JPH0634390B2 - Ｅｌ表示装置 - Google Patents
Ｅｌ表示装置Info
- Publication number
- JPH0634390B2 JPH0634390B2 JP61114852A JP11485286A JPH0634390B2 JP H0634390 B2 JPH0634390 B2 JP H0634390B2 JP 61114852 A JP61114852 A JP 61114852A JP 11485286 A JP11485286 A JP 11485286A JP H0634390 B2 JPH0634390 B2 JP H0634390B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- glass substrate
- substrate
- transparent
- refractive index
- Prior art date
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- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、電界の印加によってＥＬ（エレクトロ・ルミ
ネッセンス）発光を生ずるＥＬ表示装置に関するもので
あり、特にガラス基板表面からの反射を抑制する技術に
関するものである。
ネッセンス）発光を生ずるＥＬ表示装置に関するもので
あり、特にガラス基板表面からの反射を抑制する技術に
関するものである。
従来の薄膜ＥＬパネルとしては、例えば、第３図に示す
ごときものがある（例えば、実願昭57−182595号に記
載）。
ごときものがある（例えば、実願昭57−182595号に記
載）。
第３図において、ガラス基板１の上には、Ｉｎ2Ｏ3やＳ
ｎＯ2等の透明導電膜からなる前面電極２（膜厚約2000
Å）が蒸着され、続いてＹ２Ｏ３やＳｉ3Ｎ4等からなる
第１誘電体膜３、Ｍnを微量に含むZnSからなる発光膜４
および第１誘電体膜３と同様の材質からなる第２誘電体
膜５が電子ビーム蒸着あるいはスパッタリングによって
順次積層されており、上記の３〜５が透明多層膜100 を
形成している。なお、それぞれの膜厚は誘電体膜が5000
Å、発光膜6000Å程度である。
ｎＯ2等の透明導電膜からなる前面電極２（膜厚約2000
Å）が蒸着され、続いてＹ２Ｏ３やＳｉ3Ｎ4等からなる
第１誘電体膜３、Ｍnを微量に含むZnSからなる発光膜４
および第１誘電体膜３と同様の材質からなる第２誘電体
膜５が電子ビーム蒸着あるいはスパッタリングによって
順次積層されており、上記の３〜５が透明多層膜100 を
形成している。なお、それぞれの膜厚は誘電体膜が5000
Å、発光膜6000Å程度である。
次に、上記の第２誘電体膜５の上に、質量膜厚が50〜30
0ÅのMo膜からなる島状吸収体膜６を電子ビーム蒸着あ
るいはスパッタリングによって形成する。なお、この島
状吸収体膜６は、島状構造をもつ他の金属膜や半導体
膜、例えば、Ｔa, Ｃr,Ｓi等で代替することも可能であ
る。
0ÅのMo膜からなる島状吸収体膜６を電子ビーム蒸着あ
るいはスパッタリングによって形成する。なお、この島
状吸収体膜６は、島状構造をもつ他の金属膜や半導体
膜、例えば、Ｔa, Ｃr,Ｓi等で代替することも可能であ
る。
上記の島状吸収体膜６の上に、5000Å程度の膜厚をもつ
Al2Ｏ3等の透明誘電体膜７を形成し、さらにその上にAl
等の金属膜８を蒸着あるいはスパッタリングによって順
次積層する。
Al2Ｏ3等の透明誘電体膜７を形成し、さらにその上にAl
等の金属膜８を蒸着あるいはスパッタリングによって順
次積層する。
上記の６〜８が黒色化背面電極200を形成している。
また、上記の前面電極２および黒色化背面電極200は、
通常のフォトリソグラフィによって、所望の表示形状に
対応した形状にパターニングする。
通常のフォトリソグラフィによって、所望の表示形状に
対応した形状にパターニングする。
上記のようにして、ガラス基板上に薄膜ＥＬ素子を形成
したＥＬ表示装置が完成する。
したＥＬ表示装置が完成する。
上記のごときＥＬ表示装置の前面電極２と黒色化背面電
極200との間に交流電圧を印加し、発光膜４中の電界が
１〜２×１０6Ｖ／cmに達すると、上記両電極に挟まれ
た部分が発光し、図形が表示される。
極200との間に交流電圧を印加し、発光膜４中の電界が
１〜２×１０6Ｖ／cmに達すると、上記両電極に挟まれ
た部分が発光し、図形が表示される。
なお、上記のＥＬ表示装置において、外部から透明多層
膜100を通って黒色化背面電極200に侵入した外来光は、
島状吸収体膜６及び透明誘電体膜７によって吸収され
る。したがって、黒色化背面電極200による正反射及び
拡散反射は、Al等の金属のみで背面電極を形成した場合
に比較して、それぞれ１／100以下であり、上記のごと
き構成によって背面電極の反射で視認性が低下するとい
う問題を解決している。
膜100を通って黒色化背面電極200に侵入した外来光は、
島状吸収体膜６及び透明誘電体膜７によって吸収され
る。したがって、黒色化背面電極200による正反射及び
拡散反射は、Al等の金属のみで背面電極を形成した場合
に比較して、それぞれ１／100以下であり、上記のごと
き構成によって背面電極の反射で視認性が低下するとい
う問題を解決している。
上記のごとき従来のＥＬ表示装置においては、ガラス基
板１の屈折率と空気の屈折率との差がかなり大きいた
め、ガラス基板１の表面で正反射が強く起こり、明るい
環境下で利用した場合には、観測者の目に観測者自身の
姿が写ったり、あるいは周囲の景色が写ったりして表示
が見にくいばかりでなうく不快感を与えるという問題が
あった。
板１の屈折率と空気の屈折率との差がかなり大きいた
め、ガラス基板１の表面で正反射が強く起こり、明るい
環境下で利用した場合には、観測者の目に観測者自身の
姿が写ったり、あるいは周囲の景色が写ったりして表示
が見にくいばかりでなうく不快感を与えるという問題が
あった。
上記の課題を解決するため、ＥＬパネルのガラス基板１
の前面に反射防止膜を直接設けることも考えられる。し
かし、その場合には、反射防止膜を形成する際にＥＬパ
ネルの温度が上昇するため、歩留まりが悪化するという
問題が生じる。
の前面に反射防止膜を直接設けることも考えられる。し
かし、その場合には、反射防止膜を形成する際にＥＬパ
ネルの温度が上昇するため、歩留まりが悪化するという
問題が生じる。
本発明は、上記のごとき従来技術の問題を解決するため
になされたものであり、ガラス基板の表面における反射
を防止して明るい環境下でも表示が見やすく、かつ製造
歩留まりのよいＥＬ表示装置を提供することを目的とす
るものである。
になされたものであり、ガラス基板の表面における反射
を防止して明るい環境下でも表示が見やすく、かつ製造
歩留まりのよいＥＬ表示装置を提供することを目的とす
るものである。
上記の目的を達成するため、本発明においては、ガラス
基板の一方の面に薄膜ＥＬ素子を形成したＥＬパネル
と、上記のガラス基板と同一屈折率を有する透明基板の
一方の面に反射防止膜を形成した正反射抑制体とを上記
ガラス基板とほぼ同一屈折率を有する透明体を介して上
記薄膜ＥＬ素子の形成面と反射防止膜の形成面とが相互
に背中合わせになるように平行に配設している。
基板の一方の面に薄膜ＥＬ素子を形成したＥＬパネル
と、上記のガラス基板と同一屈折率を有する透明基板の
一方の面に反射防止膜を形成した正反射抑制体とを上記
ガラス基板とほぼ同一屈折率を有する透明体を介して上
記薄膜ＥＬ素子の形成面と反射防止膜の形成面とが相互
に背中合わせになるように平行に配設している。
上記のごとく構成したことにより、本発明においては、
反射防止膜によって外来光の反射が抑制され、また、正
反射抑制体の基板とＥＬパネルのガラス基板とは同一の
屈折率を有し、かつ、間に設けられている透明体もほぼ
同一の屈折率を有するので、それらの部分からの反射は
ほどんどなく、したがって、外来光の反射を大幅に抑制
したＥＬ表示装置を実現することが出来る。
反射防止膜によって外来光の反射が抑制され、また、正
反射抑制体の基板とＥＬパネルのガラス基板とは同一の
屈折率を有し、かつ、間に設けられている透明体もほぼ
同一の屈折率を有するので、それらの部分からの反射は
ほどんどなく、したがって、外来光の反射を大幅に抑制
したＥＬ表示装置を実現することが出来る。
また、ＥＬパネルと正反射抑制体とを別個に構成し、そ
の後に組み合わせるように構成しているので、製造時に
ＥＬパネルの温度上昇によって歩留まりが悪化する、と
いう問題を生じることもない。
の後に組み合わせるように構成しているので、製造時に
ＥＬパネルの温度上昇によって歩留まりが悪化する、と
いう問題を生じることもない。
第１図は本発明の一実施例の主要部断面図であり、前記
第３図と同符号は同一物を示す。
第３図と同符号は同一物を示す。
第１図において、基板21はガラス基板と同一の屈折率を
有する透明体であり、例えば、ガラス基板１と同一のガ
ラス基板を用いればよい。
有する透明体であり、例えば、ガラス基板１と同一のガ
ラス基板を用いればよい。
また、基板21の表面には反射防止膜400が形成されてい
る。
る。
この反射防止膜400としては、例えば基板21が屈折率ｎ
＝1.52のソーダガラスの場合には、屈折率ｎ1＝1.70の
ＣｅＦ322と、屈折率ｎ2＝2.1のＺｒＯ2Ｏ223と、屈折
率ｎ3＝1.38のＭｇＦ2２４とをそれぞれ順に920Å程
度、1200Å程度、750Å程度の膜厚で積層した、いわゆ
るλ0／４−λ0／２−λ0／４型の三層反射防止膜を用
いることが出来る。
＝1.52のソーダガラスの場合には、屈折率ｎ1＝1.70の
ＣｅＦ322と、屈折率ｎ2＝2.1のＺｒＯ2Ｏ223と、屈折
率ｎ3＝1.38のＭｇＦ2２４とをそれぞれ順に920Å程
度、1200Å程度、750Å程度の膜厚で積層した、いわゆ
るλ0／４−λ0／２−λ0／４型の三層反射防止膜を用
いることが出来る。
上記の三層反射防止膜は、例えば、電子ビーム蒸着法、
あるいは抵抗線加熱蒸着法によって形成する。
あるいは抵抗線加熱蒸着法によって形成する。
上記のようにして基板21の上に反射防止膜400 を形成し
た正反射抑制体500を形成する。
た正反射抑制体500を形成する。
次に、ＥＬパネル300と正反対抑制体500とを、四隅に設
置した厚さ約0.3mm、縦３mm、横３mmのスペーサ25を介
して、蒸着面が相互に背中合わせになるように平行に配
置した後、基板21の周囲に沿ってエポキシ系の接着剤26
を添付して固着する。
置した厚さ約0.3mm、縦３mm、横３mmのスペーサ25を介
して、蒸着面が相互に背中合わせになるように平行に配
置した後、基板21の周囲に沿ってエポキシ系の接着剤26
を添付して固着する。
ただし、ガラス基板１と基板21との間には後述する透明
体28を注入するために、１個所だけ接着剤を付与しない
部分、すなわち注入孔（図示せず、例えば約１mmの大き
さ）を設けるものとする。
体28を注入するために、１個所だけ接着剤を付与しない
部分、すなわち注入孔（図示せず、例えば約１mmの大き
さ）を設けるものとする。
次に、上記の注入孔から、屈折率がガラス基板１および
基板21とほぼ同一でしかも透明な液体27を注入し、ガラ
ス基板１と基板21とで形成される空間を完全に満たした
後、注入孔を前記と同様のエポキシ系接着剤で封止す
る。
基板21とほぼ同一でしかも透明な液体27を注入し、ガラ
ス基板１と基板21とで形成される空間を完全に満たした
後、注入孔を前記と同様のエポキシ系接着剤で封止す
る。
上記の透明な液体27としては、例えば、ガラス基板１お
よび基板21が屈折率1.52のソーダガラスの場合には、シ
リコンオイル（例えば、信越化学工業株式会社のＫＦ5
1、屈折率ｎ＝1.51）を用いることが出来る。
よび基板21が屈折率1.52のソーダガラスの場合には、シ
リコンオイル（例えば、信越化学工業株式会社のＫＦ5
1、屈折率ｎ＝1.51）を用いることが出来る。
注入の方法としては、注入孔をシリコンオイル中に沈め
たままで減圧し、ガラス基板１と基板21との間の空気を
完全に排気した後、再び大気圧に戻すことによって気圧
差を利用してシリコンオイルを間隙内に注入する方法を
用いることが出来る。
たままで減圧し、ガラス基板１と基板21との間の空気を
完全に排気した後、再び大気圧に戻すことによって気圧
差を利用してシリコンオイルを間隙内に注入する方法を
用いることが出来る。
上記のようにして第１図のＥＬ表示装置が完成する。
次に、作用を説明する。
外部からＥＬ表示装置の反射防止膜400に到達した環境
光Ｉのうち、ごく一部が反射光Ｉ1として反射するが、
ほとんどはそのまま通り抜け、基板21と透明体27との境
界面に進む。
光Ｉのうち、ごく一部が反射光Ｉ1として反射するが、
ほとんどはそのまま通り抜け、基板21と透明体27との境
界面に進む。
しかし、基板21と透明体27とは屈折率がほぼ同じであ
り、言い替えれば光学的に同質なため、この面での正反
射は全く起こらず直進する。
り、言い替えれば光学的に同質なため、この面での正反
射は全く起こらず直進する。
また、透明体27とガラス基板１との境界面でも上記と同
様に無反射のまま透過する。
様に無反射のまま透過する。
上記にようにして薄膜ＥＬ素子に侵入した透過光Ｉ1′
は、最終的には黒色化背面電極200に吸収されて消滅す
る。
は、最終的には黒色化背面電極200に吸収されて消滅す
る。
第１図の実施例の場合、ＥＬ表示装置の表面で観測者側
に反射する光は、反射防止膜で反射する微弱な反射光Ｉ
1のみである。
に反射する光は、反射防止膜で反射する微弱な反射光Ｉ
1のみである。
これに対して、前記第３図のごとき従来のＥＬ表示装置
においては、ガラス基板１の表面で反射する光Ｉ2はか
なり大きくなる。
においては、ガラス基板１の表面で反射する光Ｉ2はか
なり大きくなる。
第２図は、第１図に示す本実施例と第３図に示す従来の
ＥＬ表示装置との可視光域における正反射の強さを比較
した図であり、外来光をガラス基板１の法線方向から入
射させた場合を示している。
ＥＬ表示装置との可視光域における正反射の強さを比較
した図であり、外来光をガラス基板１の法線方向から入
射させた場合を示している。
第２図から判るように、本発明のＥＬ表示装置の反射率
は、可視光域の広い範囲にわたって従来の１／５以下に
低下している。
は、可視光域の広い範囲にわたって従来の１／５以下に
低下している。
すなわち、ＥＬパネルを同じ輝度で点灯した場合、約５
倍の明るさの環境下においても同じ見やすさを確保出来
ることを意味している。
倍の明るさの環境下においても同じ見やすさを確保出来
ることを意味している。
なお、前記第１図の実施例においては、反射防止膜とし
ていわゆるλ0／４−λ0／２−λ0／４型の三層反射防
止膜を用いが、これに限られるものではなく、例えば、
さらにＥＬ表示装置の反射率を低下させたい場合には、
より多層にした反射防止膜を用いることが出来る。
ていわゆるλ0／４−λ0／２−λ0／４型の三層反射防
止膜を用いが、これに限られるものではなく、例えば、
さらにＥＬ表示装置の反射率を低下させたい場合には、
より多層にした反射防止膜を用いることが出来る。
例えば、屈折率ｎ＝1.52の基板21に近い方から順に、Ｍ
gＦ2（ｎ1＝1.38）、ＴhＦ4（ｎ2＝1.53）、ＺnＳ（ｎ3
＝2.35）、およびＭgＦ2（ｎ4＝1.38）をそれぞれ920
Å、1085Å、830Å、920Åの膜厚で堆積させた四層反射
防止膜を用いた場合には、ＥＬ表示装置の正反射率を従
来の１／10以下にすることが出来る。
gＦ2（ｎ1＝1.38）、ＴhＦ4（ｎ2＝1.53）、ＺnＳ（ｎ3
＝2.35）、およびＭgＦ2（ｎ4＝1.38）をそれぞれ920
Å、1085Å、830Å、920Åの膜厚で堆積させた四層反射
防止膜を用いた場合には、ＥＬ表示装置の正反射率を従
来の１／10以下にすることが出来る。
また、環境光がさほど強くない場所で利用されるＥＬ表
示装置の場合には、反射率の抑制度は低下するが、製造
コストの安い単層反射防止膜やλ0／４−λ0／４型の二
層反射防止膜等を用いることも出来る。
示装置の場合には、反射率の抑制度は低下するが、製造
コストの安い単層反射防止膜やλ0／４−λ0／４型の二
層反射防止膜等を用いることも出来る。
また、前記の実施例においては、ガラス基板１と基板21
との間に充填する物質として、透明の液体、例えば、シ
リコンオイルを用いた場合を例示したが、この物質とし
ては、透明であり、かつ、ガラス基板１および基板21と
ほぼ同一の屈折率を有しているものであれば液体に限ら
れるものではなく、例えば、最終的に固化する透明接着
剤や透明ペースト等を用いることも出来る。
との間に充填する物質として、透明の液体、例えば、シ
リコンオイルを用いた場合を例示したが、この物質とし
ては、透明であり、かつ、ガラス基板１および基板21と
ほぼ同一の屈折率を有しているものであれば液体に限ら
れるものではなく、例えば、最終的に固化する透明接着
剤や透明ペースト等を用いることも出来る。
また、第１図の実施例においては、基板21の上に反射防
止膜を設けた製反射抑制体を形成し、これをＥＬパネル
と組み合わせるように形成しているが、ＥＬパネルのガ
ラス基板１の前面に反射防止膜を直接設けることも考え
られる。
止膜を設けた製反射抑制体を形成し、これをＥＬパネル
と組み合わせるように形成しているが、ＥＬパネルのガ
ラス基板１の前面に反射防止膜を直接設けることも考え
られる。
しかし、その場合には、反射防止膜を形成する際にＥＬ
パネルの温度が上昇するため、歩留まりが悪化するとい
う問題が生じるので好ましくない。
パネルの温度が上昇するため、歩留まりが悪化するとい
う問題が生じるので好ましくない。
その点、第１図の実施例のごとく、ＥＬパネルと正反射
抑制体とを別個に構成し、その後に組み合わせるように
した場合には、上記のごとき問題を生じるおそれがな
い。
抑制体とを別個に構成し、その後に組み合わせるように
した場合には、上記のごとき問題を生じるおそれがな
い。
以上説明したごとく、本発明においては、ガラス基板上
に薄膜ＥＬ素子を形成したＥＬパネルと、上記のガラス
基板と同一屈折率を有する基板上に反射防止膜を形成し
た正反射抑制体とを上記のガラス基板とほぼ同一屈折率
を有する透明体を介して背中合せに配設するように構成
しているので、ガラス基板表面における正反射が著しく
低下し、明るい環境下で周囲の景色が写って表示が見に
くくなるという従来装置の問題を解消することが出来
る。
に薄膜ＥＬ素子を形成したＥＬパネルと、上記のガラス
基板と同一屈折率を有する基板上に反射防止膜を形成し
た正反射抑制体とを上記のガラス基板とほぼ同一屈折率
を有する透明体を介して背中合せに配設するように構成
しているので、ガラス基板表面における正反射が著しく
低下し、明るい環境下で周囲の景色が写って表示が見に
くくなるという従来装置の問題を解消することが出来
る。
また、ＥＬパネルと正反射抑制体とを別個に構成し、そ
の後に組み合わせるように構成しているので、製造時に
ＥＬパネルの温度上昇によって歩留まりが悪化するとい
う問題を生じることもなく、高性能のＥＬパネルを安価
に製造することが出来る。
の後に組み合わせるように構成しているので、製造時に
ＥＬパネルの温度上昇によって歩留まりが悪化するとい
う問題を生じることもなく、高性能のＥＬパネルを安価
に製造することが出来る。
また、同じ環境下で使用する場合には、従来装置に比べ
て電界ストレスの小さい低輝度で駆動出来るので、装置
の寿命を延長することも出来る、等の優れた効果が得ら
れる。
て電界ストレスの小さい低輝度で駆動出来るので、装置
の寿命を延長することも出来る、等の優れた効果が得ら
れる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来装置
と本発明の装置における反射率の比較図、第３図は従来
装置の一例の断面図である。 ＜符号の説明＞ １……ガラス基板、２……前面電極 ３……第１誘電体膜、４……発光膜 ５……第２誘電体膜、６……島状吸収体膜 ７……透明誘電体膜、８……金属膜 21……基板、25……スペーサ 26……接着剤、27……透明体 100……透明多層膜、200……黒色化背面電極 300……ＥＬパネル、400……反射防止膜 500……正反射抑制体
と本発明の装置における反射率の比較図、第３図は従来
装置の一例の断面図である。 ＜符号の説明＞ １……ガラス基板、２……前面電極 ３……第１誘電体膜、４……発光膜 ５……第２誘電体膜、６……島状吸収体膜 ７……透明誘電体膜、８……金属膜 21……基板、25……スペーサ 26……接着剤、27……透明体 100……透明多層膜、200……黒色化背面電極 300……ＥＬパネル、400……反射防止膜 500……正反射抑制体
Claims (1)
- 【請求項１】透明なガラス基板の一方の面に薄膜ＥＬ素
子を形成したＥＬパネルと、 上記ガラス基板と同一屈折率を有する透明基板の一方の
面に反射防止膜を形成した正反射抑制体と、 上記ガラス基板とほぼ同一屈折率を有する透明体と、を
有し、 上記ＥＬパネルと上記正反射抑制体とを上記透明体を介
して、上記薄膜ＥＬ素子の形成面と上記反射防止膜の形
成面とが相互に背中合せになるように平行に配設して組
み合わせたことを特徴とするＥＬ表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61114852A JPH0634390B2 (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | Ｅｌ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61114852A JPH0634390B2 (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | Ｅｌ表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62272496A JPS62272496A (ja) | 1987-11-26 |
| JPH0634390B2 true JPH0634390B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=14648317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61114852A Expired - Lifetime JPH0634390B2 (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | Ｅｌ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634390B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010153173A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜用基板および発光装置の作製方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50145099A (ja) * | 1974-05-10 | 1975-11-21 | ||
| JPS5928036B2 (ja) * | 1974-09-13 | 1984-07-10 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
-
1986
- 1986-05-21 JP JP61114852A patent/JPH0634390B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62272496A (ja) | 1987-11-26 |
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