JPH06326418A - ２電極ｄｆｂレーザ構造を使用した振幅光変調器 - Google Patents
２電極ｄｆｂレーザ構造を使用した振幅光変調器Info
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- JPH06326418A JPH06326418A JP6057782A JP5778294A JPH06326418A JP H06326418 A JPH06326418 A JP H06326418A JP 6057782 A JP6057782 A JP 6057782A JP 5778294 A JP5778294 A JP 5778294A JP H06326418 A JPH06326418 A JP H06326418A
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- H01S5/5045—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 the arrangement having a frequency filtering function
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 歪及び情報速度の制限が少ない光変調器を提
供することを目的としている。 【構成】 ２電極ＤＦＢレーザー構造を用いた振幅光変
調器（１０）で、この変調器はその構造に注入される電
流の１つ（Ｉ′）を変調する電流発生器（３２）を含ん
でいる。この変調器は自然放射ピークを移動させ、注入
される光ビームの振幅変調を行なわせている。光遠隔通
信に利用できる。
供することを目的としている。 【構成】 ２電極ＤＦＢレーザー構造を用いた振幅光変
調器（１０）で、この変調器はその構造に注入される電
流の１つ（Ｉ′）を変調する電流発生器（３２）を含ん
でいる。この変調器は自然放射ピークを移動させ、注入
される光ビームの振幅変調を行なわせている。光遠隔通
信に利用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電極ＤＦＢレーザ構造を
用いる振幅光変調器に関する。本発明は光遠隔通信に利
用できる。
用いる振幅光変調器に関する。本発明は光遠隔通信に利
用できる。
【０００２】
【従来の技術】従来から光ビームの振幅変調は複屈折水
晶（例えば、ニオブ酸リチウムの水晶）を用いて行われ
ている。その水晶には変調された電圧が印加される。そ
のような方法は重大な光損失を生じさせ、高電圧の使用
が必要であった。他の方法は周波数変調されたレーザ光
源を用い、通常周波数偏移キーイング（ＦＳＫ）として
知られている前記周波数変調を、通常振幅偏移キーイン
グ（ＡＳＫ）と呼ばれている振幅変調に変換するもので
ある。この方法は例えば、Ｄ．ＭＡＲＣＵＳＥの論文、
光波技術ジャーナル第８巻、第７号、１９９０年７月、
１１１０−１１２２頁に掲載の「ＦＳＫレーザスペクト
ルのコンピュータシミュレーションとＦＳＫからＡＳＫ
への変換のコンピュータシミュレーション」に記載され
ている。
晶（例えば、ニオブ酸リチウムの水晶）を用いて行われ
ている。その水晶には変調された電圧が印加される。そ
のような方法は重大な光損失を生じさせ、高電圧の使用
が必要であった。他の方法は周波数変調されたレーザ光
源を用い、通常周波数偏移キーイング（ＦＳＫ）として
知られている前記周波数変調を、通常振幅偏移キーイン
グ（ＡＳＫ）と呼ばれている振幅変調に変換するもので
ある。この方法は例えば、Ｄ．ＭＡＲＣＵＳＥの論文、
光波技術ジャーナル第８巻、第７号、１９９０年７月、
１１１０−１１２２頁に掲載の「ＦＳＫレーザスペクト
ルのコンピュータシミュレーションとＦＳＫからＡＳＫ
への変換のコンピュータシミュレーション」に記載され
ている。
【０００３】しかしながら、この方法においては、まだ
僅かな周波数変調が存在し、これが光接続ファイバー中
を光が伝搬する間に光信号の歪をもたらす。従って、従
来の光ファイバ（Ｇ６５２型）の色の分散、それは約１
５〜１７ピコ秒／ｋｍ／ｎｍであるが、光の波列を歪ま
せ、情報速度を制限する。従って、この方法には欠点が
ある。
僅かな周波数変調が存在し、これが光接続ファイバー中
を光が伝搬する間に光信号の歪をもたらす。従って、従
来の光ファイバ（Ｇ６５２型）の色の分散、それは約１
５〜１７ピコ秒／ｋｍ／ｎｍであるが、光の波列を歪ま
せ、情報速度を制限する。従って、この方法には欠点が
ある。
【０００４】さらに、最近では、半導体増幅器として知
られている他の装置が出現している。それは、更に詳細
には、Ｂ．ＦＥＲＮＩＥＲ、Ｐ．ＧＡＲＡＢＥＤＩＡ
Ｎ、Ｅ．ＤＥＲＯＵＩＮ及びＦ．ＬＥＢＬＯＮＤの論
文、Ｐｖｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆＥＣＯＣ、９２年に掲
載の「２電極半導体光増幅器におけるチャープのない
２．５Ｇｂｉｔｓ／ｓ振幅変調／ゲート」の中に記載さ
れている。しかしながら、そのような装置には速度制限
がある。
られている他の装置が出現している。それは、更に詳細
には、Ｂ．ＦＥＲＮＩＥＲ、Ｐ．ＧＡＲＡＢＥＤＩＡ
Ｎ、Ｅ．ＤＥＲＯＵＩＮ及びＦ．ＬＥＢＬＯＮＤの論
文、Ｐｖｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆＥＣＯＣ、９２年に掲
載の「２電極半導体光増幅器におけるチャープのない
２．５Ｇｂｉｔｓ／ｓ振幅変調／ゲート」の中に記載さ
れている。しかしながら、そのような装置には速度制限
がある。
【０００５】本発明はこれらの欠点を除去することを目
的とする。この目的のために、本発明はそれ自体は既知
の装置、即ち、２電極分布帰還（ＤＦＢ）形の構造を使
用を推奨している。
的とする。この目的のために、本発明はそれ自体は既知
の装置、即ち、２電極分布帰還（ＤＦＢ）形の構造を使
用を推奨している。
【０００６】図１はこの構造の簡潔な詳細を示す。それ
は、下側クラッド層１２、活性層１４、上側クラッド
層、２つの電極１８，１８′と２つの電流源２０，２
０′から構成されている。そのような多電極ＤＦＢ構造
は光遠隔通信の分野では既に知られており、それはしき
い値以下に分極している同調可能な光フィルターとして
役立っている。このタイプのフィルターは光電検出器又
は周波数変調ビームの選別器として用いることができ
る。
は、下側クラッド層１２、活性層１４、上側クラッド
層、２つの電極１８，１８′と２つの電流源２０，２
０′から構成されている。そのような多電極ＤＦＢ構造
は光遠隔通信の分野では既に知られており、それはしき
い値以下に分極している同調可能な光フィルターとして
役立っている。このタイプのフィルターは光電検出器又
は周波数変調ビームの選別器として用いることができ
る。
【０００７】その構造及び応用はＭ．Ｊ．ＣＨＡＷＫ
Ｉ、Ｒ．ＡＵＦＦＲＥＴ、Ｅ．ＬＥＣＯＱＵＩＬ、Ｐ．
ＰＯＴＴＩＥＲ、Ｌ．ＢＥＲＴＨＯＵ、Ｈ．ＰＡＣＩＵ
ＬＬＯ及びＪ．ＬＥＢＩＨＡＮの論文、光波技術、第１
０巻、第１０号、１９９２年１０月、１３８８−１３９
７頁に掲載の「広く同調可能な狭帯域ＦＭ受信器と用い
られる２電極ＤＦＢレーザーフィルター、同調解析、特
性、及び実験的ＦＳＫ−ＷＤＭシステム」、及びＭ．
Ｊ．ＣＨＡＷＫＩ、Ｒ．ＡＵＦＦＲＴ及びＬ．ＢＥＲＴ
Ｈ０Ｕの文献、エレクトロンレター、１９９０年７月、
第２６巻、第１５号、１１４６−１１４７頁に掲載の
「同調可能なＦＳＫ選別器／光電検出器として２電極Ｄ
ＦＢレーザーを用いる１．５Ｂビット／秒ＦＳＫ伝送シ
ステム」に記載されている。
Ｉ、Ｒ．ＡＵＦＦＲＥＴ、Ｅ．ＬＥＣＯＱＵＩＬ、Ｐ．
ＰＯＴＴＩＥＲ、Ｌ．ＢＥＲＴＨＯＵ、Ｈ．ＰＡＣＩＵ
ＬＬＯ及びＪ．ＬＥＢＩＨＡＮの論文、光波技術、第１
０巻、第１０号、１９９２年１０月、１３８８−１３９
７頁に掲載の「広く同調可能な狭帯域ＦＭ受信器と用い
られる２電極ＤＦＢレーザーフィルター、同調解析、特
性、及び実験的ＦＳＫ−ＷＤＭシステム」、及びＭ．
Ｊ．ＣＨＡＷＫＩ、Ｒ．ＡＵＦＦＲＴ及びＬ．ＢＥＲＴ
Ｈ０Ｕの文献、エレクトロンレター、１９９０年７月、
第２６巻、第１５号、１１４６−１１４７頁に掲載の
「同調可能なＦＳＫ選別器／光電検出器として２電極Ｄ
ＦＢレーザーを用いる１．５Ｂビット／秒ＦＳＫ伝送シ
ステム」に記載されている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前記装置の別の
機能、即ち振幅変調或いは振幅偏移キーイングを提案し
ている。この目的のために、２つの供給電流のうち少な
くとも一方はフィルターの操作を確実にして、しきい値
より僅か下で強度変調されている。これが、自然放射ピ
ークの波長偏移を生じさせる効果を持っている。もし、
この構造が、ピークの偏移の結果として、活性層を通過
するビームの波長をピークのエッヂの一方にくるように
すると、出現ビームの振幅は変調されるであろう。
機能、即ち振幅変調或いは振幅偏移キーイングを提案し
ている。この目的のために、２つの供給電流のうち少な
くとも一方はフィルターの操作を確実にして、しきい値
より僅か下で強度変調されている。これが、自然放射ピ
ークの波長偏移を生じさせる効果を持っている。もし、
この構造が、ピークの偏移の結果として、活性層を通過
するビームの波長をピークのエッヂの一方にくるように
すると、出現ビームの振幅は変調されるであろう。
【０００９】これらの条件の下で得られる振幅偏移キー
イングは入射ビーム周波数に何らの効果を持たない。そ
の結果、得られるビームには周波数変化またはチャープ
がない。更に、ニオブ酸リチウムを用いた場合と同様
に、その構造の活性層を通る通路は減衰を伴なわない。
ＩＥＥＥ、量子エレクトロンジャーナル、第２４巻、第
１１号、１９８８年１１月、２１７８−２１９０に掲載
のＫ．ＭＡＧＡＲＩ、Ｈ．ＫＡＷＡＧＵＣＨＩ、Ｋ．Ｏ
Ｅ及びＭ．ＦＵＫＵＤＡの論文「分布帰還形光増幅器を
用いた光狭帯域フィルタ」に記載されているように、実
際にビームを増幅できる。
イングは入射ビーム周波数に何らの効果を持たない。そ
の結果、得られるビームには周波数変化またはチャープ
がない。更に、ニオブ酸リチウムを用いた場合と同様
に、その構造の活性層を通る通路は減衰を伴なわない。
ＩＥＥＥ、量子エレクトロンジャーナル、第２４巻、第
１１号、１９８８年１１月、２１７８−２１９０に掲載
のＫ．ＭＡＧＡＲＩ、Ｈ．ＫＡＷＡＧＵＣＨＩ、Ｋ．Ｏ
Ｅ及びＭ．ＦＵＫＵＤＡの論文「分布帰還形光増幅器を
用いた光狭帯域フィルタ」に記載されているように、実
際にビームを増幅できる。
【００１０】更に詳細には、本発明は分布帰還形レーザ
の半導体構造と、前記構造の上に配置された２つの電極
と、２つの電流を発生させ、前記２つの電極に印加し
て、前記構造に前記レーザ発振しきい値以下の電流を供
給する手段と、前記２つの電流の少なくとも１つの強度
を変調するための手段とを具備し、前記構造は立上りエ
ッヂと立下りエッヂで自然放射ピークをもち、前記変調
手段 は変調手段を通過する光ビームの振幅変調が可能
で、自然放射ピークのエッジの１つで波長が減少するこ
とを特徴とする振幅光変調器である。
の半導体構造と、前記構造の上に配置された２つの電極
と、２つの電流を発生させ、前記２つの電極に印加し
て、前記構造に前記レーザ発振しきい値以下の電流を供
給する手段と、前記２つの電流の少なくとも１つの強度
を変調するための手段とを具備し、前記構造は立上りエ
ッヂと立下りエッヂで自然放射ピークをもち、前記変調
手段 は変調手段を通過する光ビームの振幅変調が可能
で、自然放射ピークのエッジの１つで波長が減少するこ
とを特徴とする振幅光変調器である。
【００１１】
【実施例】図２は、自然放射のピークＳ0，Ｓ1及びＳ
2，即ち、しきい値以下で供給される２電極ＤＦＢ構造
の特性を示す。横座標には波長が、縦軸には強度が任意
の単位でプロットされている。
2，即ち、しきい値以下で供給される２電極ＤＦＢ構造
の特性を示す。横座標には波長が、縦軸には強度が任意
の単位でプロットされている。
【００１２】ピークＳ0は或る電流値が２電極から構造
に注入された場合に得られるピークである。それは波長
λ0で頂点に達している。もし、電流の一方の値が少し
増減されると、ピークの波長がシフトし、例えばＳ1に
向ってシフトがあり、そしてλ1で頂点に達する。も
し、同じ値が反対方向に増減するとピークはＳ2に向っ
てシフトし、λ2で頂点に達する。従って、入射光線が
重要であり、その波長λiは例えば、ピークの立上がり
エッジ上に来ている。
に注入された場合に得られるピークである。それは波長
λ0で頂点に達している。もし、電流の一方の値が少し
増減されると、ピークの波長がシフトし、例えばＳ1に
向ってシフトがあり、そしてλ1で頂点に達する。も
し、同じ値が反対方向に増減するとピークはＳ2に向っ
てシフトし、λ2で頂点に達する。従って、入射光線が
重要であり、その波長λiは例えば、ピークの立上がり
エッジ上に来ている。
【００１３】このビームがその構造を通過するとき、そ
の振幅はそのピークがシフトする間に少し増減される。
ピークがＳ1からＳ2にシフトし、それからＳ2からＳ1に
シフトするときに、前記の点はＭ1とＭ2の間をシフト
し、新生のビームの振幅は高い振幅Ａ1（ピークＳ1に対
応）と低い振幅Ａ2（ピークＳ2に対応）の間を振動す
る。しかしながら、ビームの波長はλiに等しく変化し
ない。
の振幅はそのピークがシフトする間に少し増減される。
ピークがＳ1からＳ2にシフトし、それからＳ2からＳ1に
シフトするときに、前記の点はＭ1とＭ2の間をシフト
し、新生のビームの振幅は高い振幅Ａ1（ピークＳ1に対
応）と低い振幅Ａ2（ピークＳ2に対応）の間を振動す
る。しかしながら、ビームの波長はλiに等しく変化し
ない。
【００１４】このように、電流の一方の変調はその構造
を横切る光ビームの振幅偏移キーイングを生じさせる。
当然に、この操作モードは立上りエッジとそのピークの
頂点を越えた立下りエッジの両方に適用される。唯一の
相違は１８０°の変調の位相変化である。従って、唯一
の重要な点は、操作点はそれらのエッジの一方の上に留
まるということ、即ち、入射ビームの波長λiは常にそ
のピークの最小の波長λiの僅か下か、または常に最大
の波長λ2の僅か上にある。
を横切る光ビームの振幅偏移キーイングを生じさせる。
当然に、この操作モードは立上りエッジとそのピークの
頂点を越えた立下りエッジの両方に適用される。唯一の
相違は１８０°の変調の位相変化である。従って、唯一
の重要な点は、操作点はそれらのエッジの一方の上に留
まるということ、即ち、入射ビームの波長λiは常にそ
のピークの最小の波長λiの僅か下か、または常に最大
の波長λ2の僅か上にある。
【００１５】図３はしきい値の下で操作する２電極ＤＦ
Ｂ構造で得られた２つの理論的スペクトルを示す。理論
スペクトルの計算はＩＥＥＥ，量子エレクトロンジャー
ナル，第２４巻，１５０７−１５１８頁，１９８８年８
月に掲載の「ＤＦＢ半導体レーザ増幅器の増幅された自
然放射の伝達行列解析」の論文中のＴ．ＭＡＫＩＮＯに
よって開発された方法に基づいている。
Ｂ構造で得られた２つの理論的スペクトルを示す。理論
スペクトルの計算はＩＥＥＥ，量子エレクトロンジャー
ナル，第２４巻，１５０７−１５１８頁，１９８８年８
月に掲載の「ＤＦＢ半導体レーザ増幅器の増幅された自
然放射の伝達行列解析」の論文中のＴ．ＭＡＫＩＮＯに
よって開発された方法に基づいている。
【００１６】２つのスペクトルは第一電極１８に同一の
電流を注入し、第二電極１８′に２つの異なる値の電流
をとらせた場合に対応している。横軸には量δＬが、縦
軸にはレーザの光パワーＷがプロットされている。ここ
でδはδ＝β−β0，β0＝π／ｄ によって定義される
ブラッグ変位である。ｄはその格子の間隔である。Ｌは
問題にしている電極の長さである。電流は量αＬとして
引用されており、αはその電極の下に配置されている活
性ゾーンのゲインを表している。このゲインは注入され
る電流と直接に関連づけられている。図３において、２
つの曲線は両方ともα1Ｌ＝０．３４で、一方に対して
はα2Ｌ＝０．４６，他方に対してはα3Ｌ ＝０．３９
４の場合である。図４は用いられた構造で得られる最大
の変化を示す。２つの極端な曲線は、一方（左側ピー
ク）がα1Ｌ＝０．４９でα2Ｌ＝０．１２６，他方（右
側ピーク）がα1Ｌ＝０．３４でα2Ｌ＝０．３６３の場
合である。２つのピークの間の変化の合計はΔ1Ｌ＝
０．８である。
電流を注入し、第二電極１８′に２つの異なる値の電流
をとらせた場合に対応している。横軸には量δＬが、縦
軸にはレーザの光パワーＷがプロットされている。ここ
でδはδ＝β−β0，β0＝π／ｄ によって定義される
ブラッグ変位である。ｄはその格子の間隔である。Ｌは
問題にしている電極の長さである。電流は量αＬとして
引用されており、αはその電極の下に配置されている活
性ゾーンのゲインを表している。このゲインは注入され
る電流と直接に関連づけられている。図３において、２
つの曲線は両方ともα1Ｌ＝０．３４で、一方に対して
はα2Ｌ＝０．４６，他方に対してはα3Ｌ ＝０．３９
４の場合である。図４は用いられた構造で得られる最大
の変化を示す。２つの極端な曲線は、一方（左側ピー
ク）がα1Ｌ＝０．４９でα2Ｌ＝０．１２６，他方（右
側ピーク）がα1Ｌ＝０．３４でα2Ｌ＝０．３６３の場
合である。２つのピークの間の変化の合計はΔ1Ｌ＝
０．８である。
【００１７】図５は、本発明に従って得られた振幅偏移
キーイングの特性を測定することができる装置を示す。
引用数字１０は２電極ＤＦＢ構造である。この構造１０
はレーザ光源３０から波長λiの入射ビーム３１を受け
る。電流Ｉ及びＩ′は２つの電極１８，１８′に印加さ
れ、波長λiがその構造１０の自然放射ピークのエッジ
の１つにくるように制御されている。電流Ｉ′はまた正
弦電流発生器３２を含んでおり、それはキャパシタ３４
を横切って電流Ｉ′を変調する。構造１０から現われる
光ビーム３５は検出器３６によって検出される。検出器
３６は例えば５５ｄＢの増幅器３８に接続されており、
それはスペクトルアナライザー又はオシロスコープ４０
に最終的に接続されている。
キーイングの特性を測定することができる装置を示す。
引用数字１０は２電極ＤＦＢ構造である。この構造１０
はレーザ光源３０から波長λiの入射ビーム３１を受け
る。電流Ｉ及びＩ′は２つの電極１８，１８′に印加さ
れ、波長λiがその構造１０の自然放射ピークのエッジ
の１つにくるように制御されている。電流Ｉ′はまた正
弦電流発生器３２を含んでおり、それはキャパシタ３４
を横切って電流Ｉ′を変調する。構造１０から現われる
光ビーム３５は検出器３６によって検出される。検出器
３６は例えば５５ｄＢの増幅器３８に接続されており、
それはスペクトルアナライザー又はオシロスコープ４０
に最終的に接続されている。
【００１８】図６及び図７は光注射のない場合とある場
合の２電極ＤＦＢレーザの実際の自然放射スペクトルを
示す。横軸にはその波長がマイクロメータ（μｍ）で、
縦軸には強度がｄＢｍでプロットされている。図５の装
置を用いれば、図５のような曲線をプロットすることは
可能である。
合の２電極ＤＦＢレーザの実際の自然放射スペクトルを
示す。横軸にはその波長がマイクロメータ（μｍ）で、
縦軸には強度がｄＢｍでプロットされている。図５の装
置を用いれば、図５のような曲線をプロットすることは
可能である。
【００１９】図８は曲線（ａ）で正弦波形の変調電流を
示す。図解した実験において、前記電流の振幅の波高値
（Ｐ−Ｐ値）は２．５２ｍＡで、一方、一定電流は８ｍ
Ａであった。曲線（ｂ）及び（ｃ）は光出力ビーム３５
で得られる振幅偏移キーイングを示す。この波長を自然
放射ピークの立上りエッジの上に置くために、４．１ｍ
Ａの電流が電極１８′に注入された（曲線（ｂ））。そ
して波長を立下がりピークの上に置くために、４．３ｍ
Ａの電流が注入された（曲線（ｃ））。かくして、これ
らの電流には曲線（ａ）によって表わされる２．５２ｍ
Ａの変調電流が重畳された。
示す。図解した実験において、前記電流の振幅の波高値
（Ｐ−Ｐ値）は２．５２ｍＡで、一方、一定電流は８ｍ
Ａであった。曲線（ｂ）及び（ｃ）は光出力ビーム３５
で得られる振幅偏移キーイングを示す。この波長を自然
放射ピークの立上りエッジの上に置くために、４．１ｍ
Ａの電流が電極１８′に注入された（曲線（ｂ））。そ
して波長を立下がりピークの上に置くために、４．３ｍ
Ａの電流が注入された（曲線（ｃ））。かくして、これ
らの電流には曲線（ａ）によって表わされる２．５２ｍ
Ａの変調電流が重畳された。
【００２０】２つの振幅偏移キーイングは位相が反対で
あるということは明らかであり、このことは驚くにあた
らない。というのは、それらは自然放射ピークの反対側
の傾斜の２つのエッジに対応するからである。従って、
上記で述べた場合は変調振幅は１４ｄＢｍである。
あるということは明らかであり、このことは驚くにあた
らない。というのは、それらは自然放射ピークの反対側
の傾斜の２つのエッジに対応するからである。従って、
上記で述べた場合は変調振幅は１４ｄＢｍである。
【００２１】得られた振幅偏移キーイングが本当に上記
した現象に基づくものであり、その構造の自然光から起
る変調によるものでないことを証明するために、図９の
ような測定が行なわれた。曲線（ａ）は、前記同様正弦
波変調電流を示しており、曲線（ｂ）は増幅偏移キーさ
れた出力光信号を示す。入射光パワーは１５３５．２９
５ｎｍで５００ｍＷであった。電極１８に注入された電
流Ｉは８．２ｍＡで、電極１８′に注入された電流Ｉ′
は４．３ｍＡであった。曲線（ｃ）は入力ビームを除去
したときの変調器を通過する自然光の強度を示す。明ら
かに、それはどの振幅偏移キーイングにも影響されてい
ない。従って、曲線（ｂ）で観察される変調は、その変
調器を通過した光ビームに対応している。
した現象に基づくものであり、その構造の自然光から起
る変調によるものでないことを証明するために、図９の
ような測定が行なわれた。曲線（ａ）は、前記同様正弦
波変調電流を示しており、曲線（ｂ）は増幅偏移キーさ
れた出力光信号を示す。入射光パワーは１５３５．２９
５ｎｍで５００ｍＷであった。電極１８に注入された電
流Ｉは８．２ｍＡで、電極１８′に注入された電流Ｉ′
は４．３ｍＡであった。曲線（ｃ）は入力ビームを除去
したときの変調器を通過する自然光の強度を示す。明ら
かに、それはどの振幅偏移キーイングにも影響されてい
ない。従って、曲線（ｂ）で観察される変調は、その変
調器を通過した光ビームに対応している。
【００２２】最後に図１０は、変調器の応答曲線を周波
数の関数として示す。その周波数は横軸にプロットされ
ており、１ＭＨＺと２．５ＭＨＺの間の範囲にわたって
いる。その変調器に注入されるパワーは５００μＷで、
波長は１５３５．２９５ｎｍであった。電流Ｉ及びＩ′
は各々７．７ｍＡと４．５ｍＡであった。後者の電流
は、１４ｄＢｍの振幅偏移キーイングを得るために変調
されている。曲線（ａ）は光ビームが注入されている場
合の変調器の周波数応答を示し、曲線（ｂ）は注入され
る光ビームがない場合の周波数応答を示す。この応答は
２．５ＧＨＺまで平らである。出願人は少なくとも３．
６ＧＨＺまで平らであることを観測した。
数の関数として示す。その周波数は横軸にプロットされ
ており、１ＭＨＺと２．５ＭＨＺの間の範囲にわたって
いる。その変調器に注入されるパワーは５００μＷで、
波長は１５３５．２９５ｎｍであった。電流Ｉ及びＩ′
は各々７．７ｍＡと４．５ｍＡであった。後者の電流
は、１４ｄＢｍの振幅偏移キーイングを得るために変調
されている。曲線（ａ）は光ビームが注入されている場
合の変調器の周波数応答を示し、曲線（ｂ）は注入され
る光ビームがない場合の周波数応答を示す。この応答は
２．５ＧＨＺまで平らである。出願人は少なくとも３．
６ＧＨＺまで平らであることを観測した。
【図１】 ２電極をもつ分散帰還形半導体構造の概略図
を示す。
を示す。
【図２】 本発明による変調器の操作原理を示す。
【図３】 一定電流と変化電流に対する２電極ＤＦＢレ
ーザーの理論的自然放射スペクトルの偏移を示す。
ーザーの理論的自然放射スペクトルの偏移を示す。
【図４】 ＤＦＢレーザーに対する理論的最大偏移を注
入電流の関数として説明する。
入電流の関数として説明する。
【図５】 振幅偏移キーイングを測定できる装置を説明
する。
する。
【図６】 ２電極ＤＦＢレーザーの実際の自然放射スペ
クトルを示す。
クトルを示す。
【図７】 光注射による２電極ＤＦＢレーザーの実際の
自然放射スペクトルを示す。
自然放射スペクトルを示す。
【図８】 自然放射ピークを使用したエッジに沿って得
られた振幅偏移キーイングを示す。
られた振幅偏移キーイングを示す。
【図９】 変調器の出力の光信号を光ビーム注入のある
場合とない場合の比較を示す。
場合とない場合の比較を示す。
【図１０】 光注入のある場合とない場合の変調器の周
波数の関数として表わした変調器の応答曲線を示す。
波数の関数として表わした変調器の応答曲線を示す。
１０ ２電極ＤＦＢレーザー構造 １８，１８′ 電極 ２０，２０′ 電流源 ３１ レーザー源 ３２ 正弦波発生器 ３４ キャパシタ ３６ 検出器 ３８ 増幅器 ４０ スペクトルアナライザー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マルク・ル・リンジェ フランス・22560・プルムール−ボドゥ・ リュ・ドュ・ドッセン・７
Claims (1)
- 【請求項１】 分布帰還形レーザの半導体構造（１０）
と、前記構造の上に配置された２つの電極（１８，１
８′）と、２つの電流（Ｉ，Ｉ′）を発生させ、前記２
つの電極（１８，１８′）に印加して、前記構造に前記
レーザ発振しきい値以下の電流を供給する手段と、前記
２つの電流の少なくとも１つ（Ｉ′）の強度を変調する
ための手段（３２，３４）とを具備し、前記構造は立上
りエッヂと立下りエッヂで自然放射ピーク（Ｓ0，Ｓ1，
Ｓ2）をもち、前記変調手段は変調手段を通過する光ビ
ーム（３１）の振幅変調が可能で、自然放射ピークのエ
ッジの１つで波長（λi）が減少することを特徴とする
２電極ＤＦＢレーザ構造を使用した振幅光変調器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9303591 | 1993-03-29 | ||
| FR9303591A FR2703524B1 (fr) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | Modulateur optique d'amplitude utilisant une structure de type laser DFB biélectrode. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326418A true JPH06326418A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=9445449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6057782A Withdrawn JPH06326418A (ja) | 1993-03-29 | 1994-03-28 | ２電極ｄｆｂレーザ構造を使用した振幅光変調器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5493438A (ja) |
| EP (1) | EP0618654B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06326418A (ja) |
| DE (1) | DE69400383D1 (ja) |
| FR (1) | FR2703524B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6301283B1 (en) | 1998-01-28 | 2001-10-09 | Pioneer Electronic Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| US12607869B2 (en) | 2021-05-27 | 2026-04-21 | Seiko Epson Corporation | Laser interferometer |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2738678B1 (fr) * | 1995-09-08 | 1997-10-17 | France Telecom | Dispositif d'emission semi-conducteur avec modulation rapide de longueur d'ondes |
| US6020988A (en) * | 1997-08-05 | 2000-02-01 | Science Research Laboratory, Inc. | Ultra high resolution wave focusing method and apparatus and systems employing such method and apparatus |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4835779A (en) * | 1987-05-04 | 1989-05-30 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Method and apparatus for the operation of a distributed feedback laser |
-
1993
- 1993-03-29 FR FR9303591A patent/FR2703524B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-03-21 US US08/210,942 patent/US5493438A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-25 EP EP94400646A patent/EP0618654B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-25 DE DE69400383T patent/DE69400383D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-28 JP JP6057782A patent/JPH06326418A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6301283B1 (en) | 1998-01-28 | 2001-10-09 | Pioneer Electronic Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| US12607869B2 (en) | 2021-05-27 | 2026-04-21 | Seiko Epson Corporation | Laser interferometer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2703524B1 (fr) | 1995-05-12 |
| US5493438A (en) | 1996-02-20 |
| EP0618654B1 (fr) | 1996-08-21 |
| DE69400383D1 (de) | 1996-09-26 |
| EP0618654A1 (fr) | 1994-10-05 |
| FR2703524A1 (fr) | 1994-10-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010605 |