JPH06333917A - 半導体ウエーハの酸化前処理方法 - Google Patents
半導体ウエーハの酸化前処理方法Info
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- JPH06333917A JPH06333917A JP11747693A JP11747693A JPH06333917A JP H06333917 A JPH06333917 A JP H06333917A JP 11747693 A JP11747693 A JP 11747693A JP 11747693 A JP11747693 A JP 11747693A JP H06333917 A JPH06333917 A JP H06333917A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエーハの酸化前処理方法に関し、薄
くて、しかも信頼性の高い熱酸化膜を形成することが可
能な半導体ウエーハの酸化前処理方法の提供を目的とす
る。 【構成】 半導体ウエーハ１上に半導体酸化膜を形成す
る際の半導体ウエーハ１の酸化前処理方法であって、該
半導体ウエーハ１を弗酸により処理し該半導体ウエーハ
１面の自然酸化膜を除去する工程と、該自然酸化膜の除
去を終わった半導体ウエーハ１面に、酸素若しくは酸素
を含むガスの減圧雰囲気２中において紫外線（ＵＶ）を
照射し、該半導体ウエーハ１面に前記半導体酸化膜の下
地となる初期酸化膜を形成する工程とを有するように構
成する。
くて、しかも信頼性の高い熱酸化膜を形成することが可
能な半導体ウエーハの酸化前処理方法の提供を目的とす
る。 【構成】 半導体ウエーハ１上に半導体酸化膜を形成す
る際の半導体ウエーハ１の酸化前処理方法であって、該
半導体ウエーハ１を弗酸により処理し該半導体ウエーハ
１面の自然酸化膜を除去する工程と、該自然酸化膜の除
去を終わった半導体ウエーハ１面に、酸素若しくは酸素
を含むガスの減圧雰囲気２中において紫外線（ＵＶ）を
照射し、該半導体ウエーハ１面に前記半導体酸化膜の下
地となる初期酸化膜を形成する工程とを有するように構
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエーハ上に薄い
良質な半導体酸化膜を形成するための酸化前処理方法に
関する。
良質な半導体酸化膜を形成するための酸化前処理方法に
関する。
【０００２】最近の半導体装置の高密度高集積化に伴う
半導体素子の微細化により、例えばＭＯＳ型半導体装置
においては、ゲート酸化膜の厚さを半導体ウエーハ面に
形成される自然酸化膜に近い厚さまで薄膜化することが
望まれている。このように薄いゲート酸化膜を有するＭ
ＯＳ型半導体装置においてはゲート酸化膜の膜質の低下
に起因する素子特性の変動や劣化が問題であり、ゲート
酸化膜膜質の信頼性向上が強く望まれる。
半導体素子の微細化により、例えばＭＯＳ型半導体装置
においては、ゲート酸化膜の厚さを半導体ウエーハ面に
形成される自然酸化膜に近い厚さまで薄膜化することが
望まれている。このように薄いゲート酸化膜を有するＭ
ＯＳ型半導体装置においてはゲート酸化膜の膜質の低下
に起因する素子特性の変動や劣化が問題であり、ゲート
酸化膜膜質の信頼性向上が強く望まれる。
【０００３】
【従来の技術】従来のＭＯＳ型半導体装置の製造工程に
おいて、ゲート酸化膜は、供給された半導体ウエーハを
例えばアンモニア(NH4OH) と過酸化水素(H2O2)と水(H
2O) の混液、或いは塩酸(HCl) とH2O2とH2O の混液等か
らなる室温乃至80℃程度酸化前処理液で処理しウエーハ
表面に形成されている自然酸化膜（汚染物質を吸蔵して
いる）やウエーハ表面に付着している汚染物質を除去し
た後、このウェットな前処理によって清浄化されたウエ
ーハの表面に熱酸化によって形成されていた。熱酸化
は、ドライ酸素(O2)中でウエーハを約1000℃程度の温度
に加熱することにより行われ、数ｎｍ程度の薄いゲート
酸化膜を形成する際には、O2の分圧酸化或いは減圧酸化
の方法が用いられる。
おいて、ゲート酸化膜は、供給された半導体ウエーハを
例えばアンモニア(NH4OH) と過酸化水素(H2O2)と水(H
2O) の混液、或いは塩酸(HCl) とH2O2とH2O の混液等か
らなる室温乃至80℃程度酸化前処理液で処理しウエーハ
表面に形成されている自然酸化膜（汚染物質を吸蔵して
いる）やウエーハ表面に付着している汚染物質を除去し
た後、このウェットな前処理によって清浄化されたウエ
ーハの表面に熱酸化によって形成されていた。熱酸化
は、ドライ酸素(O2)中でウエーハを約1000℃程度の温度
に加熱することにより行われ、数ｎｍ程度の薄いゲート
酸化膜を形成する際には、O2の分圧酸化或いは減圧酸化
の方法が用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記のようにウ
ェットな酸化前処理を行う従来のゲート酸化膜形成工程
においては、酸化前処理においてウエーハの表面に新た
に１〜２ｎｍ程度の厚さのウェットな自然酸化膜が形成
され、この自然酸化膜が前処理液中の汚染物質を取り込
んでいるために、この自然酸化膜を下地に含んで形成さ
れるゲート酸化膜の膜厚が例えば５ｎｍ程度に薄膜化さ
れた場合、ゲート酸化膜に占める前記ウェットな自然酸
化膜の割合が大きくなるために、そこに取り込まれてい
る汚染物質によってゲート酸化膜の膜質の信頼性が低下
し、それに伴って、高集積化され上記のようにゲート酸
化膜厚が縮小されるＭＯＳ型半導体装置の性能及び信頼
性が劣化するという問題を生じていた。
ェットな酸化前処理を行う従来のゲート酸化膜形成工程
においては、酸化前処理においてウエーハの表面に新た
に１〜２ｎｍ程度の厚さのウェットな自然酸化膜が形成
され、この自然酸化膜が前処理液中の汚染物質を取り込
んでいるために、この自然酸化膜を下地に含んで形成さ
れるゲート酸化膜の膜厚が例えば５ｎｍ程度に薄膜化さ
れた場合、ゲート酸化膜に占める前記ウェットな自然酸
化膜の割合が大きくなるために、そこに取り込まれてい
る汚染物質によってゲート酸化膜の膜質の信頼性が低下
し、それに伴って、高集積化され上記のようにゲート酸
化膜厚が縮小されるＭＯＳ型半導体装置の性能及び信頼
性が劣化するという問題を生じていた。
【０００５】そこで従来、上記ゲート酸化膜の信頼性低
下を防止するために、前記混液による酸化前処理の後に
更に弗酸(HF)系の液による前処理を追加し、前記混液に
よる前処理で形成された自然酸化膜を除去し、その面を
酸化膜形成面とする方法も試みられた。しかしこの方法
によると弗酸系液による前処理後ウエーハの表面が水素
終端され、その後に形成されるゲート酸化膜の膜質が不
安定になって耐圧が劣化することが認められ、実用には
到っていない。
下を防止するために、前記混液による酸化前処理の後に
更に弗酸(HF)系の液による前処理を追加し、前記混液に
よる前処理で形成された自然酸化膜を除去し、その面を
酸化膜形成面とする方法も試みられた。しかしこの方法
によると弗酸系液による前処理後ウエーハの表面が水素
終端され、その後に形成されるゲート酸化膜の膜質が不
安定になって耐圧が劣化することが認められ、実用には
到っていない。
【０００６】そこで本発明は、半導体ウエーハ面に、薄
くて、しかも信頼性の高い熱酸化膜を形成することが可
能な半導体ウエーハの酸化前処理方法を提供し、高集積
化されゲート酸化膜厚が極度に縮小されるＭＯＳ型半導
体装置の性能及び信頼性を向上させることを目的とす
る。
くて、しかも信頼性の高い熱酸化膜を形成することが可
能な半導体ウエーハの酸化前処理方法を提供し、高集積
化されゲート酸化膜厚が極度に縮小されるＭＯＳ型半導
体装置の性能及び信頼性を向上させることを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、半導
体ウエーハ上に半導体酸化膜を形成する際の半導体ウエ
ーハの酸化前処理方法であって、該半導体ウエーハを弗
酸により処理し該半導体ウエーハ面の自然酸化膜を除去
する工程と、該自然酸化膜の除去を終わった半導体ウエ
ーハ面に、酸素若しくは酸素を含むガスの減圧雰囲気中
において紫外線を照射し、該半導体ウエーハ面に前記半
導体酸化膜の下地となる初期酸化膜を形成する工程とを
有することを特徴とする半導体ウエーハの酸化前処理方
法によって達成される。
体ウエーハ上に半導体酸化膜を形成する際の半導体ウエ
ーハの酸化前処理方法であって、該半導体ウエーハを弗
酸により処理し該半導体ウエーハ面の自然酸化膜を除去
する工程と、該自然酸化膜の除去を終わった半導体ウエ
ーハ面に、酸素若しくは酸素を含むガスの減圧雰囲気中
において紫外線を照射し、該半導体ウエーハ面に前記半
導体酸化膜の下地となる初期酸化膜を形成する工程とを
有することを特徴とする半導体ウエーハの酸化前処理方
法によって達成される。
【０００８】
【作用】即ち本発明の方法においては、前記混液処理を
行い表面の自然酸化膜及び汚染物質を除去した半導体ウ
エーハを用い、このウエーハを弗酸系の液によりウェッ
ト処理して前記混液処理によりウエーハ表面に形成され
たウェットな自然酸化膜（厚さ２ｎｍ程度）を除去し、
更にこのウエーハに減圧酸素雰囲気中で紫外線（ＵＶ）
を照射し、このＵＶ照射により雰囲気中の酸素をオゾン
化させ、このオゾンによって前記弗酸系液によるウェッ
ト処理でウエーハ表面に終端している水素を離脱させる
ことでウエーハ表面に、酸化形成される半導体酸化膜の
下地になるごく薄いドライな初期酸化膜を形成させる。
行い表面の自然酸化膜及び汚染物質を除去した半導体ウ
エーハを用い、このウエーハを弗酸系の液によりウェッ
ト処理して前記混液処理によりウエーハ表面に形成され
たウェットな自然酸化膜（厚さ２ｎｍ程度）を除去し、
更にこのウエーハに減圧酸素雰囲気中で紫外線（ＵＶ）
を照射し、このＵＶ照射により雰囲気中の酸素をオゾン
化させ、このオゾンによって前記弗酸系液によるウェッ
ト処理でウエーハ表面に終端している水素を離脱させる
ことでウエーハ表面に、酸化形成される半導体酸化膜の
下地になるごく薄いドライな初期酸化膜を形成させる。
【０００９】上記のように減圧酸素雰囲気中で形成され
る初期酸化膜は、十分清浄な雰囲気が得られること及び
減圧状態にあるために酸化膜中に雰囲気（特に雰囲気中
に微量に含まれる汚染物質）が取り込まれることがない
こと等により、良質な信頼性の高い膜質となり、またそ
の厚さも極度に薄く形成することが可能である。
る初期酸化膜は、十分清浄な雰囲気が得られること及び
減圧状態にあるために酸化膜中に雰囲気（特に雰囲気中
に微量に含まれる汚染物質）が取り込まれることがない
こと等により、良質な信頼性の高い膜質となり、またそ
の厚さも極度に薄く形成することが可能である。
【００１０】従って、この初期酸化膜を下地として形成
される薄い半導体酸化膜は、良質でしかも信頼性の高い
膜となり、例えばこの半導体酸化膜をゲート酸化膜とし
て製造される高集積度のＭＯＳ型半導体装置の性能及び
信頼性は向上する。
される薄い半導体酸化膜は、良質でしかも信頼性の高い
膜となり、例えばこの半導体酸化膜をゲート酸化膜とし
て製造される高集積度のＭＯＳ型半導体装置の性能及び
信頼性は向上する。
【００１１】
【実施例】以下本発明を、図を参照し、実施例により具
体的に説明する。図１は本発明の一実施例に用いた酸化
前処理装置の模式構成図、図２は反応チャンバ内の残留
水素のプロファイル図、図３は反応チャンバ内の残留酸
素のプロファイル図、図４はＵＶ照射前後のシリコン表
面のスペクトルを示す図、図５は熱酸化膜の耐圧分布図
で、(a) は従来方法によるもの、(b) は本発明の酸化前
処理を適用したものを示す。
体的に説明する。図１は本発明の一実施例に用いた酸化
前処理装置の模式構成図、図２は反応チャンバ内の残留
水素のプロファイル図、図３は反応チャンバ内の残留酸
素のプロファイル図、図４はＵＶ照射前後のシリコン表
面のスペクトルを示す図、図５は熱酸化膜の耐圧分布図
で、(a) は従来方法によるもの、(b) は本発明の酸化前
処理を適用したものを示す。
【００１２】本発明の方法により半導体ウエーハ即ちシ
リコンウエーハの酸化前処理を行うには、例えば図１に
示すような装置を用いる。この図１において、１はシリ
コンウエーハ、２は石英ガラス等で形成されている反応
チャンバ、３は赤外線ランプ、４は真空計、５はＵＶラ
ンプ、６はＵＶ反射ミラー、７は真空バルブ、８はター
ボポンプ、９はドライポンプ、10は質量分析計（Ｑ−ｍ
ａｓｓ）を示す。
リコンウエーハの酸化前処理を行うには、例えば図１に
示すような装置を用いる。この図１において、１はシリ
コンウエーハ、２は石英ガラス等で形成されている反応
チャンバ、３は赤外線ランプ、４は真空計、５はＵＶラ
ンプ、６はＵＶ反射ミラー、７は真空バルブ、８はター
ボポンプ、９はドライポンプ、10は質量分析計（Ｑ−ｍ
ａｓｓ）を示す。
【００１３】処理に際しては、従来通り通常の前記アン
モニア(NH4OH) と過酸化水素(H2O2)と水(H2O) の混液等
による自然酸化膜及び汚染物質除去のウェット処理を終
わったシリコンウエーハを、先ず例えば 1.5wt％の弗酸
溶液に浸漬処理して、前記混液処理により表面に形成さ
れている厚さ２ｎｍ程度の自然酸化膜を除去しシリコン
ウエーハの表面を水素終端させる。
モニア(NH4OH) と過酸化水素(H2O2)と水(H2O) の混液等
による自然酸化膜及び汚染物質除去のウェット処理を終
わったシリコンウエーハを、先ず例えば 1.5wt％の弗酸
溶液に浸漬処理して、前記混液処理により表面に形成さ
れている厚さ２ｎｍ程度の自然酸化膜を除去しシリコン
ウエーハの表面を水素終端させる。
【００１４】次いで、図１に示すように、この弗酸処理
を終わったシリコンウエーハ１を酸素を含むガスである
例えば大気が充たされている反応チャンバ２内に挿入
し、ターボポンプ８及びドライポンプ９を用いて真空排
気を継続して行い、反応チャンバ２内を10-8Torr程度の
減圧状態に維持する。
を終わったシリコンウエーハ１を酸素を含むガスである
例えば大気が充たされている反応チャンバ２内に挿入
し、ターボポンプ８及びドライポンプ９を用いて真空排
気を継続して行い、反応チャンバ２内を10-8Torr程度の
減圧状態に維持する。
【００１５】次いでこの減圧状態で、赤外線ランプ３に
よりシリコンウエーハ１を例えば表面温度 300℃に昇温
させ、その状態で例えばマイクロ波励起高圧水銀ランプ
等からなるＵＶランプ５によりＵＶ反射ミラー６を介し
シリコンウエーハ１の表面にＵＶ光を例えば５分間照射
する。このＵＶ照射で半導体基板１面には１ｎｍ以下の
薄い初期酸化膜が形成される。ここで本発明に係るシリ
コン（半導体）ウエーハの酸化前処理は完了する。
よりシリコンウエーハ１を例えば表面温度 300℃に昇温
させ、その状態で例えばマイクロ波励起高圧水銀ランプ
等からなるＵＶランプ５によりＵＶ反射ミラー６を介し
シリコンウエーハ１の表面にＵＶ光を例えば５分間照射
する。このＵＶ照射で半導体基板１面には１ｎｍ以下の
薄い初期酸化膜が形成される。ここで本発明に係るシリ
コン（半導体）ウエーハの酸化前処理は完了する。
【００１６】図２は上記真空排気を継続している途中
で、上記ＵＶ照射を行った時の反応チャンバ２内の残留
水素の分圧をＱ−ｍａｓｓ10で調べた結果である。紫外
光の照射即ちＵＶ−ＯＮの時点で、シリコンウエーハ１
面から水素が離脱したことを示す水素離脱ピークＨP が
鋭く現れているのがわかる。
で、上記ＵＶ照射を行った時の反応チャンバ２内の残留
水素の分圧をＱ−ｍａｓｓ10で調べた結果である。紫外
光の照射即ちＵＶ−ＯＮの時点で、シリコンウエーハ１
面から水素が離脱したことを示す水素離脱ピークＨP が
鋭く現れているのがわかる。
【００１７】同様に残留酸素の分圧を調べたのが図３で
ある。この酸素分圧はＵＶ−ＯＮと共に10-9Torr程度減
少するのがわかる。これは酸素がＵＶ照射によりオゾン
化され、このオゾンがシリコンウエーハ表面から水素を
離脱させる表面反応に消費されたことを示している。
ある。この酸素分圧はＵＶ−ＯＮと共に10-9Torr程度減
少するのがわかる。これは酸素がＵＶ照射によりオゾン
化され、このオゾンがシリコンウエーハ表面から水素を
離脱させる表面反応に消費されたことを示している。
【００１８】また、ウエーハ１の表面の状態がＵＶ照射
前と照射後でどのように変化しているかを、全反射フー
リエ変換赤外分光器（ＦＴＩＲ−ＡＴＲ）を用いて調べ
た結果が図４である。図４中にＢで示したのがＵＶ照射
前のスペクトルで、Ａで示したのがＵＶ照射後のスペク
トルである。ＵＶ照射前のＢのスペクトルには波長2050
〜2150Åの間にSi-H、Si-H2 、Si-H3 等からなるウエー
ハ面の水素終端を表す伸縮スペクトルが大きく現れてい
るが、ＵＶ照射処理後はスペクトルＡに示すように、シ
リコンウエーハ１表面の酸化により上記に対応する伸縮
スペクトルが大幅に縮小することがわかる。これは、Ｕ
Ｖ照射によって表面が薄く酸化され、水素が脱離したこ
とを示している。
前と照射後でどのように変化しているかを、全反射フー
リエ変換赤外分光器（ＦＴＩＲ−ＡＴＲ）を用いて調べ
た結果が図４である。図４中にＢで示したのがＵＶ照射
前のスペクトルで、Ａで示したのがＵＶ照射後のスペク
トルである。ＵＶ照射前のＢのスペクトルには波長2050
〜2150Åの間にSi-H、Si-H2 、Si-H3 等からなるウエー
ハ面の水素終端を表す伸縮スペクトルが大きく現れてい
るが、ＵＶ照射処理後はスペクトルＡに示すように、シ
リコンウエーハ１表面の酸化により上記に対応する伸縮
スペクトルが大幅に縮小することがわかる。これは、Ｕ
Ｖ照射によって表面が薄く酸化され、水素が脱離したこ
とを示している。
【００１９】以上のようにして本発明に係る酸化前処理
を行ったシリコンウエーハ１に対し、引続き前記同様の
雰囲気を有する前記処理装置内で前記赤外線ランプ３に
より1000℃、３分のランプ酸化を行いシリコンウエーハ
１の表面に、前記初期酸化膜を下地に含み、例えばゲー
ト酸化膜等になる、厚さ５ｎｍのシリコン酸化膜を形成
した。
を行ったシリコンウエーハ１に対し、引続き前記同様の
雰囲気を有する前記処理装置内で前記赤外線ランプ３に
より1000℃、３分のランプ酸化を行いシリコンウエーハ
１の表面に、前記初期酸化膜を下地に含み、例えばゲー
ト酸化膜等になる、厚さ５ｎｍのシリコン酸化膜を形成
した。
【００２０】図５(b) はこの実施例により形成した厚さ
５ｎｍのシリコン酸化膜の耐圧の分布を示した図で、分
布の中心が10〜11ＭＶ付近に集中していることがわか
る。これに対し図５(a) は従来のアンモニアと過酸化水
素と水等よりなる混液処理のみを施したシリコンウエー
ハ（自然酸化膜厚２ｎｍ程度）の表面に上記同様の温度
によるランプ酸化を１分間程度行って形成した厚さ５ｎ
ｍのシリコン酸化膜の耐圧の分布を調べた結果を示した
もので、耐圧の分布の中心は８ＭＶ付近である。
５ｎｍのシリコン酸化膜の耐圧の分布を示した図で、分
布の中心が10〜11ＭＶ付近に集中していることがわか
る。これに対し図５(a) は従来のアンモニアと過酸化水
素と水等よりなる混液処理のみを施したシリコンウエー
ハ（自然酸化膜厚２ｎｍ程度）の表面に上記同様の温度
によるランプ酸化を１分間程度行って形成した厚さ５ｎ
ｍのシリコン酸化膜の耐圧の分布を調べた結果を示した
もので、耐圧の分布の中心は８ＭＶ付近である。
【００２１】このことは、本発明に係る酸化前処理を行
った後にその表面に形成した薄いシリコン酸化膜は、従
来の方法で形成した薄いシリコン酸化膜に比べて高品質
で耐圧に優れた信頼性の高い酸化シリコン膜になること
を示している。
った後にその表面に形成した薄いシリコン酸化膜は、従
来の方法で形成した薄いシリコン酸化膜に比べて高品質
で耐圧に優れた信頼性の高い酸化シリコン膜になること
を示している。
【００２２】また上記優れた効果には、ＵＶ光により励
起されたオゾンによるウエーハ表面のクリーニング効果
も副次的に寄与していると考えられる。なお、ＵＶ照射
の雰囲気は、上記大気の減圧雰囲気に限られるものでは
なく、酸素のみの減圧雰囲気、或いは酸素を含む不活性
ガスの減圧雰囲気でもよい。
起されたオゾンによるウエーハ表面のクリーニング効果
も副次的に寄与していると考えられる。なお、ＵＶ照射
の雰囲気は、上記大気の減圧雰囲気に限られるものでは
なく、酸素のみの減圧雰囲気、或いは酸素を含む不活性
ガスの減圧雰囲気でもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上説明のように、本発明の半導体ウエ
ーハの酸化前処理方法の適用により、半導体ウエーハの
表面に、高品質で信頼性が高く、しかも極めて薄い半導
体酸化膜を形成することができる。従って本発明は、高
集積化されゲート酸化膜が極度に薄く形成されるＭＯＳ
型半導体装置の品質及び信頼性の向上に寄与するところ
が大きい。
ーハの酸化前処理方法の適用により、半導体ウエーハの
表面に、高品質で信頼性が高く、しかも極めて薄い半導
体酸化膜を形成することができる。従って本発明は、高
集積化されゲート酸化膜が極度に薄く形成されるＭＯＳ
型半導体装置の品質及び信頼性の向上に寄与するところ
が大きい。
【図１】 本発明の一実施例に用いた酸化前処理装置の
模式構成図
模式構成図
【図２】 反応チャンバ内の残留水素のプロファイル図
【図３】 反応チャンバ内の残留酸素のプロファイル図
【図４】 ＵＶ照射前後のシリコン表面のスペクトルを
示す図
示す図
【図５】 熱酸化膜の耐圧分布図
１ シリコンウエーハ ２ 反応チャンバ ３ 赤外線ランプ ４ 真空計 ５ ＵＶランプ ６ ＵＶ反射ミラー ７ 真空バルブ ８ ターボポンプ ９ ドライポンプ 10 質量分析計（Ｑ−ｍａｓｓ）
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエーハ上に半導体酸化膜を形成
する際の半導体ウエーハの酸化前処理方法であって、 該半導体ウエーハを弗酸により処理し該半導体ウエーハ
面の自然酸化膜を除去する工程と、 該自然酸化膜の除去を終わった半導体ウエーハ面に、酸
素若しくは酸素を含むガスの減圧雰囲気中において紫外
線を照射し、該半導体ウエーハ面に前記半導体酸化膜の
下地となる初期酸化膜を形成する工程とを有することを
特徴とする半導体ウエーハの酸化前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11747693A JPH06333917A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 半導体ウエーハの酸化前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11747693A JPH06333917A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 半導体ウエーハの酸化前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333917A true JPH06333917A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14712645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11747693A Withdrawn JPH06333917A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 半導体ウエーハの酸化前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06333917A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1140560A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001023916A (ja) * | 1999-04-26 | 2001-01-26 | Joint Industrial Processors For Electronics | 電磁波によって物質を処理するための方法及び装置 |
| US7064084B2 (en) | 2001-02-28 | 2006-06-20 | Tokyo Electron Limited | Oxide film forming method |
| WO2006103845A1 (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Tokyo Electron Limited | 基板処理方法 |
| JP2007142442A (ja) * | 1997-07-01 | 2007-06-07 | Steag Rtp Systems Gmbh | シリコン基板の高速昇降温処理（ｒｔｐ）方法 |
| JP2008053560A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Meidensha Corp | 基板の表面処理方法とその装置 |
| CN111540676A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-08-14 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种硅片边缘剥离方法及硅片 |
-
1993
- 1993-05-20 JP JP11747693A patent/JPH06333917A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
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