JPH06321664A - 改良型焼結セラミック・デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 製造時に金属損失を小さくする焼結セラミッ
ク・コンポ−ネントとその製造法を提供する。 【構成】 磁性コアを絶縁ハウジングが囲む多層モノリ
シック磁気デバイスのような小型セラミック・コンポ−
ネントの製造に焼結セラミックからの金属損失を小さく
する従来法は不適であった。この金属損失問題を金属の
適当な濃度のハウジング層をこのコンポ−ネントに与え
解決した。具体的には、磁性コアを囲む絶縁ハウジング
材料がその焼結時にその磁性コア材料と同じ金属分圧を
有する場合にはこのコアからの正味の金属損失が存在し
ないというものである。実施例として、適当なＺｎ濃度
のアルミン酸亜鉛やＮｉＺｎフェライトのハウジングを
与えてＭｎＺｎフェライト・コアからの亜鉛損失を補償
した。同様に本法を別のセラミック・コンポ−ネントに
も適用できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、焼結セラミック・部品
（例、キャパシタおよび多層磁気トランスおよびインダ
クタ）に係り、特に、このような部品の製造用材料と製
法の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】焼結セラミック材料は、いろいろな電子
や光学の部品、例えばキャパシタ、磁気装置例えばトラ
ンス及びインダクタならびに光電子デバイスに広く用い
られている。これらの部品が小さくなるにつれて組成保
全性の維持がますます重要となる。これは、焼結過程に
おいて易揮発性の金属含有成分に対しては特に重要であ
る。本発明は磁気装置は、次のような場合に必要な種々
の回路の重要なエレメントである。例えば、エネルギ−
蓄積、変換、インピ−ダンス整合、ろ波、ＥＭＩ抑制、
電圧と電流の変換および共振である。

【０００３】従来、これらの装置は、他の回路素子と比
べると、大きく、重く、高価なものであった。磁性コア
の周囲を導線で巻くような手作業が製造コストを左右し
た。このような装置の製造の新しい方法が、米国特許出
願番号第０７／６９５６５３号（名称“多層モノリシッ
ク磁気コンポ−ネントとその製法”、グレイダ（Ｇｒａ
ｄｅｒ）ら、１９９１年５月２日出願）に開示されてい
る。このグレイダらの方法ではセラミック粉末を有機バ
インダと混合して磁性と絶縁（非磁性）のグリ−ン・セ
ラミック・テ−プをそれぞれ製造する。

【０００４】磁気デバイスの製造は、磁性領域と絶縁領
域の適当な２次元パタ−ンを有する層を形成し、この層
を積層して周知の磁性領域と絶縁領域を持つ構造を形成
して行う。導体を必要に応じこの絶縁領域上にプリント
またはこの絶縁領域中に挿入し、その結果得られた構造
を５００ないし３０００ｐｓｉの範囲の低圧下で、６０
ないし８０度ｃの温度で積層する。この積層構造を摂氏
８００ないし１４００度の温度で焼成して共焼成複合構
造を形成する。この方法の変法が、米国特許出願番号第
０７／８１８６６９号（名称“多層磁気コンポ−ネント
改良製造法”、フレミング”（Fleming）ら、１９９２
年１月９日出願）に開示されている。

【０００５】このフレミングらの方法では、焼結時に除
去可能の領域で分離させた磁性領域と絶縁（非磁性）領
域のパタ−ンを有するグリ−ン・セラミック層を形成し
て割れや磁気劣化を減少する。このグリ−ン層を積層す
る場合に、次のように磁性領域と絶縁領域の間に除去可
能材料層を介在させる。それは焼結時に絶縁体中に磁性
コアを形成するためであり、ここで、このコアを自由ス
ペ−スの薄い層が実質上完全に囲むものである。いずれ
の方法においても、この磁性層に好ましい材料はＭｎＺ
ｎフェライトのような金属含有フェライトであり、この
絶縁（非磁性）材料はＮｉフェライトまたはアルミナの
ような混和性のある絶縁セラミック材料とすることがで
きる。

【０００６】このようなデバイスの製造に生ずる問題は
その磁性材料の中の金属または金属酸化物の成分が焼結
時に揮発する傾向があることで、これによりこの焼結材
料の磁気的性質を劣化させることである。このような金
属または金属酸化物の損失を“金属損失”と呼ぶ。セラ
ミックスにおいて金属損失を小さくする従来の方法は、
それと全く同種の材料を十分に存在させたその存在下に
この部品を焼成して揮発を阻止したり補償する方法であ
る。ところが、この従来の方法は絶縁材料層がその磁性
コアを通常囲む小型多層磁気素子の製造の場合には意味
がないことを発明者らは見出した。

【０００７】この理由は、外部金属蒸気がその磁性コア
に達するのに、この絶縁材料を透過することができない
ためである。さらに、これらの素子は一般的に小さいた
め（１ｃｍ³の何分の１か）、表面対体積比が大きく金
属損失率を悪化させる。この磁性コアを絶縁材料の密封
ボックス内に収容するので、金属損失は限定されると当
初考えたが、実際は、この絶縁材料はその金属に対する
シンクの役割をしてその金属損失を悪化させた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、多層
セラミック・コンポ−ネントの製造時に金属損失を最小
にする新しい方法を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、次の発見に基
づきできたものである。それは焼結セラミック材料から
金属損失を最小にするための従来の方法は、磁性コアを
絶縁ハウジングが実質上囲む、例えば多層モノリシック
磁気デバイスのような小型セラミック素子の製造におい
ては、不適当であることを見出した。本発明の方法は、
この金属損失問題の解決を、この素子に金属の適当な濃
度を有するハウジング層を供与する。

【００１０】高温焼成時に、この磁性コアを囲む絶縁ハ
ウジング材料がこの磁性コア材料と同じ金属分圧を有す
る場合、この磁性コアからの正味の金属損失は存在しな
い。実施例で説明すると、適当なＺｎ濃度をＮｉＺｎフ
ェライトまたはアルミン酸亜鉛のハウジングに供与して
ＭｎＺｎフェライト・コアからのＺｎ損失を補償する方
法であるが、同様に他のセラミック・コンポネ−ントに
対しても適用できる。

【００１１】

【実施例】図１は本発明が解決しようとする課題を説明
するための図である。これは前記フレミングらの出願に
記載のような代表的多層磁気素子の立体透視図である。
このデバイス構造は、トロイダル形に類似の連続磁性コ
アを有する多巻線トランスである。このコアにはセクシ
ョン１０１ないし１０４の４セクションがあり、各セク
ションの構造は複数の高透磁率セラミック・グリ−ン・
テ−プ層からできている。セクション１０２、１０４を
それぞれ導電性巻線１０５、１０６が囲む。これらの巻
線がトランスの１次巻線と２次巻線とになる。または、
この構造が多巻型インダクタとして働くようにこれらの
巻線を直例に結合する場合がある。

【００１２】複数の絶縁非磁性セラミック・グリ−ン層
上に導線巻型の対をプリントして巻線１０５、１０６を
形成するが、ここで各絶縁非磁性層には次の部分を含む
ための適当なアパ−チャがある。これは、その非磁性材
料と磁性材料の間に配置した除去可能材料の周辺領域と
磁性グリ−ン・テ−プ層状インサ−トのセクションを含
むものである。各層上にプリントした巻型を別の層の巻
型に導電路１０７で（導電材料で充てんしたホ−ルを通
り）結合する。さらに絶縁非磁性層を用いる磁気テ−プ
・セクションのセクション１０１、１０３がありこのコ
ンポ−ネントの頂部と底部の構造を形成する。

【００１３】各例で除去可能材料領域（図１では図示せ
ず）をその磁性領域と非磁性領域を分離するように設け
た。導電路１０８を用いて巻線１０５、１０６の端部を
このデバイスの頂面上にあるコネクタ・パッド１０９に
結合する。この構造の絶縁非磁性領域を１１０で示す。
巻線１０５、１０６の電流励起により、このトロイダル
形コアのセクション１０１ないし１０４が限る閉磁路に
磁束を生ずる。本実施例の磁束路は垂直ＸＺ面にある。
この製造プロセスにおいては、高透磁性材料と抵透磁性
材料を除去可能材料領域で分離する。

【００１４】除去可能材料とは、焼結完了前に蒸発、昇
華、酸化または熱分解により消散する材料のことであ
る。この材料には、ポリエチレン、セルロ−ズ、澱粉、
ニトロセルロ−ズおよび炭素がある。これらの材料の粒
子をフェライトと同じ種類の有機バインダと混合して厚
さの等しいテ−プに形成することができる。この磁性領
域と非磁性領域を除去可能材料で分離するとその結果と
して図２に示すような物理的に分離した領域のあるデバ
イスを得ることができる。具体的に説明すると、図２は
図１のデバイスのＸＺ面に平行な断面図で、個々のテ−
プ層と領域間スペ−スを示す。

【００１５】部材２０１は絶縁非磁性テ−プ層である。
部材２０２には非磁性テ−プ層があるが、この各層には
アパ−チャがあり、その中に磁性セクション２１１（図
１では１０１）をその絶縁テ−プに対しては間隔を離し
て配置する。部材２０２と部材２１１を形成するのに用
いた層数をその必要とする磁性断面積で求める。部材２
０３ないし２０７は次に続くセクションを形成するがこ
れには絶縁非磁性テ−プの単一層があり、これは磁性材
料セクション２１２、２１３（図１では１０２、１０
４）を含むためのアパ−チャがある。部材２０３ないし
２０６には各個層上にプリントした導線巻型２１４、２
１６がある。ここでは４回巻きの巻線を例示する。

【００１６】層数を増加し各層上に多くの同心巻型をプ
リントして多くの巻型を追加することができる。部材２
０８は部材２０２に類似の部材でここには絶縁非磁性テ
−プがあり、これにアパ−チャがあり、このアパ−チャ
には間隔をおいて設けた磁性インサ−ト２１８がある。
頂部の部材２０９は絶縁非磁性テ−プ層である。この巻
線への電気的結合を容易にできるようにするためにこの
頂面上にコネクタ・パッド２２１をプリントする。この
磁性と非磁性のグリ−ン・セラミックを除去可能材料領
域で分離した結果がその絶縁セラミック内の高透磁性コ
アの形成であるが、ただしこれはスペ−ス領域２２３、
２２４により絶縁材料から物理的に離されている。

【００１７】熱処理時に、このテ−プ中のこの粒子を結
合させていた有料バイタが“焼失”したためこのスペ−
スが生ずる。この同じ熱処理時に、その除去可能テ−プ
が蒸気種へ分解し、その未焼結セラミック粒子間のポア
を通りこの構造を離れる。完全に自由な浮遊コアがある
と望ましくないので、磁性か非磁性かのいずれかのセラ
ミック材料のような非除去可能材料の複数の小さいポス
トまたはタブ（図示せず）をこの除去可能テ−プに挿入
し、このコアをその絶縁ハウジングに固着させることが
できる。図のように、このバイスの磁性材料コアを実質
上絶縁ハウジングが完全に囲んでいる。

【００１８】従って、このグリ−ン構造を同じ磁性材料
のエンクロ−ジャ中で焼結することによる亜鉛損失を防
止する従来の方法は機能しない。この絶縁ハウジングが
その内部磁性コアと外部亜鉛蒸気との間に介在させる。
この密着絶縁ハウジングは密封ボックスとしての役目に
よる亜鉛損失を限定することをしない。代わりに、この
絶縁材料は亜鉛シンクとしての役目をすることが分り、
高焼結温度でその亜鉛を吸収あるいは亜鉛と反応した。
この結果、その磁性コアの表面から亜鉛が欠乏する重大
な問題点となり、このコアの磁気的性質の劣化となっ
た。

【００１９】図３は異なる３種類の方法で製造した磁性
コアの磁気的性質に及ぼす亜鉛損失の影響を示すグラフ
である。曲線１はＭｎＺｎフェライト・コアの透磁率
で、これは同じＭｎＺｎフェライトのエンクロ−ジャ内
で焼結したものである。このコアからの亜鉛損失は最小
であり、通常の動作温度で高透磁率を示す。曲線２は同
様のコアのプロットであるが、これはエンクロ−ジャな
しで焼結したものである。透磁率レベルは曲線１のコア
のものの半分以下に減少している。曲線３は同様のコア
のプロットであるが、これはＮｉフェライト・エンクロ
−ジャ内で焼結したものである。透磁率レベルはエンク
ロ−ジャなしのコアの場合よりさらに減少しており、こ
のＮｉフェライトが亜鉛シンクの役目をするためと考え
られる。

【００２０】本問題を解決するために、本発明者らは磁
性材料からの亜鉛損失を補償するようにその絶縁材料に
亜鉛を供与することを決めた。本発明者らは、焼結温度
における絶縁材料の亜鉛分圧が磁性材料のそれと同じに
なるのに十分な亜鉛濃度を持つよう絶縁ハウジング材料
をド−プまたは配合した。この材料の好ましい組合せを
例示すると、磁性材料コアにＭｎＺｎＦｅ２０４と絶縁
材料ハウジングにＮｉＺｎフェライトである。Ｚｎフェ
ライトとＮｉフェライトは固溶体をつくるので、このＺ
ｎ／Ｎｉ比の制御は比較的容易である。

【００２１】ＮｉとＺｎのフェライトの理想的組成る決
めるために、本発明者らはＺｎ／Ｚｉ比をある範囲で変
えた一連のこれらフェライトを調整し、これらフェライ
トをグリ−ン・テ−プのシ−トに加工してこのシ−トを
用いて磁性材料（ＭｎＺｎフェライト）のトロイダル形
サンプルを封入した。次にこれらのサンプルを焼成し、
その結果得たコアを次のように分析した。 １．各焼成コアのキュ−リ−温度Ｔｃを測定した。Ｔｃ
をまた参照サンプル・コアについても測定したが、これ
は同じコア材料のエンクロ−ジャで焼成したものである
（同種封入コア）。

【００２２】各種ＮｉＺｎフェライトのエンクロ−ジャ
において焼成したコアのＴｃを測定し、最適Ｚｎ／Ｎｉ
比を有する組成を求め、これをその同種封入コアと同じ
Ｔｃを有するものとした。図４は一連の実験デ−タを示
す図であるが、これは窒素ふん囲気で３０パ−セント０
２で温度摂氏１３８５度の最高焼結温度の場合であっ
た。 ２．この焼結コアの透磁率を測定した。このＺｎ／Ｔｉ
比対透磁率の曲線はこのキュ−リ−温度測定で求めた最
適Ｚｎ／Ｎｉ比で最大を通るものであった。

【００２３】３．各種ＮｉＺｎフェライトで焼成した磁
性フェライト・コアを走査電子顕微鏡でエネルギ−分散
Ｘ線分析（ＥＤＸＡ）法を用いて化学的に分析した。そ
の表面に近いＺｎ含量をこのコア内の深部のそれと比較
できるようにこのコアをセクションに分け、その最適Ｚ
ｎ／Ｎｉ比を有する絶縁材料は、その表面のＺｎ含量が
深部のと同じであった。 ４．各種ＮｉＺｎフェライト・エンクロ−ジャにおいて
焼結したコアの重量をモニタして重量得失を求めた。最
適Ｚｎ／Ｎｉ比においては、重量の損失も取得も認めら
れなかった。

【００２４】これらの試験の中ではキュ−リ−温度Ｔｃ
が最も感度の高いものであった。図４はこの絶縁エンク
ロ−ジャにおいてＮｉを置換するＺｎのモル分率対コア
のＴｃをプロットしたグラフである。図に見るように、
この特定のＭｎＺｎフェライト組成と焼成条件の場合、
この絶縁材料におけるＮｉを置換するＺｎの最適比は
０．１０ないし０．１５の範囲内であり、好ましくは約
０．１２５である。さらに一般的にはこのＺｎ／Ｎｉモ
ル比は０．０５ないし０．２５の範囲である。ＭｎＺｎ
フェライト・コア用に好適な絶縁材料の第２の例につい
て次に説明する。

【００２５】次に、本発明者らは、アルミナ（Ａｌ２０
３）を超微粉酸化亜鉛粒子で種々のモルパ−セントでド
−プし、この絶縁材料のグリ−ン層を形成し、そしてこ
の絶縁材料のシ−トの間に封入したトロイド形ＭｎＺｎ
フェライト磁性材料を焼成した。図５は、この焼結コア
の透磁率を添加ＺｎＯのパ−セントの関数で示したグラ
フである。図に見られるように、この焼結コアの透磁率
は、約５０モル・パ−セントのＺｎＯをこのアルミナに
加えてアルミン酸亜鉛を形成する場合に最大となる。好
ましい絶縁材料の製造は、超微粉末ＺｎＯを調整し、こ
のＺｎＯをＡｌ２Ｏ３および合計４モル・パ−セントに
達するＴｉＯ２とＣｕＯとを混合して緻密化を促進し、
セラミックを形成する。

【００２６】具体的に説明すると、飽和Ｚｎ（ＮＯ３）
２溶液から蓚酸亜鉛を沈殿させて超微粉末ＺｎＯを形成
し、この沈殿を濾別してサブミクロン粉末とし、この粉
末を摂氏約４００度に加熱してＺｎＯに変換する。この
ＺｎＯとアルミナ粉末をまず微粉砕して懸濁する。この
懸濁液にＴｉＯ２とＣｕＯのド−パントと水酸化テトラ
エチルアンモニウム（ＴＥＡＨ）を加え、次にこの液を
約５分間混合した後濾過する。これを粉末に乾燥した後
摂氏７００度の温度にか焼した後微粉砕する。この粉砕
粒子をスピネル・セラミックにプレス成形して１３８５
度Ｃに焼成する。ここで、Ｚｎ分圧を低くしたいフェラ
イト・コアの場合があるがこの場合にはＺｎの代りにＭ
ｇを用いてＺｎ分圧を低くする。

【００２７】ＭｎＦｅフェライト・コアの場合に用いる
Ｚｎ含有絶縁体として他にも可能な多くの例がある。例
えば、ＳｎＺｎ２Ｏ４に基づくセラミックは、低温焼成
の利用の場合に有用であり、Ｚｎ分圧を次のように変え
てフェライト・コアの特定の要求に合わせることができ
る。それはこの焼成温度において低蒸気圧を有する同じ
原子価の同様の大きさのイオンを部分的にＺｎの代りに
置換することにより、フェライト・コアの要求に合わせ
る。このような置換体の一例がＭｇである。別の例の場
合であるが、さらに低温の焼成温度の絶縁体の製造をガ
ラス粒子と混合したセラミック粒子の複合体を用いて行
うことができる。この複合体を低温焼成してセラミック
にすることができるが、この際にそのガラスが溶融して
このセラミック粒子を結合する。

【００２８】本発明の利用の場合には、このガラス形成
の１成分として酸化亜鉛をこのガラス相に含有させるこ
とができ、この酸化亜鉛含有量をその所望亜鉛分圧を得
るように増減することができる。このコアを囲む領域に
金属を添加するという解決法は（１ｃｍ³以下の）小型
デバイスの製造の場合に特に魅力的である。というのは
これによりこの小型部品からの金属損失がなくなるのみ
ならず、次のようなものが必要なくこのデバイスを炉で
焼成できるからである。それはボックス型エンクロ−ジ
ャまたは高負荷大型炉などが通常必要であるのに小型部
品の場合に得るのは難しいからである。本方法は、セラ
ミック基板やパッケ−ジ内の集積化パッシブ・デバイス
用に特に有用である。

【００２９】本方法を使用することができるのは、例え
ばリチウム・フェライトのような他の磁性セラミックス
を用いるデバイスの場合にはＬｉが揮発性金属であり、
例えばニオブ酸マグネシウム鉛のような誘電性セラミッ
クスを用いる容量性デバイスの場合には鉛が揮発性金属
であり、例えばジルコン酸チタン酸鉛のような圧電性セ
ラミックスを用いる圧電性デバイスの場合には鉛が揮発
性金属であり、および例えばニオブ酸リチウムのような
光電性材料を用いる光デバイスの場合にはリチウムが揮
発性金属である。揮発性の金属や金属酸化物の前記例は
消耗的なものではないが、例えばＮａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃ
ｓ、Ｃｄ、Ｂｉ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｗ、Ｓ、Ｓｅ
およびＴｅのような他の材料を含有するセラミックスの
場合には、これら揮発性化学種の損失を防止する方法を
必要とすることが多い。以上の説明は、本発明の一実施
例に関するもので、この技術分野の当業者であれば、本
発明の種々の変形例が考え得るが、それらはいずれも本
発明の技術的範囲に包含される。

【００３０】

【発明の効果】以上述べた如く本発明により、従来法で
はできなかった多層モノリシック磁気デバイスのような
小型セラミック素子の製造時に焼結セラミックからの金
属損失を小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】代表的磁気デバイスの立体透視図である。

【図２】図１に示すデバイスの断面略図である。

【図３】種々の方法で製造したＭｎＺｎデバイスの磁気
的性質に及ぼす亜鉛損失の影響を示すグラフである。

【図４】ＮｉをＺｎで置換し、絶縁ハウジングにより囲
まれ得られた磁性コアのキュ−リ−温度への影響を示す
グラフである。

【図５】ＺｎＯをＡｌ２Ｏ３に加え絶縁ハウジングによ
り囲まれ得られたコアの透磁率への影響を示すグラフ図
である。

【符号の説明】

１０１ 磁性コア・セクション １０２ 磁性コア・セクション １０３ 磁性コア・セクション １０４ 磁性コア・セクション １０５ 巻線 １０６ 巻線 １０７ 導電路 １０８ 導電路 １０９ コネクタ・パッド １１０ 絶縁非磁性領域 ２０１ 絶縁非磁性部材 ２０２ 絶縁非磁性部材 ２０３ 絶縁非磁性部材 ２０４ 絶縁非磁性部材 ２０５ 絶縁非磁性部材 ２０６ 絶縁非磁性部材 ２０７ 絶縁非磁性部材 ２０８ 絶縁非磁性部材 ２０９ 絶縁非磁性部材 ２１１ 磁性コア・セクション ２１２ 磁性コア・セクション ２１３ 磁性コア・セクション ２１４ 導線巻型 ２１６ 導線巻型 ２１８ 磁性インサ−ト ２２１ コネクタ・パッド ２２３ スペ−ス領域 ２２４ スペ−ス領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デボラ アン フレミング アメリカ合衆国 07034 ニュージャージ ー レイク ハイワサ、グレンウッド ア ヴェニュー、60 (72)発明者 ギデオン エス．グラダー イスラエル ハイファ、ラシェル ストリ ート、34 (72)発明者 デイビッド ウィルフレッド ジョンソン ジュニア アメリカ合衆国 07921 ニュージャージ ー ベッドミンスター、オークラ レー ン、５ (72)発明者 ヘンリー ミレス ブライアン ジュニア アメリカ合衆国 07060 ニュージャージ ー プレインフィールド、シャーロット ロード、1600 (72)発明者 ワレン ウィリアム ロデス アメリカ合衆国 08869 ニュージャージ ー ラーリタン、バーウィック ストリー ト、15 (72)発明者 アパーバ ロイ アメリカ合衆国 75087 テキサス ロッ クウォール、アメスバリー アヴェニュ ー、1602 (72)発明者 ジョン サンソン ジュニア アメリカ合衆国 07762 ニュージャージ ー スプリング レイク、ニュー ベッド フォード ロード、2039

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１セラミック材料製の第１領域と、こ
   の第１領域と組成の異なる第２材料製の第２領域とを有
   し、前記第１セラミック材料は、焼結時に材料損失を受
   けるセラミックである焼結セラミック・デバイスにおい
   て、 前記第２領域は、前記第１領域を実質上包囲し、 前記第２材料は、焼結時に前記第１セラミック材料から
   その金属の正味の得失のないよう十分な濃度で、前記第
   １セラミックから失う材料分を有することを特徴とする
   改良型焼結セラミック・デバイス。
2. 【請求項２】 前記第１セラミックから失う前記材料
   は、金属であることを特徴とする請求項１に記載のデバ
   イス。
3. 【請求項３】 前記第１セラミック材料は、磁性フェラ
   イトであることを特徴とする請求項１に記載のデバイ
   ス。
4. 【請求項４】 絶縁材料ハウジングにより実質上包囲さ
   れる磁性材料コア（１０１−１０４）を有する構造を形
   成するように、金属含有磁性材料領域層と絶縁材料領域
   層を多段に積層し、かつ、前記金属含有磁性材料は、焼
   結時に金属損失を受ける材料である層を有する多層磁気
   デバイスにおいて、 前記絶縁材料（１１０）は、焼結温度において前記磁性
   材料から金属の正味の得失のないような濃度レベルで前
   記磁性材料から失う金属を有することを特徴とする改良
   多層磁気デバイス。
5. 【請求項５】 前記磁性材料は、焼結時に亜鉛損失を受
   けるＭｎＺｎフェライトであり、 前記絶縁材料は、ＮｉＺｎフェライトであることを特徴
   とする請求項４に記載のデバイス。
6. 【請求項６】 前記ＮｉＺｎフェライトは、Ｚｎ／Ｎｉ
   モル比が、０．０５ないし０．２５の範囲にあることを
   特徴とする請求項５に記載のデバイス。
7. 【請求項７】 前記磁性材料は、焼結時に亜鉛損失を受
   けるＭｎＺｎフェライトであり、 前記絶縁材料は、アルミン酸亜鉛を有することを特徴と
   する請求項４に記載のデバイス。