JPH06338628A - 光カプラ - Google Patents
光カプラInfo
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- JPH06338628A JPH06338628A JP12720093A JP12720093A JPH06338628A JP H06338628 A JPH06338628 A JP H06338628A JP 12720093 A JP12720093 A JP 12720093A JP 12720093 A JP12720093 A JP 12720093A JP H06338628 A JPH06338628 A JP H06338628A
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- light
- light emitting
- optical coupler
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- Pending
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単なプロセス、低コストで製造できる光カ
プラを提供する。 【構成】 従来の半導体発光素子基板上に、透明の絶縁
膜をはさんで多結晶あるいはアモルファス半導体の受光
素子が形成され、発光素子に電流を注入したときの発光
が受光素子に達し、光によって接続された光カプラ。
プラを提供する。 【構成】 従来の半導体発光素子基板上に、透明の絶縁
膜をはさんで多結晶あるいはアモルファス半導体の受光
素子が形成され、発光素子に電流を注入したときの発光
が受光素子に達し、光によって接続された光カプラ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気配線の分離等に利
用できる光カプラに関し、特に発光素子と受光素子のア
ライメントが容易な光カプラに関するものである。
用できる光カプラに関し、特に発光素子と受光素子のア
ライメントが容易な光カプラに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電気回路内において、ある回路を
電気的に独立させたい場合、光カプラが用いられてき
た。これは図１０のように半導体発光素子５１と受光素
子５２を組み合わせたモジュールで、発光素子５１と結
線された第１の回路（図示せず）に電流が流れると素子
が発光し、その光を受光素子５２が受光して、それと接
続する第２の回路（図示せず）に電気的な信号が発生す
るものである。第１の回路と第２の回路は光で接続して
いるが、電気的には独立となるため、たとえば第１の回
路で発生した電気的ノイズは第２の回路には伝わらな
い。
電気的に独立させたい場合、光カプラが用いられてき
た。これは図１０のように半導体発光素子５１と受光素
子５２を組み合わせたモジュールで、発光素子５１と結
線された第１の回路（図示せず）に電流が流れると素子
が発光し、その光を受光素子５２が受光して、それと接
続する第２の回路（図示せず）に電気的な信号が発生す
るものである。第１の回路と第２の回路は光で接続して
いるが、電気的には独立となるため、たとえば第１の回
路で発生した電気的ノイズは第２の回路には伝わらな
い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図１０に示す発光素子
５１および受光素子５２は、いずれも単結晶材料で作製
されており、単結晶上にエピタキシャル成長などを用い
て半導体膜を形成して加工し、チップとして切り出され
たものが用いられてきた。さらに従来の光カプラの製造
工程には、このような複雑なプロセスを経て作製された
発光素子５１および受光素子５２を、発光素子５１から
の出射光が受光素子５２に結合する位置にアライメント
するという工程が含まれる。このため、光カプラの製造
コストの上昇をもたらしている。そこで、本発明の目的
は、発光素子と受光素子のアライメントを容易にした光
カプラを提供することである。
５１および受光素子５２は、いずれも単結晶材料で作製
されており、単結晶上にエピタキシャル成長などを用い
て半導体膜を形成して加工し、チップとして切り出され
たものが用いられてきた。さらに従来の光カプラの製造
工程には、このような複雑なプロセスを経て作製された
発光素子５１および受光素子５２を、発光素子５１から
の出射光が受光素子５２に結合する位置にアライメント
するという工程が含まれる。このため、光カプラの製造
コストの上昇をもたらしている。そこで、本発明の目的
は、発光素子と受光素子のアライメントを容易にした光
カプラを提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は次の
構成で達成される。すなわち、半導体基板上に形成され
たｐｎ接合またはｐｉｎ接合に電流を注入して発光させ
る半導体発光素子と、該半導体発光素子上に形成され、
発光素子の発光波長に対して透明あるいは半透明である
材料からなる絶縁層と、該絶縁層上に形成された多結晶
あるいはアモルファス状の半導体で構成された光が入射
するとｐｎ接合あるいはｐｉｎ接合にキャリアが発生す
る受光素子とからなり、前記発光素子に電流を注入した
ときの発光が受光素子に達する光カプラ、または、半導
体基板上に形成されたｐｎ接合またはｐｉｎ接合に電流
を注入して発光させる半導体発光素子と、発光素子の発
光波長に対して透明あるいは半透明である半導体基板の
裏面上に形成され、発光素子の発光波長に対して透明あ
るいは半透明である材料からなる絶縁層と、該絶縁層上
に形成された多結晶あるいはアモルファス状の半導体で
構成された光が入射するとｐｎ接合あるいはｐｉｎ接合
にキャリアが発生する受光素子とからなり、前記発光素
子に電流を注入したときの発光が受光素子に達する光カ
プラである。ここで、発光素子と受光素子とがアレイ
状、あるいは２次元状に配置され、発光素子と受光素子
とが１対１で対応させること、または単一の半導体発光
素子から発せられた光が２個以上の受光素子で受光でき
るように配置すること、または単一の受光素子で２個以
上の発光素子から発せられる光を受光できるように配置
することができる。
構成で達成される。すなわち、半導体基板上に形成され
たｐｎ接合またはｐｉｎ接合に電流を注入して発光させ
る半導体発光素子と、該半導体発光素子上に形成され、
発光素子の発光波長に対して透明あるいは半透明である
材料からなる絶縁層と、該絶縁層上に形成された多結晶
あるいはアモルファス状の半導体で構成された光が入射
するとｐｎ接合あるいはｐｉｎ接合にキャリアが発生す
る受光素子とからなり、前記発光素子に電流を注入した
ときの発光が受光素子に達する光カプラ、または、半導
体基板上に形成されたｐｎ接合またはｐｉｎ接合に電流
を注入して発光させる半導体発光素子と、発光素子の発
光波長に対して透明あるいは半透明である半導体基板の
裏面上に形成され、発光素子の発光波長に対して透明あ
るいは半透明である材料からなる絶縁層と、該絶縁層上
に形成された多結晶あるいはアモルファス状の半導体で
構成された光が入射するとｐｎ接合あるいはｐｉｎ接合
にキャリアが発生する受光素子とからなり、前記発光素
子に電流を注入したときの発光が受光素子に達する光カ
プラである。ここで、発光素子と受光素子とがアレイ
状、あるいは２次元状に配置され、発光素子と受光素子
とが１対１で対応させること、または単一の半導体発光
素子から発せられた光が２個以上の受光素子で受光でき
るように配置すること、または単一の受光素子で２個以
上の発光素子から発せられる光を受光できるように配置
することができる。
【０００５】基板としては、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、
ＩｎＰ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＺｎＳｅなどの種々の材料があ
げられる。また発光素子を形成する材料としてはＧａＡ
ｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＰ、ＩｎＧａ
Ａｓ、ＡｌＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＺｎＳｅ、Ｉ
ｎＰ、ＡｌＩｎＡｓ、ＧａＡｓＳｂ、ＡｌＡｓＳｂ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ、ＧａＰ、ＺｎＯをはじめ、ｐｎ接合また
はｐｉｎ接合に電流を注入することで発光する材料であ
れば、本発明に用いることができる。発光素子と受光素
子を分離する絶縁膜材料としてはＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
Ｓｉ3Ｎ4などの絶縁性のものを用いることができるが、
発光素子の発光波長に対して吸収係数が小さな材料であ
るほうが好ましい。また、受光素子としてはＳｉ、Ｇａ
Ａｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＺｎＳｅなどいかなる材料であっ
ても構わないが、少なくとも集積化する発光素子の発光
波長に相当するエネルギよりも小さなバンドギャップを
有し、ゼロでない分光感度を持たせる必要がある。
ＩｎＰ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＺｎＳｅなどの種々の材料があ
げられる。また発光素子を形成する材料としてはＧａＡ
ｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＰ、ＩｎＧａ
Ａｓ、ＡｌＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＺｎＳｅ、Ｉ
ｎＰ、ＡｌＩｎＡｓ、ＧａＡｓＳｂ、ＡｌＡｓＳｂ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ、ＧａＰ、ＺｎＯをはじめ、ｐｎ接合また
はｐｉｎ接合に電流を注入することで発光する材料であ
れば、本発明に用いることができる。発光素子と受光素
子を分離する絶縁膜材料としてはＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
Ｓｉ3Ｎ4などの絶縁性のものを用いることができるが、
発光素子の発光波長に対して吸収係数が小さな材料であ
るほうが好ましい。また、受光素子としてはＳｉ、Ｇａ
Ａｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＺｎＳｅなどいかなる材料であっ
ても構わないが、少なくとも集積化する発光素子の発光
波長に相当するエネルギよりも小さなバンドギャップを
有し、ゼロでない分光感度を持たせる必要がある。
【０００６】
実施例１ 本実施例の素子の作製工程を図１に示し、作製した素子
の斜視模式図を図２（ｂ）に、デバイスの断面構造を図
３にそれぞれ示す。まず、図１（ａ）に示すように、ｎ
−ＧａＡｓ基板１にＭＯＣＶＤ法によりｎ−ＧａＡｓバ
ッファ層２、Ａｌ組成比０．４のｎ−ＡｌＧａＡｓ層
３、Ａｌ組成比０．４のｐ−ＡｌＧａＡｓ層４、ｐ−Ａ
ｌＧａＡｓコンタクト層５を作製した。ここで第３族原
料としてトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウ
ム、第５族原料としてアルシンを用い、またキャリアガ
スとして水素を用いた。各層の成長で第５族原料／第３
族原料比は４０とした。この成長膜上に５０μｍ角の開
口部７を有するＳｉＯ2膜６をＣＶＤ法により成膜した
（図１（ｂ））。この開口部７はｐ−ＡｌＧａＡｓ層５
に達するものである。さらにＳｉＯ2膜６の上に３０μ
ｍ角の開口部９を持ったｐ−ＡｌＧａＡｓ層５に対する
ｐ型電極としてＣｒ膜８を形成した（図１（ｃ））。そ
して、再びＣＶＤ法で全面にＳｉＯ2膜１０を成膜し、
上部に形成するフォトダイオードの電極として３０μｍ
角の開口部１２を有する電極１１を作製した（図２
（ａ））。ついで、プラズマＣＶＤ法でｐ−Ｓｉ層１
３、ｉ−Ｓｉ層１４、ｎ−Ｓｉ層１５を成膜した（図２
（ｂ））。そして、図３の断面図に示すように、一部の
Ｓｉ層１３〜１５、電極１１およびＳｉＯ2膜１０をエ
ッチングしてＡｌＧａＡｓの電極８を取り出すためのス
テップ１６と、Ｓｉ層１３〜１５をエッチングしてＳｉ
層の電極１１を取り出すためのステップ１７をそれぞれ
作製した。最後にフォトダイオードのｎ型電極１８とｎ
−ＧａＡｓ基板１の裏面にｎ−ＧａＡｓの電極１９を蒸
着した。
の斜視模式図を図２（ｂ）に、デバイスの断面構造を図
３にそれぞれ示す。まず、図１（ａ）に示すように、ｎ
−ＧａＡｓ基板１にＭＯＣＶＤ法によりｎ−ＧａＡｓバ
ッファ層２、Ａｌ組成比０．４のｎ−ＡｌＧａＡｓ層
３、Ａｌ組成比０．４のｐ−ＡｌＧａＡｓ層４、ｐ−Ａ
ｌＧａＡｓコンタクト層５を作製した。ここで第３族原
料としてトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウ
ム、第５族原料としてアルシンを用い、またキャリアガ
スとして水素を用いた。各層の成長で第５族原料／第３
族原料比は４０とした。この成長膜上に５０μｍ角の開
口部７を有するＳｉＯ2膜６をＣＶＤ法により成膜した
（図１（ｂ））。この開口部７はｐ−ＡｌＧａＡｓ層５
に達するものである。さらにＳｉＯ2膜６の上に３０μ
ｍ角の開口部９を持ったｐ−ＡｌＧａＡｓ層５に対する
ｐ型電極としてＣｒ膜８を形成した（図１（ｃ））。そ
して、再びＣＶＤ法で全面にＳｉＯ2膜１０を成膜し、
上部に形成するフォトダイオードの電極として３０μｍ
角の開口部１２を有する電極１１を作製した（図２
（ａ））。ついで、プラズマＣＶＤ法でｐ−Ｓｉ層１
３、ｉ−Ｓｉ層１４、ｎ−Ｓｉ層１５を成膜した（図２
（ｂ））。そして、図３の断面図に示すように、一部の
Ｓｉ層１３〜１５、電極１１およびＳｉＯ2膜１０をエ
ッチングしてＡｌＧａＡｓの電極８を取り出すためのス
テップ１６と、Ｓｉ層１３〜１５をエッチングしてＳｉ
層の電極１１を取り出すためのステップ１７をそれぞれ
作製した。最後にフォトダイオードのｎ型電極１８とｎ
−ＧａＡｓ基板１の裏面にｎ−ＧａＡｓの電極１９を蒸
着した。
【０００７】電極８〜１９間に順方向バイアスを印加す
るとｎ−ＡｌＧａＡｓ層３およびｐ−ＡｌＧａＡｓ層４
により形成されたｐｎ接合で発光した。そのとき、発光
ダイオードの出射光は開口部７、９、１２を通ってフォ
トダイオードに達し、電極１１〜１８間に電圧を発生し
た。以上のことは発光ダイオードとフォトダイオードは
電気的には分離しているが光で接続しており、光カプラ
として機能することを示すものである。
るとｎ−ＡｌＧａＡｓ層３およびｐ−ＡｌＧａＡｓ層４
により形成されたｐｎ接合で発光した。そのとき、発光
ダイオードの出射光は開口部７、９、１２を通ってフォ
トダイオードに達し、電極１１〜１８間に電圧を発生し
た。以上のことは発光ダイオードとフォトダイオードは
電気的には分離しているが光で接続しており、光カプラ
として機能することを示すものである。
【０００８】本実施例で示した構造の素子を用い、発光
ダイオードとフォトダイオードの分離で種々の構成が可
能となる。図４に示す例は、発光ダイオード４０とフォ
トダイオード４１との間にＳｉＯ2膜４２を配置し、発
光ダイオード４０からの出射光を開口部４３を介してフ
ォトダイオード４１に達するようにすると１対１の結合
になる。また、図５の例では発光ダイオード４０からの
出射光が達する開口部４３に対応する位置に二つの隣接
するフォトダイオード４１の境界部４４を配置するもの
で、発光ダイオード４０とフォトダイオード４１とは１
対２の結合になる。図６の例は二つの発光ダイオード４
０からの出射光をそれぞに対応する開口部４３を介して
単一のフォトダイオード４１に達するように配置したも
ので、発光ダイオード４０とフォトダイオード４１とが
２対１の結合を構成している。また、図７に示す構造の
場合、並列配置された複数の発光ダイオード４０ａ〜４
０ｃから発光した光は開口部４３ａ〜４３ｃから並列配
置された複数のフォトダイオード４１ａ〜４１ｄの境界
部４４ａ〜４４ｃで互いに分離されたフォトダイオード
４１ａ〜４１ｄでそれぞれ受光される。この場合発光ダ
イオード４０とフォトダイオード４１は１対２の結合に
相当するが、例えば、発光ダイオード４０ａと４０ｂの
発光は４１ｂでも受光できる。上記実施例では発光ダイ
オード４０およびフォトダイオード４１を１次元のアレ
イで考えているが、２次元（平面）状に配置しても良
い。さらに基板内に発光ダイオード４０およびフォトダ
イオード４１を１対１、１対多、多対１などの結合を混
合して設けても問題はない。
ダイオードとフォトダイオードの分離で種々の構成が可
能となる。図４に示す例は、発光ダイオード４０とフォ
トダイオード４１との間にＳｉＯ2膜４２を配置し、発
光ダイオード４０からの出射光を開口部４３を介してフ
ォトダイオード４１に達するようにすると１対１の結合
になる。また、図５の例では発光ダイオード４０からの
出射光が達する開口部４３に対応する位置に二つの隣接
するフォトダイオード４１の境界部４４を配置するもの
で、発光ダイオード４０とフォトダイオード４１とは１
対２の結合になる。図６の例は二つの発光ダイオード４
０からの出射光をそれぞに対応する開口部４３を介して
単一のフォトダイオード４１に達するように配置したも
ので、発光ダイオード４０とフォトダイオード４１とが
２対１の結合を構成している。また、図７に示す構造の
場合、並列配置された複数の発光ダイオード４０ａ〜４
０ｃから発光した光は開口部４３ａ〜４３ｃから並列配
置された複数のフォトダイオード４１ａ〜４１ｄの境界
部４４ａ〜４４ｃで互いに分離されたフォトダイオード
４１ａ〜４１ｄでそれぞれ受光される。この場合発光ダ
イオード４０とフォトダイオード４１は１対２の結合に
相当するが、例えば、発光ダイオード４０ａと４０ｂの
発光は４１ｂでも受光できる。上記実施例では発光ダイ
オード４０およびフォトダイオード４１を１次元のアレ
イで考えているが、２次元（平面）状に配置しても良
い。さらに基板内に発光ダイオード４０およびフォトダ
イオード４１を１対１、１対多、多対１などの結合を混
合して設けても問題はない。
【０００９】実施例２ 本発明の他の実施例として、ＧａＰ発光ダイオードとフ
ォトダイオードを組み合わせた例について図８と図９を
用いて説明する。図８に示すように、ｎ−ＧａＰ基板２
０に液相法によりｎ−ＧａＰ２１、ＺｎおよびＯをドー
プしたｐ−ＧａＰ２２を成長させた基板を用いた。本素
子に電流を注入すると発光ダイオードとして作用し、７
００ｎｍをピークとして発光する。基板２０であるＧａ
Ｐ層は室温で２．２６１ｅＶ（約５５０ｎｍ）のバンド
ギャップを持つため、７００ｎｍの発光は基板２０を通
して裏面にも達する。そこでｎ−ＧａＰ基板２０の裏面
に３０μｍ角の開口部２４を有するｎ型電極２３を成膜
する。そしてｎ型電極２３上に全面にＳｉＯ2膜２５を
成膜し、フォトダイオードの電極として３０μｍ角の開
口部２７を設けたＣｒ膜２６を成膜する。続いてプラズ
マＣＶＤ法でｐ−Ｓｉ層２８、ｉ−Ｓｉ層２９、ｎ−Ｓ
ｉ層３０を順次成膜する。
ォトダイオードを組み合わせた例について図８と図９を
用いて説明する。図８に示すように、ｎ−ＧａＰ基板２
０に液相法によりｎ−ＧａＰ２１、ＺｎおよびＯをドー
プしたｐ−ＧａＰ２２を成長させた基板を用いた。本素
子に電流を注入すると発光ダイオードとして作用し、７
００ｎｍをピークとして発光する。基板２０であるＧａ
Ｐ層は室温で２．２６１ｅＶ（約５５０ｎｍ）のバンド
ギャップを持つため、７００ｎｍの発光は基板２０を通
して裏面にも達する。そこでｎ−ＧａＰ基板２０の裏面
に３０μｍ角の開口部２４を有するｎ型電極２３を成膜
する。そしてｎ型電極２３上に全面にＳｉＯ2膜２５を
成膜し、フォトダイオードの電極として３０μｍ角の開
口部２７を設けたＣｒ膜２６を成膜する。続いてプラズ
マＣＶＤ法でｐ−Ｓｉ層２８、ｉ−Ｓｉ層２９、ｎ−Ｓ
ｉ層３０を順次成膜する。
【００１０】続いて、図９に示すように、基板２０の一
部のＳｉ層２８〜３０、電極２６およびＳｉＯ2膜２５
をエッチングしてＧａＰ基板２０の電極２３を取り出す
ためのステップ３１、Ｓｉ層２８〜３０をエッチングし
てｐ−Ｓｉ層２８の電極２６を取り出すためのステップ
３２をそれぞれ作製する。最後にフォトダイオードのｎ
型電極３３とｐ−ＧａＰ電極３４を蒸着する。電極２３
〜３４間に順方向バイアスを印加すると、ｎ−ＧａＰ層
２１およびｐ−ＧａＰ層２２により形成されたｐｎ接合
で発光し、開口部２４、２７を通ってフォトダイオード
に達し、電極２６〜３３間に電圧を発生した。以上のこ
とは発光ダイオードとフォトダイオードは電気的には分
離しているが光で接続しており、光カプラとして機能す
ることを示すものである。
部のＳｉ層２８〜３０、電極２６およびＳｉＯ2膜２５
をエッチングしてＧａＰ基板２０の電極２３を取り出す
ためのステップ３１、Ｓｉ層２８〜３０をエッチングし
てｐ−Ｓｉ層２８の電極２６を取り出すためのステップ
３２をそれぞれ作製する。最後にフォトダイオードのｎ
型電極３３とｐ−ＧａＰ電極３４を蒸着する。電極２３
〜３４間に順方向バイアスを印加すると、ｎ−ＧａＰ層
２１およびｐ−ＧａＰ層２２により形成されたｐｎ接合
で発光し、開口部２４、２７を通ってフォトダイオード
に達し、電極２６〜３３間に電圧を発生した。以上のこ
とは発光ダイオードとフォトダイオードは電気的には分
離しているが光で接続しており、光カプラとして機能す
ることを示すものである。
【００１１】
【発明の効果】本発明によると従来よりも単純なプロセ
スで基板上に発光素子と受光素子が形成でき、しかも光
を結合させるためのアライメントがプロセス途中のマス
ク合わせで実現できる。また本発明によると、マルチチ
ャネルの光カプラが容易に実現できる。
スで基板上に発光素子と受光素子が形成でき、しかも光
を結合させるためのアライメントがプロセス途中のマス
ク合わせで実現できる。また本発明によると、マルチチ
ャネルの光カプラが容易に実現できる。
【図１】 本発明の実施例１の光カプラの製造工程を示
す模式図である。
す模式図である。
【図２】 本発明の実施例１の光カプラの製造工程を示
す模式図である。
す模式図である。
【図３】 本発明の実施例１の光カプラの断面模式図で
ある。
ある。
【図４】 本発明の実施例の発光ダイオードとフォトダ
イオードを１対１で対応させるための素子配置を示す断
面模式図である。
イオードを１対１で対応させるための素子配置を示す断
面模式図である。
【図５】 本発明の実施例の発光ダイオードとフォトダ
イオードを１対２で対応させるための素子配置を示す断
面模式図である。
イオードを１対２で対応させるための素子配置を示す断
面模式図である。
【図６】 本発明の実施例の発光ダイオードとフォトダ
イオードを２対１で対応させるための素子配置を示す断
面模式図である。
イオードを２対１で対応させるための素子配置を示す断
面模式図である。
【図７】 本発明の実施例の発光ダイオードとフォトダ
イオードを１対２で対応させるための素子配置を示す断
面模式図である。
イオードを１対２で対応させるための素子配置を示す断
面模式図である。
【図８】 本発明の実施例２の光カプラの製造工程を示
す模式図である。
す模式図である。
【図９】 本発明の実施例２の光カプラの断面模式図で
ある。
ある。
【図１０】 従来技術の半導体発光素子と受光素子を組
み合わせたモジュールを示す図である。
み合わせたモジュールを示す図である。
１…ｎ−ＧａＡｓ基板、２…ｎ−ＧａＡｓバッファ層、
３…ｎ−ＡｌＧａＡｓ層、４…ｐ−ＡｌＧａＡｓ層、５
…ｐ−ＡｌＧａＡｓコンタクト層、６、１０、２５…Ｓ
ｉＯ2膜、７、９、１２、２４、２７、４３…開口部 、
８…ｐ型電極（対ＡｌＧａＡｓ）、１１…ｐ型電極（対
Ｓｉ）、１３、２８…ｐ−Ｓｉ層、１４、２９…ｉ−Ｓ
ｉ層、１５、３０…ｎ−Ｓｉ層、１６、１７、３１、３
２…ステップ、１８…ｎ型電極（対Ｓｉ）、１９…ｎ型
電極（対ＧａＡｓ）、２６、３３…ｎ型電極（対Ｓ
ｉ）、３４…ｐ型電極（対ＧａＰ）、４０…発光ダイオ
ード、４１…フォトダイオード、４２…ＳｉＯ2膜、４
４…境界部
３…ｎ−ＡｌＧａＡｓ層、４…ｐ−ＡｌＧａＡｓ層、５
…ｐ−ＡｌＧａＡｓコンタクト層、６、１０、２５…Ｓ
ｉＯ2膜、７、９、１２、２４、２７、４３…開口部 、
８…ｐ型電極（対ＡｌＧａＡｓ）、１１…ｐ型電極（対
Ｓｉ）、１３、２８…ｐ−Ｓｉ層、１４、２９…ｉ−Ｓ
ｉ層、１５、３０…ｎ−Ｓｉ層、１６、１７、３１、３
２…ステップ、１８…ｎ型電極（対Ｓｉ）、１９…ｎ型
電極（対ＧａＡｓ）、２６、３３…ｎ型電極（対Ｓ
ｉ）、３４…ｐ型電極（対ＧａＰ）、４０…発光ダイオ
ード、４１…フォトダイオード、４２…ＳｉＯ2膜、４
４…境界部
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成されたｐｎ接合また
はｐｉｎ接合に電流を注入して発光させる半導体発光素
子と、 該半導体発光素子上に形成され、発光素子の発光波長に
対して透明あるいは半透明である材料からなる絶縁層
と、 該絶縁層上に形成された多結晶あるいはアモルファス状
の半導体で構成された光が入射するとｐｎ接合あるいは
ｐｉｎ接合にキャリアが発生する受光素子とからなり、
前記発光素子に電流を注入したときの発光が受光素子に
達することを特徴とする光カプラ。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成されたｐｎ接合また
はｐｉｎ接合に電流を注入して発光させる半導体発光素
子と、 発光素子の発光波長に対して透明あるいは半透明である
半導体基板の裏面上に形成され、発光素子の発光波長に
対して透明あるいは半透明である材料からなる絶縁層
と、 該絶縁層上に形成された多結晶あるいはアモルファス状
の半導体で構成された光が入射するとｐｎ接合あるいは
ｐｉｎ接合にキャリアが発生する受光素子とからなり、
前記発光素子に電流を注入したときの発光が受光素子に
達することを特徴とする光カプラ。 - 【請求項３】 発光素子と受光素子とが１対１で対応し
たアレイ状あるいは２次元状に配置されていることを特
徴とする請求項１または２記載の光カプラ。 - 【請求項４】 単一の発光素子から発せられた光が２個
以上の受光素子で受光されるように配置されていること
を特徴とする請求項１または２記載の光カプラ。 - 【請求項５】 単一の受光素子で２個以上の発光素子か
ら発せられる光を受光できるように配置されたことを特
徴とする請求項１または２記載の光カプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12720093A JPH06338628A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 光カプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12720093A JPH06338628A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 光カプラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338628A true JPH06338628A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=14954188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12720093A Pending JPH06338628A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 光カプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338628A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006040788B4 (de) * | 2006-08-31 | 2013-02-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Integrierter Optokoppler mit organischem Lichtemitter und anorganischem Photodetektor |
| JP2026002765A (ja) * | 2024-06-21 | 2026-01-08 | 台亞半導體股▲フン▼有限公司 | 光結合シングルチップ構造及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-05-28 JP JP12720093A patent/JPH06338628A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006040788B4 (de) * | 2006-08-31 | 2013-02-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Integrierter Optokoppler mit organischem Lichtemitter und anorganischem Photodetektor |
| JP2026002765A (ja) * | 2024-06-21 | 2026-01-08 | 台亞半導體股▲フン▼有限公司 | 光結合シングルチップ構造及びその製造方法 |
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