JPH06333290A

JPH06333290A - 光ピックアップ装置

Info

Publication number: JPH06333290A
Application number: JP5116865A
Authority: JP
Inventors: Hideyoshi Horigome; 秀嘉堀米
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-05-19
Filing date: 1993-05-19
Publication date: 1994-12-02

Abstract

(57)【要約】【構成】レーザカプラ２内に、レーザダイオード２
ａ，マイクロプリズム５，光磁気フォトディテクタ１１
等を設け、偏光ビームスプリッタ膜６ａ及び全反射膜８
ｂを有する光学ブロック６と、上記レーザビーム及び戻
り光の光軸を境にして設けられている右旋光板７Ｒ，左
旋光板７Ｌからなる旋光板７を用いて、上記光磁気フォ
トディテクタ１１に戻り光を照射し、光磁気ディスク１
に記録されている光磁気信号を検出する。【効果】光磁気信号を検出する光ピックアップ装置の
小型化及びローコスト化を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば光磁気ディスク
に所望の記録情報の記録再生を行う光磁気ディスク記録
再生装置等の光学系として用いて好適な光ピックアップ
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】今日において、記憶容量が大きいこと，
記録データの保存性が良いこと，簡単に書き換え可能で
あること等から、記録データの記録再生には、光磁気デ
ィスクが多く用いられるようになってきた。

【０００３】上記光磁気ディスクに記録データを記録再
生する光磁気ディスク記録再生装置に設けられている光
ピックアップ装置は、例えば半導体レーザと、この半導
体レーザからの出射光を平行光にするコリメータレンズ
と、このコリメータレンズで平行光にされた出射光を集
光して光磁気ディスクの記録面に照射する対物レンズ
と、上記半導体レーザ及び対物レンズ間に設けられ、上
記光磁気ディスクの記録面で反射された戻り光の一部を
分離する第１の偏光ビームスプリッタと、この第１の偏
光ビームスプリッタで分離された戻り光の一部を検波す
る検光子と、この検光子を透過した光のレベルを検出す
るフォトディテクタ等から構成されている。

【０００４】このような構成を有する光ピックアップ装
置は、上記半導体レーザから出射されるレーザビームを
集光して上記光磁気ディスクの記録面に照射し、この記
録面で反射された戻り光の一部を上記第１の偏光ビーム
スプリッタで分離し、この分離された戻り光の一部のう
ち、所定の偏光面、すなわち、所定の光振動面を有する
成分のレベルを上記フォトディテクタで検出することに
より、上記光磁気ディスクに記録されている記録データ
を再生するようになっている。

【０００５】上述の検光子としては、「シートアナライ
ザ」が一般的に用いられるが、このシートアナライザ
は、「消光比」が低いため、Ｓ／Ｎ比が低いという問題
がある。このため、現在主流となっている光ピックアッ
プ装置には上記検光子の代わりに１／２波長板が設けら
れている。

【０００６】この１／２波長板が設けられた光ピックア
ップ装置は、上記第１の偏光ビームスプリッタで分離さ
れた戻り光を、上記１／２波長板及び第２の偏光ビーム
スプリッタで、さらにＰ波成分及びＳ波成分に分離し、
該Ｐ波成分及びＳ波成分のレベルをそれぞれ２つのフォ
トディテクタで検出し、これらのレベル差を差動増幅器
で検出することにより、上記光磁気ディスクに記録され
ている記録データを再生するようになっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記１／２波
長板が設けられた光ピックアップ装置は、第１，第２の
偏光ビームスプリッタの計２つの偏光ビームスプリッタ
を設けなければならないため、部品点数が多くなり、製
作費が高くなる問題があった。

【０００８】また、上記第１の偏光ビームスプリッタで
分離された戻り光を、上記第２の偏光ビームスプリッタ
でさらに２つの成分に分離する構成のため、その光路を
確立する必要があり、各部品の位置合わせが面倒である
うえ、装置自体が大型化する問題があった。

【０００９】本発明は、上述の問題点に鑑みてなされた
ものであり、部品点数を削減して小型且つ安価に作製で
きるうえ、面倒な位置合わせを軽減することができるよ
うな光ピックアップ装置に関する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る光ピックア
ップ装置は、光磁気ディスクに照射するためのレーザビ
ームを出射するレーザ光源と、上記レーザ光源からのレ
ーザビームを反射する反射面、及び、上記レーザビーム
が上記光磁気ディスクに照射されることにより生ずる戻
り光が入射される入射面を有するマイクロプリズムと、
上記マイクロプリズムの入射面を介して照射される戻り
光を受光して上記光磁気ディスクに記録されている光磁
気信号を検出する光磁気フォトディテクタと、入射され
るレーザビーム及び戻り光を所定の角度だけ旋光して出
射する第１の旋光部と、入射されるレーザビーム及び戻
り光を、上記第１の旋光部とは逆に所定の角度だけ旋光
して出射する第２の旋光部とが、上記レーザビーム及び
戻り光の光軸を境にして設けられている旋光素子と、偏
光ビームスプリッタ膜と全反射膜とを、それぞれ所定の
角度をもって且つ平行に設けることにより構成され、上
記マイクロプリズムからのレーザビームを反射して上記
旋光素子に照射し、また、上記旋光素子からの戻り光を
反射して上記マイクロプリズムの入射面に照射する光学
ブロックと、上記旋光素子からのレーザビームを収束し
て上記光磁気ディスクに照射する対物レンズとを有し、
上記レーザ光源，マイクロプリズム及び光磁気フォトデ
ィテクタは、同一基板上に設けられることを特徴として
上述の課題を解決する。

【００１１】また、本発明に係る光ピックアップ装置
は、フォーカスエラー及びトラッキングエラーを検出す
るための第１，第２のフォトディテクタを有し、上記光
学ブロックは、上記マイクロプリズムにより反射された
レーザビームを上記偏光ビームスプリッタ膜で反射して
上記旋光素子に照射するとともに、上記戻り光を該偏光
ビームスプリッタ膜で反射して上記マイクロプリズムの
反射面に照射し、また、上記偏光ビームスプリッタ膜を
透過した戻り光を上記全反射膜で反射して上記マイクロ
プリズムの入射面に照射し、上記マイクロプリズムの反
射面には、上記レーザ光源からのレーザビーム、及び、
上記偏光ビームスプリッタ膜により反射された戻り光を
所定の割合で反射し透過する第１の半反射膜が設けられ
ており、また、上記第１の半反射膜を透過した上記戻り
光が照射される箇所には該戻り光を所定の割合で反射し
透過する第２の半反射膜が設けられており、また、上記
第２の半反射膜により反射された上記戻り光が照射され
る箇所には該戻り光を全て反射する全反射膜が設けられ
ており、また、上記全反射膜により反射された上記戻り
光が照射される箇所、及び、上記光学ブロックの全反射
膜からの戻り光が入射される入射面を介して入射された
戻り光が出射される箇所には、所定の入射角までの戻り
光を透過し該所定の入射角以上の戻り光を反射する第１
の透過膜が設けられており、上記入射面には上記光学ブ
ロックの反射膜により反射された戻り光を透過する第２
の透過膜が設けられており、上記基板上の、上記マイク
ロプリズムの第２の半反射膜を透過した戻り光が照射さ
れる箇所には上記第１のフォトディテクタが設けられて
おり、上記マイクロプリズムの全反射膜により反射され
上記第１の透過膜を透過した上記戻り光が照射される箇
所には上記第２のフォトディテクタが設けられており、
上記入射面及び上記第１の透過膜を透過した、上記全反
射膜により反射された戻り光が照射される箇所には、上
記光磁気フォトディテクタが設けられていることを特徴
として上述の課題を解決する。

【００１２】また、本発明に係る光ピックアップ装置
は、上記光磁気フォトディテクタは、第１の光磁気フォ
トディテクタ及び第２の光磁気フォトディテクタにより
構成され、上記光学ブロックは、マイクロプリズムの反
射面で反射されたレーザビームを上記全反射膜で反射
し、これを上記偏光ビームスプリッタ膜を介して上記旋
光素子に照射し、上記旋光素子を介して照射される戻り
光を偏光ビームスプリッタ膜で反射して上記マイクロプ
リズムの入射面に照射し、上記マイクロプリズムの反射
面には上記レーザ光源からのレーザビームを全反射する
第１の全反射膜が設けられ、入射面には上記偏光ビーム
スプリッタ膜により反射された戻り光を透過する透過膜
が設けられ、上記透過膜を介した戻り光が照射される箇
所には該戻り光を所定の割合で反射し透過する半反射膜
が設けられ、上記半反射膜により反射された戻り光が照
射される箇所には該戻り光を全反射する第２の全反射膜
が設けられ、上記基板上の、上記マイクロプリズムの半
反射膜を透過した戻り光が照射される箇所には上記第１
の光磁気フォトディテクタが設けられ、上記マイクロプ
リズムの第２の全反射膜により反射された戻り光が照射
される箇所には上記第２の光磁気フォトディテクタが設
けられていることを特徴として上述の課題を解決する。

【００１３】

【作用】本発明に係る光ピックアップ装置は、レーザ光
源から出射されたレーザビームが、マイクロプリズムの
反射面により反射されるとともに、光学ブロックの偏光
ビームスプリッタ膜により反射され旋光素子に照射され
る。

【００１４】上記旋光素子は、レーザビーム及び該レー
ザビームが上記光磁気ディスクに照射されることにより
生ずる戻り光の光軸を境に、例えば右側の光を所定の角
度だけ右旋光して出射する右旋光板、及び、左側の光
を、上記右旋光板とは逆に所定の角度だけ左旋光して出
射する左旋光板で構成されている。このため、上記旋光
素子に入射されたレーザビームは、その光軸を境に、右
側が所定の角度の旋光角（右旋光）を有するレーザビー
ム，左側が所定の角度の旋光角（左旋光）を有するレー
ザビームとして出射される。このレーザビームは、対物
レンズで収束されて上記光磁気ディスクに照射される。

【００１５】次に、上記レーザビームが上記光磁気ディ
スクに照射されることにより生ずる戻り光は、対物レン
ズを介して上記旋光素子に入射されるが、この戻り光の
うち、上記右旋光板を介して出射されたレーザビームに
係る戻り光は、上記左旋光板に入射され、上記左旋光板
を介して出射されたレーザビームに係る戻り光は、上記
右旋光板に入射される。

【００１６】上記旋光素子に入射される戻り光の進行方
向は、上記レーザ光源から出射されるレーザビームの進
行方向とは逆となる。このため、上記左旋光板に入射さ
れた戻り光は、さらに所定の角度だけ左に旋光され、上
記右旋光板に入射された戻り光は、上記左旋光板に入射
された戻り光とは逆にさらに所定の角度だけ右に旋光さ
れて出射されることとなる。

【００１７】これにより、この旋光素子を介した戻り光
は、上記光学ブロックの偏光ビームスプリッタ膜により
反射される成分と透過される成分とを有する戻り光とな
る。

【００１８】従って、上記偏光ビームスプリッタ膜を透
過した戻り光は、反射膜により反射され上記マイクロプ
リズムの入射面に照射される。そして、上記入射面を介
して光磁気フォトディテクタに照射される。

【００１９】上記光磁気フォトディテクタは、上記戻り
光を受光し、この戻り光に基づいて上記光磁気ディスに
記録されている光磁気信号を検出する。

【００２０】

【実施例】以下、本発明に係る光ピックアップ装置の実
施例について図面を参照しながら説明する。

【００２１】本発明に係る光ピックアップ装置は、例え
ば図１及び図２に示すように光磁気ディスク１に所望の
記録データを記録し再生する光磁気ディスク記録再生装
置の光学系に適用することができる。

【００２２】上記図１及び図２において、本発明の第１
の実施例に係る光ピックアップ装置は、上記光磁気ディ
スク１に照射するための、例えばＳ偏光成分のレーザビ
ームを出射するレーザダイオード２ａ（レーザ光源）
と、上記光磁気ディスク１に記録されている光磁気信号
を検出するための光磁気フォトディテクタ１１と、フォ
ーカスエラー及びトラッキングエラーを検出するための
第１，第２のフォトディテクタ（第１，第２のフォトデ
ィテクタ）９，１０と、上記光磁気ディスク１に照射す
るためのレーザビームを反射する反射面、上記光磁気デ
ィスク１にレーザビームが照射されることにより生ずる
戻り光が入射される入射面を有し、この入射面を介して
入射された戻り光を上記各フォトディテクタ９〜１１に
照射するマイクロプリズム５とが、同一基板上にレーザ
カプラ２として設けられている。

【００２３】また、上記光ピックアップ装置は、Ｓ偏光
成分の光は反射し、該Ｓ偏光成分とは偏光方向が直交す
るＰ偏光成分の光は透過する偏光ビームスプリッタ膜６
ａ、及び、照射されるレーザビーム及び戻り光を全反射
する全反射膜８ｂを、それぞれ例えば４５度の角度をも
って且つ平行に設けることにより構成され、上記偏光ビ
ームスプリッタ膜６ａにより上記レーザビームを反射
し、また、上記戻り光を反射し透過するとともに、上記
全反射膜８ｂにより該偏光ビームスプリッタ膜６ａを透
過したＰ偏光成分の戻り光を反射して上記マイクロプリ
ズム５の入射面に照射する光学ブロック６と、上記レー
ザビーム及び戻り光の光軸を境にして、該レーザビーム
及び戻り光をそれぞれ所定の角度だけ旋光して出射する
右旋光板（第１の旋光部）７Ｒ，左旋光板（第２の旋光
部）７Ｌからなる旋光板（旋光素子）７と、上記旋光板
７からのレーザビームを反射する反射ミラー８と、上記
反射ミラー８からのレーザビームを収束して上記光磁気
ディスク１に照射する対物レンズ８ａとを有している。

【００２４】上記マイクロプリズム５の反射面には、照
射される上記Ｓ偏光成分のレーザビーム及び戻り光のう
ち、例えば８０％を反射し、２０％を透過する半反射膜
３が設けられている。

【００２５】また、上記マイクロプリズム５の反射面を
透過して当該マイクロプリズム５内に入射されたＳ偏光
成分の戻り光が出射される箇所には、これを受光するよ
うに上記第１のフォトディテクタ９が設けられており、
上記第１のフォトディテクタ９により反射された戻り光
が照射される箇所には、これを全て反射するように全反
射膜４が設けられており、この全反射膜４により反射さ
れた戻り光が照射される箇所には、上記第２のフォトデ
ィテクタ１０が設けられている。

【００２６】また、上記マイクロプリズム５の入射面を
介して当該マイクロプリズム５内に入射されたＰ偏光成
分の戻り光が出射される箇所には、上記光磁気フォトデ
ィテクタ１１が設けられている。

【００２７】次に、このような構成を有する第１の実施
例に係る光ピックアップ装置の動作説明をする。

【００２８】まず、例えば再生時となると、上記レーザ
ダイオード２ａから図４（ａ）に示すようなＳ偏光成分
のレーザビームが出射される。このレーザビームは、上
記マイクロプリズム５の反射面に照射される。上述のよ
うに、上記マイクロプリズム５の反射面には半反射膜３
が設けられている。このため、上記マイクロプリズム５
の反射面に照射されたレーザビームは、例えば８０％が
反射され、残り２０％が透過する。このマイクロプリズ
ム５の反射面により反射されたレーザビームは、次に光
学ブロック６の偏光ビームスプリッタ膜６ａに入射され
る。

【００２９】上記偏光ビームスプリッタ膜６ａは、Ｓ偏
光成分の光を反射しＰ偏光成分の光を透過させる特性と
なっている。このため、上記光学ブロック６に入射され
た上記Ｓ偏光成分のレーザビームは、上記偏光ビームス
プリッタ膜６ａにより反射され上記旋光板７に入射され
る。

【００３０】上記旋光板７は、図３に示すようにレーザ
ビーム及び戻り光の光軸を境にして設けられる右旋光板
７Ｒ及び左旋光板７Ｌから構成されている。このため、
上記旋光板７に入射されるレーザビームは、図４（ｂ）
に示すように所定の角度（＋α）だけ右方向に旋光（＋
α＋θｋ：θｋ＝カー回転角）されて出射され、上記左
旋光板７Ｌに入射されたレーザビームは、同図（ｃ）に
示すように所定の角度（−α）だけ左方向に旋光（−α
＋θｋ）されて出射される。

【００３１】これにより、見かけ上は一本のレーザビー
ムであるが、光軸を境に右側及び左側でそれぞれ偏光方
向の異なるレーザビームが形成されることとなる。この
レーザビームは、反射ミラー８により反射され、対物レ
ンズ８ａにより収束されて上記光磁気ディスク１の光磁
気膜１ａに照射される。

【００３２】次に、上記レーザビームを上記光磁気ディ
スク１に照射することにより戻り光が生ずる。この戻り
光は、上記対物レンズ８ａを介して上記反射ミラー８に
より反射され上記旋光板７に入射される。なお、上記旋
光板７に入射される戻り光のうち、上記右旋光板７Ｒを
介して出射されたレーザビームに係る戻り光は、上記旋
光板７内の左旋光板７Ｌに入射され、上記旋光板７内の
左旋光板７Ｌを介して出射されたレーザビームに係る戻
り光は、上記旋光板７内の右旋光板７Ｒに入射される。

【００３３】上記旋光板７に入射される戻り光の進行方
向は、上記レーザダイオード２ａから出射されるレーザ
ビームの進行方向とは逆となる。このため、上記左旋光
板７Ｌに入射された戻り光は、図４（ｄ）に示すように
さらに所定分（＋α）右方向に回転（＋２α＋θｋ）さ
れて出射され、上記右旋光板７Ｒに入射された戻り光
は、同図（ｅ）に示すようにさらに所定分（−α）左方
向に回転（−２α＋θｋ）されて出射されることとな
る。

【００３４】この旋光板７を介した上記戻り光は、次に
上記光学ブロック６に入射される。

【００３５】上記光学ブロック６内に入射される戻り光
のうち、上記旋光板７内の左旋光板７Ｌを介した戻り光
は、図２（ｄ）に示したように＋２α＋θｋの旋光角を
有しているが、この旋光角は、例えば＋４５度程度とな
っており、また、上記右旋光板７Ｒを介した戻り光は、
同図（ｅ）に示したように−２α＋θｋの旋光角を有し
ているが、この旋光角は、例えば−４５度程度となって
いる。

【００３６】このため、上記左旋光板７Ｌを介した戻り
光、及び、上記右旋光板７Ｒを介した戻り光は、例えば
それぞれＳ偏光成分及びＰ偏光成分を５０％位ずつ有し
ていることとなる。また、上述のように上記偏光ビーム
スプリッタ膜６ａは、Ｓ偏光成分の光を反射し、Ｐ偏光
成分の光を透過させるようになっている。

【００３７】従って、上記偏光ビームスプリッタ膜６ａ
は、上記戻り光のうち例えば５０％の戻り光を透過し、
残り５０％を反射する。この偏光ビームスプリッタ膜６
ａにより反射された戻り光は、上記マイクロプリズム５
の反射面に照射される。また、上記偏光ビームスプリッ
タ膜６ａを透過した上記戻り光は、上記全反射膜８ｂに
より反射され、上記マイクロプリズム５の入射面を介し
て上記光磁気フォトディテクタ１１に照射される。

【００３８】上記偏光ビームスプリッタ膜６ａにより反
射され、上記マイクロプリズム５の反射面に照射された
Ｓ偏光成分の戻り光は、該反射面を介して所定の角度で
マイクロプリズム５内に入射する。

【００３９】上記マイクロプリズム５内に入射されたＳ
偏光成分の戻り光が照射される箇所には、第１のフォト
ディテクタ９が設けられており、また、上記第１のフォ
トディテクタ９により反射され、全反射膜４により反射
された戻り光が照射される箇所には上記第２のフォトデ
ィテクタ１０が設けられている。

【００４０】上記第１，第２のフォトディテクタ９，１
０は、上記照射されるＳ偏光成分の戻り光を受光し、こ
の受光したＳ偏光成分の戻り光に基づいて、例えば非点
収差法によりフォーカスエラーを検出し、また、いわゆ
るプッシュプル法によりトラッキングエラーを検出す
る。そして、フォーカスエラー信号及びトラッキングエ
ラー信号を形成し、これらを図示しないシステムコント
ローラに供給する。上記システムコントローラは、上記
フォーカスエラー信号に基づいて、上記光磁気ディスク
１に照射されるレーザビームの焦点が合うように例えば
上記対物レンズ８ａを上下に駆動制御し、また、上記ト
ラッキングエラー信号に基づいて上記光磁気ディスク１
を走査するレーザビームがオントラックするように上記
対物レンズ８ａを左右に駆動制御する。

【００４１】これにより、正確なフォーカシング及びト
ラッキングで再生等を行うことができる。

【００４２】一方、上記光磁気フォトディテクタ１１
は、図５に示すようにその内部が、上記戻り光の光軸を
境にして、第１の受光部（ＰＤ１）１１ａ及び第２の受
光部（ＰＤ２）１１ｂに２分割されており、この各受光
部１１ａ，１１ｂで、上記図４（ｆ），（ｇ）に示すよ
うな、同じＰ偏光成分ではあるが、それぞれ旋光方向の
異なる戻り光を受光する。そして、この各受光部１１
ａ，１１ｂで受光した各戻り光のレベルを電気信号に変
換して差動増幅器２０に供給する。上記差動増幅器２０
は、上記各受光部１１ａ，１１ｂで受光した各戻り光の
レベルの差分を増幅して出力する。上記光磁気フォトデ
ィテクタ１１は、このような、いわゆる差動検出法によ
り上記光磁気ディスク１に記録された光磁気信号を検出
する。

【００４３】なお、図示はされていないが、上記各受光
部１１ａ，１１ｂで受光した各戻り光のレベルは、それ
ぞれ加算処理されＲＦ信号として出力される。

【００４４】このように、受光面積のレベルの差分を検
出する、いわゆる差動検出法は、同相除去比の性能を決
める、消光比の高い光学系でなければ実現は困難であ
る。しかし、本実施例に係る光ピックアップ装置は、上
記偏光ビームスプリッタ膜６ａを用いて上記レーザビー
ムの戻り光の検波を行うため、該偏光ビームスプリッタ
膜６ａの特性で決まる消光比まで同相除去を行うことが
できる。このため、同相除去比の高い高品位な光磁気光
学系を達成することができる。

【００４５】また、通常のビームスプリッタの反射膜
は、光学的位相特性（リターデーション）を考慮して量
産する必要があるためコスト高となるが、本実施例に係
る光ピックアップ装置は、上記偏光ビームスプリッタ膜
６ａを用いているため、リターデーションは発生しな
い。このため、上記リターデーションを考慮して量産し
なくてよい分ローコスト化に貢献することができる。

【００４６】また、上記偏光ビームスプリッタ膜６ａを
用いて、戻り光の光量のみ検波しており、往路の光量は
１００％透過させるため、カップリング効率の向上を図
ることができる。

【００４７】また、往路のカップリング効率に影響を与
えることなく、上記右旋光板７Ｒ，左旋光板７Ｌの旋光
角を任意に設定して、上記光磁気フォトディテクタ１１
及び第１，第２のフォトディテクタ９，１０に照射する
戻り光の光量を任意に設定することができる。

【００４８】具体的には、上記右旋光板７Ｒ，左旋光板
７Ｌの回転角をそれぞれ０度〜４５度まで変化させるこ
とにより、上記光磁気フォトディテクタ１１及び第１，
第２のフォトディテクタ９，１０に照射される戻り光の
光量を０％〜１００％に可変することができる。

【００４９】このため、上記光磁気記録信号，フォーカ
スエラー信号，トラッキングエラー信号の増幅回路等の
後段の増幅回路の設計に自由度を増すことができる。従
って、信号に応じた適正な増幅度となるように上記後段
の増幅回路の増幅率を設定することができ、Ｓ／Ｎ比の
向上を図ることができる。

【００５０】また、上記光磁気記録信号の形成に上記偏
光ビームスプリッタ膜６ａを用いることができ、集束光
中でも光磁気記録信号の品質劣化を生じずに取り扱うこ
とを可能とすることができる。このため、光磁気レーザ
カプラを実現することができる。

【００５１】また、上記旋光板７は、旋光角を変化させ
るだけで、波長板のように位相差は変化させない。この
ため、上記レーザダイオード２ａの発振波長のバラツキ
の影響を受けることがない。従って、２波長以上のレー
ザビームを同一の光学系内において取り扱うことを可能
とすることができる。

【００５２】また、上記旋光板７において、上記右旋光
板７Ｒと左旋光板７Ｌとの旋光角度が異なっていても、
上記２つの戻り光は、上記レーザビームが右旋光板７Ｒ
及び左旋光板７Ｌを順に介して形成され、また、上記レ
ーザビームが左旋光板７Ｌ及び右旋光板７Ｒを順に介し
て形成されるため、該２つの戻り光のレベルは等しくす
ることができる。このため、当該光ピックアップ装置に
用いる各素子の仕様の自由度を増すことができる。

【００５３】また、上記偏光ビームスプリッタ膜６ａ
は、通常の光ピックアップ装置に設けられる光磁気用ビ
ームスプリッタと比較して安価に作製することができ
る。また、本実施例に係る光ピックアップ装置では、偏
光ビームスプリッタ膜を１つだけしか用いていない。ま
た、偏光ビームスプリッタ膜を１つだけしか用いていな
いため、光路を大幅に縮めることができる。また、上記
旋光板７も、ウォーラストンプリズムよりも安価に作製
することができる。さらに、上記レーザダイオード２
ａ、光磁気フォトディテクタ１１、第１，第２のフォト
ディテクタ９，１０、マイクロプリズム５が、同一基板
上にレーザカプラ２として設けられている。

【００５４】このため、当該光ピックアップ装置自体を
小型化しローコスト化を達成することができるうえ、各
信号検出に係る各部品の面倒な位置合わせの作業の軽減
を図ることができる。

【００５５】ここで、この第１の実施例に係る光ピック
アップ装置は、上記マイクロプリズム５の反射面を介し
て該マイクロプリズム５内に入射する上記レーザダイオ
ード２ａからのレーザビーム、及び、該反射面を介して
該マイクロプリズム５内に入射する、上記偏光ビームス
プリッタ膜６ａにより反射されたＳ偏光成分の戻り光
が、該マイクロプリズム５内を乱反射して各フォトディ
テクタ９〜１１等に悪影響を及ぼす問題がある。

【００５６】このため、本発明の第２の実施例に係る光
ピックアップ装置では、上記乱反射を防止する手段を付
加した。

【００５７】すなわち、この第２の実施例に係る光ピッ
クアップ装置は、図６に示すように上記マイクロプリズ
ム５とレーザカプラ２とを、該マイクロプリズム５の両
端に設けられた間接部３０を介して接着することによ
り、上記マイクロプリズム５とレーザカプラ２との間に
隙間（エアギャップ：Air Gap ）ＡＧが設けられてい
る。

【００５８】また、上記マイクロプリズム５の反射面に
は、上述したような、照射されるＳ偏光成分のレーザビ
ーム及び戻り光のうち、８０％を反射し２０％を透過す
る半反射膜（以下、第１の半反射膜と言う）３が設けら
れており、上記マイクロプリズム５の、上記第１の半反
射膜３を介した戻り光が照射される箇所には、５０％の
戻り光を透過し５０％の戻り光を反射する第２の半反射
膜３１が設けられている。また、上記第２の半反射膜３
１により反射された戻り光が照射される箇所には、上述
の全反射膜４が設けられており、この全反射膜４により
反射された戻り光が照射される箇所、及び、上記光学ブ
ロック６の全反射膜１０により反射され当該マイクロプ
リズム５内に入射したＰ偏光成分の戻り光が出射される
箇所には、所定の角度までの入射角を有する光は透過さ
せ、該所定の角度以上の入射角を有する光は反射する第
１の透過膜３２が設けられている。また、上記光学ブロ
ック６の全反射膜１０により反射された上記Ｐ偏光成分
の戻り光が照射される箇所には、照射された光を透過す
る第２の透過膜３３が設けられている。

【００５９】そして、上記レーザカプラ２の、上記第２
の半反射膜３１を透過したＳ偏光成分の戻り光が照射さ
れる箇所には、上記第１のフォトディテクタ９が設けら
れており、上記全反射膜４により反射され上記第１の透
過膜３２を透過した戻り光が照射される箇所には、上記
第２のフォトディテクタが設けられており、上記第１の
透過膜３２を透過した上記Ｐ偏光成分の戻り光が照射さ
れる箇所には、上記光磁気フォトディテクタ１１が設け
られている。

【００６０】上記マイクロプリズム５（及びレーザカプ
ラ２）をこのような構成とすると、図６中点線で示すよ
うに、上記第２のフォトディテクタ１０で反射されたＳ
偏光成分の戻り光は、上記第１，第２の透過膜３２，３
３を介してマイクロプリズム５外に出射される。

【００６１】また、上記反射面に設けられた第１の半反
射膜３を介してマイクロプリズム５内に入射された上記
レーザダイオード２ａからのレーザビームは、上記所定
の角度以上の入射角で上記第１の透過膜３２に照射され
るため、該第１の透過膜３２により反射され、マイクロ
プリズム５の右側面を介してマイクロプリズム５外に出
射される。

【００６２】従って、この第２の実施例に係る光ピック
アップ装置は、上記第１の実施例に係る光ピックアップ
装置と同じ効果を得ることができるうえ、上記第２のフ
ォトディテクタ１０で反射されたＳ偏光成分の戻り光、
及び、上記マイクロプリズム５の反射面を介して該マイ
クロプリズム５内に入射する上記レーザダイオード２ａ
からのレーザビームが、それぞれマイクロプリズム５内
を乱反射して各フォトディテクタ９〜１１等に悪影響を
及ぼすことを防止することができる。このため上記各フ
ォトディテクタ９〜１１で正確にトラッキングエラー，
フォーカスエラー，光磁気信号等を検出することができ
る。

【００６３】なお、この第２の実施例に係る光ピックア
ップ装置の他の部分の構成は、上述の第１の実施例に係
る光ピックアップ装置と同じため、該第１の実施例に係
る光ピックアップ装置と同符号を付し、その詳細な説明
を省略する。

【００６４】次に、本発明の第３の実施例に係る光ピッ
クアップ装置は、その要部が図７に示す構成を有してい
る。

【００６５】すなわち、図７において、この第３の実施
例に係る光ピックアップ装置は、レーザダイオード４０
ａ，トラッキングエラー，フォーカスエラー，光磁気信
号等を検出する第１，第２のフォトディテクタ（第１，
第２の光磁気フォトディテクタ）４９，４８、及び、上
記レーザダイオード４０ａから出射されるレーザビーム
を上記光磁気ディスク１に照射し、戻り光を上記第１，
第２のフォトディテクタ４９，４８に照射するマイクロ
プリズム４５が、レーザカプラ４０内に設けられてい
る。

【００６６】また、光学ブロック４３は、照射される光
を全反射する全反射膜４２と、Ｓ偏光成分の光は透過し
Ｐ偏光成分の光は反射する特性を有する偏光ビームスプ
リッタ膜４３ａとがそれぞれ所定の角度をもって且つ平
行に設けられている。

【００６７】また、旋光板４４は、上記光学ブロック４
３の偏光ビームスプリッタ膜４３ａを透過して出射され
るレーザビームが照射されるように設けられている。

【００６８】上記マイクロプリズム４５の反射面及び入
射面は互いに逆の所定の角度の斜面となっており、上記
反射面には、上記レーザダイオード４０ａからのレーザ
ビームを全て反射して上記光学ブロック４３の反射膜４
２に照射する第１の全反射膜４１が設けられており、上
記入射面には、上記光学ブロック４３の偏光ビームスプ
リッタ膜４３ａにより反射されたＰ偏光成分の戻り光を
透過する透過膜４７が設けられている。

【００６９】また、上記マイクロプリズム４５の、上記
透過膜４７を介した上記戻り光が照射される箇所には、
該戻り光を所定の割合で反射し透過する半反射膜５０が
設けられており、上記半反射膜５０により反射された戻
り光が照射される箇所には該戻り光を全反射する第２の
全反射膜４６が設けられている。

【００７０】また、上記レーザカプラ４０の、上記半反
射膜５０を透過した戻り光が照射される箇所には上記第
１のフォトディテクタ４９が設けられており、上記第２
の全反射膜４６により反射された戻り光が照射される箇
所には上記第２のフォトディテクタ４８が設けられてい
る。

【００７１】この図７に示す第３の実施例に係る光ピッ
クアップ装置において、レーザダイオード４０ａから出
射されたＳ偏光成分のレーザビームは、上記マイクロプ
リズム４５の反射面に照射され、上記第１の全反射膜４
１により所定の角度をもって反射される。この第１の全
反射膜４１により反射されたレーザビームは、上記光学
ブロック４３の反射膜４２により反射され偏光ビームス
プリッタ膜４３ａに入射される。

【００７２】上述のように、上記偏光ビームスプリッタ
膜４３ａは、Ｓ偏光成分の光を透過し、Ｐ偏光成分の光
を反射する特性を有している。このため、上記偏光ビー
ムスプリッタ膜４３ａに入射された上記Ｓ偏光成分のレ
ーザビームは、該偏光ビームスプリッタ膜４３ａを透過
して旋光板４４に入射される。

【００７３】上記旋光板４４は、上述の旋光板７と同様
の構成を有しており、右旋光板４４Ｒ，左旋光板４４Ｌ
で、上記レーザビームを光軸からそれぞれ異なる方向に
所定分旋光して出射する。この旋光板４４を介したレー
ザビームは、上記図１に示す反射ミラー８により反射さ
れ上記対物レンズ８ａを介して上記光磁気ディスク１に
照射される。

【００７４】次に、上記光磁気ディスク１にレーザビー
ムが照射されることにより生ずる戻り光は、上記対物レ
ンズ８ａ，反射ミラー８及び旋光板４４を介して上記光
学ブロック４３の偏光ビームスプリッタ膜４３ａに入射
される。上述のように、上記旋光板４４を介した戻り光
は、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分の中間の成分を有している
ため、例えば５０％の戻り光がＰ偏光成分の戻り光とし
て該偏光ビームスプリッタ膜４３ａにより反射され上記
マイクロプリズム４５の透過膜４７に照射される。

【００７５】上記透過膜４７に照射された上記Ｐ偏光成
分の戻り光は、該透過膜４７を透過して、所定の入射角
をもって上記マイクロプリズム４５内に入射され上記半
反射膜５０に照射される。そして、上記半反射膜５０を
透過して上記第１のフォトディテクタ４９に照射される
とともに、該半反射膜５０により反射され上記第２の全
反射膜４６に照射される。

【００７６】そして、上記第２の全反射膜４６に照射さ
れた上記戻り光は、該第２の全反射膜４６により全反射
され上記第２のフォトディテクタ４８に照射される。

【００７７】図８に示すように、上記第１のフォトディ
テクタ４９は、その内部が第１〜第３の受光領域Ａ１〜
Ａ３に分割されており、また、上記第２のフォトディテ
クタ４８は、その内部が第１〜第３の受光領域Ｂ１〜Ｂ
３に分割されている。そして、各フォトディテクタ４
９，４８は、この各受光領域で上記戻り光を受光し、例
えば、以下の数式１に基づいて光磁気信号を検出すると
ともに、トラッキングエラー及びフォーカスエラーを検
出する。

【００７８】光磁気信号＝（Ａ１＋Ｂ３）−（Ａ３＋Ｂ１）・・・数式１

【００７９】この第３の実施例に係る光ピックアップ装
置は、上記偏光ビームスプリッタ膜４３ａで反射された
Ｐ偏光成分の戻り光を、受光領域が３分割された上記第
１，第２のフォトディテクタ４９，４８で受光して上記
光磁気信号とともにトラッキングエラー，フォーカスエ
ラーを検出することができる。このため、上記第１の実
施例に係る光ピックアップ装置と同じ効果を得ることが
できるうえ、設けるフォトディテクタを２つ（第１，第
２のフォトディテクタ４９，４８）とすることができ、
部品点数の削減を通じてさらにローコスト化を図ること
ができる。

【００８０】なお、上述の各実施例の説明では、旋光手
段として右旋光板及び左旋光板を組み合わせた旋光板を
用いることとしたが、これは、１／２波長板の光学軸を
変えたものを２枚組み合わせたものを用いるようにして
もよい。

【００８１】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
係る光ピックアップ装置は、同一基板上に、レーザ光
源，光磁気信号を検出する光磁気フォトディテクタ（及
びトラッキングエラー，フォーカスエラーを検出するた
めの第１，第２のフォトディテクタ）、及び、光磁気デ
ィスクに照射するレーザビームを反射するとともに、戻
り光を上記各フォトディテクタに照射するためのマイク
ロプリズムを設け、偏光ビームスプリッタ膜及び反射膜
からなる光学ブロック、レーザビーム及び戻り光を光軸
を境に異なる旋光角として出射する旋光素子により光磁
気信号等の検波を行う構成とすることにより、上記光磁
気記録信号の形成に上記偏光ビームスプリッタ膜を用い
ることができ、集束光中でも光磁気記録信号の品質劣化
を生じずに取り扱うことを可能とすることができる光磁
気レーザカプラを実現することができる。

【００８２】また、偏光ビームスプリッタ膜を用いて上
記レーザビームの戻り光の検波を行うため、該偏光ビー
ムスプリッタ膜の特性で決まる消光比まで同相除去を行
うことができ、同相除去比の高い高品位な光磁気光学系
を達成することができる。

【００８３】また、通常のビームスプリッタの反射膜
は、光学的位相特性（リターデーション）を考慮して量
産する必要があるためコスト高となるが、本発明に係る
光ピックアップ装置は、上記偏光ビームスプリッタ膜を
用いているため、リターデーションは発生しない。この
ため、上記リターデーションを考慮して量産しなくてよ
い分ローコスト化に貢献することができる。

【００８４】また、上記偏光ビームスプリッタ膜を用い
て戻り光の光量のみ検波しており、往路の光量は１００
％透過させるため、カップリング効率の向上を図ること
ができる。

【００８５】また、往路のカップリング効率に影響を与
えることなく、旋光素子の第１の旋光部，第２の旋光部
の旋光角を任意に設定して、上記各フォトディテクタに
照射する戻り光の光量を任意に設定することができる。

【００８６】具体的には、上記第１の旋光部，第２の旋
光部の回転角をそれぞれ０度〜４５度まで変化させるこ
とにより、上記各フォトディテクタに照射される戻り光
の光量を０％〜１００％に可変することができる。

【００８７】このため、上記光磁気記録信号，フォーカ
スエラー信号，トラッキングエラー信号の増幅回路等の
後段の増幅回路の設計に自由度を増すことができる。従
って、信号に応じた適正な増幅度となるように上記後段
の増幅回路の増幅率を設定することができ、Ｓ／Ｎ比の
向上を図ることができる。

【００８８】また、上記旋光素子は、旋光角を変化させ
るだけで、波長板のように位相差は変化させない。この
ため、レーザ光源の発振波長のバラツキの影響を受ける
ことがない。従って、２波長以上のレーザビームを同一
の光学系内において取り扱うことを可能とすることがで
きる。

【００８９】また、上記旋光素子において、上記第１，
第２の旋光部の旋光角度が異なっていても、上記２つの
戻り光は、右旋光板７Ｒ及び左旋光板７Ｌを順に介して
形成された戻り光と、左旋光板７Ｌ及び右旋光板７Ｒを
順に介して形成された戻り光とにより形成されることと
なるため、該２つの戻り光のレベルを等しくすることが
できる。このため、当該光ピックアップ装置に用いる各
素子の仕様の自由度を増すことができる。

【００９０】また、上記偏光ビームスプリッタ膜を用い
た光学ブロックは、通常の光ピックアップ装置に設けら
れる光磁気用ビームスプリッタと比較して安価に作製す
ることができる。また、本発明に係る光ピックアップ装
置では、偏光ビームスプリッタ膜を１つだけしか用いて
いない。また、偏光ビームスプリッタ膜を１つだけしか
用いていないため、光路を大幅に縮めることができる。
また、上記旋光板７も、ウォーラストンプリズムよりも
安価に作製することができる。さらに、上記レーザ光
源、光磁気フォトディテクタ（及び第１，第２のフォト
ディテクタ）、マイクロプリズム５が、同一基板上に設
けられている。

【００９１】このため、当該光ピックアップ装置自体を
小型化しローコスト化を達成することができるうえ、各
信号検出に係る各部品の面倒な位置合わせの作業の軽減
を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光ピックアップ装置を光磁気ディ
スク記録再生装置の光学系に適用した場合における第１
の実施例に係る光ピックアップ装置の断面図である。

【図２】上記第１の実施例に係る光ピックアップ装置の
要部を示した断面図である。

【図３】上記第１の実施例に係る光ピックアップ装置に
設けられている旋光板の模式図である。

【図４】上記旋光板を介したレーザビーム及び戻り光の
旋光角を説明するための模式図である。

【図５】上記第１の実施例に係る光ピックアップ装置に
設けられているフォトディテクタのブロック図である。

【図６】本発明の第２の実施例に係る光ピックアップ装
置の要部の断面図である。

【図７】本発明の第３の実施例に係る光ピックアップ装
置の要部の断面図である。

【図８】上記第３の実施例に係る光ピックアップ装置に
設けられている第１，第２のフォトディテクタを示す模
式図である。

【符号の説明】１・・・・・・・・・・光磁気ディスク１ａ・・・・・・・・・光磁気ディスクの光磁気膜２，４０・・・・・・・レーザカプラ２ａ，４０ａ・・・・・レーザダイオード３・・・・・・・・・・半反射膜（第１の半反射膜）４・・・・・・・・・・全反射膜５，４５・・・・・・・マイクロプリズム６，４３・・・・・・・光学ブロック６ａ，４３ａ・・・・・偏光ビームスプリッタ膜７，４４・・・・・・・旋光板７Ｒ，４４Ｒ・・・・・右旋光板７Ｌ，４４Ｌ・・・・・左旋光板８・・・・・・・・・・反射ミラー８ａ・・・・・・・・・対物レンズ８ｂ・・・・・・・・・全反射膜９・・・・・・・・・・第１のフォトディテクタ１０・・・・・・・・・第２のフォトディテクタ１１・・・・・・・・・光磁気フォトディテクタ１１ａ，１１ｂ・・・・第１，第２の受光部２０・・・・・・・・・差動増幅回路２１・・・・・・・・・出力端子３０・・・・・・・・・間接部３１・・・・・・・・・第２の半反射膜３２，３３・・・・・・第１，第２の透過膜４１，４６・・・・・・第１，第２の全反射膜４２・・・・・・・・・全反射膜４７・・・・・・・・・透過膜４８・・・・・・・・・第２のフォトディテクタ４９・・・・・・・・・第１のフォトディテクタ

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成６年４月６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３０】上記旋光板７は、図３に示すようにレー
ザビーム及び戻り光の光軸を境にして設けられる右旋光
板７Ｒ及び左旋光板７Ｌから構成されている。このた
め、上記旋光板７に入射されるレーザビームは、図４
（ｂ）に示すように所定の角度（＋α）だけ右方向に旋
光されて出射され、上記左旋光板７Ｌに入射されたレー
ザビームは、同図（ｃ）に示すように所定の角度（−
α）だけ左方向に旋光されて出射される。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３２】次に、上記レーザビームを上記光磁気デ
ィスク１に照射することにより戻り光が生ずる。この戻
り光の偏光面は、上記光磁気ディスク１に記録されてい
るデータの磁化の向きに従ってわずかに回転する現象、
所謂カー効果によりθｋ（＝カー回転角）回転する。そ
して、偏光面がθｋ回転した上記戻り光は、上記対物レ
ンズ８ａを介して上記反射ミラー８により反射され上記
旋光板７に入射される。なお、上記旋光板７に入射され
る戻り光のうち、上記右旋光板７Ｒを介して出射された
レーザビームに係る戻り光は、上記旋光板７内の左旋光
板７Ｌに入射され、上記旋光板７内の左旋光板７Ｌを介
して出射されたレーザビームに係る戻り光は、上記旋光
板７内の右旋光板７Ｒに入射される。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３５】具体的には、例えば、α＝２２．５度と
設定すると、上記＋２α＋θｋの旋光角は、＋４５°＋
θｋとなり、上記−２α＋θｋの旋光角は、−４５°＋
θｋとなる。

【手続補正４】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図４

【補正方法】変更

【補正内容】

【図４】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光磁気ディスクに照射するためのレーザ
ビームを出射するレーザ光源と、上記レーザ光源からのレーザビームを反射する反射面、
及び、上記レーザビームが上記光磁気ディスクに照射さ
れることにより生ずる戻り光が入射される入射面を有す
るマイクロプリズムと、上記マイクロプリズムの入射面を介して照射される戻り
光を受光して上記光磁気ディスクに記録されている光磁
気信号を検出する光磁気フォトディテクタと、入射されるレーザビーム及び戻り光を所定の角度だけ旋
光して出射する第１の旋光部と、入射されるレーザビー
ム及び戻り光を、上記第１の旋光部とは逆に所定の角度
だけ旋光して出射する第２の旋光部とが、上記レーザビ
ーム及び戻り光の光軸を境にして設けられている旋光素
子と、偏光ビームスプリッタ膜と全反射膜とを、それぞれ所定
の角度をもって且つ平行に設けることにより構成され、
上記マイクロプリズムからのレーザビームを反射して上
記旋光素子に照射し、また、上記旋光素子からの戻り光
を反射して上記マイクロプリズムの入射面に照射する光
学ブロックと、上記旋光素子からのレーザビームを収束して上記光磁気
ディスクに照射する対物レンズとを有し、上記レーザ光源，マイクロプリズム及び光磁気フォトデ
ィテクタは、同一基板上に設けられることを特徴とする
光ピックアップ装置。
【請求項２】フォーカスエラー及びトラッキングエラ
ーを検出するための第１，第２のフォトディテクタを有
し、上記光学ブロックは、上記マイクロプリズムにより反射
されたレーザビームを上記偏光ビームスプリッタ膜で反
射して上記旋光素子に照射するとともに、上記戻り光を
該偏光ビームスプリッタ膜で反射して上記マイクロプリ
ズムの反射面に照射し、また、上記偏光ビームスプリッ
タ膜を透過した戻り光を上記全反射膜で反射して上記マ
イクロプリズムの入射面に照射し、上記マイクロプリズムの反射面には、上記レーザ光源か
らのレーザビーム、及び、上記偏光ビームスプリッタ膜
により反射された戻り光を所定の割合で反射し透過する
第１の半反射膜が設けられており、また、上記第１の半
反射膜を透過した上記戻り光が照射される箇所には該戻
り光を所定の割合で反射し透過する第２の半反射膜が設
けられており、また、上記第２の半反射膜により反射さ
れた上記戻り光が照射される箇所には該戻り光を全て反
射する全反射膜が設けられており、また、上記全反射膜
により反射された上記戻り光が照射される箇所、及び、
上記光学ブロックの全反射膜からの戻り光が入射される
入射面を介して入射された戻り光が出射される箇所に
は、所定の入射角までの戻り光を透過し該所定の入射角
以上の戻り光を反射する第１の透過膜が設けられてお
り、上記入射面には上記光学ブロックの反射膜により反
射された戻り光を透過する第２の透過膜が設けられてお
り、上記基板上の、上記マイクロプリズムの第２の半反射膜
を透過した戻り光が照射される箇所には上記第１のフォ
トディテクタが設けられており、上記マイクロプリズム
の全反射膜により反射され上記第１の透過膜を透過した
上記戻り光が照射される箇所には上記第２のフォトディ
テクタが設けられており、上記入射面及び上記第１の透
過膜を透過した、上記全反射膜により反射された戻り光
が照射される箇所には、上記光磁気フォトディテクタが
設けられていることを特徴とする請求項１記載の光ピッ
クアップ装置。
【請求項３】上記光磁気フォトディテクタは、第１の
光磁気フォトディテクタ及び第２の光磁気フォトディテ
クタにより構成され、上記光学ブロックは、マイクロプリズムの反射面で反射
されたレーザビームを上記全反射膜で反射し、これを上
記偏光ビームスプリッタ膜を介して上記旋光素子に照射
し、上記旋光素子を介して照射される戻り光を偏光ビー
ムスプリッタ膜で反射して上記マイクロプリズムの入射
面に照射し、上記マイクロプリズムの反射面には上記レーザ光源から
のレーザビームを全反射する第１の全反射膜が設けら
れ、入射面には上記偏光ビームスプリッタ膜により反射
された戻り光を透過する透過膜が設けられ、上記透過膜
を介した戻り光が照射される箇所には該戻り光を所定の
割合で反射し透過する半反射膜が設けられ、上記半反射
膜により反射された戻り光が照射される箇所には該戻り
光を全反射する第２の全反射膜が設けられ、上記基板上の、上記マイクロプリズムの半反射膜を透過
した戻り光が照射される箇所には上記第１の光磁気フォ
トディテクタが設けられ、上記マイクロプリズムの第２
の全反射膜により反射された戻り光が照射される箇所に
は上記第２の光磁気フォトディテクタが設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。