JPH06336586A - 有機電界発光素子 - Google Patents
有機電界発光素子Info
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- JPH06336586A JPH06336586A JP5127452A JP12745293A JPH06336586A JP H06336586 A JPH06336586 A JP H06336586A JP 5127452 A JP5127452 A JP 5127452A JP 12745293 A JP12745293 A JP 12745293A JP H06336586 A JPH06336586 A JP H06336586A
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- JP
- Japan
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- electroluminescent device
- organic electroluminescent
- organic
- light emitting
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 陽極、正孔輸送層、有機発光層、陰極を順次
積層した有機電界発光素子であって、有機発光層が、下
記一般式(I) 【化1】 (式中、R1 ないしR8 は、それぞれ独立して、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケ
ニル基、アリル基、シアノ基、アミノ基、アミド基、ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ
基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素又は置換
基を有していてもよい芳香族複素環を示し、MはBe、
Zn、Cd、Al、Ga、In、Sc、Y、Mg、C
a、Sr、Co、Cu又はNiを示し、nは1から3ま
での整数である)で表わされるオキサゾール金属錯体を
含有することを特徴とする有機電界発光素子。 【効果】 長期に渡って安定な青色発光特性を維持でき
る有機電界発光素子を提供できる。
積層した有機電界発光素子であって、有機発光層が、下
記一般式(I) 【化1】 (式中、R1 ないしR8 は、それぞれ独立して、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケ
ニル基、アリル基、シアノ基、アミノ基、アミド基、ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ
基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素又は置換
基を有していてもよい芳香族複素環を示し、MはBe、
Zn、Cd、Al、Ga、In、Sc、Y、Mg、C
a、Sr、Co、Cu又はNiを示し、nは1から3ま
での整数である)で表わされるオキサゾール金属錯体を
含有することを特徴とする有機電界発光素子。 【効果】 長期に渡って安定な青色発光特性を維持でき
る有機電界発光素子を提供できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、有機電界発光素子に関
するものであり、詳しくは、有機化合物から成る発光層
に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関するも
のである。
するものであり、詳しくは、有機化合物から成る発光層
に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光(EL)素子と
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるZn
S、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類
元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子
は、 1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、 2)駆動電圧が高い(〜200V)、 3)フルカラー化が困難(特に青色が問題)、 4)周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるZn
S、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類
元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子
は、 1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、 2)駆動電圧が高い(〜200V)、 3)フルカラー化が困難(特に青色が問題)、 4)周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。
【0003】しかし、近年、上記問題点の改良のため、
有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるために電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的とした電極種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る有機正孔輸送層と8−ヒド
ロキシキノリンのアルミニウム錯体から成る有機発光層
を設けた有機電界発光素子の開発(Appl.Phy
s.Lett.,51巻,913頁,1987年)によ
り、従来のアントラセン等の単結晶を用いた電界発光素
子と比較して発光効率の大幅な改善がなされている。
有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるために電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的とした電極種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る有機正孔輸送層と8−ヒド
ロキシキノリンのアルミニウム錯体から成る有機発光層
を設けた有機電界発光素子の開発(Appl.Phy
s.Lett.,51巻,913頁,1987年)によ
り、従来のアントラセン等の単結晶を用いた電界発光素
子と比較して発光効率の大幅な改善がなされている。
【0004】有機電界発光素子の特徴の一つに青色発光
が実現できることが挙げられる。青色の電界発光を示す
有機材料としては、アントラセン(Jpn.J.App
l.Phys.,27巻,L269頁,1988年)、
テトラフェニルブタジエン、ペンタフェニルシクロペン
タジエン(Appl.Phys.Lett.,56巻,
799頁、1990年)、ジスチリルベンゼン誘導体
(日本化学会誌,1162頁,1992年)、スチリル
アミン含有ポリカーボネート(Appl.Phys.L
ett.,61巻,2503頁,1992年)、オキサ
ジアゾール誘導体(Jpn.J.Appl.Phy
s.,31巻,1812頁,1992年;日本化学会
誌,1540頁,1991年)、アゾメチン亜鉛錯体
(Jpn.J.Appl.Phys.,32巻,L51
1頁,1993年)等が報告されている。
が実現できることが挙げられる。青色の電界発光を示す
有機材料としては、アントラセン(Jpn.J.App
l.Phys.,27巻,L269頁,1988年)、
テトラフェニルブタジエン、ペンタフェニルシクロペン
タジエン(Appl.Phys.Lett.,56巻,
799頁、1990年)、ジスチリルベンゼン誘導体
(日本化学会誌,1162頁,1992年)、スチリル
アミン含有ポリカーボネート(Appl.Phys.L
ett.,61巻,2503頁,1992年)、オキサ
ジアゾール誘導体(Jpn.J.Appl.Phy
s.,31巻,1812頁,1992年;日本化学会
誌,1540頁,1991年)、アゾメチン亜鉛錯体
(Jpn.J.Appl.Phys.,32巻,L51
1頁,1993年)等が報告されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前述の青色発光材料を
有機電界発光素子の発光層として用いた場合、 1)青色発光を示す有機分子の構造は単純なものが多い
ので、分子量が小さくなり薄膜状態が不安定なため、結
晶化しやすく一様な膜が得にくい、 2)発光効率が低く、高輝度が得られない、 3)正孔輸送材料と相互作用して、エキサイプレックス
を形成して、電界発光が長波長化してしまう、 4)素子として駆動した時の寿命が短い、 等の問題点が挙げられる。
有機電界発光素子の発光層として用いた場合、 1)青色発光を示す有機分子の構造は単純なものが多い
ので、分子量が小さくなり薄膜状態が不安定なため、結
晶化しやすく一様な膜が得にくい、 2)発光効率が低く、高輝度が得られない、 3)正孔輸送材料と相互作用して、エキサイプレックス
を形成して、電界発光が長波長化してしまう、 4)素子として駆動した時の寿命が短い、 等の問題点が挙げられる。
【0006】上述の理由から、青色発光有機電界発光素
子の実用化のためには多くの問題を抱えているのが実状
である。
子の実用化のためには多くの問題を抱えているのが実状
である。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記実状
に鑑み、長期間に渡って安定な青色発光特性を維持でき
る有機電界発光素子を提供することを目的として鋭意検
討した結果、有機発光層にオキサゾール金属錯体を含有
させることが好適であることを見い出し、本発明を完成
するに至った。
に鑑み、長期間に渡って安定な青色発光特性を維持でき
る有機電界発光素子を提供することを目的として鋭意検
討した結果、有機発光層にオキサゾール金属錯体を含有
させることが好適であることを見い出し、本発明を完成
するに至った。
【0008】即ち、本発明の要旨は、陽極、正孔輸送
層、有機発光層、陰極を順次積層した有機電界発光素子
であって、有機発光層が、下記一般式(I)
層、有機発光層、陰極を順次積層した有機電界発光素子
であって、有機発光層が、下記一般式(I)
【0009】
【化2】
【0010】(式中、R1 ないしR8 は、それぞれ独立
して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキ
ル基、アルケニル基、アリル基、シアノ基、アミノ基、
アミド基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、
アルコキシ基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水
素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示
し、Mは、ベリリウム、亜鉛、カドミウム、アルミニウ
ム、ガリウム、インジウム、スカンジウム、イットリウ
ム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、コバ
ルト、銅又はニッケルを示し、nは1から3までの整数
である)で表わされるオキサゾール金属錯体を含有する
ことを特徴とする有機電界発光素子に存する。
して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキ
ル基、アルケニル基、アリル基、シアノ基、アミノ基、
アミド基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、
アルコキシ基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水
素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示
し、Mは、ベリリウム、亜鉛、カドミウム、アルミニウ
ム、ガリウム、インジウム、スカンジウム、イットリウ
ム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、コバ
ルト、銅又はニッケルを示し、nは1から3までの整数
である)で表わされるオキサゾール金属錯体を含有する
ことを特徴とする有機電界発光素子に存する。
【0011】以下、本発明の有機電界発光素子につい
て、図面に従い説明する。図1は、本発明の有機電界発
光素子の構造例を模式的に示す断面図であり、1は基
板、2a、2bは導電層、3は正孔輸送層、4は有機発
光層を各々表わす。基板1は、本発明の有機電界発光素
子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属
板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いら
れるが、ガラス板や、ポリエステル、ポリメタアクリレ
ート、ポリカーボネート、ポリサルホン等の透明な合成
樹脂基板が好ましい。
て、図面に従い説明する。図1は、本発明の有機電界発
光素子の構造例を模式的に示す断面図であり、1は基
板、2a、2bは導電層、3は正孔輸送層、4は有機発
光層を各々表わす。基板1は、本発明の有機電界発光素
子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属
板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いら
れるが、ガラス板や、ポリエステル、ポリメタアクリレ
ート、ポリカーボネート、ポリサルホン等の透明な合成
樹脂基板が好ましい。
【0012】基板1上には導電層2aが設けられるが、
この導電層2aとしては、通常、アルミニウム、金、
銀、ニッケル、パラジウム、テルル等の金属、インジウ
ム及び/又はスズの酸化物等の金属酸化物やヨウ化銅、
カーボンブラック、あるいは、ポリ(3−メチルチオフ
ェン)等の導電性高分子等により構成される。導電層2
aの形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等に
より行われることが多いが、銀等の金属微粒子あるいは
ヨウ化銅、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒
子、導電性高分子微粉末等の場合には、適当なバインダ
ー樹脂溶液に分散し、基板上に塗布することにより形成
することもできる。さらに、導電性高分子の場合は電解
重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に塗
布して形成することもできる(Appl.Phys.L
ett.,60巻,2711頁,1992年)。
この導電層2aとしては、通常、アルミニウム、金、
銀、ニッケル、パラジウム、テルル等の金属、インジウ
ム及び/又はスズの酸化物等の金属酸化物やヨウ化銅、
カーボンブラック、あるいは、ポリ(3−メチルチオフ
ェン)等の導電性高分子等により構成される。導電層2
aの形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等に
より行われることが多いが、銀等の金属微粒子あるいは
ヨウ化銅、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒
子、導電性高分子微粉末等の場合には、適当なバインダ
ー樹脂溶液に分散し、基板上に塗布することにより形成
することもできる。さらに、導電性高分子の場合は電解
重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に塗
布して形成することもできる(Appl.Phys.L
ett.,60巻,2711頁,1992年)。
【0013】上記の導電層2aは、異なる物質で積層す
ることも可能である。導電層2aの厚みは、必要とする
透明性により異なるが、透明性が必要とされる場合は、
可視光の透過率が60%以上、好ましくは80%以上透
過することが望ましく、この場合、厚みは、通常、5〜
1000nm、好ましくは10〜500nm程度であ
る。不透明でよい場合は導電層2aは基板1と同一でも
よい。
ることも可能である。導電層2aの厚みは、必要とする
透明性により異なるが、透明性が必要とされる場合は、
可視光の透過率が60%以上、好ましくは80%以上透
過することが望ましく、この場合、厚みは、通常、5〜
1000nm、好ましくは10〜500nm程度であ
る。不透明でよい場合は導電層2aは基板1と同一でも
よい。
【0014】図1の例では、導電層2aは陽極(アノー
ド)として正孔注入の役割を果たすものである。一方、
導電層2bは、陰極(カソード)として有機発光層4に
電子を注入する役割を果たす。導電層2bとして用いら
れる材料は、前記導電層2a用の材料を用いることが可
能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数
の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウ
ム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金
が用いられる。導電層2bの膜厚、形成方法は、通常、
導電層2aと同様である。また、図1には示してはいな
いが、導電層2bの上にさらに基板1と同様の基板を設
けることもできる。但し、EL素子としては導電層2a
と導電層2bの少なくとも一方は透明性の良いことが必
要である。このことから、導電層2aと導電層2bのい
ずれか一方は、10〜500nmの膜厚であることが好
ましく、透明性の良いことが望まれる。
ド)として正孔注入の役割を果たすものである。一方、
導電層2bは、陰極(カソード)として有機発光層4に
電子を注入する役割を果たす。導電層2bとして用いら
れる材料は、前記導電層2a用の材料を用いることが可
能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数
の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウ
ム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金
が用いられる。導電層2bの膜厚、形成方法は、通常、
導電層2aと同様である。また、図1には示してはいな
いが、導電層2bの上にさらに基板1と同様の基板を設
けることもできる。但し、EL素子としては導電層2a
と導電層2bの少なくとも一方は透明性の良いことが必
要である。このことから、導電層2aと導電層2bのい
ずれか一方は、10〜500nmの膜厚であることが好
ましく、透明性の良いことが望まれる。
【0015】導電層2aの上には正孔輸送層3が設けら
れるが、正孔輸送材料としては、導電層2aからの正孔
注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送
することができる材料であることが必要である。そのた
めには、イオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移
動度が大きく、さらに安定性にすぐれ、トラップとなる
不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求され
る。
れるが、正孔輸送材料としては、導電層2aからの正孔
注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送
することができる材料であることが必要である。そのた
めには、イオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移
動度が大きく、さらに安定性にすぐれ、トラップとなる
不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求され
る。
【0016】このような正孔輸送化合物としては、例え
ば、特開昭59−194393号公報、米国特許第4,
175,960号、米国特許第4,923,774号及
び米国特許第5,047,687号に解説されるN,
N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフェニル)
−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン:1,
1’−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シク
ロヘキサン:4,4’−ビス(ジフェニルアミノ)クワ
ドロフェニル等の芳香族アミン系化合物、特開平2−3
11591号公報に示されるヒドラゾン化合物、米国特
許第4,950,950号公報に示されるシラザン化合
物、キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの化合
物は、単独で用いるか、必要に応じて、各々混合して用
いてもよい。上記の化合物以外に、ポリビニルカルバゾ
ールやポリシラン(Appl.Phys.Lett.,
59巻,2760頁,1991年)等の高分子材料が挙
げられる。
ば、特開昭59−194393号公報、米国特許第4,
175,960号、米国特許第4,923,774号及
び米国特許第5,047,687号に解説されるN,
N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフェニル)
−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン:1,
1’−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シク
ロヘキサン:4,4’−ビス(ジフェニルアミノ)クワ
ドロフェニル等の芳香族アミン系化合物、特開平2−3
11591号公報に示されるヒドラゾン化合物、米国特
許第4,950,950号公報に示されるシラザン化合
物、キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの化合
物は、単独で用いるか、必要に応じて、各々混合して用
いてもよい。上記の化合物以外に、ポリビニルカルバゾ
ールやポリシラン(Appl.Phys.Lett.,
59巻,2760頁,1991年)等の高分子材料が挙
げられる。
【0017】上記の有機正孔輸送材料を塗布法あるいは
真空蒸着法により前記導電層2a上に積層することによ
り、正孔輸送層3を形成することができる。塗布法の場
合は、有機正孔輸送化合物を1種又は2種以上と、必要
により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や、レ
ベリング剤等の塗布性改良剤等の添加剤を添加し溶解し
た塗布溶液を調整し、スピンコート法等の方法により導
電層2a上に塗布し、乾燥して有機正孔輸送層3を形成
する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポ
リアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダ
ー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、
少ない方が望ましく、通常、50重量%以下が好まし
い。
真空蒸着法により前記導電層2a上に積層することによ
り、正孔輸送層3を形成することができる。塗布法の場
合は、有機正孔輸送化合物を1種又は2種以上と、必要
により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や、レ
ベリング剤等の塗布性改良剤等の添加剤を添加し溶解し
た塗布溶液を調整し、スピンコート法等の方法により導
電層2a上に塗布し、乾燥して有機正孔輸送層3を形成
する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポ
リアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダ
ー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、
少ない方が望ましく、通常、50重量%以下が好まし
い。
【0018】真空蒸着法の場合には、有機正孔輸送材料
を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を
適当な真空ポンプで10-6Torrにまで排気した後、
ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと
向き合って置かれた基板上に有機正孔輸送層3を形成す
る。正孔輸送層3の膜厚は、通常、10〜300nm、
好ましくは30〜100nmである。このように薄い膜
を一様に形成するためには、真空蒸着法がよく用いられ
る。
を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を
適当な真空ポンプで10-6Torrにまで排気した後、
ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと
向き合って置かれた基板上に有機正孔輸送層3を形成す
る。正孔輸送層3の膜厚は、通常、10〜300nm、
好ましくは30〜100nmである。このように薄い膜
を一様に形成するためには、真空蒸着法がよく用いられ
る。
【0019】正孔輸送層3の材料としては、有機化合物
の代わりに無機材料を使用することも可能である。無機
材料に要求される条件は、有機正孔輸送化合物と同じで
ある。正孔輸送層3に用いられる無機材料としては、p
型水素化非晶質シリコン、p型水素化非晶質炭化シリコ
ン、p型水素化微結晶性炭化シリコン、あるいは、p型
硫化亜鉛、p型セレン化亜鉛等が挙げられる。これらの
無機正孔輸送層3はCVD法、プラズマCVD法、真空
蒸着法、スパッタ法等により形成される。
の代わりに無機材料を使用することも可能である。無機
材料に要求される条件は、有機正孔輸送化合物と同じで
ある。正孔輸送層3に用いられる無機材料としては、p
型水素化非晶質シリコン、p型水素化非晶質炭化シリコ
ン、p型水素化微結晶性炭化シリコン、あるいは、p型
硫化亜鉛、p型セレン化亜鉛等が挙げられる。これらの
無機正孔輸送層3はCVD法、プラズマCVD法、真空
蒸着法、スパッタ法等により形成される。
【0020】無機正孔輸送層3の膜厚も有機正孔輸送層
3と同様に、通常、10〜300nm、好ましくは30
〜100nmである。正孔輸送層3の上には有機発光層
4が設けられるが、有機発光層4は、電界を与えられた
電極間において陰極からの電子を効率よく正孔輸送層3
の方向に輸送することができる化合物より形成される。
3と同様に、通常、10〜300nm、好ましくは30
〜100nmである。正孔輸送層3の上には有機発光層
4が設けられるが、有機発光層4は、電界を与えられた
電極間において陰極からの電子を効率よく正孔輸送層3
の方向に輸送することができる化合物より形成される。
【0021】有機発光層4に用いられる化合物として
は、導電層2bからの電子注入効率が高く、かつ、注入
された電子を効率よく輸送することができる化合物であ
ることが必要である。そのためには、電子親和力が大き
く、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性にすぐれ
トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい
化合物であることが要求される。また、正孔と電子の再
結合の際に青色発光をもたらす役割も求られる。さら
に、均一な薄膜形状を与えることも素子の安定性の点で
重要である。本発明者等は、このような条件を満たす材
料として、オキサゾール金属錯体が好適であることを見
い出したのである。
は、導電層2bからの電子注入効率が高く、かつ、注入
された電子を効率よく輸送することができる化合物であ
ることが必要である。そのためには、電子親和力が大き
く、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性にすぐれ
トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい
化合物であることが要求される。また、正孔と電子の再
結合の際に青色発光をもたらす役割も求られる。さら
に、均一な薄膜形状を与えることも素子の安定性の点で
重要である。本発明者等は、このような条件を満たす材
料として、オキサゾール金属錯体が好適であることを見
い出したのである。
【0022】本発明においては、有機電界発光素子の有
機発光層4に、前記一般式(I)で表されるオキサゾー
ル金属錯体を含有させることにより、安定した青色発光
特性をもたらすことができる。前記一般式(I)におい
て、R1 ないしR8 は、それぞれ独立して、好ましく
は、水素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハ
ロゲン原子、メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のア
ルキル基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル
基;シアノ基、アミノ基、ジメチルアミノ基;メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数1〜6
のアルコキシカルボニル基;カルボキシル基;メトキシ
基、エトキシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;フェ
ニル基、ナフチル基、アセナフチル基、アントリル基等
の芳香族炭化水素基;ピリジル基、キノリル基、チエニ
ル基、カルバゾル基、インドリル基、フリル基等の芳香
族複素環基等を示す。これらの芳香族炭化水素基又は芳
香族複素環基に置換する置換基としてはメチル基、エチ
ル基等の炭素数1〜6のアルキル基;メトキシ基等の低
級アルコキシ基;フェノキシ基、トリオキシ基等のアリ
ールオキシ基;ベンジルオキシ基等のアリールアルコキ
シ基;フェニル基、ナフチル基等のアリール基;ジメチ
ルアミノ基等の置換アミノ基等が挙げられる。特に好ま
しくは、水素原子、塩素原子等のハロゲン原子、炭素数
1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基が選
ばれる。
機発光層4に、前記一般式(I)で表されるオキサゾー
ル金属錯体を含有させることにより、安定した青色発光
特性をもたらすことができる。前記一般式(I)におい
て、R1 ないしR8 は、それぞれ独立して、好ましく
は、水素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハ
ロゲン原子、メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のア
ルキル基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル
基;シアノ基、アミノ基、ジメチルアミノ基;メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数1〜6
のアルコキシカルボニル基;カルボキシル基;メトキシ
基、エトキシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;フェ
ニル基、ナフチル基、アセナフチル基、アントリル基等
の芳香族炭化水素基;ピリジル基、キノリル基、チエニ
ル基、カルバゾル基、インドリル基、フリル基等の芳香
族複素環基等を示す。これらの芳香族炭化水素基又は芳
香族複素環基に置換する置換基としてはメチル基、エチ
ル基等の炭素数1〜6のアルキル基;メトキシ基等の低
級アルコキシ基;フェノキシ基、トリオキシ基等のアリ
ールオキシ基;ベンジルオキシ基等のアリールアルコキ
シ基;フェニル基、ナフチル基等のアリール基;ジメチ
ルアミノ基等の置換アミノ基等が挙げられる。特に好ま
しくは、水素原子、塩素原子等のハロゲン原子、炭素数
1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基が選
ばれる。
【0023】また、前記一般式(I)において、Mは、
好ましくは、ベリリウム、亜鉛、カドミウム、アルミニ
ウム、ガリウム又はインジウムの中から選ばれる。nは
金属原子の価数により異なり、2価の金属の場合は2、
3価の金属の場合は3である。前記一般式(I)で表さ
れるオキサゾール金属錯体は、対応する金属塩と以下の
一般式(II)で表されるオキサゾール化合物との間の錯
体形成反応により合成される。
好ましくは、ベリリウム、亜鉛、カドミウム、アルミニ
ウム、ガリウム又はインジウムの中から選ばれる。nは
金属原子の価数により異なり、2価の金属の場合は2、
3価の金属の場合は3である。前記一般式(I)で表さ
れるオキサゾール金属錯体は、対応する金属塩と以下の
一般式(II)で表されるオキサゾール化合物との間の錯
体形成反応により合成される。
【0024】
【化3】
【0025】上記の一般式(II)で表されるオキサゾー
ル化合物は、例えば、J.Chem.Soc.Perk
in I,1291頁,1976年、に示される方法に
より合成される。前記一般式(II)で表されるオキサゾ
ール化合物の好ましい具体例を下記の表−1〜表−4に
示すが、これらに限定するものではない。
ル化合物は、例えば、J.Chem.Soc.Perk
in I,1291頁,1976年、に示される方法に
より合成される。前記一般式(II)で表されるオキサゾ
ール化合物の好ましい具体例を下記の表−1〜表−4に
示すが、これらに限定するものではない。
【0026】
【表1】
【0027】
【表2】
【0028】
【表3】
【0029】
【表4】
【0030】前記一般式(II)で表されるオキサゾール
化合物と錯体を形成する金属塩としては、塩化物、臭化
物等のハロゲン化塩、硫酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
錯体形成反応は、例えば、「ケイ光・紫外吸収分析」,
共立出版,43頁,1965年、に示される方法で行わ
れ、通常、オキサゾール化合物と金属塩の水−アルコー
ル系溶液からの沈澱として得られる。
化合物と錯体を形成する金属塩としては、塩化物、臭化
物等のハロゲン化塩、硫酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
錯体形成反応は、例えば、「ケイ光・紫外吸収分析」,
共立出版,43頁,1965年、に示される方法で行わ
れ、通常、オキサゾール化合物と金属塩の水−アルコー
ル系溶液からの沈澱として得られる。
【0031】有機発光層4の膜厚は、通常、10〜20
0nm、好ましくは30〜100nmである。有機発光
層4も有機正孔輸送層3と同様の方法で形成することが
できるが、通常は真空蒸着法が用いられる。素子の発光
効率を向上させるとともに発光色を変える目的で、例え
ば、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホス
ト材料として、クマリン等のレーザ用蛍光色素をドープ
すること(J.Appl.Phys.,65巻,361
0頁,1989年)も行われている。本発明においても
上記のオキサゾール金属錯体をホスト材料として、青色
の蛍光色素を10-3〜10モル%ドープすることによ
り、素子の発光特性をさらに向上させることができる。
0nm、好ましくは30〜100nmである。有機発光
層4も有機正孔輸送層3と同様の方法で形成することが
できるが、通常は真空蒸着法が用いられる。素子の発光
効率を向上させるとともに発光色を変える目的で、例え
ば、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホス
ト材料として、クマリン等のレーザ用蛍光色素をドープ
すること(J.Appl.Phys.,65巻,361
0頁,1989年)も行われている。本発明においても
上記のオキサゾール金属錯体をホスト材料として、青色
の蛍光色素を10-3〜10モル%ドープすることによ
り、素子の発光特性をさらに向上させることができる。
【0032】有機電界発光素子の発光効率をさらに向上
させる方法として、有機発光層4の上にさらに電子輸送
層5を積層することが考えられる(図2参照)。この電
子輸送層5に用いられる化合物には、陰極からの電子注
入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きいことが要求
される。このような電子輸送材料としては、
させる方法として、有機発光層4の上にさらに電子輸送
層5を積層することが考えられる(図2参照)。この電
子輸送層5に用いられる化合物には、陰極からの電子注
入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きいことが要求
される。このような電子輸送材料としては、
【0033】
【化4】
【0034】
【化5】
【0035】等のオキサジアゾール誘導体(Appl.
Phys.Lett.,55巻,1489頁,1989
年;Jpn.J.Appl.Phys.,31巻,18
12頁,1992年)やそれらをポリメチルメタクリレ
ート等の樹脂に分散した系(Appl.Phys.Le
tt.,61巻,2793頁,1992年)又はn型水
素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化
亜鉛等が挙げられる。電子輸送層5の膜厚は、通常、5
〜200nm、好ましくは10〜100nmである。
Phys.Lett.,55巻,1489頁,1989
年;Jpn.J.Appl.Phys.,31巻,18
12頁,1992年)やそれらをポリメチルメタクリレ
ート等の樹脂に分散した系(Appl.Phys.Le
tt.,61巻,2793頁,1992年)又はn型水
素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化
亜鉛等が挙げられる。電子輸送層5の膜厚は、通常、5
〜200nm、好ましくは10〜100nmである。
【0036】尚、図1とは逆の構造、即ち、基板上に導
電層2b、有機発光層4、正孔輸送層3、導電層2aの
順に積層することも可能であり、既述した様に少なくと
も一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電
界発光素子を設けることも可能である。同様に、図2と
は逆の構造に積層することも可能である。
電層2b、有機発光層4、正孔輸送層3、導電層2aの
順に積層することも可能であり、既述した様に少なくと
も一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電
界発光素子を設けることも可能である。同様に、図2と
は逆の構造に積層することも可能である。
【0037】
【実施例】次に、本発明を合成例及び実施例によって更
に具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限
り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。 合成例 硫酸亜鉛(7水和物)3.6gを水40ml中に溶かし
たものと、下記に示す2−(o−ヒドロキシフェニル)
−ベンズオキサゾール(表−1の化合物(1))
に具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限
り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。 合成例 硫酸亜鉛(7水和物)3.6gを水40ml中に溶かし
たものと、下記に示す2−(o−ヒドロキシフェニル)
−ベンズオキサゾール(表−1の化合物(1))
【0038】
【化6】
【0039】4.1gをエチルアルコール300ml中
に溶かしたものを混合し、40℃で140分攪拌して反
応させた。この混合溶液のpHは5であった。反応終了
後、アンモニア水14mlを加えてpHを9として、淡
黄色の沈澱を生成させた。この沈澱物を風乾後、昇華精
製を3回繰り返して行ったところ、1.2gの淡黄色の
粉末を得た。この最終精製物の元素分析結果を以下に示
す。
に溶かしたものを混合し、40℃で140分攪拌して反
応させた。この混合溶液のpHは5であった。反応終了
後、アンモニア水14mlを加えてpHを9として、淡
黄色の沈澱を生成させた。この沈澱物を風乾後、昇華精
製を3回繰り返して行ったところ、1.2gの淡黄色の
粉末を得た。この最終精製物の元素分析結果を以下に示
す。
【0040】
【表5】分子式:Zn(C13H8NO2)2 計算値[%] C:64.28 H:3.32 N:5.77 O:1
3.17 Zn:13.46 分析値[%] C:64.49 H:3.20 N:5.80 O:1
3.20 Zn:13.3 このオキサゾール亜鉛錯体(E1)の構造を以下に示
す。
3.17 Zn:13.46 分析値[%] C:64.49 H:3.20 N:5.80 O:1
3.20 Zn:13.3 このオキサゾール亜鉛錯体(E1)の構造を以下に示
す。
【0041】
【化7】
【0042】実施例1 ガラス基板をアセトンで超音波洗浄、純水で水洗、イソ
プロピルアルコールで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、U
V/オゾン洗浄を行った後、真空蒸着装置内に設置し
て、装置内の真空度が2×10-6Torr以下になるま
で油拡散ポンプを用いて排気した。
プロピルアルコールで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、U
V/オゾン洗浄を行った後、真空蒸着装置内に設置し
て、装置内の真空度が2×10-6Torr以下になるま
で油拡散ポンプを用いて排気した。
【0043】合成例で作製したオキサゾール亜鉛錯体
(E1)をセラミックるつぼに入れ、るつぼの周囲のタ
ンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時のる
つぼの温度は、180〜200℃の範囲で制御した。蒸
着時の真空度は2×10-6Torrで、蒸着時間3分4
0秒で膜厚78nmの一様で透明な膜を得た。この蒸着
膜は真空中で183日間保存した後も一様で結晶化は観
測されなかった。 比較例1 オキサゾール亜鉛錯体(E1)の代わりに、テトラフェ
ニルブタジエンを用いたこと以外は実施例1と同様にし
て蒸着膜を作製した。初期から曇った透明性のない薄膜
が得られた。 比較例2 オキサアゾール亜鉛錯体(E1)の代わりに、ペンタフ
ェニルシクロペンタジエンを用いたこと以外は実施例1
と同様にして蒸着膜を作製した。初期から曇った透明性
のない薄膜が得られた。 実施例2 図1に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。
(E1)をセラミックるつぼに入れ、るつぼの周囲のタ
ンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時のる
つぼの温度は、180〜200℃の範囲で制御した。蒸
着時の真空度は2×10-6Torrで、蒸着時間3分4
0秒で膜厚78nmの一様で透明な膜を得た。この蒸着
膜は真空中で183日間保存した後も一様で結晶化は観
測されなかった。 比較例1 オキサゾール亜鉛錯体(E1)の代わりに、テトラフェ
ニルブタジエンを用いたこと以外は実施例1と同様にし
て蒸着膜を作製した。初期から曇った透明性のない薄膜
が得られた。 比較例2 オキサアゾール亜鉛錯体(E1)の代わりに、ペンタフ
ェニルシクロペンタジエンを用いたこと以外は実施例1
と同様にして蒸着膜を作製した。初期から曇った透明性
のない薄膜が得られた。 実施例2 図1に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。
【0044】ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物
(ITO)透明導電膜を120nm堆積したものをアセ
トンで超音波洗浄、純水で水洗、イソプロピルアルコー
ルで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、UV/オゾン洗浄を
行った後、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度
が2×10-6Torr以下になるまで油拡散ポンプを用
いて排気した。
(ITO)透明導電膜を120nm堆積したものをアセ
トンで超音波洗浄、純水で水洗、イソプロピルアルコー
ルで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、UV/オゾン洗浄を
行った後、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度
が2×10-6Torr以下になるまで油拡散ポンプを用
いて排気した。
【0045】有機正孔輸送層材料として、下記構造式で
表されるN,N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチ
ルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジア
ミン(H1)
表されるN,N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチ
ルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジア
ミン(H1)
【0046】
【化8】
【0047】をセラミックるつぼに入れ、るつぼの周囲
のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時
のるつぼの温度は、160〜170℃の範囲で制御し
た。蒸着時の真空度は1.5〜1.6×10-6Torr
で、蒸着時間3分10秒で膜厚60nmの有機正孔輸送
層3を得た。次に、上記有機正孔輸送層3の上に、合成
例に示したオキサゾール亜鉛錯体(E1)を同様にして
蒸着して有機発光層4を形成した。この時のるつぼの温
度は180〜200℃の範囲で制御した。蒸着時の真空
度は1.3〜1.2×10-6Torr、蒸着時間は3分
10秒、膜厚は75nmであった。
のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時
のるつぼの温度は、160〜170℃の範囲で制御し
た。蒸着時の真空度は1.5〜1.6×10-6Torr
で、蒸着時間3分10秒で膜厚60nmの有機正孔輸送
層3を得た。次に、上記有機正孔輸送層3の上に、合成
例に示したオキサゾール亜鉛錯体(E1)を同様にして
蒸着して有機発光層4を形成した。この時のるつぼの温
度は180〜200℃の範囲で制御した。蒸着時の真空
度は1.3〜1.2×10-6Torr、蒸着時間は3分
10秒、膜厚は75nmであった。
【0048】最後に陰極として、マグネシウムと銀の合
金電極を2元同時蒸着法によって膜厚150nmで蒸着
した。蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度は4×
10 -6Torr、蒸着時間は4分20秒で光沢のある膜
が得られた。マグネシウムと銀の原子比は10:1.5
であった。このようにして作製した有機電界発光素子の
ITO電極(陽極)にプラス、マグネシウム・銀合金電
極(陰極)にマイナスの直流電圧を印加してすると、こ
の素子は一様な青色の発光を示し、発光のピーク波長は
480nmであった。
金電極を2元同時蒸着法によって膜厚150nmで蒸着
した。蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度は4×
10 -6Torr、蒸着時間は4分20秒で光沢のある膜
が得られた。マグネシウムと銀の原子比は10:1.5
であった。このようにして作製した有機電界発光素子の
ITO電極(陽極)にプラス、マグネシウム・銀合金電
極(陰極)にマイナスの直流電圧を印加してすると、こ
の素子は一様な青色の発光を示し、発光のピーク波長は
480nmであった。
【0049】上記の素子の作製直後及び真空中で長期間
保存した後の発光特性の結果を表−5に示す。駆動電圧
の顕著な上昇は見られず、発光効率の低下もなく、安定
した素子の保存安定性が得られた。
保存した後の発光特性の結果を表−5に示す。駆動電圧
の顕著な上昇は見られず、発光効率の低下もなく、安定
した素子の保存安定性が得られた。
【0050】
【表6】
【0051】
【発明の効果】本発明の有機電界発光素子は、陽極、正
孔輸送層、有機発光層、陰極が基板上に順次設けられ、
しかも、有機発光層に特定の化合物を含有しているた
め、両導電層を電極として電圧を印加した場合、長期に
渡り、安定した青色発光特性を得ることができる。
孔輸送層、有機発光層、陰極が基板上に順次設けられ、
しかも、有機発光層に特定の化合物を含有しているた
め、両導電層を電極として電圧を印加した場合、長期に
渡り、安定した青色発光特性を得ることができる。
【0052】従って、本発明の有機電界発光素子は、フ
ラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ
用や壁掛けテレビ)の分野や面発光体としての特徴を生
かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイ
や計器類のバックライト光源)、表示板、標識灯への応
用が考えられ、その技術的価値は極めて大きい。
ラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ
用や壁掛けテレビ)の分野や面発光体としての特徴を生
かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイ
や計器類のバックライト光源)、表示板、標識灯への応
用が考えられ、その技術的価値は極めて大きい。
【図1】本発明の有機電界発光素子の一例を示した模式
断面図。
断面図。
【図2】本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模
式断面図。
式断面図。
1 基板 2a、2b 導電層 3 正孔輸送層 4 有機発光層 5 電子輸送層
Claims (1)
- 【請求項1】 陽極、正孔輸送層、有機発光層、陰極を
順次積層した有機電界発光素子であって、有機発光層
が、下記一般式(I) 【化1】 (式中、R1 ないしR8 は、それぞれ独立して、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケ
ニル基、アリル基、シアノ基、アミノ基、アミド基、ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ
基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置
換基を有していてもよい芳香族複素環基を示し、Mは、
ベリリウム、亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ガリウ
ム、インジウム、スカンジウム、イットリウム、マグネ
シウム、カルシウム、ストロンチウム、コバルト、銅又
はニッケルを示し、nは1から3までの整数である)で
表わされるオキサゾール金属錯体を含有することを特徴
とする有機電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12745293A JP3243887B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 有機電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12745293A JP3243887B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 有機電界発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06336586A true JPH06336586A (ja) | 1994-12-06 |
| JP3243887B2 JP3243887B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=14960279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12745293A Expired - Fee Related JP3243887B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 有機電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3243887B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP0801518A3 (en) * | 1996-04-11 | 1998-04-22 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Organic EL device |
| WO2005089025A1 (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | 有機電界発光素子 |
| EP1640430A1 (en) | 2004-07-09 | 2006-03-29 | Chisso Corporation | Luminescent material and organic electroluminescent device using the same |
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| WO2010020352A1 (en) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Merck Patent Gmbh | Compounds having electron transport properties, their preparation and use |
| US7868033B2 (en) | 2004-05-20 | 2011-01-11 | Foldrx Pharmaceuticals, Inc. | Compounds, compositions and methods for stabilizing transthyretin and inhibiting transthyretin misfolding |
| WO2015019725A1 (ja) | 2013-08-09 | 2015-02-12 | 国立大学法人九州大学 | 有機金属錯体、発光材料、遅延蛍光体および有機発光素子 |
| WO2018198096A3 (en) * | 2017-04-28 | 2019-07-25 | Fernando Thome Kreutz | Organometallic complexes and related compositions and methods |
-
1993
- 1993-05-28 JP JP12745293A patent/JP3243887B2/ja not_active Expired - Fee Related
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