JPH0737251A - 光情報記録方法 - Google Patents
光情報記録方法Info
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- JPH0737251A JPH0737251A JP5201758A JP20175893A JPH0737251A JP H0737251 A JPH0737251 A JP H0737251A JP 5201758 A JP5201758 A JP 5201758A JP 20175893 A JP20175893 A JP 20175893A JP H0737251 A JPH0737251 A JP H0737251A
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- recording
- optical information
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/006—Overwriting
- G11B7/0062—Overwriting strategies, e.g. recording pulse sequences with erasing level used for phase-change media
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 相変化形記録媒体に従来の記録方法で長いマ
ークを記録すると、記録マークの後端部においてマーク
幅が広がり、再生特性を悪化させる現象が生じていた。
このマーク幅の広がりに対する形状補償を感度低下なし
に、複雑な制御機構を必要とせずに、かつ任意の構成の
媒体に対して行うことのできる記録方法を提供する。 【構成】 基板上に相変化形記録材料からなる記録層が
形成された光情報記録媒体にパルス状の電磁波を照射
し、該電磁波の照射による記録層の光学定数の変化を利
用して情報の記録を行う光情報記録方法において、記録
方式としてマルチパルス記録方式を用いるとともに、マ
ーク記録時のバイアスパワーの値をマーク間記録時又は
消去時のバイアスパワーの値と異ならせることを特徴と
する光情報記録方法。
ークを記録すると、記録マークの後端部においてマーク
幅が広がり、再生特性を悪化させる現象が生じていた。
このマーク幅の広がりに対する形状補償を感度低下なし
に、複雑な制御機構を必要とせずに、かつ任意の構成の
媒体に対して行うことのできる記録方法を提供する。 【構成】 基板上に相変化形記録材料からなる記録層が
形成された光情報記録媒体にパルス状の電磁波を照射
し、該電磁波の照射による記録層の光学定数の変化を利
用して情報の記録を行う光情報記録方法において、記録
方式としてマルチパルス記録方式を用いるとともに、マ
ーク記録時のバイアスパワーの値をマーク間記録時又は
消去時のバイアスパワーの値と異ならせることを特徴と
する光情報記録方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に相変化形記録
材料からなる記録層が形成された光情報記録媒体にパル
ス状の電磁波を照射し、該電磁波の照射による記録層の
光学定数の変化を利用して情報の記録を行う光情報記録
方法に関する。
材料からなる記録層が形成された光情報記録媒体にパル
ス状の電磁波を照射し、該電磁波の照射による記録層の
光学定数の変化を利用して情報の記録を行う光情報記録
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
り情報の記録、再生及び消去が可能な光情報記録媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間あるいは結晶−結晶相間
の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく知
られている。この相変化形記録媒体は、特に光磁気記録
媒体で困難な単一ビームによるオーバーライトが可能で
あり、ドライブ側の光学系もより単純であることなどか
ら、最近その研究開発が活発になっている。相変化形記
録媒体に使用される代表的な材料例としては、米国特許
第３５３０４４１号明細書に開示されているように、Ｇ
ｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−
Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ
−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコ
ゲン系合金材料が挙げられる。また、安定性、高速結晶
化などの向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６
１−２１９６９２号公報）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１
−２７０１９０号公報）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９
０号公報）などを添加した材料の提案や、記録／消去の
繰り返し性能向上を目的にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を特定した材料（特開昭６２−
７３４３８号公報）の提案などもなされている。しかし
ながら、いずれも、書換可能な相変化形記録媒体として
要求される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえな
い。特にオーバーライト時の消し残りによる消去比低下
の防止及び繰り返し記録回数の向上荷ついてはが解決さ
れるべき最重要課題であるといえる。
り情報の記録、再生及び消去が可能な光情報記録媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間あるいは結晶−結晶相間
の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく知
られている。この相変化形記録媒体は、特に光磁気記録
媒体で困難な単一ビームによるオーバーライトが可能で
あり、ドライブ側の光学系もより単純であることなどか
ら、最近その研究開発が活発になっている。相変化形記
録媒体に使用される代表的な材料例としては、米国特許
第３５３０４４１号明細書に開示されているように、Ｇ
ｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−
Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ
−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコ
ゲン系合金材料が挙げられる。また、安定性、高速結晶
化などの向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６
１−２１９６９２号公報）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１
−２７０１９０号公報）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９
０号公報）などを添加した材料の提案や、記録／消去の
繰り返し性能向上を目的にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を特定した材料（特開昭６２−
７３４３８号公報）の提案などもなされている。しかし
ながら、いずれも、書換可能な相変化形記録媒体として
要求される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえな
い。特にオーバーライト時の消し残りによる消去比低下
の防止及び繰り返し記録回数の向上荷ついてはが解決さ
れるべき最重要課題であるといえる。
【０００３】特開昭６３−２５１２９０号公報では、実
質的に三元以上の多元化合物単相の結晶構造を持つ記録
層を具備した記録媒体が提案されている。ここで実質的
に三元以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組
成を持った化合物（たとえばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層
中に９０原子％以上含むものとされている。この記録層
を用いることにより記録、消去特性の向上が図れるもの
としている。しかしながら、この記録媒体は、消去比が
低いなどの欠点を有している。これらの事情から消去比
が高く、繰り返し特性の優れた光情報記録媒体の開発が
望まれていた。このため、記録層材料に適した保護層材
料の開発が進められて、ＺｎＳＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔ
ａ2Ｏ5、ＳｉＮ、ＡｌＮなどの材料が用いられている。
しかし特定の記録層材料とこれらの保護層材料との組み
合わせによっても光情報記録媒体として要求される諸特
性のすべてを満足するものは得られていない。
質的に三元以上の多元化合物単相の結晶構造を持つ記録
層を具備した記録媒体が提案されている。ここで実質的
に三元以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組
成を持った化合物（たとえばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層
中に９０原子％以上含むものとされている。この記録層
を用いることにより記録、消去特性の向上が図れるもの
としている。しかしながら、この記録媒体は、消去比が
低いなどの欠点を有している。これらの事情から消去比
が高く、繰り返し特性の優れた光情報記録媒体の開発が
望まれていた。このため、記録層材料に適した保護層材
料の開発が進められて、ＺｎＳＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔ
ａ2Ｏ5、ＳｉＮ、ＡｌＮなどの材料が用いられている。
しかし特定の記録層材料とこれらの保護層材料との組み
合わせによっても光情報記録媒体として要求される諸特
性のすべてを満足するものは得られていない。
【０００４】一方、上記各種相変化形記録材料を用いた
光情報記録媒体に従来の記録方法で例えばＥＦＭ信号を
記録してみると、ＲＦ信号の出力レベルは未記録部と記
録部で異なったものとなる。これは、未記録部では結晶
状態、記録部では非晶質状態となり、両状態で反射率が
異なるためである。ところで、この記録されたマーク部
をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で観察すると、記録マー
クは理想的には図４のようなマーク形状になるべきはず
のものが、実際は図５のようなマーク後端部が広がった
形状となっている。これは特に長いマークを記録しよう
とする場合に顕著で、極端な場合には涙滴型に近い形状
を示すことさえあり、記録再生特性の向上に対して大き
な障害となっている。記録マークがこのような形状とな
る原因の一つとして、長いマークを記録しようとするマ
ークの後端部付近では、照射されている高出力のレーザ
ービームによる蓄熱効果により記録層の温度が上昇しす
ぎてマーク部の幅が広くなりすぎることがあげられる。
上記のような現象は反射放熱層の熱伝導率が不足気味な
場合にも生ずる。
光情報記録媒体に従来の記録方法で例えばＥＦＭ信号を
記録してみると、ＲＦ信号の出力レベルは未記録部と記
録部で異なったものとなる。これは、未記録部では結晶
状態、記録部では非晶質状態となり、両状態で反射率が
異なるためである。ところで、この記録されたマーク部
をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で観察すると、記録マー
クは理想的には図４のようなマーク形状になるべきはず
のものが、実際は図５のようなマーク後端部が広がった
形状となっている。これは特に長いマークを記録しよう
とする場合に顕著で、極端な場合には涙滴型に近い形状
を示すことさえあり、記録再生特性の向上に対して大き
な障害となっている。記録マークがこのような形状とな
る原因の一つとして、長いマークを記録しようとするマ
ークの後端部付近では、照射されている高出力のレーザ
ービームによる蓄熱効果により記録層の温度が上昇しす
ぎてマーク部の幅が広くなりすぎることがあげられる。
上記のような現象は反射放熱層の熱伝導率が不足気味な
場合にも生ずる。
【０００５】そこでマーク後端部の広がりを防止するた
めに、反射放熱層に熱伝導率の大きな材料を用いること
が考えられるが、その場合、感度の低下を招き好ましく
なく、その上、逆に長いマークの後端部付近でマーク幅
が狭くなる現象が生じてしまう。また、記録材料として
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系のようにマーク形成に対して
冷却速度が大きく寄与する材料を用いて記録層を構成し
た場合、マークの前側では後端部に比べ冷却速度が小さ
く、マーク幅が挟くなるという問題がある。どちらにし
ても層構成だけではマーク形状の制御は非常に難かしい
というのが実情である。
めに、反射放熱層に熱伝導率の大きな材料を用いること
が考えられるが、その場合、感度の低下を招き好ましく
なく、その上、逆に長いマークの後端部付近でマーク幅
が狭くなる現象が生じてしまう。また、記録材料として
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系のようにマーク形成に対して
冷却速度が大きく寄与する材料を用いて記録層を構成し
た場合、マークの前側では後端部に比べ冷却速度が小さ
く、マーク幅が挟くなるという問題がある。どちらにし
ても層構成だけではマーク形状の制御は非常に難かしい
というのが実情である。
【０００６】これらのことから、記録波形による記録マ
ーク形状の補償の必要性が生じるが、その従来例とし
て、ＪＪＡＰ Ｖｏｌ．３１（１９９２）ｐ６５３−６
５８、ＪＪＡＰ Ｖｏｌ．３０（１９９１）ｐ６７７−
６８１、第四回相変化記録研究会（１９９２）ｐ７６−
８１及びｐ９９−１０４等の記録波形による記録マーク
形状の補償方法の例がある。しかしこれらの方法は、複
雑な制御機構を必要とする上、あらゆる構成のメディア
に対応し得るものではなかった。
ーク形状の補償の必要性が生じるが、その従来例とし
て、ＪＪＡＰ Ｖｏｌ．３１（１９９２）ｐ６５３−６
５８、ＪＪＡＰ Ｖｏｌ．３０（１９９１）ｐ６７７−
６８１、第四回相変化記録研究会（１９９２）ｐ７６−
８１及びｐ９９−１０４等の記録波形による記録マーク
形状の補償方法の例がある。しかしこれらの方法は、複
雑な制御機構を必要とする上、あらゆる構成のメディア
に対応し得るものではなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の実情に鑑み、複雑な制御機構を必要とせず、記録波形
による記録マーク形状の補償をあらゆる構成のメディア
に対応して行うことのできる光情報記録方法を提供する
ことをその課題とする。
の実情に鑑み、複雑な制御機構を必要とせず、記録波形
による記録マーク形状の補償をあらゆる構成のメディア
に対応して行うことのできる光情報記録方法を提供する
ことをその課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記課
題を解決するため、基板上に相変化形記録材料からなる
記録層が形成された光情報記録媒体にパルス状の電磁波
を照射し、該電磁波の照射による記録層の光学定数の変
化を利用して情報の記録を行う光情報記録方法におい
て、記録方式としてマルチパルス記録方式を用いるとと
もに、マーク記録時のバイアスパワーの値をマーク間記
録時又は消去時のバイアスパワーの値と異ならせること
を特徴とする光情報記録方法が提供される。また、本発
明によれば、上記において、特に長い記録マーク部分の
記録時にのみバイアスパワーの値をマーク間記録時又は
消去時のバイアスパワーの値と異ならせることを特徴と
する光情報記録方法が提供される。また、本発明によれ
ば、上記において、特に長い記録マーク部分の最後部の
記録時のみバイアスパワーの値をマーク間記録時又は消
去時のバイアスパワーの値と異ならせることを特徴とす
る光情報記録方法が提供される。また、本発明によれ
ば、基板上に相変化形記録材料からなる記録層が形成さ
れた光情報記録媒体にパルス状の電磁波を照射し、該電
磁波の照射による記録層の光学定数の変化を利用して情
報の記録を行う光情報記録方法において、記録方式とし
てマルチパルス記録方式を用いるとともに、マーク長の
一番最後の駆動パルスを与える前及び／又は後のバイア
スパワーの値をマーク間記録時又は消去時のバイアスパ
ワーの値と異ならせることを特徴とする光情報記録方法
が提供される。さらに、本発明によれば、上記におい
て、前記光情報記録媒体として、基板上に記録層と保護
層と反射放熱層が形成され、該記録層が構成元素として
少なくともＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを含み、かつ安定
状態において主として下記一般式（Ｉ）で表される組成
及び構造の相変化形記録材料からなる光情報記録媒体を
用いることを特徴とする光情報記録方法が提供される。
題を解決するため、基板上に相変化形記録材料からなる
記録層が形成された光情報記録媒体にパルス状の電磁波
を照射し、該電磁波の照射による記録層の光学定数の変
化を利用して情報の記録を行う光情報記録方法におい
て、記録方式としてマルチパルス記録方式を用いるとと
もに、マーク記録時のバイアスパワーの値をマーク間記
録時又は消去時のバイアスパワーの値と異ならせること
を特徴とする光情報記録方法が提供される。また、本発
明によれば、上記において、特に長い記録マーク部分の
記録時にのみバイアスパワーの値をマーク間記録時又は
消去時のバイアスパワーの値と異ならせることを特徴と
する光情報記録方法が提供される。また、本発明によれ
ば、上記において、特に長い記録マーク部分の最後部の
記録時のみバイアスパワーの値をマーク間記録時又は消
去時のバイアスパワーの値と異ならせることを特徴とす
る光情報記録方法が提供される。また、本発明によれ
ば、基板上に相変化形記録材料からなる記録層が形成さ
れた光情報記録媒体にパルス状の電磁波を照射し、該電
磁波の照射による記録層の光学定数の変化を利用して情
報の記録を行う光情報記録方法において、記録方式とし
てマルチパルス記録方式を用いるとともに、マーク長の
一番最後の駆動パルスを与える前及び／又は後のバイア
スパワーの値をマーク間記録時又は消去時のバイアスパ
ワーの値と異ならせることを特徴とする光情報記録方法
が提供される。さらに、本発明によれば、上記におい
て、前記光情報記録媒体として、基板上に記録層と保護
層と反射放熱層が形成され、該記録層が構成元素として
少なくともＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを含み、かつ安定
状態において主として下記一般式（Ｉ）で表される組成
及び構造の相変化形記録材料からなる光情報記録媒体を
用いることを特徴とする光情報記録方法が提供される。
【化１】 （ＡｇＳｂＴｅ(2+σ/Δ)）x（ＩｎＳｂz）1-x ・・・（Ｉ） （ただし、０．４≦ｘ≦０．５５、０．５≦ｚ≦２．
５、−０．１５≦σ≦０．１、Δ＝(１−σ)ｘ／（１＋
３ｘ＋ｚ（１−ｘ））である）
５、−０．１５≦σ≦０．１、Δ＝(１−σ)ｘ／（１＋
３ｘ＋ｚ（１−ｘ））である）
【０００９】以下本発明の方法を詳述する。本発明は相
変化形記録媒体にマルチパルス状の電磁波を照射して記
録を行う光情報記録方法において、マーク記録時のパル
ス波形を工夫することにより記録マーク形状の歪みを補
償しようとするものであり、具体的には図１に示すよう
に、マーク記録時のバイアスパワーの値をマーク間記録
時又は消去時のバイアスパワーの値と異なる値に設定す
ることにより、記録マーク形状を適正化するものであ
る。バイアスパワーの値は記録層材料、構成等により適
切な値に設定する。このような記録パルス波形を採用す
ることにより、照射電磁波のエネルギーによる蓄熱効果
により記録層の温度が過度に上昇するのを防ぎ、長いマ
ークの後端部でのマーク幅の広がりが抑制されるため、
図４のような適正化された形状のマークが得られるよう
になる。
変化形記録媒体にマルチパルス状の電磁波を照射して記
録を行う光情報記録方法において、マーク記録時のパル
ス波形を工夫することにより記録マーク形状の歪みを補
償しようとするものであり、具体的には図１に示すよう
に、マーク記録時のバイアスパワーの値をマーク間記録
時又は消去時のバイアスパワーの値と異なる値に設定す
ることにより、記録マーク形状を適正化するものであ
る。バイアスパワーの値は記録層材料、構成等により適
切な値に設定する。このような記録パルス波形を採用す
ることにより、照射電磁波のエネルギーによる蓄熱効果
により記録層の温度が過度に上昇するのを防ぎ、長いマ
ークの後端部でのマーク幅の広がりが抑制されるため、
図４のような適正化された形状のマークが得られるよう
になる。
【００１０】本発明では、図１に示すようにマーク記録
時のバイアスパワーの値を一律にマーク間記録時又は消
去時のバイアスパワーの値と異ならせてもよいし、特に
長い記録マーク部分の記録時にのみバイアスパワーの値
をマーク間記録時又は消去時のバイアスパワーの値と異
ならせるようにしてもよいし、特に長い記録マーク部分
の最後部の記録時のみバイアスパワーの値をマーク間記
録時又は消去時のバイアスパワーの値と異ならせるよう
にしてもよい。また、本発明では、マーク長の一番最後
の駆動パルスを与える前又は後又は前後両方のバイアス
パワーの値をマーク間記録時又は消去時のバイアスパワ
ーの値と異ならせるようにしてもよい。
時のバイアスパワーの値を一律にマーク間記録時又は消
去時のバイアスパワーの値と異ならせてもよいし、特に
長い記録マーク部分の記録時にのみバイアスパワーの値
をマーク間記録時又は消去時のバイアスパワーの値と異
ならせるようにしてもよいし、特に長い記録マーク部分
の最後部の記録時のみバイアスパワーの値をマーク間記
録時又は消去時のバイアスパワーの値と異ならせるよう
にしてもよい。また、本発明では、マーク長の一番最後
の駆動パルスを与える前又は後又は前後両方のバイアス
パワーの値をマーク間記録時又は消去時のバイアスパワ
ーの値と異ならせるようにしてもよい。
【００１１】本発明の方法を実現するための装置構成を
図２にブロック図で示す。この装置は、記録信号発生器
１１、ストラテジ発生回路１２、記録時バイアスレベル
付加回路１３、消去時バイアスレベル付加回路１４、Ｌ
Ｄ駆動回路１５及びＬＤ（レーザーダイオード）１６か
ら構成される。
図２にブロック図で示す。この装置は、記録信号発生器
１１、ストラテジ発生回路１２、記録時バイアスレベル
付加回路１３、消去時バイアスレベル付加回路１４、Ｌ
Ｄ駆動回路１５及びＬＤ（レーザーダイオード）１６か
ら構成される。
【００１２】本発明の方法はあらゆる構成の相変化形記
録媒体に対応し得るが、特に他の記録材料と比較して高
感度なＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元系の記録材料を用
いた相変化形記録媒体に対して特に有効である。以下本
発明の方法に好適な光情報記録媒体について図３の構成
例に基づき説明する。
録媒体に対応し得るが、特に他の記録材料と比較して高
感度なＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元系の記録材料を用
いた相変化形記録媒体に対して特に有効である。以下本
発明の方法に好適な光情報記録媒体について図３の構成
例に基づき説明する。
【００１３】図３に示す記録媒体は、基板１上に下部耐
熱性保護層２、記録層３、上部耐熱性保護層４及び反射
放熱層５を設けて構成される。下部耐熱性保護層２は必
ずしも設ける必要はないが、基板１がポリカーボネート
樹脂のように耐熱性が低い材料の場合には設けることが
望ましい。
熱性保護層２、記録層３、上部耐熱性保護層４及び反射
放熱層５を設けて構成される。下部耐熱性保護層２は必
ずしも設ける必要はないが、基板１がポリカーボネート
樹脂のように耐熱性が低い材料の場合には設けることが
望ましい。
【００１４】記録層３は、電磁波の照射時に光学定数の
変化を生じるものであり、好ましくは相変化形材料、特
に好ましくは構成元素としてＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを
含むものであり、さらにその組成及び化学構造が主とし
て下記一般式（Ｉ）で表される相変化形材料が好適であ
る。
変化を生じるものであり、好ましくは相変化形材料、特
に好ましくは構成元素としてＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを
含むものであり、さらにその組成及び化学構造が主とし
て下記一般式（Ｉ）で表される相変化形材料が好適であ
る。
【化１】 （ＡｇＳｂＴｅ(2+σ/Δ)）x（ＩｎＳｂz）1-x ・・・（Ｉ） （ただし、０．４≦ｘ≦０．５５、０．５≦ｚ≦２．
５、−０．１５≦σ≦０．１、Δ＝(１−σ)ｘ／（１＋
３ｘ＋ｚ（１−ｘ））である）また未記録部及び消去時
に化学量論組成又はそれに近いＡｇＳｂＴｅ2微結晶が
存在することが好ましい。記録層３は各種気相成長法、
例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。気相成長法以外にゾル
ゲル法のような湿式プロセスも使用可能である。記録層
３の膜厚としては１００〜１００００Å、好ましくは２
００〜２０００Åとするのがよい。膜厚が１００Åより
薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての役割を
はたさなくなる。また膜厚が１００００Åより厚いと高
速で均一な相変化が起こりにくくなる。
５、−０．１５≦σ≦０．１、Δ＝(１−σ)ｘ／（１＋
３ｘ＋ｚ（１−ｘ））である）また未記録部及び消去時
に化学量論組成又はそれに近いＡｇＳｂＴｅ2微結晶が
存在することが好ましい。記録層３は各種気相成長法、
例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。気相成長法以外にゾル
ゲル法のような湿式プロセスも使用可能である。記録層
３の膜厚としては１００〜１００００Å、好ましくは２
００〜２０００Åとするのがよい。膜厚が１００Åより
薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての役割を
はたさなくなる。また膜厚が１００００Åより厚いと高
速で均一な相変化が起こりにくくなる。
【００１５】上耐熱性保護層４の構成材料としては、Ｓ
ｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3などの酸化物、Ｓｉ3
Ｎ4、ＡｌＮ、ＢＮなどの窒化物、ＺｎＳ、ＴａＳ4など
の硫化物あるいはこれらの混合物が適している。特に媒
体の回転線速度が低い（１．２〜５．６ｍ／ｓ）用途の
場合にはＡｌＮ、ＢＮ、ＳｉＣなどの熱伝導率が１Ｗ／
ｃｍ・Ｋ以上の材料が好適である。このような材料は、
急冷条件とすることにより記録層３の状態変化を促進さ
せる。このような耐熱性保護層は各種気相成長法、たと
えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。耐熱性保護層の膜厚は
１００〜５０００Å、好ましくは２００〜２０００Åで
ある。膜厚が１００Åよりも薄くなると耐熱性保護層と
しての機能をはたさなくなり、逆に５０００Åよりも厚
くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を生じやす
くなる。また必要に応じて該耐熱性保護層を多層化する
こともできる。
ｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3などの酸化物、Ｓｉ3
Ｎ4、ＡｌＮ、ＢＮなどの窒化物、ＺｎＳ、ＴａＳ4など
の硫化物あるいはこれらの混合物が適している。特に媒
体の回転線速度が低い（１．２〜５．６ｍ／ｓ）用途の
場合にはＡｌＮ、ＢＮ、ＳｉＣなどの熱伝導率が１Ｗ／
ｃｍ・Ｋ以上の材料が好適である。このような材料は、
急冷条件とすることにより記録層３の状態変化を促進さ
せる。このような耐熱性保護層は各種気相成長法、たと
えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。耐熱性保護層の膜厚は
１００〜５０００Å、好ましくは２００〜２０００Åで
ある。膜厚が１００Åよりも薄くなると耐熱性保護層と
しての機能をはたさなくなり、逆に５０００Åよりも厚
くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を生じやす
くなる。また必要に応じて該耐熱性保護層を多層化する
こともできる。
【００１６】反射放熱層５には、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなど
の金属材料、またはそれらの合金などを用いることがで
きる。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な熱
を放出しディスクへの熱負担を軽減するために設けるほ
うが望ましい。このような反射放熱層は各種気相成長
法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラスマ
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法などによって形成できる。反射放熱層の膜
厚としては１００〜３０００Å、好適には５００〜２０
００Åとするのがよい。１００Åよりも薄くなると反射
放熱層としての機能をはたさなくなり、逆に２０００Å
よりも厚くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を
生じやすくなる。
の金属材料、またはそれらの合金などを用いることがで
きる。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な熱
を放出しディスクへの熱負担を軽減するために設けるほ
うが望ましい。このような反射放熱層は各種気相成長
法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラスマ
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法などによって形成できる。反射放熱層の膜
厚としては１００〜３０００Å、好適には５００〜２０
００Åとするのがよい。１００Åよりも薄くなると反射
放熱層としての機能をはたさなくなり、逆に２０００Å
よりも厚くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を
生じやすくなる。
【００１７】基板１の材料は、通常はガラス、セラミッ
クス、あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コスト
の点で好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネ
ート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン
樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、
フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげら
れるが、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート
樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板１の形状デ
ィスク状でも、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
クス、あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コスト
の点で好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネ
ート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン
樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、
フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげら
れるが、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート
樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板１の形状デ
ィスク状でも、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
【００１８】上記相変化形記録媒体は、Ａｒレーザー又
は半導体レーザーにより初期化されていることが望まし
い。半導体レーザーを用いる場合、レーザーの媒体面上
パワー密度は５×１０7〜１×１０10Ｗ／ｍ2の範囲、媒
体の線速は１ｍ／ｓ〜３０ｍ／ｓ、レーザーの送り速度
は１μｍ／回転〜１００μｍ／回転の範囲が適してい
る。
は半導体レーザーにより初期化されていることが望まし
い。半導体レーザーを用いる場合、レーザーの媒体面上
パワー密度は５×１０7〜１×１０10Ｗ／ｍ2の範囲、媒
体の線速は１ｍ／ｓ〜３０ｍ／ｓ、レーザーの送り速度
は１μｍ／回転〜１００μｍ／回転の範囲が適してい
る。
【００１９】本発明において、記録、再生及び消去に用
いる電磁波としてはレーザ光、電子線、Ｘ線、紫外線、
可視光線、赤外線、マイクロ波など種々のものが採用可
能であるが、ドライブに取付ける際、小型でコンパクト
な半導体レーザーが最適である。
いる電磁波としてはレーザ光、電子線、Ｘ線、紫外線、
可視光線、赤外線、マイクロ波など種々のものが採用可
能であるが、ドライブに取付ける際、小型でコンパクト
な半導体レーザーが最適である。
【００２０】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。 実施例１ ピッチ約１．６μｍ、深さ約７００Åの溝付きで、厚さ
１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板上
にＲＦスパッタリング法によりＺｎＳ・ＳｉＯ2保護層
２０００Å、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層（組成比は
Ａｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝１２：１３：５１：２４）２
００Å、ＡｌＮ保護層３００Å、Ａｇ反射層７００Åを
順次積層し、光ディスクを作製した。光ディスクの初期
化は半導体レーザーによりパワー１０ｍＷ、線速１．３
ｍ／ｓで行った。上記の方法により作製した光ディスク
へ、図１に示すように、全てのマーク（最短マーク長か
ら最小マーク長まで）につきマーク記録時のバイアスパ
ワーの値がマーク間記録時（消去時）よりも低い値とな
るようなマルチパルス波形で記録を行った。その結果、
一定バイアスパワーの場合に比べ、マーク形状が適正化
され、第二次高調波歪、消去比とも改善された。
する。 実施例１ ピッチ約１．６μｍ、深さ約７００Åの溝付きで、厚さ
１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板上
にＲＦスパッタリング法によりＺｎＳ・ＳｉＯ2保護層
２０００Å、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層（組成比は
Ａｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝１２：１３：５１：２４）２
００Å、ＡｌＮ保護層３００Å、Ａｇ反射層７００Åを
順次積層し、光ディスクを作製した。光ディスクの初期
化は半導体レーザーによりパワー１０ｍＷ、線速１．３
ｍ／ｓで行った。上記の方法により作製した光ディスク
へ、図１に示すように、全てのマーク（最短マーク長か
ら最小マーク長まで）につきマーク記録時のバイアスパ
ワーの値がマーク間記録時（消去時）よりも低い値とな
るようなマルチパルス波形で記録を行った。その結果、
一定バイアスパワーの場合に比べ、マーク形状が適正化
され、第二次高調波歪、消去比とも改善された。
【００２１】実施例２ 実施例１と同様な光ディスクを用い、特に長いマーク長
（例えばＥＦＭ記録方式の場合は７Ｔ又は８Ｔ以上の長
さ）のマークの記録時のみバイアスパワーの値を低く設
定した。このようにしても、実施例１と同様な効果が得
られた。
（例えばＥＦＭ記録方式の場合は７Ｔ又は８Ｔ以上の長
さ）のマークの記録時のみバイアスパワーの値を低く設
定した。このようにしても、実施例１と同様な効果が得
られた。
【００２２】実施例３ 実施例１と同様な光ディスクを用い、マルチパルス駆動
の際、特に長いマーク長のマークを記録する一番最後の
駆動パルスを与えた後のバイアスパワーの値のみ低く設
定した。このようにしても、実施例１と同様な効果が得
られた。
の際、特に長いマーク長のマークを記録する一番最後の
駆動パルスを与えた後のバイアスパワーの値のみ低く設
定した。このようにしても、実施例１と同様な効果が得
られた。
【００２３】実施例４ 実施例１と同様な光ディスクを用い、マルチパルス駆動
の際、特に長いマーク長のマークを記録する一番最後の
駆動パルスを与える前後でバイアスパワーの値を低く設
定した。このようにしても、実施例１と同様な効果が得
られた。
の際、特に長いマーク長のマークを記録する一番最後の
駆動パルスを与える前後でバイアスパワーの値を低く設
定した。このようにしても、実施例１と同様な効果が得
られた。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、マーク記録時のバイア
スパワーの値をマーク間記録時又は消去時のバイアスパ
ワーの値と異なる値に設定してマルチ記録パルス波形の
立ち下がりを鈍らせてパルス状の電磁波の照射を行うよ
うにしたので、複雑な制御機構を必要とせずに、記録パ
ルス波形による記録マーク形状の補償をあらゆる構成の
メディアに対応して行うことができるようになり、相変
化形記録媒体の記録再生特性のより一層の向上が計れ
る。
スパワーの値をマーク間記録時又は消去時のバイアスパ
ワーの値と異なる値に設定してマルチ記録パルス波形の
立ち下がりを鈍らせてパルス状の電磁波の照射を行うよ
うにしたので、複雑な制御機構を必要とせずに、記録パ
ルス波形による記録マーク形状の補償をあらゆる構成の
メディアに対応して行うことができるようになり、相変
化形記録媒体の記録再生特性のより一層の向上が計れ
る。
【図１】本発明によるマルチパルス記録方式における記
録パルス波形の説明図である。
録パルス波形の説明図である。
【図２】本発明の方法を実現するための装置構成を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図３】本発明の方法が好適に適用される記録媒体の層
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図４】理想的な記録マーク形状を示す図である。
【図５】後端部のマーク幅が広がった記録マーク形状を
示す図である。
示す図である。
１ 基板 ２ 下部耐熱性
保護層 ３ 記録層 ４ 上部耐熱性
保護層 ５ 反射放熱層 １１ 記録信号発
生器 １２ ストラテジ発生回路 １３ 記録時バ
イアスレベル付加回路 １４ 消去時バイアスレベル付加回路 １５ ＬＤ駆動
回路 １６ ＬＤ（レーザーダイオード）
保護層 ３ 記録層 ４ 上部耐熱性
保護層 ５ 反射放熱層 １１ 記録信号発
生器 １２ ストラテジ発生回路 １３ 記録時バ
イアスレベル付加回路 １４ 消去時バイアスレベル付加回路 １５ ＬＤ駆動
回路 １６ ＬＤ（レーザーダイオード）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 山田 勝幸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 高橋 正悦 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に相変化形記録材料からなる記録
層が形成された光情報記録媒体にパルス状の電磁波を照
射し、該電磁波の照射による記録層の光学定数の変化を
利用して情報の記録を行う光情報記録方法において、記
録方式としてマルチパルス記録方式を用いるとともに、
マーク記録時のバイアスパワーの値をマーク間記録時又
は消去時のバイアスパワーの値と異ならせることを特徴
とする光情報記録方法。 - 【請求項２】 特に長い記録マーク部分の記録時にのみ
バイアスパワーの値をマーク間記録時又は消去時のバイ
アスパワーの値と異ならせることを特徴とする請求項１
に記載の光情報記録方法。 - 【請求項３】 特に長い記録マーク部分の最後部の記録
時のみバイアスパワーの値をマーク間記録時又は消去時
のバイアスパワーの値と異ならせることを特徴とする請
求項１に記載の光情報記録方法。 - 【請求項４】 基板上に相変化形記録材料からなる記録
層が形成された光情報記録媒体にパルス状の電磁波を照
射し、該電磁波の照射による記録層の光学定数の変化を
利用して情報の記録を行う光情報記録方法において、記
録方式としてマルチパルス記録方式を用いるとともに、
マーク長の一番最後の駆動パルスを与える前及び／又は
後のバイアスパワーの値をマーク間記録時又は消去時の
バイアスパワーの値と異ならせることを特徴とする光情
報記録方法。 - 【請求項５】 前記光情報記録媒体として、基板上に記
録層と保護層と反射放熱層が形成され、該記録層が構成
元素として少なくともＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを含
み、かつ安定状態において主として下記一般式（Ｉ）で
表される組成及び構造の相変化形記録材料からなる光情
報記録媒体を用いることを特徴とする請求項１〜４のい
ずれか一項に記載の光情報記録方法。 【化１】 （ＡｇＳｂＴｅ(2+σ/Δ)）x（ＩｎＳｂz）1-x ・・・（Ｉ） （ただし、０．４≦ｘ≦０．５５、０．５≦ｚ≦２．
５、−０．１５≦σ≦０．１、Δ＝(１−σ)ｘ／（１＋
３ｘ＋ｚ（１−ｘ））である）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5201758A JPH0737251A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 光情報記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5201758A JPH0737251A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 光情報記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737251A true JPH0737251A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16446455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5201758A Pending JPH0737251A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 光情報記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737251A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5848043A (en) * | 1995-03-31 | 1998-12-08 | Mitsubishi Chemical Corporation | Modulation of laser power in accordance with a linear velocity by pulse division schemes |
| US6333913B1 (en) | 1998-10-06 | 2001-12-25 | Tdk Corporation | Optical recording medium and optical recording method |
| US6411579B2 (en) | 1999-05-19 | 2002-06-25 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording method and optical recording medium |
| KR100638063B1 (ko) * | 1997-04-11 | 2007-05-04 | 소니 가부시끼 가이샤 | 레이저광의파워제어방법,광디스크의데이터기록방법및광디스크기록장치 |
| US7277376B2 (en) | 2003-07-18 | 2007-10-02 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method |
| US7313070B2 (en) | 2002-02-13 | 2007-12-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| CN100382158C (zh) * | 2002-02-25 | 2008-04-16 | 三星电子株式会社 | 在光记录介质上记录数据的装置 |
| US7882685B2 (en) | 2008-06-11 | 2011-02-08 | Toyo Jidoki Co., Ltd. | Gripper for an automatic bag filling apparatus |
-
1993
- 1993-07-22 JP JP5201758A patent/JPH0737251A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5848043A (en) * | 1995-03-31 | 1998-12-08 | Mitsubishi Chemical Corporation | Modulation of laser power in accordance with a linear velocity by pulse division schemes |
| KR100638063B1 (ko) * | 1997-04-11 | 2007-05-04 | 소니 가부시끼 가이샤 | 레이저광의파워제어방법,광디스크의데이터기록방법및광디스크기록장치 |
| US6333913B1 (en) | 1998-10-06 | 2001-12-25 | Tdk Corporation | Optical recording medium and optical recording method |
| US6661760B2 (en) | 1999-05-19 | 2003-12-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording method and optical recording medium |
| US7050377B1 (en) | 1999-05-19 | 2006-05-23 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording method and optical recording medium |
| US7085215B2 (en) | 1999-05-19 | 2006-08-01 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method and optical recording medium |
| US6411579B2 (en) | 1999-05-19 | 2002-06-25 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording method and optical recording medium |
| USRE42786E1 (en) | 1999-05-19 | 2011-10-04 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method and optical recording medium |
| USRE45001E1 (en) | 1999-05-19 | 2014-07-08 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method and optical recording medium |
| US7313070B2 (en) | 2002-02-13 | 2007-12-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| US7609603B2 (en) | 2002-02-13 | 2009-10-27 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| US7858167B2 (en) | 2002-02-13 | 2010-12-28 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| CN100382158C (zh) * | 2002-02-25 | 2008-04-16 | 三星电子株式会社 | 在光记录介质上记录数据的装置 |
| US7277376B2 (en) | 2003-07-18 | 2007-10-02 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method |
| US7882685B2 (en) | 2008-06-11 | 2011-02-08 | Toyo Jidoki Co., Ltd. | Gripper for an automatic bag filling apparatus |
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