JP3364272B2 JP3364272B2 (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=14481067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10829593A Expired - Fee Related JP3364272B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 半導体ウェーハの洗浄乾燥方法および洗浄乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3364272B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107833826A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-03-23 | 合肥新汇成微电子有限公司 | 一种半导体晶圆清洗后的干燥方法 |
| CN111276422A (zh) * | 2018-12-04 | 2020-06-12 | 南亚科技股份有限公司 | 半导体晶圆干燥设备及方法 |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP10829593A patent/JP3364272B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107833826A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-03-23 | 合肥新汇成微电子有限公司 | 一种半导体晶圆清洗后的干燥方法 |
| CN111276422A (zh) * | 2018-12-04 | 2020-06-12 | 南亚科技股份有限公司 | 半导体晶圆干燥设备及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3364272B2 (ja) | 2003-01-08 |
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