JPS62272496A - El表示装置 - Google Patents
El表示装置Info
- Publication number
- JPS62272496A JPS62272496A JP61114852A JP11485286A JPS62272496A JP S62272496 A JPS62272496 A JP S62272496A JP 61114852 A JP61114852 A JP 61114852A JP 11485286 A JP11485286 A JP 11485286A JP S62272496 A JPS62272496 A JP S62272496A
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- Japan
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- glass substrate
- substrate
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- transparent
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔発明の利用分野〕
本発明は、電界の印加によってEL(エレクトロ・ルミ
ネッセンス)発光を生ずるEL表示装置に関するもので
あり、特にガラス基板表面からの反射を抑制する技術に
関するものである。
ネッセンス)発光を生ずるEL表示装置に関するもので
あり、特にガラス基板表面からの反射を抑制する技術に
関するものである。
従来の薄膜E’Lパネルとしては1例えば、第3図に示
すごときものがある(例えば、実願昭57−18259
5号に記a)。
すごときものがある(例えば、実願昭57−18259
5号に記a)。
第3図において、ガラス基板1の上には、In、O,や
5n02等の透明導電膜からなる前面電極2(膜厚約2
000人)が蒸着され、続いてY2O。
5n02等の透明導電膜からなる前面電極2(膜厚約2
000人)が蒸着され、続いてY2O。
やSi、N4等からなる第1誘電体膜3、Mnを微量に
含むZnSからなる発光膜4および第1誘電体膜3と同
様の材質からなる第2誘電体膜5が電子ビーム蒸着ある
いはスパッタリングによって順次積層されており、上記
の3〜5が透明多層膜100を形成している。なお、そ
れぞれの膜厚は誘電体膜が5000人1発光膜が600
0人程度大島る。
含むZnSからなる発光膜4および第1誘電体膜3と同
様の材質からなる第2誘電体膜5が電子ビーム蒸着ある
いはスパッタリングによって順次積層されており、上記
の3〜5が透明多層膜100を形成している。なお、そ
れぞれの膜厚は誘電体膜が5000人1発光膜が600
0人程度大島る。
次に、上記の第2誘電体膜5の上に、質1膜厚が50〜
300人のMo膜からなる島状吸収体膜6を電子ビーム
蒸着あるいはスパッタリングによって形成する。なお、
この島状吸収体膜6は、島状構造をもつ他の金属膜や半
導体膜、例えば、Ta、Cr。
300人のMo膜からなる島状吸収体膜6を電子ビーム
蒸着あるいはスパッタリングによって形成する。なお、
この島状吸収体膜6は、島状構造をもつ他の金属膜や半
導体膜、例えば、Ta、Cr。
Si等で代替することも可能である。
上記の島状吸収体11’i 6の上に、5000 A程
度の膜厚をもつAl1203等の透明誘電体膜7を形成
し、さらにその上にM等の金属IFJ8を蒸着あるいは
スパッタリングによって順次積層する。
度の膜厚をもつAl1203等の透明誘電体膜7を形成
し、さらにその上にM等の金属IFJ8を蒸着あるいは
スパッタリングによって順次積層する。
上記の6〜8が黒色化背面lit極200を形成してい
る。
る。
また、上記の前面電極2および黒色化背面電極200は
、通常のフォトリソグラフィによって、所望の表示形状
に対応した形状にパターニングする。
、通常のフォトリソグラフィによって、所望の表示形状
に対応した形状にパターニングする。
上記のようにして、ガラス基板上に薄膜EL素子を形成
したEL表示装置が完成する。
したEL表示装置が完成する。
上記のとときEL表示装置の前面電極2と黒色化背面電
極200との間に交流電圧を印加し、発光TI%4中の
電界がL〜2 X 10’V/cs*L;:達すると。
極200との間に交流電圧を印加し、発光TI%4中の
電界がL〜2 X 10’V/cs*L;:達すると。
上記面電極に挟まれた部分が発光し、図形が表示される
。
。
なお、上記のEL表示装置において、外部から透明多層
膜100を通って黒色化背面電極200に侵入した外来
光は、島状吸収体膜6及び透明誘電体膜7によって吸収
される。したがって、黒色化背面電極200による正反
射及び拡散反射は1M等の金属のみで背面電極を形成し
た場合に比較して、それぞれ1/100以下であり、上
記のごとき構成によって背面電極の反射で視認性が低下
するという問題を解決している。
膜100を通って黒色化背面電極200に侵入した外来
光は、島状吸収体膜6及び透明誘電体膜7によって吸収
される。したがって、黒色化背面電極200による正反
射及び拡散反射は1M等の金属のみで背面電極を形成し
た場合に比較して、それぞれ1/100以下であり、上
記のごとき構成によって背面電極の反射で視認性が低下
するという問題を解決している。
上記のごとき従来のEL表示装置においては。
ガラス基板1の屈折率と空気の屈折率との差がかなり大
きいため、ガラス基板1の表面で正反射が強く起こり、
明るい環境下で利用した場合には。
きいため、ガラス基板1の表面で正反射が強く起こり、
明るい環境下で利用した場合には。
観測者の目に観測者自身の姿が写ったり、あるいは周囲
の景色が写ったりして表示が兄にくいばかりでなく、不
快感を与えるという問題があった。
の景色が写ったりして表示が兄にくいばかりでなく、不
快感を与えるという問題があった。
本発明は、上記のごとき従来技術の問題を解決するため
になされたものであり、ガラス基板の表面における反射
を防止して明るい環境下でも表示の見やすいEL表示装
置を提供することを目的とするものである。
になされたものであり、ガラス基板の表面における反射
を防止して明るい環境下でも表示の見やすいEL表示装
置を提供することを目的とするものである。
c問題を解決するための手段〕
上記の目的を達成するため、本発明においては。
ガラス基板の一方の面に薄膜EL素子を形成したELパ
ネルと、上記のガラス基板と同一屈折率を有する透明基
板の一方の面に反射防止膜を形成した正反射抑制体とを
上記ガラス基板とほぼ同一屈折率を有する透明体を介し
て上記薄膜EL素子の形成面と反射防止膜の形成面とが
相互に背中合わせになるように平行に配設している。
ネルと、上記のガラス基板と同一屈折率を有する透明基
板の一方の面に反射防止膜を形成した正反射抑制体とを
上記ガラス基板とほぼ同一屈折率を有する透明体を介し
て上記薄膜EL素子の形成面と反射防止膜の形成面とが
相互に背中合わせになるように平行に配設している。
上記のごとく構成したことにより1本発明においては、
反射防止膜によって外来光の反射が抑制され、また、正
反射抑制体の基板とELパネルのガラス基板とは同一の
屈折率を有し、かつ、間に設けられている透明体もほぼ
同一の屈折率を有するので、それらの部分からの反射は
ほどんどなく、したがって、外来光の反射を大幅に抑制
したEL表示装置を実現することが出来る。
反射防止膜によって外来光の反射が抑制され、また、正
反射抑制体の基板とELパネルのガラス基板とは同一の
屈折率を有し、かつ、間に設けられている透明体もほぼ
同一の屈折率を有するので、それらの部分からの反射は
ほどんどなく、したがって、外来光の反射を大幅に抑制
したEL表示装置を実現することが出来る。
第1図は本発明の一実施例の主要部断面図であり、前記
第3図と同符号は同一物を示す。
第3図と同符号は同一物を示す。
第1図において、基板21はガラス基板1と同一の屈折
率を有する透明体であり、例えば、ガラス基板1と同一
のガラス基板を用いればよい。
率を有する透明体であり、例えば、ガラス基板1と同一
のガラス基板を用いればよい。
また、基板21の表面には反射防止膜400が形成され
ている。
ている。
この反射防止膜4GOとしては、例えば基板21が屈折
率n=1.52のソーダガラスの場合には、屈折率n1
=1.70のCeF322と、屈折率n2=2.1のZ
r0.23と、屈折率n、=1.38のM K F 2
24とをそれぞれ順に920人程1.1200人程度1
フ50人程1の膜厚で積層した、いわゆる λ。/4−
λ、/2−λ、/4型の三層反射防止膜を用いることが
出来る。
率n=1.52のソーダガラスの場合には、屈折率n1
=1.70のCeF322と、屈折率n2=2.1のZ
r0.23と、屈折率n、=1.38のM K F 2
24とをそれぞれ順に920人程1.1200人程度1
フ50人程1の膜厚で積層した、いわゆる λ。/4−
λ、/2−λ、/4型の三層反射防止膜を用いることが
出来る。
上記の三層反射防止膜は、例えば、電子ビーム蒸着法、
あるいは抵抗線加熱蒸着法等によって形成する。
あるいは抵抗線加熱蒸着法等によって形成する。
上記のようにして基板21の上に反射防止膜400を形
成した正反射抑制体500を形成する。
成した正反射抑制体500を形成する。
次に、ELパネル300と正反射抑制体500とを、四
隅に設置した厚さ約0.3am、縦3mm、横3111
11のスペーサ25を介して、蒸着面が相互に背中合わ
せになるように平行に配置した後、基板21の周囲に沿
ってエポキシ系の接着剤26を添付して固着する。
隅に設置した厚さ約0.3am、縦3mm、横3111
11のスペーサ25を介して、蒸着面が相互に背中合わ
せになるように平行に配置した後、基板21の周囲に沿
ってエポキシ系の接着剤26を添付して固着する。
ただし、ガラス基板1と基板21との間には後述する透
明体28を注入するために、1個所だけ接着剤を付与し
ない部分、すなわち注入孔(図示せず。
明体28を注入するために、1個所だけ接着剤を付与し
ない部分、すなわち注入孔(図示せず。
例えば約1m纏の大きさ)を設けるものとする。
次に、上記の注入孔から、屈折率がガラス基板1および
基板21とほぼ同一でしかも透明な液体27を注入し、
ガラス基板1と基板21とで形成される空間を完全に満
たした後、注入孔を前記と同様のエポキシ系接着剤で封
止する。
基板21とほぼ同一でしかも透明な液体27を注入し、
ガラス基板1と基板21とで形成される空間を完全に満
たした後、注入孔を前記と同様のエポキシ系接着剤で封
止する。
上記の透明な液体27としては1例えば、ガラス基板1
および基板21が屈折率1.52のソーダガラスの場合
には、シリコンオイル(例えば、信越化学工業株式会社
のKF51.屈折率n=1.51)を用いることが出来
る。
および基板21が屈折率1.52のソーダガラスの場合
には、シリコンオイル(例えば、信越化学工業株式会社
のKF51.屈折率n=1.51)を用いることが出来
る。
注入の方法としては、注入孔をシリコンオイル中に沈め
たままで減圧し、ガラス基板1と基板21との間の空気
を完全に排気した後、再び大気圧に戻スことによって気
圧差を利用してシリコンオイルを間隙内に注入する方法
を用いることが出来る。
たままで減圧し、ガラス基板1と基板21との間の空気
を完全に排気した後、再び大気圧に戻スことによって気
圧差を利用してシリコンオイルを間隙内に注入する方法
を用いることが出来る。
上記のようにして第1図のEL表示装置が完成する。
次に1作用を説明する。
外部からEL表示装置の反射防止膜300に到達した環
境光Iのうち、ごく一部が反射光Ilとして反射するが
、はとんどはそのまま通り抜け、基板21と透明体27
どの境界面に進む。
境光Iのうち、ごく一部が反射光Ilとして反射するが
、はとんどはそのまま通り抜け、基板21と透明体27
どの境界面に進む。
しかし、基板21と透明体27とは屈折率がほぼ同じで
あり、言い替えれば光学的に同質なため、この面での正
反射は全く起こらず直進する。
あり、言い替えれば光学的に同質なため、この面での正
反射は全く起こらず直進する。
また、透明体27とガラス基板1との境界面でも上記と
同様に無反射のまま透過する。
同様に無反射のまま透過する。
上記のようにして薄膜EL素子に進入した透過光11′
は、最終的には黒色化背面電極200に吸収されて消滅
する。
は、最終的には黒色化背面電極200に吸収されて消滅
する。
第1図の実施例の場合、EL表示装置の表面で観測者側
に反射する光は1反射防止膜で反射する微弱な反射光重
、のみである。
に反射する光は1反射防止膜で反射する微弱な反射光重
、のみである。
これに対して、前記第3図のごとき従来のEL表示装欝
においては、ガラス基板1の表面で反射する完工2はか
なり大きくなる。
においては、ガラス基板1の表面で反射する完工2はか
なり大きくなる。
第2図は、第1図に示す本実施例と第3図に示す従来の
EL表示装置との可視光域における正反射の強さを比較
した図であり、外来光をガラス基板1の法線方向から入
射させた場合を示している。
EL表示装置との可視光域における正反射の強さを比較
した図であり、外来光をガラス基板1の法線方向から入
射させた場合を示している。
第2図から判るように、本発明のEL表示装置の反射率
は、可視光域の広い範囲にわたって従来の115以下に
低下している。
は、可視光域の広い範囲にわたって従来の115以下に
低下している。
すなわち、ELパネルを同じ輝度で点灯した場合、約5
倍の明るさの環境下においても同じ見やすさを確保出来
ることを意味している。
倍の明るさの環境下においても同じ見やすさを確保出来
ることを意味している。
なお、前記第1図の実施例においては、反射防止膜とし
ていわゆるλ、/4−λ。/2−λ。/4型の三層反射
防止膜を用いが、これに限られるものではなく、例えば
、さらにEL表示装置の反射率を低下させたい場合には
、より多層にした反射防止膜を用いることが出来る。
ていわゆるλ、/4−λ。/2−λ。/4型の三層反射
防止膜を用いが、これに限られるものではなく、例えば
、さらにEL表示装置の反射率を低下させたい場合には
、より多層にした反射防止膜を用いることが出来る。
例えば、屈折率n=1.52の基板21に近い方から順
に1MgF、(n1=1.38)、ThF、(n2=1
.53)。
に1MgF、(n1=1.38)、ThF、(n2=1
.53)。
ZnS (n、=2.35)、およびM@F、 (n、
=1.38)をそれぞれ920人、1085人、830
人、920人の膜厚で堆積させた四層反射防止膜を用い
た場合には。
=1.38)をそれぞれ920人、1085人、830
人、920人の膜厚で堆積させた四層反射防止膜を用い
た場合には。
EL表示装置の正反射率を従来の171o以下にするこ
とが出来る。
とが出来る。
また、環境光がさほど強くない場所で利用されるEL表
示装置の場合には、反射率の抑制度は低下するが、製造
コストの安い単層反射防止膜やλ。/4−λ。/4型の
二層反射防止膜等を用いることも出来る。
示装置の場合には、反射率の抑制度は低下するが、製造
コストの安い単層反射防止膜やλ。/4−λ。/4型の
二層反射防止膜等を用いることも出来る。
また、前記の実施例においては、ガラス基板1と基板2
1との間に充填する゛物質として、透明の液体、例えば
、シリコンオイルを用いた場合を例示したが、この物質
としては、透明であり、がっ、ガラス基板1および基板
21とほぼ同一の屈折率を有しているものであれば液体
に限られるものではなく、例えば、最終的に固化する透
明接着剤や透明ペースト等を用いることも出来る。
1との間に充填する゛物質として、透明の液体、例えば
、シリコンオイルを用いた場合を例示したが、この物質
としては、透明であり、がっ、ガラス基板1および基板
21とほぼ同一の屈折率を有しているものであれば液体
に限られるものではなく、例えば、最終的に固化する透
明接着剤や透明ペースト等を用いることも出来る。
また、第1図の実施例においては、基板21の上に反射
防止膜を設けた正反射抑制体を形成し、これをELパネ
ルと組み合わせるように形成しているが、ELパネルの
ガラス基板1の前面に反射防止膜を直接設けることも考
えられる。
防止膜を設けた正反射抑制体を形成し、これをELパネ
ルと組み合わせるように形成しているが、ELパネルの
ガラス基板1の前面に反射防止膜を直接設けることも考
えられる。
しかし、その場合には、反射防止膜を形成する際にEL
パネルの温度が上昇するため、歩留まりが悪化するとい
う問題が生じるので好ましくない。
パネルの温度が上昇するため、歩留まりが悪化するとい
う問題が生じるので好ましくない。
その点、第1図の実施例のごとく、ELパネルと正反射
抑制体とを別個に構成し、その後に組み合わせるように
した場合には、上記のごとき問題を生じるおそれがない
。
抑制体とを別個に構成し、その後に組み合わせるように
した場合には、上記のごとき問題を生じるおそれがない
。
以上説明したごとく、本発明においては、ガラス基板上
に薄膜ELi子を形成したELパネルと、上記のガラス
基板と同一屈折率を有する基板上に反射防止膜を形成し
た正反射抑制体とを上記のガラス基板とほぼ同一屈折率
を有する透明体を介して背中合せに配設するように構成
しているので、ガラス基板表面における正反射が著しく
低下し、明るい環境下で周囲の景色が写って表示が見に
くくなるという従来装置の問題を解消することが出来る
。
に薄膜ELi子を形成したELパネルと、上記のガラス
基板と同一屈折率を有する基板上に反射防止膜を形成し
た正反射抑制体とを上記のガラス基板とほぼ同一屈折率
を有する透明体を介して背中合せに配設するように構成
しているので、ガラス基板表面における正反射が著しく
低下し、明るい環境下で周囲の景色が写って表示が見に
くくなるという従来装置の問題を解消することが出来る
。
また、同じ環境下で使用する場合には、従来装置ニ比べ
て電界ストレスの小さな低輝度で駆動出来るので、装置
の寿命を延長することも出来る、等の優れた効果が得ら
れる。
て電界ストレスの小さな低輝度で駆動出来るので、装置
の寿命を延長することも出来る、等の優れた効果が得ら
れる。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は従来装置
と本発明の装置における反射率の比較図、第3図は従来
装置の一例の断面図である。 〈符号の説明〉 1・・・ガラス基板 2・・・前面電極3・・・
第1誘電体膜 4・・・発光膜5・・・第2誘電体
膜 6・・・島状吸収体膜7・・・透明誘電体It
!J8・・・金属膜21・・・基板25・・・スペーサ 26・・・接着剤 27・・・透明体100
・・・透明多層IPJ 200・・・黒色化背面
電極300・・・ELパネル 400・・・反射防
止膜SOO・・・正反射抑制体 代理人弁理士 中 村 純之助5 ↑11月 縫−Y ゝ、 :ケ2 向 才3面 腐りIt/li V
と本発明の装置における反射率の比較図、第3図は従来
装置の一例の断面図である。 〈符号の説明〉 1・・・ガラス基板 2・・・前面電極3・・・
第1誘電体膜 4・・・発光膜5・・・第2誘電体
膜 6・・・島状吸収体膜7・・・透明誘電体It
!J8・・・金属膜21・・・基板25・・・スペーサ 26・・・接着剤 27・・・透明体100
・・・透明多層IPJ 200・・・黒色化背面
電極300・・・ELパネル 400・・・反射防
止膜SOO・・・正反射抑制体 代理人弁理士 中 村 純之助5 ↑11月 縫−Y ゝ、 :ケ2 向 才3面 腐りIt/li V
Claims (1)
- 透明なガラス基板の一方の面に薄膜EL素子を形成し
たELパネルと、上記ガラス基板と同一屈折率を有する
透明基板の一方の面に反射防止膜を形成した正反射抑制
体とを、上記ガラス基板とほぼ同一屈折率を有する透明
体を介して、上記薄膜EL素子の形成面と上記反射防止
膜の形成面とが相互に背中合せになるように平行に配設
してなるEL表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61114852A JPH0634390B2 (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | El表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61114852A JPH0634390B2 (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | El表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62272496A true JPS62272496A (ja) | 1987-11-26 |
| JPH0634390B2 JPH0634390B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=14648317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61114852A Expired - Lifetime JPH0634390B2 (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | El表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634390B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010153173A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜用基板および発光装置の作製方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50145099A (ja) * | 1974-05-10 | 1975-11-21 | ||
| JPS5133579A (en) * | 1974-09-13 | 1976-03-22 | Sharp Kk | Hakumaku el soshi |
-
1986
- 1986-05-21 JP JP61114852A patent/JPH0634390B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50145099A (ja) * | 1974-05-10 | 1975-11-21 | ||
| JPS5133579A (en) * | 1974-09-13 | 1976-03-22 | Sharp Kk | Hakumaku el soshi |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010153173A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜用基板および発光装置の作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0634390B2 (ja) | 1994-05-02 |
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