JPH0633475B2 - 中性塩の複分解方法 - Google Patents
中性塩の複分解方法Info
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- JPH0633475B2 JPH0633475B2 JP61283106A JP28310686A JPH0633475B2 JP H0633475 B2 JPH0633475 B2 JP H0633475B2 JP 61283106 A JP61283106 A JP 61283106A JP 28310686 A JP28310686 A JP 28310686A JP H0633475 B2 JPH0633475 B2 JP H0633475B2
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- Japan
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- exchange membrane
- cation exchange
- membrane
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D61/00—Processes of separation using semi-permeable membranes, e.g. dialysis, osmosis or ultrafiltration; Apparatus, accessories or auxiliary operations specially adapted therefor
- B01D61/42—Electrodialysis; Electro-osmosis ; Electro-ultrafiltration; Membrane capacitive deionization
- B01D61/44—Ion-selective electrodialysis
- B01D61/445—Ion-selective electrodialysis with bipolar membranes; Water splitting
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Water Supply & Treatment (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Urology & Nephrology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は中性塩の複分解方法に関する。詳しくは、特定
したイオン交換膜を組合せ構成した三室式電気透析槽に
おいて、塩化ナトリウムに代表される中性塩を分解して
高濃度の酸およびアルカリを高電流効率で生成する簡便
な方法を提供するものである。
したイオン交換膜を組合せ構成した三室式電気透析槽に
おいて、塩化ナトリウムに代表される中性塩を分解して
高濃度の酸およびアルカリを高電流効率で生成する簡便
な方法を提供するものである。
従来、塩化ナトリウム等の中性塩を複分解して塩酸およ
び水酸化ナトリウム等のアルカリを生成する手段とし
て、イオン交換膜を用いる方法がある。かかる方法は、
陽・陰の電極間に陽イオン交換膜とバイポーラー膜(複
合膜)および陰イオン交換膜を順に繰返し配して、陽イ
オン交換膜と陰イオン交換膜との間に塩室、陽イオン交
換膜とバイポーラー膜の陰イオン交換膜槽側との間に塩
基室およびバイポーラー膜の陽イオン交換膜槽側と陰イ
オン交換膜との間に酸室を構成してなる三室式電気透析
槽において実施される。即ち、上記した構成の三室式イ
オン交換膜電気透析槽の塩室に中性塩の水溶液,塩基室
に希薄なアルカリ溶液又は水、酸室に希薄な塩酸又は水
を流通させながら両極間に直流電圧を印加することによ
つて、該中性塩、例えば塩化ナトリウムのナトリウムイ
オン(Na+)および塩素イオン(Cl-)がそれぞれ陽
イオン交換膜および陰イオン交換膜を透過して塩基室お
よび酸室に排出され、同時にバイポーラー膜において水
が解離した水酸イオン(OH-)および水素イオン
(H+)とにより、水酸化ナトリウム(NaOH)および
塩酸(HCl)が生成する。
び水酸化ナトリウム等のアルカリを生成する手段とし
て、イオン交換膜を用いる方法がある。かかる方法は、
陽・陰の電極間に陽イオン交換膜とバイポーラー膜(複
合膜)および陰イオン交換膜を順に繰返し配して、陽イ
オン交換膜と陰イオン交換膜との間に塩室、陽イオン交
換膜とバイポーラー膜の陰イオン交換膜槽側との間に塩
基室およびバイポーラー膜の陽イオン交換膜槽側と陰イ
オン交換膜との間に酸室を構成してなる三室式電気透析
槽において実施される。即ち、上記した構成の三室式イ
オン交換膜電気透析槽の塩室に中性塩の水溶液,塩基室
に希薄なアルカリ溶液又は水、酸室に希薄な塩酸又は水
を流通させながら両極間に直流電圧を印加することによ
つて、該中性塩、例えば塩化ナトリウムのナトリウムイ
オン(Na+)および塩素イオン(Cl-)がそれぞれ陽
イオン交換膜および陰イオン交換膜を透過して塩基室お
よび酸室に排出され、同時にバイポーラー膜において水
が解離した水酸イオン(OH-)および水素イオン
(H+)とにより、水酸化ナトリウム(NaOH)および
塩酸(HCl)が生成する。
しかしながら、このような従来の三室式イオン交換膜電
気透析槽において中性塩を複分解する方法では、バイポ
ーラー膜を通過する酸およびアルカリの逆拡散による中
和、あるいは陰イオン交換膜の水素イオン(H+)透過
性が大きいこと等により、生成する酸,アルカリの濃度
および電流効率が低い問題があつた。
気透析槽において中性塩を複分解する方法では、バイポ
ーラー膜を通過する酸およびアルカリの逆拡散による中
和、あるいは陰イオン交換膜の水素イオン(H+)透過
性が大きいこと等により、生成する酸,アルカリの濃度
および電流効率が低い問題があつた。
本発明者らは上記の問題点に鑑み、鋭意研究の結果、特
定した陽イオン交換膜とバイポーラー膜および陰イオン
交換膜をそれぞれ組合せ構成した三室式イオン交換膜電
気透析槽を用いて、その塩室に中性塩の水溶液を供給し
て電気透析処理することにより、高濃度の酸およびアル
カリを高電流高率で生成できることを見い出し、本発明
を提案するに至つた。即ち、本発明によれば、少くとも
少くとも一方の表面に交換容量が10-6〜10-2eq/cm
2の割合で陰イオン交換層を有する1価陽イオン選択透
過性の陽イオン交換膜、陰イオン交換膜層と陽イオン交
換膜層を有し、且つ該陽イオン交換膜層の固定イオン濃
度が10N以上であるバイポーラ膜、および炭素数9〜
30の長鎖アルキル基を結合したアミノ基を有する陰イ
オン交換膜を陽・陰の電極間に順に繰返し配列して、陽
イオン交換膜とバイポーラ膜の陰イオン交換膜層側との
間に塩基室、バイポーラ膜の陽イオン交換膜層側と陰イ
オン交換膜との間に酸室および陰イオン交換膜と陽イオ
ン交換膜との間に塩室を構成した三室式電気透析槽を用
いて、塩室に中性塩の水溶液を供給して電気透析するこ
とを特徴とする中性塩の複分解方法が提供される。
定した陽イオン交換膜とバイポーラー膜および陰イオン
交換膜をそれぞれ組合せ構成した三室式イオン交換膜電
気透析槽を用いて、その塩室に中性塩の水溶液を供給し
て電気透析処理することにより、高濃度の酸およびアル
カリを高電流高率で生成できることを見い出し、本発明
を提案するに至つた。即ち、本発明によれば、少くとも
少くとも一方の表面に交換容量が10-6〜10-2eq/cm
2の割合で陰イオン交換層を有する1価陽イオン選択透
過性の陽イオン交換膜、陰イオン交換膜層と陽イオン交
換膜層を有し、且つ該陽イオン交換膜層の固定イオン濃
度が10N以上であるバイポーラ膜、および炭素数9〜
30の長鎖アルキル基を結合したアミノ基を有する陰イ
オン交換膜を陽・陰の電極間に順に繰返し配列して、陽
イオン交換膜とバイポーラ膜の陰イオン交換膜層側との
間に塩基室、バイポーラ膜の陽イオン交換膜層側と陰イ
オン交換膜との間に酸室および陰イオン交換膜と陽イオ
ン交換膜との間に塩室を構成した三室式電気透析槽を用
いて、塩室に中性塩の水溶液を供給して電気透析するこ
とを特徴とする中性塩の複分解方法が提供される。
本発明に供される中性塩としては、一般に塩化ナトリウ
ムや塩化カリウムなどのアルカリ金属塩化物或いは硫酸
ナトリウム,硝酸カリウム,硫酸カリウム,硝酸ナトリ
ウム,或いはこれらの混合物の水溶液で用いられ、該中
性塩の濃度は0.1重量(Wt)%乃至飽和までの濃度で選
択できるが20wt%以上が一般的である。
ムや塩化カリウムなどのアルカリ金属塩化物或いは硫酸
ナトリウム,硝酸カリウム,硫酸カリウム,硝酸ナトリ
ウム,或いはこれらの混合物の水溶液で用いられ、該中
性塩の濃度は0.1重量(Wt)%乃至飽和までの濃度で選
択できるが20wt%以上が一般的である。
本発明は、特定した3種のイオン交換膜を組合せ構成し
た三室式電気透析槽において、上記した如き中性塩を電
気透析して高濃度の酸およびアルカリを高電流効率で得
るために、該イオン交換膜として少なくとも一方の表面
に陰イオン交換層を有する陽イオン交換膜,陽イオン交
換膜層と陰イオン交換膜層を有し且つ該陽イオン交換膜
層の固定イオン濃度が10N以上であるバイポーラー
膜、および長鎖アルキル基を結合したアミノ基を有する
陰イオン交換膜を用いることが重要である。
た三室式電気透析槽において、上記した如き中性塩を電
気透析して高濃度の酸およびアルカリを高電流効率で得
るために、該イオン交換膜として少なくとも一方の表面
に陰イオン交換層を有する陽イオン交換膜,陽イオン交
換膜層と陰イオン交換膜層を有し且つ該陽イオン交換膜
層の固定イオン濃度が10N以上であるバイポーラー
膜、および長鎖アルキル基を結合したアミノ基を有する
陰イオン交換膜を用いることが重要である。
即ち、本発明に用いる陽イオン交換膜としては、その少
くとも片面に陰イオン交換層を有する陽イオン交換膜で
ナトリウムイオン(Na+),カリウムイオン(K+)等
の陽イオンを選択的に透過する機能を有する。かかる選
択的陽イオン交換膜としては、例えば公知の陽イオン交
換膜基体の表面に第一級アミン基,第二級アミン基,第
三級アミン基,第四級アンモニウム基などの陰イオン交
換基の少なくとも1種を酸アミド結合,エステル結合な
どにより交換容量10-6〜10-2eq/cm2,好ましくは
10-3〜10-2eq/cm2 の割合で陰イオン交換層とし
て存在させた陽イオン交換膜も用いられるが、さらに基
体である陽イオン交換膜が高架橋度を有するものが好適
に用いられる。具体的には、特に陽イオン交換膜基体の
表面に第四級アンモニウム塩基類とビニルベンジル基と
を有するビニル化合物又はその重合体を陰イオン交換層
として存在させた陽イオン交換膜が好適に用いられる。
なお、本明細書でいう第四級アンモニウム塩基類とは、
単に第四級アンモニウム塩基のみでなく、第四級ピリジ
ウム塩基,スルホニウム塩基,ホスホニウム塩基等のい
わゆるオニウム塩基を含めて総称するものである。ま
た、上記のビニル化合物におけるビニルベンジル基は、
1個又は2個或いは3個以上のいずれでもよい。しかし
ながら、このようなビニル化合物におけるビニルベンジ
ル基が多すぎる場合には、該ビニル化合物の分子間、分
子内で重合が起り易く取り扱いが難しいため、該ビニル
ベンジル基は一般に1〜1000個、特に1〜100個
が好ましい。また、ビニル化合物の有する第四級アンモ
ニウム塩基類の数は、1個以上が有効であるが、多すぎ
ると本発明の効果が発揮されないため、一般に1〜10
00個、特に1〜50個が好ましい。かかる第四級アン
モニウム塩基とビニルベンジル基を有するビニル化合物
の製造方法は特に限定されないが、一般的には例えば次
の方法にて合成される。
くとも片面に陰イオン交換層を有する陽イオン交換膜で
ナトリウムイオン(Na+),カリウムイオン(K+)等
の陽イオンを選択的に透過する機能を有する。かかる選
択的陽イオン交換膜としては、例えば公知の陽イオン交
換膜基体の表面に第一級アミン基,第二級アミン基,第
三級アミン基,第四級アンモニウム基などの陰イオン交
換基の少なくとも1種を酸アミド結合,エステル結合な
どにより交換容量10-6〜10-2eq/cm2,好ましくは
10-3〜10-2eq/cm2 の割合で陰イオン交換層とし
て存在させた陽イオン交換膜も用いられるが、さらに基
体である陽イオン交換膜が高架橋度を有するものが好適
に用いられる。具体的には、特に陽イオン交換膜基体の
表面に第四級アンモニウム塩基類とビニルベンジル基と
を有するビニル化合物又はその重合体を陰イオン交換層
として存在させた陽イオン交換膜が好適に用いられる。
なお、本明細書でいう第四級アンモニウム塩基類とは、
単に第四級アンモニウム塩基のみでなく、第四級ピリジ
ウム塩基,スルホニウム塩基,ホスホニウム塩基等のい
わゆるオニウム塩基を含めて総称するものである。ま
た、上記のビニル化合物におけるビニルベンジル基は、
1個又は2個或いは3個以上のいずれでもよい。しかし
ながら、このようなビニル化合物におけるビニルベンジ
ル基が多すぎる場合には、該ビニル化合物の分子間、分
子内で重合が起り易く取り扱いが難しいため、該ビニル
ベンジル基は一般に1〜1000個、特に1〜100個
が好ましい。また、ビニル化合物の有する第四級アンモ
ニウム塩基類の数は、1個以上が有効であるが、多すぎ
ると本発明の効果が発揮されないため、一般に1〜10
00個、特に1〜50個が好ましい。かかる第四級アン
モニウム塩基とビニルベンジル基を有するビニル化合物
の製造方法は特に限定されないが、一般的には例えば次
の方法にて合成される。
(1) メチルアミン,エチルアミンなどの一級アミンを
ビニルベンジルクロライドでアルキル化する。
ビニルベンジルクロライドでアルキル化する。
(2) エチレンジアミン,プロピレンジアミンなどの二
価の一級アミンをビニルベンジルクロライドと反応さ
せ、必要によりヨウ化メチル,ジメチル硫酸のようなア
ルキル化剤にて第四級アンモニウム塩基とする。
価の一級アミンをビニルベンジルクロライドと反応さ
せ、必要によりヨウ化メチル,ジメチル硫酸のようなア
ルキル化剤にて第四級アンモニウム塩基とする。
(3) 三価以上の三級アミノ化合物、例えば (上記式中R1:CH3,CH3CH3,n≧1 の整数) などに少なくとも1個以上のビニルベンジルクロライド
を反応させる。さらに必要なら、他のアルキル化剤にて
未反応の第三級アミノ基を第四級アミノ基に変換しても
よい。
を反応させる。さらに必要なら、他のアルキル化剤にて
未反応の第三級アミノ基を第四級アミノ基に変換しても
よい。
(4) 同一分子中に1個以上のハロゲン原子を有する化
合物例えば、 などにビニルフエニルアルキルN,N−ジアルキルアミ
ンを反応させる。
合物例えば、 などにビニルフエニルアルキルN,N−ジアルキルアミ
ンを反応させる。
これらの反応条件は無溶媒、又は水,アルコール,アセ
トン,ジメチルホルムアミド,ジメチルスルホオキサイ
ド,ベンゼン,クロロホルム又はそれらの混合撹拌中任
意の濃度で適宜実施すればよく、また反応の温度は一般
に0〜100℃であり、5〜80℃の範囲が好適に採用
出来る。また、前記反応は一般にハイドロキノンなどの
ラジカル重合禁止剤の存在下に行うのが好ましい。
トン,ジメチルホルムアミド,ジメチルスルホオキサイ
ド,ベンゼン,クロロホルム又はそれらの混合撹拌中任
意の濃度で適宜実施すればよく、また反応の温度は一般
に0〜100℃であり、5〜80℃の範囲が好適に採用
出来る。また、前記反応は一般にハイドロキノンなどの
ラジカル重合禁止剤の存在下に行うのが好ましい。
上記したビニル化合物の重合体の製造方法は、特に限定
的ではなく公知の方法を採用すればよく、例えばラジカ
ル重合,カチオン重合など公知の方法で行うことができ
る。即ち、所定のビニル化合物を無溶媒,水,無機塩の
水溶液中、メタノール,エタノール等の有機溶媒などの
単独又は混合溶媒中で、好ましくは0.1N〜4.0
N、特に好ましくは0.2N〜2.0Nの食塩水中でラ
ジカル重合開始剤又はカチオン重合開始剤を加えて重合
すればよい。ラジカル重合の開始剤としては、例えば過
酸化アセチル,過酸化ベンゾイル,過酸化ラウロイル,
ペルオキソ二硫酸カリウム,ペルオキソ二硫酸アンモニ
ウム,t−ブチルヒドロペルオキシド,過酸化水素など
の過酸化物;アゾビスイソブチロニトリル,アゾビス−
2−アミジノプロパン,塩酸塩などのアゾ化合物;更に
は、過酸化水素−アンモニヤ,エチルアミン,Fe(I
I)塩など;ペルオキソ二硫酸塩−亜硫酸ナトリウム,
亜硫酸水素ナトリウム,トリエタノールアミン,Fe
(II)塩など;過塩素酸ナトリウム−亜硫酸ナトリウ
ム;などのレドツクス開始剤も好適に用いられる。ま
た、電離性の放射線を照射してもよい。更にまたカチオ
ン重合の開始剤としては塩化アルミニウム,塩化亜鉛,
塩化第二スズ,塩化チタン,三フツ化ホウ素,五塩化ア
ンチモンなどのハロゲン化金属;リン酸,硫酸,クロル
スルホン酸,過塩素酸,などのプロトン酸;トリエチル
アルミニウムなどの有機金属化合物等が用いられる。
的ではなく公知の方法を採用すればよく、例えばラジカ
ル重合,カチオン重合など公知の方法で行うことができ
る。即ち、所定のビニル化合物を無溶媒,水,無機塩の
水溶液中、メタノール,エタノール等の有機溶媒などの
単独又は混合溶媒中で、好ましくは0.1N〜4.0
N、特に好ましくは0.2N〜2.0Nの食塩水中でラ
ジカル重合開始剤又はカチオン重合開始剤を加えて重合
すればよい。ラジカル重合の開始剤としては、例えば過
酸化アセチル,過酸化ベンゾイル,過酸化ラウロイル,
ペルオキソ二硫酸カリウム,ペルオキソ二硫酸アンモニ
ウム,t−ブチルヒドロペルオキシド,過酸化水素など
の過酸化物;アゾビスイソブチロニトリル,アゾビス−
2−アミジノプロパン,塩酸塩などのアゾ化合物;更に
は、過酸化水素−アンモニヤ,エチルアミン,Fe(I
I)塩など;ペルオキソ二硫酸塩−亜硫酸ナトリウム,
亜硫酸水素ナトリウム,トリエタノールアミン,Fe
(II)塩など;過塩素酸ナトリウム−亜硫酸ナトリウ
ム;などのレドツクス開始剤も好適に用いられる。ま
た、電離性の放射線を照射してもよい。更にまたカチオ
ン重合の開始剤としては塩化アルミニウム,塩化亜鉛,
塩化第二スズ,塩化チタン,三フツ化ホウ素,五塩化ア
ンチモンなどのハロゲン化金属;リン酸,硫酸,クロル
スルホン酸,過塩素酸,などのプロトン酸;トリエチル
アルミニウムなどの有機金属化合物等が用いられる。
上記したビニル化合物の重合条件は如何なる条件を用い
てもよいが、一般には該ビニル化合物の分解温度以下あ
るいは使用する溶媒の沸点以下で実施すればよい。ま
た、重合時間は使用する触媒の種類,重合温度等によつ
て異なり一概に限定出来ないが、一般にレドツクス系重
合開始剤を用いる場合は5分〜10時間程度、ラジカル重
合開始剤を用いる場合は3時間〜3日程度の範囲から選
ぶと好適である。
てもよいが、一般には該ビニル化合物の分解温度以下あ
るいは使用する溶媒の沸点以下で実施すればよい。ま
た、重合時間は使用する触媒の種類,重合温度等によつ
て異なり一概に限定出来ないが、一般にレドツクス系重
合開始剤を用いる場合は5分〜10時間程度、ラジカル重
合開始剤を用いる場合は3時間〜3日程度の範囲から選
ぶと好適である。
本発明の陽イオン交換膜において、上記した如きビニル
化合物又はその重合体を陽イオン交換膜基体の表面に存
在させる量は、該陽イオン交換膜基体の種類,電荷等に
よつて異なるが、一般には0.001mg/cm2以上で陽イオン
交換膜層の1/2以下、特に1/3以下が好ましい。
化合物又はその重合体を陽イオン交換膜基体の表面に存
在させる量は、該陽イオン交換膜基体の種類,電荷等に
よつて異なるが、一般には0.001mg/cm2以上で陽イオン
交換膜層の1/2以下、特に1/3以下が好ましい。
上記した選択性陽イオン交換膜の基体である陽イオン交
換膜も特に限定されないが、一般には陽イオン交換基ま
たは陽イオン交換基の導入に適した官能基を有するモノ
マーと共重合可能な他のモノマー、架橋を形成する共重
合モノマー,可塑剤,重合触媒および必要に応じて補強
材としての微粉末熱可塑性高分子物質,基材等を公知の
方法で重合して得られる。上記の陽イオン交換基として
は例えば、スルホン酸基,カルボン酸基,ホスホン酸
基,硫酸エステル基,リン酸エステル基,チオール基,
重金属との間にキレート構造を作り得るような活性基等
であり、イオン交換基の導入に適した官能基を有するモ
ノマーとしては、スチレン,スチレンスルホン酸誘導
体,ビニルスルホン酸誘導体,アクリル酸エステル,無
水マレイン酸等であり、共重合可能なモノマーとして
は、例えばクロロメチルスチレン等の芳香族ビニルモノ
マー類,アクリロニトリル等のビニルモノマー類等があ
げられる。また架橋を形成する共重合モノマー(架橋
剤)としては、例えばジビニルベンゼン類,トリビニル
シクロヘキサン類,エチレングリコールジメタクリレー
ト類,ジビニルナフタレン,ジビニルトルエン,プロピ
レングライコールジアクリレート類等である。さらに、
可塑剤としては例えばジオクチルフタレート,ジプチル
フタレート等であり、重合触媒としては例えば過酸化ベ
ンゾイル,アゾイソプチロニトリル,ジクミルパーオキ
サイド等があげられる。かかる本発明の陽イオン交換膜
における架橋度は、架橋剤の添加割合を尺度として一般
に10〜50%、好ましくは15〜30%を高くするこ
とが、本発明において有効である。
換膜も特に限定されないが、一般には陽イオン交換基ま
たは陽イオン交換基の導入に適した官能基を有するモノ
マーと共重合可能な他のモノマー、架橋を形成する共重
合モノマー,可塑剤,重合触媒および必要に応じて補強
材としての微粉末熱可塑性高分子物質,基材等を公知の
方法で重合して得られる。上記の陽イオン交換基として
は例えば、スルホン酸基,カルボン酸基,ホスホン酸
基,硫酸エステル基,リン酸エステル基,チオール基,
重金属との間にキレート構造を作り得るような活性基等
であり、イオン交換基の導入に適した官能基を有するモ
ノマーとしては、スチレン,スチレンスルホン酸誘導
体,ビニルスルホン酸誘導体,アクリル酸エステル,無
水マレイン酸等であり、共重合可能なモノマーとして
は、例えばクロロメチルスチレン等の芳香族ビニルモノ
マー類,アクリロニトリル等のビニルモノマー類等があ
げられる。また架橋を形成する共重合モノマー(架橋
剤)としては、例えばジビニルベンゼン類,トリビニル
シクロヘキサン類,エチレングリコールジメタクリレー
ト類,ジビニルナフタレン,ジビニルトルエン,プロピ
レングライコールジアクリレート類等である。さらに、
可塑剤としては例えばジオクチルフタレート,ジプチル
フタレート等であり、重合触媒としては例えば過酸化ベ
ンゾイル,アゾイソプチロニトリル,ジクミルパーオキ
サイド等があげられる。かかる本発明の陽イオン交換膜
における架橋度は、架橋剤の添加割合を尺度として一般
に10〜50%、好ましくは15〜30%を高くするこ
とが、本発明において有効である。
上記した陽イオン交換膜は含水の状態でもよいし、無水
の状態でもよいが、通常は含水の状態で使用される。ま
た、陽イオン交換膜の陽イオン交換基は、水素型でもよ
いし、塩型でもよく、更にまた塩類,酸,塩基その他の
物質が陽イオン交換膜中に含まれていてもよい。
の状態でもよいが、通常は含水の状態で使用される。ま
た、陽イオン交換膜の陽イオン交換基は、水素型でもよ
いし、塩型でもよく、更にまた塩類,酸,塩基その他の
物質が陽イオン交換膜中に含まれていてもよい。
上記した陽イオン交換膜において陽イオン交換膜基体の
少くとも一方の面に前記ビニル化合物又は該ビニル化合
物の重合体を存在させる方法は、特に限定的ではなく公
知の方法をそのまま採用することが出来る。一般に工業
的に採用される代表的な方法を例示すれば次の方法があ
る。例えば、陽イオン交換膜の片面又は両面に前記した
ビニル化合物又は該ビニル化合物の重合体をそのまま又
は適当な溶媒に溶解又は分散させたものを塗布,噴霧す
るとよい。また、ビニル化合物又は該ビニル化合物の重
合体を含む溶液に陽イオン交換膜を浸漬し、必要に応じ
て過剰の付着したビニル化合物又は該ビニル化合物の重
合体を取りのぞく方法を採用してもよい。更に、陽イオ
ン交換膜を必要に応じて陽イオン交換膜と陰イオン交換
膜とを交互に電気透析槽に組込んだ後、通電下或いは非
通電下に該ビニル化合物又は該ビニル化合物の重合体を
含む溶液を流通する手段を採用することも出来る。更に
また、前記ビニル化合物の重合体を陽イオン交換膜の少
くとも一方の表面に存在させる手段は、前記ビニル化合
物を陽イオン交換膜の少くとも一方の表面に存在させた
後、該ビニル化合物を重合する手段が好適に採用でき
る。このような重合の手段としては、一般にビニル化合
物が少くとも一方の表面に存在する陽イオン交換膜を重
合開始剤を含む溶液と接触させることにより、該ビニル
化合物を重合することが出来る。使用する重合開始剤の
種類によつては、低温下にビニル化合物と重合開始剤と
を含む溶液を陽イオン交換膜の少くとも一方の表面に存
在させておき、温度を上昇させることにより該ビニル化
合物を重合させる手段を採用することも出来る。或い
は、ビニル化合物を陽イオン交換膜の両面に存在させ、
次いで片面のみ上記重合開始剤と接触させる手段も用い
られる。尚、上記したビニル化合物の重合は、いずれの
場合も窒素雰囲気下に行うのが好ましい。
少くとも一方の面に前記ビニル化合物又は該ビニル化合
物の重合体を存在させる方法は、特に限定的ではなく公
知の方法をそのまま採用することが出来る。一般に工業
的に採用される代表的な方法を例示すれば次の方法があ
る。例えば、陽イオン交換膜の片面又は両面に前記した
ビニル化合物又は該ビニル化合物の重合体をそのまま又
は適当な溶媒に溶解又は分散させたものを塗布,噴霧す
るとよい。また、ビニル化合物又は該ビニル化合物の重
合体を含む溶液に陽イオン交換膜を浸漬し、必要に応じ
て過剰の付着したビニル化合物又は該ビニル化合物の重
合体を取りのぞく方法を採用してもよい。更に、陽イオ
ン交換膜を必要に応じて陽イオン交換膜と陰イオン交換
膜とを交互に電気透析槽に組込んだ後、通電下或いは非
通電下に該ビニル化合物又は該ビニル化合物の重合体を
含む溶液を流通する手段を採用することも出来る。更に
また、前記ビニル化合物の重合体を陽イオン交換膜の少
くとも一方の表面に存在させる手段は、前記ビニル化合
物を陽イオン交換膜の少くとも一方の表面に存在させた
後、該ビニル化合物を重合する手段が好適に採用でき
る。このような重合の手段としては、一般にビニル化合
物が少くとも一方の表面に存在する陽イオン交換膜を重
合開始剤を含む溶液と接触させることにより、該ビニル
化合物を重合することが出来る。使用する重合開始剤の
種類によつては、低温下にビニル化合物と重合開始剤と
を含む溶液を陽イオン交換膜の少くとも一方の表面に存
在させておき、温度を上昇させることにより該ビニル化
合物を重合させる手段を採用することも出来る。或い
は、ビニル化合物を陽イオン交換膜の両面に存在させ、
次いで片面のみ上記重合開始剤と接触させる手段も用い
られる。尚、上記したビニル化合物の重合は、いずれの
場合も窒素雰囲気下に行うのが好ましい。
次に、本発明に用いるバイポーラー膜は、電場下におい
て水を解離する能力を有するもので片面が陽イオン交換
膜層と他面が陰イオン交換膜層よりなる合せ膜で、且つ
該陽イオン交換膜層の固定イオン濃度が10N以上、特
に10〜20Nであることが好ましい。即ち、陽イオン
交換膜層の固定イオン濃度が10Nより少ないバイポー
ラー膜の場合は加水分解効率が低くなるし、また、水素
イオン(H+),水酸基(OH-)イオンの逆拡散が大き
くなる。また該固定イオン濃度の上限については、特に
制限されないが、一般に20N程度でそれより大きくな
ると膜抵抗が増大したりして、いずれも電流効率の低下
を招く。かかるバイポーラー膜としては、ハロゲン置換
アルキル基と重合可能なビニル基を有する芳香族化合物
モノマー,ビニル基を有するニトリル化合物モノマーお
よび架橋を形成する共重合モノマー特に、多価ビニル化
合物モノマーを主とするモノマー混合物を重合して高分
子膜状物を形成した後、該高分子膜状物の一方の面を架
橋処理するとともに陽イオン交換基を導入し、他方の面
に陰イオン交換基を導入して得られるバイポーラー膜が
好適に用いられる。上記したバイポーラー膜に用いるハ
ロゲン置換アルキル基と重合可能なビニル基を有する芳
香族モノマーとしては、例えばクロルメチルスチレン,
クロルメチルビニルナフタレン,ブロモメチルスチレ
ン,ブロモメチルビニルナフタレン等である。かかるハ
ロゲン置換アルキル基と重合可能なビニル基を有する芳
香族化合物モノマーは、得られるバイポーラー膜の陽イ
オン交換膜層を緻密に且つ固定イオン濃度を高くするた
めに、一般に全モノマーの60重量(wt)%以上、特に6
0〜95wt%が好ましい。即ち、芳香族化合物モノマ
ーの割合が60wt%より少ない場合には、高分子膜状
物を形成した後、架橋処理とともに陽イオン交換基を導
入しても緻密な陽イオン交換膜層が得られないために、
10N以上の高固定イオン濃度を有するバイポーラー膜
が得られず、芳香族化合物モノマーの割合が95wt%
より多い場合には、得られるバイポーラー膜の電気抵抗
が高くなるため好ましくない。また、上記したビニル基
を有するニトリル化合物としては、例えばアクリロニト
リル,メタクリロニトリルなどの低分子量モノマーであ
り、該モノマーは後記する陽イオン交換基の導入速度を
速め且つ得られるバイポーラー膜の電気抵抗を低くする
ために、一般に全モノマー重量の5〜20%、特に10
〜15%が好ましく、20%より多すぎると陽イオン交
換膜層における固定イオン濃度が減少する。さらに、架
橋剤としては、前記した陽イオン交換膜の製法で用いら
れる架橋を形成する共重合モノマーが特に制限されない
が、特にジビニルベン類,トリビニルシクロヘキサン
類,ジビニルナフタレン類,ジビニルトルエン類,プロ
ピレングライコールなどのジメタクリレート類など多価
ビニル化合物モノマーが好適であり、一般に全モノマー
に対して1〜10wt%の割合で用いることが好まし
い。なお、上記した各モノマーとともに、必要に応じて
前記したような陽イオン交換基の導入に適した官能基を
有するビニルモノマー類を併用したモノマー混合物を用
いることも出来る。
て水を解離する能力を有するもので片面が陽イオン交換
膜層と他面が陰イオン交換膜層よりなる合せ膜で、且つ
該陽イオン交換膜層の固定イオン濃度が10N以上、特
に10〜20Nであることが好ましい。即ち、陽イオン
交換膜層の固定イオン濃度が10Nより少ないバイポー
ラー膜の場合は加水分解効率が低くなるし、また、水素
イオン(H+),水酸基(OH-)イオンの逆拡散が大き
くなる。また該固定イオン濃度の上限については、特に
制限されないが、一般に20N程度でそれより大きくな
ると膜抵抗が増大したりして、いずれも電流効率の低下
を招く。かかるバイポーラー膜としては、ハロゲン置換
アルキル基と重合可能なビニル基を有する芳香族化合物
モノマー,ビニル基を有するニトリル化合物モノマーお
よび架橋を形成する共重合モノマー特に、多価ビニル化
合物モノマーを主とするモノマー混合物を重合して高分
子膜状物を形成した後、該高分子膜状物の一方の面を架
橋処理するとともに陽イオン交換基を導入し、他方の面
に陰イオン交換基を導入して得られるバイポーラー膜が
好適に用いられる。上記したバイポーラー膜に用いるハ
ロゲン置換アルキル基と重合可能なビニル基を有する芳
香族モノマーとしては、例えばクロルメチルスチレン,
クロルメチルビニルナフタレン,ブロモメチルスチレ
ン,ブロモメチルビニルナフタレン等である。かかるハ
ロゲン置換アルキル基と重合可能なビニル基を有する芳
香族化合物モノマーは、得られるバイポーラー膜の陽イ
オン交換膜層を緻密に且つ固定イオン濃度を高くするた
めに、一般に全モノマーの60重量(wt)%以上、特に6
0〜95wt%が好ましい。即ち、芳香族化合物モノマ
ーの割合が60wt%より少ない場合には、高分子膜状
物を形成した後、架橋処理とともに陽イオン交換基を導
入しても緻密な陽イオン交換膜層が得られないために、
10N以上の高固定イオン濃度を有するバイポーラー膜
が得られず、芳香族化合物モノマーの割合が95wt%
より多い場合には、得られるバイポーラー膜の電気抵抗
が高くなるため好ましくない。また、上記したビニル基
を有するニトリル化合物としては、例えばアクリロニト
リル,メタクリロニトリルなどの低分子量モノマーであ
り、該モノマーは後記する陽イオン交換基の導入速度を
速め且つ得られるバイポーラー膜の電気抵抗を低くする
ために、一般に全モノマー重量の5〜20%、特に10
〜15%が好ましく、20%より多すぎると陽イオン交
換膜層における固定イオン濃度が減少する。さらに、架
橋剤としては、前記した陽イオン交換膜の製法で用いら
れる架橋を形成する共重合モノマーが特に制限されない
が、特にジビニルベン類,トリビニルシクロヘキサン
類,ジビニルナフタレン類,ジビニルトルエン類,プロ
ピレングライコールなどのジメタクリレート類など多価
ビニル化合物モノマーが好適であり、一般に全モノマー
に対して1〜10wt%の割合で用いることが好まし
い。なお、上記した各モノマーとともに、必要に応じて
前記したような陽イオン交換基の導入に適した官能基を
有するビニルモノマー類を併用したモノマー混合物を用
いることも出来る。
上記したモノマー混合物を用いて高分子膜状物を形成す
る方法は、公知のイオン交換膜の製法に準じて行なえば
よい。例えば、上記したモノマー混合物を膜状に重合成
型する方法あるいは布状,フイルム状等の線状高分子化
合物中にモノマー混合物を含浸重合させる方法などであ
る。この際、前記した陽イオン交換膜の製造に用いると
同様な重合触媒,可塑剤,あるいは必要に応じて補強材
としての微粉末熱可塑性高分子物質、および例えば硝子
繊維,ビニロン,カネカロン,テビロン,サラン,ボン
ネル(以上、商品名),ポリエチレン,ポリプロピレン
などの公知の布状物あるいは網状物の基材などが適宜に
用いられる。次いで、上記により得られる高分子膜状物
の一方の面を架橋処理して陽イオン交換基を導入するこ
とにより、所定の陽イオン交換膜層を形成する。このよ
うな陽イオン交換層を高分子膜状物の片面に形成する方
法は、一般にポリプロピレン,ポリフツ化ビニル、ポリ
四フツ化エチレン等のフイルムを高分子膜状物の片面に
貼り合わせたり、また高分子膜状物を2枚の枠に挾み付
ける方法等により、片面だけを露出させた後、該片面に
ハロアルキル基を介した架橋処理および陽イオン交換基
の導入を行うことにより達成される。このようなハロア
ルキル基による架橋処理は、一般に公知の硫酸,塩化ア
ルミニウム,四塩化スズ,四塩化チタンなどのフリーデ
ル・クラフト触媒を用いて行うことができる。なお、陽
イオン交換基としてスルホン基を導入する場合には濃硫
酸,クロルスルホン酸またはこれらの混合物を用いるこ
とによつて架橋が同時に達成される。なお、陽イオン交
換基としてはスルホン基のほかカルボキシル基,ホスホ
ン基などが公知の方法によつて導入される。このように
して得られる陽イオン交換膜層における架橋の程度は、
一般に濃硫酸,クロルスルホン酸等の膜における拡散速
度をコントロールすることにより適宜調整される。この
架橋の程度が小さくなると、得られる陽イオン交換膜層
の固定イオン濃度が高く、緻密な陽イオン交換膜層が得
られず、逆に架橋の程度が大きくなると膜抵抗が大きく
なるため、いずれも好ましくない。このような陽イオン
交換膜層の厚みは、バイポーラー膜厚みの1〜50%,
好ましくは5〜30%で、この範囲より大きくなると膜
抵抗が大きくなる。
る方法は、公知のイオン交換膜の製法に準じて行なえば
よい。例えば、上記したモノマー混合物を膜状に重合成
型する方法あるいは布状,フイルム状等の線状高分子化
合物中にモノマー混合物を含浸重合させる方法などであ
る。この際、前記した陽イオン交換膜の製造に用いると
同様な重合触媒,可塑剤,あるいは必要に応じて補強材
としての微粉末熱可塑性高分子物質、および例えば硝子
繊維,ビニロン,カネカロン,テビロン,サラン,ボン
ネル(以上、商品名),ポリエチレン,ポリプロピレン
などの公知の布状物あるいは網状物の基材などが適宜に
用いられる。次いで、上記により得られる高分子膜状物
の一方の面を架橋処理して陽イオン交換基を導入するこ
とにより、所定の陽イオン交換膜層を形成する。このよ
うな陽イオン交換層を高分子膜状物の片面に形成する方
法は、一般にポリプロピレン,ポリフツ化ビニル、ポリ
四フツ化エチレン等のフイルムを高分子膜状物の片面に
貼り合わせたり、また高分子膜状物を2枚の枠に挾み付
ける方法等により、片面だけを露出させた後、該片面に
ハロアルキル基を介した架橋処理および陽イオン交換基
の導入を行うことにより達成される。このようなハロア
ルキル基による架橋処理は、一般に公知の硫酸,塩化ア
ルミニウム,四塩化スズ,四塩化チタンなどのフリーデ
ル・クラフト触媒を用いて行うことができる。なお、陽
イオン交換基としてスルホン基を導入する場合には濃硫
酸,クロルスルホン酸またはこれらの混合物を用いるこ
とによつて架橋が同時に達成される。なお、陽イオン交
換基としてはスルホン基のほかカルボキシル基,ホスホ
ン基などが公知の方法によつて導入される。このように
して得られる陽イオン交換膜層における架橋の程度は、
一般に濃硫酸,クロルスルホン酸等の膜における拡散速
度をコントロールすることにより適宜調整される。この
架橋の程度が小さくなると、得られる陽イオン交換膜層
の固定イオン濃度が高く、緻密な陽イオン交換膜層が得
られず、逆に架橋の程度が大きくなると膜抵抗が大きく
なるため、いずれも好ましくない。このような陽イオン
交換膜層の厚みは、バイポーラー膜厚みの1〜50%,
好ましくは5〜30%で、この範囲より大きくなると膜
抵抗が大きくなる。
さらに、上記した高分子膜状物の他方の面(フイルムが
貼り合わされた高分子膜状物においては該フイルムを剥
いだ面)に陰イオン交換基を導入し陰イオン交換膜層を
形成することにより、バイポーラー膜を得る。このよう
な陰イオン交換基の種類及び導入の方法は、公知の方法
が特に制限なく用いられ、例えば第一アミン,第二アミ
ン,第三アミンの少なくとも1種を含む化合物、特に強
塩基性の陰イオン交換基とするために好適な第三アミン
を含む化合物等を水,アルコール,アセトン等に溶解せ
しめた浴中に、前記した片面に陽イオン交換膜層を有す
る高分子膜状物を浸漬する方法等である。この際、用い
られるアミン化合物としては例えばトリメチルアミン,
トリエチルアミン,トリエタノールアミン等である。こ
の後、一般に希塩酸,水,希薄塩化ナトリウム溶液中で
コンデイシヨニング処理を施こすことにより、目的とす
るバイポーラー膜が得られる。なお、得られるバイポー
ラー膜の陰イオン交換膜層における固定イオン濃度は、
一般に5〜20Nである。
貼り合わされた高分子膜状物においては該フイルムを剥
いだ面)に陰イオン交換基を導入し陰イオン交換膜層を
形成することにより、バイポーラー膜を得る。このよう
な陰イオン交換基の種類及び導入の方法は、公知の方法
が特に制限なく用いられ、例えば第一アミン,第二アミ
ン,第三アミンの少なくとも1種を含む化合物、特に強
塩基性の陰イオン交換基とするために好適な第三アミン
を含む化合物等を水,アルコール,アセトン等に溶解せ
しめた浴中に、前記した片面に陽イオン交換膜層を有す
る高分子膜状物を浸漬する方法等である。この際、用い
られるアミン化合物としては例えばトリメチルアミン,
トリエチルアミン,トリエタノールアミン等である。こ
の後、一般に希塩酸,水,希薄塩化ナトリウム溶液中で
コンデイシヨニング処理を施こすことにより、目的とす
るバイポーラー膜が得られる。なお、得られるバイポー
ラー膜の陰イオン交換膜層における固定イオン濃度は、
一般に5〜20Nである。
本発明に用いる陰イオン交換膜は、長鎖アルキル基を結
合したアミノ基を有することが必要である。かかる陰イ
オン交換膜を得るためには、長鎖アルキル基を結合した
アミノ基を有するビニルモノマーとして、該長鎖アルキ
ル基が一般に炭素数9〜30、特に11〜18を用いる
ことが好ましい。即ち、上記した長鎖アルキル基の炭素
数が9より小さい場合には、得られる陰イオン交換膜の
固定イオン濃度が低下する傾向があり、また炭素数が3
0より大きい場合には、得られる陰イオン交換膜の電気
抵抗が増大する傾向がある。また、上記の長鎖アルキル
基は直鎖状のものが固定イオン濃度の向上により有効で
あるが、分岐状であつてもよい。かかるビニルモノマー
の長鎖アルキル基は、前記したアミノ基に少なくとも1
つ結合していることが必要である。即ち、陰イオン交換
膜の固定イオン濃度を高める従来方法として、陰イオン
交換膜のアミノ基に長鎖アルキルハライドを反応させて
長鎖アルキル基を結合させる方法があるが、この方法で
は表層部のみに長鎖アルキル基が結合し、陰イオン交換
膜の内部まで固定イオン濃度を高めることができないと
いう問題を有する。これに対して、上記の方法にあつて
は、陰イオン交換膜を構成するモノマーとして既に長鎖
アルキル基を結合したアミノ基を有するモノマーを用い
ることにより、上記の問題を生ずることなく、高い固定
イオン濃度とイオン交換容量を有する陰イオン交換膜が
得られるのである。上記に用いるビニルモノマーのアミ
ノ基に結合する長鎖アルキル基の数は、1つあるいは3
つの場合に比べて2つの場合は、特に得られる陰イオン
交換膜の固定イオン濃度の向上効果に優れているため好
ましい。
合したアミノ基を有することが必要である。かかる陰イ
オン交換膜を得るためには、長鎖アルキル基を結合した
アミノ基を有するビニルモノマーとして、該長鎖アルキ
ル基が一般に炭素数9〜30、特に11〜18を用いる
ことが好ましい。即ち、上記した長鎖アルキル基の炭素
数が9より小さい場合には、得られる陰イオン交換膜の
固定イオン濃度が低下する傾向があり、また炭素数が3
0より大きい場合には、得られる陰イオン交換膜の電気
抵抗が増大する傾向がある。また、上記の長鎖アルキル
基は直鎖状のものが固定イオン濃度の向上により有効で
あるが、分岐状であつてもよい。かかるビニルモノマー
の長鎖アルキル基は、前記したアミノ基に少なくとも1
つ結合していることが必要である。即ち、陰イオン交換
膜の固定イオン濃度を高める従来方法として、陰イオン
交換膜のアミノ基に長鎖アルキルハライドを反応させて
長鎖アルキル基を結合させる方法があるが、この方法で
は表層部のみに長鎖アルキル基が結合し、陰イオン交換
膜の内部まで固定イオン濃度を高めることができないと
いう問題を有する。これに対して、上記の方法にあつて
は、陰イオン交換膜を構成するモノマーとして既に長鎖
アルキル基を結合したアミノ基を有するモノマーを用い
ることにより、上記の問題を生ずることなく、高い固定
イオン濃度とイオン交換容量を有する陰イオン交換膜が
得られるのである。上記に用いるビニルモノマーのアミ
ノ基に結合する長鎖アルキル基の数は、1つあるいは3
つの場合に比べて2つの場合は、特に得られる陰イオン
交換膜の固定イオン濃度の向上効果に優れているため好
ましい。
かかる長鎖アルキル基を結合したアミノ基を有するビニ
ルモノマーは、少なくとも1つの長鎖アルキル基を結合
したアミノ基を有するものであれば特に制限されない。
この好適なビニルモノマーを例示すれば、一般式 ただし、式(1)〜(4)においてR1は炭素数9〜20のア
ルキル基,R2は炭素数1〜20のアルキル基,nは1
〜4の整数を示すような特にビニルベンゼン類およびビ
ニルナフタレン類が挙げられる。これらの一般式で示さ
れるビニルモノマーのうち、代表的なものを具体的に例
示すれば 等が挙げられる。
ルモノマーは、少なくとも1つの長鎖アルキル基を結合
したアミノ基を有するものであれば特に制限されない。
この好適なビニルモノマーを例示すれば、一般式 ただし、式(1)〜(4)においてR1は炭素数9〜20のア
ルキル基,R2は炭素数1〜20のアルキル基,nは1
〜4の整数を示すような特にビニルベンゼン類およびビ
ニルナフタレン類が挙げられる。これらの一般式で示さ
れるビニルモノマーのうち、代表的なものを具体的に例
示すれば 等が挙げられる。
本発明の陰イオン交換膜を得るためには、架橋剤を用い
ることにより陰イオン交換膜内に架橋構造を形成させ
て、その膨潤度を減少させ、固定イオン濃度を高く保つ
ことが好ましく、前記のアミノ基を有するビニルモノマ
ーと共重合可能な多官能性ビニルモノマーが特に制限な
く使用される。代表的な架橋剤を例示すれば、ジビニル
ベンゼン類,トリビニルシクロヘキサン類,エチレング
リコールジメタクリレート類,ジビニルナフタレン類,
ジビニルトルエン類,ポリビニルピリジン類,プロピレ
ングリコールジメタクリレート類,プロピレングリコー
ルジアクリレート類等が挙げられる。
ることにより陰イオン交換膜内に架橋構造を形成させ
て、その膨潤度を減少させ、固定イオン濃度を高く保つ
ことが好ましく、前記のアミノ基を有するビニルモノマ
ーと共重合可能な多官能性ビニルモノマーが特に制限な
く使用される。代表的な架橋剤を例示すれば、ジビニル
ベンゼン類,トリビニルシクロヘキサン類,エチレング
リコールジメタクリレート類,ジビニルナフタレン類,
ジビニルトルエン類,ポリビニルピリジン類,プロピレ
ングリコールジメタクリレート類,プロピレングリコー
ルジアクリレート類等が挙げられる。
本発明に用いる陰イオン交換膜は、前記した長鎖アルキ
ル基を結合したアミノ基を有するビニルモノマーと架橋
剤とを含み、必要に応じてこれらのモノマーと共重合可
能な他のビニルモノマーを併用したモノマー混合物の重
合体よりなる。上記したモノマー混合物において、他の
ビニルモノマーを併用する場合、該ビニルモノマーは長
鎖アルキル基を結合したアミノ基を有するビニルモノマ
ーに対して40重量%以下、好ましくは30重量%以下
の量で使用することが、得られる陰イオン交換膜の固定
イオン濃度を高く保つ上で好ましい。また、架橋剤の使
用割合は、上記したビニルモノマーの合計量に対して2
〜100重量%,好ましくは5〜40重量%が適当であ
る。前記した他のビニルモノマーとして代表的なものを
例示すれば、スチレン,ビニルトルエン,クロロメチル
スチレン,クロロメチルビニルナフタレン,プロモメチ
ルスチレン等の芳香族ビニルモノマー類,アクリル酸メ
チル,アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル類,メ
タクリル酸メチル,メタクリル酸エチル等のメタクリル
酸エステル類等の公知の共重合可能なモノマーが挙げら
れる。
ル基を結合したアミノ基を有するビニルモノマーと架橋
剤とを含み、必要に応じてこれらのモノマーと共重合可
能な他のビニルモノマーを併用したモノマー混合物の重
合体よりなる。上記したモノマー混合物において、他の
ビニルモノマーを併用する場合、該ビニルモノマーは長
鎖アルキル基を結合したアミノ基を有するビニルモノマ
ーに対して40重量%以下、好ましくは30重量%以下
の量で使用することが、得られる陰イオン交換膜の固定
イオン濃度を高く保つ上で好ましい。また、架橋剤の使
用割合は、上記したビニルモノマーの合計量に対して2
〜100重量%,好ましくは5〜40重量%が適当であ
る。前記した他のビニルモノマーとして代表的なものを
例示すれば、スチレン,ビニルトルエン,クロロメチル
スチレン,クロロメチルビニルナフタレン,プロモメチ
ルスチレン等の芳香族ビニルモノマー類,アクリル酸メ
チル,アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル類,メ
タクリル酸メチル,メタクリル酸エチル等のメタクリル
酸エステル類等の公知の共重合可能なモノマーが挙げら
れる。
本発明の陰イオン交換膜の製造においては、前記した混
合モノマーにベンゾイルパーオキサイド,アゾビスイソ
ブチロニトリル,ジクミルパーオキアシド,カヤブチル
D,カヤブチルC,パーブチルL等の重合開始剤を添加
して膜状に成形後、重合させる方法が一般的である。な
お、この場合には、混合モノマーに補強材として可溶な
粉末状の熱可塑性樹脂、例えばポリエチレン,ポリプロ
ピレン,ポリ塩化ビニル,アクリロニトリル−塩化ビニ
ル共重合体,塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体,N
BR,SBR,ポリブタジエンなどを添加する方法、あ
るいは混合モノマーをテビロン,テトロン,サラン,ナ
イロン,ボンネル(以上、商品名),ポリエチレン,ポ
リプロピレン等の高分子よりなる不織布,多孔膜,織布
等の補強材に塗布して重合を行う方法等が好適に採用さ
れる。
合モノマーにベンゾイルパーオキサイド,アゾビスイソ
ブチロニトリル,ジクミルパーオキアシド,カヤブチル
D,カヤブチルC,パーブチルL等の重合開始剤を添加
して膜状に成形後、重合させる方法が一般的である。な
お、この場合には、混合モノマーに補強材として可溶な
粉末状の熱可塑性樹脂、例えばポリエチレン,ポリプロ
ピレン,ポリ塩化ビニル,アクリロニトリル−塩化ビニ
ル共重合体,塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体,N
BR,SBR,ポリブタジエンなどを添加する方法、あ
るいは混合モノマーをテビロン,テトロン,サラン,ナ
イロン,ボンネル(以上、商品名),ポリエチレン,ポ
リプロピレン等の高分子よりなる不織布,多孔膜,織布
等の補強材に塗布して重合を行う方法等が好適に採用さ
れる。
また、上記方法によつて得られた陰イオン交換膜は、必
要に応じて長鎖アルキル基を結合したアミノ基にアルキ
ル基を導入してもよい。かかるアルキル基としては炭素
数1〜6,好ましくは1〜3のアルキル基が、その膜状
物における電気抵抗の上昇を防止する上で好適である。
また、アルキル基の導入方法は、公知の方法が特に制限
なく採用され、例えば上記のアルキル基を有するハロゲ
ン化アルキルをアミノ基と反応させることによつて行う
のが一般的である。
要に応じて長鎖アルキル基を結合したアミノ基にアルキ
ル基を導入してもよい。かかるアルキル基としては炭素
数1〜6,好ましくは1〜3のアルキル基が、その膜状
物における電気抵抗の上昇を防止する上で好適である。
また、アルキル基の導入方法は、公知の方法が特に制限
なく採用され、例えば上記のアルキル基を有するハロゲ
ン化アルキルをアミノ基と反応させることによつて行う
のが一般的である。
本発明に用いる電気透析槽は、陽極,陰極間に上記の特
定したそれぞれ陽イオン交換膜,バイポーラー膜および
陰イオン交換膜を順に繰返し配して、陽イオン交換膜と
陰イオン交換膜との間に塩室,陽イオン交換膜とバイポ
ーラー膜の陰イオン交換膜層側との間に塩基室、および
バイポーラー膜の陽イオン交換膜層側と陰イオン交換膜
との間に酸室が構成される三室式の基本構造であり、例
えばフイルタープレス型やユニツトセル型など公知の三
室式電気透析槽と特に区別されない。かかる三室式電気
透析槽に用いる膜数あるいは塩室、塩基室および酸室
(および必要に応じて電解室)の流路間隔(膜間隔)等
は、処理する中性塩の種類,濃度および処理量により適
宜選定される。
定したそれぞれ陽イオン交換膜,バイポーラー膜および
陰イオン交換膜を順に繰返し配して、陽イオン交換膜と
陰イオン交換膜との間に塩室,陽イオン交換膜とバイポ
ーラー膜の陰イオン交換膜層側との間に塩基室、および
バイポーラー膜の陽イオン交換膜層側と陰イオン交換膜
との間に酸室が構成される三室式の基本構造であり、例
えばフイルタープレス型やユニツトセル型など公知の三
室式電気透析槽と特に区別されない。かかる三室式電気
透析槽に用いる膜数あるいは塩室、塩基室および酸室
(および必要に応じて電解室)の流路間隔(膜間隔)等
は、処理する中性塩の種類,濃度および処理量により適
宜選定される。
本発明の上記した三室式電気透析槽を用いて中性塩を複
分解する方法は、三室式電気透析槽の塩室に前記した中
性塩の水溶液を、塩基室に希薄なアルカリ金属水酸化物
溶液(NaOH,等)、に酸室に希薄な塩酸をそれぞれ供給
し、さらに必要に応じて陰・陽極室にも食塩水等の電解
質溶液よりなる電極液を供給した状態で、陽極と陰極と
の間に直流電流を通ずることにより実施される。即ち、
本発明においては上記状態で通電することにより、塩室
に供給される中性塩、例えば食塩のNa+およびCl−
がそれぞれ陽イオン交換膜,陰イオン交換膜を透過して
塩基室,酸室に移動し、これらの室で同時に加水分解に
よつて発生するOH−,H+と結合して、NaOH,H
Clを生成する。この際、本発明では前記した特定なイ
オン交換膜を用いるため、一般には1〜20wt%の塩
酸および1〜20wt%のアルカリ金属水酸化物水溶液
を電流効率90%以上で得ることができる。
分解する方法は、三室式電気透析槽の塩室に前記した中
性塩の水溶液を、塩基室に希薄なアルカリ金属水酸化物
溶液(NaOH,等)、に酸室に希薄な塩酸をそれぞれ供給
し、さらに必要に応じて陰・陽極室にも食塩水等の電解
質溶液よりなる電極液を供給した状態で、陽極と陰極と
の間に直流電流を通ずることにより実施される。即ち、
本発明においては上記状態で通電することにより、塩室
に供給される中性塩、例えば食塩のNa+およびCl−
がそれぞれ陽イオン交換膜,陰イオン交換膜を透過して
塩基室,酸室に移動し、これらの室で同時に加水分解に
よつて発生するOH−,H+と結合して、NaOH,H
Clを生成する。この際、本発明では前記した特定なイ
オン交換膜を用いるため、一般には1〜20wt%の塩
酸および1〜20wt%のアルカリ金属水酸化物水溶液
を電流効率90%以上で得ることができる。
かかる電気透析において、三室式電気透析槽に印加する
電圧,電流密度,処理時間および中性塩の供給(補給)
量等は適宜選定される。
電圧,電流密度,処理時間および中性塩の供給(補給)
量等は適宜選定される。
以上に説明したように、本発明の中性塩の複分解方法に
よれば、中性塩の水溶液を特定なイオン交換膜をそれぞ
れ組合せ構成した三室式電気透析槽に供給するという簡
便な方法で、高濃度の酸およびアルカリを高電流効率で
生成することができる。このような本発明の効果を発揮
する理由は、必ずしも明らかでないが、本発明の三室式
電気透析槽に用いる所定の陽イオン交換膜,バイポーラ
ー膜および陰イオン交換膜のそれぞれ有する特性の組合
せが、中性塩の複分解において極めて有効に作用してい
るものと認められる。即ち、本発明で用いるバイポーラ
ー膜は、陽イオン交換層に陽イオン交換基が均一に存在
すると共に極めて緻密な架橋構造が形成されているた
め、中性塩の複分解時にプロトン(H+),水酸基(O
H-)等の逆拡散および電気浸透水量が極めて小さい。ま
た、本発明で用いる陰イオン交換膜は、全層にわたつて
高い固定イオン濃度を有し、イオン交換容量も高く、低
い電気抵抗を示す。そのため、陰イオン選択性も高く、
かつプロトン(H+)イオンの透過や電気浸透水量(浸透
水量含む)が極めて小さい。さらに、本発明で用いる陽
イオン交換膜は、一価陽イオンに対して高い選択性性能
を有し、更に低い電気抵抗を示す。
よれば、中性塩の水溶液を特定なイオン交換膜をそれぞ
れ組合せ構成した三室式電気透析槽に供給するという簡
便な方法で、高濃度の酸およびアルカリを高電流効率で
生成することができる。このような本発明の効果を発揮
する理由は、必ずしも明らかでないが、本発明の三室式
電気透析槽に用いる所定の陽イオン交換膜,バイポーラ
ー膜および陰イオン交換膜のそれぞれ有する特性の組合
せが、中性塩の複分解において極めて有効に作用してい
るものと認められる。即ち、本発明で用いるバイポーラ
ー膜は、陽イオン交換層に陽イオン交換基が均一に存在
すると共に極めて緻密な架橋構造が形成されているた
め、中性塩の複分解時にプロトン(H+),水酸基(O
H-)等の逆拡散および電気浸透水量が極めて小さい。ま
た、本発明で用いる陰イオン交換膜は、全層にわたつて
高い固定イオン濃度を有し、イオン交換容量も高く、低
い電気抵抗を示す。そのため、陰イオン選択性も高く、
かつプロトン(H+)イオンの透過や電気浸透水量(浸透
水量含む)が極めて小さい。さらに、本発明で用いる陽
イオン交換膜は、一価陽イオンに対して高い選択性性能
を有し、更に低い電気抵抗を示す。
以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発
明はこれらの実施例に特に限定されるものではない。
明はこれらの実施例に特に限定されるものではない。
尚、実施例の「部」は「重量部」を示す。実施例におい
て、膜の固定イオン濃度は、イオン交換膜を1N塩酸に
平衡にしたのち、メタノールで数回洗浄し、膜に吸着さ
れている塩酸を洗浄除去したのち、0.2N−硝酸ソー
ダで洗浄イオン交換して後、洗浄液を集め濃縮し、含ま
れている塩素イオンを定量した。これによつて膜の交換
容量(E.C.)を測定した。他方、膜は0.5N含塩
水に平衡にしたのち秤量し、湿潤重量(Wet W)を
測定し、次いで30℃で減圧に16時間乾燥したのち膜
重量を測定した。乾燥重量(Dry W)を測定した膜
の固定イオン濃度は、式 によつて求めた。
て、膜の固定イオン濃度は、イオン交換膜を1N塩酸に
平衡にしたのち、メタノールで数回洗浄し、膜に吸着さ
れている塩酸を洗浄除去したのち、0.2N−硝酸ソー
ダで洗浄イオン交換して後、洗浄液を集め濃縮し、含ま
れている塩素イオンを定量した。これによつて膜の交換
容量(E.C.)を測定した。他方、膜は0.5N含塩
水に平衡にしたのち秤量し、湿潤重量(Wet W)を
測定し、次いで30℃で減圧に16時間乾燥したのち膜
重量を測定した。乾燥重量(Dry W)を測定した膜
の固定イオン濃度は、式 によつて求めた。
中性塩の複分解性能は、陽イオン交換膜,バイポーラー
膜および陰イオン交換膜を陰極・陽極の両電極間に配列
し締め付け三室式電気透析槽(有効面積2dm2)を組み
たて、該透析槽を用いて、塩室に25wt%NaCl溶
液,酸室に1〜10%HCl,塩基室に1〜10%Na
OHをそれぞれ供給して、温度20〜50℃,電流密度
0.1〜10A/dm2にて透析を行なつた。この際、H
ClおよびNaOHの初期濃度および透析後の濃度,電
流効率を測定した。
膜および陰イオン交換膜を陰極・陽極の両電極間に配列
し締め付け三室式電気透析槽(有効面積2dm2)を組み
たて、該透析槽を用いて、塩室に25wt%NaCl溶
液,酸室に1〜10%HCl,塩基室に1〜10%Na
OHをそれぞれ供給して、温度20〜50℃,電流密度
0.1〜10A/dm2にて透析を行なつた。この際、H
ClおよびNaOHの初期濃度および透析後の濃度,電
流効率を測定した。
実施例 1. (バイポーラー膜Aの製造) クロルメチルスチレン100部,アクリロニトリル12
部,クロロスルホン化ポリエチレンゴム7部,純度約5
5%のジビニルベンゼン20部および過酸化ベンゾイル
4部からなるモノマー混合溶液をポリプロピレン製の平
織布に塗布し、両面をポリエステルフイルムでおおい、
80℃で10時間加熱重合して高分子膜状物とした。こ
の高分子膜状物の片側にポリプロピレンのフイルムを貼
り、クロルスルホン酸と硫酸の混合溶液中に常法により
浸漬して、片面にスルホン酸基を導入した。次いで加水
分解,水洗をし、希塩酸に浸漬した。この後フイルムを
剥し、10%トリメチルアミン水溶液に室温で24時間
浸漬した。更に希塩酸,水,0.5規定の塩化ナトリウ
ム水溶液の各溶液に浸漬することにより、本発明のバイ
ポーラー膜を得た。
部,クロロスルホン化ポリエチレンゴム7部,純度約5
5%のジビニルベンゼン20部および過酸化ベンゾイル
4部からなるモノマー混合溶液をポリプロピレン製の平
織布に塗布し、両面をポリエステルフイルムでおおい、
80℃で10時間加熱重合して高分子膜状物とした。こ
の高分子膜状物の片側にポリプロピレンのフイルムを貼
り、クロルスルホン酸と硫酸の混合溶液中に常法により
浸漬して、片面にスルホン酸基を導入した。次いで加水
分解,水洗をし、希塩酸に浸漬した。この後フイルムを
剥し、10%トリメチルアミン水溶液に室温で24時間
浸漬した。更に希塩酸,水,0.5規定の塩化ナトリウ
ム水溶液の各溶液に浸漬することにより、本発明のバイ
ポーラー膜を得た。
この膜の固定イオン濃度は陽イオン交換膜層17.1
N,陰イオン交換膜層12.5Nであつた。
N,陰イオン交換膜層12.5Nであつた。
(陰イオン交換膜Aの製造) ビニルベンジルジラウリルアミン(NNジラウリルアシ
ノメチルスチレン)100部,純度約55%のジビニル
ベンゼン10部,スチレン30部,アクリロニトリルゴ
ム(日本ゼオン(株)社製ハイカー 1042)10部
およびアゾイソブチロニトリル4部を混合して得たペー
スト状混合物をポリ塩化ビニル製の布に塗布したのち、
脱気し、次いで両面をポリエステルフイルムでおおい、
75℃で5時間加熱重合することにより高分子膜状物と
した。次いで、n−ヘキサン中に30℃で6時間浸漬し
て、本発明の陰イオン交換膜を得た。
ノメチルスチレン)100部,純度約55%のジビニル
ベンゼン10部,スチレン30部,アクリロニトリルゴ
ム(日本ゼオン(株)社製ハイカー 1042)10部
およびアゾイソブチロニトリル4部を混合して得たペー
スト状混合物をポリ塩化ビニル製の布に塗布したのち、
脱気し、次いで両面をポリエステルフイルムでおおい、
75℃で5時間加熱重合することにより高分子膜状物と
した。次いで、n−ヘキサン中に30℃で6時間浸漬し
て、本発明の陰イオン交換膜を得た。
(陽イオン交換膜Aの製造) NNN′N′N″テトラメチル1.6ヘキサンジアミン
17.3gとクロルメチルスチレン30.6gをメタノ
ール100ml中で室温にて24時間反応させ、第四級ア
ンモニウム塩基とビニルベンジル基とを各1個有する化
合物を得た。この化合物を1000 ppm含む1.0規定
食塩溶液中に陽イオン交換膜ネオセプタCM(徳山曹達
社製,強酸性陽イオン交換基)を30℃で2時間浸漬
し、次いで窒素雰囲気下に重合開始剤として過硫酸カリ
ウムおよび亜硫酸ナトリウムをそれぞれ1000 ppmに
なるように加え、激しく液を撹拌した。10時間後に膜
を取り出し、本発明の陽イオン交換膜を得た。
17.3gとクロルメチルスチレン30.6gをメタノ
ール100ml中で室温にて24時間反応させ、第四級ア
ンモニウム塩基とビニルベンジル基とを各1個有する化
合物を得た。この化合物を1000 ppm含む1.0規定
食塩溶液中に陽イオン交換膜ネオセプタCM(徳山曹達
社製,強酸性陽イオン交換基)を30℃で2時間浸漬
し、次いで窒素雰囲気下に重合開始剤として過硫酸カリ
ウムおよび亜硫酸ナトリウムをそれぞれ1000 ppmに
なるように加え、激しく液を撹拌した。10時間後に膜
を取り出し、本発明の陽イオン交換膜を得た。
得られた陰イオン交換膜A,バイポーラー膜Aおよび陽
イオン交換膜Aを用いて、前記条件で複分解を行なつ
た。その結果を第1表に示した。
イオン交換膜Aを用いて、前記条件で複分解を行なつ
た。その結果を第1表に示した。
比較例 1 (バイポーラー膜Bの製造) クロロメチルスチレン100部,純度約55%のジビニル
ベンゼン20部,ジオクチルフタレート1.5部,クロ
ロスルホン化ポリエチレンゴム7部および過酸化ベンゾ
イル4部からなるモノマー混合溶液をポリプロピレン製
の平織布に塗布し、両面をポリエステルフイルムでおお
い、80℃で8時間加熱重合して高分子膜状物とした。
以下、実施例1と同様に行ない比較用のバイポーラー膜
を得た。この膜の固定イオン濃度は陽イオン交換膜層9
N,陰イオン交換膜層8.5Nであつた。
ベンゼン20部,ジオクチルフタレート1.5部,クロ
ロスルホン化ポリエチレンゴム7部および過酸化ベンゾ
イル4部からなるモノマー混合溶液をポリプロピレン製
の平織布に塗布し、両面をポリエステルフイルムでおお
い、80℃で8時間加熱重合して高分子膜状物とした。
以下、実施例1と同様に行ない比較用のバイポーラー膜
を得た。この膜の固定イオン濃度は陽イオン交換膜層9
N,陰イオン交換膜層8.5Nであつた。
得られたバイポーラー膜Bと実施例1で合成した陽イオ
ン交換膜A,陰イオン交換膜Aを用いて、前記条件で中
性塩の複分解を行なつた。その結果を第1表に示す。
ン交換膜A,陰イオン交換膜Aを用いて、前記条件で中
性塩の複分解を行なつた。その結果を第1表に示す。
実施例 2. (バイポーラー膜Cの製造) クロルメチルスチレン100部,メタクリロニトリル1
5部,アクリロニトリル−ブタジエンゴム7部,純度約
80%のジビニルベンゼン15部および過酸化ベンゾイ
ル4部からなるモノマー混合溶液をポリ塩化ビニルとポ
リプロピレン交撚の平織布に塗布し、両面をポリエステ
ルフイルムでおおい、80℃で10時間加重重合して高
分子膜状物とした。以下、実施例1と同様にして、バイ
ポーラー膜を得た。この膜の固定イオン濃度は陽イオン
交換膜層12.5N,陰イオン交換膜層10Nであつ
た。
5部,アクリロニトリル−ブタジエンゴム7部,純度約
80%のジビニルベンゼン15部および過酸化ベンゾイ
ル4部からなるモノマー混合溶液をポリ塩化ビニルとポ
リプロピレン交撚の平織布に塗布し、両面をポリエステ
ルフイルムでおおい、80℃で10時間加重重合して高
分子膜状物とした。以下、実施例1と同様にして、バイ
ポーラー膜を得た。この膜の固定イオン濃度は陽イオン
交換膜層12.5N,陰イオン交換膜層10Nであつ
た。
(陰イオン交換膜Bの製造) ビニルベンジルジオクチルアミン70部,純度約80%
のジビニルベンゼン15部,アクリロニトリル−ブタジ
エンゴム6部,およびアゾイソブチロニトリル3部を混
合して得たペースト状混合物をポリ塩化ビニルとポリプ
ロピレン交撚の平織布に塗布したのち、脱気し、次いで
両面をポリエステルフイルムでおおい、75℃で7時間
加熱重合することにより、高分子膜状物を得た。得られ
た膜状物をヨウ化メチルとn−ヘキサン中に30℃で2
4時間浸漬し、次いで、n−ヘキサンで洗浄して、本発
明の陰イオン交換膜を得た。
のジビニルベンゼン15部,アクリロニトリル−ブタジ
エンゴム6部,およびアゾイソブチロニトリル3部を混
合して得たペースト状混合物をポリ塩化ビニルとポリプ
ロピレン交撚の平織布に塗布したのち、脱気し、次いで
両面をポリエステルフイルムでおおい、75℃で7時間
加熱重合することにより、高分子膜状物を得た。得られ
た膜状物をヨウ化メチルとn−ヘキサン中に30℃で2
4時間浸漬し、次いで、n−ヘキサンで洗浄して、本発
明の陰イオン交換膜を得た。
(陽イオン交換膜Bの製造) スチレン100部,純度約80%のジビニルベンゼン1
2部,ジオクチルフタレート8部おびポリ塩化ビニル微
粉末15部を加熱撹拌し、放冷後、過酸化ベンゾイル3
部を加えた混合溶液をポリ塩化ビニル製の平織布に塗布
し、両面をポリエステルフイルムでおおい、110℃で
5時間加熱重合して高分子膜状物を得た。次いで、この
膜をクロルスルホン酸と硫酸の混合溶液中に40℃で1
時間浸漬し、約60%のスルホニルクロライドを生成さ
せた。この膜の片面に約50%のポリエチレンイミンと
ジオクチルアミンの粘稠な混合液を塗布して室温で16
時間放置し、その後水洗、加水分解をして、本発明の陽
イオン交換膜(陽イオン交換基の存在量2×10-3eq/
cm2)を得た。
2部,ジオクチルフタレート8部おびポリ塩化ビニル微
粉末15部を加熱撹拌し、放冷後、過酸化ベンゾイル3
部を加えた混合溶液をポリ塩化ビニル製の平織布に塗布
し、両面をポリエステルフイルムでおおい、110℃で
5時間加熱重合して高分子膜状物を得た。次いで、この
膜をクロルスルホン酸と硫酸の混合溶液中に40℃で1
時間浸漬し、約60%のスルホニルクロライドを生成さ
せた。この膜の片面に約50%のポリエチレンイミンと
ジオクチルアミンの粘稠な混合液を塗布して室温で16
時間放置し、その後水洗、加水分解をして、本発明の陽
イオン交換膜(陽イオン交換基の存在量2×10-3eq/
cm2)を得た。
得られた陰イオン交換膜B,バイポーラー膜Cおよび陽
イオン交換膜Bを実施例1と同様に組み込み、(但し、
陽イオン交換膜Bの処理側を中性塩室に向けて組み込
む。)同じ条件で複分解を行なつた。その時の性能効果
を第1表に示す。
イオン交換膜Bを実施例1と同様に組み込み、(但し、
陽イオン交換膜Bの処理側を中性塩室に向けて組み込
む。)同じ条件で複分解を行なつた。その時の性能効果
を第1表に示す。
比較例 2. 実施例2で合成したバイポーラー膜C,陽イオン交換膜
Bおよび陰イオン交換膜ACS(徳山曹達(株)社製,強
塩基性陰イオン交換膜)を用いて、実施例1と同様に組
み込み同じ条件で複分解を行なつた。その結果を第1表
に示す。
Bおよび陰イオン交換膜ACS(徳山曹達(株)社製,強
塩基性陰イオン交換膜)を用いて、実施例1と同様に組
み込み同じ条件で複分解を行なつた。その結果を第1表
に示す。
実施例 3 (バイポーラー膜Dの製造) クロルメチルスチレン120部,アクリロニトリル15
部,スチレン5部,純度約89%のビスビニルフエニル
エタン15部,クロロスルホン化ポリエチレンゴム8部
および過酸化ベンゾイル5部からなるモノマー混合溶液
をポリプロピレン製の平織布に塗布し、両面をポリエス
テルフイルムでおおい、70℃で3時間,80℃で6時
間加熱重合して高分子膜状物とした。この高分子膜状物
の片面にポリプロピレンのフイルムを貼り、クロルスル
ホン酸と硫酸の混合溶液中に常法により浸漬して、片面
にスルホン酸基を導入した。次いで加水分解,水洗を
し、希塩酸に浸漬した後、フイルムを剥し、10%トリ
メチルアミン水溶液に室温で24時間浸漬した。更に希
塩酸,水,0.5規定の塩化ナトリウム水溶液の各溶液
に浸漬することにより、本発明のバイポーラー膜を得
た。
部,スチレン5部,純度約89%のビスビニルフエニル
エタン15部,クロロスルホン化ポリエチレンゴム8部
および過酸化ベンゾイル5部からなるモノマー混合溶液
をポリプロピレン製の平織布に塗布し、両面をポリエス
テルフイルムでおおい、70℃で3時間,80℃で6時
間加熱重合して高分子膜状物とした。この高分子膜状物
の片面にポリプロピレンのフイルムを貼り、クロルスル
ホン酸と硫酸の混合溶液中に常法により浸漬して、片面
にスルホン酸基を導入した。次いで加水分解,水洗を
し、希塩酸に浸漬した後、フイルムを剥し、10%トリ
メチルアミン水溶液に室温で24時間浸漬した。更に希
塩酸,水,0.5規定の塩化ナトリウム水溶液の各溶液
に浸漬することにより、本発明のバイポーラー膜を得
た。
(陰イオン交換膜Cの製造) ビニルベンジルデシルアミン100部,純度約80%の
ジビニルベンゼン12部,微粉末ポリ塩化ビニル5部,
アクリロニトリル−ブタジエンゴム4部およびアゾイソ
ブチロニトリル5部を混合して得たペースト状混合物を
ポリプロピレンと塩化ビニル交撚の平織布に塗布したの
ち、脱気し、次いで両面をポリエステルフイルムでおお
い、75℃で5時間加熱重合することにより高分子膜状
物とした。次いで、n−ヘキサン中に30℃で12時間
浸漬して、本発明の陰イオン交換膜を得た。
ジビニルベンゼン12部,微粉末ポリ塩化ビニル5部,
アクリロニトリル−ブタジエンゴム4部およびアゾイソ
ブチロニトリル5部を混合して得たペースト状混合物を
ポリプロピレンと塩化ビニル交撚の平織布に塗布したの
ち、脱気し、次いで両面をポリエステルフイルムでおお
い、75℃で5時間加熱重合することにより高分子膜状
物とした。次いで、n−ヘキサン中に30℃で12時間
浸漬して、本発明の陰イオン交換膜を得た。
(陽イオン交換膜Cの製造) 3−ビニルピリジンをアニオン重合して、分子量300
0のポリー4ビニルピリジンを得た。このもの10.4
g(0.1 mol)を200mlのメタノールに溶解させ、
次いでクロルメチルスチレン15.3g(0.1 mol)
を添加し、40℃で7日間反応させ、ポリビニルピリジ
ンを第四級ピリジニウム塩とすると共に2個のビニルベ
ンジル基を導入した。
0のポリー4ビニルピリジンを得た。このもの10.4
g(0.1 mol)を200mlのメタノールに溶解させ、
次いでクロルメチルスチレン15.3g(0.1 mol)
を添加し、40℃で7日間反応させ、ポリビニルピリジ
ンを第四級ピリジニウム塩とすると共に2個のビニルベ
ンジル基を導入した。
このものの3000 ppmを含む水溶液中へ陽イオン交換
膜(ネオセプタ CM,徳山曹達(株)社製)を40℃で
3日間浸漬処理した。水溶液中から、上記陽イオン交換
膜を取り出し、過硫酸アンモニウム,亜硫酸カリウムの
各1000 ppm水溶液の混合液中へ窒素雰囲気下に10
時間浸漬して、本発明の陽イオン交換膜を得た。(陰イ
オン交換基の存在量各々片面に1×10-3eq/cm2であ
つた) 得られた陰イオン交換膜C,バイポーラー膜Dおよび陽
イオン交換膜Cを実施例1と同様に組み込み、同じ条件
で複分解を行なつた。その時の性能結果を第1表に示
す。
膜(ネオセプタ CM,徳山曹達(株)社製)を40℃で
3日間浸漬処理した。水溶液中から、上記陽イオン交換
膜を取り出し、過硫酸アンモニウム,亜硫酸カリウムの
各1000 ppm水溶液の混合液中へ窒素雰囲気下に10
時間浸漬して、本発明の陽イオン交換膜を得た。(陰イ
オン交換基の存在量各々片面に1×10-3eq/cm2であ
つた) 得られた陰イオン交換膜C,バイポーラー膜Dおよび陽
イオン交換膜Cを実施例1と同様に組み込み、同じ条件
で複分解を行なつた。その時の性能結果を第1表に示
す。
比較例 3. 実施例3で合成したバイポーラー膜D,陰イオン交換膜
Cおよび陽イオン交換膜CM(徳山曹達(株)社製,強酸
性陽イオン交換膜)を用いて実施例1と同様に組み込
み、同じ条件で複分解を行なつた。その結果を第1表に
示す。
Cおよび陽イオン交換膜CM(徳山曹達(株)社製,強酸
性陽イオン交換膜)を用いて実施例1と同様に組み込
み、同じ条件で複分解を行なつた。その結果を第1表に
示す。
Claims (2)
- 【請求項1】少くとも一方の表面に交換容量が10-6〜
10-2eq/cm2の割合で陰イオン交換層を有する1価陽
イオン選択透過性の陽イオン交換膜、陰イオン交換膜層
と陽イオン交換膜層を有し、且つ該陽イオン交換膜層の
固定イオン濃度が10N以上であるバイポーラ膜、およ
び炭素数9〜30の長鎖アルキル基を結合したアミノ基
を有する陰イオン交換膜を陽・陰の電極間に順に繰返し
配列して、陽イオン交換膜とバイポーラ膜の陰イオン交
換膜層側との間に塩基室、バイポーラ膜の陽イオン交換
膜層側と陰イオン交換膜との間に酸室および陰イオン交
換膜と陽イオン交換膜との間に塩室を構成した三室式電
気透析槽を用いて、塩室に中性塩の水溶液を供給して電
気透析することを特徴とする中性塩の複分解方法 - 【請求項2】中性塩が塩化ナトリウムである特許請求の
範囲第1項記載の方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283106A JPH0633475B2 (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 中性塩の複分解方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283106A JPH0633475B2 (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 中性塩の複分解方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63137187A JPS63137187A (ja) | 1988-06-09 |
| JPH0633475B2 true JPH0633475B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=17661295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61283106A Expired - Fee Related JPH0633475B2 (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 中性塩の複分解方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0633475B2 (ja) |
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| CN114592206A (zh) * | 2022-03-30 | 2022-06-07 | 西安热工研究院有限公司 | 离子膜电解系统、电解制氢制备烧碱和盐酸的系统及方法 |
| CN119607892B (zh) * | 2024-12-02 | 2025-12-30 | 万华化学集团股份有限公司 | 一种用于双极膜的阴膜层和阳膜层区分表征的方法 |
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1986
- 1986-11-29 JP JP61283106A patent/JPH0633475B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPS63137187A (ja) | 1988-06-09 |
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