JPH06345262A

JPH06345262A - 処理装置

Info

Publication number: JPH06345262A
Application number: JP5163771A
Authority: JP
Inventors: Kenji Yasuda; 賢司安田; Hiroyuki Sanada; 博幸真田; Teru Sugabayashi; 輝管林; Masaaki Murakami; 政明村上
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1993-06-10
Filing date: 1993-06-10
Publication date: 1994-12-20
Anticipated expiration: 2014-07-19
Also published as: JP2920454B2

Abstract

(57)【要約】【目的】処理液の残滓によって被処理体がアームから
離れにくくなるような不都合をなくし、処理機構への被
処理体の受け渡しを円滑に行う。【構成】アーム８に被処理体の周縁近傍の下面に当接
してこれを数点支持する複数の突起状吸着部１４を設け
る。これら吸着部１４の外側に、被処理体に供給された
処理液等の残滓を受けるための滓受溝１２を形成する。
これにより、被処理体をその周縁がアーム８に接触しな
い状態で保持することができ、かつ被処理体の周縁部か
ら落下する残滓を滓受溝１２で受けることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の被処理体にレジスト膜形成や現像処理などの処理を
施す処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、半導体ウエハにフォトレジストを塗布し、フォ
トリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してフ
ォトレジストに転写し、これを現像処理する一連の処理
が施される。

【０００３】このような処理を行う場合、図１４に示す
処理システムが使用されている。この処理システムは、
被処理体としての半導体ウエハ（以下、単にウエハとい
う）Ｗを搬入・搬出するローダ部４０と、ウエハＷをブ
ラシ洗浄するブラシ洗浄装置４２と、ウエハＷを高圧ジ
ェット水で洗浄するジェット水洗浄装置４４と、ウエハ
Ｗの表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置４６
と、ウエハＷを所定温度に冷却する冷却処理装置４８
と、ウエハＷの表面にレジストを塗布及びサイドリンス
処理により周縁部のレジストを溶解除去するレジスト塗
布装置５０と、レジスト塗布の後でウエハＷを加熱して
プリベーク又はポストベークを行う加熱処理装置５２及
び露光されたウエハＷの現像処理を行うための現像装置
５４などを集合化して作業効率の向上を図っている。

【０００４】上記のように構成される処理システムの中
央部には、長手方向に沿ってウエハ搬送路５６が設けら
れ、このウエハ搬送路５６に各装置４０〜５４が正面を
向けて配置され、各装置４０〜５４との間でウエハＷの
受け渡しを行うウエハ搬送機構５８がウエハ搬送路５６
に沿って移動自在に設けられている。このウエハ搬送機
構５８は、真空吸着あるいは周辺部の下面支持などによ
ってウエハＷを保持するためのアーム５９を備えてい
る。アーム５９は上下に例えば２本配設されており、移
動機構によりそれぞれ独立に各装置４０〜５４のウエハ
載置位置まで移動できるようになっている。各アーム５
９は、図１５に示すように、ウエハ支持枠６０が一部切
欠環状に形成されており、その支持枠６０の内側３か所
に、ウエハＷの周縁部に係合してこれを載置状に支持す
る爪６１が設けられている。これらの爪６１は、図１６
に示すように、その内側部の傾斜面６１ａ上にウエハＷ
を落とし込ませることで、搬送中のウエハＷのずれを防
止している。このようなアーム５９を２本使用すること
で、各装置４０〜５４に対するウエハＷの搬入・搬出を
並行して行うことができ、処理能率の向上が図れる。そ
して、例えば、ローダ部４０の図示省略のウエハカセッ
ト内に収納されている処理前のウエハＷを１枚取り出し
て搬送し、順に、洗浄、アドヒージョン処理、冷却、レ
ジスト塗布、プリベーク、図示省略の露光装置による露
光、現像、ポストベークを行い、処理後のウエハＷをロ
ーダ部４０の図示省略のウエハカセット内に搬送して収
納する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した装
置において、通常使用されるような粘性の低いレジスト
液に代え、ポリイミドのような高粘度の処理液を使用し
て塗布処理を行った場合、レジスト塗布装置５０でサイ
ドリンス処理を行ってもウエハ周縁のポリイミドは除去
されにくく残ることになる。この処理液の残滓６４がア
ーム５９の爪６１に付着すると、ウエハＷがアーム５９
に付いて離れにくくなり、各装置４０〜５４へのウエハ
Ｗの搬入が円滑に成し得なくなる。特に、上記加熱処理
装置５２は積層された各ブロック５２Ａ内に設けた熱板
６２上にウエハＷを載置して加熱処理するものである
が、この熱板６２へのウエハＷの受け渡しは、図１７に
示すように、熱板６２を貫通して昇降自在に設けられた
３本の支持ピン６３によって熱板６２の上方で行われる
ため、アーム５９の爪６１に処理液の残滓６４が付着し
ていると、ウエハＷを支持ピン６３に載置する際ウエハ
Ｗがずれたり落下したりする問題が生じる。また、ウエ
ハＷの周縁に付着残存するポリイミドが剥がれてパーテ
ィクルとしてウエハＷに付着してしまうなどの問題も生
じる。

【０００６】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、その目的は、ポリイミドのような高粘度の処理液を
使用して処理を行う場合でも、処理液の残滓によって被
処理体がアームから離れにくくなるような不都合が生じ
ず、各処理機構への被処理体の受け渡しを円滑に行って
効率よく一連の処理ができる処理装置を提供することに
ある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の処理装置は、被処理体に処理を施
す複数の処理機構と、これらの処理機構に上記被処理体
を搬送するための搬送機構と、この搬送機構に移動自在
に設けられ上記被処理体を保持するアームとを有する処
理装置を前提とし、上記アームに上記被処理体の周縁近
傍の下面に当接してこれを数点支持する複数の突起状吸
着部を設けると共に、これら吸着部の外側に、上記被処
理体に供給された処理液等の残滓を受けるための滓受溝
を形成してなるものである。

【０００８】また、この発明の第２の処理装置は、被処
理体に処理を施す複数の処理機構と、これらの処理機構
に上記被処理体を搬送するための搬送機構と、この搬送
機構に移動自在に設けられ上記被処理体を保持するアー
ムとを有する処理装置を前提とし、上記アームに上記被
処理体の周方向数箇所を支承するための複数の爪を設け
ると共に、各爪の上面に、上記被処理体の周縁近傍の下
面に当接してこれを数点支持する突起状吸着部を数種類
の被処理体の径寸法に対応させて数箇所に設けてなるも
のである。

【０００９】上記第２の発明において、上記突起状吸着
部の被処理体の径寸法に対応させた動作は手動によって
行うものであっても差し支えないが、好ましくは、各突
起状吸着部に被処理体の径寸法を検出する検出手段を設
け、この検出手段からの信号に基いて上記被処理体を支
持する部位の上記突起状吸着部を作動させる方がよい。
この場合、検出手段として、例えば真空度センサや光電
式センサ等を使用することができる。

【００１０】

【作用】上記のように構成されるこの発明の第１の処理
装置によれば、被処理体を保持するアームに被処理体の
周縁近傍の下面に当接してこれを数点支持する複数の突
起状吸着部を設けることにより、被処理体はその周縁が
アームに対して非接触の状態で保持されるので、処理液
の残滓によって被処理体がアームから離れにくくなるよ
うな不都合は生じない。しかも、被処理体の周縁近傍を
支持する吸着部の外側に、被処理体に供給された処理液
等の残滓を受けるための滓受溝を形成することにより、
ウエハの周縁部からポリイミドの残滓が落下しても、そ
れを滓受溝で受けることができるので、残滓が装置内に
飛散するのを防止し、パーティクルの飛散を抑えること
ができる。

【００１１】また、この発明の第２の処理装置によれ
ば、被処理体を保持するアームに被処理体の周方向数箇
所を支承するための複数の爪を設けると共に、各爪の上
面に、被処理体の周縁近傍の下面に当接してこれを数点
支持する突起状吸着部を数種類の被処理体の径寸法に対
応させて数箇所に設けることにより、被処理体をその周
縁がアームに対して非接触の状態で保持し、しかも、径
寸法の異なる数種類の被処理体に対して、アームを交換
することなく対応できる。

【００１２】

【実施例】以下に、この発明の実施例を図面を用いて詳
細に説明する。なお、この発明の処理装置の全体の装置
構成は、図１４に示した半導体ウエハの塗布現像装置と
同様とすることができるので、ここでは、この発明の処
理装置の最も特徴的な構成要素である被処理体の搬送機
構について説明する。

【００１３】◎第一実施例図１はこの発明の第一実施例の搬送機構のアーム部を示
す斜視図、図２は搬送機構の概略正面図が示されてい
る。

【００１４】この搬送機構５７は、搬送路５６（図１４
参照）上の搬送レ−ル１に沿って移動自在に設けられた
走行ブロック２と、走行ブロック２に支軸３，４，５を
介してそれぞれ上下に位置をずらして設けられた３本の
アーム６，７，８を備えている。以下、上位のアーム６
を第１のアーム、中位のアーム７を第２のアーム、下位
のアーム８を第３のアームと称する。

【００１５】第１及び第２のアーム６，７は、通常のレ
ジスト塗布現像処理を行う際に各装置４０〜５４との間
でウエハＷの受け渡しを行う図１５と同様に構成された
一般用のアームであり、第３のアーム８は、この発明の
処理装置において新規に採用されたアームで、ポリイミ
ドのような高粘度の処理液の塗布処理を行う場合にのみ
使用され、特に、レジスト塗布装置５０から加熱処理装
置５２へウエハＷを搬送するための専用のアームであ
る。これら第１〜第３のアーム６〜８は、図示省略の移
動機構により、それぞれ独立に移動可能で、水平方向
（Ｘ，Ｙ方向）、垂直方向（Ｚ方向）及び回転方向（θ
方向）に移動させることができるようになっている。こ
のようなアームの移動機構としては、例えば、ステッピ
ングモータ及びこれに連結されたボールスクリュー等の
回転機構、あるいはベルト駆動されるスライド機構を用
いる。

【００１６】第３のアーム８は、図３，図４及び図５に
示すように、ウエハ支持枠９の内側壁９ａに沿ってウエ
ハ受部１０が形成され、そのウエハ受部１０の内周縁部
に縁取状に段部１１が形成されており、これら内側壁９
ａとウエハ受部１０とその段部１１とによって、ウエハ
支持枠９の内側部に一部切欠円環状の滓受溝１２が形成
されている。この滓受溝１２の両端には、図４に示すよ
うに塞ぎ壁１３が形成されている。

【００１７】ウエハ受部１０の段部１１の上面には、そ
の両端部及び中間部の計３箇所に、突起状のウエハ吸着
部１４が形成されている。これら吸着部１４には、周方
向に沿う長穴状の吸着口１５がそれぞれ形成されてお
り、これらの吸着口１５は、アーム内部に形成された空
気通路１６によってアーム基端部８ａの吸気口１７に連
通している。この吸気口１７は、支軸５の内部に形成さ
れた空気通路１８を介して図示省略の真空吸引装置に接
続されており、この真空吸引装置を駆動することによ
り、３つの吸着口１５から同時に吸気が行われるように
なっている。これらの吸着口１５が形成された段部１１
の外径はウエハＷの径よりも若干、例えば２〜１０mm程
度小さく設定されており、突起状のウエハ吸着部１４が
ウエハＷの周縁近傍の下面に当接してこれを吸着保持で
きるようになっている。

【００１８】また、ウエハ受部１０の内側壁９ａの径は
ウエハＷの径よりも若干、例えば２〜１０mm程度大きく
設定されており、吸着部１４によって吸着保持したウエ
ハＷの周縁部が接触しないようになっている。すなわ
ち、この第３のアーム８は、その３箇所に設けたウエハ
吸着部１４によってウエハＷの周縁近傍の下面３箇所を
吸着して３点支持し、図５に示すように、ウエハＷの周
縁部Ｗa を滓受溝１２の上方に迫出させた状態でウエハ
Ｗを保持できるようになっている。

【００１９】次に、上記のように構成された搬送機構の
動作について説明する。まず、通常のレジスト塗布現像
処理を行う場合、第１及び第２の２本のアーム６，７を
使用して、各装置４０〜５４に対するウエハＷの搬入・
搬出を並行して行う。これにより、能率良く処理を行う
ことができる。

【００２０】次に、ポリイミドのような高粘度の処理液
の塗布処理を行う場合、この場合も大部分の搬送行程は
第１及び第２の２本のアーム６，７を使用して行うが、
特に、アームの爪６１に対する処理液の残滓６４の付着
が問題となる搬送工程、すなわち塗布装置５０でポリイ
ミドを塗布したウエハＷを加熱処理装置５２の支持ピン
６３へ受け渡す搬送行程だけは第３のアーム８によって
行う。その際、搬送機構５７は、まず走行ブロック２を
塗布装置５０の前に移動させ、第３のアーム８のみを駆
動して塗布装置５０内に挿入する。

【００２１】塗布装置５０内では、例えば、レジスト液
が膜状にスピンコーティングされたウエハＷが昇降自在
に設けられた図示省略のウエハＷ回転用のスピンチャッ
クによってウエハＷが持ち上げられて受け渡し状態で待
機しており、第３のアーム８が塗布装置５０内の定位置
まで挿入された後、図示省略のスピンチャックが下降あ
るいは第３のアーム８が上昇して第３のアーム８のウエ
ハ受部１０にウエハＷが受け渡される。これによって第
３のアーム８の３つの吸着部１４がウエハＷの周縁近傍
の下面３箇所に当接してウエハＷを吸着保持する。

【００２２】次いで、搬送機構５７は、第３のアーム８
を塗布装置５０内から走行ブロック２上の定位置に移動
させ、中継機構５６Ａを経由してウエハＷを他方のウエ
ハ搬送機構５８に渡し、走行ブロック２を加熱処理装置
５２の前に移動させた後、第３のアーム８を加熱処理装
置５２内に挿入し、真空吸引装置の駆動を停止する。

【００２３】加熱処理装置５２内では、第３のアーム８
が受け渡しのための定位置に挿入されると、図１７に示
す３本の支持ピン６３が上昇し、第３のアーム８から支
持ピン６３へウエハＷが受け渡される。

【００２４】この場合、ウエハＷの周縁部Ｗa にポリイ
ミドの残滓６４が付着していたとしても、ウエハＷの周
縁部Ｗa がアーム８に対して非接触の状態になっている
ので、ウエハＷがアーム８に付いて離れにくくなるよう
なことはなく、ウエハＷの受け渡しを円滑に行うことが
できる。したがって、受け渡しの際にウエハＷがずれた
り落下したりする虞れはない。また、第３のアーム８に
よるウエハＷの搬送や受け渡しの際に、ウエハＷの周縁
部Ｗa からポリイミドの残滓６４が落下しても、それを
ウエハＷの周縁部１８下方の滓受溝１２で受けることが
できるので、残滓６４が装置内に飛散するのを防止し、
パーティクルの発生を抑えることができる。このことが
歩留の向上につながる。

【００２５】この第一実施例において、図６に示すよう
に滓受溝１２の底部１２ａに円錐状の吸込口１９を多数
点在させ、或いは、図７に示すように滓受溝１２の底部
１２ａを支持枠９側に傾斜させて所々に吸込口２０を形
成しておき、滓受溝１２で受けた残滓６４を真空吸引に
よって吸い出すようにすれば、さらに効果的にパーティ
クルの発生を防止することができる。

【００２６】また、この第一実施例において、例えば、
図８に示すように、各ウエハ吸着部１４の位置に対応さ
せて、ウエハ支持枠９の内側に進退移動可能に爪部材２
１を組み込んでおき、通常のレジスト塗布の場合は同図
（ａ）のように爪部材２１を前進させて使用してウエハ
Ｗを保持し、ポリイミドのような高粘度の処理液の塗布
処理を行う場合は爪部材２１を後退させて使用せず同図
（ｂ）のように吸着部１４を使用してウエハＷを吸着保
持するようにしてもよい。

【００２７】この図８の例では、ウエハ支持枠９の爪部
材２１の移動空間２２内にスプリング２３を設けて爪部
材２１を突出側に常時付勢しておくと共に、移動空間２
２に真空吸引装置を接続し、高粘度の処理液の塗布処理
の際には、真空吸引装置の作動させて移動空間２２内を
減圧し、スプリング２３の付勢力に抗して爪部材２１を
支持枠９側に引き寄せる構成となっている。

【００２８】このような構成において、吸着部１４の使
用と爪部材２１の使用の切り換えは、ウエハＷに形成さ
れている膜の厚さを測定する光干渉型等の膜厚センサ
と、その測定結果に基づいて膜種を判定するマイコン等
の制御装置を搬送機構５７に設けることにより自動化す
ることができる。例えば、膜厚が１０μｍ程度と厚い場
合には、ポリイミドと判定し、ウエハ吸着部１４を使用
する。また、膜厚が１〜２μｍの場合には通常のフォト
レジストと判定し、爪部材２１を使用する。この膜種の
判定は、上記第１，第２のアーム６，７とこの第３のア
ーム８との使い分けを自動的に行う場合にも有効であ
る。

【００２９】◎第二実施例図９には、この発明の第二実施例の搬送機構の第３のア
ームを示す平面図、図１０には、図９の要部の拡大平面
図及び断面図が示されている。この第二実施例におい
て、第３のアーム８以外の構成は第一実施例と同様であ
るので、その説明は省略する。

【００３０】第二実施例の第３のアーム８は、図９，図
１０に示すように、一部切欠円環状に形成されたウエハ
支持枠９の両端部及び中間部の計３箇所に、ウエハＷを
支承するための爪２５が支持枠９の半径方向内側に突出
して設けられ、各爪２５の上面に、ウエハＷの周縁近傍
の下面に当接してこれを３点支持するための突起状吸着
部２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃが３種類のウエハＷA,ＷB,Ｗ
C の径寸法に対応させて設けられている。

【００３１】吸着部２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃの上面に
は、周方向に沿う長穴状の吸着口１５がそれぞれ形成さ
れている。これらの吸着口１５と真空吸引装置とを結ぶ
各空気通路２７には、各吸着部２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃ
毎に吸引動作を切り換えるための開閉弁２８Ａ，２８
Ｂ，２８Ｃが設けられており、ウエハＷのサイズに応じ
て、各爪２５の３つの吸着部２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃの
うちのいずれか１つを使用してウエハＷを吸着保持でき
るようになっている。例えば、大径のウエハＷC を吸着
保持する場合、開閉弁２８Ｃを開くことにより各爪２５
の吸着部２６Ｃが吸引を開始し、これら吸着部２６Ｃが
ウエハＷC の周縁近傍３箇所を吸着保持してウエハＷC
を３点支持する。この場合、ウエハＷC の周縁部Ｗa に
ポリイミドの残滓６４が付着していたとしても、ウエハ
ＷC の周縁部Ｗa がアーム８に対して非接触の状態にな
っているので、ウエハＷがアーム８に付いて離れにくく
なるようなことはなく、ウエハＷの受け渡しを円滑に行
うことができる。中径、小径のウエハＷB,ＷA を搬送す
る場合も、それぞれ開閉弁２８Ｂ，２８Ａを開くことに
よりウエハＷC の場合と同様にウエハＷを吸着保持し、
ウエハＷの受け渡しを円滑に行うことができる。

【００３２】この第二実施例において、図１１に示すよ
うに各吸着部２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃの高さは、大径の
ウエハＷC を保持するための吸着部２６Ｃの高さが最も
高く、吸着部２６Ｃ，２６Ｂ，２６Ａの順に低くなるよ
うに設定しておくことにより、例えば、大径のウエハＷ
C を保持した場合に、吸着部２６Ｂ，２６Ａの周囲など
に付着していたポリイミドの残滓６４などのパーティク
ルがウエハＷC の下面に付着するのを防止することがで
きる。

【００３３】また、このような第二実施例の構成におい
て、各吸着部２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃの使用の切り換え
は、各開閉弁２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃに電磁弁を使用す
ると共に、図１２に示すように各空気通路２７の途中に
検出手段としての真空度センサ２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃ
を設けて各空気通路２７内の真空度を測定し、当初全て
の開閉弁２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃを開いた状態でウエハ
Ｗの受取りを行い、その直後の真空度の変化に基いて、
例えば、真空度センサ２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃの測定値
が所定の値よりも高くなった空気通路２７の開閉弁は開
いたままとし、他の２つが閉じられるようにすることで
自動化することができる。また、真空度センサ２９Ａ，
２９Ｂ，２９Ｃに代えて、各吸着部２６Ａ，２６Ｂ，２
６Ｃの近傍に、例えば光電式センサ３０Ａ，３０Ｂ，３
０Ｃを上方に向けて設置してウエハＷの有無を検出し、
ウエハＷが検出された最も外側の吸着部の開閉弁のみ開
かれるようにすることで、各吸着部２６Ａ，２６Ｂ，２
６Ｃの使用の切り換えを自動化することができる。

【００３４】以上の実施例では被処理体が半導体ウエハ
の場合について説明したが、被処理体は必ずしも半導体
ウエハに限られるものではなく、例えばＬＣＤ基板、セ
ラミックス基板、コンパクトディスク、プリント基板、
塗料を塗布する基板、光フィルター基板等について同様
に処理液を被覆するものについても適用できるものであ
る。

【００３５】また、上記実施例では処理装置をレジスト
塗布現像装置に適用した場合について説明したが、これ
以外にも、例えばエッチング液塗布処理や磁性液塗布処
理を行う装置、塗料の塗装装置等にも適用できることは
勿論である。

【００３６】

【発明の効果】以上要するにこの発明の処理装置によれ
ば、以下のような優れた効果が発揮できる。

【００３７】１）請求項１記載の処理装置によれば、被
処理体を保持するアームに被処理体の周縁近傍の下面に
当接してこれを数点支持する複数の突起状吸着部を設け
ることにより、被処理体をその周縁がアームに対して非
接触の状態で保持されるので、処理液の残滓によって被
処理体がアームから離れにくくなるようなことがなく、
ウエハの受け渡しを円滑に行うことができる。また、被
処理体の周縁近傍を支持する吸着部の外側に、被処理体
に供給された処理液等の残滓を受けるための滓受溝を形
成することにより、ウエハの周縁部からポリイミドの残
滓が落下しても、それを滓受溝で受けることができるの
で、残滓が装置内に飛散するのを防止し、パーティクル
の発生を抑えることができる。

【００３８】２）請求項２及び３記載の処理装置によれ
ば、被処理体を保持するアームに被処理体の周方向数箇
所を支承するための複数の爪を設けると共に、各爪の上
面に、被処理体の周縁近傍の下面に当接してこれを数点
支持する突起状吸着部を被処理体の径寸法に対応させて
数箇所に設けることにより、被処理体をその周縁がアー
ムに対して非接触の状態で保持し、しかも、径寸法の異
なる数種類の被処理体に対して、アームを交換すること
なく対応できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第一実施例の搬送機構のアーム部を
示す斜視図である。

【図２】この発明の第一実施例の搬送機構の概略正面図
である。

【図３】図１，図２の要部を示すアームの平面図であ
る。

【図４】図３のＡ部拡大斜視図である。

【図５】図３のＶ−Ｖ断面図である。

【図６】この発明の第一実施例の他の実施態様を示す部
分斜視断面図である。

【図７】この発明の第一実施例の他の実施態様を示す部
分斜視断面図である。

【図８】この発明の第一実施例の他の実施態様を示す概
略側面図である。

【図９】この発明の第二実施例の搬送機構のアームを示
す平面図である。

【図１０】図９の要部を示す爪部の拡大図平面図及び側
面図である。

【図１１】この発明の第二実施例の他の実施態様を示す
爪部の概略側面図である。

【図１２】この発明の第二実施例の他の実施態様を示す
吸着切換え手段の概略構成図である。

【図１３】この発明の第二実施例の他の実施態様を示す
吸着切換え手段の概略構成図である。

【図１４】レジスト塗布現像処理装置を示す斜視図であ
る。

【図１５】図１４の処理装置に組み込まれた従来の搬送
機構のアームを示す平面図である。

【図１６】図１４のＢ−Ｂ断面図である。

【図１７】図１４の処理装置におけ被処理体の受け渡し
動作を説明するための図である。

【符号の説明】

６第１のアーム７第２のアーム８第３のアーム（この発明に係るアーム）９ウエハ支持枠１０ウエハ受部１２滓受溝１４ウエハ吸着部１５吸着口１６空気通路２５爪２６Ａ〜２６Ｃ突起状吸着部２８Ａ〜２８Ｃ開閉弁２９Ａ〜２９Ｃ真空度センサ（検出手段）３０Ａ〜３０Ｃ光電式センサ（検出手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者管林輝熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 (72)発明者村上政明熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社熊本事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体に処理を施す複数の処理機構
と、これらの処理機構に上記被処理体を搬送するための
搬送機構と、この搬送機構に移動自在に設けられ上記被
処理体を保持するアームとを有する処理装置において、上記アームに上記被処理体の周縁近傍の下面に当接して
これを数点支持する複数の突起状吸着部を設けると共
に、これら吸着部の外側に、上記被処理体に供給された
処理液等の残滓を受けるための滓受溝を形成したことを
特徴とする処理装置。
【請求項２】被処理体に処理を施す複数の処理機構
と、これらの処理機構に上記被処理体を搬送するための
搬送機構と、この搬送機構に移動自在に設けられ上記被
処理体を保持するアームとを有する処理装置において、上記アームに上記被処理体の周方向数箇所を支承するた
めの複数の爪を設けると共に、各爪の上面に、上記被処
理体の周縁近傍の下面に当接してこれを数点支持する突
起状吸着部を被処理体の径寸法に対応させて数箇所に設
けたことを特徴とする処理装置。
【請求項３】各突起状吸着部に被処理体の径寸法を検
出する検出手段を設け、この検出手段からの信号に基い
て上記被処理体を支持する部位の上記突起状吸着部を作
動させるようにしたことを特徴とする請求項２記載の処
理装置。