JPH06328743A - 光熱変換型ヒートモード記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ベタ部分を転写するのに必要な程度の露光量
で、小点、細線などを安定して再現することができる光
熱変換型ヒートモード記録装置を提供する。 【構成】 光熱変換型ヒートモード記録装置１は、基体
上に、光熱変換型ヒートモードの受像材料４の受像層
と、光熱変換型ヒートモードの記録材料３の色材層が対
面するように重ね合わせ、画像記録用光源で像状に走査
露光することにより、記録材料３の色材層又は色材を、
受像材料４の受像層ヘ転写し、この光熱変換型ヒートモ
ード記録装置１は、画像記録用光源による各画素への露
光エネルギーをゼロを含め少なくとも３段階に制御する
制御手段８２を有し、この制御手段８２の制御で非画像
部分の画素のうちで画像部分に隣接又は近接する画素
が、画像部分の画素より小さい露光エネルギーで補助的
に露光される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、光を利用して画像を
形成する光熱変換型ヒートモード記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、熱転写記録技術としては、熱溶融
性色材層又は熱昇華性色素を含有する色材層を基材上に
設けた熱転写記録材料と受像材料とを対向させ、サーマ
ルヘッド、通電ヘッド等の電気信号により制御される熱
源を記録材料側から圧着して、画像を転写記録する方法
がある。この熱転写記録は無騒音、メンテナンスフリ
ー、低コスト、カラー化が容易、デジタル記録が可能な
どの特徴を有しており、各種プリンタ、レコーダ、ファ
クシミリ、コンピュータ端末等、多くの分野で利用され
ている。

【０００３】一方、近年、医療、印刷分野等では解像度
が高く、高速記録が可能で、画像処理の可能な所謂デジ
タル記録のできる記録が求められている。しかし、従来
のサーマルヘッド、通電ヘッドを熱源として使用する熱
転写記録では、ヘッド発熱素子の寿命の点から発熱素子
を高密度化することが難しく、高解像度の画像を得るこ
とは困難であった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】これを解決するため
に、レーザーを熱源とする熱転写記録が特開昭49-15437
号、同49-17743号、同57-87399号、同59-143659号公報
等に提案されている。レーザーを熱源に用いる熱転写記
録は、レーザースポットを絞ることによって解像度を高
めることができる。しかし、レーザーで記録する場合、
微小なスポットを走査して記録を行うことが一般的であ
り、高速でスポットを記録体に対して走査しないと、記
録時間は早めることができず、記録速度を向上させるこ
とは、一般的に一括露光やラインサーマルヘッドを用い
た場合に比べ不利である。また、一般的に光によって与
えられる熱量は、サーマルヘッドなどの発熱素子によっ
て与えられる熱量に比べ小さいため、この点においても
レーザー等の光を利用した光熱変換型ヒートモード記録
は記録速度を向上させる上では不利な状況にある。

【０００５】レーザーの走査方法としてはポリゴンミラ
ーやガルバノミラーとfθレンズ等を組み合わせてレー
ザー光の主走査を行い、記録媒体の移動により副走査を
行う、いわゆる平面走査方法や、ドラムを回転させなが
らレーザー露光を行い、ドラムの回転を主走査としレー
ザー光の移動を副走査とする円筒走査等があるが、円筒
走査の方が光学系の精度を高め易く、高密度記録には適
している。円筒走査の場合、ドラムの回転速度を上げる
ことにより走査速度を上げることは容易であるが、転写
に必要なヒートモードの記録材料とヒートモードの受像
材料との密着性を得ることが難しい。

【０００６】サーマルヘッドによる熱転写記録では、プ
ラテンとサーマルヘッドの発熱体との間の圧力により熱
転写記録材料と受像材料の密着を得ることが可能である
が、円筒走査ではこのような手法は取れない。また、特
開昭６１−１１２６６５号では透明押圧部材等で加圧し
ながらレーザー露光を行うことなどが開示されている
が、高速記録のためドラムを高速回転させた場合、均一
な押圧が困難となり密着ムラや圧力転写によるカブリが
発生し易い。

【０００７】以上のように密着が不十分な状態で、良好
な転写性を得るためには、充分な露光量の光を記録材
料、受像材料に照射させる必要がある。そのようにし
て、画像の最大濃度部分、いわゆるベタの部分で良好な
転写性が得られた場合にも、なお微小な網点、細い線、
小さな文字の端部などを記録した部分では画像がかすれ
てしまう。それを回避するためにますます大きな露光量
の光を照射することになり、記録速度の低下、または光
源の高価化という問題を生じる。

【０００８】また、記録材料を予備加熱するために別種
の光源からの光を照射するものが、従来より提案されて
いる。これに用いられる光源は、像状記録するためのレ
ーザー光源と比べて低コストかつ大出力であることが要
請されるので、その犠牲となって集光性が悪いか、また
は変調することが難しい。従って、この技術での予備加
熱光源は、画像データとは直接の関係を持たない形で駆
動されていた。しかし、予備加熱光と像状記録光との焦
点を一致させなければならないことで、装置の組立てコ
ストが大きくなるという欠点を有していた。

【０００９】この発明は、かかる問題点に鑑みなされた
もので、簡単な回路構成で、ベタ部分を転写するのに必
要な程度の露光量で、小点、細線などを安定して再現す
ることができる光熱変換型ヒートモード記録装置を提供
することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、基体上に、光熱変換型ヒー
トモードの受像材料の受像層と、光熱変換型ヒートモー
ドの記録材料の色材層が対面するように重ね合わせ、画
像記録用光源で像状に走査露光することにより、前記記
録材料の色材層又は色材を、前記受像材料の受像層ヘ転
写する光熱変換型ヒートモード記録装置において、前記
画像記録用光源による各画素への露光エネルギーをゼロ
を含め少なくとも３段階に制御する制御手段を有し、こ
の制御手段の制御で非画像部分の画素のうちで画像部分
に隣接又は近接する画素が、画像部分の画素より小さい
露光エネルギーで補助的に露光されることを特徴として
いる。

【００１１】請求項２記載の発明は、前記制御手段の制
御で、前記非画像部分の画素のうちで画像部分に隣接又
は近接する画素に対する補助的な露光エネルギーが、画
像部分の画素に対する露光エネルギーの１０％以上かつ
８０％以下であることを特徴としている。

【００１２】請求項３記載の発明は、前記制御手段が、
固定長の露光パルスの回数を変化させる機構を含むこと
を特徴としている。

【００１３】請求項４記載の発明は、前記制御手段が、
露光パルスの幅を変化させる機構を含むことを特徴とし
ている。

【００１４】請求項５記載の発明は、前記制御手段が、
露光の強度を変化させる機構を含むことを特徴としてい
る。

【００１５】

【作用】請求項１記載の発明では、制御手段の制御で、
非画像部分の画素のうちで画像部分に隣接又は近接する
画素が、画像部分の画素より小さい露光エネルギーで補
助的に露光され、これによりベタ部分を転写するのに必
要な程度の露光量で、小点、細線などを安定して再現す
ることができる。

【００１６】請求項２記載の発明では、制御手段の制御
で、非画像部分の画素のうちで画像部分に隣接又は近接
する画素に対する補助的な露光エネルギーが、画像部分
の画素に対する露光エネルギーの１０％以上かつ８０％
以下であり、これによりベタ部分を転写するのに必要な
程度の露光量で、小点、細線などを安定して再現するこ
とができる。

【００１７】請求項３記載の発明では、制御手段が、固
定長の露光パルスの回数を変化させ、画像部分の画素よ
り小さい露光エネルギーで補助的に露光される。

【００１８】請求項４記載の発明では、制御手段で、露
光パルスの幅を変化させ、画像部分の画素より小さい露
光エネルギーで補助的に露光される。

【００１９】請求項５記載の発明では、制御手段が、露
光の強度を変化させ、画像部分の画素より小さい露光エ
ネルギーで補助的に露光される。

【００２０】

【実施例】以下、この発明の光熱変換型ヒートモード記
録装置について説明する。図１は光熱変換型ヒートモー
ド記録装置の概略構成図、図２は保持体の斜視図、図３
は保持体の断面図、図４は保持体の他の実施例の断面
図、図５は記録材料の層構成図、図６は受像材料の層構
成図である。

【００２１】この光熱変換型レーザー記録装置１は、そ
の装置本体２内に、光熱変換型ヒートモードの記録材料
３及び光熱変換型ヒートモードの受像材料４を供給搬送
する材料供給搬送手段５と、記録材料３及び受像材料４
を保持体６に保持させる材料保持手段７と、保持体６に
保持された記録材料３及び受像材料４に変調されたレー
ザービームを露光する露光手段８と、露光後に記録材料
３及び受像材料４を保持体６から剥離する剥離手段９
と、剥離した記録材料３及び受像材料４を搬送する材料
剥離搬送手段１０とを備えている。

【００２２】材料供給搬送手段５は、記録材料３及び受
像材料４を供給搬送するようになっており、この記録材
料３は、例えば図５に示すように、支持体３０の一方側
にバックコート層３１を積層し、他方側にクッション層
３２、光熱変換層３３及びインク層３４を積層して形成
されている。この記録材料３のインク層３４は、イエロ
ーインク層、マゼンタインク層、シアンインク層及びブ
ラックインク層とすることができ、イエローインク層と
することでイエロー記録材料３５、マゼンタインク層と
することでマゼンタ記録材料３６、シアンインク層とす
ることでシアン記録材料３７及びブラックインク層とす
ることでブラック記録材料３８が形成される。また、受
像材料４は、例えば図６に示すように、支持体４０の一
方側にバックコート層４１を積層し、他方側にクッショ
ン層４２及び受像層４３を積層して形成されている。

【００２３】この実施例では、記録材料３及び受像材料
４が前記のように構成され、さらにこの態様について述
べるが、記載以外の点に関しては、特願平４−２２８７
７８号及び同４−２２８７７９号公報に記載の技術を使
用することができる。この発明に用いられる記録材料
は、基本的に支持体上にインク層を有すると共に、像様
に照射される光を熱に変換する機能を有することが好ま
しい。

【００２４】記録材料の支持体としては、寸法安定性が
良く、画像形成の際の熱に耐えるものならば何でもよ
く、具体的には特開昭６３−１９３８８６号公報２頁左
下欄１２〜１８行に記載のフィルムまたはシートを使用
することができる。また、レーザービームを記録材料側
から照射して画像を形成するのであれば、記録材料の支
持体は透明であることが望ましい。レーザービームを受
像材料側から照射して画像を形成するのであれば、記録
材料の支持体は透明である必要はない。記録材料の支持
体の好ましい膜厚は６〜２００μｍであり、更に好まし
くは２５〜１００μｍである。

【００２５】ヒートモード記録用光源のエネルギーを無
駄なくインク層に吸収させるために、記録材料の支持体
とインク層の間の光源の波長に対する透過率は７０％以
上が好ましく、更に好ましくは８０％以上がよい。この
ためには、透明性の良い支持体を使用すると共に、支持
体のバックコート面及び支持体と記録材料の各層の界面
での反射を少なくすることが好ましい。

【００２６】光熱変換剤としては、従来公知のものをい
ずれも使用できる。この発明の好ましい態様では半導体
レーザー光照射により発熱させるため、カラー画像を形
成する場合は７００〜３０００ｎｍの波長帯に吸収極大
を示し、可視域での吸収が無いか小さい近赤外光吸収剤
が好ましい。モノクロ画像を形成する場合は可視〜近赤
外域まで吸収を持つカーボンブラック等が好ましい。

【００２７】近赤外光吸収剤としては、シアニン系、ポ
リメチン系、アズレニウム系、スクワリウム系、チオピ
リリウム系、ナフトキノン系、アントラキノン系色素等
の有機化合物、フタロシアニン系、アゾ系、チオアミド
系の有機金属錯体などが好適に用いられ、具体的には特
開昭６３−１３９１９１号、同６４−３３５４７号、特
開平１−１６０６８３号、同１−２８０７５０号、同１
−２９３３４２号、同２−２０７４号、同３−２６５９
３号、同３−３０９９１号、同３−３４８９１号、同３
−３６０９３号、同３−３６０９４号、同３−３６０９
５号、同３−４２２８１号、同３−９７５８９号、同３
−１０３４７６号公報等に記載の化合物が挙げられる。
これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いることが
できる。

【００２８】次に、受像材料について述べる。受像材料
は、記録材料から像様に剥離したインク層を受容して画
像を形成する。通常、受像材料は支持体と受像層とを有
し、また支持体のみから形成されることもある。受像材
料は熱により溶融したインク層が転写されるのであるか
ら、適度の耐熱強度を有すると共に、画像が適正に形成
されるよう寸法安定性に優れることが望ましい。

【００２９】支持体の表面に形成する受像層は、バイン
ダーと必要に応じて添加される各種添加剤やマット材か
らなる。また、場合によってはバインダーのみで形成さ
れる。受像層の膜厚は通常、１〜１００μｍである。

【００３０】受像材料の支持体としては、記録材料で説
明したものと同様のものが使用できるが、厚みは２５〜
３００μｍが好ましく、更に好ましくは５０〜２００μ
ｍである。その他、必要に応じて受像層、下引層、バッ
クコート層、帯電防止層などを設けることができる。

【００３１】材料供給搬送手段５には、マガジン５０，
５１，５２と、搬送ローラ５３，５４，５５，５６，５
７等が備えられている。このマガジン５０には、それぞ
れロール状に巻かれたイエロー記録材料３５及びマゼン
タ記録材料３６がセットされている。このイエロー記録
材料３５はマガジン５０内から搬送ローラ５３によって
保持体６方向へ搬送され、マゼンタ記録材料３６はマガ
ジン５０内から搬送ローラ５４によって保持体６方向へ
搬送される。マガジン５１には、それぞれロール状に巻
かれたシアン記録材料３７及びブラック記録材料３８が
セットされ、このシアン記録材料３７はマガジン５１内
から搬送ローラ５５によって保持体６方向へ搬送され、
ブラック記録材料３８はマガジン５１内から搬送ローラ
５６によって保持体６方向へ搬送される。マガジン５２
には、ロール状に巻かれた受像材料４がセットされ、こ
の受像材料４はマガジン５２内から搬送ローラ５７によ
って保持体６方向へ搬送される。

【００３２】材料保持手段７は記録材料３及び受像材料
４を保持体６ヘ保持するようになっている。保持体６は
ドラム６０で構成され、このドラム６０に対向して加圧
ロール７０が配置されている。

【００３３】このドラム６０は、例えば図２及び図３に
示すように構成され、ドラム６０の全周には吸気孔６１
が所定間隔で多数形成され、さらに内部には減圧室６２
が形成されている。このドラム６０の幅Ｌ１は、記録材
料３及び受像材料４の幅Ｌ２，Ｌ３より広くなってお
り、また記録材料３の幅Ｌ２は受像材料４の幅Ｌ３より
広くなっている。ドラム６０の吸気孔６１は記録材料３
及び受像材料４の幅Ｌ２，Ｌ３に形成されており、この
両端部の吸気孔６１は弁体６３で開閉される。この弁体
６３の駆動は弁開閉手段６４によって行われる。

【００３４】減圧室６２はパイプ６５を介して減圧ポン
プ６６に接続され、この減圧ポンプ６６の駆動で減圧室
６２が減圧される。この減圧室６２が減圧されること
で、吸気孔６１によって記録材料３及び受像材料４がド
ラム６０に吸着される。

【００３５】減圧ポンプ６６は、制御装置６７によって
制御される。受像材料４をドラム６０ヘ巻き付けるとき
には、制御装置６７によって弁開閉手段６４を制御して
弁体６３を閉じる。これにより、ドラム６０の両端部の
吸気孔６１が閉じられるため、受像材料４はドラム６０
の所定位置に吸着される。また、記録材料３を受像材料
４に重ねてドラム６０ヘ巻き付けるときには、制御装置
６７によって弁開閉手段６４を制御して弁体６３を開
く。これにより、ドラム６０の両端部の吸気孔６１が開
口するため、記録材料３の両端部がドラム６０の所定位
置に吸着される。

【００３６】この保持体６は、このようなドラム６０に
限定されず、例えば図４に示す箱６８で構成することが
できる。図４では箱６８の平面部に吸気孔６１が形成さ
れ、内部に減圧室６２が形成されており、図２及び図３
に示すドラム６０と同様に構成されているので、詳細な
説明を省略する。

【００３７】このようにヒートモード記録における密着
としては、微小の吸気孔６１を有する保持体６に受像材
料４の受像層面と、受像材料４より縦横共寸法が大きい
記録材料３のインク面（色材層面）を重ね合わせ、この
受像材料４の周囲より食み出した記録材料３の部分から
微小の吸気孔６１を通して減圧することにより、受像材
料４と記録材料３を密着させる。また、逆に記録材料の
インク面と、記録材料より縦横共寸法が大きい受像材料
の受像面を重ね合わせ、この記録材料の周囲より食み出
した受像材料部分から微小の吸気孔を通して減圧するこ
とにより、受像材料と記録材料を密着させることも可能
である。

【００３８】この密着によれば、記録材料と受像材料の
搬送、巻付けの自動化が容易であり、密着完了後に光照
射を行うことによりヒートモード記録が可能となる。

【００３９】この保持体６はドラム６０でも箱６８でも
よいが、高精度記録が要求される場合、箱６８の保持体
６とポリゴンミラー又はガルバノミラーによる平面走査
より、ドラム６０の保持体６を使用する円筒走査の方が
光学系の精度向上が期待できる。

【００４０】剥離手段９は、剥離ローラ９０で構成さ
れ、この剥離ローラ９０で露光後に記録材料３及び受像
材料４を保持体６から剥離する。材料剥離搬送手段１０
は、搬送ローラ１００で構成され、搬送ローラ１００で
剥離した記録材料３及び受像材料４を搬送し、排出部１
１に排出する。

【００４１】次に、露光手段について詳細に説明する。
露光手段８は、保持体６に保持された記録材料３及び受
像材料４に変調されたレーザービームを露光する。この
露光手段８のヒートモード記録用光源としては、光学系
にて集光しやすく、出力エネルギーが大きく、かつ熱に
変換しやすい波長の光を発光できることが好ましい。こ
のような光源としては、例えば、半導体レーザー、ＬＥ
Ｄ、ヘリウムネオンレーザー、ＹＡＧレーザー、炭酸ガ
スレーザーなどが挙げられる。これらの中で複数の発光
素子からなるアレイとして使用しやすい光源としては半
導体レーザー、ＬＥＤなどがあげられる。

【００４２】この発光素子としては、露光エネルギーを
効率良く熱エネルギーに変換しうる波長を発光しえるも
のが好ましく、好ましい発光波長としては、例えば６０
０〜２０００ｎｍである。

【００４３】ヒートモード記録用光源の駆動方式として
は、半導体レーザーを用いる場合、自動出力制御（ＡＰ
Ｃ）方式か、または自動電流制御（ＡＣＣ）方式が採用
できる。いずれの場合にも、一時的な過大な電流で半導
体レーザーを破壊しないための保護回路を備えているこ
とが好ましい。

【００４４】ヒートモード記録用光源のチャンネル数
は、必要に応じて光源を複数並列に置いてもよい。その
場合の露光系の配置は、複数の光源がそれぞれ別の走査
線を走査するように置くことが好ましく、光源のチャン
ネル数は、１以上１００以内が好ましい。

【００４５】図７乃至図９はヒートモード記録用光源と
しての発光素子の配置の実施例を示している。図７では
発光素子アレイ８０が計１６個の発光素子８１を用いて
おり、この発光素子８１は１６個が並列に配置され、端
部に出力の大きい例えば定格出力１５０ｍＷの半導体レ
ーザーを用い、残りの発光素子８１は出力の小さい例え
ば定格出力１００ｍＷの半導体レーザーを用いている。
図８では発光素子アレイ８０が同様に計１６個の発光素
子８１を用いており、この発光素子８１は６個、６個、
４個の群にし、それぞれ所定角度θ傾斜して配置され、
発光素子８１は例えば同じ定格出力１００ｍＷの半導体
レーザーを用いている。図９は発光素子アレイ８０が計
１８個の発光素子８１を用いており、発光素子８１は例
えば同じ定格出力１００ｍＷの半導体レーザーを用い、
端部の発光素子８１によって露光される部分は、走査露
光において前回又は次回露光される部分と１ドット分重
なるように設定し、また端部の発光素子８１の発光パタ
ーンは、そのすぐ内側の発光素子８１の発光パターンと
同一とする。

【００４６】この発光素子アレイ８０の個々の発光素子
８１の露光スポット径は、基本的には必要とする画像の
解像度によって決定されるが、例えば１／ｅ²のスポッ
ト径が３〜４０μｍの範囲である。発光素子８１は例え
ば１ｍｍ以上の大きさを有しているのに対し、露光され
る部分ではスポット径は例えば３〜４０μｍであるた
め、外側の発光素子程より内側に向かって露光方向が曲
げられなくてはならない。しかし、余り大きく露光方向
が曲げられると、スポット形状が歪んでしまうため好ま
しくない。このような発光素子８１の大きさがアレイと
しての並びを規制してしまう点をできるだけ緩和するた
めに、アレイにおける発光素子８１の並びを図８のよう
にすることが好ましい。

【００４７】このようなヒートモード記録においては、
露光時間を短くすることにより記録材料３のインク層か
ら支持体側への熱伝導によるエネルギーロスが少なくな
る。サーマルヘッドを使用し、支持体側からの熱伝導に
よりインク層を加熱する通常の熱転写記録と比べ、ヒー
トモード記録ではインク層又は、インク層近傍の光熱変
換層に直接熱エネルギーが与えられる。

【００４８】このため露光はできるかぎり高照度短時間
で行われることが好ましい。好ましい露光速度としては
線速度０．５ｍ／秒以上、さらに好ましくは３ｍ／秒以
上である。また、好ましい露光パワー密度は５０Ｗ／ｍ
ｍ²以上さらに好ましくは３００Ｗ／ｍｍ²以上である。

【００４９】加熱後、与えられた熱が冷却するまでの時
間は、与えられる熱量、記録材料３及び受像材料４の熱
容量などに依存するが、走査露光によって露光を行う場
合、１本の線を露光してから次の隣の線の露光までの時
間差はできるかぎり短いことが好ましく、ドラムを回転
させながら露光を行う場合にはドラム径は小さいほうが
好ましい。

【００５０】半導体レーザーの走査方法としてはポリゴ
ンミラーやガルバノミラーとｆθレンズ等を組み合わせ
てレーザー光の主走査を行い、記録媒体の移動により副
走査を行う、いわゆる平面走査方法や、ドラムを回転さ
せながらレーザー露光を行い、ドラムの回転を主走査と
しレーザー光の移動を副走査とする円筒走査等がある
が、円筒走査の方が光学系の精度を高め易く、高密度記
録には適している。

【００５１】ヒートモード記録の特徴を活かすために
は、一般のサーマルヘッドに比べてドットピッチが細か
いことが好ましく、２．５μｍ以上２５．４μｍ以下、
より好ましくは３μｍ以上１２．７μｍ以下である。ま
た、主走査方向と副走査方向のドットピッチは一致する
ことが好ましい。

【００５２】次に、露光手段の制御手段について図１０
乃至図１２に基づいて説明する。図１０は制御手段のブ
ロック図、図１１は画像信号処理回路のブロック図、図
１２は画像信号のタイミングチャートである。

【００５３】露光手段８は図１０に示すように、制御手
段８２を有している。この制御手段８２はラスタイメー
ジプロセッサ８３、画像信号処理回路８４、レーザー光
源変調回路８５を有している。この画像信号処理回路８
４及びレーザー光源変調回路８５は、発光素子アレイ８
０の例えば１６個の発光素子８１にそれぞれ対応して設
けられている。ラスタイメージプロセッサ８３には、例
えば１６個の画像信号処理回路８４に対応して出力ポー
トが設けられ、この出力ポートからの信号が対応する画
像信号処理回路８４と、隣接する両側の画像信号処理回
路８４に入力される。

【００５４】なお、主走査方向の露光エネルギーを制御
する場合、出力ポートからの信号は対応する画像信号処
理回路８４にのみ入力される。また、主走査・副走査の
両走査方向の露光エネルギーを制御する場合は、出力ポ
ートからの信号は対応する画像信号処理回路８４及び隣
接する片側または両側の画像信号処理回路８４に入力さ
れる。

【００５５】この画像信号処理回路８４は図１１に示す
ように構成され、画像信号処理回路８４で補助的な露光
を含めて光源を制御する。ここでは、露光光源の発光素
子８１はレーザーダイオード１個とし、画像信号はラス
タイメージプロセッサ８３により各画素毎にＯＮ／ＯＦ
Ｆの信号として与えられるものとする。また、それとは
別に各画素毎の同期信号が与えられるものとする。

【００５６】画像信号処理回路８４は、シフトレジスタ
８６、周波数逓倍回路８７、ｎ進カウンタ８８及びコン
ビネーション回路８９から構成されている。ラスタイメ
ージプロセッサ８３からは、図１２に示すような同期信
号ａがシフトレジスタ８６及び周波数逓倍回路８７に入
力され、さらに画像信号ｂがシフトレジスタ８６に入力
される。シフトレジスタ８６では、画像信号ｂを所定時
間遅延させてコンビネーション回路８９へ送る。

【００５７】周波数逓倍回路８７では、同期信号ａから
倍数の周波数のパルスを得、ｎ進カウンタ８８へ送る。
ｎ進カウンタ８８では、ラスタイメージプロセッサ８３
からの画像信号ｂのＯＮから所定時間Ｔ１後に設定され
た数のパルスを、また画像信号ｂのＯＦＦから所定時間
Ｔ２後に設定された数のパルスをコンビネーション回路
８９へ送る。

【００５８】主走査方向の露光エネルギーを制御する場
合、コンビネーション回路８９では、シフトレジスタ８
６からの画像信号と、ｎ進カウンタ８８からの画像信号
から図１２に示す画像信号ｃを得、この画像信号ｃをレ
ーザー光源変調回路８５へ送られ、このレーザー光源変
調回路８５での変調によってレーザー光源を制御する。

【００５９】ｎ進カウンタ８８には、ラスタイメージプ
ロセッサ８３からパルス数制御信号が入力され、このパ
ルス数制御信号によってｎ進カウンタ８８から出力され
るパルス数を０，１，２の３段階に制御する。これによ
って、コンビネーション回路８９からの画像信号ｃが図
１２に示すように出力され、この画像信号ｃをレーザー
光源変調回路８５へ送り、このレーザー光源変調回路８
５での変調によってレーザー光源を制御する。このよう
に、制御手段８２は、固定長の露光パルスの回数を変化
させる機構を有している。

【００６０】また、副走査方向の露光エネルギーを制御
する場合、パルス数を０，ｌ，２の３段階に制御し、コ
ンビネーション回路８９からの画像信号ｄを図１２に示
すように出力してレーザー光源を制御する。

【００６１】図１３及び図１４は制御手段の他の実施例
を示し、図１３は画像信号処理回路のブロック図、図１
４は主走査方向の露光エネルギーを制御する場合の画像
信号のタイミングチャートである。

【００６２】この実施例では、パルス幅可変回路２００
を有しており、このパルス幅可変回路２００では、ラス
タイメージプロセッサ８３からの画像信号ｂのＯＮから
所定時間Ｔ１後に設定された幅のパルスを、また画像信
号ｂのＯＦＦから所定時間Ｔ２後に設定された幅のパル
スをコンビネーション回路８９へ送る。

【００６３】コンビネーション回路８９では、シフトレ
ジスタ８６からの画像信号ｂと、パルス幅可変回路２０
０からの画像信号から図１４に示す画像信号ｃを得、こ
の画像信号ｃをレーザー光源変調回路８５へ送られ、こ
のレーザー光源変調回路８５での変調によってレーザー
光源を制御する。

【００６４】このパルス幅可変回路２００には、ラスタ
イメージプロセッサ８３からパルス幅制御信号が入力さ
れ、このパルス幅制御信号によってパルス幅可変回路２
００から出力されるパルス幅を０，１，２の３段階に制
御する。これによって、コンビネーション回路８９から
の画像信号ｃが図１４に示すように出力され、この画像
信号ｃをレーザー光源変調回路８５へ送り、このレーザ
ー光源変調回路８５での変調によってレーザー光源を制
御する。このように、制御手段８２は、露光のパルス幅
を変化させる機構を有している。

【００６５】また、副走査方向の露光エネルギーを制御
する場合、パルス幅を０，ｌ，２の３段階に制御して、
図１２の画像信号ｄと同じタイミングチャートで行うこ
とができる。

【００６６】図１５及び図１６は制御手段の他の実施例
を示し、図１５は画像信号処理回路のブロック図、図１
６は主走査方向の露光エネルギーを制御する場合の画像
信号のタイミングチャートである。

【００６７】この実施例では、露光強度可変回路２０１
を有しており、この露光強度可変回路２０１には、ラス
タイメージプロセッサ８３からの画像信号ｂのＯＮから
所定時間Ｔ１後に設定された露光強度を、また画像信号
ｂのＯＦＦから所定時間Ｔ２後に設定された露光強度を
変化させるようになっている。主走査方向の露光エネル
ギーを制御する場合、この露光強度の変化の制御は図１
６に示すように、０，１，２の３段階になっている。こ
のように、制御手段８２は、露光の強度を変化させる機
構を有している。

【００６８】また、副走査方向の露光エネルギーを制御
する場合、露光強度を０，１，２の３段階に制御して、
図１２の画像信号ｄと同じタイミングチャートで行うこ
とができる。

【００６９】このようにして、露光手段８には、画像記
録用光源による各画素への露光エネルギーをゼロを含め
少なくとも３段階に制御する制御手段８２を有してお
り、この制御手段８２の制御で非画像部分の画素のうち
で画像部分に隣接又は近接する画素が、画像部分の画素
より小さい露光エネルギーで補助的に露光される。

【００７０】この制御手段８２の制御では、非画像部分
の画素のうちで画像部分に隣接又は近接する画素に対す
る補助的な露光エネルギーが、画像部分の画素に対する
露光エネルギーの１０％以上かつ８０％以下に設定する
ことができる。

【００７１】この非画像部分の画素のうち、画像部分に
近接する画素として補助的に露光される範囲は、画像部
分と非画像部分との境界線から１００μｍ以内、好まし
くは５０μｍ以内である。この範囲内で、境界線からの
距離に応じて補助的な露光の強さを変えても構わない。

【００７２】さらに、具体的な実施例として、図１の光
熱変換型ヒートモード記録装置で、図１０の制御手段の
ブロック図、図１１の画像信号処理回路のブロック図、
図１２の画像信号のタイミングチャートにより、次の記
録材料、受像材料を使って画像記録を行なった。 （ヒートモードの記録材料の作成）１００μｍ厚ＰＥＴ
（ポリエチレンテレフタレート）支持体上に、下記クッ
ション層、光熱変換層、インク層を順次塗設して記録材
料を作成した。各層中の素材量は全て重量部である。 ＜クッション層＞下記組成の塗布液を調製し、ブレード
コーターを用いて塗布・乾燥した。膜厚は約１０μｍで
あった。

【００７３】 バイロン２００（東洋紡製） ３０部 ＤＯＰ（ジオクチルフタレート） ３部 ＭＥＫ（メチルエチルケトン） ３２部 トルエン ３５部 ＜光熱変換層＞下記組成の塗布液を調製し、上記クッシ
ョン層上にワイヤーバーを用いて塗布・乾燥した。膜厚
は０．３μｍとし、８３０ｎｍでの吸光度が０．９とな
るようにした。

【００７４】 水溶性光熱変換材（λｍａｘ＝８００ｎｍ） ３．５０部 ゼラチン ３．４３部 ＦＴ２４８（水系界面活性剤：ＢＡＳＦ製） ０．０７部 水 ９３部 ＜インク層＞下記組成の液を分散して塗布液を調製し、
上記光熱変換層上にワイヤーバーを用いて塗布・乾燥し
た。膜厚は０．４μｍとし、サクラ濃度計を用いグリー
ン濃度にて０．６５となるよう調整した。

【００７５】 ＤＳ−９０（播磨化成製ロジン樹脂） ４．７部 ＨＮＰ−１１（日本精蝋製パラフィンワックス） ０．５部 ＥＶ−４０Ｙ（三井デュポン製エチレン酢ビ樹脂） ０．５部 ＤＯＰ（ジオクチルフタレート） ０．３部 リオノールレッド６ＢＦＧ（マゼンタ顔料：東洋インキ製） ４．０部 ＭＥＫ ９０．０部 （ヒートモードの受像材料の作成）記録材料と同じＰＥ
Ｔ支持体上に下記組成の塗工液を、それぞれワイヤーバ
ーにて塗布・乾燥した。膜厚１．０μｍ。 受像層用塗工液 ＡＤ３７Ｐ２９５Ｊ（東洋モートン製エチレン−酢酸ビニル共重合体） １０部 水 ９０部 記録材料の厚み７５μｍまたは１００μｍ、円周方向の
長さ７１５ｍｍ、幅方向の長さ５６５ｍｍとし、受像材
料、記録材料の順にドラム基体に巻き付けた。巻付けに
際しては、各材料毎に図１に示される圧力ロールによっ
て押圧、スクイズして余分な空気溜まりの発生を防い
だ。

【００７６】ドラム基体内部からの減圧は、各材料を巻
き付ける以前に開始し、両材料の巻付け完了後、３０秒
後にドラム基体内部の圧力を圧力ゲージにより測定し
た。ドラム基体内部の圧力が一定になった後、前記図７
のような露光系を点灯して露光を行った。

【００７７】このとき、主走査方向に画像部分に隣接す
る画素は、画像部分の画素に対する露光時間の４０％に
当たる時間だけ露光された。ただし、ドットピッチは１
０μｍ、記録線速度は１０ｍ／ｓ、露光面での光出力は
９０ｍＷ、出力波長は８３０ｎｍとした。

【００７８】比較例として、実施例１において図１１の
回路の代わりに、ラスタイメージプロセッサから出力さ
れる画像信号を直接レーザー光源変調回路に入力し、画
像記録を行なった。ただし、ドットピッチは１０μｍ、
記録線速度は２、４、６、８、１０ｍ／ｓとした。

【００７９】また、実施例２では、露光光源としての発
光素子はレーザーダイオード１６個とし、画像信号はラ
スタイメージプロセッサにより１６チャンネルが並列に
与えられるものとする。図１１の回路により光源を変調
する信号を生成した。光源を変調する信号は、画像部分
で１００％の光出力となる他、画像部分からの距離が３
画素以内であるときに光出力が６０％となるようにし
た。

【００８０】既に述べた記録材料、受像材料及び光熱変
換型ヒートモード記録装置を使って画像記録を行なっ
た。ただし、ドットピッチは６μｍ、記録線速度は８．
０〜１２．５ｍ／ｓ、露光面での１チャンネル当りの光
出力は６０ｍＷ、出力波長は８３０ｎｍとした。

【００８１】比較例２としては、実施例２において図１
１の回路の代わりに、ラスタイメージプロセッサの出力
する画像信号を用いて直接光源を変調し、画像記録を行
なった。ただし、ドットピッチは６μｍ、記録線速度は
２．４〜１２ｍ／ｓとした。

【００８２】 カスレのない画像が形成された最大の記録線速度 実施例１ １０ ［ｍ／ｓ］ 比較例１ ６ 実施例２ 画像部分に近接する カスレのない画像が形成された 画素での露光時間の割合 最大の記録線速度 ５％ ８．０［ｍ／ｓ］ １０％ ９．５［ｍ／ｓ］ ２０％ １０．５［ｍ／ｓ］ ４０％ １１．０［ｍ／ｓ］ ６０％ １２．０［ｍ／ｓ］ ８０％ １２．５［ｍ／ｓ］ ９０％ − （画像部分に近接する 画素の転写が生じた） 比較例２ （０％） ７．２［ｍ／ｓ］

【００８３】

【発明の効果】前記したように、請求項１記載の発明
は、制御手段の制御で、非画像部分の画素のうちで画像
部分に隣接又は近接する画素が、画像部分の画素より小
さい露光エネルギーで補助的に露光するから、ベタ部分
を転写するのに必要な程度の露光量で、小点、細線など
を安定して再現することができ、記録速度を低下させる
ことなく、画像端部までカスレのない高精細度の画像を
ヒートモード記録することができる。

【００８４】請求項２記載の発明は、制御手段の制御
で、非画像部分の画素のうちで画像部分に隣接又は近接
する画素に対する補助的な露光エネルギーが、画像部分
の画素に対する露光エネルギーの１０％以上かつ８０％
以下であるから、これによりベタ部分を転写するのに必
要な程度の露光量で、小点、細線などをより安定して再
現することができる。

【００８５】請求項３記載の発明は、制御手段が、固定
長の露光パルスの回数を変化させるから、簡単な回路構
成で確実に画像部分の画素より小さい露光エネルギーで
補助的に露光することができる。

【００８６】請求項４記載の発明は、制御手段で、露光
パルスの幅を変化させるから、簡単な回路構成で確実に
画像部分の画素より小さい露光エネルギーで補助的に露
光することができる。

【００８７】請求項５記載の発明では、制御手段が、露
光の強度を変化させるから、より簡単な回路構成で画像
部分の画素より小さい露光エネルギーで補助的に露光す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光熱変換型ヒートモード記録装置の概略構成図
である。

【図２】保持体の斜視図である。

【図３】保持体の断面図である。

【図４】保持体の他の実施例の断面図である。

【図５】記録材料の層構成図である。

【図６】受像材料の層構成図である。

【図７】ヒートモード記録用光源としての発光素子の配
置の実施例を示す図である。

【図８】ヒートモード記録用光源としての発光素子の配
置の実施例を示す図である。

【図９】ヒートモード記録用光源としての発光素子の配
置の実施例を示す図である。

【図１０】制御手段のブロック図である。

【図１１】画像信号処理回路のブロック図である。

【図１２】画像信号のタイミングチャートである。

【図１３】他の実施例の画像信号処理回路のブロック図
である。

【図１４】他の実施例の主走査方向の露光エネルギーを
制御する場合の画像信号のタイミングチャートである。

【図１５】他の実施例の画像信号処理回路のブロック図
である。

【図１６】他の実施例の主走査方向の露光エネルギーを
制御する場合の画像信号のタイミングチャートである。

【符号の説明】

１ 光熱変換型ヒートモード記録装置 ３ 記録材料 ４ 受像材料 ８２ 制御手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 1/23 １０３ Ａ 9186−5Ｃ 8305−2Ｈ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｖ (72)発明者 勝田 愛 東京都日野市さくら町１番地 コニカ株式 会社内 (72)発明者 仲島 厚志 東京都日野市さくら町１番地 コニカ株式 会社内 (72)発明者 川上 壮太 東京都日野市さくら町１番地 コニカ株式 会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体上に、光熱変換型ヒートモードの受
   像材料の受像層と、光熱変換型ヒートモードの記録材料
   の色材層が対面するように重ね合わせ、画像記録用光源
   で像状に走査露光することにより、前記記録材料の色材
   層又は色材を、前記受像材料の受像層ヘ転写する光熱変
   換型ヒートモード記録装置において、前記画像記録用光
   源による各画素への露光エネルギーをゼロを含め少なく
   とも３段階に制御する制御手段を有し、この制御手段の
   制御で非画像部分の画素のうちで画像部分に隣接又は近
   接する画素が、画像部分の画素より小さい露光エネルギ
   ーで補助的に露光されることを特徴とする光熱変換型ヒ
   ートモード記録装置。
2. 【請求項２】 前記制御手段の制御で、前記非画像部分
   の画素のうちで画像部分に隣接又は近接する画素に対す
   る補助的な露光エネルギーが、画像部分の画素に対する
   露光エネルギーの１０％以上かつ８０％以下であること
   を特徴とする請求項ｌ記載の光熱変換型ヒートモード記
   録装置。
3. 【請求項３】 前記制御手段が、固定長の露光パルスの
   回数を変化させる機構を含むことを特徴とする請求項ｌ
   又は請求項２記載の光熱変換型ヒートモード記録装置。
4. 【請求項４】 前記制御手段が、露光パルスの幅を変化
   させる機構を含むことを特徴とする請求項１又は請求項
   ２記載の光熱変換型ヒートモード記録装置。
5. 【請求項５】 前記制御手段が、露光の強度を変化させ
   る機構を含むことを特徴とする請求項ｌ又は請求項２記
   載の光熱変換型ヒートモード記録装置。