JPH0633246A - 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 - Google Patents
堆積膜形成方法および堆積膜形成装置Info
- Publication number
- JPH0633246A JPH0633246A JP4194069A JP19406992A JPH0633246A JP H0633246 A JPH0633246 A JP H0633246A JP 4194069 A JP4194069 A JP 4194069A JP 19406992 A JP19406992 A JP 19406992A JP H0633246 A JPH0633246 A JP H0633246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- reaction vessel
- deposited film
- substrate
- introducing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/3222—Antennas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32229—Waveguides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜厚および膜特性とがいずれも均一であり各
種の電子素子、光学素子になどの素子部材として使用さ
れる機能性堆積膜を、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
って、大面積の基体上に安定して歩留りよく高堆積速度
で形成することのできるようにする。 【構成】 マイクロ波導入手段である一対の対向する誘
電体窓１０２と複数の基体１０５とで囲まれる空間を放
電空間１０６とするとき、この放電空間１０６と直接接
しない位置に、第３のマイクロ波導入手段であるマイク
ロ波アンテナ１１１を設ける。
種の電子素子、光学素子になどの素子部材として使用さ
れる機能性堆積膜を、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
って、大面積の基体上に安定して歩留りよく高堆積速度
で形成することのできるようにする。 【構成】 マイクロ波導入手段である一対の対向する誘
電体窓１０２と複数の基体１０５とで囲まれる空間を放
電空間１０６とするとき、この放電空間１０６と直接接
しない位置に、第３のマイクロ波導入手段であるマイク
ロ波アンテナ１１１を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波プラズマＣ
ＶＤ法による堆積膜形成方法および堆積膜形成装置に関
する。
ＶＤ法による堆積膜形成方法および堆積膜形成装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ法とは、特定の物質をプ
ラズマ状態にして活性の強いラジカルとし、このラジカ
ルを基体上に接触させてこの基体上に堆積膜を形成する
方法をいう。プラズマＣＶＤ法はラジカルの強い活性に
依拠するものであり、ラジカルの密度や堆積膜の形成さ
れる基体の温度を適宜選択することにより、所望の堆積
膜の形成が行なえる。プラズマＣＶＤ法において重要な
ことは、ラジカルの効率的発生である。
ラズマ状態にして活性の強いラジカルとし、このラジカ
ルを基体上に接触させてこの基体上に堆積膜を形成する
方法をいう。プラズマＣＶＤ法はラジカルの強い活性に
依拠するものであり、ラジカルの密度や堆積膜の形成さ
れる基体の温度を適宜選択することにより、所望の堆積
膜の形成が行なえる。プラズマＣＶＤ法において重要な
ことは、ラジカルの効率的発生である。
【０００３】堆積膜形成用の原料ガスをプラズマにする
ためにグロー放電が使用され、グロー放電を生起するた
めに１３.５６ＭＨｚ程度の高周波が従来使用されてい
る。近年、２.４５ＧＨｚ程度のマイクロ波を用いるこ
とにより、高密度プラズマを効率よく生成することがで
き、しがたってラジカルを効率的に生成でき、同時に基
体の加熱も可能であることが判明し、マイクロ波を用い
たプラズマＣＶＤ法が注目されている。そしてこのマイ
クロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成方法や堆積膜
形成装置がいくつか提案されている。
ためにグロー放電が使用され、グロー放電を生起するた
めに１３.５６ＭＨｚ程度の高周波が従来使用されてい
る。近年、２.４５ＧＨｚ程度のマイクロ波を用いるこ
とにより、高密度プラズマを効率よく生成することがで
き、しがたってラジカルを効率的に生成でき、同時に基
体の加熱も可能であることが判明し、マイクロ波を用い
たプラズマＣＶＤ法が注目されている。そしてこのマイ
クロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成方法や堆積膜
形成装置がいくつか提案されている。
【０００４】例えば、半導体デバイス、電子写真感光
体、画像入力用センサ、撮像デバイス、光起電力素子、
その他の各種電子素子、光学素子などに用いる素子部材
としてのアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」と記
す。）や多結晶シリコン（以下「ｐ−Ｓｉ」と記
す。）、あるいはＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶縁性堆積膜
をマイクロ波プラズマＣＶＤ法によって成膜する方法や
装置が各種提案されている。こうしたマイクロ波プラズ
マＣＶＤ法による堆積膜形成装置の一例が、特開昭60-1
86849号公報に記載されている。この堆積膜形成装置
は、マイクロ波エネルギー導入部を取り囲むように基体
を配置して内部チャンバー（すなわち放電空間）を形成
し、原料ガス使用効率を高めようとするものである。
体、画像入力用センサ、撮像デバイス、光起電力素子、
その他の各種電子素子、光学素子などに用いる素子部材
としてのアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」と記
す。）や多結晶シリコン（以下「ｐ−Ｓｉ」と記
す。）、あるいはＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶縁性堆積膜
をマイクロ波プラズマＣＶＤ法によって成膜する方法や
装置が各種提案されている。こうしたマイクロ波プラズ
マＣＶＤ法による堆積膜形成装置の一例が、特開昭60-1
86849号公報に記載されている。この堆積膜形成装置
は、マイクロ波エネルギー導入部を取り囲むように基体
を配置して内部チャンバー（すなわち放電空間）を形成
し、原料ガス使用効率を高めようとするものである。
【０００５】このような従来のマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ法による堆積膜形成装置の構成が図４および図５に示
されている。この堆積膜形成装置は、円筒形の電子写真
感光体を製造するためのものである。図４はこの従来の
装置の模式的縦断面図であり、図５は図４のＸ−Ｘ線で
の模式的横断面図である。
Ｄ法による堆積膜形成装置の構成が図４および図５に示
されている。この堆積膜形成装置は、円筒形の電子写真
感光体を製造するためのものである。図４はこの従来の
装置の模式的縦断面図であり、図５は図４のＸ−Ｘ線で
の模式的横断面図である。
【０００６】真空気密可能な反応容器２０１は、ほぼ円
筒形の容器であって、側壁には他端が真空ポンプ（不図
示）に連通する排気管２０４が一体的に形成されてい
る。反応容器２０１の上面と下面のほぼ中心部には、そ
れぞれ導波管２０３が取り付けられ、各導波管２０３の
他端は、スタブチューナ（不図示）やアイソレータ（不
図示）を介して図示しないマイクロ波電源に接続されて
いる。各導波管２０３の反応容器２０１側の端部には、
マイクロ波導入用の誘電体窓２０２がそれぞれ気密封止
されている。誘電体窓２０２は、導波管２０３からのマ
イクロ波を反応容器２０１内に効率よく透過でき、かつ
反応容器２０１内を真空気密にし得るような材料、例え
ば石英ガラスやアルミナセラミックスで構成されてい
る。反応容器２０１の中心部を取り囲むように、堆積膜
の形成される複数の円筒状の基体２０５が互いに平行に
なるよう配置されている。各基体２０５は、反応容器２
０１の下面から延びる回転軸２０８によって保持され、
同じく反応容器２０１の下面から基体２０５の内部に挿
入されるように延びるヒータ２０７によって加熱される
ようになっている。回転軸２０８は、反応容器２０１の
真空を破ることなく回転自在のものであり、回転軸２０
８の他端は減速ギア２１０を介して駆動用のモータ２０
９に接続されている。したがって、モータ２０９を駆動
すると、基体２０５がその長手方向（母線方向）の中心
軸の回りを自転することになる。
筒形の容器であって、側壁には他端が真空ポンプ（不図
示）に連通する排気管２０４が一体的に形成されてい
る。反応容器２０１の上面と下面のほぼ中心部には、そ
れぞれ導波管２０３が取り付けられ、各導波管２０３の
他端は、スタブチューナ（不図示）やアイソレータ（不
図示）を介して図示しないマイクロ波電源に接続されて
いる。各導波管２０３の反応容器２０１側の端部には、
マイクロ波導入用の誘電体窓２０２がそれぞれ気密封止
されている。誘電体窓２０２は、導波管２０３からのマ
イクロ波を反応容器２０１内に効率よく透過でき、かつ
反応容器２０１内を真空気密にし得るような材料、例え
ば石英ガラスやアルミナセラミックスで構成されてい
る。反応容器２０１の中心部を取り囲むように、堆積膜
の形成される複数の円筒状の基体２０５が互いに平行に
なるよう配置されている。各基体２０５は、反応容器２
０１の下面から延びる回転軸２０８によって保持され、
同じく反応容器２０１の下面から基体２０５の内部に挿
入されるように延びるヒータ２０７によって加熱される
ようになっている。回転軸２０８は、反応容器２０１の
真空を破ることなく回転自在のものであり、回転軸２０
８の他端は減速ギア２１０を介して駆動用のモータ２０
９に接続されている。したがって、モータ２０９を駆動
すると、基体２０５がその長手方向（母線方向）の中心
軸の回りを自転することになる。
【０００７】反応容器２０１内において、円筒状の各基
体２０５と各誘電体窓２０２で囲まれた部分が放電空間
２０６であり、この放電空間２０６は両端が各誘電体窓
２０２で画定される柱状の空間である。
体２０５と各誘電体窓２０２で囲まれた部分が放電空間
２０６であり、この放電空間２０６は両端が各誘電体窓
２０２で画定される柱状の空間である。
【０００８】この装置を用いる従来の堆積膜形成方法に
よる堆積膜形成は、以下のようにして行なわれる。ま
ず、真空ポンプ（不図示）により排気管２０４を介して
反応容器２０１内を排気し、この反応容器２０１内の圧
力を１×１０-6Torr以下とする。次いで、各ヒータ２０
７により全ての基体２０５を膜堆積に好適な温度に加熱
保持する。そして図示しない原料ガス導入管を介して、
例えばａ−Ｓｉ膜を形成する場合であれば、シラン（Ｓ
ｉＨ4）ガスや水素ガスなどの原料ガスを反応容器２０
１内に導入する。これと同時平行的にマイクロ波電源
（不図示）により周波数５００ＭＨｚ以上の、好ましく
は２.４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、このマイク
ロ波を導波管２０３そして各誘電体窓２０２を介して反
応容器２０１内に導入する。その結果、放電空間２０６
においてグロー放電が生起し、原料ガスはマイクロ波の
エネルギーにより励起解離し、円筒状の各基体２０５の
表面上に堆積膜が形成される。このときモータ２０９を
駆動して基体２０５を自転させることにより、基体２０
５の外周面の全面に堆積膜を形成することができる。
よる堆積膜形成は、以下のようにして行なわれる。ま
ず、真空ポンプ（不図示）により排気管２０４を介して
反応容器２０１内を排気し、この反応容器２０１内の圧
力を１×１０-6Torr以下とする。次いで、各ヒータ２０
７により全ての基体２０５を膜堆積に好適な温度に加熱
保持する。そして図示しない原料ガス導入管を介して、
例えばａ−Ｓｉ膜を形成する場合であれば、シラン（Ｓ
ｉＨ4）ガスや水素ガスなどの原料ガスを反応容器２０
１内に導入する。これと同時平行的にマイクロ波電源
（不図示）により周波数５００ＭＨｚ以上の、好ましく
は２.４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、このマイク
ロ波を導波管２０３そして各誘電体窓２０２を介して反
応容器２０１内に導入する。その結果、放電空間２０６
においてグロー放電が生起し、原料ガスはマイクロ波の
エネルギーにより励起解離し、円筒状の各基体２０５の
表面上に堆積膜が形成される。このときモータ２０９を
駆動して基体２０５を自転させることにより、基体２０
５の外周面の全面に堆積膜を形成することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
堆積膜形成装置を用いて堆積膜を形成した場合、成膜時
に反応容器の内圧が５mTorr以下の場合には、例えば電
子写真感光体のように比較的大面積の堆積膜であって
も、速い堆積速度で実用的な膜厚と膜特性の均一性を備
えた堆積膜を形成することが可能である。しかしながら
上述の装置では、放電空間をはさんで対向する一対のマ
イクロ波導入用の誘電体窓しか設けられていないため、
成膜時の内圧が５mTorrを越えた場合、生起するプラズ
マの強度は誘電体窓から離れるに従って減衰し、その結
果、以下のような問題点が生じることになる。
堆積膜形成装置を用いて堆積膜を形成した場合、成膜時
に反応容器の内圧が５mTorr以下の場合には、例えば電
子写真感光体のように比較的大面積の堆積膜であって
も、速い堆積速度で実用的な膜厚と膜特性の均一性を備
えた堆積膜を形成することが可能である。しかしながら
上述の装置では、放電空間をはさんで対向する一対のマ
イクロ波導入用の誘電体窓しか設けられていないため、
成膜時の内圧が５mTorrを越えた場合、生起するプラズ
マの強度は誘電体窓から離れるに従って減衰し、その結
果、以下のような問題点が生じることになる。
【００１０】すなわち、一対の誘電体窓間の放電空間に
おいてプラズマの強度が不均一になるので、プラズマ
内で生成し膜堆積に寄与するラジカルの濃度が不均一と
なって、基体上に堆積する膜の厚さが不均一になり、
発生するラジカルの種類の分布が不均一になって堆積膜
の膜質分布が不均一になり、プラズマによる基体の加
熱が不均一となるので堆積膜の膜質分布が不均一にな
り、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）やホスフィン（ＰＨ3）とい
ったドーピングガスの分解の度合が空間的に不均一にな
るため堆積膜の電気的特性が不均一になる、といった諸
問題が生じることになる。
おいてプラズマの強度が不均一になるので、プラズマ
内で生成し膜堆積に寄与するラジカルの濃度が不均一と
なって、基体上に堆積する膜の厚さが不均一になり、
発生するラジカルの種類の分布が不均一になって堆積膜
の膜質分布が不均一になり、プラズマによる基体の加
熱が不均一となるので堆積膜の膜質分布が不均一にな
り、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）やホスフィン（ＰＨ3）とい
ったドーピングガスの分解の度合が空間的に不均一にな
るため堆積膜の電気的特性が不均一になる、といった諸
問題が生じることになる。
【００１１】本発明の目的は、膜厚および膜特性とがい
ずれも均一であり各種の電子素子、光学素子になどの素
子部材として使用される機能性堆積膜を、マイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法によって、大面積の基体上に安定して歩
留りよく高堆積速度で形成することのできる堆積膜形成
方法および堆積膜形成装置を提供することにある。
ずれも均一であり各種の電子素子、光学素子になどの素
子部材として使用される機能性堆積膜を、マイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法によって、大面積の基体上に安定して歩
留りよく高堆積速度で形成することのできる堆積膜形成
方法および堆積膜形成装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の堆積膜形成方法
は、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって基体上に堆積
膜を形成する堆積膜形成方法において、減圧にし得る反
応容器内に前記基体を保持し、前記反応容器内に原料ガ
スを導入しながら、前記反応容器に取り付けられ前記反
応容器内にマイクロ波エネルギーを導入するための少な
くとも３つのマイクロ波導入手段から前記反応容器内に
マイクロ波エネルギーを導入し、前記マイクロ波エネル
ギーによって前記反応容器内にプラズマを生成して前記
基体表面に堆積膜を形成する。
は、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって基体上に堆積
膜を形成する堆積膜形成方法において、減圧にし得る反
応容器内に前記基体を保持し、前記反応容器内に原料ガ
スを導入しながら、前記反応容器に取り付けられ前記反
応容器内にマイクロ波エネルギーを導入するための少な
くとも３つのマイクロ波導入手段から前記反応容器内に
マイクロ波エネルギーを導入し、前記マイクロ波エネル
ギーによって前記反応容器内にプラズマを生成して前記
基体表面に堆積膜を形成する。
【００１３】本発明の堆積膜形成装置は、減圧にし得る
反応容器と、前記反応容器内に原料ガスを導入する原料
ガス導入手段と、前記反応容器内を排気する排気手段
と、前記反応容器に取り付けられ前記反応容器内にマイ
クロ波エネルギーを導入するマイクロ波導入手段とを有
し、前記反応容器内に保持された基体上にマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成する堆積膜形成装
置において、前記マイクロ波導入手段を３個以上備えて
いる。
反応容器と、前記反応容器内に原料ガスを導入する原料
ガス導入手段と、前記反応容器内を排気する排気手段
と、前記反応容器に取り付けられ前記反応容器内にマイ
クロ波エネルギーを導入するマイクロ波導入手段とを有
し、前記反応容器内に保持された基体上にマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成する堆積膜形成装
置において、前記マイクロ波導入手段を３個以上備えて
いる。
【００１４】
【作用】本発明は、上記目的を達成すべく本発明者らが
鋭意研究を重ねた結果、完成するに至ったものである。
鋭意研究を重ねた結果、完成するに至ったものである。
【００１５】マイクロ波プラズマＣＶＤ法において、電
子写真用感光ドラムのように大面積の基体上に高速度で
堆積膜を形成する場合、実用的な膜特性をもちかつ膜特
性と膜厚とが均一であるように形成することが極めて重
要である。本発明者らが本発明の完成に先だって行った
検討によれば、上述したような従来の堆積膜形成装置を
用いた場合には、実用的な膜特性と膜特性および膜厚の
均一性とをもつ堆積膜を大面積の基体上に形成すること
が極めて困難であることが判明した。すなわち、堆積膜
形成時の内圧が５mTorr以下の場合には、電子写真用感
光ドラムのような大面積の基体上でも、膜特性及び膜厚
が均一である堆積膜を形成することが可能であるが、最
適な膜特性を持った堆積膜を安定して得るのは困難であ
る。一方、堆積膜形成時の内圧が５mTorrを越える場合
には、最適な膜特性を持つ堆積膜を安定して得られる反
面、上述の「従来の技術」欄で述べたような理由によっ
て膜特性に無視できないような分布が生じる。さらに、
堆積膜形成時の内圧が３０mTorrを越えると、膜厚にお
いても無視できない分布が生じてくる。
子写真用感光ドラムのように大面積の基体上に高速度で
堆積膜を形成する場合、実用的な膜特性をもちかつ膜特
性と膜厚とが均一であるように形成することが極めて重
要である。本発明者らが本発明の完成に先だって行った
検討によれば、上述したような従来の堆積膜形成装置を
用いた場合には、実用的な膜特性と膜特性および膜厚の
均一性とをもつ堆積膜を大面積の基体上に形成すること
が極めて困難であることが判明した。すなわち、堆積膜
形成時の内圧が５mTorr以下の場合には、電子写真用感
光ドラムのような大面積の基体上でも、膜特性及び膜厚
が均一である堆積膜を形成することが可能であるが、最
適な膜特性を持った堆積膜を安定して得るのは困難であ
る。一方、堆積膜形成時の内圧が５mTorrを越える場合
には、最適な膜特性を持つ堆積膜を安定して得られる反
面、上述の「従来の技術」欄で述べたような理由によっ
て膜特性に無視できないような分布が生じる。さらに、
堆積膜形成時の内圧が３０mTorrを越えると、膜厚にお
いても無視できない分布が生じてくる。
【００１６】本発明者は、鋭意検討を加えた結果、実用
的な膜特性が得られる条件すなわち堆積膜形成時の内圧
が５mTorrを越えるという条件で大面積の基体上に膜特
性及び膜厚の均一性をもった堆積膜を形成するために
は、従来の対向する２つのマイクロ波導入用誘電体窓に
加えてさらに別のマイクロ波導入手段を設け、合計少な
くも３つのマイクロ波導入手段からマイクロ波エネルギ
ーを導入し、マイクロ波エネルギーによって生成するプ
ラズマの強度や密度を均一化すればよいことが見い出し
た。例えば、基体を含む少なくとも１個の部材と前記２
つの対向する誘電体窓とによって囲まれる空間（放電空
間）にマイクロ波プラズマ放電を形成し、他の少なくと
も１つのマイクロ波導入手段としてマイクロ波立体回路
をこの放電空間に直接接しない位置に配置する。このよ
うにマイクロ波立体回路を配置することにより、本来基
体上に堆積するべき膜がこのマイクロ波立体回路上に堆
積することを最小限にとどめることができ、その結果、
基体への膜の堆積速度を下げることなく、またマイクロ
波立体回路に堆積した膜のはがれによるゴミの発生を最
小限にとどめながら、大面積の基体上に膜特性および膜
厚の均一性を持った膜の堆積を行うことが可能となる。
このとき、マイクロ波立体回路から導入されたマイクロ
波は、反応済みのガスを排出するために放電空間から基
体の背後側へと設けられたガスの流路を伝搬して、放電
空間内のプラズマにエネルギーを与えることになる。
的な膜特性が得られる条件すなわち堆積膜形成時の内圧
が５mTorrを越えるという条件で大面積の基体上に膜特
性及び膜厚の均一性をもった堆積膜を形成するために
は、従来の対向する２つのマイクロ波導入用誘電体窓に
加えてさらに別のマイクロ波導入手段を設け、合計少な
くも３つのマイクロ波導入手段からマイクロ波エネルギ
ーを導入し、マイクロ波エネルギーによって生成するプ
ラズマの強度や密度を均一化すればよいことが見い出し
た。例えば、基体を含む少なくとも１個の部材と前記２
つの対向する誘電体窓とによって囲まれる空間（放電空
間）にマイクロ波プラズマ放電を形成し、他の少なくと
も１つのマイクロ波導入手段としてマイクロ波立体回路
をこの放電空間に直接接しない位置に配置する。このよ
うにマイクロ波立体回路を配置することにより、本来基
体上に堆積するべき膜がこのマイクロ波立体回路上に堆
積することを最小限にとどめることができ、その結果、
基体への膜の堆積速度を下げることなく、またマイクロ
波立体回路に堆積した膜のはがれによるゴミの発生を最
小限にとどめながら、大面積の基体上に膜特性および膜
厚の均一性を持った膜の堆積を行うことが可能となる。
このとき、マイクロ波立体回路から導入されたマイクロ
波は、反応済みのガスを排出するために放電空間から基
体の背後側へと設けられたガスの流路を伝搬して、放電
空間内のプラズマにエネルギーを与えることになる。
【００１７】本発明において、このマイクロ波立体回路
としては、マイクロ波アンテナが好適である。具体的に
は、リジターノコイル、スロットアンテナなどの導波管
あるいは同軸線路を用いた漏れ波アンテナが好適であ
る。このマイクロ波アンテナからマイクロ波エネルギー
を放電空間に導入することにより、放電空間内の放電強
度の比較的弱い部分に効率的にマイクロ波エネルギーを
供給でき、したがって最小限のマイクロ波エネルギーで
放電強度の均一化を達成でき、大面積の基体上に膜特性
および膜厚の均一性を持った膜の堆積を行うことが達成
される。
としては、マイクロ波アンテナが好適である。具体的に
は、リジターノコイル、スロットアンテナなどの導波管
あるいは同軸線路を用いた漏れ波アンテナが好適であ
る。このマイクロ波アンテナからマイクロ波エネルギー
を放電空間に導入することにより、放電空間内の放電強
度の比較的弱い部分に効率的にマイクロ波エネルギーを
供給でき、したがって最小限のマイクロ波エネルギーで
放電強度の均一化を達成でき、大面積の基体上に膜特性
および膜厚の均一性を持った膜の堆積を行うことが達成
される。
【００１８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の一実施例の堆積膜形成装置
の構成を示す模式的縦断面図、図２は図１のＡ−Ａ線で
の模式的横断面図である。
て説明する。図１は本発明の一実施例の堆積膜形成装置
の構成を示す模式的縦断面図、図２は図１のＡ−Ａ線で
の模式的横断面図である。
【００１９】真空気密可能な反応容器１０１は、ほぼ円
筒形の容器であって、側壁１０１ｃには他端が真空ポン
プ（不図示）に連通する排気管１０４が一体的に形成さ
れ、減圧あるいは真空に排気できるようになっている。
反応容器１０１の円板状の上面１０１ａおよび下面１０
１ｂのほぼ中心部には、それぞれ円形の導波管１０３が
取り付けられている。各導波管１０３の他端は、整合用
のスタブチューナ（不図示）やアイソレータ（不図示）
を介して図示しないマイクロ波電源に接続されている。
各導波管１０３の反応容器１０１側の端部すなわち上面
１０１ａおよび下面１０１ｂに接続する部分には、マイ
クロ波導入用の誘電体窓１０２がそれぞれ気密封止され
ている。誘電体窓１０２は、導波管１０３からのマイク
ロ波を反応容器１０１内に効率よく透過でき、かつ反応
容器１０１の気密を破らないような材料、例えば石英ガ
ラスやアルミナセラミックスで構成されている。また、
この反応容器１０１には、反応容器１０１内に原料ガス
を供給するための原料ガス導入管（不図示）が取り付け
られている。原料ガス供給管の他端は、ボンベとマスフ
ローコントローラの組み合わせなどからなる図示しない
原料ガス供給源に接続されている。
筒形の容器であって、側壁１０１ｃには他端が真空ポン
プ（不図示）に連通する排気管１０４が一体的に形成さ
れ、減圧あるいは真空に排気できるようになっている。
反応容器１０１の円板状の上面１０１ａおよび下面１０
１ｂのほぼ中心部には、それぞれ円形の導波管１０３が
取り付けられている。各導波管１０３の他端は、整合用
のスタブチューナ（不図示）やアイソレータ（不図示）
を介して図示しないマイクロ波電源に接続されている。
各導波管１０３の反応容器１０１側の端部すなわち上面
１０１ａおよび下面１０１ｂに接続する部分には、マイ
クロ波導入用の誘電体窓１０２がそれぞれ気密封止され
ている。誘電体窓１０２は、導波管１０３からのマイク
ロ波を反応容器１０１内に効率よく透過でき、かつ反応
容器１０１の気密を破らないような材料、例えば石英ガ
ラスやアルミナセラミックスで構成されている。また、
この反応容器１０１には、反応容器１０１内に原料ガス
を供給するための原料ガス導入管（不図示）が取り付け
られている。原料ガス供給管の他端は、ボンベとマスフ
ローコントローラの組み合わせなどからなる図示しない
原料ガス供給源に接続されている。
【００２０】反応容器１０１の中心部を取り囲むよう
に、堆積膜の形成される複数本（この例では６本）の円
筒状の基体１０５が互いに平行になるよう配置されてい
る。基体１０５の長手方向（母線方向）の中心軸は、両
方の誘電体窓１０２を結ぶ直線と平行になっている。各
基体１０５は、反応容器１０１の下面１０１ｂから延び
る回転軸１０８によって、基体１０５の上端部分で保持
され、同じく下面１０１ｂから基体１０５の内部に挿入
されるように延びるヒータ１０７によって加熱されるよ
うになっている。回転軸１０８は、反応容器１０１の真
空を破ることなく回転自在のものであり、回転軸１０８
の他端は減速ギア１１０を介して駆動用のモータ１０９
に接続されている。したがって、モータ１０９を駆動す
ると、基体１０５がその長手方向の中心軸の回りを自転
することになる。
に、堆積膜の形成される複数本（この例では６本）の円
筒状の基体１０５が互いに平行になるよう配置されてい
る。基体１０５の長手方向（母線方向）の中心軸は、両
方の誘電体窓１０２を結ぶ直線と平行になっている。各
基体１０５は、反応容器１０１の下面１０１ｂから延び
る回転軸１０８によって、基体１０５の上端部分で保持
され、同じく下面１０１ｂから基体１０５の内部に挿入
されるように延びるヒータ１０７によって加熱されるよ
うになっている。回転軸１０８は、反応容器１０１の真
空を破ることなく回転自在のものであり、回転軸１０８
の他端は減速ギア１１０を介して駆動用のモータ１０９
に接続されている。したがって、モータ１０９を駆動す
ると、基体１０５がその長手方向の中心軸の回りを自転
することになる。
【００２１】さらに、反応容器１０１の側壁１０１ｃの
内面に沿って、円筒形状のマイクロ波アンテナ１１１が
設けられ、このマイクロ波アンテナ１１１には給電用の
同軸線路１１２の一端が接続されている。このマイクロ
波アンテナ１１１は、後述する放電空間１０６の長手方
向の中央部付近にマイクロ波エネルギーを供給するため
のものである。したがって、基体１０５の長手方向の中
央部付近に対応して、側壁１０１ｃに取り付けられてい
る。同軸線路１１２の他端は整合回路（不図示）を経て
図示しないマイクロ波電源に接続されている。
内面に沿って、円筒形状のマイクロ波アンテナ１１１が
設けられ、このマイクロ波アンテナ１１１には給電用の
同軸線路１１２の一端が接続されている。このマイクロ
波アンテナ１１１は、後述する放電空間１０６の長手方
向の中央部付近にマイクロ波エネルギーを供給するため
のものである。したがって、基体１０５の長手方向の中
央部付近に対応して、側壁１０１ｃに取り付けられてい
る。同軸線路１１２の他端は整合回路（不図示）を経て
図示しないマイクロ波電源に接続されている。
【００２２】このマイクロ波アンテナ１１１の具体的一
例として、図３に示すリジターノコイル１５０がある。
リジターノコイル１５０とは、円筒形状の金属板１５１
に、マイクロ波の半波長（λ／２）の整数倍の長さのス
リット１５２を複数個設け、一筆書きでつながるように
これらスリット１５２を接続させたものである。そして
一筆書きの一番手前側にあるスリット１５２の両側に接
続された給電用の同軸線路１５５からマイクロ波を給電
することにより、これらスリット１５２に沿ってマイク
ロ波が逐次放射しながら金属板１５１の円周方向に伝搬
することになる。本実施例において、マイクロ波アンテ
ナ１１１としては、リジターノコイルに限られるもので
はなく、スロットアンテナなどを使用することができ
る。
例として、図３に示すリジターノコイル１５０がある。
リジターノコイル１５０とは、円筒形状の金属板１５１
に、マイクロ波の半波長（λ／２）の整数倍の長さのス
リット１５２を複数個設け、一筆書きでつながるように
これらスリット１５２を接続させたものである。そして
一筆書きの一番手前側にあるスリット１５２の両側に接
続された給電用の同軸線路１５５からマイクロ波を給電
することにより、これらスリット１５２に沿ってマイク
ロ波が逐次放射しながら金属板１５１の円周方向に伝搬
することになる。本実施例において、マイクロ波アンテ
ナ１１１としては、リジターノコイルに限られるもので
はなく、スロットアンテナなどを使用することができ
る。
【００２３】反応容器１０１内において、円筒状の各基
体１０５と各誘電体窓１０２で囲まれた部分が放電空間
１０６であり、この放電空間１０６は両端が各誘電体窓
１０２で画定される柱状の空間である。
体１０５と各誘電体窓１０２で囲まれた部分が放電空間
１０６であり、この放電空間１０６は両端が各誘電体窓
１０２で画定される柱状の空間である。
【００２４】この装置を用いる従来の堆積膜形成方法に
よる堆積膜形成は、以下のようにして行なわれる。ま
ず、真空ポンプ（不図示）により排気管１０４を介して
反応容器１０１内を排気し、この反応容器１０１内の圧
力を１×１０-6Torr以下とする。次いで、各ヒータ１０
７により全ての基体１０５を膜堆積に好適な温度に加熱
保持する。そして図示しない原料ガス導入管を介して、
例えばａ−Ｓｉ膜を形成する場合であれば、シラン（Ｓ
ｉＨ4）ガスや水素ガスなどの原料ガスを反応容器１０
１内に導入する。
よる堆積膜形成は、以下のようにして行なわれる。ま
ず、真空ポンプ（不図示）により排気管１０４を介して
反応容器１０１内を排気し、この反応容器１０１内の圧
力を１×１０-6Torr以下とする。次いで、各ヒータ１０
７により全ての基体１０５を膜堆積に好適な温度に加熱
保持する。そして図示しない原料ガス導入管を介して、
例えばａ−Ｓｉ膜を形成する場合であれば、シラン（Ｓ
ｉＨ4）ガスや水素ガスなどの原料ガスを反応容器１０
１内に導入する。
【００２５】これと同時平行的にマイクロ波電源（不図
示）により周波数５００ＭＨｚ以上の、好ましくは２.
４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、このマイクロ波を
導波管１０３そして各誘電体窓１０２を介して反応容器
１０１内に導入する。そして、マイクロ波電源（不図
示）から同軸線路１１２を介してマイクロ波エネルギー
をマイクロ波アンテナ１１１に供給する。このとき、マ
イクロ波アンテナ１１１に供給されるマイクロ波の強度
は、放電空間１０６における放電強度が均一なものとな
るように、適宜調整されるものとする。その結果、放電
空間１０６においてグロー放電が生起し、原料ガスはマ
イクロ波のエネルギーにより励起解離し、円筒状の各基
体１０５の表面上に堆積膜が形成される。このときモー
タ１０９を駆動して基体１０５を自転させることによ
り、基体１０５の外周面の全面に堆積膜を形成すること
ができる。本実施例では、各誘電体窓１０２からのマイ
クロ波エネルギーだけでは放電強度が弱くなる部分、す
なわち柱状の放電空間１０６の長手方向の中央部付近
に、マイクロ波アンテナ１１１からのマイクロ波エネル
ギーが供給されるので、放電空間１０６全体として放電
強度が均一になり、基体１０５の上に、膜特性および膜
厚の均一性を維持しながら、実用的な膜特性を有する堆
積膜を形成することができる。
示）により周波数５００ＭＨｚ以上の、好ましくは２.
４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、このマイクロ波を
導波管１０３そして各誘電体窓１０２を介して反応容器
１０１内に導入する。そして、マイクロ波電源（不図
示）から同軸線路１１２を介してマイクロ波エネルギー
をマイクロ波アンテナ１１１に供給する。このとき、マ
イクロ波アンテナ１１１に供給されるマイクロ波の強度
は、放電空間１０６における放電強度が均一なものとな
るように、適宜調整されるものとする。その結果、放電
空間１０６においてグロー放電が生起し、原料ガスはマ
イクロ波のエネルギーにより励起解離し、円筒状の各基
体１０５の表面上に堆積膜が形成される。このときモー
タ１０９を駆動して基体１０５を自転させることによ
り、基体１０５の外周面の全面に堆積膜を形成すること
ができる。本実施例では、各誘電体窓１０２からのマイ
クロ波エネルギーだけでは放電強度が弱くなる部分、す
なわち柱状の放電空間１０６の長手方向の中央部付近
に、マイクロ波アンテナ１１１からのマイクロ波エネル
ギーが供給されるので、放電空間１０６全体として放電
強度が均一になり、基体１０５の上に、膜特性および膜
厚の均一性を維持しながら、実用的な膜特性を有する堆
積膜を形成することができる。
【００２６】ここで、上述の堆積膜形成装置を用い、マ
イクロ波アンテナ１１１に供給するマイクロ波エネルギ
ーを変化させて基体１０５上に形成した堆積膜の特性を
測定した結果について説明する。基体１０５としては、
直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍのアルミ
ニウム製の円筒を用い、表１に示すとおりの成膜条件
で、３層構造の堆積膜を形成した。なお、各誘電体窓１
０２およびマイクロ波アンテナ１１１から反応容器１０
１内に導入されるマイクロ波エネルギーの総和（総マイ
クロ波電力）は、一定であるようにした。そしてこのよ
うにして作成したサンプルの電気的特性のムラと膜厚の
ムラとを測定し、それぞれ膜特性分布、膜厚分布とし
た。電気的特性のムラは、このサンプルに帯電させた場
合の暗部電位のムラを計測することによって求めた。そ
の結果を表２に示す。
イクロ波アンテナ１１１に供給するマイクロ波エネルギ
ーを変化させて基体１０５上に形成した堆積膜の特性を
測定した結果について説明する。基体１０５としては、
直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍのアルミ
ニウム製の円筒を用い、表１に示すとおりの成膜条件
で、３層構造の堆積膜を形成した。なお、各誘電体窓１
０２およびマイクロ波アンテナ１１１から反応容器１０
１内に導入されるマイクロ波エネルギーの総和（総マイ
クロ波電力）は、一定であるようにした。そしてこのよ
うにして作成したサンプルの電気的特性のムラと膜厚の
ムラとを測定し、それぞれ膜特性分布、膜厚分布とし
た。電気的特性のムラは、このサンプルに帯電させた場
合の暗部電位のムラを計測することによって求めた。そ
の結果を表２に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】 以上の結果から明らかなように、放電空間１０６に直接
接しない位置に設けられたマイクロ波アンテナ１１１か
らも放電空間１０６にマイクロ波エネルギーをが供給す
ることにより、供給しない場合に比べ、２０mTorrとい
う比較的高い堆積膜形成時の圧力にも関わらず、電気的
特性のムラおよび膜厚のムラとも実用上ほとんど問題に
ならないレベルにまで改善されることがわかった。
接しない位置に設けられたマイクロ波アンテナ１１１か
らも放電空間１０６にマイクロ波エネルギーをが供給す
ることにより、供給しない場合に比べ、２０mTorrとい
う比較的高い堆積膜形成時の圧力にも関わらず、電気的
特性のムラおよび膜厚のムラとも実用上ほとんど問題に
ならないレベルにまで改善されることがわかった。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、少なくと
も３つのマイクロ波導入手段から放電空間にマイクロ波
エネルギーを供給するようにすることにより、放電空間
内での放電強度が均一になって、膜特性および膜厚の均
一性を維持しながら、実用的な膜特性を有する堆積膜を
高い堆積速度で形成することができるようになるという
効果がある。
も３つのマイクロ波導入手段から放電空間にマイクロ波
エネルギーを供給するようにすることにより、放電空間
内での放電強度が均一になって、膜特性および膜厚の均
一性を維持しながら、実用的な膜特性を有する堆積膜を
高い堆積速度で形成することができるようになるという
効果がある。
【図１】本発明の一実施例の堆積膜形成装置の構成を示
す模式的縦断面図である。
す模式的縦断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線での模式的横断面図である。
【図３】マイクロ波アンテナの一例の構成を示す斜視図
である。
である。
【図４】従来の堆積膜形成装置の構成を示す模式的縦断
面図である。
面図である。
【図５】図４のＸ−Ｘ線での模式的横断面図である。
１０１ 反応容器 １０１ａ 上面 １０１ｂ 下面 １０１ｃ 側壁 １０２ 誘電体窓 １０３ 導波管 １０４ 排気管 １０５ 基体 １０６ 放電空間 １０７ ヒータ １０８ 回転軸 １０９ モータ １１０ 駆動ギア １１１ マイクロ波アンテナ １１２,１５５ 同軸線路 １５０ リジターノコイル １５１ 金属板 １５２ スリット
Claims (8)
- 【請求項１】 マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって基
体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、 減圧にし得る反応容器内に前記基体を保持し、前記反応
容器内に原料ガスを導入しながら、前記反応容器に取り
付けられ前記反応容器内にマイクロ波エネルギーを導入
するための少なくとも３つのマイクロ波導入手段から前
記反応容器内にマイクロ波エネルギーを導入し、前記マ
イクロ波エネルギーによって前記反応容器内にプラズマ
を生成して前記基体表面に堆積膜を形成することを特徴
とする堆積膜形成方法。 - 【請求項２】 マイクロ波導入手段のうちの２つが誘電
体からなる一対の対向するマイクロ波導入窓であり、前
記各マイクロ波導入手段からマイクロ波エネルギーを前
記成膜容器内に導入することにより基体を含む少なくと
も１つの部材と前記一対のマイクロ波導入窓とで囲まれ
る放電空間にプラズマを形成し、前記一対のマイクロ波
導入窓以外の前記マイクロ波導入手段の少なくとも１つ
が前記放電空間に直接接しない位置に配置されたマイク
ロ波立体回路である、請求項１に記載の堆積膜形成方
法。 - 【請求項３】 マイクロ波立体回路がマイクロ波アンテ
ナである請求項２に記載の堆積膜形成方法。 - 【請求項４】 基体が円筒形状である請求項１ないし３
いずれか１項に記載の堆積膜形成方法。 - 【請求項５】 減圧にし得る反応容器と、前記反応容器
内に原料ガスを導入する原料ガス導入手段と、前記反応
容器内を排気する排気手段と、前記反応容器に取り付け
られ前記反応容器内にマイクロ波エネルギーを導入する
マイクロ波導入手段とを有し、前記反応容器内に保持さ
れた基体上にマイクロ波プラズマＣＶＤ法によって堆積
膜を形成する堆積膜形成装置において、 前記マイクロ波導入手段を３個以上備えていることを特
徴とする堆積膜形成装置。 - 【請求項６】 マイクロ波導入手段のうちのうちの２つ
が誘電体からなる一対の対向するマイクロ波導入窓であ
り、基体を含む少なくとも１つの部材が前記部材と前記
一対のマイクロ波導入窓とによって囲まれた放電空間を
形成するように反応容器内に配置され、前記一対のマイ
クロ波導入窓以外の前記マイクロ波導入手段の少なくと
も１つが前記放電空間に直接接しない位置に配置された
マイクロ波立体回路である、請求項５に記載の堆積膜形
成装置。 - 【請求項７】 マイクロ波立体回路がマイクロ波アンテ
ナである請求項６に記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項８】 基体が円筒形状である請求項５ないし７
いずれか１項に記載の堆積膜形成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4194069A JPH0633246A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 |
| US08/093,633 US5449880A (en) | 1992-07-21 | 1993-07-20 | Process and apparatus for forming a deposited film using microwave-plasma CVD |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4194069A JPH0633246A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0633246A true JPH0633246A (ja) | 1994-02-08 |
Family
ID=16318448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4194069A Pending JPH0633246A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5449880A (ja) |
| JP (1) | JPH0633246A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3172537B2 (ja) * | 1994-03-29 | 2001-06-04 | カール−ツァイス−スティフツング | 湾曲した基材のコーティング用ｐｃｖｄ法及び装置 |
| US5936352A (en) * | 1995-11-28 | 1999-08-10 | Nec Corporation | Plasma processing apparatus for producing plasma at low electron temperatures |
| JPH11319545A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-11-24 | Canon Inc | プラズマ処理方法及び基体の処理方法 |
| US6905773B2 (en) * | 2002-10-22 | 2005-06-14 | Schlage Lock Company | Corrosion-resistant coatings and methods of manufacturing the same |
| KR100628887B1 (ko) * | 2005-02-01 | 2006-09-26 | 삼성전자주식회사 | 마이크로웨이브 에너지를 이용하여 기판 상에 막을형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
| JP5329796B2 (ja) * | 2007-11-14 | 2013-10-30 | 株式会社イー・エム・ディー | プラズマ処理装置 |
| CN114561632B (zh) | 2022-03-02 | 2022-12-27 | 南京大学 | 一种可实现有效掺杂的mpcvd设备 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3691338A (en) * | 1971-09-30 | 1972-09-12 | Rca Corp | Solid state microwave heating apparatus |
| DE2645765C2 (de) * | 1976-10-09 | 1978-12-14 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Vorrichtung zum Aufschmelzen und Fixieren eines Tonerbildes auf einem Bildträger |
| US4631380A (en) * | 1983-08-23 | 1986-12-23 | Durac Limited | System for the microwave treatment of materials |
| DE3572198D1 (en) * | 1984-02-14 | 1989-09-14 | Energy Conversion Devices Inc | Method and apparatus for making electrophotographic devices |
| US4859493A (en) * | 1987-03-31 | 1989-08-22 | Lemelson Jerome H | Methods of forming synthetic diamond coatings on particles using microwaves |
| US5010276A (en) * | 1987-10-09 | 1991-04-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Microwave plasma CVD apparatus with plasma generating chamber constituting a cylindrical cavity resonator |
| JPH01198478A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-10 | Canon Inc | マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
| US5202095A (en) * | 1988-12-27 | 1993-04-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microwave plasma processor |
| DE4113142A1 (de) * | 1991-03-14 | 1992-09-17 | Leybold Ag | Vorrichtung zur erzeugung von glimmentladungen |
-
1992
- 1992-07-21 JP JP4194069A patent/JPH0633246A/ja active Pending
-
1993
- 1993-07-20 US US08/093,633 patent/US5449880A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5449880A (en) | 1995-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3236111B2 (ja) | プラズマ処理装置及び処理方法 | |
| US6065425A (en) | Plasma process apparatus and plasma process method | |
| US5443645A (en) | Microwave plasma CVD apparatus comprising coaxially aligned multiple gas pipe gas feed structure | |
| JP3501668B2 (ja) | プラズマｃｖｄ方法及びプラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0676664B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜の形成装置 | |
| US4913928A (en) | Microwave plasma chemical vapor deposition apparatus with magnet on waveguide | |
| US4909184A (en) | Apparatus for the formation of a functional deposited film using microwave plasma chemical vapor deposition process | |
| US5449880A (en) | Process and apparatus for forming a deposited film using microwave-plasma CVD | |
| JPH08333684A (ja) | 堆積膜の形成方法 | |
| JPH06295866A (ja) | プラズマ反応装置 | |
| JPH01100275A (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置 | |
| JPS62294181A (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜の形成方法及び装置 | |
| KR100269930B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 | |
| JP2554867B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置 | |
| JPH0686665B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置 | |
| JP2553337B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置 | |
| JPS6362880A (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置 | |
| JP4355490B2 (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JP2609866B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6244578A (ja) | プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 | |
| JPH09256160A (ja) | プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄによる堆積膜形成方法 | |
| JPH0693454A (ja) | グロー放電方法及びグロー放電装置 | |
| JPH1060654A (ja) | プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄによる堆積膜形成方法 | |
| JPH06196407A (ja) | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 | |
| JPH0643632B2 (ja) | プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 |