JPH06343045A - レール・ツー・レール基準電圧範囲および入力電圧範囲を備えた高精度アナログ/デジタル変換器 - Google Patents
レール・ツー・レール基準電圧範囲および入力電圧範囲を備えた高精度アナログ/デジタル変換器Info
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Abstract
電圧の範囲を許容できるアナログ/デジタル変換器を与
える。 【構成】 本変換器は10ビット2進数を発生する逐次
近似制御論理回路と、制御論理回路の10ビット2進出
力を既知アナログ電圧に変換する抵抗ストリングおよび
重み付きキャパシタアレーを有するデジタルアナログ変
換器(DAC)と、DACの出力をDAC抵抗ストリン
グの中点タップから与えられる基準電圧に比較するアナ
ログ比較器とを含む。ADCへの未知アナログ電圧入力
および基準電圧はキャパシタアレーに与えられ、このア
レーを(基準電圧ー未知アナログ電圧)にに充電する。
それゆえDACの出力は既知アナログ電圧+基準電圧ー
未知アナログ電圧に等しくなる。
Description
器に関し、特に抵抗ストリングとキャパシタアレーとを
含む逐次近似アナログ/デジタル変換器に関する。
アナログ/デジタル変換と言う)はデジタルシステム処
理を行なうのに際しアナログ信号をデジタル形に変換す
る必要がある場合に使用される。先行技術の10ビット
逐次近似アナログ/デジタル変換器(ADC)の略線図
が図1および図2に示されている。このADCはその三
つの主要な要素として制御論理回路101とデジタルか
らアナログへの変換器(以下、デジタル/アナログ変換
器またはDACという)103と、アナログ比較器10
5とを含む。DAC103は4ビット2進値をアナログ
値に変換するための抵抗器R101ないしR116と、
6ビット2進値をアナログ値に変換するためのキャパシ
タC101ないしC107を含んだ重み付きキャパシタ
アレー(キャパシタの横並び列)とを含む。スイッチS
101ないしS125は、任意の10ビット2進値がア
ナログ値に変換できるように、しかもその10ビット2
進値の最上位4ビットがこの抵抗ストリング(ひも状列
の抵抗)によって変換され、残りの6ビットがキャパシ
タアレーによって変換されるように、制御される。
イッチS118を開放し、スイッチS126を閉じ、ス
イッチS120ないしS125を「2」位置に設定し、
S119を「3」位置にしてキャパシタC101ないし
C107はその下部電極が変換すべき未知アナログ電圧
(VIN)を標本採取し、かつこれを保持するように接
続される。スイッチS126を開放した後、逐次近似に
よる抵抗ストリングの引き出し線間で探索が行なわれ
て、保持された未知アナログ電圧が存在する電圧区分が
発見される。この探索の間、比較器が未知アナログ電圧
を配置した電圧領域を、変換器が順次に半分に分割して
行く。その後この区分を確定している抵抗の両端をバス
118および119に接続するようにスイッチS101
ないしS119を設定し、キャパシタの下部電極が逐次
近似シーケンスにしたがって切り替えられる。この切り
替え(スイッチング)はキャパシタの上部電極の電位、
すなわち比較器105に与えられる電位、が接地電位に
等しくなるまで行なわれる。
するために示すものである。VREFが16ボルトで未
知アナログ電圧VINが7.8ボルトに等しいと仮定す
る。VREFが16ボルトに等しいので、各抵抗器R1
01ないしR116における電圧降下は1ボルトであ
る。逐次近似探索を始める前にキャパシタC101ない
しC107は前節に述べた手続きにしたがって-7.8ボ
ルト(これは下部電極に対する上部電極の電位)に充電
される。
ある。各ステップは1クロックサイクルを要する。探索
はスイッチS120ないしS125を各「2」位置に
し、スイッチS108を閉じ、スイッチS119を
「2」位置にして開始される。従ってキャパシタアレー
の下部電極の電位は8ボルト(この電圧値は2進値にす
ると1000000000となるアナログ等価値であ
る)に設定される。そして比較器105の負入力端に与
えられる上部電極の電位は0.2ボルトである。この比
較器出力は、VINが8ボルト以下であることを示すの
で、次の探索ステップの間、スイッチS108が開か
れ、スイッチS104が閉じられ、キャパシタ下部電極
には4ボルトの電位が与えられる。上部電極の電位はこ
のときー0.3ボルトである。この比較器出力はVIN
が4ボルトより大きいことを示す。3回目の探索ステッ
プの期間、スイッチS104が開かれ、スイッチS10
6が閉じられ、キャパシタアレーの下部電極に6ボルト
が与えられ、上部電極にはー0.8ボルトが与えられ
る。4回目の探索はスイッチS107を閉じ、スイッチ
S119を位置「1」に設定することによりキャパシタ
の下部電極に7ボルトを与える。上部電極電位はー0.
8ボルトとなる。従って4クロックサイクルの後、この
未知アナログ電圧VINは7ボルトと8ボルトの間にあ
ると決定される。
探索が開始されると、スイッチS107およびS108
が閉じられ、バス119に7ボルトを与えると共にバス
118に8ボルトを与えるようにスイッチS118とS
119が設定され、スイッチS120ないしS124が
各「2」位置に設定され、スイッチS125は位置
「1」に設定される。これらのキャパシタ間に電荷の再
配分が行なわれた後、これらキャパシタの上部電極の電
位は -0.3ボルトとなる。6回目の探索ではスイッチ
S125およびS124が位置「1」に設定される。キ
ャパシタアレーの上部電極の電位は -0.05ボルトに
等しくなる。全部で10回の探索ステップが下記の表に
示すように行なわれる。ステップ7ないし10に示す電
圧は100分の1の位で丸められている。この探索の結
論としてVINの2進値は0111110011である
と決定される。この最終値は比較値として「yes」を
発生する。
IN(これは下部電極に対する上部電極の電圧)に充電
される。制御論理回路はキャパシタC101ないしC1
07の下部電極を抵抗ストリングの中点の電圧であるV
REF/2にに設定することにより、逐次近似シーケン
スを始める。キャパシタアレーの上部電極の電位は従っ
て逐次近似シーケンスの過程中、(VREF/2)ー
VINに等しい。もしもVINの電位がゼロとVREF
の間にあれば、キャパシタアレーの上部電極の電圧の振
れは -VREF/2からVREF/2までである。従
ってVREFが0とVDDとの間で与えられる場合、キ
ャパシタアレー上部電極の電圧は供給レール(枠)によ
り確定される電圧範囲の外に出てしまう。この結果、寄
生ダイオードを導通させてキャパシタアレーの電荷を除
去してしまう。
範囲はしばしば供給電圧の範囲の半分に等しくされる。
この場合アナログ/デジタル変換器の構造に伴う難点は
一般的にこの基準電圧および/または入力電圧範囲が制
限される点である。一層高い電圧範囲を達成するために
は変換器の正確度を犠牲にしなければならない。
ログ/デジタル変換器およびその要素の構成と動作につ
いて詳細な説明を与えている。 (1)「MOS電荷再配分アナログ/デジタル変換技術
のすべて---第1部」ジェームス.マクレアリー著、IE
EEジャーナル.オブ.ソリッドステートサーキット誌、
巻SC-10、pp.371-379、1975年12月
号。 (2)「MOS/LSIにおける高分解能A/D変
換」、バーラム フォトウヒおよびデービッド エイ.
ホッジス共著、IEEEジャーナル.オブ.ソリッドステ
ートサーキット誌、巻SC-11、N0.6、1976年
12月号。 (3)「10ビット 5メガ標本/s CMOS 2-
ステップ フラッシュADC」、ジョウイ デールンバ
ーグ、ポール アール.グレイ、およびデービッド エ
イ.ホッジス共著、IEEEジャーナル.オブ.ソリッド
ステートサーキット誌、巻24、N0.2、1989年
4月号。
規かつ改良されたアナログ/デジタル変換器を与えるこ
とを課題とする。
レール入力基準値および入力電圧範囲を許容するように
されたアナログ/デジタル変換器を与えることである。
換器に用いる新規かつ改良されたデジタル/アナログ変
換器およびアナログ比較器を与えることである。
電圧が供給レール電圧範囲内に維持されるようにされた
アナログ/デジタル変換器を与えることである。
よび第二電圧間の電圧範囲内にあることが知られている
未知のアナログ電圧を2進信号に変換する装置が与えら
れる。本装置は前記第一および第二電圧の和の半分に等
しい基準電圧を発生する手段と、この電圧範囲内の既知
アナログ電圧を発生する手段と、未知アナログ電圧から
基準電圧を減算する手段と、既知アナログ電圧を前記減
算手段の出力に加算する手段を含む。
変換器(ADC)は、10ビット2進信号を発生する逐
次近似制御回路と、この制御回路から2進信号を受信し
てこの2進情報を既知アナログ電圧に変換するように接
続されたデジタル/アナログ変換器(DAC)と、DA
Cの出力および基準電圧を受信するように接続されたア
ナログ比較器とを含む。
ットを変換する抵抗ストリングと、2進信号の最下位6
ビットを変換するためのキャパシタアレーとを含む。こ
の抵抗ストリングの中点におけるタップ(引き出し線)
が、比較器に与えられる基準電圧を提供する。ADCは
また制御回路の制御の下に置かれ、基準電圧と未知アナ
ログ電圧とをキャパシタアレーに与えて、キャパシタア
レーを(基準電圧ー未知アナログ電圧)に等しい電圧レ
ベルに充電するスイッチ装置を含む。従ってDACのこ
の出力は(既知アナログ電圧+基準電圧ー未知アナログ
電圧)に等しい。未知アナログ電圧とDACが制御論理
回路に応答して発生するアナログ電圧とが等しいときの
み、比較器への両入力が等しくなる。
徴、利点は添付の図面を参照して行なう以下の詳細な説
明から理解されよう。
ト逐次近似アナログデジタル変換器の略線図が示されて
いる。図2に例示したADCは、デジタル値に変換すべ
き未知アナログ信号VINを受信するための入力端20
1と、制御論理回路203と、デジタルアナログ変換器
(DAC)205と、アナログ比較器207と、入力信
号VINと等価な2進値を与える一組の出力端子211
ないし220とを含む。以下にさらに詳細に説明するよ
うに、DAC205および比較器207は、本発明が先
行技術のアナログデジタル変換器から区別できる改良点
を含んでいる。
B0ーB9を発生し、この出力はADC出力端211な
いし220に与えられる。制御論理回路203はまた2
進出力の最上位4ビットである信号B9ーB6を制御信
号C1ーC17に変換するための復号論理回路を含む。
B9ーB6の4ビットについて可能な16個の組み合わ
せに対応して、表2に示す隣接した制御信号のいろいろ
の組合わせが活動可能(enable) である。
る2進出力信号B0ーB5、制御信号C1ーC17、お
よび標本採取信号SMPLBと、外部電源(図示してな
し)から来る基準電圧VREFMおよびVREFPと、
入力端201から来る入力アナログ信号VINとを受信
するように接続されている。このDACは比較器207
の正入力端INPおよび負入力端INMに二つのアナロ
グ出力VR1およびDOUTを与える。比較器は相補的
出力OUTPおよびOUTMを発生し、OUTMをマル
チプレクサ223を介して制御論理回路203に与え
る。マルチプレクサ223は検査目的のために設けられ
ている。DAC205および比較器207は後にさらに
詳述する。
ある。DAC205は回路203から受信した4個の最
上位4ビットを変換するための抵抗ストリング301
と、回路203から受信する最下位6ビットを変換する
ためのキャパシタアレー303とを含む。
EFPとの間に直列接続された16個の抵抗R301な
いしR316を含む。これらの抵抗はそれぞれ同一の抵
抗値750オームを有する。スイッチS301ないしS
317は、基準電圧VREFM、前記抵抗間のノード電
圧、および基準電圧VREFPを、XおよびYと記した
二つのバスの内の一つに接続する。奇数番号のスイッチ
はバスX接続され、偶数番号のスイッチはバスYに接続
される。スイッチS301ないしS317はそれぞれ制
御論理回路によって与えられる制御信号C1ないしC1
7に応答して作動する。
01A、C301B、C302、C304、C308、
C316、C332を含む。これらのキャパシタの容量
はそれぞれ0.4pF、0.4pF、0.8pF、1.6p
F、3.2pF、6.4pF、および12.8pFであ
る。これらすべてのキャパシタの上部電極は共通のノー
ドに接続される一方、キャパシタC301B、C30
2、C304、C308、C316およびC332はス
イッチS322ないしS327にそれぞれ接続される。
スイッチS322ないしS327はそれぞれのキャパシ
タの下部電極を二つのバスA又はBのいずれか一方に接
続することを可能にしている。キャパシタC301Aの
下部電極は直接にバスBに接続されている。スイッチS
322ないしS327は信号B1ないしB6によって制
御される。
アレーバスA、Bとの間には二つのスイッチS318お
よびS319がある。スイッチS318はバスX又はY
の一方をバスAに選択的に結合し、スイッチS319は
バスX又はYの一方をバスBに接続する。制御信号PO
LはスイッチS318およびS319を作動させる。
業者には公知である。
ら出るタップ305を含む点で図1に示すDAC103
とは構成を異にする。抵抗器R308とR309との間
のノードから出るこのタップは(VREFP+VREF
M)/2に等しい電圧を与えるが、これを以下において
VR1と呼ぶ。VR1はDACの一出力として与えられ
ると共にスイッチS320を介してキャパシタアレー3
03の上部電極にも与えられる。もう一つのスイッチS
321はバスBに未知アナログ電圧VINを与える。ス
イッチS320およびS321は制御回路から受信する
信号SMPLBに応答し、その入力信号をそれぞれキャ
パシタアレー303の上部電極およびバスBに与える。
比較器207によって発生されるCONVがスイッチS
318、S319、およびS322ないしS327に与
えられる。上記のDACスイッチはすべてCMOS送信
ゲートで与えられる。スイッチS318、S319、お
よびS322ないしS327は単極双投スイッチ(sing
le -pole-double-throw switch)である。
るDAC205の動作は以下の通りである。初期標本採
取期間において、CONV信号が低に設定され、その結
果キャパシタアレーの下部電極をバスBに接続すべくス
イッチS322ないしS327を設定すると共にスイッ
チS318とS319とを完全に開いてバスXおよびY
をバスAおよびBから接続解除する。標本採取信号SM
PLBもまた低に設定され、これによってスイッチS3
20およびS321が閉じられ、未知アナログ電圧VI
NがバスBに与えられると共に基準電圧VR1がキャパ
シタアレーの上部電極に与えられる。キャパシタアレー
はその後(VR1ーVIN)に等しい電圧を保持するよ
うに充電される。この標本採取期間、信号SMPLBが
高に設定されて、スイッチS320およびS321を開
くことによってキャパシタアレーを電圧信号VR1およ
びVINから孤立させることをもって終了する。アナロ
グ比較器の自動ゼロ化(これについては後述する)の
後、キャパシタアレー303の上部電極の電位がVR1
に等しくなるまで逐次近似探索が行なわれる。DAC2
05との調和の下に10ビットの2進データをアナログ
データに変換する制御論理回路203の動作は当業者に
良く知られているので、これ以上の詳細は述べない。
R1ーVINに充電されている。その制御論理回路はキ
ャパシタC1ないしC7の下部電極をVR1に等しい電
圧、すなわち抵抗ストリングの中点の電圧、に設定する
ことによって逐次近似シーケンスを開始する。アレーの
上部電極の電位は従って逐次近似シーケンスの続行中、
(2 x VR1)ーVINに等しい。もしもVINの
電位がVREFMおよびVREFPの間に制限されてい
るならば、アレーの上部電極における電圧の振れはVR
EFPからVREFMまでであって、これはストリング
301への供給電圧の範囲である。
8および図9に示されている。帰還スイッチと入力キャ
パシタとを備えた全差動増幅器段3個が図示されてい
る。この第一段は比較器の正入力端INPおよび負入力
端INMに接続される。入力端INPは、並列接続され
た入力キャパシタC401およびC402を介して、差
動増幅器410の接続される。同様に、入力端INMは
並列接続された入力キャパシタC404およびC405
を介して差動増幅器410の負入力端に接続される。入
力端INPおよびINMはまたそれぞれキャパシタC4
03、C406を介して電源VSSに接続される。これ
らキャパシタは並列接続された入力キャパシタの寄生成
分を表わすものである。段1はまた増幅器410の正出
力端と負入力端との間に接続された帰還スイッチT41
1と、第一段増幅器の正出力端と負入力端との間に接続
されたスイッチT412とを含む。これら両方のスイッ
チは遅延回路409によって発生される信号AZ1に応
答して動作する。
る。段2は差動増幅器430を含むがこの増幅器430
は結合キャパシタC428を介して増幅器410の負出
力を受けるように接続された正入力端と、結合キャパシ
タC429を介して増幅器410の正出力を受けるよう
に接続された負入力端とを備えた差動増幅器である。ス
イッチT431およびT432はそれぞれ増幅器430
の負出力端と正入力端の間、および正出力端と負入力端
との間に与えられる。スイッチT431およびT432
は遅延回路420によって発生される信号AZ2に応答
して動作する。
器450は、結合キャパシタC448を介して段2の増
幅器の負出力を受けるように接続された正入力端と、結
合キャパシタC449を介して増幅器430の正出力を
受けるように接続された負入力端とを備えた差動増幅器
である。スイッチT451およびT452はそれぞれ増
幅器430の負出力端と正入力端の間、および正出力端
と負入力端との間に与えられる。スイッチT451およ
びT452は遅延回路440によって発生される信号A
Z2によって制御される。段3には差動ラッチ460が
続く。
401、C403、C404およびC406は0.63
pFのキャパシタであり、キャパシタC402およびC
405は0.37pFのキャパシタである。キャパシタ
C401ないしC406は漏洩電流を低減するために多
結晶/金属1/金属2の形のサンドイッチキャパシタで
ある。段間の結合キャパシタC428、C429、C4
48、およびC449は多結晶/拡散型のキャパシタ
で、それぞれ容量0.57pFを有する。
の入力信号間の差に比例した出力信号を発生する。段間
の結合に幾分かの減衰が生じるので比較器の(ラッチ入
力に対する)全体的利得は約800である。トランジス
タスイッチT411、T412、T431、T432、
T451、およびT452を使用するのは、自動ゼロモ
ード期間中の利得が1となるように各比較段を形成する
ためである。
450の正負出力を受けるように接続され、高論理レベ
ルHIGHにある入力信号と低論理レベルの入力信号L
OWとを保存する機能を果たす。
生される信号SMPLBの反転した信号を受信するべく
接続される。この反転信号は図8および図9でAZと記
されている。遅延回路409の出力である信号AZ1は
遅延回路420への入力として与えられ、また回路42
0の出力である信号AZ2は遅延回路440の入力とし
て与えられる。出力信号AZ3は図3に示すインバータ
227を介して制御論理回路203およびDAC205
に与えられる。反転されたAZ3信号は図面上、信号C
ONVと記されている。
DC標本採取期間に生じうる電荷注入エラーを除去する
ためであり、以下のように行なわれる。標本採取期間の
終了にともなって信号SMPLBはHIGHに設定さ
れ、スイッチS320およびS321(図4)を開き、
一時的にバスBを「浮遊状態(floating)」にする。こ
のバスにはアレーの下部電極が接続されている。この時
トランジスタスイッチT411、T412、T431、
T432、T451、およびT452はすべて閉位置に
ある。この時いかなる電荷注入も比較器の第1段結合容
量C401ないしC406により吸収される。SMPL
B信号がHIGHに設定されると、遅延回路409への
入力信号AZはLOWとなる。約6ナノ秒の後、信号A
Z1は低となってスイッチT411およびT412を開
き、段1を自動ゼロモードから除去する。トランジスタ
T411、T412のスイッチングにより導入されるい
かなる差分も増幅器410により増幅され、段間結合キ
ャパシタC428およびC429により吸収される。さ
らに6ナノ秒の経過の後、信号AZ2が低となり、スイ
ッチT431およびT432を開いて段2を自動ゼロモ
ードから除去する。上記のシーケンスは次いで段3につ
いて反復される。最終段によって導入されるいかなる差
分もとるに足らない。その理由はこの差分の効果は始め
の二つの段の利得で分割されるからである。信号AZ3
がLOWに設定されると、信号CONVはHIGHにな
り、逐次近似探索が始められる。
れている。この増幅器410はNMOSトランジスタT
511、T512、およびT515、カスコード装置T
513、T514、負荷装置T501、T502、およ
び電流源装置T503、およびT504からなる。カス
コード装置T513、T514はNMOSトランジスタ
であり、負荷装置T501、T502はダイオード結合
されたPMOSトランジスタであり、電流源装置T50
3、T504はPMOSトランジスタである。作動増幅
器はジョウイ デールンバーグ他著の前掲文献の図7に
示す装置と同様の構成である。しかしながら、トランジ
スタT515により発生されるバイアス電流を変化させ
ることにより増幅器電圧をVDD/2に調節できるよう
にするため、抵抗器R521が追加されている。この抵
抗器R521の存在は増幅器の動的性能には影響しな
い。その理由はこの抵抗を流れる電流は常に一定である
からである。増幅器430および450は図10に示す
増幅器410と構成および動作が同じである。
す比較器バイアス回路470の略線図である。図12を
参照すると、この回路は単純なオペレーショナル増幅器
を構成するトランジスタT609ないしT613、T6
28およびT629を含むことが示されている。このオ
ペレーショナル増幅器の負入力すなわち反転入力は、4
個のPMOSトランジスタT605ないしT608から
なるPMOS電圧分割器の中点のタップから得られる信
号VR50を受けるように接続される。これらトランジ
スタT605ないしT608は電圧源VDDおよびVS
S間に直列接続されている。このオペレーショナル増幅
器の正入力すなわち非反転入力は、差動増幅器661の
出力OUTM4に接続される。この差動増幅器661は
図10に示す増幅器と類似のものであって、自動ゼロモ
ードに結線されている。すなわちその出力OUTM4お
よびOUTP4がそれぞれ、入力端INP4およびIN
M4に接続されている。このオペレーショナル増幅器の
出力である信号NBIASはキャパシタC662を介し
て入力端INM4に与えられる。このオペレーショナル
増幅器および差動増幅器661は、増幅器出力OUTM
4が必ず電圧VDD/2を持つようにさせるに必要な値
を、NBIASに与えるように動作する。
VR50を発生する回路網が図13および図14に示さ
れている。バイアス信号PBIASはダイオード接続さ
れたPMOSトランジスタT601によって発生され
る。このトランジスタはそのソースが供給電圧VDDに
接続され、ドレーンがNMOSトランジスタT621の
ドレーンに接続されている。トランジスタT621のソ
ースは供給電圧VSSに接続され、そのゲートはBIA
S信号NBIASを受けるように接続される。遅延セル
(図8、図9で409、420、440と記す素子)を
バイアスするのに使用される信号PBはトランジスタT
601のゲート/ドレーンに与えられる。
接続されたPMOSトランジスタT604、および供給
電圧VDDとVSSとの間に直列接続されたNMOSト
ランジスタT623によって発生される。抵抗器R66
3は供給電圧VDDとトランジスタT604との間に接
続される。トランジスタT623はそのドレーンがトラ
ンジスタT604のドレーンに接続され、ソースが供給
電圧VSSに接続され、ゲートが信号NBIASを受信
するように接続される。信号PBIASはトランジスタ
T604のゲート/ドレーンに与えられる。
接続され、ゲートが信号PBを受けるように接続された
PMOSトランジスタT602と、ダイオード接続され
たNMOSトランジスタであってそのドレーンがトラン
ジスタT602のドレーンに接続されたトランジスタT
626と、ダイオード接続されたトランジスタであっっ
てそのドレーンがトランジスタT626のソースに接続
されたトランジスタT625と、ドレーンがトランジス
タT625のソースに接続され、ソースが供給電圧VS
Sに接続され、ゲートが信号NBIASを受けるように
接続されたNMOSトランジスタT622と、ドレーン
が供給電圧VDDに接続され、ゲートがトランジスタT
602のドレーンに接続されたNMOSトランジスタT
627と、ドレーンがトランジスタT627のソースに
接続され、ゲートが信号VR50を受けるように接続さ
れ、ソースがトランジスタT622のドレーンに接続さ
れたNMOSトランジスタT624とを含む回路網によ
って発生される。トランジスタT626のソースとドレ
ーンとの間には一対の抵抗器R664とR665とが接
続される。信号VCASCは抵抗器R664とR665
との間のノードに与えられる。差動トランジスタ対T6
24、T625を流れる電流はトランジスタT602に
より強制的に均衡させられる。このこのトランジスタT
602はトランジスタT622を流れる電流の半分の大
きさの電流を発生する。これによってトランジスタT6
26のソース電圧がVR50に等しくなり、VCASC
がVR50とトランジスタT626にまたがる電圧の半
分との和に等しくなる。この電圧レベルはトランジスタ
T621/T623およびT622/T624のドレー
ン・ソース間電圧とほぼ等しくなる。トランジスタT6
27はトランジスタT624およびT625のドレーン
電圧をほぼ等しくさせる。
1、T652およびT653はパワー降下信号PDおよ
びPDB(これは信号PDの逆数)に応答してバイアス
回路の動作を停止する。
圧をVDD/2に自動的にゼロ化する。ADC標本採取
期間中、比較器段1の入力容量はVR1ーVDD/2に
充電される。逐次近似シーケンスの開始時に、第1段差
動増幅器(図8の素子410)の正入力端の電圧はVR
1ーVIN+VDD/2となり、負入力端の電圧はVR
1ーVDD/2となる。ここにVR1=(VREFP+
VREFM)/2であり、VINはVREFMおよびV
REFP又はこれらの間の任意の電圧になり得る。従っ
て基準電圧VREFPおよびVREFMは、比較器供給
電圧VDDおよびVSSで確定される範囲以内の任意電
圧範囲を確定するように設定でき、すべての比較器内部
ノードはこれら供給電圧レール内に留まることとなる。
の略線図である。この遅延回路は供給電圧VDDおよび
VSSの間に直列接続されたPMOSトランジスタT7
01、T702およびNMOSトランジスタT711、
T712を含む。トランジスタT701はそのゲートに
バイアス信号PBを受け、トランジスタT712はその
ゲートにバイアス信号NBIASを受け、トランジスタ
T702およびT711はそれらのゲートに自動ゼロ化
信号AZを受ける。トランジスタT702およびT71
1間のノードと、供給電圧VSSとの間に容量0.57
PFのキャパシタC750が接続される。このノードに
はまた3個の直列接続されたインバータの内の最初のも
のが接続されている。これら3個のインバータはそれぞ
れトランジスタ対T703とT713、T704とT7
14、T705とT715からなる。この遅延回路の出
力は最後のインバータによって与えられる。
遅延が発生する。トランジスタT701、T702、T
711およびT712は、キャパシタC750を充放電
する切替え式電流源および電流シンクを形成する。イン
バータT703/T713がこの遅延回路の電圧利得を
与える一方、インバータT704/T714およびT7
05/T715が出力遷移パルス縁を鋭くする。
9)は構成上、遅延回路409と同一である。比較器利
得段および遅延回路は共通バイアス回路からバイアスさ
れているので、自動ゼロ化信号に対する各比較器段の応
答時刻は供給電圧、処理変動、および温度の影響受けて
各当該遅延回路の遅延に追随する。
ー・レール基準電圧および入力信号の使用ができる新規
なデジタル/アナログ変換器および比較器装置を含んだ
アナログ/デジタル変換器ADCが与えられる。このA
DCは正確さを犠牲にすることなく従来技術のADCよ
りも高い電圧範囲を達成できる。
図面に限定されないこと、また本発明の要旨の範囲内で
種々の設計変更が可能であることは当業者に明白であろ
う。例えば上記の本アナログデジタル変換器で逐次近似
探索を使用して既知電圧を発生させ、これをデジタルフ
ォーマットに変換すべき未知アナログ電圧と比較するよ
うにすることができる。本発明は逐次近似探索の代わり
に他の探索方法、例えばシーケンス式探索、を採用する
こともできる。上述した本システムは(VREFP+V
REFM)/2に等しいVR1と記された基準電圧を発
生する。(VREFP+VREFM)/2はVR1にと
って最適値であると思われるが、VR1をVREFPお
よびVREFMで確定される範囲内の他の電位に等しく
することもできる。
ログデジタル変換器の略線図の一部である。
線図である。
図である。
略線図の一部である。
略線図の他の一部である。
略線図の残りの一部である。
部である。
り一部である。
略線図の一部である。
めの全体図である。
ス回路の略線図である。
ス回路の略線図の他の一部である。
ス回路の略線図の残りの一部である。
線図である。
一組の出力端子 223 マルチプレクサ 227 インバータ 301 抵抗ストリング 303 キャパシタアレー VIN 未知アナログ信号 B0ーB9 10ビット2進出力 C1ーC17 制御信号 VREFP 基準電圧 VREFM 基準電圧
Claims (1)
- 【請求項1】第一および第二の基準電圧により確定され
る電圧範囲内にある未知アナログ電圧を2進信号に変換
するアナログ/デジタル変換器であって、 既知アナログ電圧を発生する装置と、 該第一および第二基準電圧の和の2分の1に等しい第三
の基準電圧を発生する装置と、 該未知アナログ電圧および該第三基準電圧を受信するよ
うに接続されて該第三基準電圧から該未知アナログ電圧
を減算する減算装置と、 該既知アナログ電圧および該減算装置の出力を受信する
ように接続されて該既知アナログ電圧と該減算装置の出
力との和をとる和算装置と、 該和算装置の出力と該第三基準電圧とを受信するように
接続されて該和算装置の出力と該第三基準電圧とを比較
する装置とを含むアナログ/デジタル変換器。
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