JPH06350376A - 気密封止された圧電デバイスおよび気密封止パッケージ - Google Patents

気密封止された圧電デバイスおよび気密封止パッケージ

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JPH06350376A
JPH06350376A JP6005232A JP523294A JPH06350376A JP H06350376 A JPH06350376 A JP H06350376A JP 6005232 A JP6005232 A JP 6005232A JP 523294 A JP523294 A JP 523294A JP H06350376 A JPH06350376 A JP H06350376A
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JP
Japan
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piezoelectric
plate
ion
electrode
recess
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JP6005232A
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Hiroki Satou
祐己 佐藤
Toshio Ishizaki
俊雄 石崎
Takeshi Sakagami
剛 阪上
Koji Hashimoto
興二 橋本
Toru Yamada
徹 山田
Tomoki Ueno
伴希 上野
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • H03H9/10—Mounting in enclosures
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    • H03H9/10—Mounting in enclosures
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 経時変化がなく、気密性に優れた、小型、高
性能、低コストの気密封止された圧電デバイスおよび気
密封止パッケージを提供すること。 【構成】 対向する２つの面の概中央部に電極１０６お
よび１０７を構成した所望の振動子特性を有する圧電板
１０１に、パッケージを構成する、概中央部に凹部を有
する蓋部圧電板１０２・底部圧電板１０３が、直接接合
している（直接接合部１０４、１０５）。電極１０６お
よび１０７は、導電性材料でできたバンプ８０３および
８０４を介し、蓋部圧電板１０２および底部圧電板１０
３に構成された導電性材料を充填したスルーホール８０
１および８０２によって外部に引き出されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用の分野】本発明は、水晶振動子や水晶フ
ィルタおよび弾性表面波フィルタなどの圧電共振子およ
びハイブリッドＩＣなどの電気素子の気密封止に用いる
ことができる封止パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話機などの移動体通信機器の普及
にともなって、それらの機器の基準周波数源やフィルタ
には圧電共振子が用いられている。
【０００３】以下に図面を参照しながら、従来の水晶振
動子、水晶フィルタ、水晶弾性表面波フィルタおよびセ
ラミックスパッケージについて説明する。
【０００４】図３０は、従来の水晶振動子の構造を示す
ものである。
【０００５】図３０において、３４０１は水晶片、３４
０２は電極、３４０３、３４０４は導電性接着剤、３４
０５、３４０６は支持部材、３４０７、３４０８はリー
ド部材、３４０９は支持台、３４１０はキャップであ
る。
【０００６】水晶片３４０１には、その両面に電極３４
０２が形成されている。水晶片３４０１は、その厚みや
弾性定数で決まる共振周波数を有し、電気的な共振素子
として機能する。さらに、支持台３４０９に支持された
支持部材３４０５および３４０６に導電性接着剤３４０
３および３４０４によって水晶片３４０１が支持される
と同時に電気的に接続されている。外部との電気的な接
続は、リード部材３４０７および３４０８を介して行わ
れている。また、キャップ３４１０により、水晶片３４
０１は封止されている。通常、封止は、半田溶接法が用
いられる。
【０００７】図３１、図３２は、従来の水晶フィルタの
構造を示すものであり、図３１はおもて側の構造図、図
３２は図３１のうら側の構造図である。
【０００８】図３１、３２において、３５０１は水晶
片、３５０２と３５０３および３５０４と３５０５はそ
れぞれ対向する電極、３５０６から３５０９までは導電
性接着剤、３５１０および３５１１は支持部材、３５１
２から３５１５まではリード部材、３５１６は支持台、
３５１７はカバー部材である。
【０００９】電極３５０２および３５０４は、それぞれ
導電性接着剤３５０６および３５０８と支持部材３５１
０および３５１１を介し、リード部材３５１２および３
５１４で外部に引き出されている。また、電極３５０３
および３５０５は、それぞれ導電性接着剤３５０７およ
び３５０９を介して、リード部材３５１３および３５１
５で外部に引き出されている。電極３５０３および３５
０５は通常接地し、電極３５０２に電気信号を入力する
と、水晶片３５０１はその厚みや弾性定数で決まる周波
数で共振する。この共振は水晶片３５０１中を機械的に
伝達し、その結果電極３５０４と３５０５の間に電界が
発生し、電極３５０４から電気信号を取り出せる。即
ち、水晶片３５０１の厚みや弾性定数で決まる共振周波
数の帯域通過フィルタとなる。また、支持台３５１６お
よびカバー部材３５１７により、水晶片３４０１は封止
されている。通常、封止は、半田溶接法が用いられる。
【００１０】図３３は、従来の弾性表面波フィルタの構
成を示すものである。
【００１１】図３３において、３６０１は圧電材料基
板、３６０２は蓋部材、３６０３は底部材、３６０４は
インターデジタルトランスデューサ（以下、ＩＤＴと記
す。）型の電極、３６０５はボンディングパッド、３６
０６は封止用のガラスである。
【００１２】図３３に示すように、圧電材料基板３６０
１にＩＤＴ形の電極３６０４を構成して電気信号を入力
すると、圧電材料基板３６０１上に弾性表面波が励起さ
れ、許される周波数の波だけが伝搬する。ここで伝搬可
能となる弾性表面波は、ＩＤＴ電極３６０４の電極パタ
ーンや圧電材料基板３６０１の実効圧電定数によって決
定される。この原理を応用して、ＩＤＴ電極３６０４の
電極パターンや圧電材料基板３６０１の材料および切り
出し角度を適当に設定することによって、所望のフィル
タ特性を有する弾性表面波フィルタとしている。封止
は、まず圧電材料基板３６０１をパッケージを構成する
底部材３６０３の凹部中に接着剤を用いて固定する。そ
の後、さらに底部材３６０３にガラス３６０６を塗布
し、その上に蓋部材３６０２を重ね、ガラス３６０６が
熔ける温度まで容器全体を加熱して一体化する。
【００１３】図３４は、従来のパッケージの一例を示す
ものである。
【００１４】図３４において、３７０１はセラミックス
蓋部材、３７０２はセラミックス本体部材、３７０２ａ
は封止用のガラス、３７０２ｂはセラミックス本体部材
３７０２に形成された凹部である。
【００１５】図３４に示すパッケージにおいて、セラミ
ックス本体部材３７０２の上面にはガラス３７０２ａが
塗布されており、また、被封止物は凹部３７０２ｂ中に
置かれる。封止は、被封止物を凹部３７０２ｂ中に置い
た後、被セラミックス蓋部材３７０１を重ね、ガラス３
７０２ａが熔ける温度まで容器全体を加熱して行う（た
とえばNikkei Electronics, 1991 1. 7 (No.517) pp.16
7）。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の水
晶振動子および水晶フィルタでは、支持部材、リード部
材、支持台およびカバー部材など部品点数が多く、且つ
構造上小型化には制約を受けていた。また、各部材の接
着には、導電性接着剤を用いていたため、接着剤よりガ
スが発生して気密性が劣化し、経時変化を誘発するとい
う問題点を有していた。さらに、製造プロセスが複雑
で、結果的にコスト高であるなどの複数の問題点を有し
ていた。
【００１７】また、従来の水晶弾性表面波フィルタおよ
び封止パッケージでは、ガラスで封止するために封止部
からガスが発生し、デバイスの経時変化への影響が無視
できないこと、また、ガラスを溶融して接着剤として用
いるため、封止部にガラスのはみ出し代が必要であり、
結果的にデバイスの小型化に制限を加えていたことなど
の課題を有していた。
【００１８】本発明は、経時変化がなく、気密性の優れ
た、小型、高性能、低コストの気密封止された圧電デバ
イスおよび気密封止パッケージを提供することを目的と
している。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の圧電振動子は上
記問題を解決するため、鏡面研摩された対向する２つの
面の概中央部に電極を構成した所望の振動子特性を有す
る圧電板を、鏡面研摩された面の概中央部に凹部を有す
る圧電板もしくはイオン結合性材料の板状片を用いて、
前記圧電板の電極を構成した領域の周囲を清浄な状態で
挟持し、且つ前記挟持した領域において前記圧電板また
はイオン結合性材料の板状片を直接接合して、前記電極
を構成した領域を封止したことを特徴としたものであ
る。
【００２０】また、本発明の圧電フィルタは上記問題を
解決するため、鏡面研摩された対向する２つの面の概中
央部に電極を構成した所望のフィルタ特性を有する圧電
板を、鏡面研摩された面の概中央部に凹部を有する圧電
板もしくはイオン結合性材料の板状片を用いて、前記圧
電板の電極を構成した領域の周囲を清浄な状態で挟持
し、且つ前記挟持した領域において前記圧電板またはイ
オン結合性材料の板状片を直接接合して、前記電極を構
成した領域を封止したことを特徴としたものである。
【００２１】また、本発明の弾性表面波フィルタは上記
問題を解決するため、所望のフィルタ特性を有する圧電
材料基板の電極の構成されている領域の概周辺部と、前
記電極を構成している領域を塞ぐに足る大きさの凹部を
具備し且つイオン結合性材料でできた蓋部材の開口部と
を、それぞれ滑らかに研摩しさらに清浄な状態にするこ
とにより得られる接着力を用いて直接接合することによ
り、前記圧電材料基板と前記蓋部材とを一体化して前記
電極を構成した領域を封止するという構成を備えたもの
である。
【００２２】また、本発明の封止パッケージは上記問題
を解決するため、イオン結合性材料でできた凹部もしく
は貫通孔部のある本体部材の前記凹部もしくは貫通孔部
の開口部の平坦な第１の面と、イオン結合性材料ででき
た蓋部材の前記凹部もしくは貫通孔部を塞ぐに足る大き
さの平坦な第２の面とを清浄にした後接触させ、前記第
１の面のイオン結合性材料と前記第２の面のイオン結合
性材料との間に働く結合力を用いて直接接合することに
より、前記凹部もしくは貫通孔部を封止することを特徴
とするものである。
【００２３】
【作用】本発明は上記した構成によって、直接接合し凹
部もしくは貫通孔部を封止する。その結果、接着剤を用
いなくて済むので接着剤から発生するガスが全くなく、
また接着剤のはみ出し代をとる必要がないという長所を
有する。その結果、経時変化がなく、気密性の優れた、
小型、高性能、低コストの圧電デバイスおよび気密封止
パッケージを得ることができる。
【００２４】また、パッケージを構成する蓋部材と底部
材および本体部材を同一の材質で構成することにより、
熱膨張係数が同じになり、温度安定度の優れた圧電デバ
イスおよび気密封止パッケージを実現できる。
【００２５】また、イオンミリング法、サンドブラスト
法もしくはフッ酸などによる化学反応を用いた化学的エ
ッチング法などのいずれかを用い、所望の共振子特性も
しくはフィルタ特性を有する圧電板を薄く研摩すること
により、Ｑ値が極めて高い圧電デバイスを実現すること
ができる。
【００２６】また、片面の電極を導電性材料を充填した
スルーホールによって反対面に引き出すことにより、圧
電板の片側一面に電極を引き出すことができるので、回
路基板上への実装をより容易にすることができる。
【００２７】また、挟持する圧電板に導電性材料を充填
したスルーホールを形成し、さらに、前記スルーホール
から伸びる導電性バンプを形成し、前記導電性バンプを
電極を形成した圧電板の電極部に押し当てることによ
り、電極を外部へ引き出すことができる気密性に優れた
圧電デバイスを実現することができる。
【００２８】また、イオン結合性材料を母材にコーティ
ングする場合、母材自体の材料は、加工性やコストなど
を考慮して任意に決定することができるので、結果的に
いかなる形状の封止パッケージでも低価格で且つ容易に
実現することができる。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【００３０】まず、本発明の第１の実施例の圧電振動子
について、図面を参照しながら説明する。
【００３１】図１および図２は本発明の第１の実施例に
おける圧電振動子の構成を示すものであり、図１は本発
明の第１の実施例における圧電振動子の斜視図である。
また、図２は本発明の第１の実施例における圧電振動子
の構成を示したものであり、図における（ａ）および
（ｂ）はそれぞれ図１の平面ａａ’および平面ｂｂ’で
の断面図であり、（ｃ）は図１の圧電振動子１０１を上
からみた平面図である。
【００３２】図１において、１０１は圧電板、１０２お
よび１０３はそれぞれ前記圧電板１０１に直接接合しパ
ッケージを構成する蓋部圧電板および底部圧電板、１０
４および１０５は直接接合部、８０１はスルーホールで
ある。ここで、圧電板１０１、蓋部圧電板１０２および
底部圧電板１０３は直接接合部１０４および１０５にお
いて互いに接着剤無しに直接接合され、一体化されてい
る。
【００３３】ここで、本発明における直接接合について
図３を用いて説明する。十分に清浄なイオン結合性の材
料の表面にある原子には、原子の持つ電荷により水酸基
（−OH）が結合している。さらに、この水酸基の周りに
数分子程度の水分子層が形成されている。即ち、十分に
平坦にしたイオン結合性の表面同士を接触させると、表
面に結合している水酸基および水分子が互いに水素結合
して接着力を及ぼし合い、その結果、表面同士が接着剤
などを用いずに接合して、直接接合状態となる。本発明
において直接接合とは、以上述べたように表面を清浄化
して得られる接着力により、接着剤などの異物を介さず
に接合することをいう。また、直接接合状態はイオン結
合性の材料、たとえば水晶や酸化アルミニウム、ガラス
などであれば得ることができる。なお、室温で直接接合
した材料を昇温する事によって、さらに強固な直接接合
状態とすることが出来る。ここで、水晶を用いた場合
は、その結晶の安定性から、１気圧では５７３℃以下の
温度で熱処理することが望ましい。
【００３４】まず、本発明の第１の実施例における圧電
振動子の構成について、図２を用いて説明する。図２に
おいて、１０１は圧電板、１０２および１０３はそれぞ
れ概中央部に凹部を有し、パッケージを構成する蓋部圧
電板および底部圧電板、１０４および１０５は直接接合
部、１０６および１０７は対向する電極である。ここ
で、圧電板１０１の切り出し角度および厚みと電極１０
６および１０７のパターン形状および厚みは、所望の振
動子特性が得られるようになっている。また、８０１お
よび８０２は金属などの導電性材料を充填したスルーホ
ールであり、図のようにパッケージを構成する蓋部圧電
板１０２および底部圧電板１０３に形成されている。さ
らに、各々の電極１０６および１０７は、それぞれバン
プ８０３および８０４を介し、さらにスルーホール８０
１および８０２によって外部に引き出されている。ま
た、圧電板１０１と蓋部圧電板１０２および底部圧電板
１０３とはそれぞれ直接接合されて一体となり、直接接
合部１０４および１０５を形成している。
【００３５】以下、本発明の第２の実施例の圧電振動子
について、図面を参照しながら説明する。図１および図
４は本発明の第２の実施例における圧電振動子の構成を
示すものであり、図１は本発明の第２の実施例における
圧電振動子の斜視図である。また、図４は本発明の第２の
実施例における圧電振動子の構成を示したものであり、
図における（ａ）および（ｂ）はそれぞれ図１の平面ａ
ａ’および平面ｂｂ’での断面図であり、（ｃ）は図１
の圧電振動子１０１を上からみた平面図である。
【００３６】つぎに、本発明の第２の実施例における圧
電振動子の構成について、図４を用いて説明する。図４
において、第２の実施例は、第１の実施例と基本的に同
様の構成を持ち、１０１は片面に凹部を有する圧電板、
１０３はパッケージを構成する平坦な底部圧電板という
点が異なる。
【００３７】以下、本発明の第３の実施例の圧電振動子
について、図面を参照しながら説明する。
【００３８】図１および図５は本発明の第３の実施例に
おける圧電振動子の構成を示すものであり、図１は本発
明の第３の実施例における圧電振動子の斜視図である。
また、図５は本発明の第３の実施例における圧電振動子
の構成を示したものであり、図における（ａ）および
（ｂ）はそれぞれ図１の平面ａａ’および平面ｂｂ’で
の断面図であり、（ｃ）は図１の圧電振動子１０１を上
からみた平面図である。
【００３９】つぎに、本発明の第３の実施例における圧
電振動子の構成について、図５を用いて説明する。図５
において、第３の実施例は、第１の実施例と基本的に同
様の構成を持ち、１０１は両面に凹部を有する圧電板、
１０２および１０３はそれぞれパッケージを構成する平
坦な蓋部圧電板および底部圧電板という点が異なる。
【００４０】以上、図１、図２、図４および図５のよう
に構成された本発明の第１、第２および第３の実施例の
圧電振動子の動作について、いずれの実施例においても
それぞれの動作の原理は同様であるので、そのうち本発
明の第１の実施例、すなわち図２を用いて、以下その動
作を説明する。
【００４１】電極１０６もしくは電極１０７のいずれか
に電気信号を入力すると、圧電板１０１はその厚みや弾
性定数で決まる周波数で共振する。即ち、圧電板１０１
の厚みや弾性定数で決まる共振周波数の電気的振動子と
なる。
【００４２】以下、本発明の第４の実施例の圧電振動子
について、図面を参照しながら説明する。
【００４３】図６および図７は本発明の第４の実施例に
おける圧電振動子の構成を示すものであり、図６は本発
明の第４の実施例における圧電振動子の斜視図である。
また、図７は本発明の第４の実施例における圧電振動子
の構成を示したものであり、図における（ａ）は図６の
圧電振動子１０１を上からみた平面図であり、（ｂ）お
よび（ｃ）はそれぞれ図６の平面ａａ’および平面ｂ
ｂ’での断面図である。
【００４４】本発明の第４の実施例における圧電振動子
の構成について、図７を用いて説明する。図７におい
て、第４の実施例は、第１の実施例と基本的に同様の構
成を持ち、圧電板１０１の概中央部は周辺部より薄く構
成されている点が異なる。
【００４５】以上のように構成された本発明の第４の実
施例の圧電振動子の動作の原理は、本発明の第１から第
３の実施例で述べたものと同様である。
【００４６】以下、本発明の第５の実施例の圧電振動子
について、図面を参照しながら説明する。
【００４７】図８および図９は本発明の第５の実施例に
おける圧電振動子の構成を示すものである。図８は本実
施例の圧電振動子の斜視図であり、１０１は圧電板、１
０２は蓋部圧電板、１０３は底部圧電板、１０４および
１０５は直接接合部である。ここで、圧電板１０１、蓋
部圧電板１０２および底部圧電板１０３は直接接合部１
０４および１０５において互いに接着剤無しに直接接合
され、一体化されている。さらに、８０１および８０２
は蓋部圧電板１０２に形成され且つ導電性材料を充填し
たスルーホールである。また、図９において（ａ）およ
び（ｂ）は図８の平面ａａ’および平面ｂｂ’での断面
図、（ｃ）は図８の圧電板１０１を上からみた平面図で
あり、その中で１０６および１０７は圧電板１０１に形
成された電極、さらに８０３および８０４はバンプであ
る。第５の実施例は、圧電板１０１に導電性材料を充填
したスルーホール８０５が形成された点が第１の実施例
と異なる。ここで、圧電板１０１の厚みおよび切り出し
角度および電極１０６および１０７の厚みおよびパター
ン形状は、所望の振動子特性を有するように決定されて
おり、さらにバンプ８０３および８０４は、それぞれ電
極１０６および１０７とスルーホール８０１、８０２お
よび８０５を電気的に接続している。
【００４８】以上のように構成された本発明の第５の実
施例の圧電振動子の動作の原理は、本発明の第１から第
３の実施例で述べたものと同様である。
【００４９】なお、本発明の第１から第５の実施例にお
いて、圧電板、蓋部圧電板および底部圧電板に形成する
凹部の構成方法としては、Ar+などの不活性ガスのイオ
ンを衝突させスパッタするイオンミリング法、空気と共
に砥粒を衝突させスパッタするサンドブラスト法および
フッ酸との化学反応によって材料をエッチングする方法
などがある。
【００５０】なお、本発明の第１から第５までの実施例
において、パッケージを構成する蓋部材および底部材の
構成材料としては、イオン結合性の材料であれば本質的
に直接接合が可能であるので、例えばLiF、NaFおよびKF
などのフッ化物、Al2O3、MgO、TiO2およびSiO2などの酸
化物、LiCl、KCl、NaClおよびCdCl2などの塩化物、MgAl
2O4などのイオン結合材料同士の中間化合物や固溶体も
しくはガラスなどの非晶質材料など、他のイオン結合性
の材料でもかまわない。さらに、材料が単結晶でも多結
晶のイオン結合性材料でもかまわない。特に、パッケー
ジを構成する蓋部材と底部材および本体部材をすべて水
晶にすると、熱膨張係数が同じになり、温度安定度に優
れた、Ｑ値が極めて高い水晶振動子を実現することがで
きる。
【００５１】なお、本発明の第１から第５までの実施例
において、パッケージを構成する蓋部材と底部材および
本体部材の構成材質として示した材料の形状は、本発明
の実施例で示したものに限定されるのではなく、例えば
凹部およびスルーホールの形状が丸型や三角型など任意
の形状であってもかまわない。
【００５２】なお、本発明の第１から第５までの実施例
において、電極の材質、厚みおよびパターン形状は、本
発明の実施例で示したものに限定されるのではなく、所
望の振動子特性が得られる構造であれば、電極の材質、
厚みおよびパターン形状は限定されない。
【００５３】以下、本発明の第６の実施例の圧電フィル
タについて、図面を参照しながら説明する。
【００５４】図１０および図１１は本発明の第６の実施
例における圧電フィルタの構成を示すものであり、図１
０は本発明の第６の実施例における圧電フィルタの斜視
図である。また、図１１は本発明の第６の実施例におけ
る圧電フィルタの構成を示したものであり、図における
（ａ）および（ｂ）はそれぞれ図１０の平面ａａ’およ
び平面ｂｂ’での断面図であり、（ｃ）は図１０の圧電
フィルタ１２０１を上からみた平面図である。
【００５５】図１０において、１２０１は圧電板、１２
０２および１２０３はそれぞれ前記圧電板１２０１に直
接接合しパッケージを構成する蓋部圧電板および底部圧
電板、１２０４および１２０５は直接接合部、１８０１
および１８０２はスルーホールである。ここで、圧電板
１２０１、蓋部圧電板１２０２および底部圧電板１２０
３は直接接合部１２０４および１２０５において互いに
接着剤無しに直接接合され、一体化されている。
【００５６】本発明の実施例における直接接合は、本発
明の第１の実施例において図３を用いて説明されてい
る。
【００５７】まず、本発明の第６の実施例における圧電
フィルタの構成について、図１１を用いて説明する。図
１１において、１２０１は圧電板、１２０２および１２
０３はそれぞれ概中央部に凹部を有し、パッケージを構
成する蓋部圧電板および底部圧電板、１２０４および１
２０５は直接接合部、１２０６と１２０７および１２０
８と１２０９はそれぞれ対向する電極である。ここで、
圧電板１２０１の切り出し角度および厚みと電極１２０
６から１２０９のパターン形状および厚みは、所望のフ
ィルタ特性が得られるようになっている。また、圧電板
１２０１と蓋部圧電板１２０２および底部圧電板１２０
３とはそれぞれ直接接合されて一体となり、直接接合部
１２０４および１２０５を形成している。また、１８０
１から１８０４は金属などの導電性材料を充填したスル
ーホールであり、図のようにパッケージを構成する蓋部
圧電板１２０２および底部圧電板１２０３に形成されて
いる。さらに、各々の電極１２０６から１２０９は、そ
れぞれバンプ１８０５から１８０８を介し、さらにスル
ーホール１８０１から１８０４によって外部に引き出さ
れている。
【００５８】以下、本発明の第７の実施例の圧電フィル
タについて、図面を参照しながら説明する。
【００５９】図１０および図１２は本発明の第７の実施
例における圧電フィルタの構成を示すものであり、図１
０は本発明の第７の実施例における圧電フィルタの斜視
図である。また、図１２は本発明の第７の実施例におけ
る圧電フィルタの構成を示したものであり、図における
（ａ）および（ｂ）はそれぞれ図１０の平面ａａ’およ
び平面ｂｂ’での断面図であり、（ｃ）は図１０の圧電
フィルタ１２０１を上からみた平面図である。
【００６０】つぎに、本発明の第７の実施例における圧
電フィルタの構成について、図１２を用いて説明する。
図１２において、第７の実施例は、第６の実施例と基本
的に同様の構成を持ち、１２０１は片面に凹部を有する
圧電板、１２０３はパッケージを構成する平坦な底部圧
電板という点が異なる。
【００６１】以下、本発明の第８の実施例の圧電フィル
タについて、図面を参照しながら説明する。
【００６２】図１０および図１３は本発明の第８の実施
例における圧電フィルタの構成を示すものであり、図１
０は本発明の第８の実施例における圧電フィルタの斜視
図である。また、図１３は本発明の第８の実施例におけ
る圧電フィルタの構成を示したものであり、図における
（ａ）および（ｂ）はそれぞれ図１０の平面ａａ’およ
び平面ｂｂ’での断面図であり、（ｃ）は図１０の圧電
フィルタ１２０１を上からみた平面図である。
【００６３】つぎに、本発明の第８の実施例における圧
電フィルタの構成について、図１３を用いて説明する。
図１３において、第８の実施例は、第６の実施例と基本
的に同様の構成を持ち、１２０１は両面に凹部を有する
圧電板、１２０２および１２０３はそれぞれパッケージ
を構成する平坦な蓋部圧電板および底部圧電板という点
が異なる。
【００６４】以上、図１０から図１３のように構成され
た本発明の第６、第７および第８の実施例の圧電フィル
タの動作について、いずれの実施例においてもそれぞれ
の動作の原理は同様であるので、そのうち本発明の第６
の実施例、すなわち図１１を用いて、以下その動作を説
明する。
【００６５】電極１２０６と１２０７および１２０８と
１２０９のそれぞれどちらか一方の電極は通常接地され
る。例えば、電極１２０７および１２０９を接地し、電
極１２０６を入力端子、電極１２０８を出力端子とした
とき、電極１２０６に電気信号を入力すると、圧電板１
２０１はその厚みや弾性定数で決まる周波数で共振す
る。この共振は圧電板１２０１中を機械的に伝達し、そ
の結果電極１２０８と１２０９の間に電界が発生し、電
極１２０８から電気信号を取り出せる。即ち、圧電板１
２０１の厚みや弾性定数で決まる共振周波数の帯域通過
フィルタとなる。
【００６６】以下、本発明の第９の実施例の圧電フィル
タについて、図面を参照しながら説明する。
【００６７】図１４および図１５は本発明の第９の実施
例における圧電フィルタの構成を示すものであり、図１
４において、１２０１は圧電板、１２０２は蓋部圧電
板、１２０３は底部圧電板、１２０４および１２０５は
直接接合部である。ここで、圧電板１２０１、蓋部圧電
板１２０２および底部圧電板１２０３は直接接合部１２
０４および１２０５において互いに接着剤無しに直接接
合され、一体化されている。また、図１５において
（ａ）および（ｂ）はそれぞれ図１４の平面ａａ’およ
び平面ｂｂ’での断面図、（ｃ）は図１４の圧電板１２
０１を上からみた平面図であり、その中で１２０６から
１２０９は圧電板１２０１に形成された電極である。圧
電板１２０１の概中央部は周辺部より薄く構成されてお
り、またその厚みおよび切り出し角度および電極１２０
６から１２０９の厚みおよびパターン形状は、所望のフ
ィルタ特性を有するように決定されている。
【００６８】以上のように構成された本発明の第９の実
施例の圧電フィルタの動作の原理は、本発明の第６から
第８の実施例で述べたものと同様である。
【００６９】以下、本発明の第１０の実施例の圧電フィ
ルタについて、図面を参照しながら説明する。
【００７０】図１６および図１７は本発明の第１０の実
施例における圧電フィルタの構成を示すものである。図
１６は本実施例の圧電フィルタの斜視図であり、１２０
１は圧電板、１２０２は蓋部圧電板、１２０３は底部圧
電板、１２０４および１２０５は直接接合部である。こ
こで、圧電板１２０１、蓋部圧電板１２０２および底部
圧電板１２０３は直接接合部１２０４および１２０５に
おいて互いに接着剤無しに直接接合され、一体化されて
いる。さらに、１８０１から１８０４は蓋部圧電板１２
０２に形成され且つ導電性材料を充填したスルーホール
である。また、図１７において（ａ）および（ｂ）は図
１６の平面ａａ’および平面ｂｂ’での断面図、（ｃ）
は図１６の圧電板１２０１を上からみた平面図であり、
その中で１２０６から１２０９は圧電板１２０１に形成
された電極、さらに１８０５から１８０８はバンプであ
る。第１０の実施例は、圧電板１２０１に導電性材料を
充填したスルーホール１８０９および１８１０が形成さ
れた点が、第６の実施例と異なる。ここで、圧電板１２
０１の厚みおよび切り出し角度および電極１２０６から
１２０９の厚みおよびパターン形状は、所望のフィルタ
特性を有するように決定されており、さらにバンプ１８
０５から１８０８は、それぞれ電極１２０６から１２０
９とスルーホール１８０１から１８０４、１８０９およ
び１８１０を電気的に接続している。
【００７１】以上のように構成された本発明の第１０の
実施例の圧電フィルタの動作の原理は、本発明の第７か
ら第９の実施例で述べたものと同様である。
【００７２】なお、本発明の第６から第１０の実施例に
おいて、圧電板、蓋部圧電板および底部圧電板に形成す
る凹部の構成方法としては、Ar+などの不活性ガスのイ
オンを衝突させスパッタするイオンミリング法、空気と
共に砥粒を衝突させスパッタするサンドブラスト法およ
びフッ酸との化学反応によって材料をエッチングする方
法などがある。
【００７３】なお、本発明の第６から第１０までの実施
例において、パッケージを構成する蓋部材および底部材
の構成材料としては、イオン結合性の材料であれば本質
的に直接接合が可能であるので、例えばLiF、NaFおよび
KFなどのフッ化物、Al2O3、MgO、TiO2およびSiO2などの
酸化物、LiCl、KCl、NaClおよびCdCl2などの塩化物、Mg
Al2O4などのイオン結合材料同士の中間化合物や固溶体
もしくはガラスなどの非晶質材料など、他のイオン結合
性の材料でもかまわない。さらに、材料が単結晶でも多
結晶のイオン結合性材料でもかまわない。特に、パッケ
ージを構成する蓋部材と底部材および本体部材をすべて
水晶にすると、熱膨張係数が同じになり、温度安定度に
優れた、Ｑ値が極めて高いフィルタを実現することがで
きる。
【００７４】なお、本発明の第６から第１０までの実施
例において、パッケージを構成する蓋部材と底部材およ
び本体部材の構成材質として示した材料の形状は、本発
明の実施例で示したものに限定されるのではなく、例え
ば凹部およびスルーホールの形状が丸型や三角型など任
意の形状であってもかまわない。
【００７５】なお、本発明の第６から第１０までの実施
例において、電極の材質、厚みおよびパターン形状は、
本発明の実施例で示したものに限定されるのではなく、
所望のフィルタ特性が得られる構造であれば、電極の材
質、厚みおよびパターン形状は限定されない。
【００７６】なお、本発明の第６から第１０までの実施
例において、電極の数は本発明の実施例で示したものに
限定されるのではなく、例えば、図１８に示すように、
圧電板２２０１を介して、電極２２０２、２２０４、２
２０６をそれぞれ２２０３、２２０５、２２０７と対向
させて、二組以上構成してもかまわない。
【００７７】以下、本発明の第１１の実施例における弾
性表面波フィルタについて、図面を参照しながら説明す
る。
【００７８】図１９は、本発明の第１１の実施例のおけ
る弾性表面波フィルタの構成を示したものであり、２３
０１は圧電材料基板、２３０２は圧電材料でできた蓋部
材、２３０２′は蓋部材２３０２に構成された凹部、２
３０３は電極、２３０４はスルーホールである。ここ
で、電極２３０３は圧電材料基板２３０１上に構成され
ている。さらに、圧電材料基板２３０１には導電性材料
を充填したスルーホール２３０４が入力用と出力用に２
つ構成されており、このスルーホール２３０４によって
電極２３０３と外部とが電気的に接続されている。ま
た、蓋部材２３０２の概中央部には、電極２３０３およ
びスルーホール２３０４を覆うように凹部２３０２′が
形成されており、さらに、圧電材料基板２３０１と蓋部
材２３０２とが、電極２３０３が凹部２３０２′に入り
込むように直接接合して一体化されている。
【００７９】本発明の実施例における直接接合は、本発
明の第１の実施例において図３を用いて説明されてい
る。
【００８０】つぎに、以上のように構成された本発明の
第１１の実施例における弾性表面波フィルタの動作原理
について説明する。図１９に示すように、圧電材料基板
２３０１の表面にＩＤＴ型の電極２３０３を設けて、電
気信号を入力すると、圧電材料基板２３０１の表面に弾
性表面波が励起され、許される周波数の波だけが伝搬す
る。ここで伝搬可能な弾性表面波は、ＩＤＴ電極２３０
３の電極パターンや圧電材料基板２３０１の実効圧電定
数によって決定される。すなわち、このように構成され
た弾性表面波フィルタは、ある特定の周波数範囲の電気
信号のみを通過させる帯域通過フィルタとして用いるこ
とができる。
【００８１】以下、本発明の第１２の実施例における弾
性表面波フィルタについて、図面を参照しながら説明す
る。
【００８２】図２０は、本発明の第１２の実施例のおけ
る弾性表面波フィルタの構成を示したものであり、２４
０１は圧電材料基板、２４０２は圧電材料でできた蓋部
材、２４０２′は蓋部材２４０２に構成された凹部、２
４０３は圧電材料でできた底部材、２４０４はＩＤＴ型
の電極、２４０５はボンディングパッドである。ここ
で、電極２４０４は圧電材料基板２４０１上に構成され
ている。さらに、圧電材料基板２４０１には導電性材料
を充填したボンディングパッド２４０５が入力用と出力
用に２つ構成されており、このボンディングパッド２４
０５によって電極２４０４と外部とが電気的に接続され
ている。また、蓋部材２４０２の概中央部には、圧電材
料基板２４０１を覆う凹部２４０２′が形成されてお
り、さらに、圧電材料基板２４０１と底部材２４０３お
よび底部材２４０３と蓋部材２４０２とは、それぞれが
直接接合して一体化されている。
【００８３】以上のように構成された本発明の第１２の
実施例における弾性表面波フィルタの動作原理は、本発
明の第１１の実施例における弾性表面波フィルタのそれ
と同様である。
【００８４】以下、本発明の第１３の実施例における弾
性表面波フィルタについて、図面を参照しながら説明す
る。
【００８５】図２１は、本発明の第１３の実施例のおけ
る弾性表面波フィルタの構成を示したものであり、２５
０１は圧電材料基板、２５０２は圧電材料でできた蓋部
材、２５０２′は蓋部材２５０２に構成された凹部、２
５０３は圧電材料でできた底部材、２５０４はＩＤＴ型
の電極、２５０５はスルーホールである。ここで、電極
２５０４は圧電材料基板２５０１上に構成されている。
さらに、圧電材料基板２５０１には導電性材料を充填し
たスルーホール２５０５が入力用と出力用に２つ構成さ
れており、このスルーホール２５０５によって電極２５
０４と外部とが電気的に接続されている。また、蓋部材
２５０２の概中央部には、圧電材料基板２５０１を覆う
凹部２５０２′が形成されており、さらに、圧電材料基
板２５０１と底部材２５０３および底部材２５０３と蓋
部材２５０２とが、直接接合して一体化されている。
【００８６】以上のように構成された本発明の第１３の
実施例における弾性表面波フィルタの動作原理は、本発
明の第１１の実施例における弾性表面波フィルタのそれ
と同様である。
【００８７】以下、本発明の第１４の実施例における弾
性表面波フィルタについて、図面を参照しながら説明す
る。
【００８８】図２２は、本発明の第１４の実施例のおけ
る弾性表面波フィルタの構成を示したものであり、２６
０１は圧電材料基板、２６０２は蓋部材、２６０２′は
蓋部材２６０２に構成された凹部、２６０３はＩＤＴ型
の電極、２６０４はスルーホールおよび２６０５はイオ
ン結合性材料被覆部である。ここで、電極２６０３は圧
電材料基板２６０１上に構成されている。さらに、圧電
材料基板２６０１には導電性材料を充填したスルーホー
ル２６０４が入力用と出力用に２つ構成されており、こ
のスルーホール２６０４によって電極２６０３と外部と
が電気的に接続されている。また、蓋部材２６０２の概
中央部には、圧電材料基板２６０１を覆う凹部２６０
２′が形成されており、さらに、圧電材料基板２６０１
と蓋部材２６０２とが直接接合される領域はイオン結合
性材料で覆われて、イオン結合性材料被覆部２６０５と
なっており、本実施例においては、このイオン結合性材
料に起因する接着力を利用して圧電材料基板２６０１と
蓋部材２６０２とが直接接合して一体化されている。
【００８９】なお、イオン結合性材料で被覆する方法と
しては、たとえば、イオン結合結晶材の原料となる物質
を気相状態で分解してイオン結合性結晶を析出させる化
学気相析出（Chemical Vapor Deposition;ＣＶＤ）法
や、真空中にてイオン結合結晶材の原料となるターゲッ
トに高速荷電粒子を衝突させて気化させることによりイ
オン結合性材料を形成するスパッタ法、もしくは圧電材
料基板２６０１および蓋部材２６０２の材料の酸化物が
イオン結合性の材料であるときには母材の表面を酸化さ
せて酸化膜を形成する方法などを用いることができる。
また、ＣＶＤ法やスパッタ法では、形成するイオン結合
材料と母材の間に互いの接合性を良好にするバッファ層
を形成することにより安定にイオン結合性の材料を表面
に構成することができる。
【００９０】以上のように構成された本発明の第１４の
実施例における弾性表面波フィルタの動作原理は、本発
明の第１１の実施例における弾性表面波フィルタのそれ
と同様である。
【００９１】以下、本発明の第１５の実施例における弾
性表面波フィルタについて、図面を参照しながら説明す
る。
【００９２】図２３は、本発明の第１５の実施例のおけ
る弾性表面波フィルタの構成を示したものであり、２７
０１は圧電材料基板、２７０２は圧電材料でできた蓋部
材、２７０３は圧電材料でできた底部材、２７０３′は
底部材２７０３に構成された凹部、２７０４はＩＤＴ型
の電極、２７０５はボンディングパッドである。ここ
で、電極２７０４は圧電材料基板２７０１上に構成され
ている。さらに、圧電材料基板２７０１には導電性材料
を充填したボンディングパッド２７０５が入力用と出力
用に２つ構成されており、このボンディングパッド２７
０５によって電極２７０４と外部とが電気的に接続され
ている。また、底部材２７０３の概中央部には、圧電材
料基板２７０１を覆う凹部２７０３′が形成されてお
り、さらに、圧電材料基板２７０１と底部材２７０３お
よび底部材２７０３と蓋部材２７０２とは、それぞれが
直接接合して一体化されている。
【００９３】以上のように構成された本発明の第１５の
実施例における弾性表面波フィルタの動作原理は、本発
明の第１１の実施例における弾性表面波フィルタのそれ
と同様である。
【００９４】なお、本発明の第１１、第１２、第１３お
よび第１５の各実施例において、蓋部材および底部材は
圧電材料でできているものとしたが、直接接合が可能な
イオン結合性の材料であれば封止が可能となるので、た
とえば水晶、ニオブ酸リチウム（LiNbO3）およびタンタ
ル酸リチウム（LiTaO3）などでもかまわない。
【００９５】なお、本発明の第１１から第１５の各実施
例においては圧電基板として圧電材料としたが、たとえ
ば水晶、ニオブ酸リチウム（LiNbO3）およびタンタル酸
リチウム（LiTaO3）などを用いることができ、いかなる
圧電材料を用いたときでも本発明の各実施例で示したよ
うに、圧電材料基板と蓋部材および底部材を直接接合す
ることによって同様な効果が得られる。
【００９６】なお、本発明の第１１から第１５の各実施
例において電極の外部への引き出し法としてスルーホー
ルもしくはボンディングパッドを用いる方法を示した
が、本発明において電極の外部引き出し法はこの方法に
限定されることはない。また、必要に応じて接地する電
極を構成する場合においても、外部への接地端子の引き
出し法も同様である。
【００９７】なお、本発明の第１２、第１３および第１
５の各実施例において、蓋部材および底部材の材料を同
一のものにすることにより、互いの熱膨張係数を一致さ
せることができるのでより信頼性の高い弾性表面波フィ
ルタとすることができる。
【００９８】なお、本発明の第１１、第１２、第１３お
よび第１５の各実施例において、圧電板として水晶を用
いた場合は、Ｑ値の高い弾性表面波フィルタとすること
ができる。さらに蓋部材および底部材も水晶と同一にす
ることによって、それぞれの熱膨張係数を一致させるこ
とができるのでより信頼性の高い弾性表面波フィルタと
することができる。
【００９９】なお、本発明の第１１、第１２、第１３お
よび第１５の各実施例において、蓋部材および底部材に
本発明の第１４の実施例で用いた蓋部材のように、イオ
ン結合性材料が被覆されたものを用いることも可能であ
り、このときには各実施例における蓋部材および底部材
それぞれの材料について、加工性やコスト性を考慮して
さらに低コストで高性能な弾性表面波フィルタとするこ
とができる。
【０１００】なお、本発明の第１１から第１５の各実施
例において、蓋部材および底部材の材料についての限定
はいっさい無く、直接接合が可能な材料であれば同様な
効果が得られ、たとえばLiF,NaF,KFなどのフッ化物や、
LiCl,KCl,NaCl,CdCl2などの塩化物、Al2O3,MgO,SiO2,Ti
O2などの酸化物、MgAl2O4などのイオン結合材料同士の
中間化合物や固溶体もしくはガラスなどの非晶質材料な
ど、他のイオン結合性の材料でもかまわない。さらに、
材料が単結晶でも多結晶のイオン結合性材料でもかまわ
ない。また、ガラスなどの非晶質材料や多結晶材料を用
いた場合には、一般的にその熱膨張係数が異方性を示さ
ず等方的な熱膨張係数となるので、本体部材と蓋部材の
結晶軸方向を合わせて熱的なストレスを回避する必要が
なくなるばかりでなく、用いるイオン結合性材料の組成
を変化させることにより、封止する圧電板と蓋部材およ
び底部材との熱膨張係数を一致させることが可能とな
り、熱的にさらに信頼性の高いパッケージとすることが
できる。
【０１０１】なお、本発明の第１１から第１５までの各
実施例においてイオン結合性として、イオン結合と共有
結合結晶との両極端の間には、結合の形態に連続的な領
域が存在する（例えば、キッテル 固体物理学入門 第５版
宇野良清、森田章、津屋昇、山下次郎 共訳 丸善株
式会社）が、若干の共有結合性を含んでいても直接接合
が可能であるイオン結合性を持つ材料であればかまわな
い。
【０１０２】なお、本発明の第１１から第１５の各実施
例において、各図中ではＩＤＴ電極のみ示したが、接地
電極や反射電極を設ける場合においても、それら全ての
圧電板上の電極パターンにはなんら限定はない。
【０１０３】以下、本発明の第１６の実施例における封
止パッケージについて、図面を参照しながら説明する。
【０１０４】図２４は本発明の第１６の実施例における
封止パッケージの構造を示すものである。
【０１０５】図２４において、２８０１は蓋部材、２８
０２は本体部材であり、ともにイオン結合性材料ででき
ている。また、本体部材２８０２のほぼ中央部はくり貫
かれて凹部２８０２ｂが形成され、さらに、その周りは
平坦に鏡面研摩されて直接接合面２８０２ａとなってい
る。一方、蓋部材２８０１は凹部２８０２ｂを封止する
に必要な大きさを有し、直接接合面２８０２ａと同様に
平坦に鏡面研摩された直接接合面２８０１ａを有してい
る。また、本体部材２８０２に形成したような凹部２８
０２ｂを設ける方法として、たとえば、Ar+などの不活
性ガスのイオンを衝突させスパッタするイオンミリング
法、高圧のガスを用いて砥粒を吹き付けることにより研
摩を行うサンドブラスト法および化学反応を用いたエッ
チング法などを用いることができる。
【０１０６】本発明の実施例における直接接合は、本発
明の第１の実施例において図３を用いて説明されてい
る。
【０１０７】以下、本発明の第１７の実施例における封
止パッケージについて、図面を参照しながら説明する。
【０１０８】図２５は本発明の第１７の実施例における
封止パッケージの構造を示すものである。
【０１０９】図２５において、２９０１は蓋部材、２９
０２は本体部材、２９０３は底部材であり、それぞれイ
オン結合性の材料でできている。また、本体部材２９０
２の中央部はくり貫かれて穴２９０２ｂが形成され、さ
らに、その周りは平坦に鏡面研摩されて直接接合面２９
０２ａが形成されている。一方、蓋部材２９０１および
底部材２９０３は、それぞれ穴２９０２ｂを両面から封
止するに必要な大きさを有し、直接接合面２９０２ａと
同様に平坦に鏡面研摩されて直接接合面２９０１ａおよ
び２９０３ａを有している。ここで、本発明の第１７の
実施例における封止方法については、本発明の第１６の
実施例において説明した封止方法と同様であり、蓋部材
２９０１、本体部材２９０２および底部材２９０３のそ
れぞれの直接接合面２９０１ａ、２９０２ａおよび２９
０３ａにおいて互いに直接接合することによって封止を
行う。
【０１１０】以下、本発明の第１８の実施例における封
止パッケージについて、図面を参照しながら説明する。
【０１１１】図２６は本発明の第１８の実施例における
封止パッケージの構造を示すものである。図２６におい
て、３００１は蓋部材、３００２は本体部材であり、と
もにイオン結合性材料でできている。また、本体部材３
００２のほぼ中央部はくり貫かれて凹部３００２ｂが形
成され、さらに、その周りは平坦に鏡面研摩されて直接
接合面３００２ａとなっている。一方、蓋部材３００１
は凹部３００２ｂを封止するに必要な大きさを有し、直
接接合面３００２ａと同様に平坦に鏡面研摩された直接
接合面３００１ａを有している。さらに、蓋部材３００
１には、導電性材料を充填したスルーホール３００３お
よびスルーホール３００３から延びるバンプ３００４を
具備しており、被封止物（ＩＣや水晶振動子など）と外
部との電気的なコンタクトがとれるようになっている。
【０１１２】ここで、本発明の第１８の実施例における
封止パッケージは被封止物との電気的なコンタクトをと
る方法として、本発明の第１６の実施例における封止パ
ッケージと同様な構成にスルーホール３００３とバンプ
３００４を具備させたものであるので、本発明の第１８
の実施例における封止方法については、本発明の第１６
の実施例において説明した封止方法と同様であり、蓋部
材３００１および本体部材３００２をそれぞれの直接接
合面３００１ａおよび３００２ａにおいて互いに直接接
合することによって封止を行う。
【０１１３】なお、本発明の第１６、第１７および第１
８の実施例において、蓋部材、本体部材、底部材、凹部
および穴の形状は、本発明の実施例で示したものに限定
されるのではなく、たとえば凹部または穴の形状が丸型
や三角型など任意のものであっても、本発明の第１６、
第１７および第１８の実施例で示したように、本体部材
蓋部材および底部材がイオン結合性の材料で構成され、
イオン結合性の材料間に働く結合力を用いて直接接合す
ることにより前記凹部または貫通孔部を封止する構造で
あれば良い。
【０１１４】なお、本発明の第１６および第１７の実施
例において、蓋部材、本体部材および底部材に、本発明
の第１８の実施例で示したようにスルーホールとそれか
ら延びるバンプを形成して、被封止物と外部との電気的
なコンタクトがとれるようにすることもできる。
【０１１５】なお、本発明の第１６、第１７および第１
８の実施例において、各部材の構成材料はイオン結合性
の材料であれば本質的に直接接合が可能であるので、い
かなる材料でもかまわない。たとえば、Al2O3,MgO,SiO2
などの酸化物や、LiF,NaF,KFなどのフッ化物、LiCl,KC
l,NaCl,CdCl2などの塩化物、TiO2などの金属酸化物、Mg
Al2O4などのイオン結合材料同士の中間化合物や固溶体
もしくはガラスなどの非晶質材料など、他のイオン結合
性の材料でもかまわない。さらに、材料が単結晶でも多
結晶のイオン結合性材料でもかまわない。
【０１１６】なお、本発明の第１６、第１７および第１
８の実施例においてイオン結合性として、イオン結合と
共有結合結晶との両極端の間には、結合の形態に連続的
な領域が存在する（例えば、キッテル 固体物理学入門 第
５版 宇野良清、森田章、津屋昇、山下次郎 共訳 丸
善株式会社）が、若干の共有結合性を含んでいても直接
接合が可能であるイオン結合性を持つ材料であればかま
わない。
【０１１７】以下、本発明の第１９の実施例における封
止パッケージについて、図面を参照しながら説明する。
【０１１８】図２７は本発明の第１９の実施例における
封止パッケージの構造を示すものである。図２７におい
て、蓋部材３１０１および本体部材３１０２は、金属や
セラミックスなどでできている。本体部材３１０２のほ
ぼ中央部はくり貫かれていて凹部３１０２ｂが形成さ
れ、さらに、その周りは平坦に鏡面研摩され且つイオン
結合性の材料で覆われて 直接接合面３１０２ａとなっ
ている。一方、蓋部材３１０１は凹部３１０２ｂを封止
するに必要な大きさを有し、直接接合面３１０２ａと同
様に平坦に鏡面研摩され且つイオン結合性の材料で覆わ
れた直接接合面３１０１ａを有している。
【０１１９】本発明の実施例における直接接合は、本発
明の第１の実施例において図３を用いて説明されてい
る。
【０１２０】ここで、これらイオン結合性の材料で覆う
方法として、たとえば、イオン結合結晶材の原料となる
物質を気相状態で分解して蓋部材３１０１および本体部
材３１０２の表面にイオン結合性結晶を析出させる化学
気相析出（Chemical Vapor Deposition;ＣＶＤ）法や、
真空中にてイオン結合結晶材の原料となるターゲットに
高速荷電粒子を衝突させて気化させることにより蓋部材
３１０１および本体部材３１０２の表面にイオン結合結
晶材料膜を形成するスパッタ法、もしくは蓋部材３１０
１および本体部材３１０２に用いた材料の酸化物がイオ
ン結合性の材料であるときには母材の表面を酸化させて
酸化膜を形成する方法などを用いることができる。ま
た、ＣＶＤ法やスパッタ法では、形成するイオン結合材
料と母材の間に互いの接合性を良好にするバッファ層を
形成することにより安定にイオン結合性の材料を表面に
構成することができる。
【０１２１】以下、本発明の第２０の実施例における封
止パッケージについて、図面を参照しながら説明する。
【０１２２】図２８は本発明の第２０の実施例をおける
封止パッケージの構造を示すものである。図２８におい
て、蓋部材３２０１、本体部材３２０２及び、底部材３
２０３は、それぞれ金属やセラミックスなどでできてい
る。また、本体部材３２０２の概中央部はくり貫かれて
穴３２０２ｂが形成され、さらに、その周りの上下面
は、平坦に鏡面研摩され且つイオン結合性の材料で覆わ
れて直接接合面３２０２ａが形成されている。一方、蓋
部材３２０１および底部材３２０３は穴３２０２ｂを両
面から封止するに必要な大きさを有し、直接接合面３２
０２ａと同様に平坦に鏡面研摩され且つイオン結合性の
材料で覆われた直接接合面３２０１ａおよび３２０３ａ
を有している。なお、本発明の第２０実施例におけるイ
オン結合性の材料の構成方法は、本発明の第１９の実施
例で示した構成方法例と同様であり、たとえばＣＶＤ
法、スパッタ法および酸化法を用いることができる。ま
た、本発明の第２０の実施例における封止方法について
は、本発明の第１９の実施例において説明した封止方法
と同様であり、蓋部材３２０１、本体部材３２０２およ
び底部材３２０３をそれぞれの直接接合面３２０１ａ、
３２０２ａおよび３２０３ａにおいて互いに直接接合す
ることによって封止を行う。
【０１２３】以下、本発明の第２１の実施例における封
止パッケージについて、図面を参照しながら説明する。
【０１２４】図２９は本発明の第２１の実施例における
封止パッケージの構造を示すものである。図２９におい
て、蓋部材３３０１および本体部材３３０２は、それぞ
れ金属やセラミックスなどでできている。また、本体部
材３３０２の概中央部はくり貫かれて凹部３３０２ｂが
形成され、さらに、その周りの上下面は、平坦に鏡面研
摩され且つイオン結合性の材料で覆われて直接接合面３
３０２ａが形成されている。一方、蓋部材３３０１は穴
３３０２ｂを封止するに必要な大きさを有し、直接接合
面３３０２ａと同様に平坦に鏡面研摩され且つイオン結
合性の材料で覆われた直接接合面３３０１ａを有してい
る。なお、本発明の第２１実施例におけるイオン結合性
の材料の構成方法は、本発明の第１９の実施例で示した
構成方法例と同様であり、たとえばＣＶＤ法、スパッタ
法および酸化法を用いることができる。さらに、蓋部材
３３０１には、導電性材料を充填したスルーホール３３
０３およびスルーホール３３０３から延びるバンプ３３
０４を具備しており、被封止物（ＩＣや水晶振動子な
ど）と外部との電気的なコンタクトがとれるようになっ
ている。
【０１２５】ここで、本発明の第２１の実施例における
封止パッケージは被封止物との電気的なコンタクトをと
る方法として、本発明の第１９の実施例における封止パ
ッケージと同様な構成にスルーホール３３０３とバンプ
３３０４を具備させたものであるので、本発明の第２１
の実施例における封止方法については、本発明の第１９
の実施例において説明した封止方法と同様であり、蓋部
材３３０１および本体部材３３０２それぞれの直接接合
面３３０１ａおよび３３０２ａにおいて互いに直接接合
することによって封止を行う。
【０１２６】なお、本発明の第１９、２０および２１の
実施例において、蓋部材、本体部材、底部材、凹部およ
び穴の形状は、本発明の実施例で示したものに限定され
るのではなく、たとえば凹部または穴の形状が丸型や三
角型など任意のものであっても、本発明の第１９、２０
および２１の実施例で示したように直接接合面がイオン
結合性の材料で覆われ、且つイオン結合性材料間に働く
結合力を用いて直接接合することにより前記凹部または
貫通孔部を封止する構造であれば良い。
【０１２７】なお、本発明の第１９、２０および２１の
実施例において各部材の直接接合面を覆う材料として示
した材料はイオン結合性の材料であれば本質的に直接接
合が可能であるので、いかなる材料でもかまわない。た
とえば、Al2O3,MgO,SiO2などの酸化物や、LiF,NaF,KFな
どのフッ化物、LiCl,KCl,NaCl,CdCl2などの塩化物、TiO
2などの金属酸化物、MgAl2O4などのイオン結合材料同士
の中間化合物や固溶体など、他のイオン結合性の材料で
もかまわない。
【０１２８】なお、本発明の第１９、２０および２１の
実施例においてイオン結合性として、イオン結合と共有
結合結晶との両極端の間には、結合の形態に連続的な領
域が存在する（例えば、キッテル 固体物理学入門 第５版
宇野良清、森田章、津屋昇、山下次郎 共訳 丸善株
式会社）が、若干の共有結合性を含んでいても直接接合
が可能である材料であればかまわない。
【０１２９】なお、本発明の第１９、２０および２１の
実施例において、イオン結合性の材料で覆う領域は各部
材の直接接合面としたが、製作上の理由などから直接接
合に関与しない側面部などをもイオン結合性の材料で覆
ってもかまわない。
【０１３０】以上述べたところから明らかなように、両
面に電極を構成した所望の振動子特性を有する圧電板
と、パッケージを構成する２枚の圧電板を直接接合する
ことにより、接着剤などを用いないために経時変化がな
く、熱膨張係数が同じ圧電板同士を接合するため温度安
定度の優れ、さらに、小型で且つ構成が簡単な圧電振動
子を実現することができる。
【０１３１】また、圧電板の挟持される領域の厚みより
電極を形成する領域の厚みを薄くすることにより、圧電
板に発生する弾性的な振動エネルギーを閉じ込めること
ができるので、よりＱ値の高い圧電振動子とすることが
できる。
【０１３２】また、スルーホールおよびバンプを構成す
ることによって、パッケージ内を完全なシールド構造に
したまま、容易に電極をパッケージ外部に引き出すこと
ができる。さらに、振動子特性を有する圧電板にスルー
ホールを設けることによって、最終的に外部の入出力端
子をパッケージの片側一面に集めることができるので回
路基板上への実装がより容易な圧電振動子とすることが
できる。また、ガラスなどの非晶質材料や多結晶材料を
用いた場合には、一般的にその熱膨張係数が異方性を示
さず等方的な熱膨張係数となるので、本体部材とパッケ
ージ部材の結晶軸方向を合わせ熱的ストレスを回避する
必要がなくなる。特に、パッケージを構成する蓋部材と
底部材および本体部材をすべて水晶にすると、熱膨張係
数が同じになり、温度安定度に優れた、Ｑ値が極めて高
い水晶振動子を実現することができる。
【０１３３】また、以上述べてきたように、両面に電極
を構成した所望のフィルタ特性を有する圧電板とパッケ
ージを構成する２枚の圧電板とを接着剤などなしに直接
接合することにより経時変化がなく、また、熱膨張係数
が同じ圧電板同士を接合するため温度安定度が優れ、さ
らに、小型で且つ構成が簡単な圧電フィルタを実現する
ことができる。また、圧電板の挟持される領域の厚みよ
り電極を形成する領域の厚みを薄くすることにより、圧
電板に発生する弾性的な振動エネルギーを閉じ込めるこ
とができるので、よりＱ値の高い圧電フィルタとするこ
とができる。また、スルーホールおよびバンプを構成す
ることによって、パッケージ内を完全なシールド構造に
したまま、容易に電極をパッケージ外部に引き出すこと
ができる。さらに、両面に電極を構成した所望のフィル
タ特性を有する圧電板にスルーホールを設けることによ
って、最終的に外部の入出力端子をパッケージの片側一
面に集めることができるので回路基板上への実装がより
容易な圧電フィルタとすることができる。また、ガラス
などの非晶質材料や多結晶材料を用いた場合には、一般
的にその熱膨張係数が異方性を示さず等方的な熱膨張係
数となるので、本体部材とパッケージ部材の結晶軸方向
を合わせ熱的ストレスを回避する必要がなくなる。特
に、パッケージを構成する蓋部材と底部材および本体部
材をすべて水晶にすると、熱膨張係数が同じになり、温
度安定度に優れた、Ｑ値が極めて高い水晶フィルタを実
現することができる。
【０１３４】また、以上述べてきたように、圧電材料基
板とイオン結合性パッケージ部材が直接接合しており、
従来必要であった接着剤を全く用いる必要がないので、
接着剤のはみ出し代をとる必要性がなくなり、さらに製
造後において気密封止されたフィルタ内部でのガスの発
生がなくなり、その結果、小型で高性能で且つ経時変化
の無い弾性表面波フィルタを実現することができる。ま
た、圧電材料基板の電極を構成してある裏側に底部材を
装着することによって、実際に回路基板に本発明の弾性
表面波フィルタを実装した場合に、回路基板と圧電材料
基板との熱膨張係数が異なっていても、それに起因する
熱応力を吸収することができるのでフィルタ特性の変化
を抑える効果が得られる。また、圧電材料基板とパッケ
ージ部材の間にイオン結合性材料被覆部を介して直接接
合した場合、圧電材料基板およびパッケージ部材それぞ
れの材料について、フィルタ特性（弾性定数や電気機械
結合係数など）や加工性およびコスト性を考慮してより
最適化を図ることができる。また、圧電板として水晶を
用いた場合は、Ｑ値の高い水晶弾性表面波フィルタとす
ることができる。
【０１３５】また、以上述べてきたように、パッケージ
部材としてイオン結合性材料を使用し、そのイオン結合
性材料間で直接接合を生じさせることにより、従来の接
着剤や低融点ガラス等を必要としない封止パッケージを
実現することができる。このような構成の封止方法によ
れば、従来必要であった接着剤や低融点ガラスのはみ出
し代が不要となり、小型化に貢献できる。また、ガラス
などの非晶質材料や多結晶材料を用いた場合には、一般
的にその熱膨張係数が異方性を示さず等方的な熱膨張係
数となるので、本体部材と蓋部材の結晶軸方向を合わせ
て熱的なストレスを回避する必要がなくなるばかりでな
く、用いるイオン結合性材料の組成を変化させることに
より、封止するＩＣ基板などと本発明の封止パッケージ
との熱膨張係数を一致させることが可能となり、熱的に
さらに信頼性の高いパッケージとすることができる。
【０１３６】さらに、以上述べてきたように、パッケー
ジ部材として金属またはセラミックスの表面をイオン結
合性の材料で覆った部材を使用し、その部材表面のイオ
ン結合性材料間で直接接合を生じさせることにより、従
来の接着剤や低融点ガラス等を必要としない封止パッケ
ージを実現することができる。このような構成の封止方
法によれば、従来必要であった接着剤や低融点ガラスの
はみ出し代が不要となり、小型化に貢献できる。また、
一般的にイオン結合性の材料は加工性が悪く、例えば本
体部に形成したような凹部を設けることは困難である
が、本発明では、イオン結合性の材料で直接接合する領
域を覆うという構造であるため、母材としては加工性の
良いものや低価格のものにすることができるので、複雑
な形状で低価格なパッケージでも容易に実現できる。
【０１３７】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明は、経時変化がなく、気密性の優れた、小型、高
性能、低コストの気密封止された、圧電デバイスおよび
気密封止パッケージを提供出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１から第３の実施例における圧電振
動子の斜視図
【図２】（ａ）第１の実施例における圧電振動子の平面
ａａ’での断面図 （ｂ）第１の実施例における圧電振動子の平面ｂｂ’で
の断面図 （ｃ）第１の実施例における圧電板の平面図
【図３】本発明のすべての実施例における清浄なイオン
結合性材料の表面状態の模式図
【図４】（ａ）第２の実施例における圧電振動子の平面
ａａ’での断面図 （ｂ）第２の実施例における圧電振動子の平面ｂｂ’で
の断面図 （ｃ）第２の実施例における圧電板の平面図
【図５】（ａ）第３の実施例における圧電振動子の平面
ａａ’での断面図 （ｂ）第３の実施例における圧電振動子の平面ｂｂ’で
の断面図 （ｃ）第３の実施例における圧電板の平面図
【図６】本発明の第４の実施例における圧電振動子の斜
視図
【図７】（ａ）第４の実施例における圧電板の平面図 （ｂ）第４の実施例における圧電振動子の平面ａａ’で
の断面図 （ｃ）第４の実施例における圧電振動子の平面ｂｂ’で
の断面図
【図８】本発明の第５の実施例における圧電振動子の斜
視図
【図９】（ａ）第５の実施例における圧電振動子の平面
ａａ’での断面図 （ｂ）第５の実施例における圧電振動子の平面ｂｂ’で
の断面図 （ｃ）第５の実施例における圧電板の平面図
【図１０】本発明の第６から第８の実施例における圧電
フィルタの斜視図
【図１１】（ａ）第６の実施例における圧電フィルタの
平面ａａ’での断面図 （ｂ）第６の実施例における圧電フィルタの平面ｂｂ’
での断面図 （ｃ）第６の実施例における圧電板の平面図
【図１２】（ａ）第７の実施例における圧電フィルタの
平面ａａ’での断面図 （ｂ）第７の実施例における圧電フィルタの平面ｂｂ’
での断面図 （ｃ）第７の実施例における圧電板の平面図
【図１３】（ａ）第８の実施例における圧電フィルタの
平面ａａ’での断面図 （ｂ）第８の実施例における圧電フィルタの平面ｂｂ’
での断面図 （ｃ）第８の実施例における圧電板の平面図
【図１４】本発明の第９の実施例における圧電フィルタ
の斜視図
【図１５】（ａ）第９の実施例における圧電板の平面図 （ｂ）第９の実施例における圧電フィルタの平面ａａ’
での断面図 （ｃ）第９の実施例における圧電フィルタの平面ｂｂ’
での断面図
【図１６】本発明の第１０の実施例における圧電フィル
タの斜視図
【図１７】（ａ）第１０の実施例における圧電フィルタ
の平面ａａ’での断面図 （ｂ）第１０の実施例における圧電フィルタの平面ｂ
ｂ’での断面図 （ｃ）第１０の実施例における圧電板の平面図
【図１８】本発明の第６から第１０の実施例に関連し
て、別の電極の構成の一例を示す図
【図１９】本発明の第１１の実施例における弾性表面波
フィルタの構成図
【図２０】本発明の第１２の実施例における弾性表面波
フィルタの構成図
【図２１】本発明の第１３の実施例における弾性表面波
フィルタの構成図
【図２２】本発明の第１４の実施例における弾性表面波
フィルタの構成図
【図２３】本発明の第１５の実施例における弾性表面波
フィルタの構成図
【図２４】本発明の第１６の実施例における封止パッケ
ージの構成図
【図２５】本発明の第１７の実施例における封止パッケ
ージの構成図
【図２６】本発明の第１８の実施例における封止パッケ
ージの構成図
【図２７】本発明の第１９の実施例における封止パッケ
ージの構成図
【図２８】本発明の第２０の実施例における封止パッケ
ージの構成図
【図２９】本発明の第２１の実施例における封止パッケ
ージの構成図
【図３０】従来の水晶振動子の一例の構造図
【図３１】従来の水晶フィルタの一例のおもて側の構造
図
【図３２】従来の水晶フィルタの一例の図３１のうら側
の構造図
【図３３】従来の弾性表面波フィルタの一例の構成図
【図３４】従来の封止パッケージの構成の一例を示した
斜視図
【符号の説明】
101,1201,2201....圧電板 102,1202....蓋部圧電板 103,1203....底部圧電板 104,105,1204,1205....直接接合部 801,802,805,1801,1802,1803,1804,1809,1810,2304,250
5,2604,3003,3303....スルーホール 106,107,1206,1207,1208,1209,2202,2203,2204,2205,22
06,2207,2303,2404,2504,2603,2704,3402,3502,3503,35
04,3505,3604....電極 803,804,1805,1806,1807,1808,3004,3304....バンプ 2301,2401,2501,2601,2701,3601....圧電材料基板 2302,2402,2502,2602,2702,2801,2901,3001,3101,3201,
3301,3602...蓋部材 2302',2402',2502',2602',2703',2802b,3002b,3102b,33
02b,3702b...凹部 2403,2503,2703,2903,3203,3603....底部材 2405,2705,3605....ボンディングパッド 2605....イオン結合性材料被覆部 2802,2902,3002,3102,3202,3302....本体部材 2801a,2802a,2901a,2902a,2903a,3001a,3002a,3101a,31
02a,3201a,3202a,3203a,3301a,3302a....直接接合面 2902b,3202b....穴 3401,3501....水晶片 3403,3404,3506,3507,3508,3509....導電性接着剤 3405,3406,3510,3511....支持部材 3407,3408,3512,3513,3514,3515....リード部材 3409,3516....支持台 3410....キャップ 3517....カバー部材 3606,3702a....ガラス 3701....セラミックス蓋部材 3702....セラミックス本体部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｈ 9/17 Ｇ 7719−5Ｊ 9/25 Ａ 7259−5Ｊ 9/56 Ａ 7719−5Ｊ Ｈ０５Ｋ 5/06 Ａ 7362−4Ｅ (31)優先権主張番号 特願平5−89611 (32)優先日 平５(1993)４月16日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 橋本 興二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山田 徹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 上野 伴希 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】概中央部の両面に電極を形成した圧電板
    を、前記電極全面を覆う凹部を設けたイオン結合性材料
    の板で、上下から挟み込んで直接接合し、前記電極を封
    止したことを特徴とする圧電振動子。
  2. 【請求項２】前記圧電板および前記イオン結合性材料の
    板のいずれか、もしくは、すべてが水晶であることを特
    徴とする請求項１記載の圧電振動子。
  3. 【請求項３】片面に凹部が形成され、前記凹部の薄くな
    っている領域の両面に電極を形成した圧電板を、平坦な
    イオン結合性材料の板と、前記電極全面を覆う凹部を設
    けたイオン結合性材料の板とを用いて、前記圧電板の前
    記凹部と前記平坦なイオン結合性材料の板とが、および
    前記圧電板の前記凹部が形成されている面に対向する面
    と前記凹部を設けたイオン結合性材料の板とがそれぞれ
    向かい合うように、上下から挟み込んで、直接接合し、
    前記電極を封止したことを特徴とする圧電振動子。
  4. 【請求項４】前記圧電板、前記イオン結合性材料の板の
    いずれか、もしくは、すべてが水晶であることを特徴と
    する請求項３記載の圧電振動子。
  5. 【請求項５】両面に凹部が形成され、前記凹部の薄くな
    っている領域の両面に電極を形成した圧電板を、平坦
    な、もしくは凹部を設けたイオン結合性材料の板で、上
    下から挟み込んで直接接合し、前記電極を封止したこと
    を特徴とする圧電振動子。
  6. 【請求項６】前記圧電板および前記イオン結合性材料の
    板のいずれか、もしくは、すべてが水晶板であることを
    特徴とする請求項５記載の圧電振動子。
  7. 【請求項７】加速された荷電粒子を用いるイオンミリン
    グ法もしくは砥粒を衝突させるサンドブラスト法もしく
    はフッ酸を用いた化学研摩法のいずれかの方法で前記凹
    部を形成したことを特徴とする請求項１から請求項６の
    いずれかに記載の圧電振動子。
  8. 【請求項８】電極を形成した前記圧電板の第１の面に形
    成された前記電極を、スルーホールを介して反対側の第
    ２の面に引き出したことを特徴とする請求項１から請求
    項７のいずれかに記載の圧電振動子。
  9. 【請求項９】前記イオン結合性材料の板または前記圧電
    板にスルーホールを設け、前記スルーホールの外面端に
    は外面接続端子を設け、内面端には導電性バンプを設け
    るとともに、前記導電性バンプを電極に接続された電極
    部に押し当てて、前記電極を外部へ引き出したことを特
    徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の圧電
    振動子。
  10. 【請求項１０】概中央部の両面に電極を形成した圧電板
    を、前記電極全面を覆う凹部を設けたイオン結合性材料
    の板で、上下から挟み込んで直接接合し、前記電極を封
    止したことを特徴とする圧電フィルタ。
  11. 【請求項１１】前記圧電板および前記イオン結合性材料
    の板のいずれか、もしくは、すべてが水晶であることを
    特徴とする請求項１０記載の圧電フィルタ。
  12. 【請求項１２】片面に凹部が形成され、前記凹部の薄く
    なっている領域の両面に電極を形成した圧電板を、平坦
    なイオン結合性材料の板と、前記電極全面を覆う凹部を
    設けたイオン結合性材料の板とを用いて、前記圧電板の
    前記凹部と前記平坦なイオン結合性材料の板とが、およ
    び前記圧電板の前記凹部が形成されている面に対向する
    面と前記凹部を設けたイオン結合性材料の板とがそれぞ
    れ向かい合うように、上下から挟み込んで、直接接合
    し、前記電極を封止したことを特徴とする圧電フィル
    タ。
  13. 【請求項１３】前記圧電板および前記イオン結合性材料
    の板のいずれか、もしくは、すべてが水晶であることを
    特徴とする請求項１２記載の圧電フィルタ。
  14. 【請求項１４】両面に凹部が形成され、前記凹部の薄く
    なっている領域の両面に電極を形成した圧電板を、平坦
    な、もしくは凹部を設けたイオン結合性材料の板で、上
    下から挟み込んで直接接合し、前記電極を封止したこと
    を特徴とする圧電フィルタ。
  15. 【請求項１５】前記圧電板および前記イオン結合性材料
    の板のいずれか、もしくは、すべてが水晶であることを
    特徴とする請求項１４記載の圧電フィルタ。
  16. 【請求項１６】加速された荷電粒子を用いるイオンミリ
    ング法もしくは砥粒を衝突させるサンドブラスト法もし
    くはフッ酸を用いた化学研摩法のいずれかの方法で前記
    凹部を形成したことを特徴とする請求項１０から請求項
    １５のいずれかに記載の圧電フィルタ。
  17. 【請求項１７】電極を形成した前記圧電板の第１の面に
    形成された前記電極を、スルーホールを介して反対側の
    第２の面に引き出したことを特徴とする請求項１０から
    請求項１６のいずれかに記載の圧電フィルタ。
  18. 【請求項１８】前記イオン結合性材料の板または前記圧
    電板にスルーホールを設け、前記スルーホールの外面端
    には外面接続端子を設け、内面端には導電性バンプを設
    けるとともに、前記導電性バンプを電極に接続された電
    極部に押し当てて、前記電極を外部へ引き出したことを
    特徴とする請求項１０から請求項１７のいずれかに記載
    の圧電フィルタ。
  19. 【請求項１９】弾性表面波フィルタの電極を形成した圧
    電基板と、前記電極全面を覆う凹部を設けたイオン結合
    性材料でできた蓋部材とを直接接合して、前記電極を封
    止したことを特徴とする弾性表面波フィルタ。
  20. 【請求項２０】弾性表面波フィルタの電極を形成した圧
    電基板と、前記電極全面を覆う凹部を有し且つ前記圧電
    基板との接触面にイオン結合性材料をコーティングした
    蓋部材とを直接接合して前記電極を封止したことを特徴
    とする弾性表面波フィルタ。
  21. 【請求項２１】前記圧電基板として、水晶もしくはニオ
    ブ酸リチウム（LiNbO3）もしくはタンタル酸リチウム
    （LiTaO3）のいずれかを用いたことを特徴とする請求項
    １９もしくは請求項２０に記載の弾性表面波フィルタ。
  22. 【請求項２２】前記蓋部材と、前記圧電基板に同じ材料
    を用いたことを特徴とする請求項１９に記載の弾性表面
    波フィルタ。
  23. 【請求項２３】前記圧電基板上の電極が構成してある面
    の裏側に応力緩衝板を張りつけたことを特徴とする請求
    項１９もしくは請求項２０に記載の弾性表面波フィル
    タ。
  24. 【請求項２４】前記圧電基板に、導電性材料を充填した
    スルーホールを形成し、封止された電極が電気的に外部
    と接続したことを特徴とする請求項１９もしくは請求項
    ２０に記載の弾性表面波フィルタ。
  25. 【請求項２５】凹部もしくは貫通孔部をもつイオン結合
    性の材料できた本体部材の開口周辺面と、イオン結合性
    の材料でできた少なくとも一つの蓋部材の平坦封止面
    を、直接接合することにより、前記本体部材の凹部もし
    くは貫通孔部を封止したことを特徴とする封止パッケー
    ジ。
  26. 【請求項２６】前記本体部材または前記蓋部材に、導電
    性材料を充填したスルーホールと前記スルーホールから
    延びた金属性バンプとを具備させたことを特徴とする請
    求項２５に記載の封止パッケージ。
  27. 【請求項２７】凹部もしくは貫通孔部が形成され、その
    凹部もしくは貫通孔部の平坦な周辺面が所定のイオン結
    合性材料で覆われた本体部材と、平坦な封止面が所定の
    イオン結合性材料で覆われた蓋部材とが、直接接合さ
    れ、前記凹部もしくは貫通孔部が封止されることを特徴
    とする封止パッケージ。
  28. 【請求項２８】前記本体部材、あるいは前記蓋部材が、
    金属もしくはセラミックス材料で構成されていることを
    特徴とする請求項２７記載の封止パッケージ。
  29. 【請求項２９】前記本体部材または前記蓋部材に、導電
    性材料を充填したスルーホールと前記スルーホールから
    延びた金属性バンプとを具備させたことを特徴とする請
    求項２７または請求項２８の封止パッケージ。
  30. 【請求項３０】前記本体部材および前記蓋部材に、非晶
    質のイオン結合性材料もしくは多結晶のイオン結合性材
    料のいずれかを用いたことを特徴とする請求項２５から
    請求項２９のいずれかに記載の封止パッケージ。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005235403A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Hitachi Displays Ltd 有機・ｅｌ表示装置
JP2006246112A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
JP2010088064A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Kyocera Kinseki Corp 圧電振動子及び圧電発振器
JP2011229123A (ja) * 2010-03-30 2011-11-10 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法
WO2015072422A1 (ja) * 2013-11-13 2015-05-21 田中貴金属工業株式会社 貫通電極及び該貫通電極を用いた多層基板の製造方法
JPWO2016136283A1 (ja) * 2015-02-26 2017-12-07 株式会社大真空 圧電振動デバイス
JP2021532611A (ja) * 2019-07-09 2021-11-25 チェンドゥ タイムメーカー クリスタル テクノロジー カンパニー リミテッドChengdu Timemaker Crystal Technology Co., Ltd. 縁に台状構造を有するポリッシュ水晶結晶周波数片

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06350376A (ja) * 1993-01-25 1994-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気密封止された圧電デバイスおよび気密封止パッケージ
DE69426789T2 (de) * 1993-04-28 2001-08-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Akustische Oberflächenwellenanordnung und Herstellungsverfahren dafür
JPH07221589A (ja) * 1994-01-31 1995-08-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品とその製造方法
US6043588A (en) * 1995-07-18 2000-03-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric sensor and acceleration sensor
EP0847093A1 (en) * 1995-08-25 1998-06-10 Mitsui Chemicals, Inc. Piezoelectric oscillator component, structure for supporting piezoelectric oscillator and method of mounting piezoelectric oscillator
EP1517344B1 (en) * 1996-08-27 2007-06-06 Omron Corporation Matrix-relay
JPH1130628A (ja) * 1997-07-11 1999-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 加速度センサー用バイモルフ型圧電素子とその製造方法
US6550116B2 (en) 1997-07-11 2003-04-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing a bimorph piezoelectric device for acceleration sensor
JP3303777B2 (ja) * 1998-06-02 2002-07-22 株式会社村田製作所 圧電共振子
US6236141B1 (en) * 1998-12-14 2001-05-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave element
JP3339450B2 (ja) * 1999-03-02 2002-10-28 株式会社村田製作所 表面波装置の製造方法
JP4211886B2 (ja) * 2001-02-28 2009-01-21 日本電波工業株式会社 水晶振動子
AU2003272195A1 (en) * 2002-04-30 2004-01-06 Hrl Laboratories, Llc Quartz-based nanoresonators and method of fabricating same
JP2004304622A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びその製造方法
US8766745B1 (en) 2007-07-25 2014-07-01 Hrl Laboratories, Llc Quartz-based disk resonator gyro with ultra-thin conductive outer electrodes and method of making same
US7994877B1 (en) 2008-11-10 2011-08-09 Hrl Laboratories, Llc MEMS-based quartz hybrid filters and a method of making the same
US7110195B2 (en) * 2004-04-28 2006-09-19 International Business Machines Corporation Monolithic hard pellicle
US7154212B1 (en) * 2005-01-05 2006-12-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Acceleration insensitive piezo-microresonator
US7568377B2 (en) * 2005-07-28 2009-08-04 University Of South Florida High frequency thickness shear mode acoustic wave sensor for gas and organic vapor detection
US7185695B1 (en) * 2005-09-01 2007-03-06 United Technologies Corporation Investment casting pattern manufacture
US7302864B2 (en) * 2005-09-23 2007-12-04 Honeywell International Inc. Torque sensor
WO2007091417A1 (ja) * 2006-02-10 2007-08-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. 振動子モジュール
JP2007274610A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶振動子及び水晶振動子パッケージ
US7555824B2 (en) 2006-08-09 2009-07-07 Hrl Laboratories, Llc Method for large scale integration of quartz-based devices
US7608986B2 (en) * 2006-10-02 2009-10-27 Seiko Epson Corporation Quartz crystal resonator
US7564177B2 (en) * 2006-12-26 2009-07-21 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Crystal unit having stacked structure
US7884930B2 (en) * 2007-06-14 2011-02-08 Hrl Laboratories, Llc Integrated quartz biological sensor and method
US10266398B1 (en) 2007-07-25 2019-04-23 Hrl Laboratories, Llc ALD metal coatings for high Q MEMS structures
JP5085240B2 (ja) * 2007-09-03 2012-11-28 日本電波工業株式会社 水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法
JP5139766B2 (ja) * 2007-10-15 2013-02-06 日本電波工業株式会社 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
US8151640B1 (en) 2008-02-05 2012-04-10 Hrl Laboratories, Llc MEMS on-chip inertial navigation system with error correction
US7802356B1 (en) 2008-02-21 2010-09-28 Hrl Laboratories, Llc Method of fabricating an ultra thin quartz resonator component
US8410868B2 (en) 2009-06-04 2013-04-02 Sand 9, Inc. Methods and apparatus for temperature control of devices and mechanical resonating structures
US8476809B2 (en) 2008-04-29 2013-07-02 Sand 9, Inc. Microelectromechanical systems (MEMS) resonators and related apparatus and methods
WO2010114602A1 (en) 2009-03-31 2010-10-07 Sand9, Inc. Integration of piezoelectric materials with substrates
US9048811B2 (en) 2009-03-31 2015-06-02 Sand 9, Inc. Integration of piezoelectric materials with substrates
US8176607B1 (en) 2009-10-08 2012-05-15 Hrl Laboratories, Llc Method of fabricating quartz resonators
TWI403087B (zh) * 2009-11-06 2013-07-21 Midas Wei Trading Co Ltd Piezoelectric element packaging device
US8912711B1 (en) 2010-06-22 2014-12-16 Hrl Laboratories, Llc Thermal stress resistant resonator, and a method for fabricating same
US9679779B2 (en) * 2011-03-30 2017-06-13 The Aerospace Corporation Systems and methods for depositing materials on either side of a freestanding film using selective thermally-assisted chemical vapor deposition (STA-CVD), and structures formed using same
US9583354B2 (en) 2011-03-30 2017-02-28 The Aerospace Corporation Systems and methods for depositing materials on either side of a freestanding film using laser-assisted chemical vapor deposition (LA-CVD), and structures formed using same
US9083263B2 (en) * 2012-12-13 2015-07-14 Schlumberger Technology Corporation Apparatus to provide a time reference
US9250074B1 (en) 2013-04-12 2016-02-02 Hrl Laboratories, Llc Resonator assembly comprising a silicon resonator and a quartz resonator
US9599470B1 (en) 2013-09-11 2017-03-21 Hrl Laboratories, Llc Dielectric high Q MEMS shell gyroscope structure
US9977097B1 (en) 2014-02-21 2018-05-22 Hrl Laboratories, Llc Micro-scale piezoelectric resonating magnetometer
US9991863B1 (en) 2014-04-08 2018-06-05 Hrl Laboratories, Llc Rounded and curved integrated tethers for quartz resonators
US10291200B2 (en) * 2014-07-02 2019-05-14 The Royal Institution For The Advancement Of Learning / Mcgill University Methods and devices for microelectromechanical resonators
US11664781B2 (en) 2014-07-02 2023-05-30 Stathera Ip Holdings Inc. Methods and devices for microelectromechanical resonators
US10308505B1 (en) 2014-08-11 2019-06-04 Hrl Laboratories, Llc Method and apparatus for the monolithic encapsulation of a micro-scale inertial navigation sensor suite
US10031191B1 (en) 2015-01-16 2018-07-24 Hrl Laboratories, Llc Piezoelectric magnetometer capable of sensing a magnetic field in multiple vectors
US10110198B1 (en) 2015-12-17 2018-10-23 Hrl Laboratories, Llc Integrated quartz MEMS tuning fork resonator/oscillator
US10175307B1 (en) 2016-01-15 2019-01-08 Hrl Laboratories, Llc FM demodulation system for quartz MEMS magnetometer
US20170330855A1 (en) * 2016-05-13 2017-11-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and Method for Immersion Bonding
JP6822380B2 (ja) * 2017-11-02 2021-01-27 Tdk株式会社 振動デバイス
CN114536158B (zh) * 2022-01-19 2023-03-31 宁波云德半导体材料有限公司 一种刻蚀机反应腔的石英窗的加工方法

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2123236A (en) * 1936-04-22 1938-07-12 Bell Telephone Labor Inc Crystal holder
NL235370A (ja) * 1958-01-23
GB1138401A (en) * 1965-05-06 1969-01-01 Mallory & Co Inc P R Bonding
FR2338607A1 (fr) * 1976-01-16 1977-08-12 France Etat Resonateur a quartz a electrodes non adherentes au cristal
US4009516A (en) * 1976-03-29 1977-03-01 Honeywell Inc. Pyroelectric detector fabrication
US4191905A (en) * 1977-06-17 1980-03-04 Citizen Watch Company Limited Sealed housings for a subminiature piezoelectric vibrator
JPS5451792A (en) * 1977-09-30 1979-04-23 Citizen Watch Co Ltd Container for miniature piezoelectric oscillator
JPS5925486B2 (ja) * 1977-11-15 1984-06-18 シチズン時計株式会社 圧電振動子の容器
JPS5478693A (en) * 1977-12-05 1979-06-22 Matsushima Kogyo Co Ltd Crystal vibrator
SU705642A1 (ru) * 1978-07-06 1979-12-25 Предприятие П/Я Х-5332 Кварцевый резонатор
JPS5564414A (en) * 1978-11-10 1980-05-15 Seiko Instr & Electronics Ltd Container for crystal vibrator
FR2445029A1 (fr) * 1978-12-19 1980-07-18 France Etat Resonateur piezoelectrique a tiroir
US4270105A (en) * 1979-05-14 1981-05-26 Raytheon Company Stabilized surface wave device
CH625372A5 (ja) * 1979-07-06 1981-09-15 Ebauchesfabrik Eta Ag
JPS56131219A (en) * 1980-03-17 1981-10-14 Ngk Spark Plug Co Ltd Energy-confined type piezoelectric filter
JPS5967710A (ja) * 1982-10-12 1984-04-17 Seikosha Co Ltd 厚みすべり圧電振動子
FR2547458B3 (fr) * 1983-06-07 1986-02-21 Electronique Piezoelectricite Resonateur piezoelectrique pourvu d'un dispositif d'encapsulation
US4479070A (en) * 1983-06-10 1984-10-23 Sperry Corporation Vibrating quartz diaphragm pressure sensor
US4633122A (en) * 1985-06-18 1986-12-30 Pennwalt Corporation Means for electrically connecting electrodes on different surfaces of piezoelectric polymeric films
NL8501773A (nl) * 1985-06-20 1987-01-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.
US4639631A (en) * 1985-07-01 1987-01-27 Motorola, Inc. Electrostatically sealed piezoelectric device
JPS6227040A (ja) * 1985-07-26 1987-02-05 Sapporo Breweries Ltd 物質を澱粉に吸着あるいは包接させる方法
US4665374A (en) * 1985-12-20 1987-05-12 Allied Corporation Monolithic programmable signal processor using PI-FET taps
US4698820A (en) * 1986-05-01 1987-10-06 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Magnetic device and method of manufacture
GB2202989B (en) * 1987-04-02 1991-01-09 Stc Plc Crystal resonnator
JPS63285195A (ja) * 1987-05-19 1988-11-22 Yokogawa Electric Corp 単結晶水晶体の接合方法
JPH01211217A (ja) * 1988-02-17 1989-08-24 Seiko Epson Corp 磁気記憶媒体
JPH01251405A (ja) * 1988-03-31 1989-10-06 Ngk Insulators Ltd 磁気ヘッド用コア
JPH02232606A (ja) * 1989-03-06 1990-09-14 Ibiden Co Ltd 薄膜導波型光アイソレータの製造方法
DE3922671A1 (de) * 1989-07-10 1991-01-24 Siemens Ag Akustoelektronisches bauelement mit einer oberflaechenwellenanordnung und einer elektronischen halbleiterschaltung
JPH03178206A (ja) * 1989-12-06 1991-08-02 Nec Corp モノリシック集積回路化発振器
US5075641A (en) * 1990-12-04 1991-12-24 Iowa State University Research Foundation, Inc. High frequency oscillator comprising cointegrated thin film resonator and active device
JP2643620B2 (ja) * 1991-03-13 1997-08-20 松下電器産業株式会社 電圧制御発振器とその製造方法
JPH04313211A (ja) * 1991-04-10 1992-11-05 Sony Corp 貼り合わせ基板の製造方法
DE69232277T2 (de) * 1991-09-12 2002-08-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elektroakustische hybride integrierte Schaltung und Methode zu deren Herstellung
US5319324A (en) * 1991-10-02 1994-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of direct bonding of crystals and crystal devices
GB2260642B (en) * 1991-10-19 1995-02-08 Northern Telecom Ltd Crystal resonator device
US5166646A (en) * 1992-02-07 1992-11-24 Motorola, Inc. Integrated tunable resonators for use in oscillators and filters
NL9200515A (nl) * 1992-03-20 1993-10-18 Philips Nv Elektrische machine, werkwijze voor het aan elkaar bevestigen van een zacht-magnetisch lichaam en een hard-magnetisch lichaam en werkwijze voor het aan elkaar bevestigen van twee hard-magnetische lichamen.
EP0575948B1 (en) * 1992-06-23 1997-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Quartz device and manufacturing method thereof
JPH06291587A (ja) * 1992-07-08 1994-10-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電振動子
US5453652A (en) * 1992-12-17 1995-09-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device with interdigital transducers formed on a holding substrate thereof and a method of producing the same
US5302879A (en) * 1992-12-31 1994-04-12 Halliburton Company Temperature/reference package, and method using the same for high pressure, high temperature oil or gas well
JPH06350376A (ja) * 1993-01-25 1994-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気密封止された圧電デバイスおよび気密封止パッケージ
JP2701709B2 (ja) * 1993-02-16 1998-01-21 株式会社デンソー ２つの材料の直接接合方法及び材料直接接合装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005235403A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Hitachi Displays Ltd 有機・ｅｌ表示装置
JP2006246112A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
JP2010088064A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Kyocera Kinseki Corp 圧電振動子及び圧電発振器
JP2011229123A (ja) * 2010-03-30 2011-11-10 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法
WO2015072422A1 (ja) * 2013-11-13 2015-05-21 田中貴金属工業株式会社 貫通電極及び該貫通電極を用いた多層基板の製造方法
JPWO2016136283A1 (ja) * 2015-02-26 2017-12-07 株式会社大真空 圧電振動デバイス
JP2021532611A (ja) * 2019-07-09 2021-11-25 チェンドゥ タイムメーカー クリスタル テクノロジー カンパニー リミテッドChengdu Timemaker Crystal Technology Co., Ltd. 縁に台状構造を有するポリッシュ水晶結晶周波数片

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