JPH06331748A - シンチレータおよびその製造法 - Google Patents
シンチレータおよびその製造法Info
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- JPH06331748A JPH06331748A JP14280493A JP14280493A JPH06331748A JP H06331748 A JPH06331748 A JP H06331748A JP 14280493 A JP14280493 A JP 14280493A JP 14280493 A JP14280493 A JP 14280493A JP H06331748 A JPH06331748 A JP H06331748A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 10
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- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 8
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光素子の発光量の位置依存性が解消される
ことにより発光量が均一化されてなるシンチレータおよ
びその製造法を提供する。 【構成】 本発明のシンチレータ１は、例えば鏡面仕上
げがなされたＣｓＩの結晶からなる発光素子２の表面所
定範囲に、例えばブラックストライプ４などによる光量
調整領域が形成された薄膜３が被覆されてなるものであ
る。また、本発明のシンチレータ１の製造法は、例えば
鏡面仕上げがなされたＣｓＩの結晶からなる発光素子２
の表面を鏡面仕上げする手順と、前記発光素子２の表面
所定範囲に例えばブラックストライプ４などによる光量
調整領域が形成された薄膜３を被覆する手順とを含んで
なるものである。
ことにより発光量が均一化されてなるシンチレータおよ
びその製造法を提供する。 【構成】 本発明のシンチレータ１は、例えば鏡面仕上
げがなされたＣｓＩの結晶からなる発光素子２の表面所
定範囲に、例えばブラックストライプ４などによる光量
調整領域が形成された薄膜３が被覆されてなるものであ
る。また、本発明のシンチレータ１の製造法は、例えば
鏡面仕上げがなされたＣｓＩの結晶からなる発光素子２
の表面を鏡面仕上げする手順と、前記発光素子２の表面
所定範囲に例えばブラックストライプ４などによる光量
調整領域が形成された薄膜３を被覆する手順とを含んで
なるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシンチレータおよびその
製造法に関する。さらに詳しくは、光量の位置依存性が
低減されてなるシンチレータおよびその製造法に関す
る。
製造法に関する。さらに詳しくは、光量の位置依存性が
低減されてなるシンチレータおよびその製造法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より放射線の測定には、図３に示す
ように、放射線エネルギーをシンチレータ１１により光
量に変換して、それを光電子増倍管１２により増幅され
た電気信号に変換して、計数器１３や多重波高分析器１
４に入力する方法がとられている。このシンチレータ１
１における発光素子には、例えばＣｓＩ（ｐｕｒｅ）や
ＣｓＩ（Ｔｌ）などの結晶が用いられている。
ように、放射線エネルギーをシンチレータ１１により光
量に変換して、それを光電子増倍管１２により増幅され
た電気信号に変換して、計数器１３や多重波高分析器１
４に入力する方法がとられている。このシンチレータ１
１における発光素子には、例えばＣｓＩ（ｐｕｒｅ）や
ＣｓＩ（Ｔｌ）などの結晶が用いられている。
【０００３】しかるに、この発光素子の発光量には結晶
状態に起因する位置依存性があるため、同じエネルギー
の放射線が入射しても、その入射位置により発光量が異
なるという現象が生ずる。したがって、同じエネルギー
の放射線が入射されても、その検知位置により測定値が
異なるという結果になる。そのため、発光量の少ない領
域の結晶表面にサンドペーパーをかけること（図４の斜
線部参照）により、その領域における光散乱を増加させ
発光量の均一化が図られている。
状態に起因する位置依存性があるため、同じエネルギー
の放射線が入射しても、その入射位置により発光量が異
なるという現象が生ずる。したがって、同じエネルギー
の放射線が入射されても、その検知位置により測定値が
異なるという結果になる。そのため、発光量の少ない領
域の結晶表面にサンドペーパーをかけること（図４の斜
線部参照）により、その領域における光散乱を増加させ
発光量の均一化が図られている。
【０００４】しかしながら、結晶表面にサンドペーパー
をかけた場合には、結晶寸法が変わり発光素子の発光特
性が変わる恐れがある。また、サンドペーパーをかけす
ぎた場合には元の表面状態に戻すことができないので、
その作業は慎重かつ徐々に行う必要がある。そのため、
発光素子の発光量の均一化は極めて煩雑な作業となって
いる。
をかけた場合には、結晶寸法が変わり発光素子の発光特
性が変わる恐れがある。また、サンドペーパーをかけす
ぎた場合には元の表面状態に戻すことができないので、
その作業は慎重かつ徐々に行う必要がある。そのため、
発光素子の発光量の均一化は極めて煩雑な作業となって
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の問題点に鑑みなされたものであって、発光素子の発
光量の位置依存性が解消されることにより発光量が均一
化されてなるシンチレータおよびその製造法を提供する
ことを目的としている。
術の問題点に鑑みなされたものであって、発光素子の発
光量の位置依存性が解消されることにより発光量が均一
化されてなるシンチレータおよびその製造法を提供する
ことを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のシンチレータ
は、鏡面仕上げがなされた発光素子の表面所定範囲に光
量調整領域が形成された薄膜が被覆されてなることを特
徴とする。
は、鏡面仕上げがなされた発光素子の表面所定範囲に光
量調整領域が形成された薄膜が被覆されてなることを特
徴とする。
【０００７】本発明のシンチレータにおいては、前記光
量調整領域の形成が、例えばブラックストライプやイエ
ローストライプなどの光吸収用ストライプによりなされ
るのが好ましい。
量調整領域の形成が、例えばブラックストライプやイエ
ローストライプなどの光吸収用ストライプによりなされ
るのが好ましい。
【０００８】また、本発明のシンチレータにおいては、
前記薄膜がＡｌが両面に蒸着されたポリエチレンテレフ
タレートフィルムであるのが好ましい。
前記薄膜がＡｌが両面に蒸着されたポリエチレンテレフ
タレートフィルムであるのが好ましい。
【０００９】一方、本発明のシンチレータの製造法は、
発光素子の表面を鏡面仕上げする手順と、前記発光素子
の表面所定範囲に光量調整領域が形成された薄膜を被覆
する手順とを含んでなることを特徴とする。
発光素子の表面を鏡面仕上げする手順と、前記発光素子
の表面所定範囲に光量調整領域が形成された薄膜を被覆
する手順とを含んでなることを特徴とする。
【００１０】本発明のシンチレータの製造法において
は、前記光量調整領域の形成が、例えばブラックストラ
イプやイエローストライプなどの光吸収用ストライプに
よりなされているのが好ましい。
は、前記光量調整領域の形成が、例えばブラックストラ
イプやイエローストライプなどの光吸収用ストライプに
よりなされているのが好ましい。
【００１１】また、本発明のシンチレータの製造法にお
いては、前記薄膜がＡｌが両面に蒸着されたポリエチレ
ンテレフタレートフィルムであるのが好ましい。
いては、前記薄膜がＡｌが両面に蒸着されたポリエチレ
ンテレフタレートフィルムであるのが好ましい。
【００１２】
【作用】本発明のシンチレータは前記のごとく構成され
ているので、発光量の位置依存性が解消されて均一な発
光量が得られる。また、鏡面仕上げされた発光素子を単
に薄膜で被覆することにより発光量の調整がなされてい
るので、その寸法精度は高く、また特性も均一化されて
いる。
ているので、発光量の位置依存性が解消されて均一な発
光量が得られる。また、鏡面仕上げされた発光素子を単
に薄膜で被覆することにより発光量の調整がなされてい
るので、その寸法精度は高く、また特性も均一化されて
いる。
【００１３】一方、本発明のシンチレータの製造法によ
れば、簡単な作業により発光量の位置依存性が解消され
ているシンチレータを得ることができる。また、最初の
調整で均一な発光量が得られない場合でも、光調整領域
が形成された薄膜を取り替えるのみで再調整ができる。
したがって、歩留りよくシンチレータを製造することが
できる。
れば、簡単な作業により発光量の位置依存性が解消され
ているシンチレータを得ることができる。また、最初の
調整で均一な発光量が得られない場合でも、光調整領域
が形成された薄膜を取り替えるのみで再調整ができる。
したがって、歩留りよくシンチレータを製造することが
できる。
【００１４】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明を実施
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例のみに
限定されるものではない。
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例のみに
限定されるものではない。
【００１５】図１は本発明の一実施例のシンチレータの
概略図、図２は同シンチレータの断面図である。図にお
いて、１はシンチレータ、２は発光素子、３はＡｌが両
面に蒸着されたポリエチレンテレフタレートフィルム
（マイラー）、４は光吸収用ストライプ（ブラックスト
ライプ）、５は光電子増倍管を示す。
概略図、図２は同シンチレータの断面図である。図にお
いて、１はシンチレータ、２は発光素子、３はＡｌが両
面に蒸着されたポリエチレンテレフタレートフィルム
（マイラー）、４は光吸収用ストライプ（ブラックスト
ライプ）、５は光電子増倍管を示す。
【００１６】図１〜２に示す本発明の一実施例において
は、発光素子２として４角柱のＣｓＩ（ｐｕｒｅ）の結
晶が用いられている。この発光素子２の表面は、発光量
が結晶表面の状態により影響されないように鏡面に仕上
げられている。この鏡面仕上げされた面は、図２に示す
ように、マイラー３により被覆されている。なお、図２
においては、マイラー３の厚さは誇張されている。この
マイラー３の所定範囲には、図１に示すように、所定幅
の光吸収用ストライプ４が所定間隔で設けられている。
光吸収用ストライプとしては、例えばブラックストライ
プやイエローストライプなどがあげられる。図２におい
ては、光吸収用ストライプ４は光電子増倍管５との接続
端から１２０ｍｍの範囲に、幅２ｍｍ、ピッチ１０ｍｍ
で設けられている。なお、光吸収用ストライプ４の形成
範囲、幅およびピッチはこれに限定されるものではな
く、発光素子２のサイズ、発光量のばらつきなどに応じ
て適宜選定される。
は、発光素子２として４角柱のＣｓＩ（ｐｕｒｅ）の結
晶が用いられている。この発光素子２の表面は、発光量
が結晶表面の状態により影響されないように鏡面に仕上
げられている。この鏡面仕上げされた面は、図２に示す
ように、マイラー３により被覆されている。なお、図２
においては、マイラー３の厚さは誇張されている。この
マイラー３の所定範囲には、図１に示すように、所定幅
の光吸収用ストライプ４が所定間隔で設けられている。
光吸収用ストライプとしては、例えばブラックストライ
プやイエローストライプなどがあげられる。図２におい
ては、光吸収用ストライプ４は光電子増倍管５との接続
端から１２０ｍｍの範囲に、幅２ｍｍ、ピッチ１０ｍｍ
で設けられている。なお、光吸収用ストライプ４の形成
範囲、幅およびピッチはこれに限定されるものではな
く、発光素子２のサイズ、発光量のばらつきなどに応じ
て適宜選定される。
【００１７】次に、かかる構成を有する発光素子２の製
造法について説明する。
造法について説明する。
【００１８】ステップ１：ＣｓＩ（ｐｕｒｅ）の結晶表
面を研磨し鏡面仕上げして、発光素子２とする。
面を研磨し鏡面仕上げして、発光素子２とする。
【００１９】ステップ２：発光素子２の結晶サイズに合
わせてマイラー３を調整する。
わせてマイラー３を調整する。
【００２０】ステップ３：このマイラー３の所定範囲
に、所定幅および所定ピッチで光吸収用ストライプ４を
形成する。この光吸収用ストライプ４の形成は、例えば
マジックインクを用いてなされる。
に、所定幅および所定ピッチで光吸収用ストライプ４を
形成する。この光吸収用ストライプ４の形成は、例えば
マジックインクを用いてなされる。
【００２１】ステップ４：発光素子２表面に、マイラー
３を光吸収用ストライプ４が形成された面を内側に向け
て、光吸収用ストライプ４が所定位置に来るように調整
して巻き付ける。
３を光吸収用ストライプ４が形成された面を内側に向け
て、光吸収用ストライプ４が所定位置に来るように調整
して巻き付ける。
【００２２】次に、かかる光吸収用ストライプ４が形成
されたシンチレータ１の発光特性を調査した。
されたシンチレータ１の発光特性を調査した。
【００２３】実施例 ３５ｍｍ角で長さが３００ｍｍのＣｓＩ（ｐｕｒｅ）の
結晶を用いて、前記製造法によりシンチレータ１を作製
した。なお、ブラックストライプ４の形成は光電子増倍
管５の接続端から１２０ｍｍまでの範囲とし、またその
幅は２ｍｍ、ピッチは１０ｍｍとした。このシンチレー
タ１の長手方向の光量の変化を測定し、その結果を表１
に示した。
結晶を用いて、前記製造法によりシンチレータ１を作製
した。なお、ブラックストライプ４の形成は光電子増倍
管５の接続端から１２０ｍｍまでの範囲とし、またその
幅は２ｍｍ、ピッチは１０ｍｍとした。このシンチレー
タ１の長手方向の光量の変化を測定し、その結果を表１
に示した。
【００２４】比較例 比較のために、ブラックストライプを形成しなかった他
は、実施例と同様にしてシンチレータを作製した。この
シンチレータの長手方向の光量の変化を測定し、その結
果を表１に併せて示した。
は、実施例と同様にしてシンチレータを作製した。この
シンチレータの長手方向の光量の変化を測定し、その結
果を表１に併せて示した。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１より、実施例のシンチレータの発光量
が、比較例のシンチレータの発光量より均一であるのが
わかる。
が、比較例のシンチレータの発光量より均一であるのが
わかる。
【００２７】本実施例においては、ＣｓＩ（ｐｕｒｅ）
の結晶を例にとり説明してきたが、本発明は他のシンチ
レーション用材料にも好敵に適用することができる。
の結晶を例にとり説明してきたが、本発明は他のシンチ
レーション用材料にも好敵に適用することができる。
【００２８】また、本実施例においては、光吸収用スト
ライプとしてブラックストライプやイエローストライプ
を用いたが、ブルーストライプ、レッドストライプ、パ
ープルストライプ、グリーンストライプなども好敵に用
いることができる。
ライプとしてブラックストライプやイエローストライプ
を用いたが、ブルーストライプ、レッドストライプ、パ
ープルストライプ、グリーンストライプなども好敵に用
いることができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のシンチレ
ータによれば発光量の均一化を図ることができる。ま
た、鏡面仕上げされた面に薄膜を被覆することにより形
成されているので、その寸法精度がよいとともに、製品
ごとのばらつきもない。したがって、製品の特性が均質
化している。したがって、特性の安定している放射線測
定装置を作製することができる。
ータによれば発光量の均一化を図ることができる。ま
た、鏡面仕上げされた面に薄膜を被覆することにより形
成されているので、その寸法精度がよいとともに、製品
ごとのばらつきもない。したがって、製品の特性が均質
化している。したがって、特性の安定している放射線測
定装置を作製することができる。
【００３０】一方、本発明のシンチレータの製造法によ
れば、簡単な作業により発光量が均一化されているシン
チレータを作製することができる。また、光調整領域が
形成された薄膜で発光量の均一化を図っているので、そ
の発光量の調整も容易である。しかも、その発光量の再
調整も単に薄膜を取り替えるだけでよく、発光素子その
ものを交換する必要がないので、発光素子を歩留りよく
製造することができる。したがって、発光素子の製造コ
ストの低減を図ることができる。
れば、簡単な作業により発光量が均一化されているシン
チレータを作製することができる。また、光調整領域が
形成された薄膜で発光量の均一化を図っているので、そ
の発光量の調整も容易である。しかも、その発光量の再
調整も単に薄膜を取り替えるだけでよく、発光素子その
ものを交換する必要がないので、発光素子を歩留りよく
製造することができる。したがって、発光素子の製造コ
ストの低減を図ることができる。
【図１】本発明のシンチレータの一実施例の概略図であ
る。
る。
【図２】同実施例の断面図である。
【図３】放射線測定装置の説明図である。
【図４】従来の発光素子の説明図である。
１ シンチレータ ２ 発光素子 ３ マイラー ４ 光吸収用ストライプ、ブラックストライプ ５ 光電子増倍管
Claims (4)
- 【請求項１】 鏡面仕上げがなされた発光素子の表面所
定範囲に光量調整領域が形成された薄膜が被覆されてな
ることを特徴とするシンチレータ。 - 【請求項２】 発光素子の表面を鏡面仕上げする手順
と、前記発光素子の表面所定範囲に光量調整領域が形成
された薄膜を被覆する手順とを含んでなることを特徴と
するシンチレータの製造法。 - 【請求項３】 前記光量調整領域の形成が光吸収用スト
ライプによりなされていることを特徴とする請求項２記
載のシンチレータの製造法。 - 【請求項４】 前記薄膜がＡｌが両面に蒸着されたポリ
エチレンテレフタレートフィルムであることを特徴とす
る請求項２または３記載のシンチレータの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14280493A JPH06331748A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | シンチレータおよびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14280493A JPH06331748A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | シンチレータおよびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06331748A true JPH06331748A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=15324029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14280493A Withdrawn JPH06331748A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | シンチレータおよびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06331748A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009031132A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Tohoku Univ | 放射線検出器 |
| WO2012105292A1 (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP14280493A patent/JPH06331748A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009031132A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Tohoku Univ | 放射線検出器 |
| WO2012105292A1 (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
| US8809794B2 (en) | 2011-02-02 | 2014-08-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000801 |