JPH06338569A - Package for semiconductor optical device - Google Patents
Package for semiconductor optical deviceInfo
- Publication number
- JPH06338569A JPH06338569A JP5128625A JP12862593A JPH06338569A JP H06338569 A JPH06338569 A JP H06338569A JP 5128625 A JP5128625 A JP 5128625A JP 12862593 A JP12862593 A JP 12862593A JP H06338569 A JPH06338569 A JP H06338569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- optical device
- semiconductor optical
- semiconductor laser
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
- H01S5/0222—Gas-filled housings
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザのパッケージ内に微量の水分が
混入しても、それらを効果的に除去できるパッケージを
得る。
【構成】 半導体レーザ1を搭載,収容するパッケージ
4a,4bの内側に、シリカゲル等の乾燥剤6を薄膜状
に形成する。
【効果】 パッケージング作業中に、万一パッケージ内
に水分や酸素が微量に混入しても、これらを効果的に除
去することができ、レーザ等の信頼性を向上させること
ができる。
(57) [Summary] [Purpose] To obtain a package capable of effectively removing even a small amount of water mixed in the package of a semiconductor laser. [Structure] A desiccant 6 such as silica gel is formed in a thin film inside the packages 4a and 4b in which the semiconductor laser 1 is mounted and accommodated. [Effect] Even if a small amount of water or oxygen is mixed into the package during the packaging work, it can be effectively removed, and the reliability of the laser or the like can be improved.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、パッケージに実装さ
れた半導体光デバイスの信頼性を向上させるための半導
体光デバイス用パッケージに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor optical device package for improving the reliability of a semiconductor optical device mounted on the package.
【0002】[0002]
【従来の技術】図2は従来の半導体光デバイス用パッケ
ージを示す断面図である。図において、1は半導体レー
ザ、2は該半導体レーザ1で発生する熱を放熱するため
の半導体レーザ用ヒートシンクであり、該ヒートシンク
2上に上記半導体レーザ1を取りつけている。4は上記
ヒートシンク2上に取りつけた半導体光レーザ1を収
容,封止する鉄よりなるパーケージであり、プレート部
4aと蓋部4bとからなる。3a,3bは上記半導体レ
ーザ1の電極を上記パッケージ4の外部に取り出すため
のリード、5は上記半導体レーザ1の出射レーザ光7を
外部に取り出すための上記パッケージ4の蓋部4bに設
けられた透明樹脂である。2. Description of the Related Art FIG. 2 is a sectional view showing a conventional semiconductor optical device package. In the figure, 1 is a semiconductor laser and 2 is a semiconductor laser heat sink for radiating heat generated by the semiconductor laser 1. The semiconductor laser 1 is mounted on the heat sink 2. Reference numeral 4 denotes a package made of iron for accommodating and sealing the semiconductor optical laser 1 mounted on the heat sink 2, and includes a plate portion 4a and a lid portion 4b. Leads 3a and 3b are provided for taking out the electrodes of the semiconductor laser 1 to the outside of the package 4, and 5 is provided on the lid portion 4b of the package 4 for taking out the laser light 7 emitted from the semiconductor laser 1. It is a transparent resin.
【0003】次いで、従来のパッケージの構造につい
て、半導体レーザを用いた場合について説明する。光デ
ィスク用光源に用いられる780nm帯のGaAs/A
lGaAs半導体レーザ1では、その活性層がAlGa
Asからなるものであるため、非常に酸化されやすい。
そして、この酸化された活性層表面(劈開面)には多数
の表面準位が形成される。このため、表面近傍にある電
子・正孔は、この表面準位により非発光再結合をし、こ
れにより結晶格子にエネルギーを与え、熱となる。この
ため、レーザ光が強くなると、表面付近の温度が上昇
し、ついにはAlGaAs結晶が溶融し、動作不能にな
ることとなる。Next, the structure of a conventional package will be described when a semiconductor laser is used. 780 nm band GaAs / A used as a light source for optical disks
In the 1GaAs semiconductor laser 1, the active layer is AlGa.
Since it is made of As, it is very easily oxidized.
Then, a large number of surface states are formed on the surface of the oxidized active layer (cleavage plane). Therefore, the electrons / holes near the surface are non-radiatively recombined by the surface states, thereby giving energy to the crystal lattice and becoming heat. Therefore, when the laser light becomes strong, the temperature in the vicinity of the surface rises, and finally the AlGaAs crystal melts and becomes inoperable.
【0004】このように、半導体レーザは酸化に弱いた
め、レーザをパッケージングする際には、パッケージ内
に酸素や水分が入らないように、従来は窒素雰囲気中で
作業が行われていた。As described above, since the semiconductor laser is vulnerable to oxidation, when the laser is packaged, work is conventionally performed in a nitrogen atmosphere so that oxygen and moisture do not enter the package.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来のパッケージは、
パッケージ内に酸素や水分が入らないように窒素雰囲気
で作業を行っていたが、作業場の管理が不充分である
と、わずかな酸素や水分がすぐに混入してしまい、レー
ザの信頼性を低下させてしまうという問題点があった。The conventional package is
I used to work in a nitrogen atmosphere to prevent oxygen and water from entering the package, but if the workplace is not properly managed, a small amount of oxygen and water will be mixed in immediately and the laser reliability will drop. There was a problem that it caused it.
【0006】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、パッケージ内に微量の酸素や水
分が混入しても、それらを効果的に除去することのでき
る半導体光デバイス用パッケージを提供することを目的
とする。The present invention has been made in order to solve the above problems, and is for a semiconductor optical device capable of effectively removing a small amount of oxygen and moisture even if they are mixed in the package. Intended to provide the package.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体光
デバイス用パッケージは、パッケージの内側に、水分や
酸素を吸着するシリカゲル等の乾燥剤を薄膜状に成膜し
たものである。A package for a semiconductor optical device according to the present invention comprises a desiccant such as silica gel which adsorbs moisture and oxygen formed into a thin film inside the package.
【0008】この発明に係る半導体光デバイス用パッケ
ージは、上記パッケージ内に成膜する物質を、シリカゲ
ル,塩化カルシウム,RP剤(酸素・水分除去剤),ソ
ーダ石灰、あるいはこれらの物質を含むものとしたもの
である。The semiconductor optical device package according to the present invention contains a substance to be formed in the package as silica gel, calcium chloride, RP agent (oxygen / water removing agent), soda lime, or these substances. It was done.
【0009】[0009]
【作用】この発明におけるパッケージは、内部に水分や
酸素を吸着するシリカゲル等の膜が形成されているの
で、万一パッケージ内に微量の水分等が混入しても、そ
れらを該膜により効果的に除去することができ、その結
果、レーザの信頼性を向上させることができる。In the package of the present invention, since a film of silica gel or the like that adsorbs moisture and oxygen is formed inside, even if a small amount of water or the like is mixed in the package, it is more effective for the film. Can be removed, and as a result, the reliability of the laser can be improved.
【0010】[0010]
実施例1.以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1において、図2と同様、1は半導体レーザ、
2は該半導体レーザ1で発生する熱を放熱するための半
導体レーザ用ヒートシンクであり、該ヒートシンク2上
に上記半導体レーザ1を取りつけている。4は上記ヒー
トシンク2上に取りつけた半導体光レーザ1を収容,封
止する鉄よりなるパッケージであり、プレート部4aと
蓋部4bとからなる。3a,3bは上記半導体レーザ1
の電極を上記パッケージ4の外部に取り出すためのリー
ド、5は上記半導体レーザ1の出射レーザ光7を外部に
取り出すための上記パッケージ4の蓋部4bに設けられ
た透明樹脂である。また、6はスパッタリング法により
形成された乾燥剤であるシリカゲルである。Example 1. An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, as in FIG. 2, 1 is a semiconductor laser,
Reference numeral 2 denotes a semiconductor laser heat sink for radiating heat generated by the semiconductor laser 1, and the semiconductor laser 1 is mounted on the heat sink 2. Reference numeral 4 denotes an iron package which houses and seals the semiconductor optical laser 1 mounted on the heat sink 2, and includes a plate portion 4a and a lid portion 4b. 3a and 3b are the semiconductor lasers 1
Leads 5 for taking out the electrodes of the package 4 to the outside of the package 4 are transparent resins provided on the lid 4b of the package 4 for taking out the emitted laser beam 7 of the semiconductor laser 1 to the outside. Further, 6 is silica gel which is a desiccant formed by a sputtering method.
【0011】次に本実施例の作用について説明する。図
1のように、半導体レーザ1を収容,封止すべき鉄より
なるパッケージ4a,4bの内面に、シリカゲルよりな
る乾燥剤6を設けてパッケージを構成すると、半導体レ
ーザ1をパッケージングする作業中に、万一微量の水分
等や酸素等が混入しても、該シリカゲル6がこれら水分
等や酸素等を吸着するため、半導体レーザの酸化を抑え
ることができる。従って、レーザの信頼性を向上させる
ことができる。Next, the operation of this embodiment will be described. As shown in FIG. 1, when the desiccant 6 made of silica gel is provided on the inner surfaces of the packages 4a, 4b made of iron to house and seal the semiconductor laser 1, the semiconductor laser 1 is packaged. Even if a small amount of water, oxygen, or the like is mixed in, the silica gel 6 adsorbs the water, oxygen, or the like, so that oxidation of the semiconductor laser can be suppressed. Therefore, the reliability of the laser can be improved.
【0012】実施例2.上記実施例1では、水分吸着剤
としてシリカゲルを用いたが、本発明では、このシリカ
ゲルの代りに、図3に示すように、塩化カルシウム,ソ
ーダ石灰,RP剤(酸素・水分除去剤)等,あるいはこ
れらの物質を複数含む乾燥剤6aを用いることができ、
このようにした本発明の実施例2においても、上記実施
例1と同様の効果を得ることができる。Example 2. Although silica gel was used as the moisture adsorbent in Example 1 above, in the present invention, instead of this silica gel, as shown in FIG. 3, calcium chloride, soda lime, RP agent (oxygen / water removing agent), etc. Alternatively, a desiccant 6a containing a plurality of these substances can be used,
Also in the second embodiment of the present invention thus configured, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
【0013】実施例3.上記実施例1では、パッケージ
4a,4bの内側にシリカゲル6を成膜したが、本発明
では、図4に示すように、パッケージ4の内側だけでな
く、レーザのヒートシンク2の表面にもシリカゲル6b
を成膜することもでき、このようにした本発明の実施例
3においても、上記実施例1,2と同様の効果が得られ
るのは言うまでもない。Embodiment 3. In Example 1, the silica gel 6 was formed on the inside of the packages 4a and 4b, but in the present invention, as shown in FIG. 4, the silica gel 6b is formed not only on the inside of the package 4 but also on the surface of the heat sink 2 of the laser.
It is needless to say that the same effects as those of the above-described first and second embodiments can be obtained in the third embodiment of the present invention thus configured.
【0014】[0014]
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる半導体
光デバイス用パッケージによれば、パッケージの内側に
シリカゲル,あるいは,塩化カルシウム,酸素・水分除
去剤,ソーダ石灰、あるいはこれらの物質を含むものか
らなる乾燥剤を薄膜状に成膜するようにしたので、パッ
ケージ内に微量の水分等や酸素等が混入しても、これら
を該乾燥剤により効果的に除去することができ、パッケ
ージ封止される半導体レーザ等の半導体光デバイスの信
頼性を大きく向上することができる効果がある。As described above, according to the semiconductor optical device package of the present invention, the package contains silica gel, calcium chloride, an oxygen / water scavenger, soda lime, or these substances inside the package. Since the desiccant consisting of is formed into a thin film, even if a small amount of water, oxygen, etc. is mixed in the package, these can be effectively removed by the desiccant, and the package is sealed. There is an effect that the reliability of a semiconductor optical device such as a semiconductor laser used can be greatly improved.
【図1】この発明の第1の実施例による半導体光デバイ
ス用パッケージを示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor optical device package according to a first embodiment of the present invention.
【図2】従来の半導体光デバイス用パッケージを示す断
面図。FIG. 2 is a sectional view showing a conventional semiconductor optical device package.
【図3】この発明の第2の実施例による半導体光デバイ
ス用パッケージを示す断面図。FIG. 3 is a sectional view showing a semiconductor optical device package according to a second embodiment of the present invention.
【図4】この発明の第3の実施例による半導体光デバイ
ス用パッケージを示す断面図。FIG. 4 is a sectional view showing a semiconductor optical device package according to a third embodiment of the present invention.
1 半導体レーザ 2 半導体レーザ用ヒートシンク 3 リード 4a,4b パッケージ 5 透明樹脂 6 シリカゲル(乾燥剤) 6a 塩化カルシウム,ソーダ石灰、RP剤
(酸素・水分除去剤)等あるいはこれらの物質を含む乾
燥剤 6b シリカゲル(乾燥剤)1 Semiconductor Laser 2 Heat Sink for Semiconductor Laser 3 Leads 4a, 4b Package 5 Transparent Resin 6 Silica Gel (Drying Agent) 6a Calcium Chloride, Soda Lime, RP Agent (Oxygen / Moisture Removing Agent), etc. or Desiccating Agent 6b Silica Gel (desiccant)
Claims (3)
デバイス用パッケージにおいて、 該パッケージの内側に、水分や酸素を吸着する物質を薄
膜状に成膜してなることを特徴とする半導体光デバイス
用パッケージ。1. A semiconductor optical device package including a semiconductor optical device, wherein a substance that adsorbs moisture or oxygen is formed into a thin film inside the package. package.
ケージにおいて、 上記半導体光デバイスは、上記パッケージの底面にヒー
トシンクを介して取りつけられた半導体レーザであるこ
とを特徴とする半導体光デバイス用パッケージ。2. The package for a semiconductor optical device according to claim 1, wherein the semiconductor optical device is a semiconductor laser mounted on a bottom surface of the package via a heat sink.
イス用パッケージにおいて、 上記パッケージ内に成膜する物質が、シリカゲル,塩化
カルシウム,酸素・水分除去剤,ソーダ石灰、あるいは
これらの物質を複数含むものであることを特徴とする半
導体光デバイス用パッケージ。3. The package for a semiconductor optical device according to claim 1 or 2, wherein the substance formed in the package is silica gel, calcium chloride, oxygen / water scavenger, soda lime, or a plurality of these substances. A package for a semiconductor optical device, which includes:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5128625A JPH06338569A (en) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | Package for semiconductor optical device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5128625A JPH06338569A (en) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | Package for semiconductor optical device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338569A true JPH06338569A (en) | 1994-12-06 |
Family
ID=14989430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5128625A Pending JPH06338569A (en) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | Package for semiconductor optical device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338569A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999027621A1 (en) * | 1997-11-24 | 1999-06-03 | Femtolasers Produktions Gmbh | Cooling device for an optical crystal or laser crystal |
| JP2002076494A (en) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | Optical semiconductor device cap and optical semiconductor device using the same |
| JP2006049605A (en) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor laser device |
| JP2007533160A (en) * | 2004-04-15 | 2007-11-15 | サエス ゲッターズ ソシエタ ペル アチオニ | Integrated getter for vacuum or inert gas package LED |
| WO2011096512A1 (en) * | 2010-02-04 | 2011-08-11 | 三洋電機株式会社 | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing semiconductor light-emitting device, and optical device |
| JP2018133380A (en) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 古河電気工業株式会社 | Semiconductor laser module |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP5128625A patent/JPH06338569A/en active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999027621A1 (en) * | 1997-11-24 | 1999-06-03 | Femtolasers Produktions Gmbh | Cooling device for an optical crystal or laser crystal |
| JP2001524761A (en) * | 1997-11-24 | 2001-12-04 | フェムトレーザース プロドゥクシオンズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Cooling device for optical crystal or laser crystal, respectively |
| US6625184B1 (en) | 1997-11-24 | 2003-09-23 | Femtolasers Produktions Gbmh | Cooling device for an optical crystal or laser crystal |
| JP2002076494A (en) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | Optical semiconductor device cap and optical semiconductor device using the same |
| JP2007533160A (en) * | 2004-04-15 | 2007-11-15 | サエス ゲッターズ ソシエタ ペル アチオニ | Integrated getter for vacuum or inert gas package LED |
| JP2006049605A (en) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor laser device |
| WO2011096512A1 (en) * | 2010-02-04 | 2011-08-11 | 三洋電機株式会社 | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing semiconductor light-emitting device, and optical device |
| JP2018133380A (en) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 古河電気工業株式会社 | Semiconductor laser module |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5308663B2 (en) | Integrated getter for vacuum or inert gas package LED | |
| AU672705B2 (en) | Packaging of high power semiconductor lasers | |
| JP3409764B2 (en) | Manufacturing method of organic EL display panel | |
| US5578863A (en) | Optoelectronic semiconductor device with a radiation-emitting semiconductor diode, and method of manufacturing such a device | |
| US20110174288A1 (en) | Method for producing nitride semiconductor laser light source and apparatus for producing nitride semiconductor laser light source | |
| JPH06338569A (en) | Package for semiconductor optical device | |
| JP5036308B2 (en) | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof | |
| JPH03261091A (en) | Electroluminescent element | |
| US8018134B2 (en) | Light source, optical pickup, and electronic apparatus | |
| US7238076B2 (en) | Method of assembling light-emitting apparatus | |
| JP4272819B2 (en) | Organic light emitting device | |
| CN1973355A (en) | Integrated getter for vacuum or inert gas packaged LEDs | |
| JP2019204878A (en) | Light source device, projector, and method for manufacturing light source device | |
| JPH0322699B2 (en) | ||
| KR900010941A (en) | Manufacturing Method of Semiconductor Device | |
| WO2019001151A1 (en) | Packaging cover plate, organic light-emitting diode display and manufacturing method therefor | |
| JPS6167971A (en) | Dhd light emitting diode | |
| JP2000195662A (en) | Organic EL device and manufacturing method thereof | |
| JPH0263182A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH04269752A (en) | pellicle | |
| JP2001307872A (en) | Electroluminescence element | |
| JP2006019031A (en) | Organic light emitting device | |
| JP2001002180A (en) | Substrate transport container | |
| JPH0532874B2 (en) | ||
| TW202512317A (en) | Image sensor packages and related methods |