JPH06334085A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの製造方法Info
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- JPH06334085A JPH06334085A JP14267593A JP14267593A JPH06334085A JP H06334085 A JPH06334085 A JP H06334085A JP 14267593 A JP14267593 A JP 14267593A JP 14267593 A JP14267593 A JP 14267593A JP H06334085 A JPH06334085 A JP H06334085A
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 58
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
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- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 超多ピンのリードフレームであってもプレス
とエッチングを併用してリ−ドにミスマッチや、先に形
成済のリ−ドパタ−ンに損傷が生じることなく、また生
産性よくリードフレームを製造することを目的とする。 【構成】 プレスでリードパターンの一部を形成し、残
余のリードパタ−ンをエッチングで形成してリードフレ
ームを製造するにあたり、プレスでリードパターンの一
部を形成後、プレスで形成しなかったエッチング加工領
域にフォトレジストを設け、残余のリードパターンを焼
付け、現像してフォトマスクを形成し、次いで、別のフ
ォトレジストを前記フォトマスクを形成したフォトレジ
ストの厚み以上の厚さで貼付し、その後、フォトマスク
の上の別のフォトレジストを除去し、エッチングして残
余のリードパタ−ンを形成するリードフレームの製造方
法にある。また他の要旨は前記別のフォトレジストを、
プレスで形成した一部のリードパターン域から前記フォ
トマスク外周部まで貼付し、次いでエッチングするとこ
ろにある。
とエッチングを併用してリ−ドにミスマッチや、先に形
成済のリ−ドパタ−ンに損傷が生じることなく、また生
産性よくリードフレームを製造することを目的とする。 【構成】 プレスでリードパターンの一部を形成し、残
余のリードパタ−ンをエッチングで形成してリードフレ
ームを製造するにあたり、プレスでリードパターンの一
部を形成後、プレスで形成しなかったエッチング加工領
域にフォトレジストを設け、残余のリードパターンを焼
付け、現像してフォトマスクを形成し、次いで、別のフ
ォトレジストを前記フォトマスクを形成したフォトレジ
ストの厚み以上の厚さで貼付し、その後、フォトマスク
の上の別のフォトレジストを除去し、エッチングして残
余のリードパタ−ンを形成するリードフレームの製造方
法にある。また他の要旨は前記別のフォトレジストを、
プレスで形成した一部のリードパターン域から前記フォ
トマスク外周部まで貼付し、次いでエッチングするとこ
ろにある。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は微細ピッチのリードフレ
ームをプレスとエッチングを併用して製造する方法に関
する。
ームをプレスとエッチングを併用して製造する方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置は高集積度化、高機能化及び
小型化され、これに対応してリードフレ−ムはリードが
微細で小ピッチの多ピン化しなければならない。
小型化され、これに対応してリードフレ−ムはリードが
微細で小ピッチの多ピン化しなければならない。
【0003】リードフレームは例えば100ピン以上の
ものが製造されるようになり、多ピンのリ−ドフレーム
製造として、プレスによる打抜きとエッチングでの食刻
を併用する方法が提案されている。例えば特公平3ー6
663号公報にはインナ−リード部とパッド部はエッチ
ングで形成し、アウターリード部はプレスで形成するリ
ードフレームの製造方法が提案されている。これではリ
−ドの幅、ピッチとも微細なインナーリード部はエッチ
ングで食刻でき、リ−ドの幅、ピッチとも微細さが幾分
緩和されるアウターリード部はプレスで形成することで
高速且つ高安定打抜き作用の利点が得られ、形状精度の
すぐれたリードフレームが比較的安価に製造できる効果
がある。
ものが製造されるようになり、多ピンのリ−ドフレーム
製造として、プレスによる打抜きとエッチングでの食刻
を併用する方法が提案されている。例えば特公平3ー6
663号公報にはインナ−リード部とパッド部はエッチ
ングで形成し、アウターリード部はプレスで形成するリ
ードフレームの製造方法が提案されている。これではリ
−ドの幅、ピッチとも微細なインナーリード部はエッチ
ングで食刻でき、リ−ドの幅、ピッチとも微細さが幾分
緩和されるアウターリード部はプレスで形成することで
高速且つ高安定打抜き作用の利点が得られ、形状精度の
すぐれたリードフレームが比較的安価に製造できる効果
がある。
【0004】
【この発明が解決しようとする課題】プレスでリードパ
ターンの1部を形成した後、残りのリードパターンをエ
ッチングで形成する際には、既に形成されたリ−ドに連
続性よく整合させることが重要である。この整合のため
に、リードフレーム素材のサイドレ−ルにプレス時に穿
設したガイドレ−ルを基準としてリードパターンの焼付
け位置を制御する方法が採用されている。
ターンの1部を形成した後、残りのリードパターンをエ
ッチングで形成する際には、既に形成されたリ−ドに連
続性よく整合させることが重要である。この整合のため
に、リードフレーム素材のサイドレ−ルにプレス時に穿
設したガイドレ−ルを基準としてリードパターンの焼付
け位置を制御する方法が採用されている。
【0005】前記方法によりリ−ドの整合が一定の水準
でなされているが、リ−ドの幅及びピッチとも一層微細
化を要求される例えば160ピン以上の超多ピンのリー
ドフレ−ムでは、整合させるのが難しくなりミスマッチ
を生じることがある。
でなされているが、リ−ドの幅及びピッチとも一層微細
化を要求される例えば160ピン以上の超多ピンのリー
ドフレ−ムでは、整合させるのが難しくなりミスマッチ
を生じることがある。
【0006】ミスマッチを避ける策として、残余のリー
ドパターン例えばインナーリードを焼付ける際、単位リ
ードフレーム毎に時間をかけて位置決めすることが考え
られるが、非能率となり、生産性が低下する等の問題が
ある。
ドパターン例えばインナーリードを焼付ける際、単位リ
ードフレーム毎に時間をかけて位置決めすることが考え
られるが、非能率となり、生産性が低下する等の問題が
ある。
【0007】また、超多ピンになるほどインナーリード
の幅およびピッチは微細化し、フォトレジストへのリ−
ドパターン焼付け時の解像度を高めねばならぬが、この
ためにフォトレジストを薄いものにすると、リードフレ
ーム素材の搬送や取扱いの際に予期せぬフォトレジスト
の損傷が先にプレスでリードパターンを形成した箇所で
生じることがあり、形状不良の一因となる。
の幅およびピッチは微細化し、フォトレジストへのリ−
ドパターン焼付け時の解像度を高めねばならぬが、この
ためにフォトレジストを薄いものにすると、リードフレ
ーム素材の搬送や取扱いの際に予期せぬフォトレジスト
の損傷が先にプレスでリードパターンを形成した箇所で
生じることがあり、形状不良の一因となる。
【0008】一方、フォトレジストの損傷防止のため
に、その厚み増したものにすると超多ピンのリードフレ
ームを製造せんとする際には、リードパターンの焼付け
時の解像度があまくなり、先に形成したリ−ドとの整合
の精度が劣化する。
に、その厚み増したものにすると超多ピンのリードフレ
ームを製造せんとする際には、リードパターンの焼付け
時の解像度があまくなり、先に形成したリ−ドとの整合
の精度が劣化する。
【0009】本発明は超多ピンのリードフレームであっ
てもプレスとエッチングを併用してリ−ドにミスマッチ
や、先に形成済のリ−ドパタ−ンに損傷が生じることな
く、また生産性よく製造することを目的とする。
てもプレスとエッチングを併用してリ−ドにミスマッチ
や、先に形成済のリ−ドパタ−ンに損傷が生じることな
く、また生産性よく製造することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、プレス
でリードパターンの一部を形成し、残余のリードパター
ンをエッチングで形成するリードフレームの製造方法に
おいて、プレスでリードパターンの一部を形成後、プレ
スで形成しなかったエッチング加工領域にフォトレジス
トを設け、当該フォトレジストに残余のリードパターン
を焼付け、現像してフォトマスクを形成し、次いで、リ
ードフレーム素材に別のフォトレジストを前記フォトマ
スクを形成したフォトレジストの厚み以上の厚さで貼付
し、その後、フォトマスクの外周部を除くその上の別の
フォトレジストを除去し、エッチングして残余のリード
パタ−ンを形成することを特徴とするリードフレームの
製造方法にある。また他の要旨は前記別のフォトレジス
トを、プレスで形成した一部のリードパターン域から前
記フォトマスク外周部まで貼付し、次いでエッチングす
るところにある。
でリードパターンの一部を形成し、残余のリードパター
ンをエッチングで形成するリードフレームの製造方法に
おいて、プレスでリードパターンの一部を形成後、プレ
スで形成しなかったエッチング加工領域にフォトレジス
トを設け、当該フォトレジストに残余のリードパターン
を焼付け、現像してフォトマスクを形成し、次いで、リ
ードフレーム素材に別のフォトレジストを前記フォトマ
スクを形成したフォトレジストの厚み以上の厚さで貼付
し、その後、フォトマスクの外周部を除くその上の別の
フォトレジストを除去し、エッチングして残余のリード
パタ−ンを形成することを特徴とするリードフレームの
製造方法にある。また他の要旨は前記別のフォトレジス
トを、プレスで形成した一部のリードパターン域から前
記フォトマスク外周部まで貼付し、次いでエッチングす
るところにある。
【0011】
【作用】本発明はプレスでリードパターンの一部を形成
した後、プレスで形成しなかった残余のリードパターン
形成領域にフォトレジストを設け、当該フォトレジスト
に残余のリードパターンを焼付け、現像してフォトマス
クを形成し、次いで、別のフォトレジストを、フォトマ
スクを形成したフォトレジストの厚み以上の厚さでリー
ドフレーム素材に貼付し、その後、前記フォトマスクの
上面の前記別のフォトレジストを除去するから、フォト
マスク部以外は厚いフォトレジストで保護され損傷する
ことなく完全にエッチング液と遮断され、またフォトマ
スクは厚みが薄いフォトレジストで形成されリードパタ
ーン焼付け時の解像度がすぐれリ−ドの整合性がよくな
る。
した後、プレスで形成しなかった残余のリードパターン
形成領域にフォトレジストを設け、当該フォトレジスト
に残余のリードパターンを焼付け、現像してフォトマス
クを形成し、次いで、別のフォトレジストを、フォトマ
スクを形成したフォトレジストの厚み以上の厚さでリー
ドフレーム素材に貼付し、その後、前記フォトマスクの
上面の前記別のフォトレジストを除去するから、フォト
マスク部以外は厚いフォトレジストで保護され損傷する
ことなく完全にエッチング液と遮断され、またフォトマ
スクは厚みが薄いフォトレジストで形成されリードパタ
ーン焼付け時の解像度がすぐれリ−ドの整合性がよくな
る。
【0012】
【実施例】次に、本発明について一実施例に基づき図面
を参照し詳細に説明する。図面において、1はリードフ
レーム素材で例えば銅、銅合金、鉄−Ni合金、アルミ
等の金属板である。2はプレスで前記リードフレーム素
材1に形成したアウターリードである。3はエッチング
加工領域でプレスで形成しなかった残余のリードパター
ン例えばインナーリード、パッド、サポ−トバ−等が形
成される。4はガイドホ−ルである。
を参照し詳細に説明する。図面において、1はリードフ
レーム素材で例えば銅、銅合金、鉄−Ni合金、アルミ
等の金属板である。2はプレスで前記リードフレーム素
材1に形成したアウターリードである。3はエッチング
加工領域でプレスで形成しなかった残余のリードパター
ン例えばインナーリード、パッド、サポ−トバ−等が形
成される。4はガイドホ−ルである。
【0013】この実施例ではプレスでアウターリード2
を形成しているが、これに限らず該アウターリード2と
これに連なるインナーリードの一部まで、あるいはアウ
ターリード2の途中まで形成し、残余はエッチングで形
成すようにしてもよい。
を形成しているが、これに限らず該アウターリード2と
これに連なるインナーリードの一部まで、あるいはアウ
ターリード2の途中まで形成し、残余はエッチングで形
成すようにしてもよい。
【0014】その後、エッチング加工領域3にフォトレ
ジスト5を図3に示すように例えばドライフォトレジス
トフイルムをアウターリード2側まで延長して貼付す
る。該フォトレジスト5に残余のリードパターン例えば
図2に示すインナーリード6、パッド7、サポ−トバ−
8のパターンを焼付け、現像し、フォトマスクを9を形
成するが、焼付け時に斜光の影響を減じ解像度を上げる
ように、当該フォトレジスト5の厚みは薄もの例えば1
5μm以下が好ましい。
ジスト5を図3に示すように例えばドライフォトレジス
トフイルムをアウターリード2側まで延長して貼付す
る。該フォトレジスト5に残余のリードパターン例えば
図2に示すインナーリード6、パッド7、サポ−トバ−
8のパターンを焼付け、現像し、フォトマスクを9を形
成するが、焼付け時に斜光の影響を減じ解像度を上げる
ように、当該フォトレジスト5の厚みは薄もの例えば1
5μm以下が好ましい。
【0015】その後、前記フォトレジスト5の厚み以上
の別のフォトレジスト10を図5に示すようにリードフ
レーム素材1の全面に貼着する。該別のフォトレジスト
10は前記フォトレジスト5より厚めであって耐損傷性
がすぐれ保護機能が高い。
の別のフォトレジスト10を図5に示すようにリードフ
レーム素材1の全面に貼着する。該別のフォトレジスト
10は前記フォトレジスト5より厚めであって耐損傷性
がすぐれ保護機能が高い。
【0016】次いでフォトマスク9上面の前記別のフォ
トレジスト10を図6に示すように外周部11上の他を
除去しフォトマスク9を露呈させる。該別のフォトレジ
スト10の除去はフォトマスク9上の当該フォトレジス
ト10を外周部11上を除き焼付け、現像することでな
される。前記外周部11上のフォトレジスト10を残存
させておくとフォトマスク9は端部が保護され形状不良
発生が防がれる。
トレジスト10を図6に示すように外周部11上の他を
除去しフォトマスク9を露呈させる。該別のフォトレジ
スト10の除去はフォトマスク9上の当該フォトレジス
ト10を外周部11上を除き焼付け、現像することでな
される。前記外周部11上のフォトレジスト10を残存
させておくとフォトマスク9は端部が保護され形状不良
発生が防がれる。
【0017】その後、エッチングを行いインナーリード
6、パッド7、サポ−トバ−8、タイバ−12等残余の
リードパターンが図7に示すように形成されリードフレ
ームが製造される。
6、パッド7、サポ−トバ−8、タイバ−12等残余の
リードパターンが図7に示すように形成されリードフレ
ームが製造される。
【0018】この実施例では別のフォトレジスト10は
フォトマスク9の上面を含むリードフレーム素材1の全
面に貼付したが、これに代えてプレスで形成したアウタ
ーリード2からフォトマスク9の外周部11にかけて貼
付してもよい。
フォトマスク9の上面を含むリードフレーム素材1の全
面に貼付したが、これに代えてプレスで形成したアウタ
ーリード2からフォトマスク9の外周部11にかけて貼
付してもよい。
【0019】
【発明の効果】本発明は前述のようにプレスでリード密
度が比較的に疎いリードパターン例えばアウターリード
を形成し、エッチングでリ−ド密度の密なリードパター
ン例えばインナーリードを形成する際、フォトマスクを
形成するフォトレジストは薄くしリードパターン焼付け
時の解像度を高めているので、超多ピンであっても先に
形成のリードに高い精度で整合できる。また、形状が出
来ているアウターリード部には厚めの別のフォトレジス
トを貼付することで耐損傷性がすぐれエッチングで予期
せぬ誤食刻がなく形状不良防止がなされる等の作用効果
がある。
度が比較的に疎いリードパターン例えばアウターリード
を形成し、エッチングでリ−ド密度の密なリードパター
ン例えばインナーリードを形成する際、フォトマスクを
形成するフォトレジストは薄くしリードパターン焼付け
時の解像度を高めているので、超多ピンであっても先に
形成のリードに高い精度で整合できる。また、形状が出
来ているアウターリード部には厚めの別のフォトレジス
トを貼付することで耐損傷性がすぐれエッチングで予期
せぬ誤食刻がなく形状不良防止がなされる等の作用効果
がある。
【図1】本発明の一実施例においてプレスで形成された
リードパターンを示す図。
リードパターンを示す図。
【図2】本発明の一実施例でのエッチングで形成するリ
ードパターンを示す図。
ードパターンを示す図。
【図3】本発明の一実施例においてエッチング加工領域
板面にフォトレジストを貼付した断面を示す図。
板面にフォトレジストを貼付した断面を示す図。
【図4】本発明の一実施例においてエッチング加工領域
板面にフォトマスクを形成御の断面を示す図。
板面にフォトマスクを形成御の断面を示す図。
【図5】本発明の一実施例において更に別のフォトレジ
ストを貼付した後の断面を示す図。
ストを貼付した後の断面を示す図。
【図6】本発明の一実施例においてフォトマスク上の別
のフォトレジストを除去後の断面を示す図。
のフォトレジストを除去後の断面を示す図。
【図7】本発明の一実施例で製造されたリードフレーム
を示す図。
を示す図。
1 リードフレーム素材 2 アウターリード 3 エッチング加工領域 4 ガイドホ−ル 5 フォトレジスト 6 インナーリード 7 パッド 8 サポ−トバ− 9 フォトマスク 10 別のフォトレジスト 11 外周部 12 タイバ−
Claims (2)
- 【請求項1】 プレスでリードパターンの一部を形成
し、残余のリードパターンをエッチングで形成するリー
ドフレームの製造方法において、プレスでリードパター
ンの一部を形成後、プレスで形成しなかったエッチング
加工領域にフォトレジストを設け、当該フォトレジスト
に残余のリードパターンを焼付け、現像してフォトマス
クを形成し、次いで、リードフレーム素材に別のフォト
レジストを前記フォトマスクを形成したフォトレジスト
の厚み以上の厚さで貼付し、その後フォトマスクの外周
部を除くその上の別のフォトレジストを除去し、エッチ
ングして残余のリードパタ−ンを形成することを特徴と
するリードフレームの製造方法。 - 【請求項2】 プレスでリードパターンの一部を形成
し、残余のリードパターンをエッチングで形成するリー
ドフレームの製造方法において、プレスでリードパター
ンの一部を形成後、プレスで形成しなかったエッチング
加工領域にフォトレジストを設け、当該フォトレジスト
に残余のリードパターンを焼付け、現像してフォトマス
クを形成し、次いで、別のフォトレジストを前記フォト
マスクを形成したフォトレジストの厚み以上の厚さで、
プレスで形成したリードパターン域から前記フォトマス
クの外周部まで貼付してエッチングし残余のリードパタ
ーンを形成することを特徴とするリードフレームの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14267593A JPH06334085A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14267593A JPH06334085A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334085A true JPH06334085A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=15320899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14267593A Pending JPH06334085A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06334085A (ja) |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP14267593A patent/JPH06334085A/ja active Pending
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