JPH06349109A - 光記録媒体、その製造方法及びその使用方法 - Google Patents
光記録媒体、その製造方法及びその使用方法Info
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- JPH06349109A JPH06349109A JP5137430A JP13743093A JPH06349109A JP H06349109 A JPH06349109 A JP H06349109A JP 5137430 A JP5137430 A JP 5137430A JP 13743093 A JP13743093 A JP 13743093A JP H06349109 A JPH06349109 A JP H06349109A
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- optical recording
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射率、コントラストが向上した情報記録媒
体、その製造方法および使用方法を提供しようとするも
のである。 【構成】 電磁波のエネルギーを利用して記録、消去を
行う光記録媒体において、記録層の主成分が下記一般式
で表わされる組成を有する光記録媒体。 一般式 ＡｇxＧａyＳｅz ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ １５≦Ｘ≦４０ １５≦Ｙ≦４０ ３０≦Ｚ≦７０
体、その製造方法および使用方法を提供しようとするも
のである。 【構成】 電磁波のエネルギーを利用して記録、消去を
行う光記録媒体において、記録層の主成分が下記一般式
で表わされる組成を有する光記録媒体。 一般式 ＡｇxＧａyＳｅz ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ １５≦Ｘ≦４０ １５≦Ｙ≦４０ ３０≦Ｚ≦７０
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光記録媒体、特に相変化
形光記録媒体に関するものであって、光ビームを照射す
ることにより記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記
録、再生を行い、かつ書換が可能である光記録媒体に関
するものであり、コンパクトディスク関連機器に応用さ
れる。
形光記録媒体に関するものであって、光ビームを照射す
ることにより記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記
録、再生を行い、かつ書換が可能である光記録媒体に関
するものであり、コンパクトディスク関連機器に応用さ
れる。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムよるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学
系もより単純であることなどから、最近その研究開発が
活発になっている。特に同一の光学系を用いることがで
きるという利点から、高反射率、高コントラストといっ
た特性をあわせ持った、書き換えのできるコンパクトデ
ィスク（ＣＤ）としての応用が期待されている。
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムよるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学
系もより単純であることなどから、最近その研究開発が
活発になっている。特に同一の光学系を用いることがで
きるという利点から、高反射率、高コントラストといっ
た特性をあわせ持った、書き換えのできるコンパクトデ
ィスク（ＣＤ）としての応用が期待されている。
【０００３】相変化形記録材料の代表的な例として、Ｕ
ＳＰ３５３０４４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔ
ｅ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−
Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｔ
ｅ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン
系合金材料があげられる。また安定性、高速結晶化など
の向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２
１９６９２）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１
９０）、Ｐｂ（特開昭６２−１９４９０）などを添加し
た材料の提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的
にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比
を特定した材料（特開昭６２−７３４３８、特開昭６３
−２２８４３３）の提案などもなされている。しかし、
そのいずれもが元来コードデータファイル用の書き換え
可能光ディスクとして設計されており、相変化形書換可
能コンパクトディスクとして要求される諸特性のほとん
どを満足できていないのが現状である。特に反射率、コ
ントラスト、記録感度が解決すべき最重要課題となって
いる。これらの事情から反射率、コントラストが高く、
高感度の記録、消去に適する記録材料の開発が望まれて
いた。
ＳＰ３５３０４４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔ
ｅ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−
Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｔ
ｅ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン
系合金材料があげられる。また安定性、高速結晶化など
の向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２
１９６９２）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１
９０）、Ｐｂ（特開昭６２−１９４９０）などを添加し
た材料の提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的
にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比
を特定した材料（特開昭６２−７３４３８、特開昭６３
−２２８４３３）の提案などもなされている。しかし、
そのいずれもが元来コードデータファイル用の書き換え
可能光ディスクとして設計されており、相変化形書換可
能コンパクトディスクとして要求される諸特性のほとん
どを満足できていないのが現状である。特に反射率、コ
ントラスト、記録感度が解決すべき最重要課題となって
いる。これらの事情から反射率、コントラストが高く、
高感度の記録、消去に適する記録材料の開発が望まれて
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
に比較して反射率、コントラストの飛躍的向上を達成す
る情報記録媒体とその製造方法を提供するものである。
に比較して反射率、コントラストの飛躍的向上を達成す
る情報記録媒体とその製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、反射率、コン
トラストが高く、低パワーで記録−消去の繰り返しが可
能な書換可能コンパクトディスクを提供するものであ
る。そこで本発明者らは改善に鋭意研究を重ねた結果、
前述目的に合致する記録材料を見いだした。即ち、本発
明は（１）電磁波のエネルギーを利用して記録消去を行
う情報記録媒体であり、記録層中の主成分がＡｇxＧａy
Ｓｅz（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００，１５≦ｘ≦４０，１５≦
ｙ≦４０，３０≦ｚ≦７０）で表される光記録媒体、
（２）記録層の安定状態にカルコパイライト構造を持つ
ＡｇＧａＳｅ2微結晶相を含む上記（１）の光記録媒
体、（３）記録層の膜厚ｄが１００Å≦ｄ≦１２００Å
である上記（１）または（２）の光記録媒体、（４）基
板と記録層の間に下部耐熱性保護層を、記録層と反射層
の間に上部耐熱性保護層を有し、かつ電磁波の波長が７
７０〜７９０ｎｍのとき記録媒体の未記録部の反射率が
７０％以上、記録部と未記録部の反射率のコントラスト
が６０％以上である（１）ないし（３）の何れかに記載
の光記録媒体、（５）下部耐熱性保護層が主にＺｎＳと
ＳｉＯ2の混合物からなり、上部耐熱性保護層が主に窒
化アルミニウム、またはＺｎＳとＳｉＯ2の混合物から
なる上記（１）ないし（４）の何れかに記載の光記録媒
体、（６）下部耐熱性保護層の膜厚ｄ1が ５００Å≦ｄ1≦５００＋（７８００／ｎ1）Å （ｎ1：下部耐熱性保護層の屈折率）である上記（１）
ないし（５）の何れかに記載の光記録媒体、（７）上部
耐熱性保護層の膜厚ｄ2が ５０Å≦ｄ2≦５０＋（３８００／ｎ2）Å （ｎ2：上部耐熱性保護層の屈折率）である上記（１）
ないし（６）の何れかに記載の光記録媒体、（８）記
録、消去および再生のうちの何れかのとき、光記録媒体
と電磁波ビームスポットとの相対速度が１．２〜１．４
ｍ／ｓまたはその整数倍である上記（１）ないし（７）
の何れかに記載の光記録媒体の使用方法、（９）カルコ
パイライト構造を有するＡｇＧａＳｅ2を原材料として
記録層を成膜する上記（１）ないし（７）の光記録媒体
の製造方法に関するものである。以下本発明を添付図面
に基づき説明する。図１は本発明の構成例を示すもので
ある。基板１上に下部耐熱性保護層２、記録層３、上部
耐熱性保護層４、反射放熱層５、環境保護層６が設けら
れている。
トラストが高く、低パワーで記録−消去の繰り返しが可
能な書換可能コンパクトディスクを提供するものであ
る。そこで本発明者らは改善に鋭意研究を重ねた結果、
前述目的に合致する記録材料を見いだした。即ち、本発
明は（１）電磁波のエネルギーを利用して記録消去を行
う情報記録媒体であり、記録層中の主成分がＡｇxＧａy
Ｓｅz（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００，１５≦ｘ≦４０，１５≦
ｙ≦４０，３０≦ｚ≦７０）で表される光記録媒体、
（２）記録層の安定状態にカルコパイライト構造を持つ
ＡｇＧａＳｅ2微結晶相を含む上記（１）の光記録媒
体、（３）記録層の膜厚ｄが１００Å≦ｄ≦１２００Å
である上記（１）または（２）の光記録媒体、（４）基
板と記録層の間に下部耐熱性保護層を、記録層と反射層
の間に上部耐熱性保護層を有し、かつ電磁波の波長が７
７０〜７９０ｎｍのとき記録媒体の未記録部の反射率が
７０％以上、記録部と未記録部の反射率のコントラスト
が６０％以上である（１）ないし（３）の何れかに記載
の光記録媒体、（５）下部耐熱性保護層が主にＺｎＳと
ＳｉＯ2の混合物からなり、上部耐熱性保護層が主に窒
化アルミニウム、またはＺｎＳとＳｉＯ2の混合物から
なる上記（１）ないし（４）の何れかに記載の光記録媒
体、（６）下部耐熱性保護層の膜厚ｄ1が ５００Å≦ｄ1≦５００＋（７８００／ｎ1）Å （ｎ1：下部耐熱性保護層の屈折率）である上記（１）
ないし（５）の何れかに記載の光記録媒体、（７）上部
耐熱性保護層の膜厚ｄ2が ５０Å≦ｄ2≦５０＋（３８００／ｎ2）Å （ｎ2：上部耐熱性保護層の屈折率）である上記（１）
ないし（６）の何れかに記載の光記録媒体、（８）記
録、消去および再生のうちの何れかのとき、光記録媒体
と電磁波ビームスポットとの相対速度が１．２〜１．４
ｍ／ｓまたはその整数倍である上記（１）ないし（７）
の何れかに記載の光記録媒体の使用方法、（９）カルコ
パイライト構造を有するＡｇＧａＳｅ2を原材料として
記録層を成膜する上記（１）ないし（７）の光記録媒体
の製造方法に関するものである。以下本発明を添付図面
に基づき説明する。図１は本発明の構成例を示すもので
ある。基板１上に下部耐熱性保護層２、記録層３、上部
耐熱性保護層４、反射放熱層５、環境保護層６が設けら
れている。
【０００６】本発明の記録層は各種気相成長法、例えば
真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法
などによって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル法
のような湿式プロセスも適用可能である。記録層の膜厚
としては１００〜１２００Å、好適には２００〜１００
０Åとするのがよい。１００Åより薄いと光吸収能が著
しく低下し、記録層としての役割を果たさなくなる。ま
た１３００Åより厚いと反射率、コントラストが高いデ
ィスク構成がとれなくなる。
真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法
などによって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル法
のような湿式プロセスも適用可能である。記録層の膜厚
としては１００〜１２００Å、好適には２００〜１００
０Åとするのがよい。１００Åより薄いと光吸収能が著
しく低下し、記録層としての役割を果たさなくなる。ま
た１３００Åより厚いと反射率、コントラストが高いデ
ィスク構成がとれなくなる。
【０００７】記録層の安定状態にカルコパイライト構造
を有する化合物を含むことで、高速で安定な記録消去の
可逆転移が可能となる。同時に記録相中に含まれる相の
種類が限定され、記録層の不必要な相分離または物質移
動を防ぐことができる。請求項中に規定されているｘ，
ｙ，ｚはこのようなカルコパイライト構造を有する化合
物を得るために必要な元素濃度範囲を示している。
を有する化合物を含むことで、高速で安定な記録消去の
可逆転移が可能となる。同時に記録相中に含まれる相の
種類が限定され、記録層の不必要な相分離または物質移
動を防ぐことができる。請求項中に規定されているｘ，
ｙ，ｚはこのようなカルコパイライト構造を有する化合
物を得るために必要な元素濃度範囲を示している。
【０００８】耐熱性保護層は各種気相成長法、たとえば
真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法
などによって形成できる。また、必要に応じて不純物を
含んでいてもよい。但し耐熱性保護層の融点は記録層の
融点よりも高いことが必要である。
真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法
などによって形成できる。また、必要に応じて不純物を
含んでいてもよい。但し耐熱性保護層の融点は記録層の
融点よりも高いことが必要である。
【０００９】下部耐熱性保護層の膜厚の果たす主な役割
として、耐熱性を確保する効果と、干渉を利用し入射光
・反射光を効率的に利用する光学的効果とがある。耐熱
性の観点から言えば、薄すぎる耐熱性保護層では隣接す
る基板、および層に過剰な熱が伝わる。このため、下部
耐熱性保護層として主にＺｎＳとＳｉＯ2の混合物から
なる層を用いたとき、最小膜厚は５００Å、上部耐熱性
保護層として主に窒化アルミニウム、またはＺｎＳとＳ
ｉＯ2の混合物からなる層を用いたときは５０Å以上で
なければその機能をはたせなくなる。
として、耐熱性を確保する効果と、干渉を利用し入射光
・反射光を効率的に利用する光学的効果とがある。耐熱
性の観点から言えば、薄すぎる耐熱性保護層では隣接す
る基板、および層に過剰な熱が伝わる。このため、下部
耐熱性保護層として主にＺｎＳとＳｉＯ2の混合物から
なる層を用いたとき、最小膜厚は５００Å、上部耐熱性
保護層として主に窒化アルミニウム、またはＺｎＳとＳ
ｉＯ2の混合物からなる層を用いたときは５０Å以上で
なければその機能をはたせなくなる。
【００１０】また、光学的観点から言えば、電磁波の波
長をλ、耐熱性保護層の屈折率をｎとすれば、膜厚がλ
／２ｎ毎の周期で同一の光学的条件が現われる。従っ
て、最適な最小膜厚を仮にｄ0とすると、 ｄ0＋（ｍλ／２ｎ）（ｍ＝０，１，２，３…）……式
１ で再び最適条件が得られる。しかし、耐熱性保護層が厚
すぎると界面の剥離や、ひずみを起こしやすくなる。特
に上部耐熱性保護層は反射放熱層へと熱を逃がす役割を
担うため、これが厚すぎると記録膜に余剰な熱が蓄積さ
れ、ディスクとしての記録消去特性が劣化し、層分離や
物質移動等を引き起こすので好ましくない。これらの事
情から、式（１）中のｍは下部保護層は０〜２、上部保
護層は０〜１が最適膜厚範囲である。本発明の光記録情
報媒体は書き換えのできるコンパクトディスクに関する
ものであるから、波長７７０〜７９０ｎｍでのｍ×λ／
２ｎを考えればよい。従って、下部耐熱性保護層（屈折
率ｎ1）の膜厚ｄ1は ５００Å≦ｄ1≦５００＋（７８００／ｎ1）Å 上部耐熱性保護層（屈折率ｎ2）の膜厚ｄ2は ５０Å≦ｄ2≦５０＋（３９００／ｎ2）Å が最適である。
長をλ、耐熱性保護層の屈折率をｎとすれば、膜厚がλ
／２ｎ毎の周期で同一の光学的条件が現われる。従っ
て、最適な最小膜厚を仮にｄ0とすると、 ｄ0＋（ｍλ／２ｎ）（ｍ＝０，１，２，３…）……式
１ で再び最適条件が得られる。しかし、耐熱性保護層が厚
すぎると界面の剥離や、ひずみを起こしやすくなる。特
に上部耐熱性保護層は反射放熱層へと熱を逃がす役割を
担うため、これが厚すぎると記録膜に余剰な熱が蓄積さ
れ、ディスクとしての記録消去特性が劣化し、層分離や
物質移動等を引き起こすので好ましくない。これらの事
情から、式（１）中のｍは下部保護層は０〜２、上部保
護層は０〜１が最適膜厚範囲である。本発明の光記録情
報媒体は書き換えのできるコンパクトディスクに関する
ものであるから、波長７７０〜７９０ｎｍでのｍ×λ／
２ｎを考えればよい。従って、下部耐熱性保護層（屈折
率ｎ1）の膜厚ｄ1は ５００Å≦ｄ1≦５００＋（７８００／ｎ1）Å 上部耐熱性保護層（屈折率ｎ2）の膜厚ｄ2は ５０Å≦ｄ2≦５０＋（３９００／ｎ2）Å が最適である。
【００１１】本発明に対して最適な上部耐熱性保護層及
び下部耐熱性保護層の膜厚は、計算によりあらかじめ予
想することができる。図２は本発明の構成を用いて得ら
れる反射率及びコントラストを示したものである。各薄
膜での多重反射を考慮して、未記録部（結晶）及び記録
部（アモルファス）の反射率を計算し、両者の反射率の
比からコントラストを計算した。計算に用いた条件は表
１の通りである。
び下部耐熱性保護層の膜厚は、計算によりあらかじめ予
想することができる。図２は本発明の構成を用いて得ら
れる反射率及びコントラストを示したものである。各薄
膜での多重反射を考慮して、未記録部（結晶）及び記録
部（アモルファス）の反射率を計算し、両者の反射率の
比からコントラストを計算した。計算に用いた条件は表
１の通りである。
【００１２】
【表１】
【００１３】なお、計算では基板における多重反射は含
めない。また、記録層のｎ，ｋはＡｇＧａＳｅ2の実測
した数値を用いた。横軸は上部耐熱性保護層の膜厚、縦
軸は下部耐熱性保護層の膜厚である。図中に網掛で示し
た部分が反射率が７０％以上かつコントラストが６０％
以上の膜厚の領域である。
めない。また、記録層のｎ，ｋはＡｇＧａＳｅ2の実測
した数値を用いた。横軸は上部耐熱性保護層の膜厚、縦
軸は下部耐熱性保護層の膜厚である。図中に網掛で示し
た部分が反射率が７０％以上かつコントラストが６０％
以上の膜厚の領域である。
【００１４】基板の材料は通常樹脂、ガラス、あるいは
セラミックスであり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素
系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。
セラミックスであり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素
系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。
【００１５】反射放熱層としては、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇな
どの金属材料、またはそれらの合金などを用いることが
できる。このような反射放熱層は各種気相成長法、たと
えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。
どの金属材料、またはそれらの合金などを用いることが
できる。このような反射放熱層は各種気相成長法、たと
えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。
【００１６】このようにして構成された記録媒体は、コ
ンパクトディスク規格のディスク回転速度である１．２
ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓ、またはその整数倍の線速で、再
生、記録、消去できる。また再生時の未記録部のレーザ
ー光反射率、記録部と未記録部のコントラストもＣＤ規
格を満たしている。
ンパクトディスク規格のディスク回転速度である１．２
ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓ、またはその整数倍の線速で、再
生、記録、消去できる。また再生時の未記録部のレーザ
ー光反射率、記録部と未記録部のコントラストもＣＤ規
格を満たしている。
【００１７】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。但しこれらの実施例は本発明をなんら制限するも
のではない。 実施例１ １２０ｍｍφのグルーブ付きポリカーボネート基板上に
ＺｎＳ−ＳｉＯ2（２０００Å）、Ａｇ25Ｇａ25Ｓｅ50
（４００Å）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（３００Å）、Ａｇ
（７００Å）を順次スパッタ法にて積層し、ＵＶ−ｒｅ
ｓｉｎを塗布した。Ａｇ−Ｇａ−Ｓｅの光学定数は記録
部でｎ＝２．６３５，ｋ＝１．６３、未記録部でｎ＝
４．１１，ｋ＝０．３６８である。ＺｎＳ・ＳｉＯ2層
の光学定数はｎ＝２．０，ｋ〜０である。
する。但しこれらの実施例は本発明をなんら制限するも
のではない。 実施例１ １２０ｍｍφのグルーブ付きポリカーボネート基板上に
ＺｎＳ−ＳｉＯ2（２０００Å）、Ａｇ25Ｇａ25Ｓｅ50
（４００Å）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（３００Å）、Ａｇ
（７００Å）を順次スパッタ法にて積層し、ＵＶ−ｒｅ
ｓｉｎを塗布した。Ａｇ−Ｇａ−Ｓｅの光学定数は記録
部でｎ＝２．６３５，ｋ＝１．６３、未記録部でｎ＝
４．１１，ｋ＝０．３６８である。ＺｎＳ・ＳｉＯ2層
の光学定数はｎ＝２．０，ｋ〜０である。
【００１８】線速１．２ｍ／ｓ、再生光パワー１．０ｍ
Ｗ、半導体レーザー波長７７０ｎｍ、対物レンズのＮＡ
＝０．５の条件下で、反射率が飽和するまで初期化し
た。この時、反射率７５％を得た。オーバーライトモー
ドにおける記録パワー、消去パワーとＣＮＲ、消去比、
記録前と後との反射率から計算されるコントラストを図
２に示す。これより、十分なＣＮＲと消去比が得られる
パワー領域で十分なコントラストが得られていることが
わかる。
Ｗ、半導体レーザー波長７７０ｎｍ、対物レンズのＮＡ
＝０．５の条件下で、反射率が飽和するまで初期化し
た。この時、反射率７５％を得た。オーバーライトモー
ドにおける記録パワー、消去パワーとＣＮＲ、消去比、
記録前と後との反射率から計算されるコントラストを図
２に示す。これより、十分なＣＮＲと消去比が得られる
パワー領域で十分なコントラストが得られていることが
わかる。
【００１９】実施例２ 実施例１と同様にしてディスクを作製した。ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2を２１００Å、Ａｇ25Ｇａ25Ｓｅ50を４００Å、
窒化アルミニウムを２１００Å、Ａｇを７００Å、順次
スパッタ法にて積層し、ＵＶ−ｒｅｓｉｎを塗布した。
Ａｇ−Ｇａ−Ｓｅの光学定数は記録部でｎ＝２．６３
５，ｋ＝１．６３、未記録部でｎ＝４．１１，ｋ＝０．
３６８である。窒化アルミニウム層の光学定数はｎ＝
２．０，ｋ〜０である。このディスクで初期化後のミラ
ー部における反射率７０％を得た。
ｉＯ2を２１００Å、Ａｇ25Ｇａ25Ｓｅ50を４００Å、
窒化アルミニウムを２１００Å、Ａｇを７００Å、順次
スパッタ法にて積層し、ＵＶ−ｒｅｓｉｎを塗布した。
Ａｇ−Ｇａ−Ｓｅの光学定数は記録部でｎ＝２．６３
５，ｋ＝１．６３、未記録部でｎ＝４．１１，ｋ＝０．
３６８である。窒化アルミニウム層の光学定数はｎ＝
２．０，ｋ〜０である。このディスクで初期化後のミラ
ー部における反射率７０％を得た。
【００２０】オーバーライトモードにおける記録パワ
ー、消去パワーとＣＮＲ、消去比、コントラストを図５
に示す。低パワーで高ＣＮＲ、高消去比、高コントラス
トが得られている。このディスクのＣＤ２倍速、３倍速
におけるＣＮＲ、消去比、コントラストを図３，４に示
す。いずれの線速に於ても良好な特性が得られている。
ー、消去パワーとＣＮＲ、消去比、コントラストを図５
に示す。低パワーで高ＣＮＲ、高消去比、高コントラス
トが得られている。このディスクのＣＤ２倍速、３倍速
におけるＣＮＲ、消去比、コントラストを図３，４に示
す。いずれの線速に於ても良好な特性が得られている。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によって反
射率、コントラストの飛躍的向上を達成する情報記録媒
体を提供することができる。
射率、コントラストの飛躍的向上を達成する情報記録媒
体を提供することができる。
【図１】本発明の光記録媒体の構成の一例を示す説明
図、
図、
【図２】本発明の光記録媒体の反射率及びコントラスト
と耐熱性保護層の関係を示すグラフ、
と耐熱性保護層の関係を示すグラフ、
【図３】１．２ｍ／ｓにおけるディスク特性を示すグラ
フ、
フ、
【図４】同上、
【図５】オーバーライトモード（２．４ｍ／ｓ）におけ
るディスク特性を示すグラフ、
るディスク特性を示すグラフ、
【図６】３．６ｍ／ｓにおけるディスク特性を示すグラ
フ。
フ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 針谷 眞人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 野々山 治 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 山田 勝幸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (9)
- 【請求項１】 電磁波のエネルギーを利用して記録、消
去を行う光記録媒体において、記録層の主成分が下記一
般式で表わされる組成を有することを特徴とする光記録
媒体。 一般式 ＡｇxＧａyＳｅz ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ １５≦Ｘ≦４０ １５≦Ｙ≦４０ ３０≦Ｚ≦７０ - 【請求項２】 記録層が、その安定状態のときに、カル
コパイライト構造のＡｇＧａＳｅ2微結晶相を含有する
ことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 記録層の厚さ（ｄ）が１００Å〜１２０
０Åであることを特徴とする請求項１または請求項２記
載の光記録媒体。 - 【請求項４】 基板と記録層との間に下部耐熱性保護層
を、記録層と反射層との間に上部耐熱性保護層を有し、
かつ、電磁波の波長が７７０〜７９０ｎｍのときに記録
媒体の未記録部の反射率が７０％以上、記録部と未記録
部の反射率のコントラストが６０％以上であることを特
徴とする請求項１ないし請求項３の何れかに記載の光記
録媒体。 - 【請求項５】 下部耐熱性保護層が主としてＺｎＳとＳ
ｉＯ2との混合物からなり、上部耐熱性保護層が主とし
てＺｎＳとＳｉＯ2との混合物または窒化アルミニウム
からなることを特徴とする請求項１ないし請求項４の何
れかに記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 下部耐熱性保護層の膜厚ｄ1が ５００Å≦ｄ1≦５００＋（７８００／ｎ1）Å （ただし、ｎ1；下部耐熱性保護層の屈折率）であるこ
とを特徴とする請求項１ないし請求項５の何れかに記載
の光記録媒体。 - 【請求項７】 上部耐熱性保護層の膜厚ｄ2が ５０Å≦ｄ2≦５０＋（３９００／ｎ2）Å （ただし、ｎ2；上部耐熱性保護層の屈折率）であるこ
とを特徴とする請求項１ないし請求項６の何れかに記載
の光記録媒体。 - 【請求項８】 記録、消去および再生のうちの何れかの
とき、光記録媒体と電磁波ビームスポットとの相対速度
が１．２〜１．４ｍ／ｓまたはその整数倍であることを
特徴とする請求項１ないし請求項７の何れかに記載の光
記録媒体の使用方法。 - 【請求項９】 記録層を成膜するときの原料としてカル
コパイライト構造を有するＡｇＧａＳｅ2を用いること
を特徴とする請求項１ないし請求項７の何れかに記載の
光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5137430A JPH06349109A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 光記録媒体、その製造方法及びその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5137430A JPH06349109A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 光記録媒体、その製造方法及びその使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349109A true JPH06349109A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15198447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5137430A Pending JPH06349109A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 光記録媒体、その製造方法及びその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349109A (ja) |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP5137430A patent/JPH06349109A/ja active Pending
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