JPH06338569A - 半導体光デバイス用パッケージ - Google Patents
半導体光デバイス用パッケージInfo
- Publication number
- JPH06338569A JPH06338569A JP5128625A JP12862593A JPH06338569A JP H06338569 A JPH06338569 A JP H06338569A JP 5128625 A JP5128625 A JP 5128625A JP 12862593 A JP12862593 A JP 12862593A JP H06338569 A JPH06338569 A JP H06338569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- optical device
- semiconductor optical
- semiconductor laser
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
- H01S5/0222—Gas-filled housings
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザのパッケージ内に微量の水分が
混入しても、それらを効果的に除去できるパッケージを
得る。 【構成】 半導体レーザ１を搭載，収容するパッケージ
４ａ，４ｂの内側に、シリカゲル等の乾燥剤６を薄膜状
に形成する。 【効果】 パッケージング作業中に、万一パッケージ内
に水分や酸素が微量に混入しても、これらを効果的に除
去することができ、レーザ等の信頼性を向上させること
ができる。
混入しても、それらを効果的に除去できるパッケージを
得る。 【構成】 半導体レーザ１を搭載，収容するパッケージ
４ａ，４ｂの内側に、シリカゲル等の乾燥剤６を薄膜状
に形成する。 【効果】 パッケージング作業中に、万一パッケージ内
に水分や酸素が微量に混入しても、これらを効果的に除
去することができ、レーザ等の信頼性を向上させること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、パッケージに実装さ
れた半導体光デバイスの信頼性を向上させるための半導
体光デバイス用パッケージに関するものである。
れた半導体光デバイスの信頼性を向上させるための半導
体光デバイス用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の半導体光デバイス用パッケ
ージを示す断面図である。図において、１は半導体レー
ザ、２は該半導体レーザ１で発生する熱を放熱するため
の半導体レーザ用ヒートシンクであり、該ヒートシンク
２上に上記半導体レーザ１を取りつけている。４は上記
ヒートシンク２上に取りつけた半導体光レーザ１を収
容，封止する鉄よりなるパーケージであり、プレート部
４ａと蓋部４ｂとからなる。３ａ，３ｂは上記半導体レ
ーザ１の電極を上記パッケージ４の外部に取り出すため
のリード、５は上記半導体レーザ１の出射レーザ光７を
外部に取り出すための上記パッケージ４の蓋部４ｂに設
けられた透明樹脂である。
ージを示す断面図である。図において、１は半導体レー
ザ、２は該半導体レーザ１で発生する熱を放熱するため
の半導体レーザ用ヒートシンクであり、該ヒートシンク
２上に上記半導体レーザ１を取りつけている。４は上記
ヒートシンク２上に取りつけた半導体光レーザ１を収
容，封止する鉄よりなるパーケージであり、プレート部
４ａと蓋部４ｂとからなる。３ａ，３ｂは上記半導体レ
ーザ１の電極を上記パッケージ４の外部に取り出すため
のリード、５は上記半導体レーザ１の出射レーザ光７を
外部に取り出すための上記パッケージ４の蓋部４ｂに設
けられた透明樹脂である。
【０００３】次いで、従来のパッケージの構造につい
て、半導体レーザを用いた場合について説明する。光デ
ィスク用光源に用いられる７８０ｎｍ帯のＧａＡｓ／Ａ
ｌＧａＡｓ半導体レーザ１では、その活性層がＡｌＧａ
Ａｓからなるものであるため、非常に酸化されやすい。
そして、この酸化された活性層表面（劈開面）には多数
の表面準位が形成される。このため、表面近傍にある電
子・正孔は、この表面準位により非発光再結合をし、こ
れにより結晶格子にエネルギーを与え、熱となる。この
ため、レーザ光が強くなると、表面付近の温度が上昇
し、ついにはＡｌＧａＡｓ結晶が溶融し、動作不能にな
ることとなる。
て、半導体レーザを用いた場合について説明する。光デ
ィスク用光源に用いられる７８０ｎｍ帯のＧａＡｓ／Ａ
ｌＧａＡｓ半導体レーザ１では、その活性層がＡｌＧａ
Ａｓからなるものであるため、非常に酸化されやすい。
そして、この酸化された活性層表面（劈開面）には多数
の表面準位が形成される。このため、表面近傍にある電
子・正孔は、この表面準位により非発光再結合をし、こ
れにより結晶格子にエネルギーを与え、熱となる。この
ため、レーザ光が強くなると、表面付近の温度が上昇
し、ついにはＡｌＧａＡｓ結晶が溶融し、動作不能にな
ることとなる。
【０００４】このように、半導体レーザは酸化に弱いた
め、レーザをパッケージングする際には、パッケージ内
に酸素や水分が入らないように、従来は窒素雰囲気中で
作業が行われていた。
め、レーザをパッケージングする際には、パッケージ内
に酸素や水分が入らないように、従来は窒素雰囲気中で
作業が行われていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のパッケージは、
パッケージ内に酸素や水分が入らないように窒素雰囲気
で作業を行っていたが、作業場の管理が不充分である
と、わずかな酸素や水分がすぐに混入してしまい、レー
ザの信頼性を低下させてしまうという問題点があった。
パッケージ内に酸素や水分が入らないように窒素雰囲気
で作業を行っていたが、作業場の管理が不充分である
と、わずかな酸素や水分がすぐに混入してしまい、レー
ザの信頼性を低下させてしまうという問題点があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、パッケージ内に微量の酸素や水
分が混入しても、それらを効果的に除去することのでき
る半導体光デバイス用パッケージを提供することを目的
とする。
ためになされたもので、パッケージ内に微量の酸素や水
分が混入しても、それらを効果的に除去することのでき
る半導体光デバイス用パッケージを提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体光
デバイス用パッケージは、パッケージの内側に、水分や
酸素を吸着するシリカゲル等の乾燥剤を薄膜状に成膜し
たものである。
デバイス用パッケージは、パッケージの内側に、水分や
酸素を吸着するシリカゲル等の乾燥剤を薄膜状に成膜し
たものである。
【０００８】この発明に係る半導体光デバイス用パッケ
ージは、上記パッケージ内に成膜する物質を、シリカゲ
ル，塩化カルシウム，ＲＰ剤（酸素・水分除去剤），ソ
ーダ石灰、あるいはこれらの物質を含むものとしたもの
である。
ージは、上記パッケージ内に成膜する物質を、シリカゲ
ル，塩化カルシウム，ＲＰ剤（酸素・水分除去剤），ソ
ーダ石灰、あるいはこれらの物質を含むものとしたもの
である。
【０００９】
【作用】この発明におけるパッケージは、内部に水分や
酸素を吸着するシリカゲル等の膜が形成されているの
で、万一パッケージ内に微量の水分等が混入しても、そ
れらを該膜により効果的に除去することができ、その結
果、レーザの信頼性を向上させることができる。
酸素を吸着するシリカゲル等の膜が形成されているの
で、万一パッケージ内に微量の水分等が混入しても、そ
れらを該膜により効果的に除去することができ、その結
果、レーザの信頼性を向上させることができる。
【００１０】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１において、図２と同様、１は半導体レーザ、
２は該半導体レーザ１で発生する熱を放熱するための半
導体レーザ用ヒートシンクであり、該ヒートシンク２上
に上記半導体レーザ１を取りつけている。４は上記ヒー
トシンク２上に取りつけた半導体光レーザ１を収容，封
止する鉄よりなるパッケージであり、プレート部４ａと
蓋部４ｂとからなる。３ａ，３ｂは上記半導体レーザ１
の電極を上記パッケージ４の外部に取り出すためのリー
ド、５は上記半導体レーザ１の出射レーザ光７を外部に
取り出すための上記パッケージ４の蓋部４ｂに設けられ
た透明樹脂である。また、６はスパッタリング法により
形成された乾燥剤であるシリカゲルである。
する。図１において、図２と同様、１は半導体レーザ、
２は該半導体レーザ１で発生する熱を放熱するための半
導体レーザ用ヒートシンクであり、該ヒートシンク２上
に上記半導体レーザ１を取りつけている。４は上記ヒー
トシンク２上に取りつけた半導体光レーザ１を収容，封
止する鉄よりなるパッケージであり、プレート部４ａと
蓋部４ｂとからなる。３ａ，３ｂは上記半導体レーザ１
の電極を上記パッケージ４の外部に取り出すためのリー
ド、５は上記半導体レーザ１の出射レーザ光７を外部に
取り出すための上記パッケージ４の蓋部４ｂに設けられ
た透明樹脂である。また、６はスパッタリング法により
形成された乾燥剤であるシリカゲルである。
【００１１】次に本実施例の作用について説明する。図
１のように、半導体レーザ１を収容，封止すべき鉄より
なるパッケージ４ａ，４ｂの内面に、シリカゲルよりな
る乾燥剤６を設けてパッケージを構成すると、半導体レ
ーザ１をパッケージングする作業中に、万一微量の水分
等や酸素等が混入しても、該シリカゲル６がこれら水分
等や酸素等を吸着するため、半導体レーザの酸化を抑え
ることができる。従って、レーザの信頼性を向上させる
ことができる。
１のように、半導体レーザ１を収容，封止すべき鉄より
なるパッケージ４ａ，４ｂの内面に、シリカゲルよりな
る乾燥剤６を設けてパッケージを構成すると、半導体レ
ーザ１をパッケージングする作業中に、万一微量の水分
等や酸素等が混入しても、該シリカゲル６がこれら水分
等や酸素等を吸着するため、半導体レーザの酸化を抑え
ることができる。従って、レーザの信頼性を向上させる
ことができる。
【００１２】実施例２．上記実施例１では、水分吸着剤
としてシリカゲルを用いたが、本発明では、このシリカ
ゲルの代りに、図３に示すように、塩化カルシウム，ソ
ーダ石灰，ＲＰ剤（酸素・水分除去剤）等，あるいはこ
れらの物質を複数含む乾燥剤６ａを用いることができ、
このようにした本発明の実施例２においても、上記実施
例１と同様の効果を得ることができる。
としてシリカゲルを用いたが、本発明では、このシリカ
ゲルの代りに、図３に示すように、塩化カルシウム，ソ
ーダ石灰，ＲＰ剤（酸素・水分除去剤）等，あるいはこ
れらの物質を複数含む乾燥剤６ａを用いることができ、
このようにした本発明の実施例２においても、上記実施
例１と同様の効果を得ることができる。
【００１３】実施例３．上記実施例１では、パッケージ
４ａ，４ｂの内側にシリカゲル６を成膜したが、本発明
では、図４に示すように、パッケージ４の内側だけでな
く、レーザのヒートシンク２の表面にもシリカゲル６ｂ
を成膜することもでき、このようにした本発明の実施例
３においても、上記実施例１，２と同様の効果が得られ
るのは言うまでもない。
４ａ，４ｂの内側にシリカゲル６を成膜したが、本発明
では、図４に示すように、パッケージ４の内側だけでな
く、レーザのヒートシンク２の表面にもシリカゲル６ｂ
を成膜することもでき、このようにした本発明の実施例
３においても、上記実施例１，２と同様の効果が得られ
るのは言うまでもない。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる半導体
光デバイス用パッケージによれば、パッケージの内側に
シリカゲル，あるいは，塩化カルシウム，酸素・水分除
去剤，ソーダ石灰、あるいはこれらの物質を含むものか
らなる乾燥剤を薄膜状に成膜するようにしたので、パッ
ケージ内に微量の水分等や酸素等が混入しても、これら
を該乾燥剤により効果的に除去することができ、パッケ
ージ封止される半導体レーザ等の半導体光デバイスの信
頼性を大きく向上することができる効果がある。
光デバイス用パッケージによれば、パッケージの内側に
シリカゲル，あるいは，塩化カルシウム，酸素・水分除
去剤，ソーダ石灰、あるいはこれらの物質を含むものか
らなる乾燥剤を薄膜状に成膜するようにしたので、パッ
ケージ内に微量の水分等や酸素等が混入しても、これら
を該乾燥剤により効果的に除去することができ、パッケ
ージ封止される半導体レーザ等の半導体光デバイスの信
頼性を大きく向上することができる効果がある。
【図１】この発明の第１の実施例による半導体光デバイ
ス用パッケージを示す断面図。
ス用パッケージを示す断面図。
【図２】従来の半導体光デバイス用パッケージを示す断
面図。
面図。
【図３】この発明の第２の実施例による半導体光デバイ
ス用パッケージを示す断面図。
ス用パッケージを示す断面図。
【図４】この発明の第３の実施例による半導体光デバイ
ス用パッケージを示す断面図。
ス用パッケージを示す断面図。
１ 半導体レーザ ２ 半導体レーザ用ヒートシンク ３ リード ４ａ，４ｂ パッケージ ５ 透明樹脂 ６ シリカゲル（乾燥剤） ６ａ 塩化カルシウム，ソーダ石灰、ＲＰ剤
（酸素・水分除去剤）等あるいはこれらの物質を含む乾
燥剤 ６ｂ シリカゲル（乾燥剤）
（酸素・水分除去剤）等あるいはこれらの物質を含む乾
燥剤 ６ｂ シリカゲル（乾燥剤）
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体光デバイスを含んでなる半導体光
デバイス用パッケージにおいて、 該パッケージの内側に、水分や酸素を吸着する物質を薄
膜状に成膜してなることを特徴とする半導体光デバイス
用パッケージ。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体光デバイス用パッ
ケージにおいて、 上記半導体光デバイスは、上記パッケージの底面にヒー
トシンクを介して取りつけられた半導体レーザであるこ
とを特徴とする半導体光デバイス用パッケージ。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の半導体光デバ
イス用パッケージにおいて、 上記パッケージ内に成膜する物質が、シリカゲル，塩化
カルシウム，酸素・水分除去剤，ソーダ石灰、あるいは
これらの物質を複数含むものであることを特徴とする半
導体光デバイス用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5128625A JPH06338569A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 半導体光デバイス用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5128625A JPH06338569A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 半導体光デバイス用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338569A true JPH06338569A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=14989430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5128625A Pending JPH06338569A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 半導体光デバイス用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338569A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999027621A1 (de) * | 1997-11-24 | 1999-06-03 | Femtolasers Produktions Gmbh | Kühlvorrichtung für einen optischen kristall bzw. laserkristall |
| JP2002076494A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置用キャップとこれを用いた光半導体装置 |
| JP2006049605A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2007533160A (ja) * | 2004-04-15 | 2007-11-15 | サエス ゲッターズ ソシエタ ペル アチオニ | 真空または不活性ガスパッケージｌｅｄ用集積ゲッター |
| WO2011096512A1 (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-11 | 三洋電機株式会社 | 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法および光装置 |
| JP2018133380A (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP5128625A patent/JPH06338569A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999027621A1 (de) * | 1997-11-24 | 1999-06-03 | Femtolasers Produktions Gmbh | Kühlvorrichtung für einen optischen kristall bzw. laserkristall |
| JP2001524761A (ja) * | 1997-11-24 | 2001-12-04 | フェムトレーザース プロドゥクシオンズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光学クリスタル、または、レーザクリスタル、それぞれ、のための冷却装置 |
| US6625184B1 (en) | 1997-11-24 | 2003-09-23 | Femtolasers Produktions Gbmh | Cooling device for an optical crystal or laser crystal |
| JP2002076494A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置用キャップとこれを用いた光半導体装置 |
| JP2007533160A (ja) * | 2004-04-15 | 2007-11-15 | サエス ゲッターズ ソシエタ ペル アチオニ | 真空または不活性ガスパッケージｌｅｄ用集積ゲッター |
| JP2006049605A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
| WO2011096512A1 (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-11 | 三洋電機株式会社 | 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法および光装置 |
| JP2018133380A (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
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