JPH0697038A

JPH0697038A - 投影露光装置

Info

Publication number: JPH0697038A
Application number: JP4243037A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Taniguchi; 哲夫谷口
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1992-09-11
Filing date: 1992-09-11
Publication date: 1994-04-08

Abstract

(57)【要約】【目的】高速、高精度に投影光学系の焦点位置を計測
可能とする。【構成】パターン板１の表面に、レジスト層１０とほ
ぼ同一の屈折率を有し、かつレジスト層１０の膜厚のほ
ぼ半分の厚さの透明膜２を形成するとともに、パターン
板１の下面より露光光ＩＬを基準パターン１Ａに照射す
る。光電検出器５は、基準パターン１Ａ、及び透明膜２
を透過して投影光学系ＰＬを介してレチクルＲのパター
ン面に照射され、ここで反射されて投影光学系ＰＬ、及
び基準パターン１Ａを介して戻された光束を受光する。
主制御系ＭＣは、パターン板１と投影光学系ＰＬの結像
面とを光軸方向に相対移動させたとき、光電検出器５か
ら出力される検出信号Ｓ１に基づいて投影光学系ＰＬの
焦点位置を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子、液
晶表示素子、あるいは薄膜磁気ヘッド等の微細パターン
の形成に使用される投影露光装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子、液晶表示素子、あるいは薄
膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィ技術を用いて製造
する際には、マスク、またはレチクルのパターンを投影
光学系を介して表面に感光剤（フォトレジスト）が塗布
された基板（半導体ウエハ、ガラスプレート）上に転写
する投影露光装置が使用されている。この種の投影露光
装置では、転写すべき回路パターンが微細化されるのに
応じて投影光学系の開口数は大きくなり、焦点深度はよ
り浅くなっている。そこで、ウエハ面（レジスト表面）
を焦点深度の範囲内で投影光学系の最良結像面（焦点位
置）に合わせ込む焦点合わせ機構（オートフォーカス機
構）についてもより高精度化することが求められてい
る。

【０００３】従来、この種の焦点合わせ機構としては、
例えば特開昭６０−１６８１１２号公報に開示されてい
るように、ウエハ上のショット領域（例えばその中央
部）に、投影光学系の光軸に対して斜め方向からスリッ
トパターンの像を投影する照射光学系と、このスリット
パターンの像を光量分布の重心位置が検出できる光電セ
ンサーの受光面に再結像する受光光学系とからなる斜入
射光方式の焦点位置検出光学系（ＡＦセンサー）を備え
たものが知られている。この機構によれば、ウエハが投
影光学系の光軸方向に移動すると、そのスリットパター
ンの再結像された像の位置も変化することから、ウエハ
と投影光学系との距離（間隔）を計測することができ
る。そして、常に投影光学系とウエハとの距離が一定に
なるように制御することによりオートフォーカスが動作
していた。

【０００４】ところが、投影光学系の焦点位置は大気圧
変化、あるいは露光光吸収による投影光学系の温度上昇
等により常に変化しており一定ではない。このため従来
では、例えば特開昭６０−７８４５４号公報に開示され
ているように、大気圧変化、露光光の吸収量（蓄積エネ
ルギー量）等に応じて、ＡＦセンサーの計測値に対して
刻々と対応するオフセットを加算して焦点位置変化に追
従する方法が提案され実用化されている。しかしながら
この方法も、直接焦点位置を検出しているのではなく、
焦点位置変化の原因を測定して間接的に補正をしている
のに過ぎず、予想外の原因による焦点位置変化（例えば
衝撃、オペレートミス等）あるいは装置の長期的な変化
（例えば応力の開放、化学物質の経年変化等）には追従
できず完全なものとは言いがたい。

【０００５】また、投影光学系の焦点位置を直接的に測
定する方法としては、例えばウエハの投影光学系からの
距離を微妙に変化させてパターンをテスト的に露光して
現像し、顕微鏡で観察して像のコントラストが最大の位
置を求める方法があるが、時間と労力がかかり頻繁に実
施できるものではない。このため、この種の装置におい
ては、露光及び現象という過程を経ずに直接に投影パタ
ーン像を光電検出して投影光学系の焦点位置の変化を検
出し、上述の間接的に計測した投影光学系とウエハとの
距離の補正を行う方法が種々提案されている。

【０００６】直接的に焦点位置の変化を検出する方法
（ＴＴＬ方式）としては、例えばウエハに隣接して設け
た基準パターンの像を投影光学系を介して光電センサー
で受光してその受光量が最大になる位置を検出する方
法、あるいはレチクルの上方からこのレチクルのパター
ンを照明し、その照明光のウエハからの反射光をレチク
ルのパターンを介して受光し、この受光量が最大になる
位置を検出する方法がある。また、逆にウエハ側に設け
た基準パターンを照明し、その照明光のレチクルからの
反射光を基準パターンを介して光電センサーで受光し、
その受光量が最大になる位置を検出する方法、あるいは
所定のパターンからの光束を２分割して各々の光束でパ
ターンの位置計測を行ってそのずれ量より焦点位置を検
出する方法等も知られている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
如き従来技術における光電検出による焦点位置計測は、
空間的な光強度検出のもとでの焦点位置であり、露光光
の照射により感光剤（レジスト）が化学反応して形成す
る像の焦点位置とは微妙に異なる。レジストは基板（シ
リコン等）上に０．５〜１μｍ程度の厚さで塗布されて
おり、レジストが感光して形成される像のコントラスト
が最大となるのは、通常空間的な焦点位置がレジストの
膜厚のほぼ中央付近にあるときである。このとき、焦点
位置（レジストのほぼ中央付近）に達する光束はレジス
ト層の膜厚の約半分に相当する距離だけレジスト内部を
通過しているため、上記光電検出による焦点検出時とは
条件が異なる。つまり、レジストが平行平板として作用
するため、像の収差条件（特に球面収差）が異なること
になる。

【０００８】上記の如き収差条件の差が常に一定であれ
ば、光電検出による焦点位置とレジスト像による焦点位
置との差は一定であり、両者の差のみを管理するように
すれば、使用上は何ら問題はない。しかしながら、投影
光学系の収差条件は大気圧変化、露光光吸収による温度
変化等に応じて変化し得るため、両者の差は常に一定に
はならないという問題が生じる。従来では両者の差が微
小であるため、実用上問題とはならなかったが、最近で
は回路パターンの微細化に伴う焦点深度の減少により無
視し得なくなってきている。

【０００９】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
であり、パターン露光時の実際の焦点位置を正確に計測
可能な投影露光装置を提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明による第１の投影
露光装置は、マスク（Ｒ）に形成されたパターンを、表
面に感光剤（１０）が塗布された基板（Ｗ）上に結像投
影する投影光学系（ＰＬ）と、基板（Ｗ）を保持して投
影光学系（ＰＬ）の光軸（ＡＸ）と垂直な面内で２次元
移動可能な基板ステージ（ＷＳ）とを備え、基板ステー
ジ（ＷＳ）の一部に設けられ、感光剤（１０）とほぼ同
一の屈折率を有し、かつ感光剤（１０）の膜厚に対応し
た厚さの薄膜（２）がほぼ全面に形成された基準パター
ン（１Ａ〜１Ｄ）と、基準パターン（１Ａ〜１Ｄ）に照
明光（ＩＬ）を照射する照明手段（３、４）と、基準パ
ターン（１Ａ〜１Ｄ）から発生して投影光学系（ＰＬ）
を通過した光束を受光する受光手段（３、４、５）と、
受光手段（３、４、５）から出力される検出信号に基づ
いて投影光学系（ＰＬ）の焦点位置を検出する焦点位置
検出手段（ＭＣ）とを設けることとした。

【００１１】また、本発明による第２の投影露光装置
は、マスク（Ｒ）に形成されたパターンを、表面に感光
剤（１０）が塗布された基板（Ｗ）上に結像投影する投
影光学系（ＰＬ）と、基板（Ｗ）を保持して投影光学系
（ＰＬ）の光軸（ＡＸ）と垂直な面内で２次元移動可能
な基板ステージ（ＷＳ）とを備え、基板ステージ（Ｗ
Ｓ）の一部に設けられ、感光剤（１０）とほぼ同一の屈
折率を有し、かつ感光剤（１０）の膜厚に対応した厚さ
の薄膜（２）が形成された基準部材（２１）と、マスク
（Ｒ）の一部に形成された基準パターン（２５Ｘ、２５
Ｙ）と、基準パターン（２５Ｘ、２５Ｙ）に照明光（Ｉ
Ｌ）を照射する照明手段と、基準パターン（２５Ｘ、２
５Ｙ）から発生して投影光学系（ＰＬ）を介して基準部
材（２１）に照射され、基準部材（２１）を透過した光
束を受光する受光手段（２２）と、受光手段（２２）か
ら出力される検出信号に基づいて投影光学系（ＰＬ）の
焦点位置を検出する焦点位置検出手段（ＭＣ）とを設け
ることとした。

【００１２】さらに本発明では、薄膜（２）を感光剤
（１０）の膜厚のほぼ半分の厚さで形成することとし
た。

【００１３】

【作用】本発明では、基板ステージ上の基準パターン
（または基準部材）を用いて投影光学系の焦点位置を検
出するとき、感光剤が塗布された基板に対してマスクの
パターンを投影露光する場合とほぼ同一の条件で照明光
（露光用照明光とほぼ同一波長）が基準パターン（基準
部材）に入射するように、感光剤とほぼ同一の屈折率を
有し、かつ感光剤の膜厚に対応した厚さの薄膜を基準パ
ターン（基準部材）の表面に形成するようにした。この
ため、焦点位置検出時の収差条件が実際のパターン露光
時とほぼ同一となり、投影光学系の諸収差（特に球面収
差）が変化しても、本装置で検出される焦点位置と実際
のパターン露光時の焦点位置との差は一定、ないしはほ
ぼ零となる、すなわち常に精度良く投影光学系の焦点位
置を検出することが可能となる。

【００１４】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例による
投影露光装置について説明する。前述の如く直接的に焦
点位置を検出する方式（ＴＴＬ方式）は種々提案されて
おり、本発明の第１実施例ではこの中で最も実現性が高
い方式を採用した投影露光装置について述べる。図１
は、本実施例による投影露光装置の概略的な構成を示す
図である。図１では照明光源、及びオプチカルインテグ
レータ（フライアイレンズ）、レチクルブラインド、コ
ンデンサーレンズ等を含み、光源からの照明光ＩＬをほ
ぼ均一な照度でレチクルＲに照射するための照明光学系
は省略している。照明光ＩＬとしては、超高圧水銀ラン
プの輝線（ｉ線等）、ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザ、
あるいは金属蒸気レーザやＹＡＧレーザの高調波等が使
用される。

【００１５】図１において、感光剤（レジスト）を感光
するような波長域の照明光ＩＬは、レチクルステージＲ
Ｓに載置されたレチクルＲをほぼ均一な照度で照明す
る。レチクルＲのパターン領域ＰＡを通過した照明光Ｉ
Ｌは両側テレセントリックな投影光学系ＰＬに入射し、
投影光学系ＰＬはレチクルＲの回路パターンの投影像
を、表面にレジスト層１０が形成され、かつその表面が
最良結像面にほぼ一致するように保持されたウエハＷ上
に結像投影する。但し、図１では説明の都合上、照明光
ＩＬがウエハＷ上には結像していない。

【００１６】ウエハＷはウエハステージＷＳ上に保持さ
れ、ウエハステージＷＳは駆動系８により投影光学系Ｐ
Ｌの光軸ＡＸ方向（Ｚ方向）に微動可動であるととも
に、ステップアンドリピート方式で投影光学系ＰＬの光
軸ＡＸと垂直な面（ＸＹ平面）内で２次元移動可能に構
成されている。ウエハＷ上の１つのショット領域に対す
るレチクルＲのパターンの転写露光が終了すると、ウエ
ハステージＷＳによりウエハＷの次のショット領域まで
ステッピングされる。ウエハステージＷＳはその端部に
レーザ干渉計９からのレーザビームを反射する移動鏡１
１が設けられており、その位置は干渉計９によって、例
えば０．０１μｍ程度の分解能で常時検出される。尚、
ウエハステージＷＳの詳細な構成等については、例えば
特開昭６２−２７４２０１号公報に開示されている。

【００１７】また、ウエハステージＷＳ上には表面に基
準パターンが形成されたパターン板（石英等のガラス基
板）１も配置されている。図２に示すように、パターン
板１の表面にはＸ、Ｙ方向に周期性を有する基準パター
ン（マルチパターン）１Ａが形成されており、このパタ
ーンは振幅型回折格子、すなわちパターン板１にクロム
等の遮光層で形成された２次元のラインアンドスペース
パターン（デューティは１：１）である。ここで、図２
の如きマルチパターンを基準パターンとして用いるの
は、レチクルＲ上のパターン（周期性）の影響を低減す
るため、及び非点収差の影響を低減するためである。

【００１８】さらに、パターン板１の表面には基準パタ
ーン１Ａを覆うように、レジスト層１０とほぼ同一の屈
折率を有し、かつレジスト層１０の膜厚のほぼ半分の厚
さの透明薄膜２がほぼ全面に形成されている。薄膜２と
しては、レジストそのものを用いても良いが、例えばＳ
ＯＧ等を用いても良く、要は透明な膜であれば何でも良
い。尚、パターン板１はその表面（薄膜２の表面）が投
影光学系ＰＬの光軸方向に関してウエハＷの表面（レジ
スト層１０の表面）とほぼ同じ高さとなるように設けら
れている。また、パターン板１上の基準パターン１Ａは
位相型回折格子であっても良い。

【００１９】さて、図１中にはウエハＷやパターン板１
の投影光学系ＰＬの光軸方向（Ｚ方向）の位置を検出す
るための斜入射光方式の焦点位置検出系（ＡＦセンサ
ー）６、７が設けられている。ＡＦセンサー６、７は投
影光学系ＰＬの光軸ＡＸに関してほぼ対称に、かつその
検出位置（スリットパターンの投影位置）が投影光学系
ＰＬのイメージフィールドの中心、すなわち光軸位置と
ほぼ一致するように配置されている。ＡＦセンサー６、
７の構成等については、例えば特開昭６０−１６８１１
２号公報に開示されているので、ここでは詳細な説明は
省略するが、照射光学系６はスリットパターン（または
ピンホール）の像を形成するための結像光束を、投影光
学系ＰＬの光軸ＡＸに対して斜め方向から被検面に照射
し、受光光学系１２は被検面での反射光束を受光して光
電センサー（ＳＰＤ等）の受光面上に再結像する。すな
わち、ＡＦセンサー６、７は間接的（投影光学系ＰＬと
は無関係）に投影光学系ＰＬの最良結像面と被検面との
距離（合焦状態）を検出するものである。

【００２０】ここで、ＡＦセンサー６、７は予め投影光
学系ＰＬの最良結像面が零点基準となるようにキャリブ
レーションが行われる、すなわち投影光学系ＰＬの最良
結像面と被検面とが合致しているときに出力値（ＳＰＤ
のＳカーブ信号のレベル）が零となるように、受光光学
系７の内部に設けられた不図示の平行平板ガラス（プレ
ーンパラレル）の角度が調整される。平行平板ガラスの
角度調整は、主制御系ＭＣの指示により実行される。上
記の如きキャリブレーションは装置の立ち上げ時の他、
露光光吸収により投影光学系ＰＬの結像特性が大きく変
動し得るとき等に実行される。尚、レチクルＲに対する
照明条件の変更（例えばコヒーレンスファクターσ値の
変更、通常照明法から輪帯照明法への変更等）、あるい
は従来レチクルと位相シフトレチクルとの交換等を行っ
たとき、これに対応してパターン板１に対する照明条件
や基準パターンの変更等を行う場合には上記の如きキャ
リブレーションを行うようにしても良い。投影光学系Ｐ
Ｌの最良結像面、すなわち本実施例ではイメージフィー
ルドの光軸位置での合焦点（ベストフォーカス位置）
は、後述の如き直接方式（ＴＴＬ方式）の焦点検出系に
より検出され、この合焦点とパターン板１の表面とを一
致させた状態のとき、ＡＦセンサー６、７でパターン板
１を検出してその出力値が零となるように平行平板ガラ
スの角度調整（キャリブレーション）が行われる。

【００２１】次に、本実施例の直接方式の焦点検出系の
説明を行う。既に述べたように従来より種々の方式が提
案されているが、図１ではその中で最も実用性が高い１
つの方式を示す。後に他の方式についても簡単に説明を
行う。図１には示していないが、本実施例では特開昭６
４−１０１０５号公報等に開示されているように、露光
用光源から射出される照明光ＩＬの一部をビームスプリ
ッター等で分岐して、光ファイバー、またはミラー等に
より光ファイバー（ライトガイド）４の入射端４ａまで
導くように構成している。

【００２２】図１において、照明光ＩＬは２分岐ファイ
バー４の入射端４ａに入射した後、照明光学系３を介し
てパターン板１の下面まで導かれ、基準パターン１Ａを
その裏面（ウエハステージＷＳの内部）から照明する。
基準パターン１Ａを透過した照明光は、投影光学系ＰＬ
を介してレチクルＲの下面（パターン面）に照射され、
ここで反射されて再び投影光学系ＰＬを介してパターン
板１に達する。さらに基準パターン１Ａを透過した光は
照明光学系３、及び光ファイバー４を通り、射出端４ｂ
から光電検出器５に入射する。

【００２３】光電検出器５から出力される検出信号Ｓ１
は、基準パターン１Ａの透過光の強度に応じた信号であ
り、主制御系ＭＣに出力される。ここで、検出信号Ｓ１
はパターン板１の表面が投影光学系ＰＬの最良結像面と
一致したときに最大となる。従って、主制御系ＭＣはウ
エハステージＷＳをＺ方向に移動（走査）したとき、Ａ
Ｆセンサー６、７からの検出信号Ｓ２も入力し、検出信
号Ｓ１が最大となるＺ方向の位置（座標値）をベストフ
ォーカス位置として検出することになる。但し、基準パ
ターン１Ａが位相型回折格子である場合には、合焦点で
は検出信号Ｓ１が最小になる。

【００２４】ここで、ウエハステージＷＳをＺ方向に移
動したときに光電検出器５から出力される検出信号Ｓ１
の波形の一例を図４に示す。位置Ｚａ（＝Ｂ．Ｆ.)が基
準パターン１Ａがベストフォーカス位置にあるときのＺ
座標であり、位置Ｚａをほぼ中心として検出信号Ｓ１の
レベル（電圧値）は凸状に変化することになる。そこ
で、投影光学系ＰＬのイメージフィールド内の任意の計
測点での焦点位置を検出するとき、主制御系ＭＣはウエ
ハステージＷＳを移動して計測点に基準パターン１Ａを
位置決めした後、Ｚ方向にウエハステージＷＳを走査す
るコマンドを駆動系８に供給すると同時に、ＡＦセンサ
ー６、７からの検出信号Ｓ２、すなわちパターン板１の
Ｚ方向の位置を図４の横軸として、光電検出器５からの
検出信号Ｓ１を図４の縦軸としてプロットする。そし
て、検出信号Ｓ１が最大になる点から、主制御系ＭＣは
ベストフォーカス位置の座標値Ｚａ（＝Ｂ．Ｆ.)を検出
する。

【００２５】ところで、本実施例では露光用照明光ＩＬ
の一部を分岐してパターン板１の下面まで導くように構
成するものとしたが、露光用光源とは別に露光光ＩＬと
ほぼ同一波長の照明光を発生する光源を設けるようにし
ても良い。さらに２分岐ファイバーの代わりに、ビーム
スプリッター（ハーフミラー）等を有する光学系を使用
しても構わない。また、光ファイバー４の入射出面（照
明光学系３側）は投影光学系ＰＬの瞳面とほぼ共役に配
置されており、さらに照明光学系３による基準パターン
１Ａの照明条件（例えばσ値等）は露光用照明光学系に
よるレチクルＲの照明条件と同一にしておくことが望ま
しい。

【００２６】例えば特開平４−２２５３５９号公報に開
示されたような傾斜照明法（変形光源法）を採用する場
合には、基準パターン１Ａに対しても傾斜照明を行うよ
うにし、投影光学系ＰＬの瞳面での両者の光量分布を等
しくする。具体的には、照明光学系３中の投影光学系Ｐ
Ｌの瞳面と共役な面、例えば光ファイバー４の入射出面
近傍に、照明光学系３の光軸に対して偏心した複数（２
つ、または４つ）の位置の各々に開口を有する絞りを配
置すれば良い。

【００２７】また、基準パターン１Ａを、例えばマトリ
ックス状に配置されたＥＣＤ（エレクトロクロミックデ
バイス）、あるいは液晶素子等により構成しても良く、
各微小素子の印加電圧を制御することにより種々の格子
パターンを形成することが可能となる。そこで、前述の
照明条件と同様に、ウエハＷ上に投影されるパターン像
の微細度（ピッチ、周期方向等）、形状と同一条件とな
るように基準パターンを形成しても良い。

【００２８】次に、図３を参照して上記構成の焦点検出
系の検出原理を簡単に説明する。図３（ｃ）はパターン
板１の部分拡大図であり、表面にクロム蒸着膜（遮光
層）により基準パターン１Ａが形成されている。さて、
基準パターン１ＡとレチクルＲのパターン面とが共役な
関係にあるとき、基準パターン１Ａを透過した照明光Ｉ
ＬはレチクルＲのパターン面で反射されて、パターン板
１上に基準パターン１Ａの像が結像される。このときの
基準パターン１Ａの像の強度分布は、図３（ｂ）の分布
Ｃａに示すように基準パターン１Ａ自体の明暗分布とほ
ぼ一致し、基準パターン１Ａの透過部（ガラス部）を介
して反射光の大部分が光電検出器５に入射することにな
る。

【００２９】一方、基準パターン１ＡがレチクルＲのパ
ターン面と共役な面（投影光学系ＰＬによるレチクルパ
ターンの投影像面）から若干ずれている場合、レチクル
Ｒからの反射光によりパターン板１上に再結像された基
準パターン１Ａの像は、図３（ａ）の分布Ｃｂに示すよ
うにコントラストが低下する。このとき、図３（ａ）の
分布Ｃｂ中の斜線部は、図３（ｃ）の基準パターン１Ａ
の遮光部（斜線部）に重なり、基準パターン１Ａ（パタ
ーン板１）を通過することができず、光電検出器５に達
する光量は減少することになる。ここで、図３（ａ）及
び（ｂ）の状態は、基準パターン１Ａが図４中の位置Ｚ
ａ及びＺｂにあるときの特性に相当する。

【００３０】以上のように、基準パターン１Ａが投影光
学系ＰＬの焦点位置に一致したとき、光電検出器５から
出力される検出信号Ｓ１は最大となる。尚、光束の干渉
現象により、図４に示すように検出信号Ｓ１はピーク位
置の両側で凹状に落ち込む波形となる。また、基準パタ
ーン１Ａは非点収差の影響を考慮して、図２の如く多方
向のパターンの組み合わせとなっている。以上が本実施
例で利用する検出原理であり、さらに本実施例ではパタ
ーン板１（基準パターン１Ａ）の表面に透明膜２を形成
したものである。

【００３１】次に、露光光吸収による投影光学系ＰＬの
収差、特に球面収差の変化について説明を行う。投影光
学系ＰＬは露光光ＩＬに対して非常に透過率の高い材料
で作られているが、実際には微少ながらも露光光ＩＬを
吸収し、投影光学系ＰＬを構成する各光学要素の温度が
上昇する。このため、投影光学系ＰＬの結像特性が変化
するが、特に球面収差は投影光学系ＰＬの中心部の温度
が周辺部より上昇することにより、投影光学系ＰＬの中
心部を通る光束が周辺部を通る光束と比較して投影光学
系ＰＬにより近い所で焦点を結ぶことにより発生する。
これを模式的に示したのが図５である。

【００３２】図５（ａ）は露光光吸収のない状態を示
し、投影光学系ＰＬの周辺部を通る光束（実線）も中心
部を通る光束（点線）もほぼ一点で焦点を結んでいる。
一方、図５（ｂ）は露光光を吸収した状態を示し、投影
光学系ＰＬの温度が上昇することにより、周辺部及び中
心部を通る光束とも焦点位置が上方（投影光学系ＰＬに
近い方向）に移動するが、より温度上昇の大きい中心部
を通る光束がより上方で焦点を結ぶように変化してい
る。

【００３３】ところで、上記の如く周辺部を通る光束、
及び中心部を通る光束は、それぞれ細い線幅のパター
ン、及び太い線幅のパターンに対応する光束と言いかえ
ることができる。つまり、投影光学系ＰＬの解像限界に
近い微細パターンの回折光は、投影光学系ＰＬの開口絞
りＡＰの全面に広がって投影光学系ＰＬを通過するが、
粗いパターンの回折光は回折角が小さく投影光学系の中
心部のみを通過する。このことにより、線幅による焦点
位置の差が発生する。

【００３４】以上のように球面収差が変化すると、当然
ながら焦点位置も変化することになるが、本実施例では
直接方式の焦点検出系（１〜５）を用いて投影光学系Ｐ
Ｌの焦点位置を検出した後、ＡＦセンサー６、７のキャ
リブレーションを行うので、ＡＦセンサー６、７を用い
て常に投影光学系ＰＬの最良結像面とウエハＷの表面と
を正確に一致させることが可能となっている。尚、前述
の如くレチクル交換に伴ってパターン線幅が変化したと
きにも、ＡＦセンサー６、７のキャリブレーションを行
うようにして良い。また、露光光吸収により投影光学系
ＰＬに蓄積されるエネルギー量を逐次計算にて求めて焦
点位置の変化量を予測し、この変化量をオフセットとし
てＡＦセンサー６、７に与える方式と本実施例の方式と
を併用するようにしても良い。

【００３５】次に、図６を参照してレジスト層の有無に
よる球面収差の変化について説明を行う。図６（ａ）は
ウエハＷ上のレジスト層１０のほぼ中央付近でレチクル
Ｒを透過した照明光ＩＬが結像している様子を示す。空
気中を通ってきた照明光ＩＬはレジスト層１０に入射す
るが、空気よりも屈折率が高いレジスト層１０に入射す
るとき、照明光ＩＬは図６（ａ）の如く屈折して結像す
る。

【００３６】一般に、投影光学系の調整、評価はレジス
ト像を見ながら行うため、理想的に投影光学系ＰＬが調
整されていれば、照明光ＩＬは図６（ａ）のように結像
するはずである。この状態で、透明膜２が形成されてい
ない従来のパターン板１上にレチクルＲのパターンを結
像させると、レジスト層１０がないので図６（ｂ）によ
うに照明光は屈折しない、すなわち球面収差が発生す
る。

【００３７】一方、パターン板１を下面より照明して焦
点位置検出を行うとき、照明光は図６（ｃ）の如くパタ
ーン板１の表面（基準パターン）から発生するため、こ
の基準パターンからの照明光は投影光学系ＰＬ中を図６
（ｂ）の露光用照明光とは異なる光路を通ることにな
る。このとき、投影光学系ＰＬの諸収差、特に球面収差
の条件が常に一定であれば、図６（ａ）〜（ｃ）の関係
も常に一定となるため、直接方式（ＴＴＬ方式）の焦点
検出系で得られた焦点位置に常に一定のオフセットを与
えて使用すれば（例えばＡＦセンサー６、７のキャリブ
レーションを行えば）、投影光学系ＰＬの結像面とウエ
ハ面とを正確に一致させることができ、何ら問題はな
い。

【００３８】しかしながら、投影光学系ＰＬの球面収差
は露光光吸収等により逐次変化するため、上記の如き一
定のオフセットのみを与えるだけでは、厳密な焦点位置
計測、及び焦点合わせを行うことができない。そこで、
本実施例では図６（ｄ）に示すようにパターン板１（基
準パターン１Ａ）の表面に、レジスト層１０とほぼ屈折
率が等しく、かつレジスト層１０の膜厚のほぼ半分の厚
さの透明膜２を形成し、実際のパターン露光時とほぼ同
一条件のもとで焦点位置を計測することが可能となって
いる。

【００３９】従って、本実施例では照明条件の変更、レ
チクル交換、レチクルパターンの微細度の変更、あるい
は露光光吸収等により投影光学系の結像特性が大きく変
動し得るとき、上記構成の直接方式の焦点検出系を用い
て投影光学系ＰＬの焦点位置を検出するようにした。こ
のため、投影光学系ＰＬのイメージフィールドの任意の
点での焦点位置を随時精度良く計測することができ、し
かもこの計測値を用いて間接方式のＡＦセンサー６、７
のキャリブレーションを行うことで、常に投影光学系Ｐ
Ｌの最良結像面とウエハ面とを正確に一致させることも
可能となる。

【００４０】尚、本実施例ではＡＦセンサー６、７のキ
ャリブレーションを前提とし、投影光学系ＰＬの焦点位
置のみを求めていたが、これ以外にも非点収差や像面湾
曲、さらには球面収差等を求めるようにしても良い。像
面湾曲を検出するには、イメージフィールド内の複数
（少なくとも３つ）の点の各々での焦点位置を検出し、
これらの値から（例えば統計演算を用いて）像面湾曲を
決定すれば良い。このとき、投影光学系ＰＬが複数のレ
ンズエレメントから構成される屈折光学系であれば、少
なくとも１つのレンズエレメント（特にレチクルＲに近
いレンズエレメント）を移動して像面湾曲を補正するよ
うにしても良い。また、像面湾曲等を考慮して決定され
る投影光学系ＰＬの結像面（近似的な面）を用いて、特
開昭５８−１１３７０６号公報に開示されたようにウエ
ハ面の傾きを検出する光学系のキャリブレーションを行
い、投影光学系ＰＬの結像面とウエハ面とを一致させる
ようにしても良い。あるいは両者を組み合わせて使用す
るようにしても良い。また、球面収差は光電検出器５か
らの検出信号Ｓ１の波形の対称性から求めることができ
る。

【００４１】ところで、上記実施例ではパターン板１上
に形成する透明膜２の膜厚をレジスト層１０の半分に定
めるものとしたが、透明膜２の膜厚はレチクルパターン
の像が結像するレジスト層中の位置（図６（ａ))に応じ
て定めれば良く、例えば多層レジストを使用する場合、
透明膜２の膜厚は多層レジストの膜厚の半分よりも厚く
なる。また、屈折率と膜厚との少なくとも一方が異なる
複数の透明膜をパターン板１上に形成しておくようにし
ても良い。このとき、透明膜毎に基準パターンを形成し
ておく。また、レジストの種類や使用法により、透明膜
２の屈折率や膜厚には種々の組み合わせが存在するが、
この組み合わせがレジストの種類、使用法等に厳密に一
致しなくても、収差の影響が等しくなるように透明膜２
の屈折率や膜厚の組み合わせを選ぶようにすれば問題な
い。つまり、膜厚が一致（例えばレジスト層のほぼ半
分）しなくても、屈折率を適当に選ぶことで投影光学系
ＰＬの瞳面内の中心部と周辺部との各々を通過する光束
の光路長を一致させることができる。逆に屈折率をレジ
スト層１０のほぼ半分に設定しなくても、その膜厚を適
当に設定すれば良い。さらに、透明膜２を２層以上の多
層構造としても良い。

【００４２】さて、前述の如く直接方式の焦点検出系は
種々提案されている。そこで、図１０を参照して第１実
施例と異なる検出方式を採用した投影露光装置について
簡単に説明する。図１０に示す投影露光装置は図１の装
置と基本構成は同一、すなわちパターン板１の表面に透
明膜２を形成し、かつパターン板１の下面より基準パタ
ーンを照明光ＩＬで照射する点は同一である。図１０で
は、図１と同一の部材には同じ符号を付しており、ここ
ではその詳細説明を省略する。尚、本実施例で採用する
直接方式の焦点検出系は、例えば特開平１−２６２６２
４号公報、特開平１−２７３３１８号公報等に開示され
た系をそのまま利用したものである。

【００４３】図１０において、図１の例と同様にウエハ
ステージＷＳ上のウエハＷの近傍にはパターン板４１が
設けられている。図示していないが、パターン板４１の
表面には基準パターンとして２組のスリットパターンが
形成されており、さらに２組のスリットパターンを覆う
ように、レジスト層１０と屈折率がほぼ等しく、かつ膜
厚がほぼ半分の透明膜２が形成されている。尚、２組の
スリットパターンは遮光部中でＸ、Ｙ方向の各々に延び
た光透過性のバーパターン（例えば図１１（ａ）のＦＭ
ｘ）であるものとする。

【００４４】さて、照明系５０は露光用光源、フライア
イレンズ、ビームスプリッター等を有し、レジスト層１
０を感光させるような波長域の照明光を射出する。この
照明光はビームスプリッター５１、リレーレンズ５２、
５４、可変視野絞り（レチクルブラインド）５３、及び
コンデンサーレンズ５５を通り、ミラー５６で垂直に下
方に反射されてレチクルＲをほぼ均一な照度で照明す
る。レチクルブラインド５３の面はレチクルＲのパター
ン面と共役な関係にあり、レチクルブラインド５３を構
成する複数の可動ブレードを開閉させて開口部の大き
さ、形状を変えることにより、レチクルＲの照明視野を
任意に設定できる。

【００４５】図示していないが、照明系５０の内部には
露光用照明光の一部を分岐するためのビームスプリッタ
ーも配置されており、ここで分岐された照明光の一部は
不図示の光ファイバー、またはミラー等を介して光ファ
イバー４２に入射するように構成されている。光ファイ
バー４２に入射した照明光ＩＬは、ウエハステージＷＳ
内部の照明光学系３を介してパターン板４１の下方から
基準パターンＦＭｘを照明する。さらに基準パターンＦ
Ｍｘを透過した光は、投影光学系ＰＬを通過してレチク
ルＲのパターン面に照射される。

【００４６】ここで、レチクルＲのパターン面の一部に
は、基準パターンＦＭｘ（正確には投影光学系ＰＬの投
影倍率を考慮してその投影像）とほぼ同一形状、大きさ
の遮光層よりなる基準マークＲＭｘが形成されている。
基準マークＲＭｘは、回路パターンに影響を与えないよ
うにレチクルＲの周辺部、例えばパターン領域ＰＡを規
定する所定幅の遮光帯の中に配置されている。尚、基準
マークＲＭｘとしてアライメントマークを兼用するよう
にしても良い。

【００４７】さて、レチクルＲを透過した照明光は、ミ
ラー５６、コンデンサーレンズ５５、及びリレーレンズ
５４、５２等を介してビームスプリッター５１で反射さ
れた後、さらに分割ミラー５８で分割されてそれぞれ光
電検出器５９、６０に入射する。光電検出器５９、６０
は共に、入射光の強度に応じた光電信号を主制御系ＭＣ
に出力する。ここで、分割ミラー５８は投影光学系ＰＬ
の瞳面とほぼ共役な位置に配置されており、ここで分割
された２つの光束の主光線は図１０に示す如く投影光学
系ＰＬの光軸ＡＸに対して傾きを持つことになる。

【００４８】次に、上記構成の焦点検出系の計測動作に
ついて簡単に説明する。主制御系ＭＣはＡＦセンサー
６、７を用いてウエハステージＷＳをＺ方向に移動し、
投影光学系ＰＬの焦点位置と予想される位置（設計上の
焦点位置）から所定量だけ上方（投影光学系ＰＬに近づ
く方向）にずれた位置（座標値Ｚ₁)にパターン板１を位
置決めする。しかる後、ウエハステージＷＳをＸ方向に
微動して基準パターンＦＭｘの投影像と基準マークＲＭ
ｘとを相対走査する。このとき、主制御系ＭＣは光電検
出器５９、６０の各々からの検出信号と干渉計９からの
位置信号とを入力する。この結果、図１１（ｂ）のよう
な波形が得られる。図１１（ｂ）の信号Ｓ４（実線）及
びＳ５（点線）はそれぞれ光電検出器５９及び６０から
の検出信号であり、座標値Ｘ₁及びＸ₂で光量（電圧
値）が最小となっている。ここで、基準パターンＦＭｘ
の投影像と基準マークＲＭｘとが重なったとき、検出信
号Ｓ４、Ｓ５は共にレベルが最小となる。つまり、ミラ
ー５８で分割された２つの光束の主光線が投影光学系Ｐ
Ｌの光軸に対して斜めになっているため、基準パターン
ＦＭｘとレチクルＲのパターン面とが共役でないと、各
光束で基準パターンＦＭｘと基準マークＲＭｘとの相対
位置がＸ方向にずれて見えることを図１１（ｂ）は表し
ている。

【００４９】次に、ＡＦセンサー６、７を用いてウエハ
ステージＷＳをＺ方向に移動し、投影光学系ＰＬの焦点
位置と予想される位置（設計上の焦点位置）から所定量
だけ下方（投影光学系ＰＬから遠ざかる方向）にずれた
位置（座標値Ｚ₂)にパターン板１を位置決めする。しか
る後、上記と全く同様の動作でウエハステージＷＳをＸ
方向に微動して、光電検出器５９、６０からの各検出信
号が最小となる座標値Ｘ₁'及びＸ₂'を算出する。この結
果、図１１（ｃ）のような関係が得られ、この関係から
２本の直線の交点を焦点位置Ｚ₀として求めることがで
きる。

【００５０】尚、図１１（ｃ）中の２本の直線の傾きを
予め求めておけば、位置Ｚ₁で１回だけウエハステージ
ＷＳを走査するだけで焦点位置Ｚ₀を求めることも可能
である。本方法も、実際の露光に使用するレチクルでは
投影光学系ＰＬの光軸付近での焦点位置を検出できない
という不都合があるが、測定に時間があまりかからない
という利点がある。

【００５１】以上のように、図１０中に示した直接方式
の焦点検出系においても、実際のパターン露光時とほぼ
同一条件のもとで焦点位置を計測することが可能とな
り、計測精度の向上が期待できる。次に、図７を参照し
て本発明の第２実施例について説明する。図７（ａ）は
本実施例による投影露光装置の概略的な構成を示す図、
図７（ｂ）はパターン板２１の具体的な構成を示す図、
図７（ｃ）はレチクルＲに形成される基準パターンの構
成を示す図である。本実施例で採用する直接方式の焦点
検出系は、基本的には第１実施例（図１）と同一であ
り、焦点検出に使用する基準パターンがレチクルＲに形
成されている点が異なる。図７（ａ）では図１と同一の
部材には同じ符号を付してその詳細説明を省略し、第１
実施例との差異について説明する。図７（ａ）におい
て、ウエハステージＷＳ上のウエハＷの近傍にはパター
ン板（石英等のガラス基板）２１が設けられており、さ
らにパターン板２１には図７（ｂ）に示すように遮光部
（斜線部）中に２組の開口パターン２１Ｘ、２１Ｙが形
成されている。さらに２組の開口パターン２１Ｘ、２１
Ｙを覆うように、レジスト層１０と屈折率がほぼ等し
く、かつ膜厚がほぼ半分の透明膜２が形成されている。
また、パターン板２１の下部（ウエハステージＷＳの内
部）には光電検出器２２が配置されており、開口パター
ン２１Ｘ、２１Ｙを透過した光を受光する。一方、レチ
クルＲの周辺部には基準パターン２５、すなわち図７
（ｃ）に示すように遮光部（斜線部）中に２組のスリッ
トパターン２５Ｘ、２５Ｙが形成されている。

【００５２】次に、上記構成の焦点検出系の計測動作を
簡単に説明する。主制御系ＭＣは、まず露光用照明光Ｉ
ＬをレチクルＲのほぼ全面に照射する。これにより、基
準パターン２５Ｘを透過した光は投影光学系ＰＬを通っ
てパターン板２１上に結像される。しかる後、ウエハス
テージＷＳをＸ方向に微動して、基準パターン２５Ｘの
投影像と開口パターン２１Ｘとを相対走査する。このと
き、パターン板２１のＺ方向の位置は投影光学系ＰＬの
結像面から所定量だけずれているものとする。尚、レチ
クルブラインド（不図示）により基準パターン２５のみ
に露光光ＩＬを照射するようにしても良い。

【００５３】開口パターン２１Ｘを透過した光は光電検
出器２２に入射し、光電検出器２２は入射光の強度に応
じた光電信号を主制御系ＭＣに出力する。このとき得ら
れる光電信号の波形Ｉ₁を図８中に実線にて示す。図８
に示すように信号波形Ｉ₁はブロードな波形となってい
るが、これはパターン板２１が投影光学系ＰＬの結像面
がずれているためであり、結像面とパターン板２１とが
一致しているときには波形Ｉ₂(点線）の如くシャープな
波形となる。

【００５４】そこで、本実施例ではウエハステージＷＳ
を所定量ずつＺ方向に移動しながら、上記動作と全く同
様に各位置毎にウエハステージＷＳをＸ方向に微動す
る。そして、Ｚ位置毎に得られる光電信号のうち、最も
コントラストの良い（シャープな）波形が得られるＺ位
置を焦点位置として決定する。このとき、パターン板２
１上には透明膜２が形成されているので、上記実施例と
同様に精度良く焦点位置を検出することが可能となって
いる。

【００５５】次に、図９を参照して第２実施例（図７）
と異なる直接方式の焦点検出系が適用された投影露光装
置について簡単に説明する。図９では図１、図７と同一
の部材には同じ符号を付しており、ここではその説明を
省略する。図９において、ウエハステージＷＳ上のウエ
ハＷの近傍にパターン板（石英等のガラス基板）３１が
設けられ、このパターン板３１の表面の一部にクロム等
により高反射面が形成され、さらに高反射面を覆うよう
にレジスト層１０と屈折率がほぼ等しく、かつ膜厚がほ
ぼ半分の透明膜２が形成されている。

【００５６】本実施例では、レチクルＲのほぼ全面に露
光用照明光ＩＬを照射し、レチクルＲ、及び投影光学系
ＰＬを通ってパターン板３１に達する光束の一部を高反
射面で反射する。ここでは、レチクルＲ上の予め定めら
れた回路パターンの一部（あるいは、図７（ｃ）の如き
計測用の基準マークまたはアライメントマークを含む部
分領域）を透過した露光光を高反射面で反射させるもの
とする。さて、高反射面で反射した光束は再度投影光学
系ＰＬを介してレチクルＲに入射し、さらにレチクルＲ
を透過した光はミラー５６、コンデンサーレンズ５５、
及びリレーレンズ５４、５２を介してビームスプリッタ
ー５１で反射されて光電検出器５７に導かれる。光電検
出器５７は、レチクルＲを透過した光の強度に応じた光
電信号を主制御系ＭＣに出力する。

【００５７】以上から明らかなように、本実施例の焦点
検出系は第１実施例（図１）の焦点検出系と逆の構成、
すなわちレチクルとパターン板とを置き換えたものと等
価である。従って、本実施例では第１実施例と全く同様
の原理を用い、ウエハステージＷＳをＺ方向に走査（ス
キャン）したときに光電検出器５７から出力される光電
信号のレベル（電圧値）が最大となるＺ位置を焦点位置
として検出することになる。本実施例でも、パターン板
３１上には透明膜２が形成されているので、上記実施例
と同様に精度良く焦点位置を検出することが可能となっ
ている。

【００５８】また、他の例として画像処理によるコント
ラスト検出法等がある。例えばレチクルＲ上よりレチク
ル上のパターンを顕微鏡で観察し、ＣＣＤカメラ等で光
電検出した像に対して明暗差等でコントラストを検出し
て焦点合わせを行う。そのまま次に、ウエハステージ上
のパターンを観察して焦点位置を合わせることにより、
レチクルとウエハステージとの共役関係を求める方法も
提案されている。この種の検出方式に対しても本発明を
適用して同様の効果を得ることができる。

【００５９】以上の各実施例ではパターン板上に形成す
る薄膜を１種類としたが、使用するレジストの種類、膜
厚当は一定とは限らないので、透明膜２の屈折率と膜厚
との少なくとも一方を可変としても良い。また、透明膜
はパターン板に形成しておく必要はなく、投影光学系Ｐ
Ｌとパターン板との間の光路中に配置するようにしても
良い。例えば、屈折率と膜厚との少なくとも一方が異な
る複数の透明膜をレボルバー（スライダー、ターレット
等）に形成して交換可能にする、あるいは液体を封入し
た部材を上記光路中に配置しておき、封入すべき液体を
入れ替えるようにしても良い。また、パターン板上に屈
折率と膜厚との少なくとも一方が異なる２種類の透明膜
を形成しておき、レジストの形成条件（屈折率、膜厚）
が先の２種類の透明膜と一致していないときでも、２種
類の透明膜のもとで投影光学系ＰＬの焦点位置を計測し
て、当該レジストでの焦点位置を予測するようにしても
良い。さらに、パターン板に形成する透明膜の種類等に
よっては、光電検出器（５、２２、５７、５９、６０）
からの検出信号のコントラストが低下して計測精度が低
下し得ることがあるので、透明膜の種類に応じてパター
ン板に照射する照明光の光量を可変とするように構成し
ておいても良い。これは、例えばパターン板、またはレ
チクル上の基準パターンに入射する照明光の光路中に連
続的、または段階的に光量を可変する減光フィルターを
設けておけば良い。また、先の各実施例の直接方式の焦
点検出系を用いてレチクル上の基準マーク（アライメン
トマーク等）の位置（干渉計９によって規定される直交
座標系ＸＹ内での座標値）を検出することができるが、
このような場合にもパターン板上に透明膜を形成してお
けば、計測精度の向上が期待できる。

【００６０】

【発明の効果】本発明では、投影露光装置のパターン露
光時とほぼ同一の条件で投影光学系の焦点位置を検出で
きるため、収差条件の違い等に起因したオフセット（レ
ジスト膜厚の半分程度）の発生を防止することが可能と
なる。また、焦点位置はレジストの特性（屈折率、膜厚
等）、ウエハ（下地）の反射率等によって微妙に変化し
得るので、常にレジスト層のほぼ中央付近になるとは限
らず、残留誤差が生じ得るが、この誤差量はレジスト膜
厚の半分と比較して微小であるため、このような場合で
も特別なオフセット管理を行う必要はないといった利点
がある。さらに、本発明は現在製造ラインで使用されて
いる投影露光装置に対しても若干の改造を施すだけで適
用可能であるという利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例による投影露光装置の概略
的な構成を示す図。

【図２】図１中のパターン板の具体的な構成の一例を示
す図。

【図３】図１中の直接方式の焦点検出系の検出原理を説
明する図。

【図４】図１中の直接方式の焦点検出系で得られる検出
信号の波形を示す図。

【図５】球面収差を説明するための模式図。

【図６】本発明の原理説明に供する図。

【図７】本発明の第２実施例による投影露光装置の概略
的な構成を示す図。

【図８】図７中の直接方式の焦点検出系で得られる検出
信号の波形を示す図。

【図９】本発明を適用可能な投影露光装置の別の構成を
示す図。

【図１０】本発明を適用可能な投影露光装置の別の構成
を示す図。

【図１１】図１０の投影露光装置の焦点検出原理を説明
する図。

【符号の説明】

１パターン板１Ａ、２５Ｘ、２５Ｙ、ＦＭｘ基準パターン２透明膜４、４１光ファイバー５、２２、５７、５９、６０光電検出器６、７ＡＦセンサー１０レジスト層ＲレチクルＷウエハＰＬ投影光学系ＷＳウエハステージＭＣ主制御系

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスクに形成されたパターンを、表面に
感光剤が塗布された基板上に結像投影する投影光学系
と、前記基板を保持して前記投影光学系の光軸と垂直な
面内で２次元移動可能な基板ステージとを備えた投影露
光装置において、前記基板ステージの一部に設けられ、前記感光剤とほぼ
同一の屈折率を有し、かつ前記感光剤の膜厚に対応した
厚さの薄膜がほぼ全面に形成された基準パターンと；前
記基準パターンに照明光を照射する照明手段と；前記基
準パターンから発生して前記投影光学系を通過した光束
を受光する受光手段と；該受光手段から出力される検出
信号に基づいて前記投影光学系の焦点位置を検出する焦
点位置検出手段とを備えたことを特徴とする投影露光装
置。
【請求項２】マスクに形成されたパターンを、表面に
感光剤が塗布された基板上に結像投影する投影光学系
と、前記基板を保持して前記投影光学系の光軸と垂直な
面内で２次元移動可能な基板ステージとを備えた投影露
光装置において、前記基板ステージの一部に設けられ、前記感光剤とほぼ
同一の屈折率を有し、かつ前記感光剤の膜厚に対応した
厚さの薄膜が形成された基準部材と；前記マスクの一部
に形成された基準パターンと；該基準パターンに照明光
を照射する照明手段と；前記基準パターンから発生して
前記投影光学系を介して前記基準部材に照射され、前記
基準部材を透過、または反射した光束を受光する受光手
段と；該受光手段から出力される検出信号に基づいて前
記投影光学系の焦点位置を検出する焦点位置検出手段と
を備えたことを特徴とする投影露光装置。
【請求項３】前記薄膜は、前記感光剤の膜厚のほぼ半
分の厚さで形成されていることを特徴とする請求項１、
または２に記載の投影露光装置。