JPH06338221A - 高周波用誘電体磁器組成物 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH06338221A JPH06338221A JP5129546A JP12954693A JPH06338221A JP H06338221 A JPH06338221 A JP H06338221A JP 5129546 A JP5129546 A JP 5129546A JP 12954693 A JP12954693 A JP 12954693A JP H06338221 A JPH06338221 A JP H06338221A
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- Japan
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- dielectric
- dielectric ceramic
- ceramic composition
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高周波領域において高い誘電率および高いＱ値
を有する誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】Ｂａ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｗを含有する複合酸
化物であって、これらの金属元素のモル比による組成式
をａＢａＯ・ｂＺｎＯ・ｃＭｇＯ・ｄＮｂ2 Ｏ5・ｅＷ
Ｏ3 と表した時、前記ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅが０．４０≦
ａ≦０．７０、０＜ｂ≦０．３０、０＜ｃ≦０．３５、
０＜ｄ≦０．３０、０＜ｅ≦０．３５を満足する組成物
である。
を有する誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】Ｂａ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｗを含有する複合酸
化物であって、これらの金属元素のモル比による組成式
をａＢａＯ・ｂＺｎＯ・ｃＭｇＯ・ｄＮｂ2 Ｏ5・ｅＷ
Ｏ3 と表した時、前記ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅが０．４０≦
ａ≦０．７０、０＜ｂ≦０．３０、０＜ｃ≦０．３５、
０＜ｄ≦０．３０、０＜ｅ≦０．３５を満足する組成物
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波、ミリ波等
の高周波領域において高い誘電率及び高いＱ値を有する
新規な誘電体磁器組成物に関する。
の高周波領域において高い誘電率及び高いＱ値を有する
新規な誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来技術】マイクロ波やミリ波等の高周波領域におい
て、誘電体磁器は誘電体共振器やＭＩＣ用誘電体基板等
に広く利用されている。
て、誘電体磁器は誘電体共振器やＭＩＣ用誘電体基板等
に広く利用されている。
【０００３】従来より、この種の誘電体磁器としては、
例えばＢａＯ−ＺｎＯ−Ｎｂ系材料、Ｓｒ（Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｔａ）系材料、ＢａＺｎＴａ−ＣａＴｉＯ3 系材料
等が知られている。
例えばＢａＯ−ＺｎＯ−Ｎｂ系材料、Ｓｒ（Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｔａ）系材料、ＢａＺｎＴａ−ＣａＴｉＯ3 系材料
等が知られている。
【０００４】上記材料では、誘電率が２０〜４０、１Ｇ
Ｈｚに換算したＱ値が１００００〜４００００および共
振周波数の温度係数（τｆ）の絶対値が２０〜１００ｐ
ｐｍ／℃付近の特性を有している。
Ｈｚに換算したＱ値が１００００〜４００００および共
振周波数の温度係数（τｆ）の絶対値が２０〜１００ｐ
ｐｍ／℃付近の特性を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、近年
では使用機器の多用化により使用周波数がより高くな
り、このような高周波数領域での誘電特性、特に高Ｑ値
が要求されるようになっているが、前述したような従来
の誘電体材料ではＱ値が１００００〜４００００と未だ
低く、実用的レベルの高Ｑ値が得られていないのが現状
であった。
では使用機器の多用化により使用周波数がより高くな
り、このような高周波数領域での誘電特性、特に高Ｑ値
が要求されるようになっているが、前述したような従来
の誘電体材料ではＱ値が１００００〜４００００と未だ
低く、実用的レベルの高Ｑ値が得られていないのが現状
であった。
【０００６】従って、本発明は高周波領域において高い
Ｑ値を有し、共振周波数の温度係数（τｆ）の制御に優
れた新規な誘電体磁器組成物を提供することを目的とす
るものである。
Ｑ値を有し、共振周波数の温度係数（τｆ）の制御に優
れた新規な誘電体磁器組成物を提供することを目的とす
るものである。
【０００７】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、上記問
題点に対して検討を加えた結果、モル比による組成式を
ａＢａＯ・ｂＺｎＯ・ｃＭｇＯ・ｄＮｂ2 Ｏ5 ・ｅＷＯ
3 と表わした時に、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅを所定値に設定
すると、優れた誘電特性が得られることを知見し本発明
に至った。
題点に対して検討を加えた結果、モル比による組成式を
ａＢａＯ・ｂＺｎＯ・ｃＭｇＯ・ｄＮｂ2 Ｏ5 ・ｅＷＯ
3 と表わした時に、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅを所定値に設定
すると、優れた誘電特性が得られることを知見し本発明
に至った。
【０００８】即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、Ｂ
ａ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｗを含有する複合酸化物であっ
て、これらの金属元素のモル比による組成式をａＢａＯ
・ｂＺｎＯ・ｃＭｇＯ・ｄＮｂ2 Ｏ5 ・ｅＷＯ3 と表し
た時、前記ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅが０．４０≦ａ≦０．７
０、０＜ｂ≦０．３０、０＜ｃ≦０．３５、０＜ｄ≦
０．３０、０＜ｅ≦０．３５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝
１．００を満足する組成物である。
ａ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｗを含有する複合酸化物であっ
て、これらの金属元素のモル比による組成式をａＢａＯ
・ｂＺｎＯ・ｃＭｇＯ・ｄＮｂ2 Ｏ5 ・ｅＷＯ3 と表し
た時、前記ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅが０．４０≦ａ≦０．７
０、０＜ｂ≦０．３０、０＜ｃ≦０．３５、０＜ｄ≦
０．３０、０＜ｅ≦０．３５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝
１．００を満足する組成物である。
【０００９】本発明の誘電体磁器組成物において、Ｂａ
Ｏのモル比を０．４０≦ａ≦０．７０に設定したのは、
ａが０．４０よりも小さい場合にはＱ値が低下し、０．
７０よりも大きい場合には焼結が困難となる傾向にある
からである。特に、０．４３≦ａ≦０．６７とすること
が好ましい。
Ｏのモル比を０．４０≦ａ≦０．７０に設定したのは、
ａが０．４０よりも小さい場合にはＱ値が低下し、０．
７０よりも大きい場合には焼結が困難となる傾向にある
からである。特に、０．４３≦ａ≦０．６７とすること
が好ましい。
【００１０】また、ＺｎＯのモル比を０＜ｂ≦０．３０
としたのは、ｂが０の場合にはＱ値が低下するからであ
り、０．３０より大きい場合にはＱ値が低下し、焼結が
困難となるからである。特に、０．０２≦ｂ≦０．２７
とすることが好ましい。
としたのは、ｂが０の場合にはＱ値が低下するからであ
り、０．３０より大きい場合にはＱ値が低下し、焼結が
困難となるからである。特に、０．０２≦ｂ≦０．２７
とすることが好ましい。
【００１１】ＭｇＯのモル比を０＜ｃ≦０．３５とした
のは、ｃが０の場合にはＱ値が低下するからであり、
０．３５より大きい場合には、Ｑ値が低下し、焼結が困
難となるからである。特に、０．０２５≦ｃ≦０．３２
とすることが好ましい。
のは、ｃが０の場合にはＱ値が低下するからであり、
０．３５より大きい場合には、Ｑ値が低下し、焼結が困
難となるからである。特に、０．０２５≦ｃ≦０．３２
とすることが好ましい。
【００１２】Ｎｂ2 Ｏ5 のモル比を０＜ｄ≦０．３０と
したのは、ｄが０の場合にはＱ値が低下するからであ
り、０．３０より大きい場合にはＱ値が低下し、焼結が
困難となるからである。特に０．０２≦ｄ≦０．２７と
することが好ましい。
したのは、ｄが０の場合にはＱ値が低下するからであ
り、０．３０より大きい場合にはＱ値が低下し、焼結が
困難となるからである。特に０．０２≦ｄ≦０．２７と
することが好ましい。
【００１３】ＷＯ3 のモル比を０＜ｅ≦０．３５とした
のは、ｅが０の場合にはＱ値が低下するからであり、
０．３５より大きい場合にはＱ値が低下し、焼結が困難
となるからである。特に０．００５≦ｅ≦０．３２とす
ることが好ましい。
のは、ｅが０の場合にはＱ値が低下するからであり、
０．３５より大きい場合にはＱ値が低下し、焼結が困難
となるからである。特に０．００５≦ｅ≦０．３２とす
ることが好ましい。
【００１４】また、本発明の誘電体材料は、Ｂａ、Ｚ
ｎ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｗを含有する複合酸化物であり、主に
ペロブスカイト型結晶相からなるものであって、他にペ
ロブスカイト型結晶相以外のものを含んでも良い。この
ような結晶を有する材料はそれ自体焼結体等の多結晶体
でもあるいは単結晶体のいずれの形態でも良い。
ｎ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｗを含有する複合酸化物であり、主に
ペロブスカイト型結晶相からなるものであって、他にペ
ロブスカイト型結晶相以外のものを含んでも良い。この
ような結晶を有する材料はそれ自体焼結体等の多結晶体
でもあるいは単結晶体のいずれの形態でも良い。
【００１５】本発明に基づき磁器を作成する方法として
は、例えばＢａ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｗの酸化物あるい
は焼成により酸化物を生成する炭酸塩、硝酸塩等の金属
塩を原料として用い、これらを前述した範囲になるよう
に秤量した後、ボールミルで湿式粉砕し、脱水乾燥す
る。この後、混合物を５００〜１５００℃で０．１〜１
００時間仮焼処理し、仮焼物をボールミルに入れ，溶媒
および有機バインダーとともに混合粉砕し、造粒あるい
は整粒する。そして、この仮焼粉末を、例えば、所定の
圧力でプレス成形し所定の形状に成形し、大気中におい
て１３００〜１７５０℃で０．１〜２００時間焼成する
ことにより相対密度９０％以上の誘電体磁器を得ること
ができる。
は、例えばＢａ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｗの酸化物あるい
は焼成により酸化物を生成する炭酸塩、硝酸塩等の金属
塩を原料として用い、これらを前述した範囲になるよう
に秤量した後、ボールミルで湿式粉砕し、脱水乾燥す
る。この後、混合物を５００〜１５００℃で０．１〜１
００時間仮焼処理し、仮焼物をボールミルに入れ，溶媒
および有機バインダーとともに混合粉砕し、造粒あるい
は整粒する。そして、この仮焼粉末を、例えば、所定の
圧力でプレス成形し所定の形状に成形し、大気中におい
て１３００〜１７５０℃で０．１〜２００時間焼成する
ことにより相対密度９０％以上の誘電体磁器を得ること
ができる。
【００１６】また、Ｂａ、Ｚｎ、Ｎｂの酸化物あるいは
焼成により酸化物を生成する炭酸塩、硝酸塩等の金属塩
と、Ｂａ、Ｍｇ、Ｗの酸化物あるいは焼成により酸化物
を生成する炭酸塩、硝酸塩等の金属塩とを上記した組成
となるように別々に秤量し、さらにボールミルでの湿式
粉砕、脱水乾燥、５００〜１５００℃で０．１〜１００
時間の仮焼処理をそれぞれ別個に行い、それぞれの化合
物をボールミルに同時に入れ、溶媒および有機バインダ
ーとともに混合粉砕する。後の工程は上記と同様の方法
を採ることによっても、本発明の誘電体磁器組成物を得
ることができる。
焼成により酸化物を生成する炭酸塩、硝酸塩等の金属塩
と、Ｂａ、Ｍｇ、Ｗの酸化物あるいは焼成により酸化物
を生成する炭酸塩、硝酸塩等の金属塩とを上記した組成
となるように別々に秤量し、さらにボールミルでの湿式
粉砕、脱水乾燥、５００〜１５００℃で０．１〜１００
時間の仮焼処理をそれぞれ別個に行い、それぞれの化合
物をボールミルに同時に入れ、溶媒および有機バインダ
ーとともに混合粉砕する。後の工程は上記と同様の方法
を採ることによっても、本発明の誘電体磁器組成物を得
ることができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を次の実施例で説明する。
【００１８】原料として純度９９％以上のＢａＣＯ3 、
ＺｎＯ、ＭｇＣＯ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 およびＷＯ3 の粉末を
用いて、これらを表１に示す割合に秤量し、これをゴム
で内張りしたボールミルに水と共に入れ、湿式混合し
た。次いで、この混合物を脱水、乾燥した後、１２００
℃で２時間仮焼し、当該仮焼物をボールミルに水、有機
バインダーを入れ湿式粉砕した。
ＺｎＯ、ＭｇＣＯ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 およびＷＯ3 の粉末を
用いて、これらを表１に示す割合に秤量し、これをゴム
で内張りしたボールミルに水と共に入れ、湿式混合し
た。次いで、この混合物を脱水、乾燥した後、１２００
℃で２時間仮焼し、当該仮焼物をボールミルに水、有機
バインダーを入れ湿式粉砕した。
【００１９】その後、この粉砕物を乾燥した後、５０番
メッシュの網を通して造粒し、得られた粉末を１ｔｏｎ
／ｃｍ2 の圧力で１２ｍｍφ×８ｍｍの寸法からなる円
板に成形した。更に、この円板を１４００〜１６５０℃
×６時間の条件で焼成して磁器試料を得た。この磁器試
料を加工して８ｍｍφ×５ｍｍの寸法からなる円板を得
た。
メッシュの網を通して造粒し、得られた粉末を１ｔｏｎ
／ｃｍ2 の圧力で１２ｍｍφ×８ｍｍの寸法からなる円
板に成形した。更に、この円板を１４００〜１６５０℃
×６時間の条件で焼成して磁器試料を得た。この磁器試
料を加工して８ｍｍφ×５ｍｍの寸法からなる円板を得
た。
【００２０】かくして得られた磁器試料について、周波
数７〜１２ＧＨｚにおける比誘電率（εｒ），Ｑ値を誘
電体共振器法にて測定し、また２５℃から８５℃までの
温度範囲における共振周波数の温度変化率から共振周波
数の温度係数（τｆ）を計算した。Ｑ値はマイクロ波誘
電体において一般に成立するＱ値×測定周波数ｆ＝一定
の関係から１ＧＨｚでのＱ値に換算した。それらの結果
を表１に示した。
数７〜１２ＧＨｚにおける比誘電率（εｒ），Ｑ値を誘
電体共振器法にて測定し、また２５℃から８５℃までの
温度範囲における共振周波数の温度変化率から共振周波
数の温度係数（τｆ）を計算した。Ｑ値はマイクロ波誘
電体において一般に成立するＱ値×測定周波数ｆ＝一定
の関係から１ＧＨｚでのＱ値に換算した。それらの結果
を表１に示した。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１によれば、配合組成が本発明の範囲を
逸脱する試料Ｎｏ．１５〜２４はＱ値が１０００以下あ
るいは焼結不良を生じた。これに対して、本発明の試料
は比誘電率１５〜４０、Ｑ値４５０００以上、共振周波
数の温度係数が絶対値で３６．８ｐｐｍ／℃以下が達成
された。しかも共振周波数の温度係数が０の値（試料Ｎ
o.２）が得られ、本発明の誘電体磁器の温度係数を０付
近で調製することが容易であり、例えば、誘電体共振器
用の誘電体磁器として使用した場合に優れた特性を有す
ることが判る。
逸脱する試料Ｎｏ．１５〜２４はＱ値が１０００以下あ
るいは焼結不良を生じた。これに対して、本発明の試料
は比誘電率１５〜４０、Ｑ値４５０００以上、共振周波
数の温度係数が絶対値で３６．８ｐｐｍ／℃以下が達成
された。しかも共振周波数の温度係数が０の値（試料Ｎ
o.２）が得られ、本発明の誘電体磁器の温度係数を０付
近で調製することが容易であり、例えば、誘電体共振器
用の誘電体磁器として使用した場合に優れた特性を有す
ることが判る。
【００２３】尚、本発明の磁器組成物に、Ｔａ2 Ｏ5 等
の他の材料を添加しても良い。また、表１において焼結
不良とはクラック，変形，未焼結，蒸発，その他の焼結
不良を含む。
の他の材料を添加しても良い。また、表１において焼結
不良とはクラック，変形，未焼結，蒸発，その他の焼結
不良を含む。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、Ｂ
ａ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｗを含有する複合酸化物であっ
て、これらの金属元素のモル比による組成式をａＢａＯ
・ｂＺｎＯ・ｃＭｇＯ・ｄＮｂ2 Ｏ5 ・ｅＷＯ3 と表し
た時、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅを所定値とすることにより、
高周波領域において高い誘電率およびＱ値を得ることが
できる。それにより、マイクロ波やミリ波領域において
使用される共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料，電
子部品等に充分適用することができる。
ａ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｗを含有する複合酸化物であっ
て、これらの金属元素のモル比による組成式をａＢａＯ
・ｂＺｎＯ・ｃＭｇＯ・ｄＮｂ2 Ｏ5 ・ｅＷＯ3 と表し
た時、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅを所定値とすることにより、
高周波領域において高い誘電率およびＱ値を得ることが
できる。それにより、マイクロ波やミリ波領域において
使用される共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料，電
子部品等に充分適用することができる。
Claims (1)
- 【請求項１】Ｂａ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｗを含有する複
合酸化物であって、これらの金属元素のモル比による組
成式をａＢａＯ・ｂＺｎＯ・ｃＭｇＯ・ｄＮｂ2 Ｏ5 ・
ｅＷＯ3 と表した時、前記ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅが ０．４０≦ａ≦０．７０ ０ ＜ｂ≦０．３０ ０ ＜ｃ≦０．３５ ０ ＜ｄ≦０．３０ ０ ＜ｅ≦０．３５ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１．００ を満足することを特徴とする高周波用誘電体磁器組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5129546A JPH06338221A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5129546A JPH06338221A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338221A true JPH06338221A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=15012190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5129546A Pending JPH06338221A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338221A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005272248A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物及びその製造方法、誘電体共振器 |
| EP3016111A1 (en) * | 2014-10-27 | 2016-05-04 | TDK Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| JP2016084268A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物および電子部品 |
| JP2020161625A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | Tdk株式会社 | 誘電体膜および電子部品 |
| US11201013B2 (en) * | 2019-03-26 | 2021-12-14 | Tdk Corporation | Dielectric film and electronic component |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP5129546A patent/JPH06338221A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005272248A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物及びその製造方法、誘電体共振器 |
| EP3016111A1 (en) * | 2014-10-27 | 2016-05-04 | TDK Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| CN105541299A (zh) * | 2014-10-27 | 2016-05-04 | Tdk株式会社 | 介电组合物以及电子部件 |
| JP2016084268A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物および電子部品 |
| US9567263B2 (en) | 2014-10-27 | 2017-02-14 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| JP2020161625A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | Tdk株式会社 | 誘電体膜および電子部品 |
| US11201013B2 (en) * | 2019-03-26 | 2021-12-14 | Tdk Corporation | Dielectric film and electronic component |
| US11257620B2 (en) * | 2019-03-26 | 2022-02-22 | Tdk Corporation | Dielectric film and electronic component |
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