JPH06350184A - 薄膜導波路結晶およびその製造法 - Google Patents
薄膜導波路結晶およびその製造法Info
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- JPH06350184A JPH06350184A JP13754493A JP13754493A JPH06350184A JP H06350184 A JPH06350184 A JP H06350184A JP 13754493 A JP13754493 A JP 13754493A JP 13754493 A JP13754493 A JP 13754493A JP H06350184 A JPH06350184 A JP H06350184A
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- Japan
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- perovskite
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】ＣａＳｒＡｌＯ4 で表されるペロブスカイト型
単結晶基板上に、組成式ＡＢxＬｎ1-xＧａyＡｌＯ
4 （Ａ：Ｃａ2+又はＳｒ2+、Ｂ：Ｅｒ3+又はＰｒ3+、Ｌ
ｎ：Ｙ3+、Ｇｄ3+、Ｌａ3+から選ばれる一種、ｘ：０．
００１≦ｘ≦０．２、ｙ：０．０１≦ｙ≦０．１）で表
されるペロブスカイト型薄膜結晶を成長させた希土類ド
ープペロブスカイト薄膜導波路結晶 【効果】この構成のペロブスカイト光導波路結晶は、レ
ーザー発振効率が高く、小型の波長可変レーザーや光増
幅素子として利用できる。
単結晶基板上に、組成式ＡＢxＬｎ1-xＧａyＡｌＯ
4 （Ａ：Ｃａ2+又はＳｒ2+、Ｂ：Ｅｒ3+又はＰｒ3+、Ｌ
ｎ：Ｙ3+、Ｇｄ3+、Ｌａ3+から選ばれる一種、ｘ：０．
００１≦ｘ≦０．２、ｙ：０．０１≦ｙ≦０．１）で表
されるペロブスカイト型薄膜結晶を成長させた希土類ド
ープペロブスカイト薄膜導波路結晶 【効果】この構成のペロブスカイト光導波路結晶は、レ
ーザー発振効率が高く、小型の波長可変レーザーや光増
幅素子として利用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光材料として有用で
あり又、光計測、光情報処理、光医療、光プロセッシン
グ等コヒーレント光を利用する分野において、各種光デ
バイス、例えばレーザー素子、光増幅素子の小型、高効
率化さらにファイバーとのカップリングに有効なエルビ
ウム又はプラセオジウム希土類ドープペロブスカイト光
導波路結晶およびその製造方法に関する。
あり又、光計測、光情報処理、光医療、光プロセッシン
グ等コヒーレント光を利用する分野において、各種光デ
バイス、例えばレーザー素子、光増幅素子の小型、高効
率化さらにファイバーとのカップリングに有効なエルビ
ウム又はプラセオジウム希土類ドープペロブスカイト光
導波路結晶およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光導波路結晶としてはレーザー用
半導体が知られている。また、非半導体では、例えば、
イオン交換法を利用した光導波路を形成したものとして
Ｎｄを添加したＬｉＮｄＯ3 導波路結晶、ＫＴｉＯＰＯ
4 結晶などが知られている。
半導体が知られている。また、非半導体では、例えば、
イオン交換法を利用した光導波路を形成したものとして
Ｎｄを添加したＬｉＮｄＯ3 導波路結晶、ＫＴｉＯＰＯ
4 結晶などが知られている。
【０００３】スパッタ法により薄膜光導波路を形成した
ものは、ＮｄあるいはＣｒを添加したＹ3 Ｇａ5 Ｏ
12（M.YAMAGA et al、Japanese Journal of Applied Ph
ysics.23,312(1984)、Journal of Luminesence 39,335
(1988))が知られている。又、イオン注入により光導波
路を作成したものはＨｅ+ イオン注入によるＮｄ：Ｙ3
Ａｌ5 Ｏ12（S.J.Field et al,IEEE Journal of QUANTU
M Electoronics 27,423(1991) 、P.J.Chandler et al,
Nuclear Instruments and Methods in Physics Researc
h B59/60,1223(1991))、Ｈｅ+ イオン注入によるＫＮｂ
Ｏ3 (D.Flick et al,Applied Physics Letter 59,3213
(1991))、Ｃ+ イオン注入によるサファイア( P.D.Towns
end et al,ElectronicsLetter 26,1193(1990)) 等が知
られている。
ものは、ＮｄあるいはＣｒを添加したＹ3 Ｇａ5 Ｏ
12（M.YAMAGA et al、Japanese Journal of Applied Ph
ysics.23,312(1984)、Journal of Luminesence 39,335
(1988))が知られている。又、イオン注入により光導波
路を作成したものはＨｅ+ イオン注入によるＮｄ：Ｙ3
Ａｌ5 Ｏ12（S.J.Field et al,IEEE Journal of QUANTU
M Electoronics 27,423(1991) 、P.J.Chandler et al,
Nuclear Instruments and Methods in Physics Researc
h B59/60,1223(1991))、Ｈｅ+ イオン注入によるＫＮｂ
Ｏ3 (D.Flick et al,Applied Physics Letter 59,3213
(1991))、Ｃ+ イオン注入によるサファイア( P.D.Towns
end et al,ElectronicsLetter 26,1193(1990)) 等が知
られている。
【０００４】しかし、本発明の組成式ＡＢＡｌＯ4 で表
されるペロブスカイト型単結晶基板上に、組成式ＡＢx
Ｌｎ1-xＧａyＡｌＯ4 で表されるペロブスカイト型薄膜
結晶を成長させた希土類ドープペロブスカイト薄膜導波
路結晶は知られていない。
されるペロブスカイト型単結晶基板上に、組成式ＡＢx
Ｌｎ1-xＧａyＡｌＯ4 で表されるペロブスカイト型薄膜
結晶を成長させた希土類ドープペロブスカイト薄膜導波
路結晶は知られていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、近赤外域
（１５００〜１６５０nm）で波長可変レーザー発振材料
として又はアップコンバージョンレーザーとして有用な
Ｅｒドープペロブスカイト単結晶および、１０５０〜１
２００nmでレーザー発振材料として又はアップコンバー
ジョンレーザーとして有用なＰｒドープペロブスカイ単
結晶で、素子の小型化、レーザー発振効率の高効率化が
可能な薄膜光導波路を有する結晶及びその製造法を提供
することを目的とするものある。
（１５００〜１６５０nm）で波長可変レーザー発振材料
として又はアップコンバージョンレーザーとして有用な
Ｅｒドープペロブスカイト単結晶および、１０５０〜１
２００nmでレーザー発振材料として又はアップコンバー
ジョンレーザーとして有用なＰｒドープペロブスカイ単
結晶で、素子の小型化、レーザー発振効率の高効率化が
可能な薄膜光導波路を有する結晶及びその製造法を提供
することを目的とするものある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記した
目的を達成するために種々の検討を重ねた結果、プペロ
ブスカイト単結晶の表面に、スパッタ法によりＥｒ又は
Ｐｒドープペロブスカイト薄膜導波路を形成するのに、
これらとＧａを共ドープして薄膜を形成したものは、Ｔ
ｉ単独ドープで得たもの（屈折率約１．９３〜１．９
６）に比較して薄膜結晶の屈折率が高くなるとの知見を
得て本発明を完成した。
目的を達成するために種々の検討を重ねた結果、プペロ
ブスカイト単結晶の表面に、スパッタ法によりＥｒ又は
Ｐｒドープペロブスカイト薄膜導波路を形成するのに、
これらとＧａを共ドープして薄膜を形成したものは、Ｔ
ｉ単独ドープで得たもの（屈折率約１．９３〜１．９
６）に比較して薄膜結晶の屈折率が高くなるとの知見を
得て本発明を完成した。
【０００７】即ち本発明は、組成式ＡＢＡｌＯ4 （Ａ：
Ｃａ2+又はＳｒ2+、Ｂ：Ｙ3+、Ｇｄ3+、から選ばれる一
種）で表されるペロブスカイト型単結晶基板上に、組成
式ＡＢxＬｎ1-xＧａyＡｌＯ4 （Ａ：Ｃａ2+又はＳ
ｒ2+、Ｂ：Ｅｒ3+又はＰｒ3+、Ｌｎ：Ｙ3+、Ｇｄ3+、Ｌ
ａ3+から選ばれる一種、ｘ：０．００１≦ｘ≦０．２、
ｙ：０．０１≦ｙ≦０．１）で表されるペロブスカイト
型薄膜結晶を成長させた希土類ドープペロブスカイト薄
膜導波路結晶に関するものである。
Ｃａ2+又はＳｒ2+、Ｂ：Ｙ3+、Ｇｄ3+、から選ばれる一
種）で表されるペロブスカイト型単結晶基板上に、組成
式ＡＢxＬｎ1-xＧａyＡｌＯ4 （Ａ：Ｃａ2+又はＳ
ｒ2+、Ｂ：Ｅｒ3+又はＰｒ3+、Ｌｎ：Ｙ3+、Ｇｄ3+、Ｌ
ａ3+から選ばれる一種、ｘ：０．００１≦ｘ≦０．２、
ｙ：０．０１≦ｙ≦０．１）で表されるペロブスカイト
型薄膜結晶を成長させた希土類ドープペロブスカイト薄
膜導波路結晶に関するものである。
【０００８】次に本発明を詳細に説明する。本発明で基
板として用いるペロブスカイト型単結晶は、組成式ＡＢ
ＡｌＯ4 （Ａ：Ｃａ2+又はＳｒ2+、Ｂ：：Ｙ3+、Ｇ
ｄ3+、Ｌａ3+から選ばれる一種）で表されるアンドープ
ペロブスカイト型単結晶である。本発明の結晶の薄膜導
波路は、Ｅｒ又はＰｒとＧａを共ドープしたペロブスカ
イト結晶で、組成式ＡＢxＬｎ1-xＧａyＡｌＯ4 （Ａ：
Ｃａ2+又はＳｒ2+、Ｂ：Ｅｒ3+又はＰｒ3+、Ｌｎ：
Ｙ3+、Ｇｄ3+、Ｌａ3+から選ばれる一種、ｘ：０．００
１≦ｘ≦０．２、ｙ：０．０１≦ｙ≦０．１）で表され
る。
板として用いるペロブスカイト型単結晶は、組成式ＡＢ
ＡｌＯ4 （Ａ：Ｃａ2+又はＳｒ2+、Ｂ：：Ｙ3+、Ｇ
ｄ3+、Ｌａ3+から選ばれる一種）で表されるアンドープ
ペロブスカイト型単結晶である。本発明の結晶の薄膜導
波路は、Ｅｒ又はＰｒとＧａを共ドープしたペロブスカ
イト結晶で、組成式ＡＢxＬｎ1-xＧａyＡｌＯ4 （Ａ：
Ｃａ2+又はＳｒ2+、Ｂ：Ｅｒ3+又はＰｒ3+、Ｌｎ：
Ｙ3+、Ｇｄ3+、Ｌａ3+から選ばれる一種、ｘ：０．００
１≦ｘ≦０．２、ｙ：０．０１≦ｙ≦０．１）で表され
る。
【０００９】本発明の結晶の薄膜導波路の厚さは１〜１
０μm で、薄膜導波路部分の屈折率は１．９８０〜１．
９９０近辺である。この薄膜部分の膜厚は必要以上に薄
すぎると導波路が形成されず、又、厚すぎると導波モー
ドがマルチモードとなり好ましくない。導波路として単
一モードとするには２μm 以下の膜厚が好ましく、この
場合の屈折率は１．９９０以下である。
０μm で、薄膜導波路部分の屈折率は１．９８０〜１．
９９０近辺である。この薄膜部分の膜厚は必要以上に薄
すぎると導波路が形成されず、又、厚すぎると導波モー
ドがマルチモードとなり好ましくない。導波路として単
一モードとするには２μm 以下の膜厚が好ましく、この
場合の屈折率は１．９９０以下である。
【００１０】又、薄膜導波路部分は前記した組成式で示
した組成であるが、組成式中、ｘが０．００１未満の場
合は活性イオン濃度が薄く従って発光強度が弱く、０．
２より大の場合は濃度消光により発光が弱い。又、ｙが
０．０１より小さいと屈折率差が小さく導波層となら
ず、０．１より大であるとマルチ導波モードとなる。
した組成であるが、組成式中、ｘが０．００１未満の場
合は活性イオン濃度が薄く従って発光強度が弱く、０．
２より大の場合は濃度消光により発光が弱い。又、ｙが
０．０１より小さいと屈折率差が小さく導波層となら
ず、０．１より大であるとマルチ導波モードとなる。
【００１１】本発明の希土類ドープペロブスカイト薄膜
導波路結晶の製造法について以下に説明する。本発明の
製造法で用いる基板は、前記したように組成式ＡＢＡｌ
Ｏ4 (Ａ：Ｃａ2+又はＳｒ2+、Ｂ：：Ｙ3+、Ｇｄ3+、Ｌａ
3+から選ばれる一種）で表されるアンドープペロブスカ
イト型単結晶である。
導波路結晶の製造法について以下に説明する。本発明の
製造法で用いる基板は、前記したように組成式ＡＢＡｌ
Ｏ4 (Ａ：Ｃａ2+又はＳｒ2+、Ｂ：：Ｙ3+、Ｇｄ3+、Ｌａ
3+から選ばれる一種）で表されるアンドープペロブスカ
イト型単結晶である。
【００１２】この単結晶表面に薄膜導波路を形成するに
は下記のターゲットを用いてスパッタ法にてこれを行
う。即ち、Ｃａ2+又はＳｒ2+（Ａ）の炭酸塩又は酸化
物、Ｅｒ3+又はＰｒ3+（Ｂ）の酸化物、Ｙ3+、Ｇｄ3+、
Ｌａ3+（Ｌｎ）から選ばれる一種の酸化物、Ｇａ3+およ
びＡｌ3+の酸化物を、Ａ：Ｂ：Ｌｎ：Ｇａ：Ａｌ（原子
比）＝１：ｘ：１−ｘ：ｙ：１−ｙ（ここで、ｘ：０．
００１≦ｘ≦０．２、ｙ：０．０１≦ｙ≦０．１）の量
比となるように調整して焼結した焼結体をターゲットを
用いる。
は下記のターゲットを用いてスパッタ法にてこれを行
う。即ち、Ｃａ2+又はＳｒ2+（Ａ）の炭酸塩又は酸化
物、Ｅｒ3+又はＰｒ3+（Ｂ）の酸化物、Ｙ3+、Ｇｄ3+、
Ｌａ3+（Ｌｎ）から選ばれる一種の酸化物、Ｇａ3+およ
びＡｌ3+の酸化物を、Ａ：Ｂ：Ｌｎ：Ｇａ：Ａｌ（原子
比）＝１：ｘ：１−ｘ：ｙ：１−ｙ（ここで、ｘ：０．
００１≦ｘ≦０．２、ｙ：０．０１≦ｙ≦０．１）の量
比となるように調整して焼結した焼結体をターゲットを
用いる。
【００１３】この際のスパッタは通常のｒｆスパッタ法
が用いられ、スパッタリングガスは不活性ガス、例えば
１０-3〜１０-4 torr のＡｒガス雰囲気で行う。又、ス
パッタに際しては基板を加熱して行うことが好ましく、
７００℃以上に加熱してスパッタを行うと直接単結晶表
面に薄膜導波路が形成されるが、７００℃より低い温度
の場合は形成される薄膜は非晶質の部分があり、これを
結晶化させるために酸化性、還元性、又は不活性雰囲気
で１２００℃以上で加熱熟成することにより目的とする
希土類ドープペロブスカイト薄膜導波路結晶とすること
ができる。
が用いられ、スパッタリングガスは不活性ガス、例えば
１０-3〜１０-4 torr のＡｒガス雰囲気で行う。又、ス
パッタに際しては基板を加熱して行うことが好ましく、
７００℃以上に加熱してスパッタを行うと直接単結晶表
面に薄膜導波路が形成されるが、７００℃より低い温度
の場合は形成される薄膜は非晶質の部分があり、これを
結晶化させるために酸化性、還元性、又は不活性雰囲気
で１２００℃以上で加熱熟成することにより目的とする
希土類ドープペロブスカイト薄膜導波路結晶とすること
ができる。
【００１４】
【実施例】次に本発明を実施例により更に詳細に説明す
る。
る。
【００１５】実施例１ 組成式ＣａＹＡｌＯ4 のプペロブスカイトの板状単結晶
を基板として用い、スパッタ用ターゲットとしてＣａＣ
Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｇａ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3
を原子比でＣａ：Ｅｒ：Ｙ：Ｇａ：Ａｌ＝１：０．０
２：０．９８：０．０５：０．９５に調整して焼結した
焼結体を用い、４×１０-4 torr のＡｒを用い基板を８
００℃に加熱して１０Ａ／min でスパッタを行った。得
られた結晶の薄膜部分の厚みは１．２μm であった。
又、薄膜部分はＸ線マイクロアナライザーで元素分析の
結果ほぼ上記の組成であった。さらに電子線回折により
薄膜部分はＥｒドープペロブスカイトであることを確認
した。
を基板として用い、スパッタ用ターゲットとしてＣａＣ
Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｇａ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3
を原子比でＣａ：Ｅｒ：Ｙ：Ｇａ：Ａｌ＝１：０．０
２：０．９８：０．０５：０．９５に調整して焼結した
焼結体を用い、４×１０-4 torr のＡｒを用い基板を８
００℃に加熱して１０Ａ／min でスパッタを行った。得
られた結晶の薄膜部分の厚みは１．２μm であった。
又、薄膜部分はＸ線マイクロアナライザーで元素分析の
結果ほぼ上記の組成であった。さらに電子線回折により
薄膜部分はＥｒドープペロブスカイトであることを確認
した。
【００１６】実施例２ 実施例１で用いた板状単結晶を基板として用い、ＣａＣ
Ｏ3 、Ｐｒ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｇａ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3
を原子比でＣａ：Ｐｒ：Ｙ：Ｇａ：Ａｌ＝１：０．０
２：０．９８：０．０５：０．９５に調整して焼結した
焼結体を用い、基板を６００℃に加熱した以外は実施例
１と同じにスパッタを行った。得られた結晶の薄膜部分
を１７５０℃、水素０．５% を含むＡｒ雰囲気中で
min 加熱熟成した。得られた薄膜部分の膜厚は１．５μ
m であった。この薄膜部分は実施例１と同様に分析した
結果Ｐｒを含むペロブスカイトであった。
Ｏ3 、Ｐｒ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｇａ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3
を原子比でＣａ：Ｐｒ：Ｙ：Ｇａ：Ａｌ＝１：０．０
２：０．９８：０．０５：０．９５に調整して焼結した
焼結体を用い、基板を６００℃に加熱した以外は実施例
１と同じにスパッタを行った。得られた結晶の薄膜部分
を１７５０℃、水素０．５% を含むＡｒ雰囲気中で
min 加熱熟成した。得られた薄膜部分の膜厚は１．５μ
m であった。この薄膜部分は実施例１と同様に分析した
結果Ｐｒを含むペロブスカイトであった。
【００１７】実施例３ 実施例１で用いた板状単結晶を基板として用い、ＣａＣ
Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｇａ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ
3 を原子比でＣａ：Ｅｒ：Ｌａ：Ｇａ：Ａｌ＝１：０．
０２：０．９８：０．０５：０．９５に調整して焼結し
た焼結体を用いた以外は実施例１と同じにスパッタを行
った。得られた結晶の薄膜部分の膜厚は１．５μm であ
った。この薄膜部分は実施例１と同様に分析した結果Ｅ
ｒを含むペロブスカイトであった。
Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｇａ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ
3 を原子比でＣａ：Ｅｒ：Ｌａ：Ｇａ：Ａｌ＝１：０．
０２：０．９８：０．０５：０．９５に調整して焼結し
た焼結体を用いた以外は実施例１と同じにスパッタを行
った。得られた結晶の薄膜部分の膜厚は１．５μm であ
った。この薄膜部分は実施例１と同様に分析した結果Ｅ
ｒを含むペロブスカイトであった。
【００１８】
【発明の効果】本発明の構成の希土類ドープペロブスカ
イト光導波路結晶は、レーザー発振効率が高く、小型の
波長可変レーザー、光増幅素子として利用できる。
イト光導波路結晶は、レーザー発振効率が高く、小型の
波長可変レーザー、光増幅素子として利用できる。
【００１９】
Claims (4)
- 【請求項１】組成式ＡＢＡｌＯ4 （Ａ：Ｃａ2+又はＳｒ
2+、Ｂ：Ｙ3+、Ｇｄ3+、から選ばれる一種）で表される
ペロブスカイト型単結晶基板上に、組成式ＡＢxＬｎ1-x
ＧａyＡｌＯ4 （Ａ：Ｃａ2+又はＳｒ2+、Ｂ：Ｅｒ3+又
はＰｒ3+、Ｌｎ：Ｙ3+、Ｇｄ3+、Ｌａ3+から選ばれる一
種、ｘ：０．００１≦ｘ≦０．２、ｙ：０．０１≦ｙ≦
０．１）で表されるペロブスカイト型薄膜結晶を成長さ
せた希土類ドープペロブスカイト薄膜導波路結晶。 - 【請求項２】組成式ＡＢＡｌＯ4 （Ａ：Ｃａ2+又はＳｒ
2+、Ｂ：Ｙ3+、Ｇｄ3+、から選ばれる一種）で表される
ペロブスカイト型単結晶基板上に、Ａ（Ｃａ2+又はＳｒ
2+）の炭酸塩又は酸化物、Ｂ（Ｅｒ3+又はＰｒ3+）の酸
化物、Ｌｎ（Ｙ3+、Ｇｄ3+、Ｌａ3+から選ばれる一種）
の酸化物、Ｇａ3+およびＡｌ3+の酸化物を、Ａ：Ｂ：Ｌ
ｎ：Ｇａ：Ａｌ（原子比）＝１：ｘ：１−ｘ：ｙ：１−
ｙ（ここで、ｘ：０．００１≦ｘ≦０．２、ｙ：０．０
１≦ｙ≦０．１）の量比となるように調整して焼結した
焼結体をターゲットとして用いてスパッタ法により薄膜
を形成することを特徴とする希土類ドープペロブスカイ
ト薄膜導波路結晶の製造法。 - 【請求項３】Ａｒガスを用い、ペロブスカイト型単結晶
基板を７００℃以上に加熱してスパッタを行う請求項２
記載の製造法。 - 【請求項４】ペロブスカイト型単結晶基板を７００℃未
満の温度で加熱してスパッタを行ない得られた希土類ド
ープペロブスカイト薄膜導波路結晶を、酸化性又は還元
性雰囲気もしくは不活性雰囲気中で１２００℃以上に加
熱する請求項２記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13754493A JPH06350184A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 薄膜導波路結晶およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13754493A JPH06350184A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 薄膜導波路結晶およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06350184A true JPH06350184A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15201176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13754493A Pending JPH06350184A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 薄膜導波路結晶およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06350184A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2227622A (en) * | 1988-12-31 | 1990-08-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Method for preventing access to unsuitable video material |
| GB2287721A (en) * | 1994-03-22 | 1995-09-27 | British Tech Group | Laser waveguide |
| WO2002009245A3 (en) * | 2000-07-21 | 2002-03-21 | Utar Scient Inc | An upconversion active gain medium and a micro-laser on the basis thereof |
| CN1316700C (zh) * | 2003-08-22 | 2007-05-16 | 南京大学 | SiO2衬底上Nd:YVO4光波导薄膜器件及制备方法 |
| JP2013048136A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光素子およびその製造方法 |
| CN109193327A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-01-11 | 长春理工大学 | 一种钙钛矿微型激光器的制备方法 |
| WO2024069856A1 (ja) * | 2022-09-29 | 2024-04-04 | ソニーグループ株式会社 | レーザ装置、光回路システム、センシングシステム、レーザ光生成ユニット、及びメタマテリアル |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP13754493A patent/JPH06350184A/ja active Pending
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