JPH06332200A - 画像読み取り素子 - Google Patents
画像読み取り素子Info
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- JPH06332200A JPH06332200A JP5124277A JP12427793A JPH06332200A JP H06332200 A JPH06332200 A JP H06332200A JP 5124277 A JP5124277 A JP 5124277A JP 12427793 A JP12427793 A JP 12427793A JP H06332200 A JPH06332200 A JP H06332200A
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- transparent electrode
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 高感度、高耐久性画像読み取り素子を提供す
る。 【構成】 透明電極と対向電極との間に一般式（１）ま
たは（２）で表わされる化合物を含む光導電層を介挿し
て成る画像読み取り素子。一般式（１） 一般式（２） 〔式中、Ａ，Ａ′，Ｂは置換若しくは無置換の芳香環を
形成するに必要な原子群を表わす。〕
る。 【構成】 透明電極と対向電極との間に一般式（１）ま
たは（２）で表わされる化合物を含む光導電層を介挿し
て成る画像読み取り素子。一般式（１） 一般式（２） 〔式中、Ａ，Ａ′，Ｂは置換若しくは無置換の芳香環を
形成するに必要な原子群を表わす。〕
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は画像情報を電気信号に変
換し、該電気信号を像形成機器に出力するイメージセン
サーに用いられる画像読み取り素子に関するものであ
り、特に有機系光導電性材料を光電変換材料として用い
た画像読み取り素子に関する。
換し、該電気信号を像形成機器に出力するイメージセン
サーに用いられる画像読み取り素子に関するものであ
り、特に有機系光導電性材料を光電変換材料として用い
た画像読み取り素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来イメージセンサーは情報通信又は情
報処理における画像情報の読み取り手段として広く用い
られており、例えばファクシミリ、ワードプロセッサ
ー、電子ファイルシステム、複写機、プリンター等にお
いて画像情報の読み取り手段として広く実用化されてい
る。前記イメージセンサー用の読み取り素子としては、
従来結晶シリコンを用いた電荷結合型素子が知られてい
るが、製造技術が難しく、小面積の素子しか製造できな
いため、使用に際して縮小光学系が必須とされている。
このため素子の製造コストが高く、かつ記録精度が悪い
などの問題があった。
報処理における画像情報の読み取り手段として広く用い
られており、例えばファクシミリ、ワードプロセッサ
ー、電子ファイルシステム、複写機、プリンター等にお
いて画像情報の読み取り手段として広く実用化されてい
る。前記イメージセンサー用の読み取り素子としては、
従来結晶シリコンを用いた電荷結合型素子が知られてい
るが、製造技術が難しく、小面積の素子しか製造できな
いため、使用に際して縮小光学系が必須とされている。
このため素子の製造コストが高く、かつ記録精度が悪い
などの問題があった。
【０００３】そこで素子の製膜が塗布液からの塗布加工
又は蒸着等により達成され、大面積の素子が容易に得ら
れる有機光導電性材料を用いる方法が検討されている。
又は蒸着等により達成され、大面積の素子が容易に得ら
れる有機光導電性材料を用いる方法が検討されている。
【０００４】例えば特開昭61-285262号、特開昭61-2916
57号、特開平1-184961号の各号公報には光導電層にアゾ
系顔料を用いた画像読み取り素子が提案され、又特開平
4-63476号公報にはチタニルフタロシアニン顔料を用い
た画像読み取り素子が提案されている。
57号、特開平1-184961号の各号公報には光導電層にアゾ
系顔料を用いた画像読み取り素子が提案され、又特開平
4-63476号公報にはチタニルフタロシアニン顔料を用い
た画像読み取り素子が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機光
導電性材料を用いた前記公知の画像読み取り素子では未
だ十分な感度と応答速度が得られておらず、かつ前記素
子の連続使用により光導電層が疲労劣化して暗電流が増
大し、暗電流に対する光電流の比即ちＳ／Ｎ比が低下す
るなど多くの問題があった。
導電性材料を用いた前記公知の画像読み取り素子では未
だ十分な感度と応答速度が得られておらず、かつ前記素
子の連続使用により光導電層が疲労劣化して暗電流が増
大し、暗電流に対する光電流の比即ちＳ／Ｎ比が低下す
るなど多くの問題があった。
【０００６】本発明の目的は、高感度で光応答速度が速
く、連続使用等においても疲労劣化が少なく常に安定し
た画像読み取り性能を有するイメージセンサー用の画像
読み取り素子を提供することにある。
く、連続使用等においても疲労劣化が少なく常に安定し
た画像読み取り性能を有するイメージセンサー用の画像
読み取り素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記の目的は、透明電極
と、対向電極と、これらの電極間に設けられた光導電層
とを有する画像読み取り素子において、前記光導電層に
一般式（１）または（２）で表わされる含窒素複素環式
化合物からなる光導電性物質を含有することを特徴とす
る画像読み取り素子によって達成される。
と、対向電極と、これらの電極間に設けられた光導電層
とを有する画像読み取り素子において、前記光導電層に
一般式（１）または（２）で表わされる含窒素複素環式
化合物からなる光導電性物質を含有することを特徴とす
る画像読み取り素子によって達成される。
【０００８】
【化２】
【０００９】〔式中、Ａ，Ａ′，Ｂは置換若しくは無置
換の芳香環を形成するに必要な原子群を表わす。〕又本
発明の目的は選択された層構成を有する下記各画像読み
取り素子により達成される。
換の芳香環を形成するに必要な原子群を表わす。〕又本
発明の目的は選択された層構成を有する下記各画像読み
取り素子により達成される。
【００１０】まず本発明の目的は、透明電極上に、必要
により設けられるホール注入阻止層と、前記一般式
（１）または（２）で表わされる化合物からなる光導電
性物質及び必要によりＰ型又はＮ型電荷輸送物質（以下
ＣＴＭと略す場合がある。）を含有する光導電層と、対
向電極とをこの順に積層してなり、前記透明電極に対し
て前記対向電極に負の電圧を印加して使用することを特
徴とする画像読み取り素子により達成される。
により設けられるホール注入阻止層と、前記一般式
（１）または（２）で表わされる化合物からなる光導電
性物質及び必要によりＰ型又はＮ型電荷輸送物質（以下
ＣＴＭと略す場合がある。）を含有する光導電層と、対
向電極とをこの順に積層してなり、前記透明電極に対し
て前記対向電極に負の電圧を印加して使用することを特
徴とする画像読み取り素子により達成される。
【００１１】更に前記の目的は、透明電極上に、必要に
より設けられるエレクトロン注入阻止層と、前記一般式
（１）または（２）で表わされる化合物からなる光導電
性物質及び必要によりＮ型又はＰ型電荷輸送物質を含有
する光導電層と、対向電極とをこの順に積層してなり、
前記透明電極に対して前記対向電極に正の電圧を印加し
て使用することを特徴とする画像読み取り素子により達
成される。
より設けられるエレクトロン注入阻止層と、前記一般式
（１）または（２）で表わされる化合物からなる光導電
性物質及び必要によりＮ型又はＰ型電荷輸送物質を含有
する光導電層と、対向電極とをこの順に積層してなり、
前記透明電極に対して前記対向電極に正の電圧を印加し
て使用することを特徴とする画像読み取り素子により達
成される。
【００１２】更に前記の目的は、透明電極上に、必要に
より設けられるホール注入阻止層と、前記一般式（１）
または（２）で表わされる化合物からなる光導電性物質
を含有する光導電層と、Ｐ型電荷輸送物質を含有する電
荷輸送層（以下ＣＴＬと略す場合がある。）と、対向電
極とをこの順に積層してなり、前記透明電極に対して前
記対向電極に負の電圧を印加して使用することを特徴と
する画像読み取り素子により達成される。
より設けられるホール注入阻止層と、前記一般式（１）
または（２）で表わされる化合物からなる光導電性物質
を含有する光導電層と、Ｐ型電荷輸送物質を含有する電
荷輸送層（以下ＣＴＬと略す場合がある。）と、対向電
極とをこの順に積層してなり、前記透明電極に対して前
記対向電極に負の電圧を印加して使用することを特徴と
する画像読み取り素子により達成される。
【００１３】更に前記の目的は、透明電極上に、必要に
より設けられるエレクトロン注入阻止層と、前記一般式
（１）または（２）で表わされる化合物からなる光導電
性物質を含有する光導電層と、Ｎ型電荷輸送物質を含有
する電荷輸送層と、対向電極とをこの順に積層してな
り、前記透明電極に対して前記対向電極に正の電圧を印
加して使用することを特徴とする画像読み取り素子によ
り達成される。
より設けられるエレクトロン注入阻止層と、前記一般式
（１）または（２）で表わされる化合物からなる光導電
性物質を含有する光導電層と、Ｎ型電荷輸送物質を含有
する電荷輸送層と、対向電極とをこの順に積層してな
り、前記透明電極に対して前記対向電極に正の電圧を印
加して使用することを特徴とする画像読み取り素子によ
り達成される。
【００１４】更に前記の目的は、透明電極上に、Ｐ型電
荷輸送物質を含有する電荷輸送層と、前記一般式（１）
または（２）で表わされる化合物からなる光導電性物質
を含有する光導電層と、必要により設けられるホール注
入阻止層と、対向電極とをこの順に積層してなり、前記
透明電極に対して前記対向電極に正の電圧を印加して使
用することを特徴とする画像読み取り素子により達成さ
れる。
荷輸送物質を含有する電荷輸送層と、前記一般式（１）
または（２）で表わされる化合物からなる光導電性物質
を含有する光導電層と、必要により設けられるホール注
入阻止層と、対向電極とをこの順に積層してなり、前記
透明電極に対して前記対向電極に正の電圧を印加して使
用することを特徴とする画像読み取り素子により達成さ
れる。
【００１５】更に前記の目的は、透明電極上に、Ｎ型電
荷輸送物質を含有する電荷輸送層と、前記一般式（１）
または（２）で表わされる化合物からなる光導電性物質
を含有する光導電層と、必要により設けられるエレクト
ロン注入阻止層と、対向電極とをこの順に積層してな
り、前記透明電極に対して前記対向電極に負の電圧を印
加して使用することを特徴とする画像読み取り素子によ
り達成される。
荷輸送物質を含有する電荷輸送層と、前記一般式（１）
または（２）で表わされる化合物からなる光導電性物質
を含有する光導電層と、必要により設けられるエレクト
ロン注入阻止層と、対向電極とをこの順に積層してな
り、前記透明電極に対して前記対向電極に負の電圧を印
加して使用することを特徴とする画像読み取り素子によ
り達成される。
【００１６】
【作用】以下画像読み取り素子が組み込まれたイメージ
センサーの動作の概略を図１及び図２により説明する。
センサーの動作の概略を図１及び図２により説明する。
【００１７】図１は蒸着型のラインセンサーの断面図を
示すもので、矢印方向に走行する原稿４に光源３から照
明光が照射され、その画像光はロッドレンズアレイ２を
介してセンサーである画像読み取り素子１に照射され、
光の強弱に応じて信号電流又は信号電荷に変換される。
該信号電流又は信号電荷はライン状に画素毎に配列され
た個別電極から成る対向電極を介して像形成機器の、例
えばハロゲンランプ、発光ダイオード等を用いた露光装
置に時系列的に逐次出力され該露光装置を制御して像露
光が行われる。
示すもので、矢印方向に走行する原稿４に光源３から照
明光が照射され、その画像光はロッドレンズアレイ２を
介してセンサーである画像読み取り素子１に照射され、
光の強弱に応じて信号電流又は信号電荷に変換される。
該信号電流又は信号電荷はライン状に画素毎に配列され
た個別電極から成る対向電極を介して像形成機器の、例
えばハロゲンランプ、発光ダイオード等を用いた露光装
置に時系列的に逐次出力され該露光装置を制御して像露
光が行われる。
【００１８】図２は素子１からの信号を時系列的に取出
す型式の種類を示すもので、図２の（イ）は光電変換し
て得た信号電流をそのまま読み出す光電流型であり、図
２（ロ）は光電変換して得た信号電荷をコンデンサーに
蓄積し、これを読み出す電荷蓄積型であり、高感度特性
が要請される場合は前記図２（ロ）の電荷蓄積型が有利
である。
す型式の種類を示すもので、図２の（イ）は光電変換し
て得た信号電流をそのまま読み出す光電流型であり、図
２（ロ）は光電変換して得た信号電荷をコンデンサーに
蓄積し、これを読み出す電荷蓄積型であり、高感度特性
が要請される場合は前記図２（ロ）の電荷蓄積型が有利
である。
【００１９】ところで画像読取り素子をイメージセンサ
ー用に用いる場合、その性能を十分発揮するためには、
次の特性が要請される。
ー用に用いる場合、その性能を十分発揮するためには、
次の特性が要請される。
【００２０】（１）数Ｖ〜数十Ｖの低い電圧下で試料面
照度100Ｌuxで光照射した時、素子10mm2当たり少なくと
も102〜104nA（１nA／dot）以上の光電流が流れるこ
と、即ち高感度特性を有すること。
照度100Ｌuxで光照射した時、素子10mm2当たり少なくと
も102〜104nA（１nA／dot）以上の光電流が流れるこ
と、即ち高感度特性を有すること。
【００２１】（２）少なくとも一方の極性の電界で、暗
電流が極めて少なく、光電流の暗電流に対する比（Ｓ／
Ｎ比）が10倍以上であること。
電流が極めて少なく、光電流の暗電流に対する比（Ｓ／
Ｎ比）が10倍以上であること。
【００２２】（３）光照射時の光電流の立ち上りが速
く、かつ光遮断時、速やかに元の状態に復帰すること、
即ち優れた応答速度を有すること。
く、かつ光遮断時、速やかに元の状態に復帰すること、
即ち優れた応答速度を有すること。
【００２３】図３（イ）、（ロ）、（ハ）、図４
（ニ）、（ホ）及び（ヘ）には前記諸特性を考慮して選
択された画像読み取り素子の層構成が示される。
（ニ）、（ホ）及び（ヘ）には前記諸特性を考慮して選
択された画像読み取り素子の層構成が示される。
【００２４】図３（イ）は、仕事函数の大きい透明電極
９ａ上にホール注入阻止層７ａと、光導電層６ａと、仕
事函数の大きい対向電極５ａとをこの順に設けた構成と
され、前記透明電極９ａに対して前記対向電極５ａ側が
負となる電圧を印加して動作する素子である。前記透明
電極９ａは、例えば、硝子又は水晶等の透明支持体であ
るガラス板８上に、比較的仕事函数が大なる例えば酸化
インジウム、酸化錫、酸化インジウム-酸化錫（ＩＴ
Ｏ）等の金属酸化物又はニッケル・パラジウム、金、白
金等の薄膜を蒸着又はスパッタリング等により設けら
れ、通常前記ＩＴＯ電極とされる。
９ａ上にホール注入阻止層７ａと、光導電層６ａと、仕
事函数の大きい対向電極５ａとをこの順に設けた構成と
され、前記透明電極９ａに対して前記対向電極５ａ側が
負となる電圧を印加して動作する素子である。前記透明
電極９ａは、例えば、硝子又は水晶等の透明支持体であ
るガラス板８上に、比較的仕事函数が大なる例えば酸化
インジウム、酸化錫、酸化インジウム-酸化錫（ＩＴ
Ｏ）等の金属酸化物又はニッケル・パラジウム、金、白
金等の薄膜を蒸着又はスパッタリング等により設けら
れ、通常前記ＩＴＯ電極とされる。
【００２５】前記ホール注入阻止層７ａは前記透明電極
９ａが、その仕事函数が比較的に大とされることから、
該透明電極からのホールの注入を阻止して暗電流の増大
を防止するためのものであり、好ましくは106〜1014Ω・
cm程度の抵抗率を有する樹脂が用いられる。
９ａが、その仕事函数が比較的に大とされることから、
該透明電極からのホールの注入を阻止して暗電流の増大
を防止するためのものであり、好ましくは106〜1014Ω・
cm程度の抵抗率を有する樹脂が用いられる。
【００２６】かかる樹脂としては、例えばポリビニルア
ルコール、ポリアミド、カルボキシメチルセルロース、
エチルセルロース、ポリビニルブチラール、エチレン-
酢酸ビニル共重合体、エチレン-酢酸ビニル-無水マレイ
ン酸共重合体、その他の電子写真用バインダー樹脂、又
はそれらの樹脂にホール注入阻止層形成用として電子受
容性物質を含有せしめたものが用いられ、ポリアミドが
特に好ましく用いられる。
ルコール、ポリアミド、カルボキシメチルセルロース、
エチルセルロース、ポリビニルブチラール、エチレン-
酢酸ビニル共重合体、エチレン-酢酸ビニル-無水マレイ
ン酸共重合体、その他の電子写真用バインダー樹脂、又
はそれらの樹脂にホール注入阻止層形成用として電子受
容性物質を含有せしめたものが用いられ、ポリアミドが
特に好ましく用いられる。
【００２７】次に前記ホール注入阻止層７ａ上に設けら
れる光導電層６ａは、前記一般式（１）または（２）で
表わされる化合物からなる光導電性物質を0.1〜10μm厚
に蒸着して形成されるか、又は前記一般式（１）または
（２）で表わされる化合物からなる光導電性物質と好ま
しくはＰ型電荷輸送物質（Ｐ型ＣＴＭ）とをバインダー
樹脂を溶解した有機溶剤の溶液中に溶解、分散し、得ら
れた分散液を乾燥膜厚が0.1〜10μmとなるよう塗布加工
して得られる。次に光導電層６ａ上に設けられる対向電
極５ａは画素毎の個別電極とされ、比較的に仕事函数の
大きい、例えばニッケル、パラジウム、金、白金等が用
いられ、ここでは金を蒸着又はスパッタリングして得ら
れる金電極とされる。
れる光導電層６ａは、前記一般式（１）または（２）で
表わされる化合物からなる光導電性物質を0.1〜10μm厚
に蒸着して形成されるか、又は前記一般式（１）または
（２）で表わされる化合物からなる光導電性物質と好ま
しくはＰ型電荷輸送物質（Ｐ型ＣＴＭ）とをバインダー
樹脂を溶解した有機溶剤の溶液中に溶解、分散し、得ら
れた分散液を乾燥膜厚が0.1〜10μmとなるよう塗布加工
して得られる。次に光導電層６ａ上に設けられる対向電
極５ａは画素毎の個別電極とされ、比較的に仕事函数の
大きい、例えばニッケル、パラジウム、金、白金等が用
いられ、ここでは金を蒸着又はスパッタリングして得ら
れる金電極とされる。
【００２８】かくして図３（イ）の素子のＩＴＯ透明電
極９ａ側では、ホール注入阻止層７ａによりホールの注
入が阻止され、金蒸着対向電極５ａ側では、金が仕事函
数が大であること、及び光導電層６ａにＰ型ＣＴＭが含
有されてることからエレクトロンの注入も阻止される。
従って暗電流が極めて少ない素子が得られると共に、光
導電層６ａの光導電性物質として特に光電変換特性に優
れた一般式（１）または（２）で表わされる化合物が用
いられているため、光照射時の光電流が大きく、高感度
で、光応答性が大でかつＳ／Ｎ比が優れていて多数回の
使用で疲労劣化の少ない素子が得られる。
極９ａ側では、ホール注入阻止層７ａによりホールの注
入が阻止され、金蒸着対向電極５ａ側では、金が仕事函
数が大であること、及び光導電層６ａにＰ型ＣＴＭが含
有されてることからエレクトロンの注入も阻止される。
従って暗電流が極めて少ない素子が得られると共に、光
導電層６ａの光導電性物質として特に光電変換特性に優
れた一般式（１）または（２）で表わされる化合物が用
いられているため、光照射時の光電流が大きく、高感度
で、光応答性が大でかつＳ／Ｎ比が優れていて多数回の
使用で疲労劣化の少ない素子が得られる。
【００２９】次に図３（ロ）は、前記図３（イ）と類似
の層構成を有する素子であるが、図３（イ）のホール注
入阻止層７ａ、仕事函数の大きいＩＴＯ透明電極９ａ、
金蒸着対向電極５ａのそれぞれに代えて、エレクトロン
注入阻止層７ｂ、仕事函数の小さいアルミニウム透明電
極９ｂ、アルミニウム対向電極５ｂが設けられる。又図
３（ロ）の素子では光導電層６ｂに一般式（１）または
（２）で表わされる化合物から成る光導電性物質と共に
Ｎ型電荷輸送物質（Ｎ型ＣＴＭ）が含有され、かつ電圧
印加の極性が逆となり、透明電極９ｂに対して対向電極
５ｂに正の電圧を印加して使用される。
の層構成を有する素子であるが、図３（イ）のホール注
入阻止層７ａ、仕事函数の大きいＩＴＯ透明電極９ａ、
金蒸着対向電極５ａのそれぞれに代えて、エレクトロン
注入阻止層７ｂ、仕事函数の小さいアルミニウム透明電
極９ｂ、アルミニウム対向電極５ｂが設けられる。又図
３（ロ）の素子では光導電層６ｂに一般式（１）または
（２）で表わされる化合物から成る光導電性物質と共に
Ｎ型電荷輸送物質（Ｎ型ＣＴＭ）が含有され、かつ電圧
印加の極性が逆となり、透明電極９ｂに対して対向電極
５ｂに正の電圧を印加して使用される。
【００３０】前記エレクトロン注入阻止層７ｂは前記仕
事函数の小さいアルミニウム透明電極９ｂからのエレク
トロンの注入を阻止して暗電流の増大を防止するための
ものであり、好ましくは106〜1014Ω・cm程度の抵抗率を
有する樹脂が用いられる。かかる樹脂としては、例えば
エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-エチルアクリ
レート共重合体、エチレン-酢酸ビニル−無水マレイン
酸共重合体、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ポリ塩化
ビニル、ポリアミドその他の電子写真用バインダー樹
脂、又はそれらにエレクトロン注入阻止層形成用として
電子供与性物質を含有せしめたものが用いられ、エチレ
ン系共重合体が特に好ましく用いられる。
事函数の小さいアルミニウム透明電極９ｂからのエレク
トロンの注入を阻止して暗電流の増大を防止するための
ものであり、好ましくは106〜1014Ω・cm程度の抵抗率を
有する樹脂が用いられる。かかる樹脂としては、例えば
エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-エチルアクリ
レート共重合体、エチレン-酢酸ビニル−無水マレイン
酸共重合体、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ポリ塩化
ビニル、ポリアミドその他の電子写真用バインダー樹
脂、又はそれらにエレクトロン注入阻止層形成用として
電子供与性物質を含有せしめたものが用いられ、エチレ
ン系共重合体が特に好ましく用いられる。
【００３１】かくして図３（ロ）の素子では、仕事函数
の小さいアルミニウム透明電極９ｂから光導電層６ｂへ
のエレクトロンの注入がエレクトロン注入阻止層７ｂに
より阻止される。更に又対向電極５ｂが仕事函数の小さ
いアルミニウムであること、及び光導電層６ｂにＮ型Ｃ
ＴＭが含有されていることから対向電極５ｂからのホー
ルの注入も阻止されるので、図３（イ）と同様暗電流が
少なく光電流大なる高性能の画像読み取り素子が得られ
る。
の小さいアルミニウム透明電極９ｂから光導電層６ｂへ
のエレクトロンの注入がエレクトロン注入阻止層７ｂに
より阻止される。更に又対向電極５ｂが仕事函数の小さ
いアルミニウムであること、及び光導電層６ｂにＮ型Ｃ
ＴＭが含有されていることから対向電極５ｂからのホー
ルの注入も阻止されるので、図３（イ）と同様暗電流が
少なく光電流大なる高性能の画像読み取り素子が得られ
る。
【００３２】次に図３（ハ）の素子は、仕事函数の小さ
いアルミニウム蒸着透明電極９ｂ上に一般式（１）また
は（２）で表わされる化合物から成る光導電性物質を含
有する光導電層６と、Ｐ型ＣＴＭを含有するＣＴＬ11ａ
と、仕事函数大なる金蒸着の対向電極５ａとをこの順に
設けた構成とされ、前記透明電極９ｂに対して対向電極
５ａに負の電圧を印加して使用される。
いアルミニウム蒸着透明電極９ｂ上に一般式（１）また
は（２）で表わされる化合物から成る光導電性物質を含
有する光導電層６と、Ｐ型ＣＴＭを含有するＣＴＬ11ａ
と、仕事函数大なる金蒸着の対向電極５ａとをこの順に
設けた構成とされ、前記透明電極９ｂに対して対向電極
５ａに負の電圧を印加して使用される。
【００３３】かくして図３（ハ）の素子の透明電極９ａ
側では、該電極９ａが仕事函数の小さいアルミニウムと
されること、及び光導電層６の一般式（１）または
（２）で表わされる化合物から成る光導電性物質がＮ型
とされることから、特にホール注入阻止層を設けなくて
もホールの注入が阻止される。又図３（ハ）の対向電極
５ａ側では、該電極が仕事函数大なる金蒸着とされるこ
と、及びＣＴＬ11ａがＰ型ＣＴＭを含有する層とされる
ことから、エレクトロンの注入が阻止されるので、図３
（イ）及び（ロ）の場合と同様、暗電流が少なく光電流
大なる高性能の画像読み取り素子が得られる。
側では、該電極９ａが仕事函数の小さいアルミニウムと
されること、及び光導電層６の一般式（１）または
（２）で表わされる化合物から成る光導電性物質がＮ型
とされることから、特にホール注入阻止層を設けなくて
もホールの注入が阻止される。又図３（ハ）の対向電極
５ａ側では、該電極が仕事函数大なる金蒸着とされるこ
と、及びＣＴＬ11ａがＰ型ＣＴＭを含有する層とされる
ことから、エレクトロンの注入が阻止されるので、図３
（イ）及び（ロ）の場合と同様、暗電流が少なく光電流
大なる高性能の画像読み取り素子が得られる。
【００３４】次に図４（ニ）の素子は、図３（ハ）と似
た層構成を有する素子であるが、図３（ハ）のアルミニ
ウム蒸着の透明電極９ｂ、Ｐ型ＣＴＭを含有するＣＴＬ
11ａ、金蒸着の対向電極５ａのそれぞれに代えて、ＩＴ
Ｏ透明電極９ａ、Ｎ型ＣＴＭを含有するＣＴＬ11ｂ、ア
ルミニウム蒸着の対向電極５ｂが設けられ、かつ光導電
層６ａには一般式（１）または（２）で表わされる化合
物から成る光導電性物質と共にＰ型ＣＴＭが含有され
る。
た層構成を有する素子であるが、図３（ハ）のアルミニ
ウム蒸着の透明電極９ｂ、Ｐ型ＣＴＭを含有するＣＴＬ
11ａ、金蒸着の対向電極５ａのそれぞれに代えて、ＩＴ
Ｏ透明電極９ａ、Ｎ型ＣＴＭを含有するＣＴＬ11ｂ、ア
ルミニウム蒸着の対向電極５ｂが設けられ、かつ光導電
層６ａには一般式（１）または（２）で表わされる化合
物から成る光導電性物質と共にＰ型ＣＴＭが含有され
る。
【００３５】又図４（ニ）の素子に印加される電圧は、
極性が逆とされ、透明電極９ａに対して対向電極５ｂに
正の電圧を印加して使用される。
極性が逆とされ、透明電極９ａに対して対向電極５ｂに
正の電圧を印加して使用される。
【００３６】かくして図４（ニ）の素子の透明電極９ｂ
側では、該電極が仕事函数大なるＩＴＯとされること、
及び光導電層６ａにはＰ型ＣＴＭを含有することから、
エレクトロンの注入が阻止される。又図４（ニ）の素子
の対向電極５ｂ側では、該電極が仕事函数が小さいこ
と、及びＣＴＬ11ｂがＮ型ＣＴＭを含有することからホ
ールの注入が阻止されるので、図３（イ）〜（ハ）の場
合と同様暗電流が少なく光電流大なる高性能の画像読み
取り素子が得られる。
側では、該電極が仕事函数大なるＩＴＯとされること、
及び光導電層６ａにはＰ型ＣＴＭを含有することから、
エレクトロンの注入が阻止される。又図４（ニ）の素子
の対向電極５ｂ側では、該電極が仕事函数が小さいこ
と、及びＣＴＬ11ｂがＮ型ＣＴＭを含有することからホ
ールの注入が阻止されるので、図３（イ）〜（ハ）の場
合と同様暗電流が少なく光電流大なる高性能の画像読み
取り素子が得られる。
【００３７】なお、前記図３（ハ）及び図４（ニ）の素
子において、層構成中にホール又はエレクトロン注入阻
止層を用いていないが、図３（ハ）の素子において、ア
ルミニウム蒸着の透明電極９ｂに代えてＩＴＯ透明電極
９ａとする場合は、該電極９ａと光導電層６との間にホ
ール注入阻止層を設けるのが好ましい。
子において、層構成中にホール又はエレクトロン注入阻
止層を用いていないが、図３（ハ）の素子において、ア
ルミニウム蒸着の透明電極９ｂに代えてＩＴＯ透明電極
９ａとする場合は、該電極９ａと光導電層６との間にホ
ール注入阻止層を設けるのが好ましい。
【００３８】又図４（ニ）の素子において、ＩＴＯ透明
電極９ａに代えて仕事函数の小さいアルミニウム蒸着の
透明電極９ｂとする場合は、該電極９ｂと光導電層６ａ
との間にエレクトロン注入阻止層を設けるのが好まし
い。
電極９ａに代えて仕事函数の小さいアルミニウム蒸着の
透明電極９ｂとする場合は、該電極９ｂと光導電層６ａ
との間にエレクトロン注入阻止層を設けるのが好まし
い。
【００３９】次に図４（ホ）の素子は、仕事函数の大な
るＩＴＯ透明電極９ａ上にＰ型ＣＴＭを含有するＣＴＬ
11ａと、一般式（１）または（２）で表わされる化合物
から成る光導電性物質を含有する光導電層６と、ホール
注入阻止層７ａと仕事函数大なる金蒸着の対向電極５ａ
とをこの順に設けた構成とされ、前記透明電極９ａに対
して前記対向電極５ａに正の電圧を印加して使用され
る。
るＩＴＯ透明電極９ａ上にＰ型ＣＴＭを含有するＣＴＬ
11ａと、一般式（１）または（２）で表わされる化合物
から成る光導電性物質を含有する光導電層６と、ホール
注入阻止層７ａと仕事函数大なる金蒸着の対向電極５ａ
とをこの順に設けた構成とされ、前記透明電極９ａに対
して前記対向電極５ａに正の電圧を印加して使用され
る。
【００４０】かくして図４（ホ）の素子の透明電極９ａ
側では、該電極が仕事函数の大きいこと、及びＣＴＬ11
ａがＰ型ＣＴＭを含有する層とされることからエレクト
ロンの注入が阻止される。又図４（ホ）の素子の対向電
極５ａ側では、ホール注入阻止層７ａが設けられている
ことからホールの注入が阻止され、図３（イ）〜
（ハ）、図４（ニ）の場合と同様、暗電流が少なく光電
流大なる高性能の画像読み取り素子が得られる。
側では、該電極が仕事函数の大きいこと、及びＣＴＬ11
ａがＰ型ＣＴＭを含有する層とされることからエレクト
ロンの注入が阻止される。又図４（ホ）の素子の対向電
極５ａ側では、ホール注入阻止層７ａが設けられている
ことからホールの注入が阻止され、図３（イ）〜
（ハ）、図４（ニ）の場合と同様、暗電流が少なく光電
流大なる高性能の画像読み取り素子が得られる。
【００４１】次に図４（ヘ）の素子は、図４（ホ）の素
子と似た層構成の素子であるが、図４（ホ）の素子のＩ
ＴＯ透明電極９ａ、Ｐ型ＣＴＭを含有するＣＴＬ11ａ、
ホール注入阻止層７ａ、金蒸着の対向電極５ａのそれぞ
れに代えて、アルミニウム蒸着の透明電極９ｂ、Ｎ型Ｃ
ＴＭを含有するＣＴＬ11ｂ、エレクトロン注入阻止層７
ｂ、アルミニウム蒸着の対向電極５ｂが設けられる。
子と似た層構成の素子であるが、図４（ホ）の素子のＩ
ＴＯ透明電極９ａ、Ｐ型ＣＴＭを含有するＣＴＬ11ａ、
ホール注入阻止層７ａ、金蒸着の対向電極５ａのそれぞ
れに代えて、アルミニウム蒸着の透明電極９ｂ、Ｎ型Ｃ
ＴＭを含有するＣＴＬ11ｂ、エレクトロン注入阻止層７
ｂ、アルミニウム蒸着の対向電極５ｂが設けられる。
【００４２】かくして図４（ヘ）の素子の透明電極９ｂ
側では、該電極が仕事函数の小さいこと、及びＣＴＬ11
ｂがＮ型ＣＴＭを含有する層であることからホールの注
入が阻止される。又図４（ヘ）の素子の対向電極側で
は、エレクトロン注入阻止層７ｂが設けられていること
からエレクトロンの注入が阻止され、図３（イ）〜
（ハ）、図４（ニ）〜（ホ）の場合と同様、暗電流が少
なく光電流大なる高性能の画像読み取り素子が得られ
る。
側では、該電極が仕事函数の小さいこと、及びＣＴＬ11
ｂがＮ型ＣＴＭを含有する層であることからホールの注
入が阻止される。又図４（ヘ）の素子の対向電極側で
は、エレクトロン注入阻止層７ｂが設けられていること
からエレクトロンの注入が阻止され、図３（イ）〜
（ハ）、図４（ニ）〜（ホ）の場合と同様、暗電流が少
なく光電流大なる高性能の画像読み取り素子が得られ
る。
【００４３】以下本発明の前記図３，４の各画像読み取
り素子に用いられる光導電層の構成につき、更に詳細に
説明する。
り素子に用いられる光導電層の構成につき、更に詳細に
説明する。
【００４４】前記光導電層は蒸着法により、例えば10-3
〜10-4mmHgの真空蒸着室内で一般式（１）または（２）
で表わされる化合物から成る光導電性物質を100〜500℃
に加熱下に蒸着して形成されてもよく、又バインダー樹
脂を溶解した有機溶剤の溶液中に、前記一般式（１）ま
たは（２）で表わされる化合物から成る光導電性物質を
バインダー樹脂100重量部当たり10〜10000重量部分散含
有させるか、又は必要によりＰ型ＣＴＭ又はＮ型ＣＴＭ
をバインダー樹脂100重量部当たり０〜100重量部相溶し
て含有させた塗布液を公知の塗布手段により塗布加工し
て形成してもよい。
〜10-4mmHgの真空蒸着室内で一般式（１）または（２）
で表わされる化合物から成る光導電性物質を100〜500℃
に加熱下に蒸着して形成されてもよく、又バインダー樹
脂を溶解した有機溶剤の溶液中に、前記一般式（１）ま
たは（２）で表わされる化合物から成る光導電性物質を
バインダー樹脂100重量部当たり10〜10000重量部分散含
有させるか、又は必要によりＰ型ＣＴＭ又はＮ型ＣＴＭ
をバインダー樹脂100重量部当たり０〜100重量部相溶し
て含有させた塗布液を公知の塗布手段により塗布加工し
て形成してもよい。
【００４５】本発明に有用な前記一般式（１）または
（２）で表わされる含窒素複素環式化合物は具体的には
以下の４群に分類される。
（２）で表わされる含窒素複素環式化合物は具体的には
以下の４群に分類される。
【００４６】
【化３】
【００４７】又、本発明の化合物は、下記反応式（１）
又は（２）にしたがって、各々合成することができる。
又は（２）にしたがって、各々合成することができる。
【００４８】
【化４】
【００４９】本発明の化合物におけるより好ましい例
は、前記一般式（１）においてＢがペリレンの場合であ
り、下記一般式（３）又は（４）で表わされる。
は、前記一般式（１）においてＢがペリレンの場合であ
り、下記一般式（３）又は（４）で表わされる。
【００５０】
【化５】
【００５１】〔式中、Ａは置換若しくは無置換の芳香環
を形成するに必要な原子群を表わす。〕Ａの好ましいも
のとしては、ベンゼン環、ナフタレン環、アンスラセン
環、フェナンスレン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピ
ラゾール環、アントラキノン環が挙げられ、特に好まし
いものはベンゼン環、ナフタレン環である。
を形成するに必要な原子群を表わす。〕Ａの好ましいも
のとしては、ベンゼン環、ナフタレン環、アンスラセン
環、フェナンスレン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピ
ラゾール環、アントラキノン環が挙げられ、特に好まし
いものはベンゼン環、ナフタレン環である。
【００５２】さらに、Ａの置換基としては、アルキル、
アルコキシ、アリール、アリールオキシ、アシル、アシ
ロキシ、アミノ、カルバモイル、ハロゲン、ニトロ、シ
アノなどを挙げることができる。
アルコキシ、アリール、アリールオキシ、アシル、アシ
ロキシ、アミノ、カルバモイル、ハロゲン、ニトロ、シ
アノなどを挙げることができる。
【００５３】これらの誘導体はＣｕ−Ｎα線に対するＸ
線回折スペクトルにおいて、ブラック角２θの6.3°±
0.2°、12.5°±0.2°，25.4°±0.2°，27.0°±0.2°
にピークを有するものが好ましい。
線回折スペクトルにおいて、ブラック角２θの6.3°±
0.2°、12.5°±0.2°，25.4°±0.2°，27.0°±0.2°
にピークを有するものが好ましい。
【００５４】前記ペリレン誘導体の具体的化合物として
は特願平4-127457号証記載の例えば、下記のごときもの
がある。
は特願平4-127457号証記載の例えば、下記のごときもの
がある。
【００５５】
【化６】
【００５６】
【化７】
【００５７】一方、前記一般式（１）の具体的化合物例
として、前記一般式（３）又は（４）には含まれないも
のには、例えば下記のごときものがある。
として、前記一般式（３）又は（４）には含まれないも
のには、例えば下記のごときものがある。
【００５８】
【化８】
【００５９】
【化９】
【００６０】又、前記一般式（２）の具体的化合物例と
しては、下記のごときものがある。
しては、下記のごときものがある。
【００６１】
【化１０】
【００６２】次に本発明の前記図３（ハ），図４（ニ）
〜（ヘ）に用いられるＰ型ＣＴＭを含有するＣＴＬ又
は、Ｎ型ＣＴＭを含有するＣＴＬは、前記Ｐ型又はＮ型
ＣＴＭをバインダー樹脂と共に該バインダー樹脂100重
量部当たり10〜10000重量部有機溶剤に溶解し、得られ
た塗布液を塗布、乾燥して得られる。
〜（ヘ）に用いられるＰ型ＣＴＭを含有するＣＴＬ又
は、Ｎ型ＣＴＭを含有するＣＴＬは、前記Ｐ型又はＮ型
ＣＴＭをバインダー樹脂と共に該バインダー樹脂100重
量部当たり10〜10000重量部有機溶剤に溶解し、得られ
た塗布液を塗布、乾燥して得られる。
【００６３】又図３（イ），（ロ），図４（ホ），
（ヘ）のホール又はエレクトロン注入阻止層７ａ又は７
ｂに含有される電子受容性物質又は電子供与性物質は、
Ｎ型ＣＴＭ又はＰ型ＣＴＭとされてよく、バインダー樹
脂100重量部当たり０〜100重量部含有される。
（ヘ）のホール又はエレクトロン注入阻止層７ａ又は７
ｂに含有される電子受容性物質又は電子供与性物質は、
Ｎ型ＣＴＭ又はＰ型ＣＴＭとされてよく、バインダー樹
脂100重量部当たり０〜100重量部含有される。
【００６４】前記Ｐ型ＣＴＭとしては、例えばオキサゾ
ール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアゾール誘導
体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミ
ダゾール誘導体、イミダゾロン誘導体、イミダゾリジン
誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、スチリル化合物、
ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体、オキサゾロン誘
導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘
導体、キャゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリ
ジン誘導体、フェナジン誘導体、アミノスチルベン誘導
体、ポリ-N-ビニルカルバゾール、ポリ-1-ビニルピレ
ン、ポリ-9-ビニルアントラセン等であってよい。
ール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアゾール誘導
体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミ
ダゾール誘導体、イミダゾロン誘導体、イミダゾリジン
誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、スチリル化合物、
ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体、オキサゾロン誘
導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘
導体、キャゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリ
ジン誘導体、フェナジン誘導体、アミノスチルベン誘導
体、ポリ-N-ビニルカルバゾール、ポリ-1-ビニルピレ
ン、ポリ-9-ビニルアントラセン等であってよい。
【００６５】これらのＣＴＭのうち、例えば特開昭60-1
72044号公報、特願平3-168711号明細書及び特願平3-168
713号明細書等に記載されるスチリル系化合物、ヒドラゾ
ン系化合物、ピラゾリン系化合物及びアミン系化合物が
好ましく用いられる。 次にＮ型ＣＴＭとしては、例えば特開昭52-109938号公
報に記載される「トリニトロ-インデノ-キノキサリン誘
導体」、特開昭52-77730号公報記載の「トリニトロ-チ
オキサントン誘導体」、特開昭53-52134号公報記載の
「ジニトロ-インデノ-チオフェン誘導体」、特開昭53-9
2749号公報記載の「ジニトロ-フルオレノン誘導体」、
特開昭51-141631号公報記載の「ジニトロベンゾトロボ
ン誘導体」等のニトロ誘導体が挙げられる。又特開昭63
-70257号公報記載の「テトラシアノアンスラキノン誘導
体」、特開昭63-175860号公報記載の「ジフェニル-ジシ
アノエチレン誘導体」、特開平2-42449号公報記載の「N
-シアノイミン誘導体」等のシアノ誘導体が挙げられ
る。
72044号公報、特願平3-168711号明細書及び特願平3-168
713号明細書等に記載されるスチリル系化合物、ヒドラゾ
ン系化合物、ピラゾリン系化合物及びアミン系化合物が
好ましく用いられる。 次にＮ型ＣＴＭとしては、例えば特開昭52-109938号公
報に記載される「トリニトロ-インデノ-キノキサリン誘
導体」、特開昭52-77730号公報記載の「トリニトロ-チ
オキサントン誘導体」、特開昭53-52134号公報記載の
「ジニトロ-インデノ-チオフェン誘導体」、特開昭53-9
2749号公報記載の「ジニトロ-フルオレノン誘導体」、
特開昭51-141631号公報記載の「ジニトロベンゾトロボ
ン誘導体」等のニトロ誘導体が挙げられる。又特開昭63
-70257号公報記載の「テトラシアノアンスラキノン誘導
体」、特開昭63-175860号公報記載の「ジフェニル-ジシ
アノエチレン誘導体」、特開平2-42449号公報記載の「N
-シアノイミン誘導体」等のシアノ誘導体が挙げられ
る。
【００６６】更に又、特開平1-206349号公報記載の「ジ
フェノキノン誘導体」、特開昭63-241548号公報記載の
「ベンゾキノン誘導体」、特開昭61-233750号公報記載
の「アントラキノン誘導体」等のキノン誘導体が挙げら
れる。
フェノキノン誘導体」、特開昭63-241548号公報記載の
「ベンゾキノン誘導体」、特開昭61-233750号公報記載
の「アントラキノン誘導体」等のキノン誘導体が挙げら
れる。
【００６７】次に前記光導電層６、６ａ、６ｂ、Ｐ型Ｃ
ＴＭを含有するＣＴＬ11ａ及びＮ型ＣＴＭを含有するＣ
ＴＬ11ｂに用いられるバインダー樹脂としては、電子写
真感光体用のバインダー樹脂の多くが利用可能であり、
例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、
メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ビ
ニルブチラール樹脂、ビニルホルマール樹脂、エポキシ
樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステ
ル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリ
コーン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹脂、重付加
型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹脂の繰返し単
位のうちの２つ以上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビ
ニル-酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル-酢酸ビニル
-無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂の他、ポ
リ-N-ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体を挙げ
ることができる。
ＴＭを含有するＣＴＬ11ａ及びＮ型ＣＴＭを含有するＣ
ＴＬ11ｂに用いられるバインダー樹脂としては、電子写
真感光体用のバインダー樹脂の多くが利用可能であり、
例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、
メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ビ
ニルブチラール樹脂、ビニルホルマール樹脂、エポキシ
樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステ
ル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリ
コーン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹脂、重付加
型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹脂の繰返し単
位のうちの２つ以上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビ
ニル-酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル-酢酸ビニル
-無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂の他、ポ
リ-N-ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体を挙げ
ることができる。
【００６８】次に、前記有機光導電層の光導電性物質の
分散剤、電荷輸送層を形成するための溶剤、ホール又は
エレクトロン注入阻止層を形成するための溶剤として
は、例えばヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の炭化水素類、メチレンクロライド、メチレンブロマイ
ド、1,2-ジクロルエタン、テトラクロルエタン、1,2-ジ
クロルエチレン、1,1,2-トリクロルエタン、1,1,1-トリ
クロルエタン、1,2-ジクロルプロパン、クロロホルム、
ブロモホルム、クロルベンゼン等のハロゲン化炭化水
素、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル
類、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノー
ル、シクロヘキサノール、ヘプタノール、エチレングリ
コール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、酢酸セ
ロソルブ等のアルコール及びこの誘導体、テトラヒドロ
フラン、1,4-ジオキサン、フラン、フルフラール等のエ
ーテル、アセタール類、ピリジンやブチルアミン、ジエ
チルアミン、エチレンジアミン、イソプロパノールアミ
ン等のアミン類、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド
類等が挙げられる。
分散剤、電荷輸送層を形成するための溶剤、ホール又は
エレクトロン注入阻止層を形成するための溶剤として
は、例えばヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の炭化水素類、メチレンクロライド、メチレンブロマイ
ド、1,2-ジクロルエタン、テトラクロルエタン、1,2-ジ
クロルエチレン、1,1,2-トリクロルエタン、1,1,1-トリ
クロルエタン、1,2-ジクロルプロパン、クロロホルム、
ブロモホルム、クロルベンゼン等のハロゲン化炭化水
素、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル
類、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノー
ル、シクロヘキサノール、ヘプタノール、エチレングリ
コール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、酢酸セ
ロソルブ等のアルコール及びこの誘導体、テトラヒドロ
フラン、1,4-ジオキサン、フラン、フルフラール等のエ
ーテル、アセタール類、ピリジンやブチルアミン、ジエ
チルアミン、エチレンジアミン、イソプロパノールアミ
ン等のアミン類、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド
類等が挙げられる。
【００６９】
【実施例】以下本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明の実施の態様はこれにより限定されるもので
はない。
が、本発明の実施の態様はこれにより限定されるもので
はない。
【００７０】実施例１ 図３（イ）を参照して本実施例を説明する。共重合ナイ
ロン「ダイアミドＴ171」（ダイセル社製）２g及び下記
Ｎ型ＣＴＭ0.1gを100mlのn-プロパノールに溶解し、得
られた溶液をガラス板８にインジウム、スズ酸化物を蒸
着して成るＩＴＯ透明電極９ａ上に乾燥膜厚が0.5μmと
なるように浸漬塗布して、ホール注入阻止層７ａを形成
した。次いで該ホール注入阻止層７ａ上に10-3mmHgの真
空中で150℃の加熱下に、例示化合物（Ｇ１）で表わさ
れる化合物を0.5μm厚に真空蒸着して光導電層６を形成
した。
ロン「ダイアミドＴ171」（ダイセル社製）２g及び下記
Ｎ型ＣＴＭ0.1gを100mlのn-プロパノールに溶解し、得
られた溶液をガラス板８にインジウム、スズ酸化物を蒸
着して成るＩＴＯ透明電極９ａ上に乾燥膜厚が0.5μmと
なるように浸漬塗布して、ホール注入阻止層７ａを形成
した。次いで該ホール注入阻止層７ａ上に10-3mmHgの真
空中で150℃の加熱下に、例示化合物（Ｇ１）で表わさ
れる化合物を0.5μm厚に真空蒸着して光導電層６を形成
した。
【００７１】次いで、該光導電層６の全表面に金蒸着を
行い対向電極５ａ（個別電極と異なる）を設けて本実施
例の素子を得、以下のようにして該素子の評価を行っ
た。この素子に透明電極９ａに対して対向電極５ａを負
として、−45Ｖの電圧を印加し、試料面照度100Ｌuxの
タングステン光を図５（イ）の如く点灯時間５msec、点
灯周期50msec矩形繰り返し露光を行った。このときの光
電流は850nA／10mm2で、暗電流は８nA／10mm2であり、
図５（ロ）の立上り時間Ｔｒ（飽和値の90％に達する時
間）が1.0msec、立下り時間Ｔｄ（０値前10％に達する
時間）が1.4msecであり、イメージセンサー用の素子と
して実用上十分な性能を有することがわかった。
行い対向電極５ａ（個別電極と異なる）を設けて本実施
例の素子を得、以下のようにして該素子の評価を行っ
た。この素子に透明電極９ａに対して対向電極５ａを負
として、−45Ｖの電圧を印加し、試料面照度100Ｌuxの
タングステン光を図５（イ）の如く点灯時間５msec、点
灯周期50msec矩形繰り返し露光を行った。このときの光
電流は850nA／10mm2で、暗電流は８nA／10mm2であり、
図５（ロ）の立上り時間Ｔｒ（飽和値の90％に達する時
間）が1.0msec、立下り時間Ｔｄ（０値前10％に達する
時間）が1.4msecであり、イメージセンサー用の素子と
して実用上十分な性能を有することがわかった。
【００７２】
【化１１】
【００７３】なお、前記試料面照度の測定は、横河電気
3281携帯用照度計により測定した。
3281携帯用照度計により測定した。
【００７４】実施例２ 図３（イ）を参照して本実施例を説明する。実施例１の
光導電層６に代えてＰ型ＣＴＭを含み、かつ塗布加工に
より製造された樹脂分散光導電層６ａを用いた他は、実
施例１と同様にして実施例２の素子を得た。前記光導電
層６ａは以下のようにして形成された。まず、例示化合
物（Ｇ23）10gをジメトキシエタン100ml中に混合し、サ
ンドグラインダーで30分間分散処理し、これを下記Ｐ型
ＣＴＭ0.1gとポリビニルブチラール樹脂（積水化学エス
レックＢＨ−３）10gをジメトキシエタン200mlに溶解し
た液と混合して塗布液を得た。
光導電層６に代えてＰ型ＣＴＭを含み、かつ塗布加工に
より製造された樹脂分散光導電層６ａを用いた他は、実
施例１と同様にして実施例２の素子を得た。前記光導電
層６ａは以下のようにして形成された。まず、例示化合
物（Ｇ23）10gをジメトキシエタン100ml中に混合し、サ
ンドグラインダーで30分間分散処理し、これを下記Ｐ型
ＣＴＭ0.1gとポリビニルブチラール樹脂（積水化学エス
レックＢＨ−３）10gをジメトキシエタン200mlに溶解し
た液と混合して塗布液を得た。
【００７５】この塗布液を図３（イ）で示したホール注
入阻止層７ａ上に乾燥膜厚が0.5μmとなるよう塗布加工
して光導電層６ａを得た。ここで得られた実施例２の素
子の性能は実施例１同様にして測定、評価し、その結果
を表１に示した。
入阻止層７ａ上に乾燥膜厚が0.5μmとなるよう塗布加工
して光導電層６ａを得た。ここで得られた実施例２の素
子の性能は実施例１同様にして測定、評価し、その結果
を表１に示した。
【００７６】
【化１２】
【００７７】実施例３ 図３（ロ）を参照して本実施例を説明する。「ダイアミ
ドＴ171」２g及び下記Ｐ型ＣＴＭ0.1gを100mlのn-プロ
パノールに溶解し、ガラス板８にアルミニウムを蒸着し
て成る透明電極９ｂ上に乾燥膜厚が0.5μmとなるよう浸
漬塗布して、エレクトロン注入阻止層７ｂを形成した。
次いで例示化合物重量にて（Ｇ３とＧ24のにし混合物）
10gをジメトキシエタン100ml中でサンドグラインダーで
30分間分散処理し、これを下記Ｎ型ＣＴＭ0.1gとポリビ
ニルブチラール樹脂（積水化学エスレックＢＨ−３）10
gをジメトキシエタン200mlに溶解した液と混合して塗布
液を得た。
ドＴ171」２g及び下記Ｐ型ＣＴＭ0.1gを100mlのn-プロ
パノールに溶解し、ガラス板８にアルミニウムを蒸着し
て成る透明電極９ｂ上に乾燥膜厚が0.5μmとなるよう浸
漬塗布して、エレクトロン注入阻止層７ｂを形成した。
次いで例示化合物重量にて（Ｇ３とＧ24のにし混合物）
10gをジメトキシエタン100ml中でサンドグラインダーで
30分間分散処理し、これを下記Ｎ型ＣＴＭ0.1gとポリビ
ニルブチラール樹脂（積水化学エスレックＢＨ−３）10
gをジメトキシエタン200mlに溶解した液と混合して塗布
液を得た。
【００７８】この塗布液を、前記エレクトロン注入阻止
層７ｂ上に乾燥膜厚が0.5μmとなるよう塗布加工して光
導電層６ｂを得た。次いで該光導電層６ｂの全表面にア
ルミニウム蒸着を行い、対向電極５ｂを設け本実施例の
素子を得た。
層７ｂ上に乾燥膜厚が0.5μmとなるよう塗布加工して光
導電層６ｂを得た。次いで該光導電層６ｂの全表面にア
ルミニウム蒸着を行い、対向電極５ｂを設け本実施例の
素子を得た。
【００７９】該素子を用いて、透明電極９ｂに対して対
向電極５ｂに正の電圧を印加した他は、実施例１同様に
して、測定、評価し、その結果を表１に示した。
向電極５ｂに正の電圧を印加した他は、実施例１同様に
して、測定、評価し、その結果を表１に示した。
【００８０】
【化１３】
【００８１】実施例４ 図３（ハ）を参照して本実施例を説明する。ガラス板８
にアルミニウムを蒸着して成る透明電極９ｂ上に以下の
ようにして光導電層６を形成した。まず例示化合物（Ｇ
36）10gを1,2-ジクロロエタン100mlに混合し、サンドグ
ラインダーで30分間分散処理し、これをポリカーボネー
ト「パンライトＬ−1250」（帝人化成社製）10gを1,2-
ジクロロエタン200mlに溶解した液と混合して塗布液を
得た。この塗布液を前記透明電極９ｂ上に乾燥膜厚が0.
6μmとなるよう塗布加工して光導電層６を得た。次いで
該光導電層６上に下記のようにしてＰ型ＣＴＭを含むＣ
ＴＬ11ａを形成した。
にアルミニウムを蒸着して成る透明電極９ｂ上に以下の
ようにして光導電層６を形成した。まず例示化合物（Ｇ
36）10gを1,2-ジクロロエタン100mlに混合し、サンドグ
ラインダーで30分間分散処理し、これをポリカーボネー
ト「パンライトＬ−1250」（帝人化成社製）10gを1,2-
ジクロロエタン200mlに溶解した液と混合して塗布液を
得た。この塗布液を前記透明電極９ｂ上に乾燥膜厚が0.
6μmとなるよう塗布加工して光導電層６を得た。次いで
該光導電層６上に下記のようにしてＰ型ＣＴＭを含むＣ
ＴＬ11ａを形成した。
【００８２】まずポリカーボネート樹脂「ユーピロンＺ
−200」（三菱瓦斯化学社製）100ｇと下記Ｐ型ＣＴＭ10
0ｇをモノクロルベンゼン100ml中に溶解して得た塗布液
を、前記光導電層６上に乾燥膜厚が0.7μmとなるよう塗
布加工してＣＴＬ11ａを形成した。
−200」（三菱瓦斯化学社製）100ｇと下記Ｐ型ＣＴＭ10
0ｇをモノクロルベンゼン100ml中に溶解して得た塗布液
を、前記光導電層６上に乾燥膜厚が0.7μmとなるよう塗
布加工してＣＴＬ11ａを形成した。
【００８３】次いで該ＣＴＬ11ａ上に金を全面蒸着して
対向電極５ａを形成して本実施例の素子を得、実施例１
と同様にして光電流、暗電流、立上り時間Ｔｒ、立下り
時間Ｔｄを測定し、その結果を表１に示した。
対向電極５ａを形成して本実施例の素子を得、実施例１
と同様にして光電流、暗電流、立上り時間Ｔｒ、立下り
時間Ｔｄを測定し、その結果を表１に示した。
【００８４】
【化１４】
【００８５】実施例５ 図４（ニ）を参照して本実施例を説明する。ガラス板８
にＩＴＯを蒸着して成る透明電極９ａ上に以下のように
して光導電層６ａを形成した。まず例示化合物（Ｇ74）
10gを1,2-ジクロロエタン100mlに混合し、サンドグライ
ンダーで30分間分散処理し、これをポリカーボネート
「パンライトＬ−1250」10gと、実施例４のＰ型ＣＴＭ
0.1gを溶解した液と混合して塗布液を得た。この塗布液
を前記透明電極９ａ上に乾燥膜厚が0.6μmとなるよう塗
布加工して前記光導電層６ａを得た。次いで該光導電層
６ａ上に下記のようにしてＮ型ＣＴＭを含むＣＴＬ11ｂ
を形成した。
にＩＴＯを蒸着して成る透明電極９ａ上に以下のように
して光導電層６ａを形成した。まず例示化合物（Ｇ74）
10gを1,2-ジクロロエタン100mlに混合し、サンドグライ
ンダーで30分間分散処理し、これをポリカーボネート
「パンライトＬ−1250」10gと、実施例４のＰ型ＣＴＭ
0.1gを溶解した液と混合して塗布液を得た。この塗布液
を前記透明電極９ａ上に乾燥膜厚が0.6μmとなるよう塗
布加工して前記光導電層６ａを得た。次いで該光導電層
６ａ上に下記のようにしてＮ型ＣＴＭを含むＣＴＬ11ｂ
を形成した。
【００８６】まずポリカーボネート樹脂「ユーピロンＺ
−200」100gと下記Ｎ型ＣＴＭ100gをモノクロルベンゼ
ン1000ml中に溶解して得た塗布液を、前記光導電層６ａ
上に乾燥膜厚が0.7μmとなるよう塗布加工してＣＴＬ11
ｂを形成した。
−200」100gと下記Ｎ型ＣＴＭ100gをモノクロルベンゼ
ン1000ml中に溶解して得た塗布液を、前記光導電層６ａ
上に乾燥膜厚が0.7μmとなるよう塗布加工してＣＴＬ11
ｂを形成した。
【００８７】次いで、該ＣＴＬ11ｂ上にアルミニウムを
全面蒸着して対向電極５ｂを形成して本実施例の素子を
得、該素子に透明電極９ａに対して、対向電極５ｂに正
の電圧を印加し、実施例１と同様にして光電流、暗電
流、立上り時間Ｔｒ、立下り電流Ｔｄを測定し、その結
果を表１に示した。
全面蒸着して対向電極５ｂを形成して本実施例の素子を
得、該素子に透明電極９ａに対して、対向電極５ｂに正
の電圧を印加し、実施例１と同様にして光電流、暗電
流、立上り時間Ｔｒ、立下り電流Ｔｄを測定し、その結
果を表１に示した。
【００８８】
【化１５】
【００８９】実施例６ 図４（ホ）を参照して本実施例を説明する。ガラス板８
にＩＴＯを蒸着して成る透明電極９ａ上に以下のように
してＰ型ＣＴＭを含むＣＴＬ11ａを形成した。
にＩＴＯを蒸着して成る透明電極９ａ上に以下のように
してＰ型ＣＴＭを含むＣＴＬ11ａを形成した。
【００９０】まずアクリル樹脂「ダイヤナールＢＲ−8
0」（三菱レイヨン社製）100gと下記Ｐ型ＣＴＭ100gを
モノクロルベンゼン1000ml中に溶解して得た塗布液を、
前記透明電流９ａ上に乾燥膜厚が0.7μmとなるよう塗布
加工してＣＴＬ11ａを形成した。
0」（三菱レイヨン社製）100gと下記Ｐ型ＣＴＭ100gを
モノクロルベンゼン1000ml中に溶解して得た塗布液を、
前記透明電流９ａ上に乾燥膜厚が0.7μmとなるよう塗布
加工してＣＴＬ11ａを形成した。
【００９１】次いで該ＣＴＬ11ａ上に下記のようにして
光導電層６を形成した。まず例示化合物（Ｇ62）10gを
1,2-ジクロロエタン100mlに混合し、サンドグラインダ
ーで30分間分散処理し、これを線状ポリエステル「バイ
ロン200」（東洋紡社製）10gを1,2-ジクロロエタン200m
lに溶解した液と混合して塗布液を得た。この塗布液を
前記ＣＴＬ11ａ上に乾燥膜厚が0.5μmとなるよう塗布加
工して、前記光導電層６を得た。次いで該光導電層６上
に以下のようにしてホール注入阻止層７ａを形成した。
共重合ナイロン「ダイアミドＴ171」２g及び下記Ｎ型Ｃ
ＴＭ0.1gを１００ｍｌのｎ−プロパノールに溶解し、得
られた溶液を前記光導電層６上に乾燥膜厚が0.5μmとな
るよう塗布してホール注入阻止層７ａを形成した。
光導電層６を形成した。まず例示化合物（Ｇ62）10gを
1,2-ジクロロエタン100mlに混合し、サンドグラインダ
ーで30分間分散処理し、これを線状ポリエステル「バイ
ロン200」（東洋紡社製）10gを1,2-ジクロロエタン200m
lに溶解した液と混合して塗布液を得た。この塗布液を
前記ＣＴＬ11ａ上に乾燥膜厚が0.5μmとなるよう塗布加
工して、前記光導電層６を得た。次いで該光導電層６上
に以下のようにしてホール注入阻止層７ａを形成した。
共重合ナイロン「ダイアミドＴ171」２g及び下記Ｎ型Ｃ
ＴＭ0.1gを１００ｍｌのｎ−プロパノールに溶解し、得
られた溶液を前記光導電層６上に乾燥膜厚が0.5μmとな
るよう塗布してホール注入阻止層７ａを形成した。
【００９２】次いで該ホール注入阻止層７ａの全面に金
蒸着を行い、対向電極５ａを形成して本実施例の素子を
得、透明電極９ａに対して対向電極５ａに正の電圧を印
加した他は実施例１と同様にして光電流、暗電流、立上
り時間Ｔｒ、立下り時間Ｔｄを測定し、その結果を表１
に示した。
蒸着を行い、対向電極５ａを形成して本実施例の素子を
得、透明電極９ａに対して対向電極５ａに正の電圧を印
加した他は実施例１と同様にして光電流、暗電流、立上
り時間Ｔｒ、立下り時間Ｔｄを測定し、その結果を表１
に示した。
【００９３】
【化１６】
【００９４】実施例７ 図４（ヘ）を参照して本実施例を説明する。ガラス板８
にアルミニウムを蒸着して成る透明電極９ｂ上に以下の
ようにしてＮ型ＣＴＭを含むＣＴＬ11ｂを形成した。ま
ずアクリル樹脂「ダイヤナールＢＲ−80」100gと実施例
６のＮ型ＣＴＭ100gをモノクロルベンゼン1000ml中に溶
解して得た塗布液を、前記透明電極９ｂ上に乾燥膜厚が
0.7μmとなるよう塗布加工してＣＴＬ11ｂを形成した。
にアルミニウムを蒸着して成る透明電極９ｂ上に以下の
ようにしてＮ型ＣＴＭを含むＣＴＬ11ｂを形成した。ま
ずアクリル樹脂「ダイヤナールＢＲ−80」100gと実施例
６のＮ型ＣＴＭ100gをモノクロルベンゼン1000ml中に溶
解して得た塗布液を、前記透明電極９ｂ上に乾燥膜厚が
0.7μmとなるよう塗布加工してＣＴＬ11ｂを形成した。
【００９５】次いで該ＣＴＬ11ｂ上に下記のようにして
光導電層６を形成した。まず例示化合物（Ｇ46とＧ50の
重量比にしの混合物）10gを1,2-ジクロロエタン100mlに
混合し、サンドグラインダーで30分間分散処理し、これ
を線状ポリエステル「バイロン200」10gを1,2-ジクロロ
エタン200mlに溶解した液と混合して塗布液を得た。こ
の塗布液を前記ＣＴＬ11ｂ上に乾燥膜厚が0.4μmとなる
よう塗布加工して、前記光導電層６を得た。次いで該光
導電層６上に以下のようにしてエレクトロン注入阻止層
７ｂを形成した。エチレン系共重合樹脂「エルバックス
4260」（デュポン社製）２gを100mlのトルエンに溶解
し、得られた溶液を前記光導電層６上に乾燥膜厚が0.4
μmとなるよう塗布加工してエレクトロン注入阻止層７
ｂを形成した。
光導電層６を形成した。まず例示化合物（Ｇ46とＧ50の
重量比にしの混合物）10gを1,2-ジクロロエタン100mlに
混合し、サンドグラインダーで30分間分散処理し、これ
を線状ポリエステル「バイロン200」10gを1,2-ジクロロ
エタン200mlに溶解した液と混合して塗布液を得た。こ
の塗布液を前記ＣＴＬ11ｂ上に乾燥膜厚が0.4μmとなる
よう塗布加工して、前記光導電層６を得た。次いで該光
導電層６上に以下のようにしてエレクトロン注入阻止層
７ｂを形成した。エチレン系共重合樹脂「エルバックス
4260」（デュポン社製）２gを100mlのトルエンに溶解
し、得られた溶液を前記光導電層６上に乾燥膜厚が0.4
μmとなるよう塗布加工してエレクトロン注入阻止層７
ｂを形成した。
【００９６】次いで該エレクトロン注入阻止層７ｂの全
面にアルミニウム蒸着を行い、対向電極５ｂを形成して
本実施例の素子を得、実施例１と同様にして光電流、暗
電流、立上り時間Ｔｒ、立下り時間Ｔｄを測定し、その
結果を表１に示した。
面にアルミニウム蒸着を行い、対向電極５ｂを形成して
本実施例の素子を得、実施例１と同様にして光電流、暗
電流、立上り時間Ｔｒ、立下り時間Ｔｄを測定し、その
結果を表１に示した。
【００９７】なお、前記実施例１〜実施例７の各素子は
それぞれ100回に亘り連続繰り返し測定を行ったが表１
の特性は殆ど変化がなかった。
それぞれ100回に亘り連続繰り返し測定を行ったが表１
の特性は殆ど変化がなかった。
【００９８】比較例１ 実施例２の一般式（１）または（２）で表わされる化合
物である例示化合物（Ｇ−２）に代えて、オキシチタニ
ウムフタロシアニン顔料を用いた他は実施例２と同様に
して、比較用の画像読み取り素子を得、該素子を用いて
実施例１と同様の方法で光電流、暗電流、立上り時間Ｔ
ｒ、立下り電流Ｔｄを測定し、その結果を表１に示し
た。なお、前記比較用素子の特性を100回に亘り連続繰
り返し測定を行った結果、約20％の特性劣化が認められ
た。
物である例示化合物（Ｇ−２）に代えて、オキシチタニ
ウムフタロシアニン顔料を用いた他は実施例２と同様に
して、比較用の画像読み取り素子を得、該素子を用いて
実施例１と同様の方法で光電流、暗電流、立上り時間Ｔ
ｒ、立下り電流Ｔｄを測定し、その結果を表１に示し
た。なお、前記比較用素子の特性を100回に亘り連続繰
り返し測定を行った結果、約20％の特性劣化が認められ
た。
【００９９】
【表１】
【０１００】表１より実施例の各素子は、比較例に比し
ていづれも光電流、暗電流、立上り時間Ｔｒ、立下り時
間Ｔｄ特性及び耐久性に優れていることがわかる。
ていづれも光電流、暗電流、立上り時間Ｔｒ、立下り時
間Ｔｄ特性及び耐久性に優れていることがわかる。
【０１０１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明の
画像読み取り素子によれば、光電流が大で暗電流が少な
くかつ光照射時の立上り、立下りは速く、前記画像読み
取り素子を用いることにより高感度、高耐久性で高性能
のイメージセンサーが得られる等の効果が奏されてい
る。
画像読み取り素子によれば、光電流が大で暗電流が少な
くかつ光照射時の立上り、立下りは速く、前記画像読み
取り素子を用いることにより高感度、高耐久性で高性能
のイメージセンサーが得られる等の効果が奏されてい
る。
【図１】蒸着型ラインセンサーの断面図。
【図２】信号読み出し、経路を示すブロック図。
【図３】素子の層構成を表す断面図。
【図４】素子の層構成を表す断面図。
【図５】素子評価用テスト光の経時的変化を表す図。
【符号の説明】 １ 画像読み取り素子 ２ ロッドレンズアレイ ３ 光源 ４ 原稿 ５ａ，５ｂ 対向電極 ６ 光導電層 ６ａ Ｐ型ＣＴＭを含む光導電層 ６ｂ Ｎ型ＣＴＭを含む光導電層 ７ａ ホール注入阻止層 ７ｂ エレクトロン注入阻止層 ８ ガラス板 ９ａ，９ｂ 透明電極 11ａ Ｐ型ＣＴＭを含むＣＴＬ 11ｂ Ｎ型ＣＴＭを含むＣＴＬ 12ａ，12ｂ 直流電源 13 出力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/146 31/0344 Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｚ 8721−5Ｃ 5/335 Ｕ
Claims (17)
- 【請求項１】 光照射される透明電極と、対向電極と、
これらの電極間に設けられた光導電層とを有する画像読
み取り素子において、前記光導電層に一般式（１）また
は（２）で表わされる含窒素複素環式化合物からなる光
導電性物質を含有することを特徴とする画像読み取り素
子。 【化１】 〔式中、Ａ，Ａ′，Ｂは置換若しくは無置換の芳香環を
形成するに必要な原子群を表わす。〕 - 【請求項２】 透明電極上に、前記一般式（１）または
（２）で表わされる化合物からなる光導電性物質を含有
する光導電層と、対向電極とをこの順に積層してなり、
前記透明電極に対して前記対向電極に負の電圧を印加し
て使用することを特徴とする画像読み取り素子。 - 【請求項３】 透明電極上に、前記一般式（１）または
（２）で表わされる化合物からなる光導電性物質及びＰ
型又はＮ型電荷輸送物質を含有する光導電層と、対向電
極とをこの順に積層してなり、前記透明電極に対して前
記対向電極に負の電圧を印加して使用することを特徴と
する請求項２記載の画像読み取り素子。 - 【請求項４】 透明電極上に、前記一般式（１）または
（２）で表わされる化合物からなる光導電性物質及びＮ
型又はＰ型電荷輸送物質を含有する光導電層と、対向電
極とをこの順に積層してなり、前記透明電極に対して前
記対向電極に正の電圧を印加して使用することを特徴と
する請求項２記載の画像読み取り素子。 - 【請求項５】 透明電極上に、前記一般式（１）または
（２）で表わされる化合物からなる光導電性物質を含有
する光導電層と、対向電極とをこの順に積層してなり、
前記透明電極に対して前記対向電極に正の電圧を印加し
て使用することを特徴とする画像読み取り素子。 - 【請求項６】 透明電極上に、前記一般式（１）または
（２）で表わされる化合物からなる光導電性物質を含有
する光導電層と、Ｐ型電荷輸送物質を含有する電荷輸送
層と、対向電極とをこの順に積層してなり、前記透明電
極に対して前記対向電極に負の電圧を印加して使用する
ことを特徴とする画像読み取り素子。 - 【請求項７】 透明電極上に、前記一般式（１）または
（２）で表わされる化合物からなる光導電性物質を含有
する光導電層と、Ｎ型電荷輸送物質を含有する電荷輸送
層と、対向電極とをこの順に積層してなり、前記透明電
極に対して前記対向電極に正の電圧を印加して使用する
ことを特徴とする画像読み取り素子。 - 【請求項８】 透明電極上に、Ｐ型電荷輸送物質を含有
する電荷輸送層と、前記一般式（１）または（２）で表
わされる化合物からなる光導電性物質を含有する光導電
層と、対向電極とをこの順に積層してなり、前記透明電
極に対して前記対向電極に正の電圧を印加して使用する
ことを特徴とする画像読み取り素子。 - 【請求項９】 透明電極上に、Ｎ型電荷輸送物質を含有
する電荷輸送層と、前記一般式（１）または（２）で表
わされる化合物からなる光導電性物質を含有する光導電
層と、対向電極とをこの順に積層してなり、前記透明電
極に対して前記対向電極に負の電圧を印加して使用する
ことを特徴とする画像読み取り素子。 - 【請求項１０】 透明電極上に、ホール注入阻止層と、
前記一般式（１）または（２）で表わされる化合物から
なる光導電性物質を含有する光導電層と、対向電極とを
この順に積層してなり、前記透明電極に対して前記対向
電極に負の電圧を印加して使用することを特徴とする請
求項２記載の画像読み取り素子。 - 【請求項１１】 透明電極上に、ホール注入阻止層と、
前記一般式（１）または（２）で表わされる化合物から
なる光導電性物質及びＰ型電荷輸送物質を含有する光導
電層と、対向電極とをこの順に積層してなり、前記透明
電極に対して前記対向電極に負の電圧を印加して使用す
ることを特徴とする請求項10記載の画像読み取り素子。 - 【請求項１２】 透明電極上に、エレクトロン注入阻止
層と、前記一般式（１）または（２）で表わされる化合
物からなる光導電性物質及びＮ型電荷輸送物質を含有す
る光導電層と、対向電極とをこの順に積層してなり、前
記透明電極に対して前記対向電極に正の電圧を印加して
使用することを特徴とする請求項11記載の画像読み取り
素子。 - 【請求項１３】 透明電極上に、エレクトロン注入阻止
層と、前記一般式（１）または（２）で表わされる化合
物からなる光導電性物質を含有する光導電層と、対向電
極とをこの順に積層してなり、前記透明電極に対して前
記対向電極に正の電圧を印加して使用することを特徴と
する請求項３記載の画像読み取り素子。 - 【請求項１４】 透明電極上に、ホール注入阻止層と、
前記一般式（１）または（２）で表わされる化合物から
なる光導電性物質を含有する光導電層と、Ｐ型電荷輸送
物質を含有する電荷輸送層と、対向電極とをこの順に積
層してなり、前記透明電極に対して前記対向電極に負の
電圧を印加して使用することを特徴とする請求項４記載
の画像読み取り素子。 - 【請求項１５】 透明電極上に、エレクトロン注入阻止
層と、前記一般式（１）または（２）で表わされる化合
物からなる光導電性物質を含有する光導電層と、Ｎ型電
荷輸送物質を含有する電荷輸送層と、対向電極とをこの
順に積層してなり、前記透明電極に対して前記対向電極
に正の電圧を印加して使用することを特徴とする請求項
５記載の画像読み取り素子。 - 【請求項１６】 透明電極上に、Ｐ型電荷輸送物質を含
有する電荷輸送層と、前記一般式（１）または（２）で
表わされる化合物からなる光導電性物質を含有する光導
電層と、ホール注入阻止層と、対向電極とをこの順に積
層してなり、前記透明電極に対して前記対向電極に正の
電圧を印加して使用することを特徴とする請求項６記載
の画像読み取り素子。 - 【請求項１７】 透明電極上に、Ｎ型電荷輸送物質を含
有する電荷輸送層と、前記一般式（１）または（２）で
表わされる化合物からなる光導電性物質を含有する光導
電層と、エレクトロン注入阻止層と、対向電極とをこの
順に積層してなり、前記透明電極に対して前記対向電極
に負の電圧を印加して使用することを特徴とする請求項
７記載の画像読み取り素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5124277A JPH06332200A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 画像読み取り素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5124277A JPH06332200A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 画像読み取り素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06332200A true JPH06332200A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14881361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5124277A Pending JPH06332200A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 画像読み取り素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06332200A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081137A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
| JP2007164186A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Xerox Corp | 光導電性部材 |
-
1993
- 1993-05-26 JP JP5124277A patent/JPH06332200A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081137A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
| US7952156B2 (en) | 2005-09-14 | 2011-05-31 | Fujifilm Corporation | Photoelectric conversion device and solid-state imaging device |
| US8436441B2 (en) | 2005-09-14 | 2013-05-07 | Fujifilm Corporation | Photoelectric conversion device and solid-state imaging device |
| JP2007164186A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Xerox Corp | 光導電性部材 |
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