JPH06330353A - 銅用エッチング液およびこれを用いた銅層のエッチング方法 - Google Patents
銅用エッチング液およびこれを用いた銅層のエッチング方法Info
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- JPH06330353A JPH06330353A JP12020393A JP12020393A JPH06330353A JP H06330353 A JPH06330353 A JP H06330353A JP 12020393 A JP12020393 A JP 12020393A JP 12020393 A JP12020393 A JP 12020393A JP H06330353 A JPH06330353 A JP H06330353A
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- etching
- copper
- copper layer
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- ammonium persulfate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
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Abstract
(57)【要約】
【構成】水に過硫酸アンモニウムを０．５重量％以上６
重量％以下含有することを特徴とする銅用エッチング
液。 【効果】本発明によると、サイドエッチング量の小さい
精密な銅層のエッチングが可能となり、特に銅層が薄膜
の場合にも、安定してエッチングを行うことができる。
重量％以下含有することを特徴とする銅用エッチング
液。 【効果】本発明によると、サイドエッチング量の小さい
精密な銅層のエッチングが可能となり、特に銅層が薄膜
の場合にも、安定してエッチングを行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は銅のエッチング液および
銅層のエッチング方法に関するものである。
銅層のエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般的な銅のエッチング液として
は塩化第２鉄、塩化第２銅、過硫酸アンモニウム等の水
溶液がよく知られているが、プリント基板の銅層のエッ
チングに一般的に用いられているのは、塩化第２鉄、塩
化第２銅の水溶液である。過硫酸アンモニウム水溶液も
銅のエッチング液として知られてはいるが、文献（たと
えばプリント回路ハンドブック 近代科学社刊 Ｐ６−
２５等）に記載されているのみであり、その場合の銅エ
ッチング液としての過硫酸アンモニウム水溶液の濃度は
１０〜３０重量％である。このような高濃度のエッチン
グ液を使用して銅をエッチングした場合、サイドエッチ
ング量が大きく、パターン幅が場所によってバラツキ易
く、安定したエッチングができない。
は塩化第２鉄、塩化第２銅、過硫酸アンモニウム等の水
溶液がよく知られているが、プリント基板の銅層のエッ
チングに一般的に用いられているのは、塩化第２鉄、塩
化第２銅の水溶液である。過硫酸アンモニウム水溶液も
銅のエッチング液として知られてはいるが、文献（たと
えばプリント回路ハンドブック 近代科学社刊 Ｐ６−
２５等）に記載されているのみであり、その場合の銅エ
ッチング液としての過硫酸アンモニウム水溶液の濃度は
１０〜３０重量％である。このような高濃度のエッチン
グ液を使用して銅をエッチングした場合、サイドエッチ
ング量が大きく、パターン幅が場所によってバラツキ易
く、安定したエッチングができない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とする
所は、銅層、特に０．５μｍ以上１０μｍ以下の薄膜銅
層をパターン状にエッチングするに際し、サイドエッチ
ングが小さく、パターン幅のバラツキの小さいエッチン
グを可能にする銅用エッチング液およびこれを用いた銅
層のエッチング方法を提供することにある。
技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とする
所は、銅層、特に０．５μｍ以上１０μｍ以下の薄膜銅
層をパターン状にエッチングするに際し、サイドエッチ
ングが小さく、パターン幅のバラツキの小さいエッチン
グを可能にする銅用エッチング液およびこれを用いた銅
層のエッチング方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
水に過硫酸アンモニウムを０．５重量％以上６重量％以
下含有することを特徴とする銅用エッチング液により達
成される。
水に過硫酸アンモニウムを０．５重量％以上６重量％以
下含有することを特徴とする銅用エッチング液により達
成される。
【０００５】使用する水としては、精密パターンエッチ
ングの目的から超純水が好ましい。過硫酸アンモニウム
としては市販の試薬特級を用いれば良い。過硫酸アンモ
ニウムの濃度としては０．５重量％以上６重量％以下で
あり、好ましくは１重量％以上４重量％以下である。６
重量％をこえると、サイドエッチング量が大きくなり、
パターン幅がバラツキ易くなり、０．５重量％未満で
は、エッチング速度が極めて遅くなり好ましくない。
ングの目的から超純水が好ましい。過硫酸アンモニウム
としては市販の試薬特級を用いれば良い。過硫酸アンモ
ニウムの濃度としては０．５重量％以上６重量％以下で
あり、好ましくは１重量％以上４重量％以下である。６
重量％をこえると、サイドエッチング量が大きくなり、
パターン幅がバラツキ易くなり、０．５重量％未満で
は、エッチング速度が極めて遅くなり好ましくない。
【０００６】過硫酸アンモニウム以外にアルカリ金属の
塩化物を過硫酸アンモニウムに対し３０重量％以上９０
重量％以下、より好ましくは５０重量％以上８０重量％
以下加えるのが、銅をエッチングする際の液の濁り発生
防止の観点から好ましい。アルカリ金属の塩化物として
は、塩化リチウム、塩化カリウム、塩化ナトリウムが一
般的である。エッチング液の濁り発生防止の観点から塩
化ナトリウムが好ましい。
塩化物を過硫酸アンモニウムに対し３０重量％以上９０
重量％以下、より好ましくは５０重量％以上８０重量％
以下加えるのが、銅をエッチングする際の液の濁り発生
防止の観点から好ましい。アルカリ金属の塩化物として
は、塩化リチウム、塩化カリウム、塩化ナトリウムが一
般的である。エッチング液の濁り発生防止の観点から塩
化ナトリウムが好ましい。
【０００７】エッチング液の作成方法としては、所定量
の超純水に、室温で所定量の過硫酸アンモニウムを溶解
すれば良い。さらに好ましくは塩化ナトリウムなどのア
ルカリ金属の塩化物を所定量添加、溶解すれば良い。も
ちろんこれら以外に、エッチング特性を損なわない範囲
で界面活性剤などの添加剤等を加えても良い。
の超純水に、室温で所定量の過硫酸アンモニウムを溶解
すれば良い。さらに好ましくは塩化ナトリウムなどのア
ルカリ金属の塩化物を所定量添加、溶解すれば良い。も
ちろんこれら以外に、エッチング特性を損なわない範囲
で界面活性剤などの添加剤等を加えても良い。
【０００８】以上で得られた銅用エッチング液を用いて
銅層をエッチングする方法について説明する。銅層のエ
ッチングとは、銅の上にレジストなどを塗布しパターン
加工した後に、それをマスクとして銅のパターン加工を
行うことをいう。
銅層をエッチングする方法について説明する。銅層のエ
ッチングとは、銅の上にレジストなどを塗布しパターン
加工した後に、それをマスクとして銅のパターン加工を
行うことをいう。
【０００９】本発明の銅用エッチング液を用いた銅層の
エッチング方法は、銅層の厚みが０．５μｍ以上１０μ
ｍ以下の薄膜、例えば、シリコンウエハーなどの基板上
にスパッタリング、メッキなどの方法で形成された薄膜
銅層のエッチングに特に有効である。もちろん、これに
限定されず、プリント配線基板の銅層などの銅のエッチ
ングにも好ましく用いられる。
エッチング方法は、銅層の厚みが０．５μｍ以上１０μ
ｍ以下の薄膜、例えば、シリコンウエハーなどの基板上
にスパッタリング、メッキなどの方法で形成された薄膜
銅層のエッチングに特に有効である。もちろん、これに
限定されず、プリント配線基板の銅層などの銅のエッチ
ングにも好ましく用いられる。
【００１０】エッチングの方法としては、該銅用エッチ
ング液を噴霧状に銅層に吹き付けるスプレーエッチン
グ、バブル発生器を備えた該銅用エッチング液中に浸漬
し、バブル発生器にガスを通して液中にバブルを発生さ
せ、振盪しながらエッチングするディップエッチング等
が一般的であるが、この中で特に、バブル発生器を用い
てバブルを発生させるディップエッチングが好ましい。
バブルを発生させることによって、エッチング液がたえ
ず攪拌され、濃度が均一に保たれることによる。バブル
発生器に通すガスとしては空気、窒素、アルゴン、ヘリ
ウム等が一般的である。安全性の点から空気が好まし
い。バブル発生器としては、図１に示す装置が一例とし
てあげられる。１はガス導入口、２がバブル発生口であ
る。エッチング液中に、バブルを発生させるには、例え
ばこのような装置をエッチング液を入れた容器の底に設
置すればよい。通すガスの圧力としては設けられた空孔
から均一にバブルが発生するようにセットすればよく、
０．５ｋｇ／ｃｍ2 〜１ｋｇ／ｃｍ2 が好ましい。
ング液を噴霧状に銅層に吹き付けるスプレーエッチン
グ、バブル発生器を備えた該銅用エッチング液中に浸漬
し、バブル発生器にガスを通して液中にバブルを発生さ
せ、振盪しながらエッチングするディップエッチング等
が一般的であるが、この中で特に、バブル発生器を用い
てバブルを発生させるディップエッチングが好ましい。
バブルを発生させることによって、エッチング液がたえ
ず攪拌され、濃度が均一に保たれることによる。バブル
発生器に通すガスとしては空気、窒素、アルゴン、ヘリ
ウム等が一般的である。安全性の点から空気が好まし
い。バブル発生器としては、図１に示す装置が一例とし
てあげられる。１はガス導入口、２がバブル発生口であ
る。エッチング液中に、バブルを発生させるには、例え
ばこのような装置をエッチング液を入れた容器の底に設
置すればよい。通すガスの圧力としては設けられた空孔
から均一にバブルが発生するようにセットすればよく、
０．５ｋｇ／ｃｍ2 〜１ｋｇ／ｃｍ2 が好ましい。
【００１１】銅層をエッチングする際のエッチングの温
度としては１０℃以上５０℃以下が好ましく、より好ま
しくは２０℃以上４０℃以下である。１０℃未満ではエ
ッチング速度が極端に遅くなり、５０℃以上では過硫酸
アンモニウムの分解が起こりやすく好ましくない。
度としては１０℃以上５０℃以下が好ましく、より好ま
しくは２０℃以上４０℃以下である。１０℃未満ではエ
ッチング速度が極端に遅くなり、５０℃以上では過硫酸
アンモニウムの分解が起こりやすく好ましくない。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の説明で銅層のサイドエッチング量については
下記の方法で測定した。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の説明で銅層のサイドエッチング量については
下記の方法で測定した。
【００１３】［サイドエッチング］ニコン社製光学顕微
鏡６６−Ｘ６を使用し、図２に示すように×１６００倍
でレジスト付きの配線パターンを写真に撮影し、左右の
レジストパターン幅４と銅配線パターン幅３の差の平均
をサイドエッチング量５とした。すなわち、サイドエッ
チング量とは、レジストの配線であってエッチングされ
てはならない部分であるのにエッチングされてしまった
部分を指す。サイドエッチング量が０であることが最も
望ましいが、サイドエッチング量がレジストパターン幅
に対して１０％以下であれば実用レベルである。
鏡６６−Ｘ６を使用し、図２に示すように×１６００倍
でレジスト付きの配線パターンを写真に撮影し、左右の
レジストパターン幅４と銅配線パターン幅３の差の平均
をサイドエッチング量５とした。すなわち、サイドエッ
チング量とは、レジストの配線であってエッチングされ
てはならない部分であるのにエッチングされてしまった
部分を指す。サイドエッチング量が０であることが最も
望ましいが、サイドエッチング量がレジストパターン幅
に対して１０％以下であれば実用レベルである。
【００１４】実施例１ ４インチシリコーンウエハー上にスパッタリング装置
（アネルバ製ＳＰＬ−５００）を用いてウエハーとの密
着を上げるため、Ｃｒを０．１μｍスパッタリングで付
けた後、Ｃｕを４μｍ膜厚形成した。この上にネガタイ
プレジスト（東京応化製ＯＭＲ−８５，３５ＣＰＳ）を
大日本スクリーン製塗布・現像装置を用い３０００ｒｐ
ｍ×３０ｓｅｃで回転塗布した。その後ホットプレート
で１１５℃×２分プリベーク後、キャノン製コンタクト
露光装置ＰＬＡ５０１Ｆを用い、４０μｍのラインが形
成されたマスクを通して、２秒露光した。専用現像液、
リンス液を用いて、各１分浸漬法により現像、リンスし
た後、スピンドライにより乾燥した。その後クリーンオ
ーブン（ヤマト科学製ＤＴ−４２）を用い１４０℃×３
０分ポストベークした。
（アネルバ製ＳＰＬ−５００）を用いてウエハーとの密
着を上げるため、Ｃｒを０．１μｍスパッタリングで付
けた後、Ｃｕを４μｍ膜厚形成した。この上にネガタイ
プレジスト（東京応化製ＯＭＲ−８５，３５ＣＰＳ）を
大日本スクリーン製塗布・現像装置を用い３０００ｒｐ
ｍ×３０ｓｅｃで回転塗布した。その後ホットプレート
で１１５℃×２分プリベーク後、キャノン製コンタクト
露光装置ＰＬＡ５０１Ｆを用い、４０μｍのラインが形
成されたマスクを通して、２秒露光した。専用現像液、
リンス液を用いて、各１分浸漬法により現像、リンスし
た後、スピンドライにより乾燥した。その後クリーンオ
ーブン（ヤマト科学製ＤＴ−４２）を用い１４０℃×３
０分ポストベークした。
【００１５】その後超純水９７０ｇに過硫酸アンモニウ
ム３０ｇ（３％）と塩化ナトリウム２２．５ｇを溶かし
たバブル発生器を備えたエッチング液に２２℃で空気を
通し、バブルを発生しながら浸漬、振盪し、目視で観察
しながら銅層のエッチングを実施した。エッチング完了
後さらに３０秒エッチング液に浸漬後超純水で２分間洗
浄し、スピンドライで乾燥した。エッチング時間は５分
３０秒であった。
ム３０ｇ（３％）と塩化ナトリウム２２．５ｇを溶かし
たバブル発生器を備えたエッチング液に２２℃で空気を
通し、バブルを発生しながら浸漬、振盪し、目視で観察
しながら銅層のエッチングを実施した。エッチング完了
後さらに３０秒エッチング液に浸漬後超純水で２分間洗
浄し、スピンドライで乾燥した。エッチング時間は５分
３０秒であった。
【００１６】このウエハー上に形成されたＣｕパターン
について面内５点についてサイドエッチング量を測定
し、平均を算出した結果２μｍで、目標のレジストパタ
ーン幅の１０％以下であった。
について面内５点についてサイドエッチング量を測定
し、平均を算出した結果２μｍで、目標のレジストパタ
ーン幅の１０％以下であった。
【００１７】実施例２ 実施例１で銅用エッチング液の過硫酸アンモニウム濃度
を４％にした以外は、実施例１と同様に行った。サイド
エッチング量を測定した結果３μｍであった。エッチン
グ時間は４分３０秒であった。
を４％にした以外は、実施例１と同様に行った。サイド
エッチング量を測定した結果３μｍであった。エッチン
グ時間は４分３０秒であった。
【００１８】実施例３ 実施例１で銅用エッチング液の過硫酸アンモニウム濃度
を１％にした以外は、実施例１と同様に行った。サイド
エッチング量を測定した結果２μｍであった。エッチン
グ時間は８分３０秒であった。
を１％にした以外は、実施例１と同様に行った。サイド
エッチング量を測定した結果２μｍであった。エッチン
グ時間は８分３０秒であった。
【００１９】比較例１ ４インチシリコーンウエハー上にスパッタリング装置
（アネルバ製ＳＰＬ−５００）を用いてウエハーとの密
着を上げるため、Ｃｒを０．１μｍスパッタリングで付
けた後、Ｃｕを４μｍ膜厚形成した。この上にネガタイ
プレジスト（東京応化製ＯＭＲ−８５，３５ＣＰＳ）を
大日本スクリーン製塗布・現像装置を用い３０００ｒｐ
ｍ×３０ｓｅｃで回転塗布した。その後ホットプレート
で１１５℃×２分プリベーク後、キャノン製コンタクト
露光装置ＰＬＡ５０１Ｆを用い、４０μｍのラインが形
成されたマスクを通して、２秒露光した。専用現像液、
リンス液を用いて、各１分浸漬法により現像、リンスし
た後、スピンドライにより乾燥した。その後クリーンオ
ーブン（ヤマト科学製ＤＴ−４２）を用い１４０℃×３
０分ポストベークした。
（アネルバ製ＳＰＬ−５００）を用いてウエハーとの密
着を上げるため、Ｃｒを０．１μｍスパッタリングで付
けた後、Ｃｕを４μｍ膜厚形成した。この上にネガタイ
プレジスト（東京応化製ＯＭＲ−８５，３５ＣＰＳ）を
大日本スクリーン製塗布・現像装置を用い３０００ｒｐ
ｍ×３０ｓｅｃで回転塗布した。その後ホットプレート
で１１５℃×２分プリベーク後、キャノン製コンタクト
露光装置ＰＬＡ５０１Ｆを用い、４０μｍのラインが形
成されたマスクを通して、２秒露光した。専用現像液、
リンス液を用いて、各１分浸漬法により現像、リンスし
た後、スピンドライにより乾燥した。その後クリーンオ
ーブン（ヤマト科学製ＤＴ−４２）を用い１４０℃×３
０分ポストベークした。
【００２０】その後超純水９００ｇに過硫酸アンモニウ
ム１００ｇ（１０％）と塩化ナトリウム７５ｇを溶かし
たバブル発生器を備えたエッチング液に２２℃で空気を
通し、バブルを発生しながら浸漬、振盪し、目視で観察
しながら銅層のエッチングを実施した。エッチング完了
後さらに３０秒エッチング液に浸漬後超純水で２分間洗
浄し、スピンドライで乾燥した。エッチング時間は２分
３０秒であった。
ム１００ｇ（１０％）と塩化ナトリウム７５ｇを溶かし
たバブル発生器を備えたエッチング液に２２℃で空気を
通し、バブルを発生しながら浸漬、振盪し、目視で観察
しながら銅層のエッチングを実施した。エッチング完了
後さらに３０秒エッチング液に浸漬後超純水で２分間洗
浄し、スピンドライで乾燥した。エッチング時間は２分
３０秒であった。
【００２１】このウエハー上に形成されたＣｕパターン
について面内５点についてサイドエッチング量を測定
し、平均を算出した結果１０μｍで、目標のパターン幅
の１０％以下は達成できなかった。
について面内５点についてサイドエッチング量を測定
し、平均を算出した結果１０μｍで、目標のパターン幅
の１０％以下は達成できなかった。
【００２２】比較例２ 実施例１で銅用エッチング液の過硫酸アンモニウム濃度
を０．３％にした以外は、実施例１と同様に行った。エ
ッチング時間が１５分以上かかり採用できないものであ
った。
を０．３％にした以外は、実施例１と同様に行った。エ
ッチング時間が１５分以上かかり採用できないものであ
った。
【００２３】
【発明の効果】本発明は、上述のような銅用エッチング
液およびそれを用いた銅層のエッチング方法を採用した
ことにより、サイドエッチング量の小さい精密な銅層の
エッチングが可能となり、特に銅層が薄膜の場合にも、
安定してエッチングを行うことができる。
液およびそれを用いた銅層のエッチング方法を採用した
ことにより、サイドエッチング量の小さい精密な銅層の
エッチングが可能となり、特に銅層が薄膜の場合にも、
安定してエッチングを行うことができる。
【図１】本発明の銅層のエッチング方法に使用するバブ
ル発生器の一例を示す概略図である。
ル発生器の一例を示す概略図である。
【図２】銅層のサイドエッチング量を示す概略図であ
る。
る。
１ ガス導入口 ２ バブル発生口 ３ 配線パターン幅 ４ レジストパターン幅 ５ サイドエッチング量
Claims (5)
- 【請求項１】水に過硫酸アンモニウムを０．５重量％以
上６重量％以下含有することを特徴とする銅用エッチン
グ液。 - 【請求項２】過硫酸アンモニウムに対しアルカリ金属の
塩化物を３０重量％以上９０重量％以下含有することを
特徴とする請求項１記載の銅用エッチング液。 - 【請求項３】請求項１または２記載の銅用エッチング液
を用いて銅層をエッチングすることを特徴とする銅層の
エッチング方法。 - 【請求項４】銅層の膜厚が０．５μｍ以上１０μｍ以下
であることを特徴とする請求項３記載の銅層のエッチン
グ方法。 - 【請求項５】エッチングするに際し、バブル発生器を用
いエッチング液中にバブルを発生させてエッチングする
ことを特徴とする請求項３または４記載の銅層のエッチ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12020393A JPH06330353A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 銅用エッチング液およびこれを用いた銅層のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12020393A JPH06330353A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 銅用エッチング液およびこれを用いた銅層のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06330353A true JPH06330353A (ja) | 1994-11-29 |
Family
ID=14780461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12020393A Pending JPH06330353A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 銅用エッチング液およびこれを用いた銅層のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06330353A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008227508A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Dongjin Semichem Co Ltd | 薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング液組成物 |
| US8377325B2 (en) | 2010-03-18 | 2013-02-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Etchant for metal wiring and method for manufacturing metal wiring using the same |
| US8785935B2 (en) | 2010-12-15 | 2014-07-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Etchant, display device and method for manufacturing display device using the same |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP12020393A patent/JPH06330353A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008227508A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Dongjin Semichem Co Ltd | 薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング液組成物 |
| US8377325B2 (en) | 2010-03-18 | 2013-02-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Etchant for metal wiring and method for manufacturing metal wiring using the same |
| US8785935B2 (en) | 2010-12-15 | 2014-07-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Etchant, display device and method for manufacturing display device using the same |
| US9111813B2 (en) | 2010-12-15 | 2015-08-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Etchant, display device and method for manufacturing display device using the same |
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