JPH06337193A - 真空乾燥装置 - Google Patents
真空乾燥装置Info
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- JPH06337193A JPH06337193A JP14855193A JP14855193A JPH06337193A JP H06337193 A JPH06337193 A JP H06337193A JP 14855193 A JP14855193 A JP 14855193A JP 14855193 A JP14855193 A JP 14855193A JP H06337193 A JPH06337193 A JP H06337193A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- drying
- inert gas
- vacuum container
- halogen lamp
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体デバイスをクリーンに保ちつつ、微細
なパターンまで乾燥可能であり、また乾燥後の静電気の
帯電もなく、ウォーターマークも発生のない真空乾燥装
置を提供することを目的とする。 【構成】 容器体２３に不活性ガス噴射手段１４及びド
レン口２８を設けてなる水滴除去機構Ｂと、真空容器１
に不活性ガス噴射手段１４及びこの真空容器１を真空に
する真空引き手段を設けてなる真空乾燥機構Ａとを備え
たことを特徴とする。
なパターンまで乾燥可能であり、また乾燥後の静電気の
帯電もなく、ウォーターマークも発生のない真空乾燥装
置を提供することを目的とする。 【構成】 容器体２３に不活性ガス噴射手段１４及びド
レン口２８を設けてなる水滴除去機構Ｂと、真空容器１
に不活性ガス噴射手段１４及びこの真空容器１を真空に
する真空引き手段を設けてなる真空乾燥機構Ａとを備え
たことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスなどの真
空乾燥装置に係わり、詳しくはクリーンな状態で微細な
パターンまでの乾燥を可能とし、乾燥後に静電気を帯び
ず、且つ乾燥後のウォーターマークの発生も無くするよ
うにした真空乾燥装置に関する。
空乾燥装置に係わり、詳しくはクリーンな状態で微細な
パターンまでの乾燥を可能とし、乾燥後に静電気を帯び
ず、且つ乾燥後のウォーターマークの発生も無くするよ
うにした真空乾燥装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスなどの乾燥には、通常、
次のような方式が使用されている。 （１）スピンドライヤー 半導体デバイスをセットした
カセットをローターに配置し、ローターを高速で回転さ
せることにより半導体デバイスの乾燥が行われる。 （２）ＩＰＡベーパー乾燥 アルコールの蒸気を対象物
に触れさせ、乾燥を促進させる。 （３）温純水引き上げ乾燥 加熱した純水に半導体デバ
イスを浸しそれにより加熱された半導体デバイスをゆっ
くり引き上げることにより乾燥を行う。 （４）ランプ加熱乾燥 大気中で半導体デバイスにラン
プの光を当てることにより加熱し乾燥を行う。
次のような方式が使用されている。 （１）スピンドライヤー 半導体デバイスをセットした
カセットをローターに配置し、ローターを高速で回転さ
せることにより半導体デバイスの乾燥が行われる。 （２）ＩＰＡベーパー乾燥 アルコールの蒸気を対象物
に触れさせ、乾燥を促進させる。 （３）温純水引き上げ乾燥 加熱した純水に半導体デバ
イスを浸しそれにより加熱された半導体デバイスをゆっ
くり引き上げることにより乾燥を行う。 （４）ランプ加熱乾燥 大気中で半導体デバイスにラン
プの光を当てることにより加熱し乾燥を行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これらの装置は、次の
ような問題点があった。（１）のスピンドライヤーの場
合、カセットをセットしたローターが高速で回転するた
め半導体デバイスが静電気を帯びたり、回転軸から生じ
たパーティクルが半導体デバイスに付着することがあ
る。（２）のＩＰＡベーパー乾燥の場合、アルコールを
使用するため、防爆機構にするなど安全面においてかな
り気をつけなければならない。（３）の温純水引き上げ
乾燥の場合、制御がかなりデリケートであり、うまく乾
燥させる事がむずかしい。（４）のランプ加熱乾燥の場
合、大気中で加熱し乾燥させるため、酸化しやすい。
又、これらの装置での乾燥においては、半導体デバイス
の微細パターンの深い溝部分においての水分残留、及び
乾燥後ウォーターマークが発生するという問題について
は、解決されていない。本発明は、これらの課題を解決
するためになされたものであり、半導体デバイスをクリ
ーンに保ちつつ、微細なパターンまで乾燥可能であり、
また乾燥後の静電気の帯電もなく、ウォーターマークも
発生のない真空乾燥装置を提供することを目的とする。
ような問題点があった。（１）のスピンドライヤーの場
合、カセットをセットしたローターが高速で回転するた
め半導体デバイスが静電気を帯びたり、回転軸から生じ
たパーティクルが半導体デバイスに付着することがあ
る。（２）のＩＰＡベーパー乾燥の場合、アルコールを
使用するため、防爆機構にするなど安全面においてかな
り気をつけなければならない。（３）の温純水引き上げ
乾燥の場合、制御がかなりデリケートであり、うまく乾
燥させる事がむずかしい。（４）のランプ加熱乾燥の場
合、大気中で加熱し乾燥させるため、酸化しやすい。
又、これらの装置での乾燥においては、半導体デバイス
の微細パターンの深い溝部分においての水分残留、及び
乾燥後ウォーターマークが発生するという問題について
は、解決されていない。本発明は、これらの課題を解決
するためになされたものであり、半導体デバイスをクリ
ーンに保ちつつ、微細なパターンまで乾燥可能であり、
また乾燥後の静電気の帯電もなく、ウォーターマークも
発生のない真空乾燥装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、容器体に不活性ガス噴射手段及びドレン
口を設けてなる水滴除去機構と、真空容器に不活性ガス
噴射手段及びこの真空容器を真空にする真空引き手段を
設けてなる真空乾燥機構とを備えたことを特徴とする。
また、前記真空容器内下部にハロゲンランプが配設さ
れ、このハロゲンランプの上方には反射フードが設けら
れ、かつ真空容器の内面及び蓋の内面には光反射板が設
けられていることを特徴とする。
め、本発明は、容器体に不活性ガス噴射手段及びドレン
口を設けてなる水滴除去機構と、真空容器に不活性ガス
噴射手段及びこの真空容器を真空にする真空引き手段を
設けてなる真空乾燥機構とを備えたことを特徴とする。
また、前記真空容器内下部にハロゲンランプが配設さ
れ、このハロゲンランプの上方には反射フードが設けら
れ、かつ真空容器の内面及び蓋の内面には光反射板が設
けられていることを特徴とする。
【０００５】
【作用】前もって、不活性ガスの噴射力による水滴除去
機構により大きな水滴を飛ばしてしまう。これにより真
空容器内での乾燥を短縮し、かつ水滴除去中の酸化も防
止できる。真空容器には、不活性ガス導入のノズル、及
び真空エジェクタが連結され、真空容器内部にハロゲン
ランプが設置してあるので、真空容器内に半導体デバイ
スや液晶基盤等の被乾燥物をセットし、不活性ガスを導
入しつつ圧力を調節しながら減圧にしたり、不活性ガス
を供給したまま真空容器内を大気圧まで戻したり、減圧
中にハロゲンランプによる加熱をしたりする事が出来
る。不活性ガスの雰囲気のまま減圧にし、ハロゲンラン
プ加熱を行うため、飽和蒸気圧を下げ、被乾燥物の温度
を維持もしくは上げながら乾燥を行うため、比較的低い
温度で著しく乾燥効率を上げることができ、またウォー
ターマークの発生する原因である乾燥中の酸化について
も解決できる。
機構により大きな水滴を飛ばしてしまう。これにより真
空容器内での乾燥を短縮し、かつ水滴除去中の酸化も防
止できる。真空容器には、不活性ガス導入のノズル、及
び真空エジェクタが連結され、真空容器内部にハロゲン
ランプが設置してあるので、真空容器内に半導体デバイ
スや液晶基盤等の被乾燥物をセットし、不活性ガスを導
入しつつ圧力を調節しながら減圧にしたり、不活性ガス
を供給したまま真空容器内を大気圧まで戻したり、減圧
中にハロゲンランプによる加熱をしたりする事が出来
る。不活性ガスの雰囲気のまま減圧にし、ハロゲンラン
プ加熱を行うため、飽和蒸気圧を下げ、被乾燥物の温度
を維持もしくは上げながら乾燥を行うため、比較的低い
温度で著しく乾燥効率を上げることができ、またウォー
ターマークの発生する原因である乾燥中の酸化について
も解決できる。
【０００６】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。図１は本発明の実施例を示す概略説明図であ
って、真空乾燥装置は、真空乾燥機構Ａと水滴除去機構
Ｂとからなる。この真空乾燥機構Ａは真空容器１及び真
空エジェクタ２を備えている。前記真空容器１は被乾燥
物をセットする床部４がバーで形成され、真空容器１内
にセットされる被乾燥物から滴る水分を切ると共にハロ
ゲンランプの高熱が均等に当るようになっている。その
床部４より下方の底部１ａは、中心に向かって下方へテ
ーパー状になっており、床部４より落下した水滴がスム
ーズに落下するようになっている。
説明する。図１は本発明の実施例を示す概略説明図であ
って、真空乾燥装置は、真空乾燥機構Ａと水滴除去機構
Ｂとからなる。この真空乾燥機構Ａは真空容器１及び真
空エジェクタ２を備えている。前記真空容器１は被乾燥
物をセットする床部４がバーで形成され、真空容器１内
にセットされる被乾燥物から滴る水分を切ると共にハロ
ゲンランプの高熱が均等に当るようになっている。その
床部４より下方の底部１ａは、中心に向かって下方へテ
ーパー状になっており、床部４より落下した水滴がスム
ーズに落下するようになっている。
【０００７】また、前記真空容器１の底部１ａの外周面
には、ヒーター、例えば、ラバーヒーター７が設けら
れ、加熱できるようになっている。この真空容器１の底
部１ａにヒーター７を設け加熱するのは、最初の段階で
水切りを行った際に付着した水滴が、真空乾燥に伴って
気化熱を奪われ、凍結する状態を防止するためである。
前記真空エジェクタ２は前記真空容器１の底部１ａに本
真空用のライン８を介して連結されている。このライン
８の途中に予備真空引き用のライン９が設けられてい
る。前記ライン８及び９にはバルブ１０及び１１が設け
られている。前記真空エジェクタ２としては、例えば真
空ポンプが使用される。
には、ヒーター、例えば、ラバーヒーター７が設けら
れ、加熱できるようになっている。この真空容器１の底
部１ａにヒーター７を設け加熱するのは、最初の段階で
水切りを行った際に付着した水滴が、真空乾燥に伴って
気化熱を奪われ、凍結する状態を防止するためである。
前記真空エジェクタ２は前記真空容器１の底部１ａに本
真空用のライン８を介して連結されている。このライン
８の途中に予備真空引き用のライン９が設けられてい
る。前記ライン８及び９にはバルブ１０及び１１が設け
られている。前記真空エジェクタ２としては、例えば真
空ポンプが使用される。
【０００８】真空容器１の上方に不活性ガスを噴出する
ノズル１４が配設され、このノズル１４に、レギュレー
ター１５、流量調節計１６、エアオペレートバルブ１
７、フィルタ１８が設けられた不活性ガス供給ライン１
９が連結されて構成されている。２０は真空容器１の上
蓋を示す。
ノズル１４が配設され、このノズル１４に、レギュレー
ター１５、流量調節計１６、エアオペレートバルブ１
７、フィルタ１８が設けられた不活性ガス供給ライン１
９が連結されて構成されている。２０は真空容器１の上
蓋を示す。
【０００９】前記真空容器１内の下部には、図２に示す
ようにハロゲンランプ２１が配設され、このハロゲンラ
ンプ２１の上方には光反射フード２２が設けられ、ハロ
ゲンランプ２１の光を底部１ａに向けて反射させるよう
にしている。そして真空容器１及び蓋２０の内面には光
反射板が張り付けられ底部１ａから反射された光を均等
に被乾燥物３に当てるようにしてある。
ようにハロゲンランプ２１が配設され、このハロゲンラ
ンプ２１の上方には光反射フード２２が設けられ、ハロ
ゲンランプ２１の光を底部１ａに向けて反射させるよう
にしている。そして真空容器１及び蓋２０の内面には光
反射板が張り付けられ底部１ａから反射された光を均等
に被乾燥物３に当てるようにしてある。
【００１０】前記水滴除去機構Ｂは、容器体２３を有
し、この容器体２３の上部及び左右にノズル２４が配設
され、このノズル２４にレギュレータ２５を備えた不活
性ガス供給ライン２６が連結されている。この容器体２
３の床部２７はメッシュ状となっており、床部２７には
ドレン口２８が設けられている。
し、この容器体２３の上部及び左右にノズル２４が配設
され、このノズル２４にレギュレータ２５を備えた不活
性ガス供給ライン２６が連結されている。この容器体２
３の床部２７はメッシュ状となっており、床部２７には
ドレン口２８が設けられている。
【００１１】次に本実施例の作用を説明する。カセット
に入った漏れた半導体デバイス等の被乾燥物３を水滴除
去機構Ｂの容器体２３内に入れ、レギュレータ２５によ
り３〜７ｋｇ／ｃｍ2の高圧に調節された不活性ガスを
ノズル２４より噴射させる。これにより被乾燥物３に付
着した大きな水滴は被乾燥物３を酸化させることなく下
方に飛ばされ、ドレン口２８より排出される。数分間上
記の処理を行った後、自動もしくは手動にて真空容器１
内へ被乾燥物３を移し入れ、蓋２０を閉じる。
に入った漏れた半導体デバイス等の被乾燥物３を水滴除
去機構Ｂの容器体２３内に入れ、レギュレータ２５によ
り３〜７ｋｇ／ｃｍ2の高圧に調節された不活性ガスを
ノズル２４より噴射させる。これにより被乾燥物３に付
着した大きな水滴は被乾燥物３を酸化させることなく下
方に飛ばされ、ドレン口２８より排出される。数分間上
記の処理を行った後、自動もしくは手動にて真空容器１
内へ被乾燥物３を移し入れ、蓋２０を閉じる。
【００１２】続いてバルブ１１を開き、真空エジェクタ
２により予備真空引きを行い、同時にハロゲンランプ２
１を点灯させる。この予備真空引きを数分間行った後、
バルブ１０を開き本真空引きを行いながら、ハロゲンラ
ンプ２１を点灯させる。この時バルブ１７を開け、流量
調節計１６により真空度を調節する。
２により予備真空引きを行い、同時にハロゲンランプ２
１を点灯させる。この予備真空引きを数分間行った後、
バルブ１０を開き本真空引きを行いながら、ハロゲンラ
ンプ２１を点灯させる。この時バルブ１７を開け、流量
調節計１６により真空度を調節する。
【００１３】最初に予備真空引きを行うのは、急激な圧
力変化をさけるためである。又、真空中で被乾燥物の加
熱にハロゲンランプ２１を使用するのは、真空中での加
熱においては、熱伝導による加熱は全く期待できず、光
による輻射加熱の方が有効だからである。減圧すること
により飽和蒸気圧を下げると低温で水分が蒸発しやすく
なるが、蒸発する時に気化熱を奪われるため被乾燥物の
温度が低下し、場合によっては凍結するため、ハロゲン
ランプによる輻射加熱を同時に行う。これにより著しく
乾燥効率を上げる事が可能となる。上記のような工程で
本真空引きを１〜１０分程度行った後、ハロゲンランプ
を消灯し、本真空引きのバルブ１０を閉じ不活性ガス導
入ノズル１４からは、ガス流量調節計１７を全開にした
不活性ガスを流し、真空容器１を不活性ガスで充満させ
ることで大気圧まで戻す。以上の工程で被乾燥物の乾燥
は終了する。
力変化をさけるためである。又、真空中で被乾燥物の加
熱にハロゲンランプ２１を使用するのは、真空中での加
熱においては、熱伝導による加熱は全く期待できず、光
による輻射加熱の方が有効だからである。減圧すること
により飽和蒸気圧を下げると低温で水分が蒸発しやすく
なるが、蒸発する時に気化熱を奪われるため被乾燥物の
温度が低下し、場合によっては凍結するため、ハロゲン
ランプによる輻射加熱を同時に行う。これにより著しく
乾燥効率を上げる事が可能となる。上記のような工程で
本真空引きを１〜１０分程度行った後、ハロゲンランプ
を消灯し、本真空引きのバルブ１０を閉じ不活性ガス導
入ノズル１４からは、ガス流量調節計１７を全開にした
不活性ガスを流し、真空容器１を不活性ガスで充満させ
ることで大気圧まで戻す。以上の工程で被乾燥物の乾燥
は終了する。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば水滴
除去機構により前もって大きな水滴を除去するようにし
たので真空容器内での乾燥時間を大巾に短縮し、かつ水
滴除去中の酸化も防止できる。又、真空容器内で飽和蒸
気圧を下げ、ハロゲンランプによる輻射加熱も併用して
乾燥させるので、著しく乾燥効率が良く、半導体デバイ
スなどの微細なパターンの深い溝部分まできれいに乾燥
でき、しかも機械的に駆動させる部分が真空容器の中に
無いため、パーティクルの発生がほとんど無く、被乾燥
物にパーティクルが付着することがない。さらに前記の
スピンドライヤーと異なり、被乾燥物を高速で回転させ
ることもないため、静電気の帯電も無い。又、真空中で
乾燥させるため水滴中の酸素は初期段階で抜け、しかも
乾燥工程中は、すべて不活性ガスにより圧力制御を行う
ためウォーターマーク発生の原因となる乾燥中の酸化
は、ほとんど無く、ウォーターマークも発生しない。
除去機構により前もって大きな水滴を除去するようにし
たので真空容器内での乾燥時間を大巾に短縮し、かつ水
滴除去中の酸化も防止できる。又、真空容器内で飽和蒸
気圧を下げ、ハロゲンランプによる輻射加熱も併用して
乾燥させるので、著しく乾燥効率が良く、半導体デバイ
スなどの微細なパターンの深い溝部分まできれいに乾燥
でき、しかも機械的に駆動させる部分が真空容器の中に
無いため、パーティクルの発生がほとんど無く、被乾燥
物にパーティクルが付着することがない。さらに前記の
スピンドライヤーと異なり、被乾燥物を高速で回転させ
ることもないため、静電気の帯電も無い。又、真空中で
乾燥させるため水滴中の酸素は初期段階で抜け、しかも
乾燥工程中は、すべて不活性ガスにより圧力制御を行う
ためウォーターマーク発生の原因となる乾燥中の酸化
は、ほとんど無く、ウォーターマークも発生しない。
【図１】本発明の実施例を示す概略説明図である。
【図２】真空容器内の概略説明図である。
１ 真空容器 ２ 真空エジェクタ １４ ノズル（不活性ガス噴射手段） ２０ 上蓋 ２１ ハロゲンランプ ２２ 反射フード ２３ 容器体 ２４ ノズル（不活性ガス噴射手段） ２８ ドレン口 Ａ 真空乾燥機構 Ｂ 水滴除去機構
Claims (2)
- 【請求項１】 容器体に不活性ガス噴射手段及びドレン
口を設けてなる水滴除去機構と、真空容器に不活性ガス
噴射手段及びこの真空容器を真空にする真空引き手段を
設けてなる真空乾燥機構とを備えたことを特徴とする真
空乾燥装置。 - 【請求項２】 前記真空容器内下部にハロゲンランプが
配設され、このハロゲンランプの上方には反射フードが
設けられ、かつ真空容器の内面及び蓋の内面には光反射
板が設けられていることを特徴とする請求項１記載の真
空乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14855193A JPH06337193A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 真空乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14855193A JPH06337193A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 真空乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06337193A true JPH06337193A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=15455295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14855193A Pending JPH06337193A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 真空乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06337193A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795452A (en) * | 1989-11-15 | 1998-08-18 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Dry process system |
| JP2006270032A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-10-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板の表面処理方法、基板の洗浄方法、及びプログラム |
-
1993
- 1993-05-27 JP JP14855193A patent/JPH06337193A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795452A (en) * | 1989-11-15 | 1998-08-18 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Dry process system |
| JP2006270032A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-10-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板の表面処理方法、基板の洗浄方法、及びプログラム |
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