JPH06324472A - 露光用原板及びそれを用いた投影露光装置 - Google Patents
露光用原板及びそれを用いた投影露光装置Info
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- JPH06324472A JPH06324472A JP13688293A JP13688293A JPH06324472A JP H06324472 A JPH06324472 A JP H06324472A JP 13688293 A JP13688293 A JP 13688293A JP 13688293 A JP13688293 A JP 13688293A JP H06324472 A JPH06324472 A JP H06324472A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフト膜を用いて形成した露光用パター
ンをウエハ面上に投影露光するようにした露光用原板及
びそれを用いた投影露光装置を得ること。 【構成】 透明基板上に位相部材でパターンを形成した
露光用原板を照明系からの光束で照明し、該露光用原板
を投影光学系によって感光剤が塗布された被露光物体面
上に投影露光する際、該露光用原板のパターンを透過光
束で観察するようにした観察系を設けたこと。
ンをウエハ面上に投影露光するようにした露光用原板及
びそれを用いた投影露光装置を得ること。 【構成】 透明基板上に位相部材でパターンを形成した
露光用原板を照明系からの光束で照明し、該露光用原板
を投影光学系によって感光剤が塗布された被露光物体面
上に投影露光する際、該露光用原板のパターンを透過光
束で観察するようにした観察系を設けたこと。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光用原板及びそれを用
いた投影露光装置に関し、特に所謂位相シフト法を適用
してレチクル面（マスク面）上に形成した電子回路パタ
ーン（露光用パターン）を投影レンズを介してウエハ面
上に投影露光するようにした又は直接ウエハ面上に転写
露光するようにして半導体素子を製造する際に好適なも
のである。
いた投影露光装置に関し、特に所謂位相シフト法を適用
してレチクル面（マスク面）上に形成した電子回路パタ
ーン（露光用パターン）を投影レンズを介してウエハ面
上に投影露光するようにした又は直接ウエハ面上に転写
露光するようにして半導体素子を製造する際に好適なも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体素子製造用の露光装置の
うち所謂ステッパーにおいては電子回路パターンを形成
したレチクル（ホトマスク）を照明系で照明し、該レチ
クルを投影レンズによりウエハ面上に投影し露光してい
る。
うち所謂ステッパーにおいては電子回路パターンを形成
したレチクル（ホトマスク）を照明系で照明し、該レチ
クルを投影レンズによりウエハ面上に投影し露光してい
る。
【０００３】この露光装置では最近の半導体素子の高集
積化に伴い投影転写可能なパターン像の微細化（高解像
力化）と共に焦点深度が深いことが要望されている。
積化に伴い投影転写可能なパターン像の微細化（高解像
力化）と共に焦点深度が深いことが要望されている。
【０００４】投影パターン像の微細化及び投影レンズの
焦点深度の向上を図る一手法として所謂位相シフト法を
用いる方法が、例えば特公昭６２−５０８１１号公報や
IEEE、Trans.on Electric Device,vol ED-29、No.12(198
2)、P1282等で提案されている。
焦点深度の向上を図る一手法として所謂位相シフト法を
用いる方法が、例えば特公昭６２−５０８１１号公報や
IEEE、Trans.on Electric Device,vol ED-29、No.12(198
2)、P1282等で提案されている。
【０００５】この位相シフト法においては電子回路パタ
ーンを形成する透明部と不透明部のうち透明部の一部に
通過光束に一定の位相差（例えば１８０度）を付与する
ことができる位相シフト膜を施した位相シフトマスクを
用い、これによりパターン像の解像力やコントラストを
向上させている。
ーンを形成する透明部と不透明部のうち透明部の一部に
通過光束に一定の位相差（例えば１８０度）を付与する
ことができる位相シフト膜を施した位相シフトマスクを
用い、これによりパターン像の解像力やコントラストを
向上させている。
【０００６】この他、位相シフトマスクとしてＣｒ等の
遮光パターンを設けずに位相膜パターンのみでパターン
像の形成を行う「非減衰タイプ」の位相シフトマスクが
ある。
遮光パターンを設けずに位相膜パターンのみでパターン
像の形成を行う「非減衰タイプ」の位相シフトマスクが
ある。
【０００７】この非減衰タイプの位相シフトマスクは遮
光パターンと位相膜パターンとの位置合わせが不要であ
るという利点がある。
光パターンと位相膜パターンとの位置合わせが不要であ
るという利点がある。
【０００８】一般に、位相シフトマスクを用いれば投影
光学系の開口数（ＮＡ）及び露光波長が一定であっても
周期的なパターン像の解像力の向上及び焦点深度を深く
させることができるという特長がある。
光学系の開口数（ＮＡ）及び露光波長が一定であっても
周期的なパターン像の解像力の向上及び焦点深度を深く
させることができるという特長がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子製造用の投
影露光装置ではレチクルとウエハとの相対的な位置検出
（アライメント）を行っている。
影露光装置ではレチクルとウエハとの相対的な位置検出
（アライメント）を行っている。
【００１０】このときのアライメントはレチクル面上の
アライメントマークをアライメント系（観察系）で観察
して行っている。
アライメントマークをアライメント系（観察系）で観察
して行っている。
【００１１】しかしながらレチクルとして前述の遮光パ
ターンの無い非減衰タイプの位相シフトマスクより成る
アライメントマークを用いたときには従来のアライメン
ト系ではアライメントマークを観察することができな
い。
ターンの無い非減衰タイプの位相シフトマスクより成る
アライメントマークを用いたときには従来のアライメン
ト系ではアライメントマークを観察することができな
い。
【００１２】この他、投影露光装置では多くの場合投影
光学系のベストフォーカス位置を検出する方法として、
投影光学系を介した光束を用いてフォーカス位置を検出
する所謂ＴＴＬ(Through the lens) Auto Focus（以下
「ＴＴＬ、ＡＦ」という。）機能を設けている。
光学系のベストフォーカス位置を検出する方法として、
投影光学系を介した光束を用いてフォーカス位置を検出
する所謂ＴＴＬ(Through the lens) Auto Focus（以下
「ＴＴＬ、ＡＦ」という。）機能を設けている。
【００１３】この方法は、例えばスリット像を投影レン
ズを介してウエハ面上に投影し、スリットを介して光量
検出器で受光し、その受光光量の特性からベストフォー
カス位置を決定するものである。
ズを介してウエハ面上に投影し、スリットを介して光量
検出器で受光し、その受光光量の特性からベストフォー
カス位置を決定するものである。
【００１４】レチクルの回路パターン以外の部分にＴＴ
Ｌオートフォーカス用マーク（オートフォーカスマー
ク）を形成し、レチクルをステージに装着した状態で、
照明手段からの露光光と同一の波長を有する光をレチク
ルのＴＴＬオートフォーカス用マークに指向し、レチク
ルを通過した光を投影光学系を介してウエハステージ上
に向け、スリットを介して光量検出器で受光する。
Ｌオートフォーカス用マーク（オートフォーカスマー
ク）を形成し、レチクルをステージに装着した状態で、
照明手段からの露光光と同一の波長を有する光をレチク
ルのＴＴＬオートフォーカス用マークに指向し、レチク
ルを通過した光を投影光学系を介してウエハステージ上
に向け、スリットを介して光量検出器で受光する。
【００１５】ウエハステージを投影光学系の光軸方向に
上下動させて光量検出器の位置を変化させ、この時の受
光素子からの出力信号の重心を示す受光面を検出するこ
とにより、この位置を投影光学系の最適フォーカス位置
（最良像面位置）として検出している。
上下動させて光量検出器の位置を変化させ、この時の受
光素子からの出力信号の重心を示す受光面を検出するこ
とにより、この位置を投影光学系の最適フォーカス位置
（最良像面位置）として検出している。
【００１６】このようなＴＴＬ、ＡＦ方式を採用する場
合にも前述の非減衰タイプの位相シフトマスクより成る
マークを用いたときには遮光パターンがないのでフォー
カス位置の検出が出来なくなってくる。
合にも前述の非減衰タイプの位相シフトマスクより成る
マークを用いたときには遮光パターンがないのでフォー
カス位置の検出が出来なくなってくる。
【００１７】又、ＴＴＬ、ＡＦと同様にレチクルアライ
メント、ウエハアライメントのベースラインの補正も出
来なくなってくる。
メント、ウエハアライメントのベースラインの補正も出
来なくなってくる。
【００１８】本発明は非減衰タイプの位相シフト膜を用
いたレチクルアライメントマークを介してアライメント
信号を検出する際、アライメント系（観察系）を適切に
構成することにより、レチクル面上の位相シフトの位相
膜の付いた領域と付いていない領域とを効果的に区別す
ることによりレチクルとウエハとの相対的位置合わせを
高精度に行い、高解像度の投影パターンが得られる露光
用原板及びそれを用いた投影露光装置の提供を目的とす
る。
いたレチクルアライメントマークを介してアライメント
信号を検出する際、アライメント系（観察系）を適切に
構成することにより、レチクル面上の位相シフトの位相
膜の付いた領域と付いていない領域とを効果的に区別す
ることによりレチクルとウエハとの相対的位置合わせを
高精度に行い、高解像度の投影パターンが得られる露光
用原板及びそれを用いた投影露光装置の提供を目的とす
る。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の露光用原板は、 （１−１）透明基板上に位相部材より成る露光用パター
ンと所定の波長の光束を反射又は散乱させる材料より成
る別パターンとを形成したことを特徴としている。
ンと所定の波長の光束を反射又は散乱させる材料より成
る別パターンとを形成したことを特徴としている。
【００２０】特に前記別パターンはアライメントパター
ン又はフォーカスパターンであること、前記別パターン
はＣｒ材料より形成されていること等を特徴としてい
る。
ン又はフォーカスパターンであること、前記別パターン
はＣｒ材料より形成されていること等を特徴としてい
る。
【００２１】（１−２）透明基板上に位相部材で露光用
パターンを形成した露光用原板のパターンを撮影系を介
して被露光物体に露光転写する際、該透明基板上に該撮
影系の解像限界以下のピッチのフォーカス用のパターン
を設けたことを特徴としている。
パターンを形成した露光用原板のパターンを撮影系を介
して被露光物体に露光転写する際、該透明基板上に該撮
影系の解像限界以下のピッチのフォーカス用のパターン
を設けたことを特徴としている。
【００２２】又、本発明の投影露光装置は、 （１−３）透明基板上に位相部材でパターンを形成した
露光用原板を照明系からの光束で照明し、該露光用原板
を投影光学系によって感光剤が塗布された被露光物体面
上に投影露光する際、該露光用原板のパターンを透過光
束で観察するようにした観察系を設けたことを特徴とし
ている。
露光用原板を照明系からの光束で照明し、該露光用原板
を投影光学系によって感光剤が塗布された被露光物体面
上に投影露光する際、該露光用原板のパターンを透過光
束で観察するようにした観察系を設けたことを特徴とし
ている。
【００２３】
【実施例】図１は本発明の実施例１の要部概略図であ
る。
る。
【００２４】図中、露光用照明系１より放射した露光用
光束により、露光用原板としてのレチクル２を照明して
いる。レチクル２には透明な位相部材で形成した露光用
パターン（電子回路パターン）３と同じく透明な位相部
材で形成したレチクルアライメントマーク４とを設けて
いる。
光束により、露光用原板としてのレチクル２を照明して
いる。レチクル２には透明な位相部材で形成した露光用
パターン（電子回路パターン）３と同じく透明な位相部
材で形成したレチクルアライメントマーク４とを設けて
いる。
【００２５】そして縮少型の投影レンズ５によってレチ
クル２面の露光用パターン３をレジストが塗布されたウ
エハ６面上に投影転写している。
クル２面の露光用パターン３をレジストが塗布されたウ
エハ６面上に投影転写している。
【００２６】ウエハ６はウエハチャック７に吸着固定さ
れ、ウエハチャック７はＸＹステージ８上に載置され、
更にＸＹステージ８は定盤９上に載置されている。
れ、ウエハチャック７はＸＹステージ８上に載置され、
更にＸＹステージ８は定盤９上に載置されている。
【００２７】ＸＹステージ８は投影レンズ５の光軸に垂
直な面内で２次元的に移動可能に構成している。このと
きの移動量はレーザー測長器１１からのビームをＸＹス
テージ８上に設けたミラー１０に入射し、該ミラー１０
で反射したビームをレーザー測長器１１で検出すること
によりモニターしている。
直な面内で２次元的に移動可能に構成している。このと
きの移動量はレーザー測長器１１からのビームをＸＹス
テージ８上に設けたミラー１０に入射し、該ミラー１０
で反射したビームをレーザー測長器１１で検出すること
によりモニターしている。
【００２８】１２はＸＹステージ８面上に設けた基準面
である。
である。
【００２９】基準面１２上にはステージ基準マーク１３
が設けられており、ファイバー１４で導光された露光用
光束と同じ波長の光束でミラー１５、コリメーターレン
ズ１６を介して照明している。
が設けられており、ファイバー１４で導光された露光用
光束と同じ波長の光束でミラー１５、コリメーターレン
ズ１６を介して照明している。
【００３０】ウエハ６のアライメントはオフアクシスア
ライメントスコープ１７で行っている。
ライメントスコープ１７で行っている。
【００３１】１０１は観察系であり、レチクル２面上の
アライメントマーク４及び基準プレート１９に設けた基
準マーク２０を撮像素子２５の撮像面２５ａに形成して
観察している。観察系１０１はミラー２２、対物レンズ
２３、そしてリレーレンズ２４を有している。
アライメントマーク４及び基準プレート１９に設けた基
準マーク２０を撮像素子２５の撮像面２５ａに形成して
観察している。観察系１０１はミラー２２、対物レンズ
２３、そしてリレーレンズ２４を有している。
【００３２】基準プレート１９はアライメントマーク４
の下方にステッパー本体に固着され基準マーク２０が観
察系１０１の焦点深度内に入るようにアライメントマー
ク４に近接して配置している。
の下方にステッパー本体に固着され基準マーク２０が観
察系１０１の焦点深度内に入るようにアライメントマー
ク４に近接して配置している。
【００３３】基準プレート１９の基準マーク２０はＣｒ
等の遮光パターンより成り、ファイバー１８で導光され
た露光用光束と同じ波長の光束でコリメーターレンズ２
１を介してアライメントマーク４と共に透過照明されて
いる。
等の遮光パターンより成り、ファイバー１８で導光され
た露光用光束と同じ波長の光束でコリメーターレンズ２
１を介してアライメントマーク４と共に透過照明されて
いる。
【００３４】ファイバー１８、コリメーターレンズ２１
は照明系１０２の一要素を構成している。透過照明され
た基準マーク２０とアライメントマーク４は観察系１０
１によって撮像素子２５の撮像面２５ａ上に結像してい
る。
は照明系１０２の一要素を構成している。透過照明され
た基準マーク２０とアライメントマーク４は観察系１０
１によって撮像素子２５の撮像面２５ａ上に結像してい
る。
【００３５】本実施例では位相部材（位相シフト膜）よ
り成る露光用パターン３が露光用光束の波長に対して膜
厚及び屈折率等が最適化されてウエハ６面上に結像する
ようになっている。従ってこれと同一のプロセスで作製
したアライメントマーク４も透過照明により露光用パタ
ーン３と同様にして撮像面２５ａ上に結像させている。
り成る露光用パターン３が露光用光束の波長に対して膜
厚及び屈折率等が最適化されてウエハ６面上に結像する
ようになっている。従ってこれと同一のプロセスで作製
したアライメントマーク４も透過照明により露光用パタ
ーン３と同様にして撮像面２５ａ上に結像させている。
【００３６】本実施例ではアライメントマーク４の観察
の際に露光用光束の波長と同じ波長の光束を用いてい
る。これにより位相部材より成るアライメントマーク４
のエッジを明瞭に観察できるようにしている。
の際に露光用光束の波長と同じ波長の光束を用いてい
る。これにより位相部材より成るアライメントマーク４
のエッジを明瞭に観察できるようにしている。
【００３７】この為、基準プレート１９の基準マーク２
０の透過部は位相部材のエッジをとらえられる様な形状
をしている。
０の透過部は位相部材のエッジをとらえられる様な形状
をしている。
【００３８】本実施例で以上のようにして検出したアラ
イメントマーク４と基準マーク２０の撮像面２５上の像
のずれ量から、双方の位置ずれを検出し、レチクル２の
位置合わせを行っている。
イメントマーク４と基準マーク２０の撮像面２５上の像
のずれ量から、双方の位置ずれを検出し、レチクル２の
位置合わせを行っている。
【００３９】本実施例において観察系１０１の対物レン
ズ２３とリレーレンズ２４との間はアフォーカルに結合
されている。
ズ２３とリレーレンズ２４との間はアフォーカルに結合
されている。
【００４０】即ち、対物レンズ２３の焦点位置にレチク
ル２のパターン面（アライメントマーク４）が位置し、
リレーレンズ２４の焦点位置に撮像素子２５の撮像面２
５ａが位置するようにしている。そしてレチクル２のパ
ターン面と撮像面２５ａとが結像関係を維持するように
して対物レンズ２３とミラー２２とを一体的に、レチク
ル２に平行な面内で移動可能に構成している。尚、前述
の各要素４，１８〜２５は投影レンズ５の光軸に対して
対称に複数設けている。
ル２のパターン面（アライメントマーク４）が位置し、
リレーレンズ２４の焦点位置に撮像素子２５の撮像面２
５ａが位置するようにしている。そしてレチクル２のパ
ターン面と撮像面２５ａとが結像関係を維持するように
して対物レンズ２３とミラー２２とを一体的に、レチク
ル２に平行な面内で移動可能に構成している。尚、前述
の各要素４，１８〜２５は投影レンズ５の光軸に対して
対称に複数設けている。
【００４１】次に本実施例において、オフアクシスアラ
イメントスコープ１７でウエハのアライメントを行う際
に必須である、投影レンズ５の光軸からオフアクシスア
ライメントスコープ１７の光軸までベクトルｂ、いわゆ
るベースラインを計測する方法について説明する。
イメントスコープ１７でウエハのアライメントを行う際
に必須である、投影レンズ５の光軸からオフアクシスア
ライメントスコープ１７の光軸までベクトルｂ、いわゆ
るベースラインを計測する方法について説明する。
【００４２】まず、ＸＹステージ８を移動させて基準面
１２のステージ基準マーク１３が投影レンズ５を通し
て、レチクルアライメントマーク４とは別のレチクル中
心からのベクトルαの位置にあるアライメントマーク４
ａと共に観察系１０１によって検出できる位置までもっ
てくる。そしてステージ基準マーク１３に対するアライ
メントマーク４ａとのずれ量をベクトルβとして検出す
る。
１２のステージ基準マーク１３が投影レンズ５を通し
て、レチクルアライメントマーク４とは別のレチクル中
心からのベクトルαの位置にあるアライメントマーク４
ａと共に観察系１０１によって検出できる位置までもっ
てくる。そしてステージ基準マーク１３に対するアライ
メントマーク４ａとのずれ量をベクトルβとして検出す
る。
【００４３】この場合も位相部材より成るレチクルアラ
イメントマーク４のエッジは透過照明の為に明瞭に観察
される。この為ステージ基準マーク１３の形状もレチク
ル２面上のアライメントマークのアライメントに用いる
エッジ部を照明する様な形に決定される。
イメントマーク４のエッジは透過照明の為に明瞭に観察
される。この為ステージ基準マーク１３の形状もレチク
ル２面上のアライメントマークのアライメントに用いる
エッジ部を照明する様な形に決定される。
【００４４】次に、再びＸＹステージ８を移動して、ス
テージ基準マーク１３がオフアクシスアライメントスコ
ープ１７によって検出できる位置までもってくる。そし
てオフアクシスアライメントスコープ１７内の基準位置
とのずれ量（ベクトル）γを検出する。この間のＸＹス
テージの移動量（ベクトル）δはレーザー測長器１１に
よって正確に測定されている。以上の各ベクトル量から
ベクトルｂ、即ちベースラインを投影レンズ５の縮小倍
率をＭとしたとき ｂ＝−α／Ｍ−β−γ＋δ より求めている。
テージ基準マーク１３がオフアクシスアライメントスコ
ープ１７によって検出できる位置までもってくる。そし
てオフアクシスアライメントスコープ１７内の基準位置
とのずれ量（ベクトル）γを検出する。この間のＸＹス
テージの移動量（ベクトル）δはレーザー測長器１１に
よって正確に測定されている。以上の各ベクトル量から
ベクトルｂ、即ちベースラインを投影レンズ５の縮小倍
率をＭとしたとき ｂ＝−α／Ｍ−β−γ＋δ より求めている。
【００４５】図２は本発明の実施例２の観察系１０１近
傍の要部概略図である。
傍の要部概略図である。
【００４６】本実施例では図１の実施例１に比べて照明
系１０２の一部にリング開口絞り２６を設け、又観察系
１０１の一部に位相板２７（例えばλ／４板）を設け
て、位相差顕微鏡の機能を持たせている。これにより撮
像素子２５の撮像面２５ａ上に結像されるパターン像を
より鮮明にしている点が異っており、その他の構成は同
じである。
系１０２の一部にリング開口絞り２６を設け、又観察系
１０１の一部に位相板２７（例えばλ／４板）を設け
て、位相差顕微鏡の機能を持たせている。これにより撮
像素子２５の撮像面２５ａ上に結像されるパターン像を
より鮮明にしている点が異っており、その他の構成は同
じである。
【００４７】図３は図２のリング開口絞り２６を光軸方
向から見たときの概略図である。
向から見たときの概略図である。
【００４８】この他本発明においては実施例３として照
明系１０２と観察系１０１とで暗視野顕微鏡と同様の構
成としても良い。
明系１０２と観察系１０１とで暗視野顕微鏡と同様の構
成としても良い。
【００４９】これによれば透明位相部材より成るパター
ンでもエッジの散乱光を検出することによってパターン
像を撮像素子２５でとらえることができる。
ンでもエッジの散乱光を検出することによってパターン
像を撮像素子２５でとらえることができる。
【００５０】以上の実施例２，３の２つの構成は実施例
１のように必ずしもアライメントマーク４を透過照明に
する必要がなく、落射照明でも良い。この為構成上の制
約がなく、又光学要素の数も少なくなり、装置全体が簡
素化されるといった特長がある。
１のように必ずしもアライメントマーク４を透過照明に
する必要がなく、落射照明でも良い。この為構成上の制
約がなく、又光学要素の数も少なくなり、装置全体が簡
素化されるといった特長がある。
【００５１】尚、以上の各実施例において光量の関係よ
り照明系のσを大きくせざるを得ず、その為に位相膜の
エッジ像が不鮮明となって所望のアライメント検出がで
きない場合、又は必要な精度が得られない場合には図４
に示すようにレチクル２の透明位相部材より成る露光用
パターン３以外にＣｒ等の遮光性の部材でパターニング
したアライメントマーク２８を付けることにより従来の
方法でアライメントをしても良い。
り照明系のσを大きくせざるを得ず、その為に位相膜の
エッジ像が不鮮明となって所望のアライメント検出がで
きない場合、又は必要な精度が得られない場合には図４
に示すようにレチクル２の透明位相部材より成る露光用
パターン３以外にＣｒ等の遮光性の部材でパターニング
したアライメントマーク２８を付けることにより従来の
方法でアライメントをしても良い。
【００５２】このアライメントマーク２８の位置と露光
用パターン３との相対位置合わせはオフセット処理が可
能な為ハード的には必ずしも精度を要しない為、位相パ
ターンと遮光パターンとの位置合わせが不要であるとい
う非減衰タイプの位相シフトマスクの利点を損なうこと
は無い。但し、オフセットとなる相対位置関係を正確に
測定しておくことは必要である。
用パターン３との相対位置合わせはオフセット処理が可
能な為ハード的には必ずしも精度を要しない為、位相パ
ターンと遮光パターンとの位置合わせが不要であるとい
う非減衰タイプの位相シフトマスクの利点を損なうこと
は無い。但し、オフセットとなる相対位置関係を正確に
測定しておくことは必要である。
【００５３】さらに、この方法で前述したＴＴＬ、ＡＦ
用のマークも形成することができる。
用のマークも形成することができる。
【００５４】またＣｒパターン無しで、ＴＴＬ、ＡＦを
行いたい場合は、投影レンズ５の解像限界以下のパター
ンにする。すなわち、そのパターンによって生成される
回折光の飛ぶ角度が投影レンズ５のＮＡ（開口数）以上
になるようなパターンサイズにする。この条件を式で表
わすと、 ｄ＜λ・ＮＡ （ｄ：パターンのピッチ、λ：波長、ＮＡ：投影レンズ
の開口数）となる。このようなサイズのパターンにする
ことにより、回折光が投影レンズ５で捕捉できなくなる
ために光量減少が起こり、遮光パターンを配置したのと
同様の効果が得られる。
行いたい場合は、投影レンズ５の解像限界以下のパター
ンにする。すなわち、そのパターンによって生成される
回折光の飛ぶ角度が投影レンズ５のＮＡ（開口数）以上
になるようなパターンサイズにする。この条件を式で表
わすと、 ｄ＜λ・ＮＡ （ｄ：パターンのピッチ、λ：波長、ＮＡ：投影レンズ
の開口数）となる。このようなサイズのパターンにする
ことにより、回折光が投影レンズ５で捕捉できなくなる
ために光量減少が起こり、遮光パターンを配置したのと
同様の効果が得られる。
【００５５】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、非減衰タ
イプの位相シフト膜を用いたレチクルアライメントマー
クを介してアライメント信号を検出する際、アライメン
ト系（観察系）を適切に構成することにより、レチクル
面上の位相シフトの位相膜の付いた領域と付いていない
領域とを効果的に区別することによりレチクルとウエハ
との相対的位置合わせを高精度に行い、高解像度の投影
パターンが得られる露光用原板及びそれを用いた投影露
光装置を達成することができる。
イプの位相シフト膜を用いたレチクルアライメントマー
クを介してアライメント信号を検出する際、アライメン
ト系（観察系）を適切に構成することにより、レチクル
面上の位相シフトの位相膜の付いた領域と付いていない
領域とを効果的に区別することによりレチクルとウエハ
との相対的位置合わせを高精度に行い、高解像度の投影
パターンが得られる露光用原板及びそれを用いた投影露
光装置を達成することができる。
【図１】本発明の実施例１の要部概略図
【図２】本発明の実施例２の一部分の要部概略図
【図３】図２の一部分の説明図
【図４】本発明に係るレチクルパターンの説明図
２ レチクル ３ 露光用パターン ４ アライメントマーク ５ 投影レンズ ６ ウエハ １３ 基準マーク １７ オフアクシスアライメントスコープ ２６ リング開口絞り ２７ 位相板 １０１ 観察系 １０２ 照明系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基板上に位相部材より成る露光用パ
ターンと所定の波長の光束を反射又は散乱させる材料よ
り成る別パターンとを形成したことを特徴とする露光用
原板。 - 【請求項２】 前記別パターンはアライメントパターン
又はフォーカスパターンであることを特徴とする請求項
１の露光用原板。 - 【請求項３】 前記別パターンはＣｒ材料より形成され
ていることを特徴とする請求項１の露光用原板。 - 【請求項４】 透明基板上に位相部材で露光用パターン
を形成した露光用原板の該露光用パターンを撮影系を介
して被露光物体に露光転写する際、該透明基板上に該撮
影系の解像限界以下のピッチのフォーカスパターンを設
けたことを特徴とするる露光用原板。 - 【請求項５】 透明基板上に位相部材でパターンを形成
した露光用原板を照明系からの光束で照明し、該露光用
原板を投影光学系によって感光剤が塗布された被露光物
体面上に投影露光する際、該露光用原板のパターンを透
過光束で観察するようにした観察系を設けたことを特徴
とする投影露光装置。 - 【請求項６】 前記観察系は位相差顕微鏡又は暗視野顕
微鏡を有していることを特徴とする請求項５の投影露光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13688293A JP3327627B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 露光用原板及びそれを用いた投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13688293A JP3327627B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 露光用原板及びそれを用いた投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06324472A true JPH06324472A (ja) | 1994-11-25 |
| JP3327627B2 JP3327627B2 (ja) | 2002-09-24 |
Family
ID=15185755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13688293A Expired - Fee Related JP3327627B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 露光用原板及びそれを用いた投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3327627B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10135119A (ja) * | 1996-10-30 | 1998-05-22 | Canon Inc | 投影露光装置 |
| US6992780B2 (en) * | 2001-05-22 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting method and apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
| US8625074B2 (en) | 2008-10-14 | 2014-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device fabrication method |
-
1993
- 1993-05-14 JP JP13688293A patent/JP3327627B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10135119A (ja) * | 1996-10-30 | 1998-05-22 | Canon Inc | 投影露光装置 |
| US6992780B2 (en) * | 2001-05-22 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting method and apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
| US7148973B2 (en) | 2001-05-22 | 2006-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting method and apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
| US8625074B2 (en) | 2008-10-14 | 2014-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device fabrication method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3327627B2 (ja) | 2002-09-24 |
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