JPH06342784A - 多孔質シリコンをエッチングするためのエッチング液、該エッチング液を用いたエッチング方法及び該エッチング液を用いた半導体基材の作製方法 - Google Patents

多孔質シリコンをエッチングするためのエッチング液、該エッチング液を用いたエッチング方法及び該エッチング液を用いた半導体基材の作製方法

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JPH06342784A
JPH06342784A JP4059118A JP5911892A JPH06342784A JP H06342784 A JPH06342784 A JP H06342784A JP 4059118 A JP4059118 A JP 4059118A JP 5911892 A JP5911892 A JP 5911892A JP H06342784 A JPH06342784 A JP H06342784A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体プロセス上の汚染の危険がなく、多孔
質Ｓｉを均一に効率よくエッチングする。非多孔質Ｓｉ
と同一基体に設けられた多孔質Ｓｉを、高精度且つ選択
的にエッチング除去する。絶縁性基体上に結晶性が優れ
たＳｉ結晶層を得る。 【構成】 弗酸、バッファード弗酸又はそれにアルコー
ル、過酸化水素水を加えた混合液をエッチング液とす
る、多孔質シリコンをエッチングするためのエッチング
液、該エッチング液を用いたエッチング方法及び該エッ
チング液を用いた半導体基材の作製方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多孔質シリコンのエッ
チング液、該エッチング液を用いたエッチング方法及び
該エッチング液を用いた半導体基材の作製方法に関す
る。本発明の半導体基材の作製方法は、誘電体分離ある
いは絶縁物上の単結晶半導体層に電子デバイス、集積回
路を作成する半導体基材の作製に好適に用いられる。
【０００２】
【従来の技術】絶縁物上の単結晶Ｓｉ半導体層の形成
は、シリコン オン インシュレーター（ＳＯＩ）技術
として広く知られ、通常のＳｉ集積回路を作製するバル
クＳｉ基板では到達しえない数々の優位点をＳＯＩ技術
を利用したデバイスが有することから多くの研究が成さ
れてきた。すなわち、ＳＯＩ技術を利用することで、 誘電体分離が容易で高集積化が可能、 対放射線耐性に優れている、 浮遊容量が低減され高速化が可能、 ウエル工程が省略できる、 ラッチアップを防止できる、 薄膜化による完全空乏型電界効果トランジスタが可
能、 等の優位点が得られる。
【０００３】上記したようなデバイス特性上の多くの利
点を実現するために、ここ数十年に渡り、ＳＯＩ構造の
形成方法について研究されてきている。この内容は、例
えば、Special Issue : “ Single-crystal silicon on
non-single-crystal insulators”: edited by G.W. C
ullen. Journal of Crystal Growth. volume 63. no3.
pp 429 〜590(1983) にまとめられている。
【０００４】また、古くは単結晶サファイア基板上に、
ＳｉをＣＶＤ法（化学気相法）で、ヘテロエピタキシー
させて形成するＳＯＳ（シリコン オン サファイア）
が知られており、最も成熟したＳＯＩ技術として一応の
成功を収めはしたが、Ｓｉ層と下地サファイア基板界面
の格子不整合により大量の結晶欠陥、サファイア基板か
らのアルミニュームのＳｉ層へ混入、そして何よりも基
板の高価格と大面積化への遅れにより、その応用の広が
りが妨げられている。比較的近年には、サファイア基板
を使用せずにＳＯＩ構造を実現しようという試みが行な
われている。この試みは、次の二つに大別される： （１）Ｓｉ単結晶基板を表面酸化後に、窓を開けてＳｉ
基板を部分的に表出させ、その部分をシードとして横方
向へエピタキシャル成長させ、ＳｉＯ2 上へＳｉ単結晶
層を形成する（この場合には、ＳｉＯ2 上にＳｉ層の堆
積をともなう）。
【０００５】（２）Ｓｉ単結晶基板そのものを活性層と
して使用し、その下部にＳｉＯ2 を形成する（この方法
は、Ｓｉ層の堆積をともなわない）。
【０００６】上記（１）を実現する手段として、ＣＶＤ
法により、直接、単結晶層Ｓｉを横方向エピタキシャル
成長させる方法、非晶質Ｓｉを堆積して、熱処理により
固相横方向エピタキシャル成長させる方法、非晶質ある
いは、多結晶Ｓｉ層に電子線、レーザー光等のエネルギ
ービームを収束して照射し、溶融再結晶により単結晶層
をＳｉＯ2 上に成長させる方法、そして、棒状ヒーター
により帯状に溶融領域を走査する方法（Zone melting r
ecrystallization) が知られている。これらの方法には
それぞれ一長一短があるが、その制御性、生産性、均一
性、品質に多大の問題を残しており、いまだに、工業的
に実用化したものはない。たとえば、ＣＶＤ法は平坦薄
膜化するには、犠牲酸化が必要となり、固相成長法では
その結晶性が悪い。また、ビームアニール法では、収束
ビーム走査による処理時間と、ビームの重なり具合、焦
点調整などの制御性に問題がある。このうち、Zone Mel
ting Recrystallization法がもっとも成熟しており、比
較的大規模な集積回路も試作されてはいるが、依然とし
て、亜粒界等の結晶欠陥は、多数残留しており、少数キ
ャリヤーデバイスを作成するにいたってない。
【０００７】上記（２）の方法であるＳｉ基板をエピタ
キシャル成長の種子として用いない方法としては、次の
方法が挙げられる： Ｖ型の溝が表面に異方性エッチングされたＳｉ単結
晶基板に酸化膜を形成し、該酸化膜上に多結晶Ｓｉ層を
Ｓｉ基板と同じ程厚く堆積した後、Ｓｉ基板の裏面から
研磨によって、厚い多結晶Ｓｉ層上にＶ溝に囲まれて誘
電分離されたＳｉ単結晶領域を形成する方法である。こ
の方法に於ては、結晶性は良好であるが、多結晶Ｓｉを
数百ミクロンも厚く堆積する工程、単結晶Ｓｉ基板を裏
面より研磨して分離したＳｉ活性層のみを残す工程に、
制御性と生産性の点から問題がある。
【０００８】 サイモックス（ＳＯＭＯＸ：Separati
on by ion implanted oxygen) と称されるＳｉ単結晶基
板中に酸素のイオン注入によりＳｉＯ2 層を形成する方
法である。この方法はＳｉプロセスと整合性が良いため
現在もっと成熟した方法である。しかしながら、ＳｉＯ
2 層形成をするためには、酸素イオンを１０18 ions/cm
2 以上も注入する必要があり、その注入時間は長大であ
り、生産性は高いとはいえず、またウエハーコストは高
い。更に、結晶欠陥は多く残存し、工業的に見て、少数
のキャリヤーデバイスを作製できる充分な品質に至って
いない。
【０００９】多孔質Ｓｉの酸化による誘電体分離によ
りＳＯＩ構造を形成する方法である。この方法は、Ｐ型
Ｓｉ単結晶基板表面にＮ型Ｓｉ層をプロトンイオン注入
（イマイ他、J.Crystal Growth.vol 63. 547(1983)）、
もしくは、エピタキシャル成長とパターニングによって
島状に形成し、表面よりＳｉ島を囲むようにＨＦ溶液中
の陽極化成法によりＰ型Ｓｉ基板のみを多孔質化したの
ち、増速酸化によりＮ型Ｓｉ島を誘電体分離する方法で
ある。本方法では、分離されているＳｉ領域は、デバイ
ス工程のまえに決定されており、デバイス設計の自由度
を制限する場合があるという問題点がある。
【００１０】ところで、光透過性基板は、光受光素子で
あるコンタクトセンサー、投影型液晶画像表示装置を構
成するうえにおいて重要である。そして、センサーや表
示装置の画素（絵素）をより一層、高密度化、高解像度
化、高精細化するには、極めて高性能な駆動素子が必要
となる。その結果、光透過性基板上に設けられる素子と
しても優れた結晶性を有する単結晶層を用いて作成され
ることが必要となる。
【００１１】しかしながら、ガラスに代表される光透過
性基板上には一般には、その結晶構造の無秩序性を反映
して、単にＳｉ層を堆積しても、非晶質か、良くて、多
結晶層しか形成できず、高性能なデバイスは作成できな
い。それは、基板の結晶構造が非晶質であることによっ
ており、単にＳｉ層を堆積しても、良質な単結晶層は得
られない。非晶質Ｓｉや、多結晶Ｓｉではその欠陥の多
い結晶構造故に、要求される、あるいは今後要求される
に十分な性能を持った駆動素子を作成することが困難で
ある。
【００１２】また、Ｓｉ単結晶基板を用いる上記のいず
れの方法も光透過性基板上に良質な単結晶層を得るとい
う目的には不適当である。
【００１３】本発明の発明者の１人である米原隆夫は先
に上述の課題点を解決すべく特願平２−２０６５４８号
において次の提案を行なった。
【００１４】即ち特願平２−２０６５４８号に開示され
た発明は、半導体基体の形成方法において、非多孔質半
導体単結晶層と多孔質半導体層とを有する基体を形成
し、該単結晶層の表面に絶縁性材料表面を有する基体を
接合し、該多孔質半導体層をエッチングにより除去する
ことを特徴とする半導体基体の形成方法である。
【００１５】本発明は、先に提案した特願平２−２０６
５４８号を更に改善するための発明である。
【００１６】特願平２−２０６５４８号には多孔質Ｓｉ
を選択的なエッチングにより除去する工程を有する半導
体基体の形成方法が示されている。
【００１７】以下に、多孔質Ｓｉについて説明する。
【００１８】多孔質Ｓｉは、Uhlir 等によって１９５６
年に半導体の電解研磨の研究過程において発見された
（A.Uhlir,Bell Syst.Tech.J.,vol.35,333(1956)）。
【００１９】また、ウナガミ等は陽極化成におけるＳｉ
の溶解反応を研究し、ＨＦ溶液中のＳｉの陽極反応には
正孔が必要であり、その反応は、次のようであると報告
している（Ｔ．ウナガミ、J.Electrochem.Soc.,vol.12
7,476(1980)）。
【００２０】 Si＋2HF ＋(2-n)e+ → SiF2 ＋2H+ ＋ne- （１） SiF2＋2HF → SiF4 ＋ H2 （２） SiF4＋2HF → H2SiF6 （３） または、 Si＋4HF ＋（ 4−λ）e+→ SiF4 ＋ 4H+＋λe- （４） SiF4＋2HF → H2SiF6 （５） ここで、ｅ+ およびｅ- はそれぞれ正孔と電子を表して
いる。また、ｎおよびλはそれぞれＳｉｌ原子が溶解す
るために必要な正孔の数であり、ｎ＞２またはλ＞４な
る条件が満たされた場合に多孔質Ｓｉが形成されるとし
ている。
【００２１】このように、多孔質Ｓｉを作製するために
は、正孔が必要であり、Ｎ型Ｓｉに比べてＰ型Ｓｉの方
が多孔質Ｓｉに変質しやすい。しかし、Ｎ型Ｓｉも正孔
の注入があれば、多孔質Ｓｉに変質することが知られて
いる（R.P.Holmstrom and J.Y.Chi,Appl.Phys.Lett.,vo
l.42,386(1983)）。
【００２２】この多孔質Ｓｉ層は、単結晶Ｓｉの密度
２．３３ｇ／cm3 に比べて、ＨＦ溶液濃度を５０〜２０
％に変化させることでその密度を１．１〜０．６ｇ／cm
3 の範囲に変化させることができる。この多孔質Ｓｉ層
は透過電子顕微鏡による観察によれば、平均約６００オ
ングストローム程度の径の孔が形成される。その密度は
単結晶Ｓｉに比べると、半分以下になるにもかかわら
ず、単結晶性は維持されており、多孔質層の上部へ単結
晶Ｓｉ層をエピタキャル成長させることも可能である。
【００２３】一般にＳｉ単結晶を酸化すると、その体積
は約２．２倍に増大するが、多孔質Ｓｉの密度を制御す
ることにより、その体積膨張を抑制することが可能とな
り、基板の反りと表面残留単結晶層に導入されるクラッ
クを回避できる。単結晶Ｓｉの多孔質Ｓｉに対する酸化
後の体積比Ｒは次のように表すことができる。
【００２４】 Ｒ＝２．２×（Ａ／２．３３） （６） ここでＡは、多孔質Ｓｉの密度である。もしＲ＝１、す
なわち酸化後の体積膨張がない場合には、Ａ＝１．０６
（ｇ／cm3 ）となり、多孔質Ｓｉ層の密度を１．０６に
すれば、体積膨張を制御することができる。
【００２５】現在、多孔質Ｓｉは、すべてと言ってよい
程、作製されたままの形でその後の工程（エピタキシャ
ル成長や酸化）が行なわれており、多孔質Ｓｉ自体の加
工は行われていない。この理由は、多孔質Ｓｉを制御よ
く加工したり、取り除いたりする事が難しいためであ
る。つまり、多孔質Ｓｉのエッチングを制御よく行った
例は未だ報告されていない。
【００２６】また、一般に、 Ｐ＝（２．３３−Ａ）／２．３３ （７） をPorosityといい、陽極化成時に、この値を３０〜５５
％に調節することによって、酸化多孔質Ｓｉを単結晶Ｓ
ｉの酸化膜と同程度の質にすることができる。Porosity
は、 Ｐ＝（ｍ１−ｍ２）／（ｍ１−ｍ３） （８） または、 Ｐ＝（ｍ１−ｍ２）／ρＡｔ （９） ｍ１：陽極化成前の全重量 ｍ２：陽極化成後の全重量 ｍ３：多孔質Ｓｉを除去した後の全重量 ρ ：単結晶Ｓｉの密度 Ａ ：多孔質化した面積 ｔ ：多孔質Ｓｉの厚さ で表されるが、多孔質化する領域の面積を正確に算出で
きない場合も多々ある。この場合は、式（８）が有効で
あるが、ｍ３を測定するためには、多孔質Ｓｉをエッチ
ングしなければならない。
【００２７】また、上記した多孔質Ｓｉ上のエピタキシ
ャル成長において、多孔質Ｓｉはその構造的性質のた
め、ヘテロエピタキシャル成長の際に発生する歪みを緩
和して、欠陥の発生を抑制することが可能である。しか
しながら、この場合も、多孔質ＳｉのPorosityが非常に
重要なパラメーターとなることは明らかである。したが
って、上記Porosityの測定は、この場合も必要不可欠で
ある。
【００２８】多孔質Ｓｉをエッチングする方法として
は、 （１）ＮａＯＨ水溶液で多孔質Ｓｉをエッチングする方
法（G.Bonchil,R.Herino,K.Barla,and J.C.Pfister,J.E
lectrochem.Soc.,vol. 130.no.7,1611(1983)）。
【００２９】（２）非多孔質Ｓｉをエッチングすること
が可能なエッチング液で多孔質Ｓｉをエッチングする方
法。
【００３０】が知られている。
【００３１】上記（２）の方法は、通常、フッ硝酸系の
エッチング液が用いられるが、このときのＳｉのエッチ
ング過程は、 Si + 2O → SiO2 （１０） SiO2 + 4HF → SiF4 + H2O （１１） に示される様に、Ｓｉが硝酸で酸化され、ＳｉＯ2 に変
質し、そのＳｉＯ2 をフッ酸でエッチングすることによ
りＳｉのエッチングが進む。
【００３２】非多孔質Ｓｉをエッチングする方法として
は、上記フッ硝酸系エッチング液の他に、エチレンジア
ミン系、ＫＯＨ系、ヒドラジン系、などがある。
【００３３】ここで、多孔質Ｓｉの選択エッチングを行
うためには、上記非多孔質Ｓｉ用のエッチング液以外で
多孔質Ｓｉをエッチングすることのできるエッチング液
を選ぶ必要がある。従来行われている多孔質Ｓｉの選択
エッチングには、上記（１）の方法となるＮａＯＨ水溶
液をエッチング液とした方法がある。
【００３４】
【発明が解決しようとしている課題】上記したように、
フッ硝酸系のエッチング液では、多孔質Ｓｉがエッチン
グされるが、非多孔質Ｓｉもエッチングされてしまう。
【００３５】一方、従来行われているＮａＯＨ水溶液を
用いた多孔質Ｓｉの選択エッチング方法では、Ｎａイオ
ンがエッチング表面に吸着することは避けられない。こ
のＮａイオンは、不純物汚染の主たる原因となり、可動
なうえ、界面準位を形成するなどの悪影響を与えるのみ
で、半導体プロセスにおいて導入されてはならない物質
である。
【００３６】本発明の目的の１つは、半導体プロセス上
悪影響をおよぼすことなく、非多孔質Ｓｉをエッチング
せずに、効率よく、均一に多孔質Ｓｉを選択的に化学エ
ッチングするエッチング液及び該エッチング液を用いた
エッチング方法を提供することにある。
【００３７】本発明の他の目的は多孔質Ｓｉを均一に且
つ選択的にエッチングするエッチング液を半導体基材の
作製方法に適用した半導体基材の作製方法を提供するこ
とにある。
【００３８】
【課題を解決するための手段】本発明の多孔質Ｓｉの化
学エッチング液の第１の態様は次のとおりのものであ
る。
【００３９】即ち、弗酸をエッチング液とすることを特
徴とする多孔質Ｓｉの化学エッチング液である。
【００４０】本発明のエッチング液の第２の態様は、次
のとおりのものである。
【００４１】即ち、弗酸とアルコールとの混合液をエッ
チング液とすることを特徴とする多孔質Ｓｉの化学エッ
チング液である。
【００４２】本発明のエッチング液の第３の態様は次の
とおりのものである。
【００４３】即ち、弗酸と過酸化水素水との混合液をエ
ッチング液とすることを特徴とする多孔質Ｓｉの化学エ
ッチング液である。
【００４４】本発明のエッチング液の第４の態様は、次
のとおりのものである。
【００４５】即ち、弗酸とアルコールと過酸化水素水と
の混合液をエッチング液とすることを特徴とする多孔質
Ｓｉ化学エッチング液である。
【００４６】本発明のエッチング液の第５の態様は、次
のとおりのものである。
【００４７】即ち、バッファード弗酸をエッチング液と
することを特徴とする多孔質Ｓｉ化学エッチング液であ
る。
【００４８】本発明のエッチング液の第６の態様は、次
のとおりのものである。
【００４９】即ち、バッファード弗酸とアルコールとの
混合液をエッチング液とすることを特徴とする多孔質Ｓ
ｉの化学エッチング液である。
【００５０】本発明のエッチング液の第７の態様は、次
のとおりのものである。
【００５１】即ち、バッファード弗酸と過酸化水素水と
の混合液をエッチング液とすることを特徴とする多孔質
Ｓｉの化学エッチング液である。
【００５２】本発明のエッチング液の第８の態様は、次
のとおりのものである。
【００５３】即ち、バッファード弗酸とアルコールと過
酸化水素水との混合液をエッチング液とすることを特徴
とする多孔質Ｓｉの化学エッチング液である。
【００５４】又、本発明のエッチング方法は、上述の本
発明のエッチング液を用いて、多孔質シリコンを選択エ
ッチングするというものである。一方、本発明の半導体
基材の作製方法の第１の態様は、次のとおりのものであ
る。
【００５５】即ち、半導体基材の作製方法において、非
多孔質シリコン単結晶層と多孔質シリコン層とを有する
基体を形成し、該単結晶層の表面に絶縁性材料表面を有
する基体を接合し、該多孔質シリコン層を弗酸に浸すこ
とによりエッチング除去することを特徴とする半導体基
材の作製方法である。
【００５６】更に、本発明の半導体基材の作製方法の第
２の態様は、前記本発明の半導体基材の作製方法の第１
の態様におけるエッチング液としての弗酸の代わりに上
述した本発明のエッチング液の第２の態様乃至第８の態
様のものを使用するというものである。
【００５７】本発明の半導体基材の作製方法の第３の態
様は、シリコン基体を多孔質化する工程と、該多孔質化
したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結晶層を形成
する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の表面を光透
過性基体に貼り合わせる工程と、前記多孔質化したシリ
コン基体を本発明のエッチング液に浸すことによって多
孔質シリコンを化学エッチング除去する多孔質シリコン
の選択エッチング工程と、を有することを特徴とするも
のである。
【００５８】本発明の半導体基材の作製方法の第４の態
様は、シリコン基体を多孔質化する工程と、該多孔質化
したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結晶層を形成
する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の表面を、表
面に絶縁物を有するもう一方のシリコン基体に貼り合わ
せる工程と、前記多孔質化したシリコン基体を本発明の
エッチング液に浸すことによって多孔質シリコンを化学
エッチング除去する多孔質シリコンの選択エッチング工
程と、を有することを特徴とするものである。
【００５９】本発明の半導体基材の作製方法の第５の態
様は、シリコン基体を多孔質化する工程と、該多孔質化
したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結晶層を形成
する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の表面に酸化
層を形成する工程と、この酸化層表面を光透過性基体に
貼り合わせ、本発明のエッチング液に浸すことによって
多孔質化したシリコン基体を化学エッチングにより除去
する工程と、を有することを特徴とするものである。
【００６０】本発明の半導体基材の作製方法の第６の態
様は、シリコン基体を多孔質化する工程と、該多孔質化
したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結晶層を形成
する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の表面に酸化
層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層上の
酸化層表面を、表面に絶縁物を有するもう一方のシリコ
ン基体に貼り合わせたのち、本発明のエッチング液に浸
すことによって該多孔質化したシリコン基体を化学エッ
チングにより除去する工程と、を有することを特徴とす
るものである。
【００６１】
【作用】本発明の多孔質Ｓｉのエッチング液は、半導体
プロセス上の汚染の危険がなく、多孔質Ｓｉを均一に効
率よくエッチングするものである。
【００６２】又、本発明のエッチング方法は、通常の半
導体プロセスに適用でき、かつ、非多孔質Ｓｉをエッチ
ングしない化学エッチング液を使用し、非多孔質Ｓｉと
同一基体に設けられた多孔質Ｓｉを、高精度に、且つ選
択的にエッチング除去するものである。
【００６３】更に、本発明の半導体基材の作製方法は、
ガラスに代表される光透過性絶縁物基体をはじめとする
絶縁性基体上に結晶性が単結晶ウエハー並に優れたＳｉ
結晶層を得るうえで、生産性、均一性、制御性、経済性
の面において卓越した方法を提供するものである。
【００６４】更に、本発明の半導体基材の作製方法は、
従来のＳＯＩデバイスの利点を実現し、種々の分野に応
用可能な半導体基材の作製方法を提供するものである。
【００６５】また、本発明の半導体基材の作製方法は、
ＳＯＩ構造の大規模集積回路を作製する際に使用される
高価なＳＯＳや、ＳＩＭＯＸの代替足り得る半導体基材
の作製方法を提供するものである。
【００６６】加えて、本発明の半導体基材の作製方法
は、元々良質な単結晶Ｓｉ基板を出発材料として、単結
晶層を表面にのみに残して下部のＳｉ基板を化学的に除
去して絶縁物上に移設させるものであり、多数処理を短
時間に行うことが可能となり、その生産性と経済性にも
優れる。
【００６７】更に、本発明の半導体基材の作製方法は、
多孔質Ｓｉのエッチングにおいて、半導体プロセス上悪
影響を及ぼさない化学エッチング液を用いることを可能
とし、且つ多孔質Ｓｉと非多孔質Ｓｉとのエッチングの
選択比が５桁以上もあり、制御性、生産性に極めて優れ
た半導体基材の作製方法を提供するものである。 ．以下、本発明のエッチング液について図面を用いて
詳しく説明する。
【００６８】−（１） まず、弗酸を多孔質Ｓｉに対
する無電解湿式化学エッチング液とした場合について図
１５を用いて説明する。
【００６９】図１５に、弗酸に浸潤したときにエッチン
グされる多孔質Ｓｉの厚みのエッチング時間依存性を示
す。多孔質Ｓｉは単結晶Ｓｉを陽極化成することによっ
て作成した。その条件を以下にしめす。なお、陽極化成
によって形成する多孔質Ｓｉの出発材料は、単結晶Ｓｉ
に限定されるものではなく、他の結晶構造のＳｉでも可
能である。
【００７０】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間： ２．４（時間） 多孔質Ｓｉの厚み：３００（μｍ） Porosity： ５６（％） 上記条件により作成した多孔質Ｓｉを室温において４９
％弗酸（白丸）と２０％弗酸（黒丸）に浸潤し、撹はん
した。のちに、該多孔質Ｓｉの厚みの減少を測定した。
多孔質Ｓｉは急速にエッチングされ４９％溶液では４０
分ほどで９０μｍ、２０％溶液では７２μｍエッチング
される。更に、８０分経過させると４９％溶液で２０５
μｍも、高度の表面性を有して均一にエッチングされ、
２０％溶液では、１６４μｍエッチングされる。
【００７１】なお、エッチング速度は溶液濃度及び温度
に依存する。溶液濃度、温度の条件は実用上差し支えな
い範囲で設定される。本願では一例として、溶液濃度と
して４９％弗酸、２０％弗酸の場合を取り上げ、温度と
して室温の場合を取り上げたが、本発明はかかる条件に
限定されるものではない。好ましくは、弗酸濃度は５％
〜９５％、温度は通常用いられる温度で行われる。
【００７２】エッチング後の多孔質Ｓｉを水洗し、その
表面を二次イオンにより微量分析したところ何等不純物
は検出されなかった。
【００７３】次に、図７を用いて多孔質Ｓｉ及び非多孔
質Ｓｉの弗酸によるエッチング特性について説明し、そ
の後に、非多孔質Ｓｉ基板の一方の面側がすべて多孔質
Ｓｉとなっている基体をエッチングする例を図１（Ａ）
及び図１（Ｂ）を用いて説明する。
【００７４】図７は、多孔質Ｓｉと単結晶Ｓｉとをそれ
ぞれ弗酸に浸潤したときにエッチングされる多孔質Ｓｉ
と単結晶Ｓｉの厚みのエッチング時間依存性を示したグ
ラフである。多孔質Ｓｉは単結晶Ｓｉを陽極化成するこ
とによって作成し、その条件は、上述のものと同じであ
る。
【００７５】陽極化成によって形成する多孔質Ｓｉの出
発材料は、単結晶Ｓｉに限定されるものではなく、他の
結晶構造のＳｉでも可能である。
【００７６】上記条件により作成した多孔質Ｓｉを室温
において４９％弗酸（白丸）に浸潤し、撹はんした。の
ちに、該多孔質Ｓｉの厚みの減少を測定した。多孔質Ｓ
ｉは急速にエッチングされ４９％溶液では４０分ほどで
９０μｍ、更に、８０分経過させると４９％溶液で２０
５μｍも高度の表面性を有して、均一にエッチングされ
る。なお、エッチング速度は溶液濃度及び温度に依存す
る。溶液濃度及び温度の条件は実用上差し支えない範囲
で設定される。本願では、一例として、４９％弗酸、室
温の場合について取り上げたが、本発明はかかる条件に
限定されるものではない。好ましくは、弗酸濃度は５％
〜９５％、温度は通常用いられる温度で行われる。
【００７７】また、５００μｍ厚の非多孔質Ｓｉを室温
において４９％弗酸（黒丸）に浸潤し、撹はんした。の
ちに、該非多孔質Ｓｉの厚みの減少を測定した。非多孔
質Ｓｉは、１２０分経過した後にも、１００オングスト
ローム以下しかエッチングされなかった。エッチング速
度は溶液濃度及び温度にほとんど依存しない。
【００７８】エッチング後の多孔質Ｓｉと非多孔質Ｓｉ
を水洗し、その表面を二次イオンにより微量分析したと
ころ何等不純物は検出されなかった。
【００７９】図１（Ａ）に示すように、単結晶Ｓｉ基板
２２の片面をすべて陽極化成により多孔質Ｓｉ２１に変
質させる。その後、この（多孔質Ｓｉ／単結晶Ｓｉ）構
造の基板を弗酸に浸すと、図１（Ｂ）に示すように、多
孔質Ｓｉだけが除去されて、単結晶Ｓｉ基板２２のみが
エッチングされずに保持され、単結晶Ｓｉをエッチ・ス
トップの材料として、多孔質Ｓｉを選択エッチングする
ことができる。
【００８０】次に、基板の一方の面側に多孔質Ｓｉと単
結晶Ｓｉが設けられている例を説明する。
【００８１】図２（Ａ）に示すように、単結晶Ｓｉ基板
３２の片面の一部を陽極化成により多孔質Ｓｉ３１に変
質させた。キャリア濃度の高低によって、陽極化成に必
要な電流電圧が上下するので、単結晶Ｓｉ表面層のキャ
リア濃度をプロトンや不純物のイオン注入によって、部
分的に変化させることによって、部分的に多孔質Ｓｉを
設けることができる。その後、（多孔質Ｓｉ／単結晶Ｓ
ｉ）構造の基板を弗酸に浸すと、図２（Ｂ）に示すよう
に、多孔質Ｓｉだけが除去されて、単結晶Ｓｉ基板３２
のみがエッチングされずに保持され、多孔質Ｓｉの選択
エッチングを行うことができた。
【００８２】次に、基板の一方の面側に、層状に多孔質
Ｓｉ／単結晶Ｓｉが設けられている例を説明する。
【００８３】図３（Ａ）に示すように、単結晶Ｓｉ基板
４２上に、堆積によって、多結晶Ｓｉ層４１を設ける。
陽極化成法によって、多結晶Ｓｉの表面層を、多孔質Ｓ
ｉ層４３に変質させた（図３（Ｂ））。その後、（多孔
質Ｓｉ／多結晶Ｓｉ／単結晶Ｓｉ）構造の基板を弗酸に
浸すと、図３（Ｃ）に示すように、多孔質Ｓｉだけが除
去されて、単結晶Ｓｉ基板４２、および多結晶Ｓｉ層４
１がエッチングされずに保持され、多結晶Ｓｉをエッチ
・ストップの材料として、多孔質Ｓｉを選択エッチング
することができた。
【００８４】以下、基板の一方の面側の多結晶Ｓｉ層の
表面の一部に多孔質Ｓｉが設けられている例を説明す
る。
【００８５】図４（Ａ）に示すように、単結晶Ｓｉ基板
５２上に、堆積によって、多結晶Ｓｉ層５１を設ける。
陽極化成法によって、多結晶Ｓｉの表面層の一部を、多
孔質Ｓｉ層５３に変質させた（図４（Ａ））。その後、
（多孔質Ｓｉ／多結晶／単結晶Ｓｉ）構造の基板を弗酸
に浸すと、図４（Ｃ）に示すように、多孔質Ｓｉだけが
除去されて、単結晶Ｓｉ基板５２、および多結晶Ｓｉ層
５１がエッチングされずに保持され、多孔質Ｓｉを選択
エッチングすることができた。
【００８６】−（２） 弗酸とアルコールとの混合液
を多孔質Ｓｉに対する無電解湿式化学エッチング液とし
た場合について図１６を用いて説明する。
【００８７】図１６に、弗酸とエチルアルコールとの混
合液に撹拌することなく浸潤したときにエッチングされ
る多孔質Ｓｉの厚みのエッチング時間依存性を示す。多
孔質Ｓｉは単結晶Ｓｉを陽極化成することによって作成
し、その条件を以下に示す。なお、陽極化成によって形
成する多孔質Ｓｉの出発材料は、単結晶Ｓｉに限定され
るものではなく、他の結晶構造のＳｉも可能である。
【００８８】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間： ２．４（時間） 多孔質Ｓｉの厚み：３００（μｍ） Porosity： ５６（％） 上記条件により作成した多孔質Ｓｉを室温において４９
％弗酸とエチルアルコールとの混合液（１０：１）（白
丸）と２０％弗酸とエチルアルコールとの混合液（１
０：１）（黒丸）に撹はんすることなく、浸潤した。の
ちに、該多孔質Ｓｉの厚みの減少を測定した。多孔質Ｓ
ｉは急速にエッチングされ４９％溶液とエチルアルコー
ルとの混合液（１０：１）では４０分ほどで８５μｍ、
２０％溶液とエチルアルコールとの混合液（１０：１）
では６８μｍエッチングされる。更に、８０分経過させ
ると４９％溶液とエチルアルコールとの混合液（１０：
１）で１９５μｍも、高度の表面性を有して均一にエッ
チングされ、２０％溶液とエチルアルコールとの混合液
（１０：１）では、１５６μｍエッチングされる。
【００８９】なお、エッチング速度は弗酸の溶液濃度及
び温度に依存する。アルコールを添加することによっ
て、エッチングによる反応生成気体の気泡を、瞬時にエ
ッチング表面から、撹拌することなく、除去でき、均一
にかつ効率よく多孔質Ｓｉをエッチングすることができ
る。
【００９０】溶液濃度、温度の条件は、エッチング速度
が製造工程等で実用上差し支えない範囲及び上記アルコ
ールの効果を奏する範囲で設定される。本願では一例と
して、溶液濃度として４９％弗酸とエチルアルコールと
の混合液（１０：１）、２０％弗酸とエチルアルコール
との混合液（１０：１）の場合を取り上げ、温度として
室温の場合を取り上げたが、本発明はかかる条件に限定
されるものではない。
【００９１】ＨＦ濃度は、エッチング液に対して、好ま
しくは１〜９５％、より好ましくは５〜９０％、さらに
好ましくは５〜８０％の範囲で設定される。アルコール
濃度は、エッチング液に対して、好ましくは８０％以
下、より好ましくは６０％以下、さらに好ましくは４０
％以下で、且つ上記アルコールの効果を奏する範囲で設
定される。温度は、好ましくは０〜１００℃、より好ま
しくは５〜８０℃、さらに好ましくは５〜６０℃の範囲
で設定される。
【００９２】本発明に用いられるアルコールはエチルア
ルコールのほか、イソプロピルアルコールなど製造工程
等に実用上差し支えないアルコールで、且つ上記アルコ
ール添加効果を奏するアルコールを用いることができ
る。
【００９３】エッチング後の多孔質Ｓｉを水洗し、その
表面を二次イオンにより微量分析したところ何等不純物
は検出されなかった。
【００９４】次に、図８を用いて多孔質Ｓｉ及び非多孔
質Ｓｉに対する、弗酸とエチルアルコールとの混合液に
よるエッチング特性について説明する。
【００９５】図８は、多孔質Ｓｉと単結晶Ｓｉとをそれ
ぞれ弗酸とエチルアルコールとの混合液に撹拌すること
なしに浸潤したときにエッチングされる多孔質Ｓｉと単
結晶Ｓｉの厚みのエッチング時間依存性を示す。多孔質
Ｓｉは単結晶Ｓｉを陽極化成することによって作成し、
その条件は上述のものと同じである。陽極化成によって
形成する多孔質Ｓｉの出発材料は、単結晶Ｓｉに限定さ
れるものではなく、他の結晶構造のＳｉでも可能であ
る。
【００９６】上記条件により作成した多孔質Ｓｉを室温
において４９％弗酸とエチルアルコールとの混合液（１
０：１）（白丸）に撹拌することなしに浸潤した。のち
に、該多孔質Ｓｉの厚みの減少を測定した。多孔質Ｓｉ
は急速にエッチングされ４０分ほどで８５μｍ、更に、
８０分経過させると１９５μｍも高度の表面性を有し
て、均一にエッチングされる。
【００９７】なお、エッチング速度は弗酸の溶液濃度及
び温度に依存する。アルコールを添加することによっ
て、エッチングによる反応生成気体の気泡を、瞬時にエ
ッチング表面から、撹拌することなく、除去でき、均一
にかつ効率よく多孔質Ｓｉをエッチングすることができ
る。
【００９８】また、５００μｍ厚の非多孔質Ｓｉを室温
において４９％弗酸とエチルアルコールとの混合液（１
０：１）（黒丸）に撹拌することなしに浸潤した。のち
に、該非多孔質Ｓｉの厚みの減少を測定した。非多孔質
Ｓｉは、１２０分経過した後にも、１００オングストロ
ーム以下しかエッチングされなかった。エッチング速度
は溶液濃度及び温度にほとんど依存しない。
【００９９】エッチング後の多孔質Ｓｉと非多孔質Ｓｉ
を水洗し、その表面を二次イオンにより微量分析したと
ころ何等不純物は検出されなかった。
【０１００】そして、弗酸とアルコールの混合液を多孔
質Ｓｉのエッチャントとして使用した場合であっても、
上述の（１）において、図１（Ａ）〜図１（Ｂ），図２
（Ａ）〜図２（Ｂ），図３（Ａ）〜図３（Ｃ）及び図４
（Ａ）〜図４（Ｃ）を用いて説明した態様を取り得るこ
とは言うまでもない。
【０１０１】−（３） 弗酸と過酸化水素水との混合
液を多孔質Ｓｉに対する無電解湿式化学エッチング液と
した場合について図１７を用いて説明する。
【０１０２】図１７に、弗酸と過酸化水素水との混合液
に浸潤し撹拌したときにエッチングされる多孔質Ｓｉの
厚みのエッチング時間依存性を示す。多孔質Ｓｉは単結
晶Ｓｉを陽極化成することによって作成した。その条件
を以下にしめす。なお、陽極化成によって形成する多孔
質Ｓｉの出発材料は、単結晶Ｓｉに限定されるものでは
なく、他の結晶構造のＳｉでも可能である。
【０１０３】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間： ２．４（時間） 多孔質Ｓｉの厚み：３００（μｍ） Porosity： ５６（％） 上記条件により作成した多孔質Ｓｉを室温において４９
％弗酸と過酸化水素水との混合液（１：５）（白丸）と
４９％弗酸と過酸化水素水との混合液（１：１）（黒
丸）に浸潤し、撹はんした。のちに、該多孔質Ｓｉの厚
みの減少を測定した。多孔質Ｓｉは急速にエッチングさ
れ、１：５溶液では４０分ほどで１１２μｍ、１：１溶
液では１３５μｍエッチングされる。更に、８０分経過
させると１：５溶液で２５６μｍも、高度の表面性を有
して均一にエッチングされ、１：１溶液では、３０７μ
ｍエッチングされる。過酸化水素水の溶液濃度は、ここ
では３０％であるが、下記の過酸化水素水の添加効果が
そこなわれず、且つ製造工程等で実用上差し支えない濃
度で設定される。
【０１０４】なお、エッチング速度は、弗酸、過酸化水
素水の溶液濃度及び温度に依存する。過酸化水素水を添
加することによって、シリコンの酸化を増速し、反応速
度を無添加に比べて増速することが可能となり、更に過
酸化水素水の比率を変えることにより、その反応速度を
制御することができる。
【０１０５】溶液濃度及び温度の条件は、弗酸及び上記
過酸化水素水の効果を奏し、エッチング速度が製造工程
等で実用上差し支えない範囲で設定される。本願では、
一例として、４９％弗酸と過酸化水素水との混合液
（１：５）、４９％弗酸と過酸化水素水との混合液
（１：１）の場合を取り上げ、温度として室温の場合を
取り上げたが、本発明はかかる条件に限定されるもので
はない。
【０１０６】ＨＦ濃度は、エッチング液に対して、好ま
しくは１〜９５％、より好ましくは５〜９０％、さらに
好ましくは５〜８０％の範囲で設定される。Ｈ2 Ｏ2 濃
度は、エッチング液に対して、好ましくは１〜９５％、
より好ましくは５〜９０％、さらに好ましくは１０〜８
０％で、且つ上記過酸化水素水の効果を奏する範囲で設
定される。温度は、好ましく０〜１００℃、より好まし
くは５〜８０℃、さらに好ましくは５〜６０℃の範囲で
設定される。
【０１０７】エッチング後の多孔質Ｓｉを水洗し、その
表面を二次イオンにより微量分析したところ何等不純物
は検出されなかった。
【０１０８】次に、図９を用いて多孔質Ｓｉ及び非多孔
質Ｓｉに対する、弗酸と過酸化水素水との混合液による
エッチング特性について説明する。
【０１０９】図９は、多孔質Ｓｉと単結晶Ｓｉとをそれ
ぞれ弗酸と過酸化水素水との混合液に浸潤したときにエ
ッチングされる多孔質Ｓｉと単結晶Ｓｉの厚みのエッチ
ング時間依存性を示す。多孔質Ｓｉは単結晶Ｓｉを陽極
化成することによって作成し、その条件は上述のものと
同じである。陽極化成によって形成する多孔質Ｓｉの出
発材料は、単結晶Ｓｉに限定されるものではなく、他の
結晶構造のＳｉでも可能である。
【０１１０】上記条件により作成した多孔質Ｓｉを室温
において４９％弗酸と過酸化水素水との混合液（１：
５）（白丸）に浸潤し、撹はんした。のちに、該多孔質
Ｓｉの厚みの減少を測定した。多孔質Ｓｉは急速にエッ
チングされ４０分ほどで１１２μｍ、更に、８０分経過
させると２５６μｍも高度の表面性を有して、均一にエ
ッチングされる。過酸化水素水の溶液濃度は、ここでは
３０％であるが、下記の過酸化水素水の添加効果がそこ
なわれず、且つ製造工程等で実用上差し支えない濃度で
設定される。
【０１１１】なお、エッチング速度は弗酸、過酸化水素
水の溶液濃度及び温度に依存する。過酸化水素水を添加
することによって、シリコンの酸化を増速し、反応速度
を無添加に比べて増速することが可能となり、更に過酸
化水素水の比率を変えることにより、その反応速度を制
御することができる。
【０１１２】また、５００μｍ厚の非多孔質Ｓｉを室温
において４９％弗酸と過酸化水素水との混合液（１：
５）（黒丸）に浸潤し、撹はんした。のちに、該非多孔
質Ｓｉの厚みの減少を測定した。非多孔質Ｓｉは、１２
０分経過した後にも、１００オングストローム以下しか
エッチングされなかった。エッチング速度は溶液濃度及
び温度にほとんど依存しない。
【０１１３】エッチング後の多孔質Ｓｉと非多孔質Ｓｉ
を水洗し、その表面を二次イオンにより微量分析したと
ころ何等不純物は検出されなかった。
【０１１４】そして、弗酸と過酸化水素水の混合液を多
孔質Ｓｉのエッチャントとしての使用した場合であって
も、上述の（１）において、図１（Ａ）〜図１（Ｂ），
図２（Ａ）〜図２（Ｂ），図３（Ａ）〜図３（Ｃ）及び
図４（Ａ）〜図４（Ｃ）を用いて説明した態様を取り得
ることは言うまでもない。
【０１１５】−（４） 弗酸とアルコールと過酸化水
素水との混合液を多孔質Ｓｉに対する無電解湿式化学エ
ッチング液とした場合について図１８を用いて説明す
る。
【０１１６】図１８に、弗酸とエチルアルコールと過酸
化水素水との混合液に撹拌することなく浸潤したときに
エッチングされる多孔質Ｓｉの厚みのエッチング時間依
存性を示す。多孔質Ｓｉは単結晶Ｓｉを陽極化成するこ
とによって作成した。その条件を以下にしめす。なお、
陽極化成によって形成する多孔質Ｓｉの出発材料は、単
結晶Ｓｉに限定されるものではなく、他の結晶構造のＳ
ｉでも可能である。
【０１１７】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間： ２．４（時間） 多孔質Ｓｉの厚み：３００（μｍ） Porosity： ５６（％） 上記条件により作成した多孔質Ｓｉを室温において４９
％弗酸とエチルアルコールと過酸化水素水との混合液
（１０：６：５０）（白丸）と、４９％弗酸とエチルア
ルコールと過酸化水素水との混合液（１０：２：１０）
（黒丸）に撹はんすることなく浸潤した。のちに、該多
孔質Ｓｉの厚みの減少を測定した。多孔質Ｓｉは急速に
エッチングされ１０：６：５０溶液では４０分ほどで１
０７μｍ、１０：２：１０溶液では１２８μｍエッチン
グされる。更に、８０分経過させると１０：６：５０溶
液で２４４μｍも、高度の表面性を有して均一にエッチ
ングされ、１０：２：１０溶液では、２９２μｍエッチ
ングされる。過酸化水素水の溶液濃度は、ここでは３０
％であるが、下記の過酸化水素水の添加効果がそこなわ
れず、且つ製造工程等で実用上差し支えない濃度で設定
される。
【０１１８】なお、エッチング速度は弗酸、過酸化水素
水の溶液濃度及び温度に依存する。過酸化水素水を添加
することによって、シリコンの酸化を増速し、反応速度
を無添加に比べて増速することが可能となり、更に過酸
化水素水の比率を変えることにより、その反応速度を制
御することができる。またアルコールを添加することに
よって、エッチングによる反応生成気体の気泡を、瞬時
にエッチング表面から、撹拌することなく、除去でき、
均一にかつ効率よく多孔質Ｓｉをエッチングすることが
できる。
【０１１９】溶液濃度及び温度の条件は、弗酸及び上記
過酸化水素水と上記アルコールの効果を奏し、エッチン
グ速度が製造工程等で実用上差し支えない範囲で設定さ
れる。本願では、一例として、４９％弗酸とエチルアル
コールと過酸化水素水との混合液（１０：６：５０）、
４９％弗酸とエチルアルコールと過酸化水素水との混合
液（１０：２：１０）、室温の場合を取り上げたが、本
発明はかかる条件に限定されるものではない。
【０１２０】ＨＦ濃度は、エッチング液に対して、好ま
しくは１〜９５％、より好ましくは５〜９０％、さらに
好ましくは５〜８０％の範囲で設定される。Ｈ2 Ｏ2 濃
度は、エッチング液に対して、好ましくは１〜９５％、
より好ましくは５〜９０％、さらに好ましくは１０〜８
０％で、且つ上記過酸化水素水の効果を奏する範囲で設
定される。アルコール濃度は、エッチング液に対して、
好ましくは８０％以下、より好ましくは６０％以下、さ
らに好ましくは４０％以下で、且つ上記アルコールの効
果を奏する範囲で設定される。温度は、好ましくは０〜
１００℃、より好ましくは５〜８０℃、さらに好ましく
は５〜６０℃の範囲で設定される。
【０１２１】本発明に用いられるアルコールはエチルア
ルコールのほか、イソプロピルアルコールなど製造工程
等に実用上差し支えないアルコールで、且つ上記アルコ
ール添加効果を奏するアルコールを用いることができ
る。
【０１２２】エッチング後の多孔質Ｓｉを水洗し、その
表面を二次イオンにより微量分析したところ何等不純物
は検出されなかった。
【０１２３】本エッチング液の場合、アルコールを添加
することによって、エッチングによる反応生成気体の気
泡を、瞬時にエッチング表面から撹拌することなく、除
去できる為、微小な凹部の底部を極めて平坦で、かつ均
一なものとして形成することができる。
【０１２４】次に図１０を用いて多孔質Ｓｉ及び非多孔
質Ｓｉに対する、弗酸とエチルアルコールと過酸化水素
水との混合液によるエッチング特性について説明する。
【０１２５】図１０が、多孔質Ｓｉと単結晶Ｓｉとをそ
れぞれ弗酸とエチルアルコールと過酸化水素水の混合液
に撹拌することなしに浸潤したときにエッチングされる
多孔質Ｓｉと単結晶Ｓｉの厚みのエッチング時間依存性
を示す。多孔質Ｓｉは単結晶Ｓｉを陽極化成することに
よって作成し、その条件は上述のものと同じである。陽
極化成によって形成する多孔質Ｓｉの出発材料は、単結
晶Ｓｉに限定されるものではなく、他の結晶構造のＳｉ
でも可能である。
【０１２６】上記条件により作成した多孔質Ｓｉを室温
において４９％弗酸とエチルアルコールと過酸化水素水
との混合液（１０：６：５０）（白丸）に撹拌すること
なしに浸潤した。のちに、該多孔質Ｓｉの厚みの減少を
測定した。多孔質Ｓｉは急速にエッチングされ４０分ほ
どで１０７μｍ、更に、８０分経過させると２４４μｍ
も高度の表面性を有して、均一にエッチングされる。過
酸化水素水の溶液濃度は、ここでは３０％であるが、下
記の過酸化水素水の添加効果がそこなわれず、且つ製造
工程等で実用上差し支えない濃度で設定される。
【０１２７】なお、エッチング速度は弗酸、過酸化水素
水の溶液濃度及び温度に依存する。過酸化水素水を添加
することによって、シリコンの酸化を増速し、反応速度
を無添加に比べて増速することが可能となり、更に過酸
化水素水の比率を変えることにより、その反応速度を制
御することができる。またアルコールを添加することに
よって、エッチングによる反応生成気体の気泡を、瞬時
にエッチング表面から、撹拌することなく、除去でき、
均一にかつ効率よく多孔質Ｓｉをエッチングすることが
できる。
【０１２８】また、５００μｍ厚の非多孔質Ｓｉを室温
において４９％弗酸とエチルアルコールと過酸化水素水
の混合液（１０：６：５０）（黒丸）に撹拌することな
しに浸潤した。のちに、該非多孔質Ｓｉの厚みの減少を
測定した。非多孔質Ｓｉは、１２０分経過した後にも、
１００オングストローム以下しかエッチングされなかっ
た。エッチング速度は溶液濃度及び温度にほとんど依存
しない。
【０１２９】エッチング後の多孔質Ｓｉと非多孔質Ｓｉ
を水洗し、その表面を二次イオンにより微量分析したと
ころ何等不純物は検出されなかった。
【０１３０】そして、弗酸とアルコールと過酸化水素水
との混合液を多孔質Ｓｉのエッチャントとして使用した
場合であっても、上述の（１）において、図１（Ａ）〜
図１（Ｂ），図２（Ａ）〜図２（Ｂ），図３（Ａ）〜図
３（Ｃ）及び図４（Ａ）〜図４（Ｃ）を用いて説明した
態様を取り得ることは言うまでもない。
【０１３１】−（５） バッファード弗酸を多孔質Ｓ
ｉに対する無電解湿式化学エッチング液とした場合につ
いて図１９を用いて説明する。
【０１３２】バッファード弗酸としては、例えばフッ化
アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ）３６．２％、フッ化水素（Ｈ
Ｆ）４．５％の水溶液が用いられる。
【０１３３】図１９に、バッファード弗酸に浸潤し撹拌
したときにエッチングされる多孔質Ｓｉの厚みのエッチ
ング時間依存性を示す。多孔質Ｓｉは単結晶Ｓｉを陽極
化成にすることによって作成し、その条件を以下にしめ
す。なお、陽極化成によって形成する多孔質Ｓｉの出発
材料は、単結晶Ｓｉに限定されるものではなく、他の結
晶構造のＳｉでも可能である。
【０１３４】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間： ２．４（時間） 多孔質Ｓｉの厚み：３００（μｍ） Porosity： ５６（％） 上記条件により作成した多孔質Ｓｉを室温においてバッ
ファード弗酸（白丸）と２０％希釈バッファード弗酸
（黒丸）に浸潤し、撹はんした。のちに、該多孔質Ｓｉ
の厚みの減少を測定した。多孔質Ｓｉは急速にエッチン
グされバッファード弗酸では４０分ほどで７０μｍ、２
０％希釈溶液では５６μｍエッチングされる。更に、１
２０分経過させるとバッファード弗酸で１１８μｍも、
高度の表面性を有して均一にエッチングされ、２０％希
釈溶液では、９４μｍエッチングされる。
【０１３５】なお、エッチング速度は溶液濃度及び温度
に依存する。溶液濃度及び温度の条件は実用上差し支え
ない範囲で設定される。本願では、一例として、フッ化
アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ）３６．２％、フッ化水素（Ｈ
Ｆ）４．５％の水溶液のバッファード弗酸、２０％希釈
バッファード弗酸の場合を取り上げ、温度として室温の
場合を取り上げたが、本発明はかかる条件に限定される
ものではない。
【０１３６】バッファード弗酸中のＨＦ濃度は、エッチ
ング液に対して、好ましくは１〜９５％、より好ましく
は１〜８５％、さらに好ましくは１〜７０％の範囲で設
定され、バッファード弗酸中のＮＨ4 Ｆ濃度は、エッチ
ング液に対して、好ましくは１〜９５％、より好ましく
は５〜９０％、さらに好ましくは５〜８０％の範囲で設
定される。温度は、好ましくは０〜１００℃、より好ま
しくは５〜８０℃、さらに好ましくは５〜６０℃の範囲
で設定される。
【０１３７】エッチング後の多孔質Ｓｉを水洗し、その
表面を二次イオンにより微量分析したところ何等不純物
は検出されなかった。
【０１３８】次に図１１を用いて多孔質Ｓｉ及び非多孔
質Ｓｉに対するバッファード弗酸のエッチング特性につ
いて説明する。
【０１３９】図１１は、多孔質Ｓｉと単結晶Ｓｉとをそ
れぞれバッファード弗酸に浸潤したときにエッチングさ
れる多孔質Ｓｉと単結晶Ｓｉの厚みのエッチング時間依
存性を示す。多孔質Ｓｉは単結晶Ｓｉを陽極化成するこ
とによって作成し、その条件は上述のものと同じであ
る。陽極化成によって形成する多孔質Ｓｉの出発材料
は、単結晶Ｓｉに限定されるものではなく、他の結晶構
造のＳｉでも可能である。
【０１４０】上記条件により作成した多孔質Ｓｉを室温
においてバッファード弗酸（白丸）に浸潤し、撹はんし
た。のちに、該多孔質Ｓｉの厚みの減少を測定した。多
孔質Ｓｉは急速にエッチングされ溶液では４０分ほどで
７０μｍ、更に、１２０分経過させると溶液で１１８μ
ｍも、高度の表面性を有して均一にエッチングされる。
なお、エッチング速度は溶液濃度及び温度に依存する。
溶液濃度及び温度の条件は実用上差し支えない範囲で設
定される。本願では、一例として、フッ化アンモニウム
（ＮＨ4 Ｆ）３６．２％、フッ化水素（ＨＦ）４．５％
の水溶液のバッファード弗酸、室温の場合について取り
上げたが、本発明はかかる溶液濃度及び温度条件に限定
されるものではない。
【０１４１】また、５００μｍ厚の非多孔質Ｓｉを室温
においてバッファード弗酸（黒丸）に浸潤し、撹はんし
た。のちに、該非多孔質Ｓｉの厚みの減少を測定した。
非多孔質Ｓｉは１２０分経過した後にも、１００オング
ストローム以下しかエッチングされなかった。エッチン
グ速度は溶液濃度及び温度にほとんど依存しない。
【０１４２】エッチング後の多孔質Ｓｉと非多孔質Ｓｉ
を水洗し、その表面を二次イオンにより微量分析したと
ころ何等不純物は検出されなかった。
【０１４３】そしてバッファード弗酸を多孔質Ｓｉのエ
ッチャントとして使用した場合であっても、上述の
（１）において、図１（Ａ）〜図１（Ｂ），図２（Ａ）
〜図２（Ｂ），図３（Ａ）〜図３（Ｃ）及び図４（Ａ）
〜図４（Ｃ）を用いて説明した態様を取り得ることは言
うまでもない。
【０１４４】−（６） バッファード弗酸とアルコー
ルとの混合液を多孔質Ｓｉに対する無電解湿式化学エッ
チング液とした場合について図２０を用いて説明する。
【０１４５】バッファード弗酸としては、例えばフッ化
アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ）３６．２％、フッ化水素（Ｈ
Ｆ）４．５％の水溶液が用いられる。
【０１４６】図２０に、バッファード弗酸とエチルアル
コールとの混合液に撹拌することなく浸潤したときにエ
ッチングされる多孔質Ｓｉの厚みのエッチング時間依存
性を示す。多孔質Ｓｉは単結晶Ｓｉを陽極化成すること
によって作成し、その条件を以下にしめす。なお、陽極
化成によって形成する多孔質Ｓｉの出発材料は、単結晶
Ｓｉに限定されるものではなく、他の結晶構造のＳｉで
も可能である。
【０１４７】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間： ２．４（時間） 多孔質Ｓｉの厚み：３００（μｍ） Porosity： ５６（％） 上記条件により作成した多孔質Ｓｉを室温においてバッ
ファード弗酸とエチルアルコールとの混合液（１０：
１）（白丸）と２０％希釈バッファード弗酸とエチルア
ルコールとの混合液（１０：１）（黒丸）に撹はんする
ことなく、浸潤した。のちに、該多孔質Ｓｉの厚みの減
少を測定した。多孔質Ｓｉは急速にエッチングされバッ
ファード弗酸とエチルアルコールとの混合液（１０：
１）では４０分ほどで６７μｍ、２０％希釈溶液とエチ
ルアルコールとの混合液（１０：１）では５４μｍエッ
チングされる。更に、１２０分経過させるとバッファー
ド弗酸とエチルアルコールとの混合液（１０：１）で１
１２μｍも、高度の表面性を有して均一にエッチングさ
れ、２０％希釈溶液とエチルアルコールとの混合液（１
０：１）では、９０μｍエッチングされる。
【０１４８】なお、エッチング速度はバッファード弗酸
の溶液濃度及び温度に依存する。アルコールを添加する
ことによって、エッチングによる反応生成気体の気泡
を、瞬時にエッチング表面から、撹拌することなく、除
去でき、均一にかつ効率よく多孔質Ｓｉをエッチングす
ることができる。
【０１４９】溶液濃度及び温度の条件はエッチング速度
が製造工程等で実用上差し支えない範囲及び上記アルコ
ールの効果を奏する範囲で設定される。本願では、一例
として、バッファード弗酸とエチルアルコールとの混合
液（１０：１）、２０％希釈溶液とエチルアルコールと
の混合液（１０：１）、室温の場合について取り上げた
が、本発明はかかる溶液濃度及び温度条件に限定される
ものではない。
【０１５０】バッファード弗酸中のＨＦ濃度は、エッチ
ング液に対して、好ましくは１〜９５％、より好ましく
は１〜８５％、さらに好ましくは１〜７０％の範囲で設
定され、バッファード弗酸中のＮＨ4 Ｆ濃度は、エッチ
ング液に対して、好ましくは１〜９５％、より好ましく
は５〜９０％、さらに好ましくは５〜８０％の範囲で設
定される。アルコール濃度は、エッチング液に対して、
好ましくは８０％以下、より好ましくは６０％以下、さ
らに好ましくは４０％以下で、且つ上記アルコールの効
果を奏する範囲で設定される。温度は、好ましくは０〜
１００℃、より好ましくは５〜８０℃、さらに好ましく
は５〜６０℃の範囲で設定される。
【０１５１】本発明に用いられるアルコールはエチルア
ルコールのほか、イソプロピルアルコールなど製造工程
等に実用上差し支えのないアルコールで、且つ上記アル
コール添加効果を奏するアルコールを用いることができ
る。
【０１５２】エッチング後の多孔質Ｓｉを水洗し、その
表面を二次イオンにより微量分析したところ何等不純物
は検出されなかった。
【０１５３】本エッチング液の場合、アルコールを添加
することによって、エッチングによる反応生成気体の気
泡を、瞬時にエッチング表面から、撹拌することなく、
除去できる為、微小な凹部の底部を極めて平坦で、かつ
均一なものとして形成することができる。
【０１５４】次に、図１２を用いて多孔質Ｓｉ及び非多
孔質Ｓｉに対する、バッファード弗酸とエチルアルコー
ルとの混合液によるエッチング特性について説明する。
【０１５５】図１２は、多孔質Ｓｉと単結晶Ｓｉとをそ
れぞれバッファード弗酸とエチルアルコールとの混合液
に撹拌することなしに浸潤したときにエッチングされる
多孔質Ｓｉと単結晶Ｓｉの厚みのエッチング時間依存性
を示す。多孔質Ｓｉは単結晶Ｓｉを陽極化成することに
よって作成し、その条件は上述のものと同じである。陽
極化成によって形成する多孔質Ｓｉの出発材料は、単結
晶Ｓｉに限定されるものではなく、他の結晶構造のＳｉ
でも可能である。
【０１５６】上記条件により作成した多孔質Ｓｉを室温
においてバッファード弗酸とエチルアルコールとの混合
液（１０：１）（白丸）に撹拌することなしに浸潤し
た。のちに、該多孔質Ｓｉの厚みの減少を測定した。多
孔質Ｓｉは急速にエッチングされ４０分ほどで６７μ
ｍ、更に、１２０分経過させると１１２μｍも高度の表
面性を有して、均一にエッチングされる。
【０１５７】また、５００μｍ厚の非多孔質Ｓｉを室温
においてバッファード弗酸とエチルアルコールとの混合
液（１０：１）（黒丸）に撹拌することなしに浸潤し
た。のちに、該非多孔質Ｓｉの厚みの減少を測定した。
非多孔質Ｓｉは、１２０分経過した後にも、１００オン
グストローム以下しかエッチングされなかった。エッチ
ング速度は溶液濃度及び温度にほとんど依存しない。
【０１５８】エッチング後の多孔質Ｓｉと非多孔質Ｓｉ
を水洗し、その表面を二次イオンにより微量分析したと
ころ何等不純物は検出されなかった。
【０１５９】そして、バッファード弗酸とアルコールの
混合液を多孔質Ｓｉのエッチャントとして使用した場合
であっても、上述の（１）において、図１（Ａ）〜図１
（Ｂ），図２（Ａ）〜図２（Ｂ），図３（Ａ）〜図３
（Ｃ）及び図４（Ａ）〜図４（Ｃ）を用いて説明した態
様を取り得ることは言うまでもない。
【０１６０】−（７） バッファード弗酸と過酸化水
素水との混合液を多孔質Ｓｉに対する無電解湿式化学エ
ッチング液とした場合について図２１を用いて説明す
る。
【０１６１】バッファード弗酸としては、例えばフッ化
アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ）３６．２％、フッ化水素（Ｈ
Ｆ）４．５％の水溶液が用いられる。
【０１６２】図２１に、バッファード弗酸と過酸化水素
水との混合液に浸潤し撹拌したときにエッチングされる
多孔質Ｓｉの厚みのエッチング時間依存性を示す。多孔
質Ｓｉは単結晶Ｓｉを陽極化成することによって作成
し、その条件を以下にしめす。なお、陽極化成によって
形成する多孔質Ｓｉの出発材料は、単結晶Ｓｉに限定さ
れるものではなく、他の結晶構造のＳｉでも可能であ
る。
【０１６３】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間： ２．４（時間） 多孔質Ｓｉの厚み：３００（μｍ） Porosity： ５６（％） 上記条件により作成した多孔質Ｓｉを室温においてバッ
ファード弗酸と過酸化水素水との混合液（１：５）（白
丸）とバッファード弗酸と過酸化水素水との混合液
（５：１）（黒丸）に浸潤し、撹はんした。のちに、該
多孔質Ｓｉの厚みの減少を測定した。多孔質Ｓｉは急速
にエッチングされ１：５溶液では４０分ほどで８８μ
ｍ、５：１溶液では１０５μｍエッチングされる。更
に、１２０分経過させると１：５溶液で１４７μｍも、
高度の表面性を有して均一にエッチングされ、５：１溶
液では、１７７μｍエッチングされる。過酸化水素水の
溶液濃度は、ここでは３０％であるが、下記の過酸化水
素水の添加効果がそこなわれず、且つ製造工程等で実用
上差し支えない濃度で設定される。
【０１６４】なお、エッチング速度はバッファード弗
酸、過酸化水素水の溶液濃度及び温度に依存する。過酸
化水素水を添加することによって、シリコンの酸化を増
速し、反応速度を無添加に比べて増速することが可能と
なり、更に過酸化水素水の比率を変えることにより、そ
の反応速度を制御することができる。
【０１６５】溶液濃度及び温度の条件は、バッファード
弗酸及び上記過酸化水素水の効果を奏し、エッチング速
度が製造工程等で実用上差し支えない範囲で設定され
る。本願では、一例として、バッファード弗酸と過酸化
水素水との混合液（１：５）、バッファード弗酸と過酸
化水素水との混合液（５：１）、室温の場合について取
り上げたが、本発明はかかる溶液濃度及び温度条件に限
定されるものではない。
【０１６６】バッファード弗酸中のＨＦ濃度は、エッチ
ング液に対して、好ましくは１〜９５％、より好ましく
は１〜８５％、さらに好ましくは１〜７０％の範囲で設
定され、バッファード弗酸中のＮＨ4 Ｆ濃度は、エッチ
ング液に対して、好ましくは１〜９５％、より好ましく
は５〜９０％、さらに好ましくは５〜８０％の範囲で設
定される。Ｈ2 Ｏ2 濃度は、エッチング液に対して、好
ましくは１〜９５％、より好ましくは５〜９０％、さら
に好ましくは１０〜８０％で、且つ上記過酸化水素水の
効果を奏する範囲で設定される。温度は、好ましくは０
〜１００℃、より好ましくは５〜８０℃、さらに好まし
くは５〜６０℃の範囲で設定される。
【０１６７】エッチング後の多孔質Ｓｉを水洗し、その
表面を二次イオンにより微量分析したところ何等不純物
は検出されなかった。
【０１６８】次に図１３を用いて多孔質Ｓｉ及び非多孔
質Ｓｉに対する、バッファード弗酸と過酸化水素水との
混合液によるエッチング特性について説明する。
【０１６９】図１３は、多孔質Ｓｉと単結晶Ｓｉとをそ
れぞれバッファード弗酸と過酸化水素水との混合液に浸
潤したときにエッチングされる多孔質Ｓｉと単結晶Ｓｉ
の厚みのエッチング時間依存性を示す。多孔質Ｓｉは単
結晶Ｓｉを陽極化成することによって作成し、その条件
は上述のものと同じである。陽極化成によって形成する
多孔質Ｓｉの出発材料は、単結晶Ｓｉに限定されるもの
ではなく、他の結晶構造のＳｉでも可能である。
【０１７０】上記条件により作成した多孔質Ｓｉを室温
においてバッファード弗酸と過酸化水素水との混合液
（１：５）（白丸）に浸潤し、撹はんした。のちに、該
多孔質Ｓｉの厚みの減少を測定した。多孔質Ｓｉは急速
にエッチングされ４０分ほどで８８μｍ、更に、１２０
分経過させると１４７μｍも高度の表面性を有して、均
一にエッチングされる。過酸化水素水の溶液濃度は、こ
こでは３０％であるが、下記の過酸化水素水の添加効果
がそこなわれず、且つ製造工程等で実用上差し支えない
濃度で設定される。
【０１７１】エッチング後の多孔質Ｓｉと非多孔質Ｓｉ
を水洗し、その表面を二次イオンにより微量分析したと
ころ何等不純物は検出されなかった。
【０１７２】そして、バッファード弗酸と過酸化水素水
の混合液を多孔質Ｓｉのエッチャントとして使用した場
合であっても、上述の（１）において、図１（Ａ）〜図
１（Ｂ），図２（Ａ）〜図２（Ｂ），図３（Ａ）〜図３
（Ｃ）及び図４（Ａ）〜図４（Ｃ）を用いて説明した態
様を取り得ることは言うまでもない。
【０１７３】−（８） バッファード弗酸とアルコー
ルと過酸化水素水との混合液を多孔質Ｓｉに対する無電
解湿式化学エッチング液とした場合について図２２を用
いて説明する。
【０１７４】バッファード弗酸としては、フッ化アンモ
ニウム（ＮＨ4 Ｆ）３６ ．２％、フッ化水素（ＨＦ）
４．５％の水溶液が用いられる。
【０１７５】図２２に、バッファード弗酸とエチルアル
コールと過酸化水素水との混合液に撹拌することなく浸
潤したときにエッチングされる多孔質Ｓｉの厚みのエッ
チング時間依存性を示す。多孔質Ｓｉは単結晶Ｓｉを陽
極化成にすることによって作成し、その条件を以下にし
めす。なお、陽極化成によって形成する多孔質Ｓｉの出
発材料は、単結晶Ｓｉに限定されるものではなく、他の
結晶構造のＳｉでも可能である。
【０１７６】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間： ２．４（時間） 多孔質Ｓｉの厚み：３００（μｍ） Porosity： ５６（％） 上記条件により作成した多孔質Ｓｉを室温においてバッ
ファード弗酸とエチルアルコールと過酸化水素水との混
合液（１０：６：５０）（白丸）と，バッファード弗酸
とエチルアルコールと過酸化水素水との混合液（５０：
６：１０）（黒丸）に撹はんすることなく、浸潤した。
のちに、該多孔質Ｓｉの厚みの減少を測定した。多孔質
Ｓｉは急速にエッチングされ１０：６：５０溶液では４
０分ほどで８３μｍ、５０：６：１０溶液では１００μ
ｍエッチングされる。更に、１２０分経過させると１
０：６：５０溶液で１４０μｍも、高度の表面性を有し
て均一にエッチングされ、５０：６：１０溶液では、１
６８μｍエッチングされる。過酸化水素水の溶液濃度
は、ここでは３０％であるが、下記の過酸化水素水の添
加効果がそこなわれず、且つ製造工程等で実用上差し支
えない濃度で設定される。
【０１７７】なお、エッチング速度はバッファード弗
酸、過酸化水素水の溶液濃度及び温度に依存する。過酸
化水素水を添加することによって、シリコンの酸化を増
速し、反応速度を無添加に比べて増速することが可能と
なり、更に過酸化水素水の比率を変えることにより、そ
の反応速度を制御することができる。またアルコールを
添加することによって、エッチングによる反応生成気体
の気泡を、瞬時にエッチング表面から、撹拌することな
く、除去でき、均一にかつ効率よく多孔質Ｓｉをエッチ
ングすることができる。
【０１７８】溶液濃度及び温度の条件は、バッファード
弗酸及び上記過酸化水素水と上記アルコールの効果を奏
し、エッチング速度が製造工程等で実用上差し支えない
範囲で設定される。本願では、一例として、バッファー
ド弗酸とエチルアルコールと過酸化水素水との混合液
（１０：６：５０）、バッファード弗酸とエチルアルコ
ールと過酸化水素水との混合液（５０：６：１０）、室
温の場合を取り上げたが、本発明はかかる条件に限定さ
れるものではない。
【０１７９】バッファード弗酸中のＨＦ濃度は、エッチ
ング液に対して、好ましくは１〜９５％、より好ましく
は１〜８５％、さらに好ましくは１〜７０％の範囲で設
定され、バッファード弗酸中のＮＨ4 Ｆ濃度は、エッチ
ング液に対して、好ましくは１〜９５％、より好ましく
は５〜９０％、さらに好ましくは５〜８０％の範囲で設
定される。Ｈ2 Ｏ2 濃度は、エッチング液に対して、好
ましくは１〜９５％、より好ましくは５〜９０％、さら
に好ましくは１０〜８０％で、且つ上記過酸化水素水の
効果を奏する範囲で設定される。アルコール濃度は、エ
ッチング液に対して、好ましくは８０％以下、より好ま
しくは６０％以下、さらに好ましくは４０％以下で、且
つ上記アルコールの効果を奏する範囲で設定される。温
度は、好ましくは０〜１００℃、より好ましくは５〜８
０℃、さらに好ましくは５〜６０℃の範囲で設定され
る。
【０１８０】本発明に用いられるアルコールはエチルア
ルコールのほか、イソプロピルアルコールなど製造工程
等に実用上差し支えないアルコールで、且つ上記アルコ
ール添加効果を奏するアルコールを用いることができ
る。
【０１８１】エッチング後の多孔質Ｓｉを水洗し、その
表面を二次イオンにより微量分析したところ何等不純物
は検出されなかった。
【０１８２】本エッチング液については、アルコールを
添加することによって、エッチングによる反応生成気体
の気泡を瞬時にエッチング表面から、撹拌することな
く、除去できる為、微小な凹部の底部の極めて平坦で、
かつ均一なものを形成することができる。
【０１８３】次に図１４を用いて多孔質Ｓｉ及び非多孔
質Ｓｉに対する、バッファード弗酸とエチルアルコール
と過酸化水素水との混合液によるエッチング特性につい
て説明する。
【０１８４】図１４は、多孔質Ｓｉと単結晶Ｓｉとをそ
れぞれバッファード弗酸とエチルアルコールと過酸化水
素水との混合液に撹拌することなしに浸潤したときにエ
ッチングされる多孔質Ｓｉと単結晶Ｓｉの厚みのエッチ
ング時間依存性を示す。多孔質Ｓｉは単結晶Ｓｉを陽極
化成することによって作成し、その条件は上述のものと
同じである。陽極化成によって形成する多孔質Ｓｉの出
発材料は、単結晶Ｓｉに限定されるものではなく、他の
結晶構造のＳｉでも可能である。
【０１８５】上記条件により作成した多孔質Ｓｉを室温
においてバッファード弗酸とエチルアルコールと過酸化
水素水との混合液（１０：６：５０）（白丸）に撹拌す
ることなしに浸潤した。のちに、該多孔質Ｓｉの厚みの
減少を測定した。多孔質Ｓｉは急速にエッチングされ４
０分ほどで８３μｍ、更に、１２０分経過させると１４
０μｍも高度の表面性を有して、均一にエッチングされ
る。過酸化水素水の溶液濃度は、ここでは３０％である
が、下記の過酸化水素水の添加効果がそこなわれず、且
つ製造工程等で実用上差し支えない濃度で設定される。
【０１８６】また、５００μｍ厚の非多孔質Ｓｉを室温
においてバッファード弗酸とエチルアルコールと過酸化
水素水との混合液（１０：６：５０）（黒丸）に撹拌す
ることなしに浸潤した。のちに、該非多孔質Ｓｉの厚み
の減少を測定した。非多孔質Ｓｉは、１２０分経過した
後にも、１００オングストローム以下しかエッチングさ
れなかった。エッチング速度は溶液濃度及び温度にほと
んど依存しない。
【０１８７】エッチング後の多孔質Ｓｉと非多孔質Ｓｉ
を水洗し、その表面を二次イオンにより微量分析したと
ころ何等不純物は検出されなかった。
【０１８８】そして、バッファード弗酸とアルコールと
過酸化水素水と混合液を多孔質Ｓｉのエッチャントとし
て使用した場合であっても、上述の（１）において、図
１（Ａ）〜図１（Ｂ），図２（Ａ）〜図２（Ｂ），図３
（Ａ）〜図３（Ｃ）及び図４（Ａ）〜図４（Ｃ）を用い
て説明した態様を取り得ることは言うまでもない。 ．続いて、以下に本発明の半導体基材の作製方法につ
いて説明する。
【０１８９】本発明の半導体基材の作製方法の第１の態
様は前述したとおり、次のとおりのものである。
【０１９０】即ち、半導体基材の作製方法において、非
多孔質シリコン単結晶層と多孔質シリコン層とを有する
基体を形成し、該単結晶層の表面に絶縁性材料表面を有
する基体を接合し、該多孔質シリコン層を弗酸に浸すこ
とによりエッチング除去することを特徴とする半導体基
材の作製方法である。
【０１９１】更に、前述したとおり本発明の半導体基材
の作製方法の第２の態様は、前記本発明の半導体基材の
作製方法の第１の態様におけるエッチング液としての弗
酸の代わりに上述した本発明のエッチング液の第２の態
様乃至第８の態様のものを使用するというものである。
【０１９２】そして、本発明の半導体基材の作製方法の
第１の態様及び第２の態様を更に具体的なものとしたの
が前述の第３の態様乃至第６の態様である。以下、本発
明の第３の態様乃至第６の態様に基づき、本発明の半導
体基材の作製方法を説明する。
【０１９３】−（１） 本発明の半導体基材の作製方
法の第３の態様例を図面を参照しながら詳述する。
【０１９４】基板の全てを多孔質化した後に単結晶層を
エピタキシャル成長させる方法について説明する。図２
３（Ａ）〜（Ｃ）は本発明による半導体基材の作製方法
を説明するための工程図で、夫々各工程に於ける模式的
断面図として示されている。
【０１９５】図２３（Ａ）に示すように、先ず、Ｓｉ単
結晶基板を用意して、その全部を多孔質化して、多孔質
Ｓｉ基板７１とし、引続いて種々の成長法により、エピ
タキシャル成長を多孔質化した基板表面に行い、薄膜単
結晶Ｓｉ層７２を形成する。Ｓｉ基板は、例えばＨＦ溶
液を用いた陽極化成法によって、多孔質化させる。この
多孔質Ｓｉ層は、単結晶Ｓｉの密度２．３３ｇ／cm3 に
比べて、その密度をＨＦ溶液濃度を５０〜２０％変化さ
せることで密度１．１〜０．６ｇ／cm3 の範囲に変化さ
せることができる。
【０１９６】図２３（Ｂ）に示すように、ガラスに代表
される光透過性基板７３を用意して、多孔質Ｓｉ基板上
の単結晶Ｓｉ層７２の表面に該光透過性基板７３を貼り
つける。図２３（Ｂ）に示すように、エッチング防止膜
として、Ｓｉ3 Ｎ4 層７４を堆積して、貼り合せた２枚
の基板全体を被覆して、多孔質Ｓｉ基板７１の表面上の
Ｓｉ3 Ｎ4 層を除去する。他のエッチング防止膜として
Ｓｉ3 Ｎ4 層の代わりに、アピエゾンワックス等を用い
ても良い。この後に、多孔質Ｓｉ基板７１を本発明のエ
ッチング液に浸し、撹拌することによって、多孔質Ｓｉ
のみを無電解湿式化学エッチングして光透過性基板７３
上に薄膜化した非多孔質結晶シリコン層７２を残存させ
形成する。
【０１９７】図２３（Ｃ）には本発明で得られる半導体
基材が示されている。すなわち、図２３（Ｂ）における
エッチング防止膜であるＳｉ3 Ｎ4 層７４を除去するこ
とにより、光透過性基板７３上に結晶性がシリコンウエ
ハーと同等な単結晶Ｓｉ層７２が平坦に、しかも均一に
薄層化されて、ウエハー全域という大面積に形成され
る。
【０１９８】こうして得られた半導体基材は、絶縁分離
された電子素子作製という点から見ても好適に使用する
ことができる。
【０１９９】多孔質化を行う前にＮ型層を形成し、その
後、陽極化成により選択的に、Ｐ型基板のみを多孔質化
する方法について説明する。図２４（Ａ）〜（Ｄ）は本
発明による半導体基材の作製方法を説明するための工程
図で、夫々各工程に於ける模式的断面図として示されて
いる。
【０２００】先ず、図２４（Ａ）に示される様に種々の
薄膜成長法によるエピタキシャル成長によりＰ型Ｓｉ単
結晶基板８１の表面に低不純物濃度層８２を形成する。
或は、Ｐ型Ｓｉ単結晶基板３１の表面をプロトンをイオ
ン注入してＮ型単結晶層８２を形成する。
【０２０１】次に、図２４（Ｂ）に示される様にＰ型Ｓ
ｉ単結晶基板８１を裏面より例えばＨＦ溶液を用いた陽
極化成法によって、多孔質Ｓｉ基板８３に変質させる。
この多孔質Ｓｉ層は、単結晶Ｓｉの密度２．３３ｇ／cm
3 に比べて、その密度をＨＦ溶液濃度を５０〜２０％に
変化させることで密度１．１〜０．６ｇ／cm3 の範囲に
変化させることができる。この多孔質層は、上述したよ
うに、Ｐ型領域に形成される。
【０２０２】図２４（Ｃ）に示すように、ガラスに代表
される光透過性基板８４を用意して、多孔質Ｓｉ基板上
の単結晶Ｓｉ層８２の表面に該光透過性基板８４を貼り
つける。図２４（Ｃ）に示すように、エッチング防止膜
として、Ｓｉ3 Ｎ4 層８５を堆積して、貼り合せた２枚
の基板全体を被覆して、多孔質Ｓｉ基板８３の表面上の
Ｓｉ3 Ｎ4 層を除去する。他のエッチング防止膜として
Ｓｉ3 Ｎ4 層の代わりに、アピエゾンワックス等を用い
ても良い。この後に、多孔質Ｓｉ基板８３を本発明のエ
ッチング液に浸し、撹拌することによって、多孔質Ｓｉ
のみを無電解湿式化学エッチングして光透過性基板８４
上に薄膜化した非多孔質単結晶Ｓｉ層３８を残存させ形
成する。
【０２０３】図２４（Ｄ）には本発明で得られる半導体
基材が示される。すなわち、図２４（Ｄ）におけるエッ
チング防止膜であるＳｉ3 Ｎ4 層を除去することによ
り、光透過性基板８４上に結晶性がシリコンウエハーと
同等な単結晶Ｓｉ層８２が平坦に、しかも均一に薄層化
されて、ウエハー全域という大面積に形成される。
【０２０４】こうして得られた半導体基材は、絶縁分離
された電子素子作製という点から見ても好適に使用する
ことができる。
【０２０５】多孔質Ｓｉ層には、透過電子顕微鏡による
観察によれば、平均約６００オングストローム程度の径
の孔が形成されており、その密度は単結晶Ｓｉに比べる
と、半分以下になるにもかかわらず、単結晶性は維持さ
れており、多孔質層の上部へ単結晶Ｓｉをエピタキシャ
ル成長させることも可能である。ただし、１０００℃以
上では、内部の孔の再配列が起こり、増速エッチングの
特性が損なわれる。このため、Ｓｉ層のエピタキシャル
成長には、分子線エピタキシャル成長法、プラズマＣＶ
Ｄ、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ等のＣＶＤ法、バイアス・ス
パッター法、液相成長法等の低温成長が好適である。
【０２０６】−（２） 本発明の半導体基材の作製方
法の第４の態様例を図面を参照しながら詳述する。
【０２０７】Ｐ型基板あるいは高濃度Ｎ型基板の全てを
多孔質化した後に単結晶層をエピタキシャル成長させる
方法について説明する。図２５（Ａ）〜（Ｃ）は本発明
による半導体基材の作製方法を説明するための工程図
で、夫々各工程に於ける模式的断面図として示されてい
る。
【０２０８】図２５（Ａ）に示すように、先ず、Ｐ型
（または高濃度Ｎ型）Ｓｉ単結晶基板を用意して、その
全部を多孔質化して多孔質Ｓｉ単結晶基板９１とし、引
続いて種々の成長法により、エピタキシャル成長を多孔
質化した基板表面に行い、薄膜単結晶Ｓｉ層９２を形成
する。Ｐ型Ｓｉ基板は、例えばＨＦ溶液を用いた陽極化
成法によって、多孔質化させる。この多孔質Ｓｉ層は、
単結晶Ｓｉの密度２．３３ｇ／cm3 に比べて、その密度
をＨＦ溶液濃度を５０〜２０％に変化させることで密度
１．１〜０．６ｇ／cm3 に範囲に変化させることができ
る。
【０２０９】図２５（Ｂ）に示すように、もう一方のＳ
ｉ基板９３を用意して、その表面に絶縁物層（酸化シリ
コン層）９４を形成した後、多孔質Ｓｉ基板上の単結晶
Ｓｉ層９２の表面と該もう一方のＳｉ基板９３の絶縁物
層９４の表面とを貼り合わせる。この後に、９１〜９４
の全体を本発明のエッチング液に浸し、撹拌することに
よって、多孔質Ｓｉのみを無電解湿式化学エッチングし
て絶縁物層９４上に薄膜化した非多孔質単結晶Ｓｉ層９
２を残存させ形成する。
【０２１０】図２５（Ｃ）には本発明で得られる半導体
基材が示されている。即ち、Ｓｉ基板９３上の絶縁物層
９４上に結晶性がシリコンウエハーと同等な単結晶Ｓｉ
層９２が平坦に、しかも均一に薄層化されて、ウエハー
全域という大面積に形成される。
【０２１１】こうして得られた半導体基材は、絶縁分離
された電子素子作製という点から見ても好適に使用する
ことができる。
【０２１２】多孔質化を行う前にＮ型層を形成し、その
後、陽極化成により選択的に、Ｐ型基板あるいは高濃度
Ｎ型基板のみを多孔質化する方法について説明する。図
２６（Ａ）〜（Ｄ）は本発明による半導体基材の作製方
法を説明するための工程図で、夫々各工程に於ける模式
的断面図として示されている。
【０２１３】先ず、図２６（Ａ）に示される様に種々の
薄膜成長法によるエピタキシャル成長によりＰ型（また
は高濃度Ｎ型）Ｓｉ単結晶基板１０１の表面に低不純物
濃度層１０２を形成する。或は、Ｐ型Ｓｉ単結晶基板１
０１の表面をプロトンをイオン注入してＮ型単結晶層１
０２を形成する。
【０２１４】次に、図２６（Ｂ）に示される様にＰ型Ｓ
ｉ単結晶基板１０１を裏面より例えばＨＦ溶液を用いた
陽極化成法によって、多孔質Ｓｉ基板１０３に変質させ
る。この多孔質Ｓｉ層は、単結晶Ｓｉの密度２．３３ｇ
／cm3 に比べて、その密度をＨＦ溶液濃度を５０〜２０
％に変化させることで密度１．１〜０．６ｇ／cm3 の範
囲に変化させることができる。この多孔質層は、上述し
たように、Ｐ型領域に形成される。
【０２１５】図２６（Ｃ）に示すように、もう一方のＳ
ｉ基板１０４を用意して、その表面に絶縁物層（酸化シ
リコン層）１０５を形成した後、多孔質Ｓｉ基板上の単
結晶Ｓｉ層１０２の表面と該もう一方のＳｉ基板１０４
の絶縁物層１０５の表面とを貼り合わせる。この後に、
１０２〜１０５の全体を本発明のエッチング液に浸し、
撹拌することによって、多孔質Ｓｉのみを無電解湿式化
学エッチングして絶縁物層１０５上に薄膜化した非多孔
質単結晶Ｓｉ層１０２を残存させて形成する。
【０２１６】図２６（Ｄ）には本発明で得られる半導体
基材が示される。即ち、Ｓｉ基板１０４上の絶縁物層１
０５上に結晶性がシリコンウエハーと同等な単結晶Ｓｉ
層１０２が平坦に、しかも均一に薄層化されて、ウエハ
ー全域という大面積に形成される。
【０２１７】こうして得られた半導体基材は、絶縁分離
された電子素子作製という点から見ても好適に使用する
ことができる。
【０２１８】−（３） 本発明の第５の態様例につい
て説明する。なお、ここでは、Ｓｉ基板の全てを多孔質
化した後に単結晶層をエピタキシャル成長させた場合に
ついて説明する。
【０２１９】図２７（Ａ）に示すように、先ず、Ｓｉ単
結晶基板を用意して、その全部を多孔質化して多孔質Ｓ
ｉ基板１１１とする。種々の成長法により、エピタキシ
ャル成長を多孔質化した基板表面に行い、薄膜単結晶層
１１２を形成する。
【０２２０】Ｓｉ基板は、例えばＨＦ溶液を用いた陽極
化成法によって、多孔質化させる。この多孔質Ｓｉ層
は、単結晶Ｓｉの密度２．３３ｇ／cm3 に比べて、その
密度をＨＦ溶液濃度を５０〜２０％に変化させることで
密度１．１〜０．６ｇ／cm3 の範囲に変化させることが
できる。この多孔質層は、既に述べたように、Ｐ型Ｓｉ
基板に形成されやすい。この多孔質Ｓｉ層は、透過電子
顕微鏡による観察によれば、平均約６００オングストロ
ーム程度の径の孔が形成される。
【０２２１】次に図２７（Ｂ）に示すように、ガラスに
代表される光透過性基体１１３を用意して、多孔質Ｓｉ
基板上に単結晶Ｓｉ層表面を酸化した後、形成された酸
化層１１４に該光透過性基体１１３を貼りつける。該酸
化層は、デバイスを作成する際に重要な役割をはたす。
すなわち、Ｓｉ活性層の下地界面により発生する界面準
位はガラス界面にくらべて、本発明による酸化膜界面の
準位のほうがひくくでき、電子デバイスの特性は、著し
く向上される。
【０２２２】また図２７（Ｂ）に示すように、エッチン
グ防止膜（保護材料）としてＳｉ3Ｎ4 層１１５を堆積
して、貼り合せた２枚の基板全体を被覆して、多孔質Ｓ
ｉ基板の表面上のＳｉ3 Ｎ4 層を除去する。他のエッチ
ング防止膜としてＳｉ3 Ｎ4層の代わりに、アピエゾン
ワックスを用いても良い。この後に、多孔質Ｓｉ基板１
１１を本発明のエッチング液に撹拌しながら浸すことに
よって、多孔質Ｓｉのみを無電解湿式化学エッチングし
て光透過性基体１１３上に薄膜化した単結晶シリコン層
を残存させ形成する。
【０２２３】図２７（Ｃ）には本発明で得られる半導体
基材が示される。すなわち、図２７（Ｂ）に於けるエッ
チング防止膜としてのＳｉ3 Ｎ4 層１１５を除去するこ
とによって、光透過性基体１１３上に結晶性がシリコン
ウエハーと同等な単結晶Ｓｉ層１１２が平坦に、しかも
均一に薄層化されて、ウエハー全域に、大面積に形成さ
れる。
【０２２４】こうして得られた半導体基材は、絶縁分離
された電子素子作製という点から見ても好適に使用する
ことができる。
【０２２５】−（４） 本発明の半導体基材の作製方
法の第６の態様例について説明する。
【０２２６】なお、ここでは、Ｓｉ基板の全てを多孔質
化した後に単結晶層をエピタキシャル成長させた場合に
ついて説明する。
【０２２７】図２８（Ａ）〜図２８（Ｃ）は第１の実施
態様例を説明するための工程図である。
【０２２８】図２８（Ａ）に示すように、先ず、Ｓｉ単
結晶基板を用意して、その全部を多孔質化して多孔質Ｓ
ｉ単結晶基板１２１とする。種々の成長法により、エピ
タキシャル成長を多孔質化した基板表面に行い、薄膜単
結晶層１２２を形成する。Ｓｉ基板は、例えばＨＦ溶液
を用いた陽極化成法によって、多孔質化させる。この多
孔質Ｓｉ層は、単結晶Ｓｉの密度２．３３ｇ／cm3 に比
べて、その密度をＨＦ溶液濃度を５０〜２０％に変化さ
せることで密度１．１〜０．６ｇ／cm3 の範囲に変化さ
せることができる。この多孔質Ｓｉ層は、透過電子顕微
鏡による観察によれば、平均約６００オングストローム
程度の径の孔が形成される。
【０２２９】次に図２８（Ｂ）に示すように、もう一つ
のＳｉ基板１２３を用意して、その表面に絶縁物１２４
を形成した後、多孔質Ｓｉ基板上の単結晶Ｓｉ層上に形
成した酸化層１２５表面に、該絶縁物１２４を表面に持
つＳｉ基板を貼りつける。絶縁物１２４は、Ｓｉの絶縁
層はもちろんのこと、堆積されたシリコン酸化物、窒化
物、酸化窒化物、酸化タンタル等が適用される。この貼
り付け工程は、洗浄した表面同志を密着させ、その後酸
素雰囲気あるいは、窒素雰囲気中で加熱する。また、酸
化層１２５は、最終的な活性層である単結晶層１２２の
界面準位を低減させるために形成する。
【０２３０】次に図２８（Ｃ）に示すように、多孔質Ｓ
ｉ基板１２１を本発明のエッチング液に浸し撹はんする
ことによって、多孔質Ｓｉのみを無電解湿式化学エッチ
ングして絶縁物上に薄膜化した単結晶シリコン層を残存
させ形成する。図２８（Ｃ）は本発明で得られる半導体
基材が示される。絶縁物１２４、酸化層１２５を介した
絶縁物基板１２３上に結晶性がシリコンウエハーと同等
な単結晶Ｓｉ層１２２が平坦に、しかも均一に薄層化さ
れて、ウエハー全域に、大面積に形成される。
【０２３１】こうして得られた半導体基材は、絶縁分離
された電子素子作製という点から見ても好適に使用する
ことができる。
【０２３２】以下、第２の実施態様例を図面を参照しな
がら詳述する。
【０２３３】図２９（Ａ）〜図２９（Ｄ）は第２の実施
態様例を説明するための工程図で、夫々各工程に於ける
模式的切断面図として示されている。
【０２３４】先ず図２９（Ａ）に示される様に種々の薄
膜成長法によるエピタキシャル成長によりＰ型Ｓｉ単結
晶基板１３１上に低不純物濃度層１３２を形成する。或
は、Ｐ型Ｓｉ単結晶基板１３１の表面をプロトンをイオ
ン注入してＮ型単結晶層１３２を形成する。
【０２３５】次に、図２９（Ｂ）に示される様にＰ型Ｓ
ｉ単結晶基板１３１を裏面よりＨＦ溶液を用いた陽極化
成法によって、多孔質Ｓｉ基板１３３に変質させる。こ
の多孔質Ｓｉ層は、単結晶Ｓｉの密度２．３３ｇ／cm3
に比べて、その密度をＨＦ溶液濃度を５０〜２０％に変
化させることで密度１．１〜０．６ｇ／cm3 の範囲に変
化させることができる。この多孔質層は、既に述べたよ
うに、Ｐ型基板に形成される。
【０２３６】図２９（Ｃ）に示すように、もう一つのＳ
ｉ基板１３４を用意して、その表面に絶縁物１３５を形
成した後、多孔質Ｓｉ基板上の単結晶Ｓｉ層上に形成し
た酸化層１３６の表面に、該絶縁物１３５を持つＳｉ基
板１３４を貼りつける。その後に、多孔質Ｓｉ基板を本
発明のエッチング液に浸し、撹はんすることによって、
多孔質Ｓｉのみを無電解湿式化学エッチングして絶縁物
上に薄膜化した単結晶シリコン層を残存させ形成する。
【０２３７】図２９（Ｄ）には本発明で得られる半導体
基材が示される。酸化層１３６、絶縁物１３５を介した
絶縁物基板１３４上に結晶性がシリコンウエハーと同等
な単結晶Ｓｉ層１３２が平坦に、しかも均一に薄層化さ
れて、ウエハー全域に、大面積に形成される。
【０２３８】こうして得られた半導体基材は、絶縁分離
された電子素子作製という点から見ても好適に使用する
ことができる。
【０２３９】以上は、多孔質化を行う前にＮ型層を形成
し、その後、陽極化成により選択的に、Ｐ型基板のみを
多孔質化する方法である。
【０２４０】
【実施例】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説明
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。 （実施例１）単結晶Ｓｉ基板２２上片面全面に、陽極化
成により、多孔質Ｓｉ層２１を５０μｍ（ｔ2 ＝５０μ
ｍ）形成した（図１（Ａ））。
【０２４１】陽極化成条件は以下のとうりであった。
【０２４２】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間： ０．４（時間） 多孔質Ｓｉの厚み：５０（μｍ） Porosity： ５６（％） その後、（多孔質Ｓｉ／単結晶Ｓｉ）構造の基板を４９
％ＨＦ溶液で選択エッチングした。３３分後には、図１
（Ｂ）に示すように、単結晶Ｓｉだけがエッチングされ
ずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料とし
て、多孔質Ｓｉは選択エッチングされた。 （実施例２）単結晶Ｓｉ基板３２上片面に、陽極化成に
先立ち、ボロンを平均濃度１．０×１０19cm-3、１００
μｍ間隔のストライプ状にイオン注入した。図２（Ａ）
に示すように、陽極化成により１００μｍ間隔（ｂ3 ＝
１００μｍ）で１００μｍ幅（ａ3 ＝１００μｍ）のス
トライプ状の多孔質Ｓｉ３１を厚さ１μｍ（ｔ3 ＝１μ
ｍ）形成した。
【０２４３】陽極化成条件は以下のとうりであった。
【０２４４】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 多孔質Ｓｉの厚み：１（μｍ） Porosity： ５６（％） その後、（多孔質Ｓｉ／単結晶Ｓｉ）構造の基板を４９
％ＨＦ溶液で選択エッチングする。２分後には、図２
（Ｂ）に示すように、単結晶Ｓｉだけがエッチングされ
ずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッチングされた。 （実施例３）単結晶Ｓｉ基板４２上に、ＣＶＤ法によ
り、多結晶Ｓｉ４１を３μｍ（ｕ4 ＝３μｍ）形成した
（図３（Ａ））。図３（Ｂ）に示すように、多結晶Ｓｉ
４１の表面層２μｍ（ｔ4 ＝２μｍ）を、陽極化成によ
り、多孔質Ｓｉ層４３に変質させた。
【０２４５】陽極化成条件は以下のとうりであった。
【０２４６】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 多孔質Ｓｉの厚み：２（μｍ） Porosity： ５６（％） その後、（多孔質Ｓｉ／多結晶Ｓｉ／単結晶Ｓｉ）構造
の基板を４９％ＨＦ溶液で選択エッチングした。４分後
には、図３（Ｃ）に示すように、多結晶Ｓｉおよび単結
晶Ｓｉがエッチングされずに残り、多結晶Ｓｉをエッチ
・ストップの材料として、多孔質Ｓｉは選択エッチング
された。 （実施例４）単結晶Ｓｉ基板５２上に、ＣＶＤ法によ
り、多結晶Ｓｉ５１を３μｍ（ｕ5 ＝３μｍ）形成す
る。多結晶Ｓｉ５１の表面に、陽極化成に先立ち、ボロ
ンを平均濃度１．０×１０19cm-3、２０μｍ間隔のスト
ライプ状にイオン注入した。図４（Ａ）に示すように陽
極化成により２０μｍ間隔（ｂ5 ＝２０μｍ）で２０μ
ｍ幅（ａ5 ＝２０μｍ）のストライプ状の多孔質Ｓｉを
厚さ１μｍ（ｔ5 ＝１μｍ）形成した。
【０２４７】陽極化成条件は以下のとうりであった。
【０２４８】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 多孔質Ｓｉの厚み：１（μｍ） Porosity： ５６（％） その後、（多孔質Ｓｉ／多結晶Ｓｉ／単結晶Ｓｉ）構造
の基板を４９％ＨＦ溶液で選択エッチングした。２分後
には、図４（Ｂ）に示すように、多結晶Ｓｉおよび単結
晶Ｓｉがエッチングされずに残り、多孔質Ｓｉは選択エ
ッチングされた。 （実施例５）単結晶Ｓｉ基板６２上片面全面に、陽極化
成により、多孔質Ｓｉ層６１を５０μｍ（ｔ6 ＝５０μ
ｍ）形成した（図５（Ａ））。
【０２４９】陽極化成条件は以下のとうりであった。
【０２５０】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間： ０．４（時間） 多孔質Ｓｉの厚み：５０（μｍ） Porosity： ５６（％） 図５（Ｂ）に示すように、レジスト６３を１００μｍ間
隔（ｂ6 ＝１００μｍ）で１００μｍ幅（ａ6 ＝１００
μｍ）のストライプ状にパターニングした。
【０２５１】その後、（多孔質Ｓｉ／単結晶Ｓｉ）構造
の基板を４９％ＨＦ溶液で選択エッチングした。３３分
後には、図６（Ａ）に示すように、単結晶Ｓｉだけがエ
ッチングされずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッチングさ
れた。最後に、レジストを除去した（図６（Ｂ））。 （実施例６）実施例１におけるエッチング液を４９％弗
酸とエチルアルコールとの混合液（１０：１）に代えた
以外実施例１と同様にしてエッチングを行なった。そう
したところエッチング開始後２９分後には、図１（Ｂ）
に示すように、単結晶Ｓｉだけがエッチングされずに残
り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔
質Ｓｉは選択エッチングされた。 （実施例７）実施例２におけるエッチング液を４９％弗
酸とエチルアルコールとの混合液（１０：１）に代えた
以外実施例２と同様にしてエッチングを行なった。そう
したところ、エッチング開始後、１．７分後には、図２
（Ｂ）に示すように、単結晶Ｓｉだけがエッチングされ
ずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッチングされた。 （実施例８）実施例３におけるエッチング液を４９％弗
酸とエチルアルコールとの混合液（１０：１）に代えた
以外実施例３と同様にしてエッチングを行なった。そう
したところエッチング開始後、３．４分後には、図３
（Ｃ）に示すように、多結晶Ｓｉおよび単結晶Ｓｉがエ
ッチングされずに残り、多結晶Ｓｉをエッチ・ストップ
の材料として、多孔質Ｓｉは選択エッチングされた。 （実施例９）実施例４におけるエッチング液を４９％弗
酸とエチルアルコールとの混合液（１０：１）に代えた
以外実施例４と同様にしてエッチングを行なった。そう
したところエッチング開始後、１．７分後には、図４
（Ｃ）に示すように、多結晶Ｓｉおよび単結晶Ｓｉがエ
ッチングされずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッチングさ
れた。 （実施例１０）実施例５におけるエッチング液を４９％
弗酸とエチルアルコールとの混合液（１０：１）に代え
た以外実施例５と同様にしてエッチングを行なった。そ
うしたところエッチング開始後、２９分後には、図６
（Ａ）に示すように、単結晶Ｓｉだけがエッチングされ
ずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッチングされた。最後
に、レジストを除去した（図６（Ｂ））。 （実施例１１）実施例１におけるエッチング液を４９％
弗酸と過酸化水素水との混合液（１：５）に代えた以外
は実施例１と同様にしてエッチングを行なった。そうし
たところエッチング開始後、２１分後には、図１（Ｂ）
に示すように、単結晶Ｓｉだけがエッチングされずに残
り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔
質Ｓｉは選択エッチングされた。 （実施例１２）実施例２におけるエッチング液を４９％
弗酸と過酸化水素水との混合液（１：５）に代えた以外
は実施例２と同様にしてエッチングを行なった。そうし
たところエッチング開始後、１．３分後には、図２
（Ｂ）に示すように、単結晶Ｓｉだけがエッチングされ
ずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッチングされた。 （実施例１３）実施例３におけるエッチング液を４９％
弗酸と過酸化水素水との混合液（１：５）に代えた以外
は実施例３と同様にしてエッチングを行なった。そうし
たところエッチング開始後、２．６分後には、図３
（Ｃ）に示すように、多結晶Ｓｉおよび単結晶Ｓｉがエ
ッチングされずに残り、多結晶Ｓｉをエッチ・ストップ
の材料として、多孔質Ｓｉは選択エッチングされた。 （実施例１４）実施例４におけるエッチング液を４９％
弗酸と過酸化水素水との混合液（１：５）に代えた以外
は実施例４と同様にしてエッチングを行なった。そうし
たところエッチング開始後、１．３分後には、図４
（Ｃ）に示すように、多結晶Ｓｉおよび単結晶Ｓｉがエ
ッチングされずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッチングさ
れた。 （実施例１５）実施例５におけるエッチング液を４９％
弗酸と過酸化水素水との混合液（１：５）に代えた以外
は実施例５と同様にしてエッチングを行なった。そうし
たところエッチング開始後、図６（Ａ）に示すように、
単結晶Ｓｉだけがエッチングされずに残り、多孔質Ｓｉ
は選択エッチングされた。最後に、レジストを除去した
（図６（Ｂ））。 （実施例１６）実施例１におけるエッチング液を４９％
弗酸とエチルアルコールと過酸化水素水との混合液（１
０：６：５０）とした以外は、実施例１と同様にしてエ
ッチングを行なった。そうしたところ、エッチング開始
後、２６分後には、図１（Ｂ）に示すように、単結晶Ｓ
ｉだけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ
・ストップの材料として、多孔質Ｓｉは選択エッチング
された。 （実施例１７）実施例２におけるエッチング液を４９％
弗酸とエチルアルコールと過酸化水素水との混合液（１
０：６：５０）とした以外は、実施例２と同様にしてエ
ッチングを行なった。そうしたところ、エッチング開始
後、１．４分後には、図２（Ｂ）に示すように、単結晶
Ｓｉだけがエッチングされずに残り、多孔質Ｓｉは選択
エッチングされた。 （実施例１８）実施例３におけるエッチング液を４９％
弗酸とエチルアルコールと過酸化水素水との混合液（１
０：６：５０）とした以外は、実施例３と同様にしてエ
ッチングを行なった。そうしたところ、エッチング開始
後、２．８分後には、図３（Ｃ）に示すように、多結晶
Ｓｉおよび単結晶Ｓｉがエッチングされずに残り、多結
晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉは
選択エッチングされた。 （実施例１９）実施例４におけるエッチング液を４９％
弗酸とエチルアルコールと過酸化水素水との混合液（１
０：６：５０）とした以外は、実施例４と同様にしてエ
ッチングを行なった。そうしたところ、エッチング開始
後、１．４分後には、図４（Ｃ）に示すように、多結晶
Ｓｉおよび単結晶Ｓｉがエッチングされずに残り、多孔
質Ｓｉは選択エッチングされた。 （実施例２０）実施例５におけるエッチング液を４９％
弗酸とエチルアルコールと過酸化水素水との混合液（１
０：６：５０）とした以外は、実施例５と同様にしてエ
ッチングを行なった。そうしたところ、エッチング開始
後、２８分後には、図６（Ａ）に示すように、単結晶Ｓ
ｉだけがエッチングされずに残り、多孔質Ｓｉは選択エ
ッチングされた。最後に、レジストを除去した（図６
（Ｂ））。 （実施例２１）実施例１におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸（ＮＨ4 Ｆ：３６．２％，ＨＦ：４．５％）
に代えた以外は、実施例１と同様にしてエッチングを行
なった、そうしたところ、エッチング開始後、１９分後
には、図１（Ｂ）に示すように、単結晶Ｓｉだけがエッ
チングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの
材料として、多孔質Ｓｉは選択エッチングされた。 （実施例２２）実施例２におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸（ＮＨ4 Ｆ：３６．２％，ＨＦ：４．５％）
に代えた以外は、実施例２と同様にしてエッチングを行
なった、そうしたところ、エッチング開始後、７秒後に
は、図２（Ｂ）に示すように、単結晶Ｓｉだけがエッチ
ングされずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッチングされ
た。 （実施例２３）実施例３におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸（ＮＨ4 Ｆ：３６．２％，ＨＦ：４．５％）
に代えた以外は、実施例３と同様にしてエッチングを行
なった、そうしたところ、エッチング開始後、１４秒後
には、図３（Ｃ）に示すように、多結晶Ｓｉおよび単結
晶Ｓｉがエッチングされずに残り、多結晶Ｓｉをエッチ
・ストップの材料として、多孔質Ｓｉは選択エッチング
された。 （実施例２４）実施例４におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸（ＮＨ4 Ｆ：３６．２％，ＨＦ：４．５％）
に代えた以外は、実施例４と同様にしてエッチングを行
なった、そうしたところ、エッチング開始後、７秒後に
は、図４（Ｃ）に示すように、多結晶Ｓｉおよび単結晶
Ｓｉがエッチングされずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッ
チングされた。 （実施例２５）実施例５におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸（ＮＨ4 Ｆ：３６．２％，ＨＦ：４．５％）
に代えた以外は、実施例５と同様にしてエッチングを行
なった、そうしたところ、エッチング開始後、１９分後
には、図６（Ａ）に示すように、単結晶Ｓｉだけがエッ
チングされずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッチングされ
た。最後に、レジストを除去した（図６（Ｂ））。 （実施例２６）実施例１におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸とエチルアルコールとの混合液（１０：１）
に代えた以外は、実施例１と同様にしてエッチングを行
なった、そうしたところ、エッチング開始後、２１分後
には、図１（Ｂ）に示すように単結晶Ｓｉだけがエッチ
ングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材
料として、多孔質Ｓｉは選択エッチングされた。 （実施例２７）実施例２におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸とエチルアルコールとの混合液（１０：１）
に代えた以外は、実施例２と同様にしてエッチングを行
なった、そうしたところ、エッチング開始後、７秒後に
は、図２（Ｂ）に示すように単結晶Ｓｉだけがエッチン
グされずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッチングされた。 （実施例２８）実施例３におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸とエチルアルコールとの混合液（１０：１）
に代えた以外は、実施例３と同様にしてエッチングを行
なった、そうしたところ、エッチング開始後、１４秒後
には、図３（Ｃ）に示すように多結晶Ｓｉおよび単結晶
Ｓｉがエッチングされずに残り、多結晶Ｓｉをエッチ・
ストップの材料として、多孔質Ｓｉは選択エッチングさ
れた。 （実施例２９）実施例４におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸とエチルアルコールとの混合液（１０：１）
に代えた以外は、実施例４と同様にしてエッチングを行
なった、そうしたところ、エッチング開始後、７秒後に
は、図４（Ｃ）に示すように多結晶Ｓｉおよび単結晶Ｓ
ｉがエッチングされずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッチ
ングされた。 （実施例３０）実施例５におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸とエチルアルコールとの混合液（１０：１）
に代えた以外は、実施例５と同様にしてエッチングを行
なった、そうしたところ、エッチング開始後、２１分後
には、図６（Ａ）に示すように、単結晶Ｓｉだけがエッ
チングされずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッチングされ
た。最後に、レジストを除去した（図６（Ｂ））。 （実施例３１）実施例１におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸と過酸化水素水との混合液（１：５）に代え
た以外は、実施例１と同様にしてエッチングを行なっ
た。そうしたところ、エッチング開始後、９分後には、
図１（Ｂ）に示すように単結晶Ｓｉだけがエッチングさ
れずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料とし
て、多孔質Ｓｉは選択エッチングされた。 （実施例３２）実施例２におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸と過酸化水素水との混合液（１：５）に代え
た以外は、実施例２と同様にしてエッチングを行なっ
た。そうしたところ、エッチング開始後、５秒後には、
図２（Ｂ）に示すように、単結晶Ｓｉだけがエッチング
されずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッチングされた。 （実施例３３）実施例３におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸と過酸化水素水との混合液（１：５）に代え
た以外は、実施例３と同様にしてエッチングを行なっ
た。そうしたところ、エッチング開始後、１０秒後に
は、図３（Ｃ）に示すように多結晶Ｓｉおよび単結晶Ｓ
ｉだけがエッチングされずに残り、多結晶Ｓｉをエッチ
・ストップの材料として、多孔質Ｓｉは選択エッチング
された。 （実施例３４）実施例４におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸と過酸化水素水との混合液（１：５）に代え
た以外は、実施例４と同様にしてエッチングを行なっ
た。そうしたところエッチング開始後、５秒後には、図
４（Ｃ）に示すように、多結晶Ｓｉおよび単結晶Ｓｉが
エッチングされずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッチング
された。 （実施例３５）実施例５におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸と過酸化水素水との混合液（１：５）に代え
た以外は、実施例５と同様にしてエッチングを行なっ
た。そうしたところエッチング開始後、９分後には、図
６（Ａ）に示すように、単結晶Ｓｉだけがエッチングさ
れずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッチングされた。最後
に、レジストを除去した（図６（Ｂ））。 （実施例３６）実施例１におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸（ＮＨ4 Ｆ：３６．２％，ＨＦ：４．５％）
とエチルアルコールと過酸化水素水との混合液（１０：
６：５０）に代えた以外は、実施例１と同様にしてエッ
チングを行なった。そうしたところ、エッチング開始
後、１０分後には、図１（Ｂ）に示すように、単結晶Ｓ
ｉだけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ
・ストップの材料として、多孔質Ｓｉは選択エッチング
された。 （実施例３７）実施例２におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸（ＮＨ4 Ｆ：３６．２％，ＨＦ：４．５％）
とエチルアルコールと過酸化水素水との混合液（１０：
６：５０）に代えた以外は、実施例２と同様にしてエッ
チングを行なった。そうしたところ、エッチング開始
後、６秒後には、図２（Ｂ）に示すように、単結晶Ｓｉ
だけがエッチングされずに残り、多孔質Ｓｉは選択エッ
チングされた。 （実施例３８）実施例３におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸（ＮＨ4 Ｆ：３６．２％，ＨＦ：４．５％）
とエチルアルコールと過酸化水素水との混合液（１０：
６：５０）に代えた以外は、実施例３と同様にしてエッ
チングを行なった。そうしたところ、エッチング開始
後、１２秒後には、図３（Ｃ）に示すように、多結晶Ｓ
ｉおよび単結晶Ｓｉがエッチングされずに残り、多結晶
Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉは選
択エッチングされた。 （実施例３９）実施例４におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸（ＮＨ4 Ｆ：３６．２％，ＨＦ：４．５％）
とエチルアルコールと過酸化水素水との混合液（１０：
６：５０）に代えた以外は、実施例４と同様にしてエッ
チングを行なった。そうしたところ、エッチング開始
後、６秒後には、図４（Ｃ）に示すように、多結晶Ｓｉ
および単結晶Ｓｉがエッチングされずに残り、多孔質Ｓ
ｉは選択エッチングされた。 （実施例４０）実施例５におけるエッチング液をバッフ
ァード弗酸（ＮＨ4 Ｆ：３６．２％，ＨＦ：４．５％）
とエチルアルコールと過酸化水素水との混合液（１０：
６：５０）に代えた以外は、実施例５と同様にしてエッ
チングを行なった。そうしたところ、エッチング開始
後、１０分後には、図６（Ａ）に示すように、単結晶Ｓ
ｉだけがエッチングされずに残り、多孔質Ｓｉは選択エ
ッチングされた。最後に、レジストを除去した（図６
（Ｂ））。 （実施例４１）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ／cm
2 であった。この時の多孔質化速度は、８．４μｍ／mi
n.であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１００）
Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。
【０２５２】該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にＭＢ
Ｅ（分子線エピタキシー：Molecular Beam Epitaxy）法
により、Ｓｉエピタキシャル層を０．５ミクロン低温成
長させた。堆積条件は、以下のとおりである： 温度： ７００℃ 圧力： １×１０-9Torr 成長速度： ０．１ nm ／sec 次に、このエピタキシャル成長層の表面に光学研磨を施
した溶融石英ガラス基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で
８００℃、０．５時間加熱することにより、両者の基板
は、強固に接合された。
【０２５３】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グよって除去した。その後、該貼り合わせた基板を４９
％弗酸で撹拌しながら選択エッチングした。７８分後に
は、単結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結
晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基
板は選択エッチングされ、完全に除去された。
【０２５４】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、ガラス基板上に０．５μ
ｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０２５５】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例４２）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ／cm
2 であった。この時の多孔質化速度は、８．４μｍ／mi
n.であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１００）
Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。該Ｐ型（１
００）多孔質Ｓｉ基板上にプラズマＣＶＤ法により、Ｓ
ｉエピタキシャル層を５μｍ低温成長させた。堆積条件
は、以下のとおりである： ガス： ＳｉＨ4 高周波電力： １００Ｗ 温度： ８００℃ 圧力： １×１０-2Torr 成長速度： ２．５ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面に光学研磨を施した
５００℃近辺に軟化点のあるガラス基板を重ねあわせ、
酸素雰囲気中で４５０℃、０．５時間加熱することによ
り、両者の基板は、強固に接合された。
【０２５６】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グよって除去した。
【０２５７】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹拌しながら選択エッチングした。７８分後には、単
結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉ
をエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選
択エッチングされ、完全に除去された。
【０２５８】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、低軟化点ガラス基板上に
５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。 （実施例４３）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ／cm
2 であった。この時の多孔質化速度は、８．４μｍ／mi
n.であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１００）
Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。該Ｐ型（１
００）多孔質Ｓｉ基板上にバイアススパッター法によ
り、Ｓｉエピタキシャル層を１．０ミクロン低温成長さ
せた。堆積条件は、以下のとおりである： ＲＦ周波数： １００MHz 高周波電力： ６００Ｗ 温度： ３００℃ Ａｒガス圧力： ８×１０-3Torr 成長時間： １２０分 ターゲット直流バイアス： −２００Ｖ 基板直流バイアス： ＋５Ｖ 次に、このエピタキシャル層の表面に光学研磨を施した
５００℃近辺に軟化点のあるガラス基板を重ねあわせ、
酸素雰囲気中で４５０℃、０．５時間加熱することによ
り、両者の基板は、強固に接合された。
【０２５９】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グよって除去した。
【０２６０】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹拌しながら選択エッチングした。７８分後には、単
結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉ
をエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選
択エッチングされ、完全に除去された。
【０２６１】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、低融点ガラス基板上に
１．０μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０２６２】また、Ｓｉ3 Ｎ4 層の代わりに、アピエゾ
ンワックス、或いは、エレクトロンワックスを被覆した
場合にも同様の効果があり、多孔質化されたＳｉ基板の
みを完全に除去し得た。 （実施例４４）２００ミクロンの厚みを持ったＮ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ／cm
2 であった。この時の多孔質化速度は、８．４μｍ／mi
n.であり２００ミクロンの厚みを持ったＮ型（１００）
Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。該Ｎ型（１
００）多孔質Ｓｉ基板上に液相成長法により、Ｓｉエピ
タキシャル層を１０ミクロン低温成長させた。成長条件
は、以下のとおりである： 溶媒： Ｓｎ 成長温度： ９００℃ 成長雰囲気： Ｈ2 成長時間： ２０分 次に、このエピタキシャル層の表面に光学研磨を施した
８００℃近辺に軟化点のあるガラス基板を重ねあわせ、
酸素雰囲気中で７５０℃、０．５時間加熱することによ
り、両者の基板は、強固に接合された。
【０２６３】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グよって除去した。
【０２６４】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹拌しながら選択エッチングした。７８分後には、単
結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉ
をエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選
択エッチングされ、完全に除去された。
【０２６５】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、ガラス基板上に１０μｍ
の厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０２６６】また、Ｓｉ3 Ｎ4 層の代わりに、アピエゾ
ンワックスを被覆した場合にも同様の効果があり、多孔
質化されたＳｉ基板のみを完全に除去し得た。 （実施例４５）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ／cm
2 であった。
【０２６７】この時の多孔質化速度は、８．４μｍ／mi
n.であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１００）
Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。該Ｐ型（１
００）多孔質Ｓｉ基板上に減圧ＣＶＤ法により、Ｓｉエ
ピタキシャル層を１．０ミクロン低温成長させた。堆積
条件は、以下のとおりである： ソースガス： SiH4 ８００ SCCM キャリヤーガス： Ｈ2 １５０リットル／min. 温度： ８５０℃ 成長速度： ３．３ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面に光学研磨を施した
溶融石英ガラス基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８０
０℃、０．５時間加熱することにより、両者の基板は、
強固に接合された。
【０２６８】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グよって除去した。
【０２６９】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹拌しながら選択エッチングした。７８分後には、単
結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉ
をエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選
択エッチングされ、完全に除去された。
【０２７０】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、石英ガラス基板上に１．
０μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０２７１】ソースガスとして、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 を用い
た場合には、成長温度を数十度上昇させる必要がある
が、多孔質基板に特有な増速エッチング特性は維持され
た。 （実施例４６）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）Ｓｉ基板上にＣＶＤ法により、Ｓｉエピタキシャ
ル層を１ミクロン成長させた。堆積条件は、以下のとお
りである： 反応ガス流量： ＳｉＨ2 Ｃｌ2 １０００ SCCM Ｈ2 ２３０リットル／min. 温度： １０８０℃ 圧力： ７６０ Torr 時間： ２ min この基板を５０％のＨＦ溶液中において陽極化成を行っ
た。この時の電流密度は、１００ｍＡ／cm2 であった。
又、この時の多孔質化速度は、８．４μｍ／min.であり
２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１００）Ｓｉ基板
全体は、２４分で多孔質化された。前述したようにこの
陽極化成では、Ｐ型（１００）Ｓｉ基板のみが多孔質化
され、Ｓｉエピタキシャル層には変化がなかった。
【０２７２】次に、このエピタキシャル層の表面に光学
研磨を施した溶融石英ガラス基板を重ねあわせ、酸素雰
囲気中で８００℃、０．５時間加熱することにより、両
者の基板は、強固に接合された。
【０２７３】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グよって除去した。
【０２７４】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹拌しながら選択エッチングした。７８分後には、単
結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉ
をエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選
択エッチングされ、完全に除去された。
【０２７５】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、石英ガラス基板上に１μ
ｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０２７６】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例４７）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）Ｓｉ基板上にＣＶＤ法により、Ｓｉエピタキシャ
ル層を０．５ミクロン成長させた。堆積条件は、以下の
とおりである： 反応ガス流量： ＳｉＨ2 Ｃｌ2 １０００ SCCM Ｈ2 ２３０リットル／min. 温度： １０８０℃ 圧力： ８０ Torr 時間： １ min この基板を５０％のＨＦ溶液中において陽極化成を行っ
た。この時の電流密度は、１００ｍＡ／cm2 であった。
又、この時の多孔質化速度は、８．４μｍ／min.であり
２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１００）Ｓｉ基板
全体は、２４分で多孔質化された。前述したようにこの
陽極化成では、Ｐ型（１００）Ｓｉ基板のみが多孔質化
され、Ｓｉエピタキシャル層には変化がなかった。
【０２７７】次に、このエピタキシャル層の表面に光学
研磨を施した溶融石英ガラス基板を重ねあわせ、酸素雰
囲気中で８００℃、０．５時間加熱することにより、両
者の基板は、強固に接合された。
【０２７８】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グよって除去した。
【０２７９】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹拌しながら選択エッチングした。７８分後には、単
結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉ
をエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選
択エッチングされ、完全に除去された。
【０２８０】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、石英ガラス基板上に０．
５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０２８１】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例４８）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）Ｓｉ基板表面にプロトンのイオン注入によって、
Ｎ型Ｓｉ層を１ミクロン形成した。Ｈ+ 注入量は、５×
１０15（ions／cm2 ）であった。
【０２８２】この基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ／cm
2 であった。又、この時の多孔質化速度は、８．４μｍ
／min.であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１０
０）Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。前述し
たようにこの陽極化成では、Ｐ型（１００）Ｓｉ基板の
みが多孔質化され、Ｎ型Ｓｉ層には変化がなかった。
【０２８３】次に、このＮ型Ｓｉ層の表面に光学研磨を
施した溶融石英ガラス基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中
で８００℃、０．５時間加熱することにより、両者の基
板は、強固に接合された。
【０２８４】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グよって除去した。
【０２８５】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹拌しながら選択エッチングした。７８分後には、単
結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉ
をエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選
択エッチングされ、完全に除去された。
【０２８６】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、石英ガラス基板上に１μ
ｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０２８７】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例４９）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中において陽極化成を
行った。陽極化成条件は以下のとおりであった： 印加電圧 ： ２．６（Ｖ） 電流密度 ： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間 ： １．６（時間） 多孔質Ｓｉの厚み： ２００（μｍ） Porosity ： ５６（％） 該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にＭＢＥ（分子線エ
ピタキシー： Molecular Beam Epitaxy ）法により、Ｓ
ｉエピタキシャル層を０．５ミクロン低温成長させた。
堆積条件は次のとおりである： 温度： ７００℃ 圧力： １×１０-9 Torr 成長速度： ０．１ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面に、表面に５０００
オングストローム厚の酸化層を形成した第２のＳｉ基板
を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．５時間加
熱することにより、両者の基板は、強固に接合された。
【０２８８】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹拌しながら選択エッチングした。６２分後には、単
結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉ
をエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選
択エッチングされ、完全に除去された。
【０２８９】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く６２分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉＯ2 層上に０．５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が
形成できた。
【０２９０】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例５０）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板を、実施例４９と同様にしてＨＦ
溶液中において陽極化成を行った。
【０２９１】該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にプラ
ズマＣＶＤ法により、Ｓｉエピタキシャル層を０．５μ
ｍ低温成長させた。堆積条件は、以下のとおりである： ガス： ＳｉＨ4 高周波電力： １００Ｗ 温度： ８００℃ 圧力： １×１０-2 Torr 成長速度： ２．５ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面に、表面に５０００
オングストローム厚の酸化層を形成した第２のＳｉ基板
を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．５時間加
熱することにより、両者の基板は、強固に接合された。
【０２９２】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹拌しながら選択エッチングした。６２分後には、単
結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉ
をエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選
択エッチングされ、完全に除去された。
【０２９３】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く６２分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉＯ2 層上に０．５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が
形成できた。 （実施例５１）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板を、実施例４９と同様にしてＨＦ
溶液中において陽極化成を行った。
【０２９４】該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にバイ
アススパッター法により、Ｓｉエピタキシャル層を０．
５ミクロン低温成長させた。堆積条件は、以下のとおり
である： ＲＦ周波数： １００MHz 高周波電力： ６００Ｗ 温度： ３００℃ Ａｒガス圧力： ８×１０-3 Torr 成長時間： ６０分 ターゲット直流バイアス： −２００Ｖ 基板直流バイアス： ＋５Ｖ 次に、このエピタキシャル層の表面に、表面に５０００
オングストローム厚の酸化層を形成した第２のＳｉ基板
を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．５時間加
熱することにより、両者の基板は、強固に接合された。
【０２９５】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹拌しながら選択エッチングした。６２分後には、単
結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉ
をエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選
択エッチングされ、完全に除去された。
【０２９６】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く６２分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉＯ2 層上に０．５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が
形成できた。 （実施例５２）２００ミクロンの厚みを持ったＮ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板を、実施例４９と同様にしてＨＦ
溶液中において陽極化成を行った。
【０２９７】該Ｎ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上に液相
成長法により、Ｓｉエピタキシャル層を５ミクロン低温
成長させた。成長条件は、以下のとおりである： 溶媒： Ｓｎ 成長温度： ９００℃ 成長雰囲気： Ｈ2 成長時間： １０分 次に、このエピタキシャル層の表面に、表面に５０００
オングストローム厚の酸化層を形成した第２のＳｉ基板
を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．５時間加
熱することにより、両者の基板は、強固に接合された。
【０２９８】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹拌しながら選択エッチングした。６２分後には、単
結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉ
をエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選
択エッチングされ、完全に除去された。
【０２９９】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く６２分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉＯ2 層上に５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成
できた。 （実施例５３）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板を、実施例４９と同様にしてＨＦ
溶液中において陽極化成を行った。
【０３００】該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上に減圧
ＣＶＤ法により、Ｓｉエピタキシャル層を１．０ミクロ
ン低温成長させた。堆積条件は、以下のとおりである： ソースガス： ＳｉＨ4 キャリヤーガス： Ｈ2 温度： ８５０℃ 圧力： １×１０-2 Torr 成長速度： ３．３ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面に、表面に５０００
オングストローム厚の酸化層を形成した第２のＳｉ基板
を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．５時間加
熱することにより、両者の基板は、強固に接合された。
【０３０１】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹拌しながら選択エッチングした。６２分後には、単
結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉ
をエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選
択エッチングされ、完全に除去された。
【０３０２】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く６２分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉＯ2 層上に１．０μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が
形成できた。
【０３０３】ソースガスとして、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 をもち
いた場合には、成長温度を数十度上昇させる必要がある
が、多孔質基板に特有な増速エッチング特性は、維持さ
れた。 （実施例５４）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）Ｓｉ基板上に減圧ＣＶＤ法により、Ｓｉエピタキ
シャル層を１ミクロン成長させた。堆積条件は、以下の
とおりである： 反応ガス流量： ＳｉＨ2 Ｃｌ2 １０００ SCCM Ｈ2 ２３０リットル／min. 温度： １０８０℃ 圧力： ８０ Torr 時間： ２ min この基板を５０％のＨＦ溶液中において陽極化成を行っ
た。この時の電流密度は、１００ｍＡ／cm2 であった。
又、この時の多孔質化速度は、８．４μｍ／min.であり
２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１００）Ｓｉ基板
全体は、２４分で多孔質化された。前述したようにこの
陽極化成では、Ｐ型（１００）Ｓｉ基板のみが多孔質化
され、Ｓｉエピタキシャル層には変化がなかった。
【０３０４】次に、このエピタキシャル層の表面に、表
面に５０００オングストローム厚の酸化層を形成した第
２のＳｉ基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、
０．５時間加熱することにより、両者の基板は、強固に
接合された。
【０３０５】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹拌しながら選択エッチングした。６２分後には、単
結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉ
をエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選
択エッチングされ、完全に除去された。
【０３０６】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く６２分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉＯ2 層上に１．０μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が
形成できた。
【０３０７】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例５５）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）Ｓｉ基板上に常圧ＣＶＤ法により、Ｓｉエピタキ
シャル層を５ミクロン成長させた。堆積条件は、以下の
とおりである： 反応ガス流量： ＳｉＨ2 Ｃｌ2 １０００ SCCM Ｈ2 ２３０リットル／min. 温度： １０８０℃ 圧力： ７６０ Torr 時間： １ min この基板を実施例４９と同様にしてのＨＦ溶液中におい
て陽極化成を行った。前述したようにこの陽極化成で
は、Ｐ型（１００）Ｓｉ基板のみが多孔質化され、Ｓｉ
エピタキシャル層には変化がなかった。
【０３０８】次に、このエピタキシャル層の表面に、表
面に５０００オングストローム厚の酸化層を形成した第
２のＳｉ基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、
０．５時間加熱することにより、両者の基板は、強固に
接合された。
【０３０９】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹拌しながら選択エッチングした。６２分後には、単
結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉ
をエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選
択エッチングされ、完全に除去された。
【０３１０】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く６２分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉＯ2 層上に５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成
できた。
【０３１１】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例５６）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）Ｓｉ基板表面にプロトンのイオン注入によって、
Ｎ型Ｓｉ層を１ミクロン形成した。Ｈ+ 注入量は５×１
０15（ions／cm2 ）であった。
【０３１２】この基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ／cm
2 であった。又、この時の多孔質化速度は、８．４μｍ
／min.であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１０
０）Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。前述し
たようにこの陽極化成では、Ｐ型（１００）Ｓｉ基板の
みが多孔質化され、Ｎ型Ｓｉ層には変化がなかった。
【０３１３】次に、このＮ型Ｓｉ層の表面に、表面に５
０００オングストローム厚の酸化層を形成した第２のＳ
ｉ基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．５
時間加熱することにより、両者の基板は、強固に接合さ
れた。
【０３１４】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹拌しながら選択エッチングした。６２分後には、単
結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉ
をエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選
択エッチングされ、完全に除去された。
【０３１５】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く６２分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉＯ2 層上に１．０μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が
形成できた。
【０３１６】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例５７）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度１００ｍＡ／cm2 で
あった。この時の多孔質化速度は、約８．４μｍ／min.
であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１００）Ｓ
ｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。
【０３１７】該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にＭＢ
Ｅ（分子線エピタキシー：Molecular Beam Epitaxy）法
により、Ｓｉエピタキシャル層を０．５ミクロン低温成
長させた。堆積条件は、以下のとおりである。
【０３１８】温度： ７００℃ 圧力： １×１０-9 Torr 成長速度： ０．１ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面を５０ｎｍ熱酸化し
た。該熱酸化膜上に光学研磨を施した溶融石英ガラスを
重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．５時間加熱
することにより、両者の基板は、強固に接合された。
【０３１９】減圧ＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を０．１
μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆して、多
孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチングよっ
て除去する。
【０３２０】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で選択エッチングする。７８分後には、単結晶Ｓｉ層だ
けがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ス
トップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選択エッチング
され、完全に除去された。
【０３２１】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、石英ガラス基板上に０．
５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０３２２】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例５８）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度１００ｍＡ／cm2 で
あった。この時の多孔質化速度は、約８．４μｍ／min.
であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１００）Ｓ
ｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。該Ｐ型（１０
０）多孔質Ｓｉ基板上にプラズマＣＶＤ法により、Ｓｉ
エピタキシャル層を５ミクロン低温成長させた。堆積条
件は、以下のとおりである。
【０３２３】ガス： ＳｉＨ4 高周波電力： １００Ｗ 温度： ８００℃ 圧力： １×１０-2 Torr 成長速度： ２．５ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面を５０ｎｍ熱酸化し
た。該熱酸化膜上に光学研磨を施した５００℃近辺に軟
化点のあるガラス基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で４
５０℃、０．５時間加熱することにより、両者の基板
は、強固に接合された。
【０３２４】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グよって除去する。
【０３２５】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で選択エッチングする。７８分後には、単結晶Ｓｉ層だ
けがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ス
トップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選択エッチング
され、完全に除去された。
【０３２６】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、低軟化点ガラス基板上に
５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。 （実施例５９）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度１００ｍＡ／cm2 で
あった。この時の多孔質化速度は、約８．４μｍ／min.
であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１００）Ｓ
ｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。該Ｐ型（１０
０）多孔質Ｓｉ基板上に熱ＣＶＤ法により、Ｓｉエピタ
キシャル層を５ミクロン低温成長させた。堆積条件は、
以下のとおりである。
【０３２７】ガス： ＳｉＨ4 （ 0.6 l／min ），Ｈ
2 （ 100 l／min ） 温度： ８５０℃ 圧力： ５０ Torr 成長速度： ０．１μｍ／min 次に、このエピタキシャル層の表面を５０ｎｍ熱酸化し
た。該熱酸化膜上に光学研磨を施した５００℃近辺に軟
化点のあるガラス基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で４
５０℃、０．５時間加熱することにより、両者の基板
は、強固に接合された。
【０３２８】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グよって除去する。
【０３２９】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で選択エッチングする。７８分後には、単結晶Ｓｉ層だ
けがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ス
トップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選択エッチング
され、完全に除去された。
【０３３０】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、低軟化点ガラス基板上に
５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０３３１】また、Ｓｉ3 Ｎ4 層の代わりに、アピエゾ
ンワックス、或いは、エレクトロンワックスを被覆した
場合にも同様の効果があり、多孔質化されたＳｉ基板の
みを完全に除去しえた。 （実施例６０）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度１００ｍＡ／cm2 で
あった。この時の多孔質化速度は、約８．４μｍ／min.
であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１００）Ｓ
ｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。該Ｐ型（１０
０）多孔質Ｓｉ基板上にバイアススパッター法により、
Ｓｉエピタキシャル層を１．０ミクロン低温成長させ
た。堆積条件は、以下のとおりである。
【０３３２】ＲＦ周波数： １００MHz 高周波電力： ６００Ｗ 温度： ３００℃ Ａｒガス圧力： ８×１０-3 Torr 成長時間： １２０分 ターゲット直流バイアス： −２００Ｖ 基板直流バイアス： ＋５Ｖ 次に、このエピタキシャル層の表面を５０ｎｍ熱酸化し
た。該熱酸化膜上に光学研磨を施した５００℃近辺に軟
化点のあるガラス基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で４
５０℃、０．５時間加熱することにより、両者の基板
は、強固に接合された。
【０３３３】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グよって除去する。
【０３３４】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で選択エッチングする。７８分後には、単結晶Ｓｉ層だ
けがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ス
トップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選択エッチング
され、完全に除去された。
【０３３５】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、低融点ガラス基板上に
１．０μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０３３６】また、Ｓｉ3 Ｎ4 層の代わりに、アピエゾ
ンワックス、或いは、エレクトロンワックスを被覆した
場合にも同様の効果があり、多孔質化されたＳｉ基板の
みを完全に除去しえた。 （実施例６１）２００ミクロンの厚みを持ったＮ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度１００ｍＡ／cm2 で
あった。この時の多孔質化速度は、約８．４μｍ／min.
であり２００ミクロンの厚みを持ったＮ型（１００）Ｓ
ｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。該Ｎ型（１０
０）多孔質Ｓｉ基板上に液相成長法により、Ｓｉエピタ
キシャル層を１０ミクロン低温成長させた。成長条件
は、以下のとおりである。
【０３３７】溶媒： Ｓｎ 成長温度： ９００℃ 成長雰囲気： Ｈ2 成長時間： ２０分 次に、このエピタキシャル層の表面を５０ｎｍ熱酸化し
た。該熱酸化膜上に光学研磨を施した８００℃近辺に軟
化点のあるガラス基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で７
５０℃、０．５時間加熱することにより、両者の基板
は、強固に接合された。
【０３３８】減圧ＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を０．１
μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆して、多
孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチングよっ
て除去する。
【０３３９】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で選択エッチングする。７８分後には、単結晶Ｓｉ層だ
けがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ス
トップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選択エッチング
され、完全に除去された。
【０３４０】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、ガラス基板上に１０μｍ
の厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０３４１】また、Ｓｉ3 Ｎ4 層の代わりに、アピエゾ
ンワックス、或いは、エレクトロンワックスを被覆した
場合にも同様の効果があり、多孔質化されたＳｉ基板の
みを完全に除去しえた。 （実施例６２）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）Ｓｉ基板上にＣＶＤ法により、Ｓｉエピタキシャ
ル層を０．５ミクロン成長させた。堆積条件は、以下の
通りである： 反応ガス流量： ＳｉＨ2 Ｃｌ2 １０００ SCCM Ｈ2 ２３０ l／min. 温度： １０８０℃ 圧力： ８０ Torr 時間： １ min． この基板を５０％のＨＦ溶液中において陽極化成を行っ
た。この時の電流密度は、１００ｍＡ／cm2 であった。
この時の多孔質化速度は、約８．４μｍ／min.であり２
００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１００）Ｓｉ基板全
体は、２４分で多孔質化された。前述したようにこの陽
極化成では、Ｐ型（１００）Ｓｉ基板のみが多孔質化さ
れＳｉエピタキシャル層には変化がなかった。
【０３４２】次に、このエピタキシャル層の表面を５０
ｎｍ熱酸化した。該熱酸化膜上に光学研磨を施した溶融
石英ガラス基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００
℃、０．５時間加熱することにより、両者の基板は、強
固に接合された。
【０３４３】減圧ＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を０．１
μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆して、多
孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチングよっ
て除去した。
【０３４４】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で選択エッチングする。７８分後には、単結晶Ｓｉ層だ
けがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ス
トップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選択エッチング
され、完全に除去された。
【０３４５】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、ガラス基板上に０．５μ
ｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０３４６】また、Ｓｉ3 Ｎ4 層の代わりに、アピエゾ
ンワックス、或いは、エレクトロンワックスを被覆した
場合にも同様の効果があり、多孔質化されたＳｉ基板の
みを完全に除去しえる。
【０３４７】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例６３）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）Ｓｉ基板表面にプロトンのイオン注入によって、
Ｎ型Ｓｉ層を１ミクロン形成した。Ｈ+ 注入量は５×１
０15（ions／cm2 ）であった。この基板を５０％のＨＦ
溶液中において陽極化成を行った。この時の電流密度
は、１００ｍＡ／cm2 であった。この時の多孔質化速度
は、約８．４μｍ／min.であり２００ミクロンの厚みを
持ったＰ型（１００）Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質
化された。前述したようにこの陽極化成では、Ｐ型（１
００）Ｓｉ基板のみが多孔質化され、Ｎ型Ｓｉ層には変
化がなかった。次に、このＮ型単結晶層の表面を５０ｎ
ｍ熱酸化した。該熱酸化膜上に光学研磨を施した溶融石
英ガラス基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、
０．５時間加熱することにより、両者の基板は、強固に
接合された。
【０３４８】減圧ＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を０．１
μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆して、多
孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチングよっ
て除去する。その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で選択エッチングする。７８分後には、単結晶Ｓｉ層だ
けがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ス
トップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選択エッチング
され、完全に除去された。
【０３４９】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、ガラス基板上に１．０μ
ｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０３５０】また、Ｓｉ3 Ｎ4 層の代わりに、アピエゾ
ンワックス、或いは、エレクトロンワックスを被覆した
場合にも同様の効果があり、多孔質化されたＳｉ基板の
みを完全に除去しえた。
【０３５１】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例６４）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中において陽極化成を
行った。
【０３５２】陽極化成条件は以下のとおりであった。
【０３５３】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間： １．６（時間） 多孔質Ｓｉの厚み： ２００（μｍ） Porosity： ５６（％） 該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にＭＢＥ（分子線エ
ピタキシー：Molecular Beam Epitaxy）法により、Ｓｉ
エピタキシャル層を０．５ミクロン低温成長させた。堆
積条件は、以下のとおりである。
【０３５４】温度： ７００℃ 圧力： １×１０-9 Torr 成長速度： ０．１ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面に１０００オングス
トロームの酸化層を形成し、その酸化表面に、表面に５
０００オングストロームの酸化層を形成したもう一方の
Ｓｉ基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．
５時間加熱することにより、両者のＳｉ基板は、強固に
接合された。
【０３５５】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹はんしながら選択エッチングする。７８分後には、
単結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は
選択エッチングされ、完全に除去された。
【０３５６】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下程度であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層
におけるエッチング量（数十オングストローム）は実用
上無視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロ
ンの厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去さ
れ、ＳｉＯ2 上に０．５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ
層が形成できた。透過電子顕微鏡による断面観察の結
果、Ｓｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良
好な結晶性が維持されていることが確認された。 （実施例６５）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中において陽極化成を
行った。
【０３５７】陽極化成条件は以下のとおりであった。
【０３５８】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間： １．６（時間） 多孔質Ｓｉの厚み： ２００（μｍ） Porosity： ５６（％） 該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にプラズマＣＶＤ法
により、Ｓｉエピタキシャル層を０．５ミクロン低温成
長させた。堆積条件は、以下のとおりである。
【０３５９】ガス： ＳｉＨ4 高周波電力： １００Ｗ 温度： ８００℃ 圧力： １×１０-2 Torr 成長速度： ２．５ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面に１０００オングス
トロームの酸化層を形成し、その酸化表面に、表面に５
０００オングストロームの酸化層を形成したもう一方の
Ｓｉ基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．
５時間加熱することにより、両者のＳｉ基板は、強固に
接合された。
【０３６０】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹はんしながら選択エッチングする。７８分後には、
単結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は
選択エッチングされ、完全に除去された。非多孔質Ｓｉ
単結晶の該エッチング液にたいするエッチング速度は、
極めて低く７８分後でも５０オングストローム以下程度
であり、多孔質層のエッチング速度との選択比は十の五
乗以上にも達し、非多孔質層におけるエッチング量（数
十オングストローム）は実用上無視できる膜厚減少であ
る。すなわち、２００ミクロンの厚みをもった多孔質化
されたＳｉ基板は、除去され、ＳｉＯ2上に０．５μｍ
の厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。 （実施例６６）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中において陽極化成を
行った。
【０３６１】陽極化成条件は以下のとおりであった。
【０３６２】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間： １．６（時間） 多孔質Ｓｉの厚み： ２００（μｍ） Porosity： ５６（％） 該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にバイアス・スパッ
ター法により、Ｓｉエピタキシャル層を０．５ミクロン
低温成長させた。堆積条件は、以下のとおりである。
【０３６３】ＲＦ周波数： １００MHz 高周波電力： ６００Ｗ 温度： ３００℃ Ａｒガス圧力： ８×１０-3 Torr 成長時間： ６０分 ターゲット直流バイアス： −２００Ｖ 基板直流バイアス： ＋５Ｖ 次に、このエピタキシャル層の表面に１０００オングス
トロームの酸化層を形成し、その酸化表面に、表面に５
０００オングストロームの酸化層を形成したもう一方の
Ｓｉ基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．
５時間加熱することにより、両者のＳｉ基板は、強固に
接合された。
【０３６４】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹はんしながら選択エッチングする。７８分後には、
単結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は
選択エッチングされ、完全に除去された。非多孔質Ｓｉ
単結晶の該エッチング液にたいするエッチング速度は、
極めて低く７８分後でも５０オングストローム以下程度
であり、多孔質層のエッチング速度との選択比は十の五
乗以上にも達し、非多孔質層におけるエッチング量（数
十オングストローム）は実用上無視できる膜厚減少であ
る。すなわち、２００ミクロンの厚みをもった多孔質化
されたＳｉ基板は、除去され、ＳｉＯ2上に０．５μｍ
の厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。 （実施例６７）２００ミクロンの厚みを持ったＮ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中において陽極化成を
行った。
【０３６５】陽極化成条件は以下のとおりであった。
【０３６６】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間： １．６（時間） 多孔質Ｓｉの厚み： ２００（μｍ） Porosity： ５６（％） 該Ｎ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上に液相成長法によ
り、Ｓｉエピタキシャル層を５ミクロン低温成長させ
た。成長条件は、以下のとおりである。
【０３６７】溶媒： Ｓｎ 成長温度： ９００℃ 成長雰囲気： Ｈ2 成長時間： １０分 次に、このエピタキシャル層の表面に１０００オングス
トロームの酸化層を形成し、その酸化表面に、表面に５
０００オングストロームの酸化層を形成したもう一方の
Ｓｉ基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．
５時間加熱することにより、両者のＳｉ基板は、強固に
接合された。
【０３６８】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹はんしながら選択エッチングする。７８分後には、
単結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は
選択エッチングされ、完全に除去された。
【０３６９】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下程度であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層
におけるエッチング量（数十オングストローム）は実用
上無視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロ
ンの厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去さ
れ、ＳｉＯ2 上に５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が
形成できた。 （実施例６８）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中において陽極化成を
行った。
【０３７０】陽極化成条件は以下のとおりであった。
【０３７１】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間： １．６（時間） 多孔質Ｓｉの厚み： ２００（μｍ） Porosity： ５６（％） 該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上に減圧ＣＶＤ法によ
り、Ｓｉエピタキシャル層を１．０ミクロン成長させ
た。堆積条件は、以下のとおりである。
【０３７２】ソースガス： ＳｉＨ4 キャリヤーガス： Ｈ2 温度： ８５０℃ 圧力： １×１０-2 Torr 成長速度： ３．３ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面に１０００オングス
トロームの酸化層を形成し、その酸化表面に、表面に５
０００オングストロームの酸化層を形成したもう一方の
Ｓｉ基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．
５時間加熱することにより、両者のＳｉ基板は、強固に
接合された。
【０３７３】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹はんしながら選択エッチングする。７８分後には、
単結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は
選択エッチングされ、完全に除去された。
【０３７４】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下程度であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層
におけるエッチング量（数十オングストローム）は実用
上無視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロ
ンの厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去さ
れ、ＳｉＯ2 上に１．０μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ
層が形成できた。ソースガスとして、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 を
もちいた場合には、成長温度を数十度上昇させる必要が
あるが、多孔質基板に特有な増速エッチング特性は、維
持された。 （実施例６９）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）Ｓｉ基板上に減圧ＣＶＤ法により、Ｓｉエピタキ
シャル層を１ミクロン成長させた。堆積条件は、以下の
とおりである。
【０３７５】 反応ガス流量： ＳｉＨ2 Ｃｌ2 １０００ SCCM Ｈ2 ２３０ l／min. 温度： １０８０℃ 圧力： ８０ Torr 時間： ２ min． この基板を５０％のＨＦ溶液中において陽極化成を行っ
た。この時の電流密度は、１００ｍＡ／cm2 であった。
又、この時の多孔質化速度は、８．４μｍ／min.であり
２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１００）Ｓｉ基板
全体は、２４分で多孔質化された。前述したようにこの
陽極化成では、Ｐ型（１００）Ｓｉ基板のみが多孔質化
され、Ｓｉエピタキシャル層には変化がなかった。
【０３７６】次に、このエピタキシャル層の表面に１０
００オングストロームの酸化層を形成し、その酸化表面
に、表面に５０００オングストロームの酸化層を形成し
たもう一方のＳｉ基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８
００℃、０．５時間加熱することにより、両者のＳｉ基
板は、強固に接合された。
【０３７７】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹はんしながら選択エッチングする。７８分後には、
単結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は
選択エッチングされ、完全に除去された。
【０３７８】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下程度であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層
におけるエッチング量（数十オングストローム）は実用
上無視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロ
ンの厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去さ
れ、ＳｉＯ2 上に１．０μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ
層が形成できた。
【０３７９】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例７０）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）Ｓｉ基板上に常圧ＣＶＤ法により、Ｓｉエピタキ
シャル層を５ミクロン成長させた。堆積条件は、以下の
とおりである。
【０３８０】 反応ガス流量： ＳｉＨ2 Ｃｌ2 １０００ SCCM Ｈ2 ２３０ l／min. 温度： １０８０℃ 圧力： ７６０ Torr 時間： １ min． 上記Ｓｉ基板をＨＦ溶液中において陽極化成を行った。
【０３８１】陽極化成条件は以下のとおりであった。
【０３８２】印加電圧： ２．６（Ｖ） 電流密度： ３０（ｍＡ・cm-2） 陽極化成溶液： HF:H2O:C2H5OH ＝１：１：１ 時間： １．６（時間） 多孔質Ｓｉの厚み： ２００（μｍ） Porosity： ５６（％） 前述したようにこの陽極化成では、Ｐ型（１００）Ｓｉ
基板のみが多孔質化されＳｉエピタキシャル層には変化
がなかった。
【０３８３】次に、このエピタキシャル層の表面に１０
００オングストロームの酸化層を形成し、その酸化表面
に、表面に５０００オングストロームの酸化層を形成し
たもう一方のＳｉ基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８
００℃、０．５時間加熱することにより、両者のＳｉ基
板は、強固に接合された。
【０３８４】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹はんしながら選択エッチングする。７８分後には、
単結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は
選択エッチングされ、完全に除去された。非多孔質Ｓｉ
単結晶の該エッチング液にたいするエッチング速度は、
極めて低く７８分後でも５０オングストローム以下程度
であり、多孔質層のエッチング速度との選択比は十の五
乗以上にも達し、非多孔質層におけるエッチング量（数
十オングストローム）は実用上無視できる膜厚減少であ
る。すなわち、２００ミクロンの厚みをもった多孔質化
されたＳｉ基板は、除去され、ＳｉＯ2 上に５μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。透過電子顕微鏡
による断面観察の結果、Ｓｉ層には新たな結晶欠陥は導
入されておらず、良好な結晶性が維持されていることが
確認された。 （実施例７１）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）Ｓｉ基板表面にプロトンのイオン注入によって、
Ｎ型Ｓｉ層を１ミクロン形成した。Ｈ+ 注入量は５×１
０15（ions／cm2 ）であった。この基板を５０％のＨＦ
溶液中において陽極化成を行った。この時の電流密度
は、１００ｍＡ／cm2 であった。この時の多孔質化速度
は、８．４μｍ／min.であり、２００ミクロンの厚みを
持ったＰ型（１００）Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質
化された。前述したようにこの陽極化成では、Ｐ型（１
００）Ｓｉ基板のみが多孔質化されＮ型Ｓｉ層には変化
がなかった。
【０３８５】次に、このＮ型Ｓｉ層の表面に１０００オ
ングストロームの酸化層を形成し、その酸化表面に、表
面に５０００オングストローム厚の酸化層を形成したも
う一方のＳｉ基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００
℃、０．５時間加熱することにより、両者のＳｉ基板
は、強固に接合された。
【０３８６】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
で撹はんしながら選択エッチングする。７８分後には、
単結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は
選択エッチングされ、完全に除去された。
【０３８７】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く７８分後でも５０
オングストローム以下程度であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層
におけるエッチング量（数十オングストローム）は実用
上無視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロ
ンの厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去さ
れ、ＳｉＯ2 層上に１．０μｍの厚みを持った単結晶Ｓ
ｉ層が形成できた。
【０３８８】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例７２）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度１００ｍＡ／cm2 で
あった。この時の多孔質化速度は、約８．４μｍ／min.
であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１００）Ｓ
ｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。
【０３８９】該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にＭＢ
Ｅ（分子線エピタキシー：Molecular Beam Epitaxy）法
により、Ｓｉエピタキシャル層を０．５ミクロン低温成
長させた。堆積条件は、以下のとおりである。
【０３９０】温度： ７００℃ 圧力： １×１０-9 Torr 成長速度： ０．１ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面に光学研磨を施した
溶融石英ガラス基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８０
０℃、０．５時間加熱することにより、両者の基板は、
強固に接合された。
【０３９１】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グによって除去した。その後、該貼り合わせた基板を４
９％弗酸とアルコールとの混合液（１０：１）で撹拌す
ることなく選択エッチングした。８２分後には、単結晶
Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉをエ
ッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選択エ
ッチングされ、完全に除去された。
【０３９２】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く８２分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、ガラス基板上に０．５μ
ｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０３９３】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例７３〜実施例８６）実施例４２乃至５５におけ
るエッチング液を実施例７２で使用したものに代え、実
施例４２乃至５５と同様の処理を行った。そうしたとこ
ろ、いずれの実施例においても絶縁性材料上に極めて結
晶欠陥の少ない単結晶Ｓｉ層が形成できた。 （実施例８７）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）Ｓｉ基板表面にプロトンのイオン注入によって、
Ｎ型Ｓｉ層を１ミクロン形成した。Ｈ+ 注入量は５×１
０15（ions／cm2 ）であった。
【０３９４】この基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ／cm
2 であった。又、この時の多孔質化速度は、８．４μｍ
／min.であり、２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。前述
したようにこの陽極化成では、Ｐ型（１００）Ｓｉ基板
のみが多孔質化されＮ型Ｓｉ層には変化がなかった。
【０３９５】次に、このＮ型Ｓｉ層の表面に、表面に５
０００オングストローム厚の酸化層を形成した第２のＳ
ｉ基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．５
時間加熱することにより、両者の基板は、強固に接合さ
れた。
【０３９６】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
とアルコールとの混合液（１０：１）で撹拌することな
く選択エッチングした。８２分後には、単結晶Ｓｉ層だ
けがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ス
トップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選択エッチング
され、完全に除去された。
【０３９７】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く８２分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉＯ2 層上に１．０μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が
形成できた。
【０３９８】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例８８〜実施例１０２）実施例５７乃至７１にお
けるエッチング液を実施例７２で使用したものに代え、
実施例５７乃至７１と同様の処理を行った。そうしたと
ころ、いずれの実施例においても絶縁性材料上に極めて
結晶欠陥の少ない単結晶Ｓｉ層が形成できた。 （実施例１０３）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型
（１００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中におい
て陽極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ
／cm2 であった。この時の多孔質化速度は、８．４μｍ
／min.であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１０
０）Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。
【０３９９】該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にＭＢ
Ｅ（分子線エピタキシー：Molecular Beam Epitaxy）法
により、Ｓｉエピタキシャル層を０．５ミクロン低温成
長させた。堆積条件は、以下のとおりである： 温度： ７００℃ 圧力： １×１０-9 Torr 成長速度： ０．１ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面に光学研磨を施した
溶融石英ガラス基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８０
０℃、０．５時間加熱することにより、両者の基板は、
強固に接合された。
【０４００】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グよって除去した。その後、該貼り合わせた基板を４９
％弗酸と過酸化水素水との混合液（１：５）で撹拌しな
がら選択エッチングした。６２分後には、単結晶Ｓｉ層
だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・
ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選択エッチン
グされ、完全に除去された。
【０４０１】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く６２分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、ガラス基板上に０．５μ
ｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０４０２】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例１０４〜実施例１１８）実施例４２乃至５６に
おけるエッチング液を実施例１０３で使用したものに代
え、実施例４２乃至５６と同様の処理を行った。そうし
たところ、いずれの実施例においても絶縁性材料上に極
めて結晶欠陥の少ない単結晶Ｓｉ層が形成できた。 （実施例１１９）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型
（１００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中におい
て陽極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ
／cm2 であった。この時の多孔質化速度は、約８．４μ
ｍ／min.であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。
【０４０３】該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にＭＢ
Ｅ（分子線エピタキシー：Molecular Beam Epitaxy）法
により、Ｓｉエピタキシャル層を０．５ミクロン低温成
長させた。堆積条件は、以下のとおりである。
【０４０４】温度： ７００℃ 圧力： １×１０-9 Torr 成長速度： ０．１ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面を５０ｎｍ熱酸化し
た。該熱酸化膜上に光学研磨を施した溶融石英ガラス基
板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．５時間
加熱することにより、両者の基板は、強固に接合され
た。
【０４０５】減圧ＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を０．１
μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆して、多
孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチングよっ
て除去する。
【０４０６】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
と過酸化水素水との混合液（１：５）で選択エッチング
する。６２分後には、単結晶Ｓｉ層だけがエッチングさ
れずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料とし
て、多孔質Ｓｉ基板は選択エッチングされ、完全に除去
された。
【０４０７】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く６２分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、石英ガラス基板上に０．
５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０４０８】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例１２０〜実施例１３３）実施例５８乃至７１に
おけるエッチング液を実施例１０３で使用したものに代
え、実施例５８乃至７１と同様の処理を行った。そうし
たところ、いずれの実施例においても絶縁性材料上に極
めて結晶欠陥の少ない単結晶Ｓｉ層が形成できた。 （実施例１３４）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型
（１００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中におい
て陽極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ
／cm2 であった。この時の多孔質化速度は、８．４μｍ
／min.であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１０
０）Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。
【０４０９】該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にＭＢ
Ｅ（分子線エピタキシー：Molecular Beam Epitaxy）法
により、Ｓｉエピタキシャル層を０．５ミクロン低温成
長させた。堆積条件は、以下のとおりである： 温度： ７００℃ 圧力： １×１０-9 Torr 成長速度： ０．１ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面に光学研磨を施した
溶融石英ガラス基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８０
０℃、０．５時間加熱することにより、両者の基板は、
強固に接合された。
【０４１０】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グよって除去した。その後、該貼り合わせた基板を４９
％弗酸とアルコールと過酸化水素水との混合液（１０：
６：５０）で撹拌することなく選択エッチングした。６
５分後には、単結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残
り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔
質Ｓｉ基板は選択エッチングされ、完全に除去された。
【０４１１】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く６５分後でも４０
オングストローム弱程度であり、多孔質層のエッチング
速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層に
おけるエッチング量（数十オングストローム）は実用上
無視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロン
の厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、
Ｓｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、ガラス基板上に０．５
μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０４１２】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例１３５〜実施例１４８）実施例４２乃至５５に
おけるエッチング液を実施例１３４で使用したものに代
え、実施例４２乃至５５と同様の処理を行った。そうし
たところ、いずれの実施例においても絶縁性材料上に極
めて結晶欠陥の少ない単結晶Ｓｉ層が形成できた。 （実施例１４９）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型
（１００）Ｓｉ基板表面にプロトンのイオン注入によっ
て、Ｎ型Ｓｉ層を１ミクロン形成した。Ｈ+ 注入量は５
×１０15（ions／cm2 ）であった。
【０４１３】この基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ／cm
2 であった。この時の多孔質化速度は、８．４μｍ／mi
n.であり、２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１０
０）Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。前述し
たようにこの陽極化成では、Ｐ型（１００）Ｓｉ基板の
みが多孔質化されＮ型Ｓｉ層には変化がなかった。
【０４１４】次に、このＮ型Ｓｉ層の表面に、表面に５
０００オングストローム厚の酸化層を形成した第２のＳ
ｉ基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．５
時間加熱することにより、両者のＳｉ基板は、強固に接
合された。
【０４１５】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
とアルコールと３０％過酸化水素水との混合液（１０：
６：５０）で撹拌することなく選択エッチングした。６
５分後には、単結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残
り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔
質Ｓｉ基板は選択エッチングされ、完全に除去された。
【０４１６】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く６５分後でも５０
オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速
度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層にお
けるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無
視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロンの
厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、Ｓ
ｉＯ2 層上に１．０μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が
形成できた。
【０４１７】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例１５０〜実施例１６４）実施例５７乃至７１に
おけるエッチング液を実施例１３４で使用したものに代
え、実施例５７乃至７１と同様の処理を行った。そうし
たところ、いずれの実施例においても絶縁性材料上に極
めて結晶欠陥の少ない単結晶Ｓｉ層が形成できた。 （実施例１６５）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型
（１００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中におい
て陽極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ
／cm2 であった。この時の多孔質化速度は、８．４μｍ
／min.であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１０
０）Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。
【０４１８】該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にＭＢ
Ｅ（分子線エピタキシー：Molecular Beam Epitaxy）法
により、Ｓｉエピタキシャル層を０．５ミクロン低温成
長させた。堆積条件は、以下のとおりである： 温度： ７００℃ 圧力： １×１０-9 Torr 成長速度： ０．１ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面に光学研磨を施した
溶融石英ガラス基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８０
０℃、０．５時間加熱することにより、両者の基板は、
強固に接合された。
【０４１９】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グよって除去した。その後、該貼り合わせた基板をバッ
ファード弗酸で撹拌しながら選択エッチングした。２５
８分後には、単結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残
り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔
質Ｓｉ基板は選択エッチングされ、完全に除去された。
【０４２０】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く２５８分後でも１
００オングストローム以下であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層
におけるエッチング量（数十オングストローム）は実用
上無視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロ
ンの厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去さ
れ、Ｓｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、ガラス基板上に
０．５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０４２１】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例１６６〜実施例１８０）実施例４２乃至５６に
おけるエッチング液を実施例１６５で使用したものに代
え、実施例４２乃至５６と同様の処理を行った。そうし
たところ、いずれの実施例においても絶縁性材料上に極
めて結晶欠陥の少ない単結晶Ｓｉ層が形成できた。 （実施例１８１）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型
（１００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中におい
て陽極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ
／cm2 であった。この時の多孔質化速度は、約８．４μ
ｍ／min.であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。
【０４２２】該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にＭＢ
Ｅ（分子線エピタキシー：Molecular Beam Epitaxy）法
により、Ｓｉエピタキシャル層を０．５ミクロン低温成
長させた。堆積条件は、以下のとおりである： 温度： ７００℃ 圧力： １×１０-9 Torr 成長速度： ０．１ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面を５０ｎｍ熱酸化し
た。該熱酸化膜上に光学研磨を施した溶融石英ガラス基
板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．５時間
加熱することにより、両者の基板は、強固に接合され
た。
【０４２３】減圧ＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を０．１
μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆して、多
孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチングよっ
て除去する。
【０４２４】その後、該貼り合わせた基板をバッファー
ド弗酸に浸潤し、撹拌した。２５８分後には、単結晶Ｓ
ｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッ
チ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選択エッ
チングされ、完全に除去された。
【０４２５】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く２５８分後でも１
００オングストローム以下であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層
におけるエッチング量（数十オングストローム）は実用
上無視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロ
ンの厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去さ
れ、Ｓｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、石英ガラス基板上
に０．５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成でき
た。
【０４２６】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例１８２〜実施例１９５）実施例５８乃至７１に
おけるエッチング液を実施例１６５で使用したものに代
え、実施例５８乃至７１と同様の処理を行った。そうし
たところ、いずれの実施例においても絶縁性材料上に極
めて結晶欠陥の少ない単結晶Ｓｉ層が形成できた。 （実施例１９６）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型
（１００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中におい
て陽極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ
／cm2 であった。この時の多孔質化速度は、８．４μｍ
／min.であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１０
０）Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。
【０４２７】該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にＭＢ
Ｅ（分子線エピタキシー：Molecular Beam Epitaxy）法
により、Ｓｉエピタキシャル層を０．５ミクロン低温成
長させた。堆積条件は、以下のとおりである： 温度： ７００℃ 圧力： １×１０-9 Torr 成長速度： ０．１ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面に光学研磨を施した
溶融石英ガラス基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８０
０℃、０．５時間加熱することにより、両者の基板は、
強固に接合された。
【０４２８】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グよって除去した。その後、該貼り合わせた基板をバッ
ファード弗酸とアルコールとの混合液（１０：１）で撹
拌することなく選択エッチングした。２７５分後には、
単結晶Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は
選択エッチングされ、完全に除去された。
【０４２９】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く２７５分後でも１
００オングストローム以下であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層
におけるエッチング量（数十オングストローム）は実用
上無視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロ
ンの厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去さ
れ、Ｓｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、ガラス基板上に
０．５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０４３０】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例１９７〜実施例２１０）実施例４２乃至５５に
おけるエッチング液を実施例１９６で使用したものに代
え、実施例４２乃至５５と同様の処理を行った。そうし
たところ、いずれの実施例においても絶縁性材料上に極
めて結晶欠陥の少ない単結晶Ｓｉ層が形成できた。 （実施例２１１）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型
（１００）Ｓｉ基板表面にプロトンのイオン注入によっ
て、Ｎ型Ｓｉ層を１ミクロン形成した。Ｈ+ 注入量は５
×１０15（ions／cm2 ）であった。
【０４３１】この基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ／cm
2 であった。この時の多孔質化速度は、８．４μｍ／mi
n.であり、２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１０
０）Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。前述し
たようにこの陽極化成では、Ｐ型（１００）Ｓｉ基板の
みが多孔質化されＮ型Ｓｉ層には変化がなかった。
【０４３２】次に、このＮ型Ｓｉ層の表面に、表面に５
０００オングストローム厚の酸化層を形成した第２のＳ
ｉ基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．５
時間加熱することにより、両者の基板は、強固に接合さ
れた。
【０４３３】その後、該貼り合わせた基板をバッファー
ド弗酸（ＨＦ：４．４６％，ＮＨ4Ｆ：３６．２％）と
エチルアルコールとの混合液（１０：１）で撹拌するこ
となく選択エッチングした。２７５分後には、単結晶Ｓ
ｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッ
チ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選択エッ
チングされ、完全に除去された。
【０４３４】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く２７５分後でも４
０オングストローム弱程度であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層
におけるエッチング量（数十オングストローム）は実用
上無視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロ
ンの厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去さ
れ、ＳｉＯ2 層上に１．０μｍの厚みを持った単結晶Ｓ
ｉ層が形成できた。
【０４３５】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例２１２〜実施例２２６）実施例５７乃至７１に
おけるエッチング液を実施例１９６で使用したものに代
え、実施例５７乃至７１と同様の処理を行った。そうし
たところ、いずれの実施例においても絶縁性材料上に極
めて結晶欠陥の少ない単結晶Ｓｉ層が形成できた。 （実施例２２７）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型
（１００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中におい
て陽極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ
／cm2 であった。この時の多孔質化速度は、８．４μｍ
／min.であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１０
０）Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。
【０４３６】該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にＭＢ
Ｅ（分子線エピタキシー：Molecular Beam Epitaxy）法
により、Ｓｉエピタキシャル層を０．５ミクロン低温成
長させた。堆積条件は、以下のとおりである： 温度： ７００℃ 圧力： １×１０-9 Torr 成長速度： ０．１ nm ／sec 時間加熱することにより、両者の基板は、強固に接合さ
れた。
【０４３７】減圧ＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を０．１
μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆して、多
孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチングよっ
て除去する。
【０４３８】その後、該貼り合わせた基板をバッファー
ド弗酸と過酸化水素水との混合液（１：５）に浸潤し、
撹拌した。１９０分後には、単結晶Ｓｉ層だけがエッチ
ングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材
料として、多孔質Ｓｉ基板は選択エッチングされ、完全
に除去された。
【０４３９】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く１９０分後でも７
０オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング
速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層に
おけるエッチング量（数十オングストローム）は実用上
無視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロン
の厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去され、
Ｓｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、石英ガラス基板上に
０．５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０４４０】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例２４４〜実施例２５７）実施例５８乃至７１に
おけるエッチング液を実施例２４３で使用したものに代
え、実施例５８乃至７１と同様の処理を行った。そうし
たところ、いずれの実施例においても絶縁性材料上に極
めて結晶欠陥の少ない単結晶Ｓｉ層が形成できた。 （実施例２５８）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型
（１００）単結晶Ｓｉ基板を５０％のＨＦ溶液中におい
て陽極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ
／cm2 であった。この時の多孔質化速度は、８．４μｍ
／min.であり２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１０
０）Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。
【０４４１】該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上にＭＢ
Ｅ（分子線エピタキシー：Molecular Beam Epitaxy）法
により、Ｓｉエピタキシャル層を０．５ミクロン低温成
長させた。堆積条件は、以下のとおりである： 温度： ７００℃ 圧力： １×１０-9 Torr 成長速度： ０．１ nm ／sec 次に、このエピタキシャル層の表面に光学研磨を施した
溶融石英ガラス基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８０
０℃、０．５時間加熱することにより、両者の基板は、
強固に接合された。
【０４４２】プラズマＣＶＤ法によってＳｉ3 Ｎ4 を
０．１μｍ堆積して、貼りあわせた２枚の基板を被覆し
て、多孔質基板上の窒化膜のみを反応性イオンエッチン
グよって除去した。その後、該貼り合わせた基板をバッ
ファード弗酸とアルコールと過酸化水素水との混合液
（１０：６：５０）で撹拌することなく選択エッチング
した。２０５分後には、単結晶Ｓｉ層だけがエッチング
されずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料と
して、多孔質Ｓｉ基板は選択エッチングされ、完全に除
去された。
【０４４３】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く２０５分後でも４
０オングストローム弱程度であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層
におけるエッチング量（数十オングストローム）は実用
上無視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロ
ンの厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去さ
れ、Ｓｉ3 Ｎ4 層を除去した後には、ガラス基板上に
０．５μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０４４４】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例２５９〜実施例２７２）実施例４２乃至５５に
おけるエッチング液を実施例２５８で使用したものに代
え、実施例４２乃至５５と同様の処理を行った。そうし
たところ、いずれの実施例においても絶縁性材料上に極
めて結晶欠陥の少ない単結晶Ｓｉ層が形成できた。 （実施例２７３）２００ミクロンの厚みを持ったＰ型
（１００）Ｓｉ基板表面にプロトンのイオン注入によっ
て、Ｎ型Ｓｉ層を１ミクロン形成した。Ｈ+ 注入量は５
×１０15（ions／cm2 ）であった。
【０４４５】この基板を５０％のＨＦ溶液中において陽
極化成を行った。この時の電流密度は、１００ｍＡ／cm
2 であった。又、この時の多孔質化速度は、８．４μｍ
／min.であり、２００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１
００）Ｓｉ基板全体は、２４分で多孔質化された。前述
したようにこの陽極化成では、Ｐ型（１００）Ｓｉ基板
のみが多孔質化されＮ型Ｓｉ層には変化がなかった。
【０４４６】次に、このＮ型Ｓｉ層の表面に、表面に５
０００オングストローム厚の酸化層を形成した第２のＳ
ｉ基板を重ねあわせ、酸素雰囲気中で８００℃、０．５
時間加熱することにより、両者の基板は、強固に接合さ
れた。
【０４４７】その後、該貼り合わせた基板をバッファー
ド弗酸（ＨＦ：４．４６％，ＮＨ4Ｆ：３６．２％）と
エチルアルコールと３０％過酸化水素水との混合液（１
０：６：５０）で撹拌することなく選択エッチングし
た。１８０分後には、単結晶Ｓｉ層だけがエッチングさ
れずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料とし
て、多孔質Ｓｉ基板は選択エッチングされ、完全に除去
された。
【０４４８】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液にた
いするエッチング速度は、極めて低く１８０分後でも４
０オングストローム弱程度であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質層
におけるエッチング量（数十オングストローム）は実用
上無視できる膜厚減少である。すなわち、２００ミクロ
ンの厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は、除去さ
れ、ＳｉＯ2 層上に１．０μｍの厚みを持った単結晶Ｓ
ｉ層が形成できた。
【０４４９】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。 （実施例２７４〜実施例２８８）実施例５７乃至７１に
おけるエッチング液を実施例２７３で使用したものに代
え、実施例５７乃至７１と同様の処理を行った。そうし
たところ、いずれの実施例においても絶縁性材料上に極
めて結晶欠陥の少ない単結晶Ｓｉ層が形成できた。
【０４５０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の多
孔質Ｓｉのエッチング液によれば、半導体プロセス上の
汚染の危険がなく、多孔質Ｓｉを均一に効率よくエッチ
ングすることができる。
【０４５１】又、本発明のエッチング方法によれば、通
常の半導体プロセスに適用でき、かつ、非多孔質Ｓｉを
エッチングしない化学エッチング液を使用するため、非
多孔質Ｓｉと同一基体に設けられた多孔質Ｓｉを、高精
度に、且つ選択的にエッチング除去することができる。
【０４５２】更に、本発明の半導体基材の作製方法によ
れば、ガラスに代表される光透過性絶縁物基体をはじめ
とする絶縁性基体上に結晶性が単結晶ウエハー並に優れ
たＳｉ結晶層を得るうえで、生産性、均一性、制御性、
経済性の面において卓越した方法を提供することができ
る。
【０４５３】更に本発明によれば、従来のＳＯＩデバイ
スの利点を実現し、種々の分野に応用可能な半導体基材
の作製方法を提供することができる。
【０４５４】また、本発明の半導体基材の作製方法によ
れば、ＳＯＩ構造の大規模集積回路を作製する際に使用
される高価なＳＯＳや、ＳＩＭＯＸの代替足り得る半導
体基材の作製方法を提供することができる。
【０４５５】加えて、本発明の半導体基材の作製方法に
よれば、元々良質な単結晶Ｓｉ基板を出発材料として、
単結晶層を表面にのみに残して下部のＳｉ基板を化学的
に除去して絶縁物層上に移設させるため、多数処理を短
時間に行うことが可能となり、その生産性と経済性にも
優れる。
【０４５６】更に、本発明の半導体基材の作製方法によ
れば、多孔質Ｓｉのエッチングにおいて、半導体プロセ
ス上悪影響を及ぼさない化学エッチング液を用いること
ができ、且つ多孔質Ｓｉと非多孔質Ｓｉとのエッチング
の選択比を５桁以上もとることができ、制御性、生産性
に極めて優れた方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ），（Ｂ）は、本発明のエッチング液を用
いたエッチング工程を説明するための模式図である。
【図２】（Ａ），（Ｂ）は、本発明のエッチング液を用
いたエッチング工程を説明するための模式図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明のエッチング液を用
いたエッチング工程を説明するための模式図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明のエッチング液を用
いたエッチング工程を説明するための模式図である。
【図５】（Ａ），（Ｂ）は、本発明のエッチング液を用
いたエッチング工程を説明するための模式図である。
【図６】（Ａ），（Ｂ）は、本発明のエッチング液を用
いたエッチング工程を説明するための模式図である。
【図７】本発明のエッチング液を用いた場合の多孔質Ｓ
ｉと非多孔質Ｓｉのエッチング特性を示すグラフであ
る。
【図８】本発明のエッチング液を用いた場合の多孔質Ｓ
ｉと非多孔質Ｓｉのエッチング特性を示すグラフであ
る。
【図９】本発明のエッチング液を用いた場合の多孔質Ｓ
ｉと非多孔質Ｓｉのエッチング特性を示すグラフであ
る。
【図１０】本発明のエッチング液を用いた場合の多孔質
Ｓｉと非多孔質Ｓｉのエッチング特性を示すグラフであ
る。
【図１１】本発明のエッチング液を用いた場合の多孔質
Ｓｉと非多孔質Ｓｉのエッチング特性を示すグラフであ
る。
【図１２】本発明のエッチング液を用いた場合の多孔質
Ｓｉと非多孔質Ｓｉのエッチング特性を示すグラフであ
る。
【図１３】本発明のエッチング液を用いた場合の多孔質
Ｓｉと非多孔質Ｓｉのエッチング特性を示すグラフであ
る。
【図１４】本発明のエッチング液を用いた場合の多孔質
Ｓｉと非多孔質Ｓｉのエッチング特性を示すグラフであ
る。
【図１５】本発明のエッチング液を用いて多孔質Ｓｉを
エッチングする際のエッチングされた多孔質Ｓｉの厚
と、時間との関係を示すグラフである。
【図１６】本発明のエッチング液を用いて多孔質Ｓｉを
エッチングする際のエッチングされた多孔質Ｓｉの厚
と、時間との関係を示すグラフである。
【図１７】本発明のエッチング液を用いて多孔質Ｓｉを
エッチングする際のエッチングされた多孔質Ｓｉの厚
と、時間との関係を示すグラフである。
【図１８】本発明のエッチング液を用いて多孔質Ｓｉを
エッチングする際のエッチングされた多孔質Ｓｉの厚
と、時間との関係を示すグラフである。
【図１９】本発明のエッチング液を用いて多孔質Ｓｉを
エッチングする際のエッチングされた多孔質Ｓｉの厚
と、時間との関係を示すグラフである。
【図２０】本発明のエッチング液を用いて多孔質Ｓｉを
エッチングする際のエッチングされた多孔質Ｓｉの厚
と、時間との関係を示すグラフである。
【図２１】本発明のエッチング液を用いて多孔質Ｓｉを
エッチングする際のエッチングされた多孔質Ｓｉの厚
と、時間との関係を示すグラフである。
【図２２】本発明のエッチング液を用いて多孔質Ｓｉを
エッチングする際のエッチングされた多孔質Ｓｉの厚
と、時間との関係を示すグラフである。
【図２３】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の半導体基材の作
製方法の工程を説明するための模式図である。
【図２４】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の半導体基材の作
製方法の工程を説明するための模式図である。
【図２５】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の半導体基材の作
製方法の工程を説明するための模式図である。
【図２６】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の半導体基材の作
製方法の工程を説明するための模式図である。
【図２７】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の半導体基材の作
製方法の工程を説明するための模式図である。
【図２８】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の半導体基材の作
製方法の工程を説明するための模式図である。
【図２９】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の半導体基材の作
製方法の工程を説明するための模式図である。
【符号の説明】
２１ 多孔質Ｓｉ ２２ 単結晶Ｓｉ基板 ３１ 多孔質Ｓｉ ３２ 単結晶Ｓｉ基板 ４１ 多結晶Ｓｉ層 ４２ 単結晶Ｓｉ基板 ４３ 多孔質Ｓｉ層 ５１ 多結晶Ｓｉ層 ５２ 単結晶Ｓｉ基板 ５３ 多孔質Ｓｉ層 ６１ 多孔質Ｓｉ層 ６２ 単結晶Ｓｉ基板 ６３ レジスト ７１ 多孔質Ｓｉ基板 ７２ 薄膜単結晶Ｓｉ層 ７３ 光透過性基板 ７４ Ｓｉ3 Ｎ4 層 ８１ Ｐ型Ｓｉ単結晶基板 ８２ Ｎ型単結晶層 ８３ 多孔質Ｓｉ基板 ８４ 光透過性基板 ８５ Ｓｉ3 Ｎ4 層 ９１ Ｐ型（又は高濃度Ｎ型）Ｓｉ単結晶基板 ９２ 薄膜単結晶Ｓｉ層 ９３ Ｓｉ基板 ９４ 絶縁物層 １０１ Ｐ型（又は高濃度Ｎ型）Ｓｉ単結晶基板 １０２ Ｎ型単結晶層 １０３ 多孔質Ｓｉ基板 １０４ Ｓｉ基板 １０５ 絶縁物層 １１１ 多孔質Ｓｉ基板 １１２ 薄膜単結晶Ｓｉ層 １１３ 光透過性基板 １１４ 酸化層 １１５ Ｓｉ3 Ｎ4 層 １２１ 多孔質Ｓｉ基板 １２２ 薄膜単結晶Ｓｉ層 １２３ Ｓｉ基板 １２４ 絶縁物 １２５ 酸化層 １３１ Ｐ型Ｓｉ単結晶基板 １３２ Ｎ型単結晶層 １３３ 多孔質Ｓｉ基板 １３４ Ｓｉ基板 １３５ 絶縁物 １３６ 酸化層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平3−55602 (32)優先日 平３(1991)２月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−55603 (32)優先日 平３(1991)２月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−55604 (32)優先日 平３(1991)２月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−55605 (32)優先日 平３(1991)２月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−55606 (32)優先日 平３(1991)２月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−55607 (32)優先日 平３(1991)２月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−55608 (32)優先日 平３(1991)２月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−55609 (32)優先日 平３(1991)２月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−55610 (32)優先日 平３(1991)２月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−55611 (32)優先日 平３(1991)２月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−55612 (32)優先日 平３(1991)２月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−55613 (32)優先日 平３(1991)２月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−55614 (32)優先日 平３(1991)２月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−85755 (32)優先日 平３(1991)３月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−148160 (32)優先日 平３(1991)５月24日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−148161 (32)優先日 平３(1991)５月24日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−148163 (32)優先日 平３(1991)５月24日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−148164 (32)優先日 平３(1991)５月24日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−149297 (32)優先日 平３(1991)５月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−149298 (32)優先日 平３(1991)５月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−149299 (32)優先日 平３(1991)５月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−149300 (32)優先日 平３(1991)５月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−149301 (32)優先日 平３(1991)５月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−149302 (32)優先日 平３(1991)５月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−149306 (32)優先日 平３(1991)５月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−149307 (32)優先日 平３(1991)５月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−149308 (32)優先日 平３(1991)５月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−149309 (32)優先日 平３(1991)５月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−149310 (32)優先日 平３(1991)５月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−149311 (32)優先日 平３(1991)５月27日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−150980 (32)優先日 平３(1991)５月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−150981 (32)優先日 平３(1991)５月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−150982 (32)優先日 平３(1991)５月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−150983 (32)優先日 平３(1991)５月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−150984 (32)優先日 平３(1991)５月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−150985 (32)優先日 平３(1991)５月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−150989 (32)優先日 平３(1991)５月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−150990 (32)優先日 平３(1991)５月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−150991 (32)優先日 平３(1991)５月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−150992 (32)優先日 平３(1991)５月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−150993 (32)優先日 平３(1991)５月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−150994 (32)優先日 平３(1991)５月28日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−152248 (32)優先日 平３(1991)５月29日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−152249 (32)優先日 平３(1991)５月29日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−152250 (32)優先日 平３(1991)５月29日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−152251 (32)優先日 平３(1991)５月29日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ）

Claims (56)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 弗酸をエッチング液とすることを特徴と
    する多孔質Ｓｉの化学エッチング液。
  2. 【請求項２】 弗酸とアルコールとの混合液をエッチン
    グ液とすることを特徴とする多孔質Ｓｉの化学エッチン
    グ液。
  3. 【請求項３】 弗酸と過酸化水素水との混合液をエッチ
    ング液とすることを特徴とする多孔質Ｓｉの化学エッチ
    ング液。
  4. 【請求項４】 弗酸とアルコールと過酸化水素水との混
    合液をエッチング液とすることを特徴とする多孔質Ｓｉ
    の化学エッチング液。
  5. 【請求項５】 バッファード弗酸をエッチング液とする
    ことを特徴とする多孔質Ｓｉの化学エッチング液。
  6. 【請求項６】 バッファード弗酸とアルコールとの混合
    液をエッチング液とすることを特徴とする多孔質Ｓｉの
    化学エッチング液。
  7. 【請求項７】 バッファード弗酸と過酸化水素水との混
    合液をエッチング液とすることを特徴とする多孔質Ｓｉ
    の化学エッチング液。
  8. 【請求項８】 バッファード弗酸とアルコールと過酸化
    水素水との混合液をエッチング液とすることを特徴とす
    る多孔質Ｓｉの化学エッチング液。
  9. 【請求項９】 弗酸をエッチング液とすることを特徴と
    する多孔質Ｓｉの化学エッチング方法。
  10. 【請求項１０】 弗酸とアルコールとの混合液をエッチ
    ング液とすることを特徴とする多孔質Ｓｉの化学エッチ
    ング方法。
  11. 【請求項１１】 弗酸と過酸化水素水との混合液をエッ
    チング液とすることを特徴とする多孔質Ｓｉの化学エッ
    チング方法。
  12. 【請求項１２】 弗酸とアルコールと過酸化水素水との
    混合液をエッチング液とすることを特徴とする多孔質Ｓ
    ｉの化学エッチング方法。
  13. 【請求項１３】 バッファード弗酸をエッチング液とす
    ることを特徴とする多孔質Ｓｉの化学エッチング方法。
  14. 【請求項１４】 バッファード弗酸とアルコールとの混
    合液をエッチング液とすることを特徴とする多孔質Ｓｉ
    の化学エッチング方法。
  15. 【請求項１５】 バッファード弗酸と過酸化水素水との
    混合液をエッチング液とすることを特徴とする多孔質Ｓ
    ｉの化学エッチング方法。
  16. 【請求項１６】 バッファード弗酸とアルコールと過酸
    化水素水との混合液をエッチング液とすることを特徴と
    する多孔質Ｓｉの化学エッチング方法。
  17. 【請求項１７】 半導体基材の作製方法において、 非多孔質シリコン単結晶層と多孔質シリコン層とを有す
    る基体を形成し、 該単結晶層の表面に絶縁性材料表面を有する基体を接合
    し、 該多孔質シリコン層を弗酸に浸すことによりエッチング
    除去することを特徴とする半導体基材の作製方法。
  18. 【請求項１８】 半導体基材の作製方法において、 非多孔質シリコン単結晶層と多孔質シリコン層とを有す
    る基体を形成し、 該単結晶層の表面に絶縁性材料表面を有する基体を接合
    し、 該多孔質シリコン層を弗酸とアルコールとの混合液に浸
    すことによりエッチング除去することを特徴とする半導
    体基材の作製方法。
  19. 【請求項１９】 半導体基材の作製方法において、 非多孔質シリコン単結晶層と多孔質シリコン層とを有す
    る基体を形成し、 該単結晶層の表面に絶縁性材料表面を有する基体を接合
    し、 該多孔質シリコン層を弗酸と過酸化水素水との混合液に
    浸すことによりエッチング除去することを特徴とする半
    導体基材の作製方法。
  20. 【請求項２０】 半導体基材の作製方法において、 非多孔質シリコン単結晶層と多孔質シリコン層とを有す
    る基体を形成し、 該単結晶層の表面に絶縁性材料表面を有する基体を接合
    し、 該多孔質シリコン層を弗酸とアルコールと過酸化水素水
    との混合液に浸すことによりエッチング除去することを
    特徴とする半導体基材の作製方法。
  21. 【請求項２１】 半導体基材の作製方法において、 非多孔質シリコン単結晶層と多孔質シリコン層とを有す
    る基体を形成し、 該単結晶層の表面に絶縁性材料表面を有する基体を接合
    し、 該多孔質シリコン層をバッファード弗酸に浸すことによ
    りエッチング除去することを特徴とする半導体基材の作
    製方法。
  22. 【請求項２２】 半導体基材の作製方法において、 非多孔質シリコン単結晶層と多孔質シリコン層とを有す
    る基体を形成し、 該単結晶層の表面に絶縁性材料表面を有する基体を接合
    し、 該多孔質シリコン層をバッファード弗酸とアルコールと
    の混合液に浸すことによりエッチング除去することを特
    徴とする半導体基材の作製方法。
  23. 【請求項２３】 半導体基材の作製方法において、 非多孔質シリコン単結晶層と多孔質シリコン層とを有す
    る基体を形成し、 該単結晶層の表面に絶縁性材料表面を有する基体を接合
    し、 該多孔質シリコン層をバッファード弗酸と過酸化水素水
    との混合液に浸すことによりエッチング除去することを
    特徴とする半導体基材の作製方法。
  24. 【請求項２４】 半導体基材の作製方法において、 非多孔質シリコン単結晶層と多孔質シリコン層とを有す
    る基体を形成し、 該単結晶層の表面に絶縁性材料表面を有する基体を接合
    し、 該多孔質シリコン層をバッファード弗酸とアルコールと
    過酸化水素水との混合液に浸すことによりエッチング除
    去することを特徴とする半導体基材の作製方法。
  25. 【請求項２５】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面を光透過性基体に貼り合わせる工程と、前記多孔質
    化したシリコン基体を弗酸に浸すことによって多孔質シ
    リコンを化学エッチング除去する多孔質シリコンの選択
    エッチング工程と、を有することを特徴とする半導体基
    材の作製方法。
  26. 【請求項２６】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面を、表面に絶縁物を有するもう一方のシリコン基体
    に貼り合わせる工程と、前記多孔質化したシリコン基体
    を弗酸に浸すことによって多孔質シリコンを化学エッチ
    ング除去する多孔質シリコンの選択エッチング工程と、
    を有することを特徴とする半導体基材の作製方法。
  27. 【請求項２７】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面に酸化層を形成する工程と、この酸化層表面を光透
    過性基体に貼り合わせ、弗酸に浸すことによって多孔質
    化したシリコン基体を化学エッチングにより除去する工
    程と、を有することを特徴とする半導体基材の作製方
    法。
  28. 【請求項２８】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面に酸化層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単
    結晶層上の酸化層表面を、表面に絶縁物を有するもう一
    方のシリコン基体に貼り合わせたのち、弗酸に浸すこと
    によって該多孔質化したシリコン基体を化学エッチング
    により除去する工程と、を有することを特徴とする半導
    体基材の作製方法。
  29. 【請求項２９】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面を光透過性基体に貼り合わせる工程と、前記多孔質
    化したシリコン基体を弗酸とアルコールとの混合液に浸
    すことによって多孔質シリコンを化学エッチング除去す
    る多孔質シリコンの選択エッチング工程と、を有するこ
    とを特徴とする半導体基材の作製方法。
  30. 【請求項３０】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面を、表面に絶縁物を有するもう一方のシリコン基体
    に貼り合わせる工程と、前記多孔質化したシリコン基体
    を弗酸とアルコールとの混合液に浸すことによって多孔
    質シリコンを化学エッチング除去する多孔質シリコンの
    選択エッチング工程と、を有することを特徴とする半導
    体基材の作製方法。
  31. 【請求項３１】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面に酸化層を形成する工程と、この酸化層表面を光透
    過性基体に貼り合わせ、弗酸とアルコールとの混合液に
    浸すことによって多孔質化したシリコン基体を化学エッ
    チングにより除去する工程と、を有することを特徴とす
    る半導体基材の作製方法。
  32. 【請求項３２】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面に酸化層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単
    結晶層上の酸化層表面を、表面に絶縁物を有するもう一
    方のシリコン基体に貼り合わせたのち、弗酸とアルコー
    ルとの混合液に浸すことによって該多孔質化したシリコ
    ン基体を化学エッチングにより除去する工程と、を有す
    ることを特徴とする半導体基材の作製方法。
  33. 【請求項３３】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面を光透過性基体に貼り合わせる工程と、前記多孔質
    化したシリコン基体を弗酸と過酸化水素水との混合液に
    浸すことによって多孔質シリコンを化学エッチング除去
    する多孔質シリコンの選択エッチング工程と、を有する
    ことを特徴とする半導体基材の作製方法。
  34. 【請求項３４】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面を、表面に絶縁物を有するもう一方のシリコン基体
    に貼り合わせる工程と、前記多孔質化したシリコン基体
    を弗酸と過酸化水素水との混合液に浸すことによって多
    孔質シリコンを化学エッチング除去する多孔質シリコン
    の選択エッチング工程と、を有することを特徴とする半
    導体基材の作製方法。
  35. 【請求項３５】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面に酸化層を形成する工程と、この酸化層表面を光透
    過性基体に貼り合わせ、弗酸と過酸化水素水との混合液
    に浸すことによって多孔質化したシリコン基体を化学エ
    ッチングにより除去する工程と、を有することを特徴と
    する半導体基材の作製方法。
  36. 【請求項３６】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面に酸化層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単
    結晶層上の酸化層表面を、表面に絶縁物を有するもう一
    方のシリコン基体に貼り合わせたのち、弗酸と過酸化水
    素水との混合液に浸すことによって該多孔質化したシリ
    コン基体を化学エッチングにより除去する工程と、を有
    することを特徴とする半導体基材の作製方法。
  37. 【請求項３７】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面を光透過性基体に貼り合わせる工程と、前記多孔質
    化したシリコン基体を弗酸とアルコールと過酸化水素水
    との混合液に浸すことによって多孔質シリコンを化学エ
    ッチング除去する多孔質シリコンの選択エッチング工程
    と、を有することを特徴とする半導体基材の作製方法。
  38. 【請求項３８】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面を、表面に絶縁物を有するもう一方のシリコン基体
    に貼り合わせる工程と、前記多孔質化したシリコン基体
    を弗酸とアルコールと過酸化水素水との混合液に浸すこ
    とによって多孔質シリコンを化学エッチング除去する多
    孔質シリコンの選択エッチング工程と、を有することを
    特徴とする半導体基材の作製方法。
  39. 【請求項３９】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面に酸化層を形成する工程と、この酸化層表面を光透
    過性基体に貼り合わせ、弗酸とアルコールと過酸化水素
    水との混合液に浸すことによって多孔質化したシリコン
    基体を化学エッチングにより除去する工程と、を有する
    ことを特徴とする半導体基材の作製方法。
  40. 【請求項４０】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面に酸化層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単
    結晶層上の酸化層表面を、表面に絶縁物を有するもう一
    方のシリコン基体に貼り合わせたのち、弗酸とアルコー
    ルと過酸化水素水との混合液に浸すことによって該多孔
    質化したシリコン基体を化学エッチングにより除去する
    工程と、を有することを特徴とする半導体基材の作製方
    法。
  41. 【請求項４１】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面を光透過性基体に貼り合わせる工程と、前記多孔質
    化したシリコン基体をバッファード弗酸に浸すことによ
    って多孔質シリコンを化学エッチング除去する多孔質シ
    リコンの選択エッチング工程と、を有することを特徴と
    する半導体基材の作製方法。
  42. 【請求項４２】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面を、表面に絶縁物を有するもう一方のシリコン基体
    に貼り合わせる工程と、前記多孔質化したシリコン基体
    をバッファード弗酸に浸すことによって多孔質シリコン
    を化学エッチング除去する多孔質シリコンの選択エッチ
    ング工程と、を有することを特徴とする半導体基材の作
    製方法。
  43. 【請求項４３】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面に酸化層を形成する工程と、この酸化層表面を光透
    過性基体に貼り合わせ、バッファード弗酸に浸すことに
    よって多孔質化したシリコン基体を化学エッチングによ
    り除去する工程と、を有することを特徴とする半導体基
    材の作製方法。
  44. 【請求項４４】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面に酸化層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単
    結晶層上の酸化層表面を、表面に絶縁物を有するもう一
    方のシリコン基体に貼り合わせたのち、バッファード弗
    酸に浸すことによって該多孔質化したシリコン基体を化
    学エッチングにより除去する工程と、を有することを特
    徴とする半導体基材の作製方法。
  45. 【請求項４５】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面を光透過性基体に貼り合わせる工程と、前記多孔質
    化したシリコン基体をバッファード弗酸とアルコールと
    の混合液に浸すことによって多孔質シリコンを化学エッ
    チング除去する多孔質シリコンの選択エッチング工程
    と、を有することを特徴とする半導体基材の作製方法。
  46. 【請求項４６】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面を、表面に絶縁物を有するもう一方のシリコン基体
    に貼り合わせる工程と、前記多孔質化したシリコン基体
    をバッファード弗酸とアルコールとの混合液に浸すこと
    によって多孔質シリコンを化学エッチング除去する多孔
    質シリコンの選択エッチング工程と、を有することを特
    徴とする半導体基材の作製方法。
  47. 【請求項４７】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面に酸化層を形成する工程と、この酸化層表面を光透
    過性基体に貼り合わせ、バッファード弗酸とアルコール
    との混合液に浸すことによって多孔質化したシリコン基
    体を化学エッチングにより除去する工程と、を有するこ
    とを特徴とする半導体基材の作製方法。
  48. 【請求項４８】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面に酸化層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単
    結晶層上の酸化層表面を、表面に絶縁物を有するもう一
    方のシリコン基体に貼り合わせたのち、バッファード弗
    酸とアルコールとの混合液に浸すことによって該多孔質
    化したシリコン基体を化学エッチングにより除去する工
    程と、を有することを特徴とする半導体基材の作製方
    法。
  49. 【請求項４９】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面を光透過性基体に貼り合わせる工程と、前記多孔質
    化したシリコン基体をバッファード弗酸と過酸化水素水
    との混合液に浸すことによって多孔質シリコンを化学エ
    ッチング除去する多孔質シリコンの選択エッチング工程
    と、を有することを特徴とする半導体基材の作製方法。
  50. 【請求項５０】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面を、表面に絶縁物を有するもう一方のシリコン基体
    に貼り合わせる工程と、前記多孔質化したシリコン基体
    をバッファード弗酸と過酸化水素水との混合液に浸すこ
    とによって多孔質シリコンを化学エッチング除去する多
    孔質シリコンの選択エッチング工程と、を有することを
    特徴とする半導体基材の作製方法。
  51. 【請求項５１】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面に酸化層を形成する工程と、この酸化層表面を光透
    過性基体に貼り合わせ、バッファード弗酸と過酸化水素
    水との混合液に浸すことによって多孔質化したシリコン
    基体を化学エッチングにより除去する工程と、を有する
    ことを特徴とする半導体基材の作製方法。
  52. 【請求項５２】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面に酸化層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単
    結晶層上の酸化層表面を、表面に絶縁物を有するもう一
    方のシリコン基体に貼り合わせたのち、バッファード弗
    酸と過酸化水素水との混合液に浸すことによって該多孔
    質化したシリコン基体を化学エッチングにより除去する
    工程と、を有することを特徴とする半導体基材の作製方
    法。
  53. 【請求項５３】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面を光透過性基体に貼り合わせる工程と、前記多孔質
    化したシリコン基体をバッファード弗酸とアルコールと
    過酸化水素水との混合液に浸すことによって多孔質シリ
    コンを化学エッチング除去する多孔質シリコンの選択エ
    ッチング工程と、を有することを特徴とする半導体基材
    の作製方法。
  54. 【請求項５４】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面を、表面に絶縁物を有するもう一方のシリコン基体
    に貼り合わせる工程と、前記多孔質化したシリコン基体
    をバッファード弗酸とアルコールと過酸化水素水との混
    合液に浸すことによって多孔質シリコンを化学エッチン
    グ除去する多孔質シリコンの選択エッチング工程と、を
    有することを特徴とする半導体基材の作製方法。
  55. 【請求項５５】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面に酸化層を形成する工程と、この酸化層表面を光透
    過性基体に貼り合わせ、バッファード弗酸とアルコール
    と過酸化水素水との混合液に浸すことによって多孔質化
    したシリコン基体を化学エッチングにより除去する工程
    と、を有することを特徴とする半導体基材の作製方法。
  56. 【請求項５６】 シリコン基体を多孔質化する工程と、
    該多孔質化したシリコン基体上に非多孔質シリコン単結
    晶層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単結晶層の
    表面に酸化層を形成する工程と、該非多孔質シリコン単
    結晶層上の酸化層表面を、表面に絶縁物を有するもう一
    方のシリコン基体に貼り合わせたのち、バッファード弗
    酸とアルコールと過酸化水素水との混合液に浸すことに
    よって該多孔質化したシリコン基体を化学エッチングに
    より除去する工程と、を有することを特徴とする半導体
    基材の作製方法。
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