JPH0635171A

JPH0635171A - 位相シフトマスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0635171A
Application number: JP19201992A
Authority: JP
Inventors: Shunji Takekuma; 俊次武隈; Haruo Ii; 晴雄井伊; Kazuya Ito; 和弥伊藤
Original assignee: Hitachi ULSI Engineering Corp; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Solutions Technology Ltd
Priority date: 1992-07-20
Filing date: 1992-07-20
Publication date: 1994-02-10
Anticipated expiration: 2017-09-24
Also published as: JP3328323B2; KR940003037A; KR100266427B1; US5441834A; US5677092A

Abstract

(57)【要約】【目的】位相シフトマスクのパターンの良否を検証す
る。【構成】位相シフトマスクのマスクパターンのデータ
を作成する際に、前記パターンデータを実パターンのデ
ータを有する実パターンデータ層および前記位相シフト
パターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層
に分離した後、マスクパターンが、互いに隣接するパタ
ーンを透過した光の位相が同一となる同位相パターンの
間隔の規定を満足するか否かを検証する。また、マスク
パターンが、互いに隣接するパターンを透過した光の位
相が異なる位相となる異位相パターンの間隔の規定を満
足するか否かを検証する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、露光技術に関し、例え
ば半導体集積回路装置の製造工程の一工程である露光工
程において用いる位相シフトマスクの製造技術およびそ
れを用いた半導体集積回路パターンの転写技術に適用し
て有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ｇ線、ｉ線等のような光を使用してフォ
トマスク上の回路パターンを転写するフォトリソグラフ
ィ工程においては、半導体集積回路装置の素子集積度の
向上に伴い、良好に転写可能なパターンの最小加工寸法
に限界が生じつつある。

【０００３】パターンの最小加工寸法を小さくする方法
として、露光の際に使用する光の波長を短くすることが
考えられる。また、光の波長を短くするのは、現実には
様々な問題があるので、光の波長をそのままにした状態
で解像度を向上させる方法として、露光装置における光
学系の開口数（ＮＡ）を大きくする技術もある。

【０００４】ところが、短波長の光の使用やＮＡの向上
に伴い、焦点深度が極端に浅くなる問題があった。そこ
で、近年は、焦点深度を確保したまま解像度の向上を図
る様々な露光技術が検討されており、その代表的な手段
として位相シフト法がある。

【０００５】位相シフト法は、フォトマスクを透過する
光の位相を変えることによって、投影像のコントラスト
の低下を防止する技術である。

【０００６】位相シフト技術については、例えば日本特
開昭５８−１７３７４４号公報があり、遮光領域を挟む
一対の透過領域の一方に透明膜を設け、露光の際に２つ
の透過領域を透過した光の間に位相差を生じさせること
によって、その干渉光が半導体ウエハ上の本来の遮光領
域となる箇所で弱め合うようにする位相シフト技術が開
示されている（レヴェンソン（Levenson）型）。

【０００７】また、例えば日本特開昭６２−６７５１４
号公報には、フォトマスク上の遮光領域の一部に微細な
開口パターンを形成した後、この開口パターンまたはそ
の近傍の透過領域のいずれか一方に透明膜を設け、開口
パターンを透過した光と、その近傍の透過領域を透過し
た光との間に位相差を生じさせることによって、その透
過領域を透過した光の振幅分布が横方向に広がるのを防
止する位相シフト技術が開示されている（補助シフタ
型）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
位相シフト技術においては、実際の半導体集積回路パタ
ーンと、位相シフトマスク上に形成されたパターンとが
部分的に異なる場合があるために、位相シフトマスクの
マスクパターンのデータの作成に際し、そのパターンの
良否を検証することができないという問題があることを
本発明者は見い出した。

【０００９】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、位相シフトマスクのパターンの良
否を検証することのできる技術を提供することにある。

【００１０】本発明の他の目的は、微細パターンを有す
る信頼性の高い半導体集積回路装置を得ることのできる
技術を提供することにある。

【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要およびその他の概要を
項わけして簡単に説明すれば、以下のとおりである。

【００１３】すなわち、第１の発明は、マスク基板上に
位相シフトパターンを有する位相シフトマスクのマスク
パターンのデータを作成する際に、前記マスクパターン
のデータを実パターンのデータを有する実パターンデー
タ層および前記位相シフトパターンのデータを有する位
相シフトパターンデータ層に分離する工程と、前記位相
シフトパターンのデータを用いて前記位相シフトパター
ンが配置されている位相シフトパターン付きの実パター
ンのデータの良否を検証する工程と、前記検証の結果が
良となるまで検証および修正を繰り返す工程とを有し、
前記マスクパターンのデータの作成工程によって作成さ
れた実パターンおよび位相シフトパターンのデータに基
づいて、それぞれ遮光パターン描画データおよび位相シ
フトパターン描画データを作成する工程と、前記遮光パ
ターン描画データに基づいて、前記マスク基板上に遮光
パターンを形成する工程と、前記位相シフトパターン描
画データに基づいて、前記マスク基板上に位相シフトパ
ターンを形成する工程とを有する位相シフトマスクの製
造方法である。

【００１４】第２の発明は、マスク基板上に位相シフト
パターンを有する位相シフトマスクのマスクパターンの
データを作成する際に、前記マスクパターンのデータを
実パターンのデータを有する実パターンデータ層および
前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパ
ターンデータ層に分離する工程と、前記位相シフトパタ
ーンのデータを用いて前記位相シフトパターンが配置さ
れている位相シフトパターン付きの実パターンのデータ
の良否を検証する工程と、前記検証の結果が良となるま
で検証および修正を繰り返す工程とを有し、前記マスク
パターンのデータの作成工程によって作成された実パタ
ーンおよび位相シフトパターンのデータに基づいて、そ
れぞれ遮光パターン描画データおよび位相シフトパター
ン描画データを作成する工程と、前記遮光パターン描画
データに基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを
形成する工程と、前記位相シフトパターン描画データに
基づいて、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形
成する工程と、前記遮光パターンおよび位相シフトパタ
ーンを有する位相シフトマスクを用いて半導体ウエハの
表面上のレジスト膜に対して所定の半導体集積回路パタ
ーンを転写する工程とを有する半導体集積回路装置の製
造方法である。

【００１５】第３の発明は、マスク基板上に位相シフト
パターンを有する位相シフトマスクのマスクパターンの
データを作成する際に、前記マスクパターンのデータを
実パターンのデータを有する実パターンデータ層および
前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパ
ターンデータ層に分離する工程と、前記位相シフトパタ
ーンのデータを用いて前記マスクパターンのデータから
位相シフトパターンの配置されている位相シフトパター
ン付きの実パターンを削除し、位相シフトパターンの配
置されていない位相シフトパターン無しの実パターンの
データを作成する工程と、前記位相シフトパターン無し
の実パターンのデータの良否を検証する工程と、前記検
証の結果が良となるまで検証および修正を繰り返す工程
とを有し、前記マスクパターンのデータの作成工程によ
って作成された実パターンおよび位相シフトパターンの
データに基づいて、それぞれ遮光パターン描画データお
よび位相シフトパターン描画データを作成する工程と、
前記遮光パターン描画データに基づいて、前記マスク基
板上に遮光パターンを形成する工程と、前記位相シフト
パターン描画データに基づいて、前記マスク基板上に位
相シフトパターンを形成する工程とを有する位相シフト
マスクの製造方法である。

【００１６】第４の発明は、マスク基板上に位相シフト
パターンを有する位相シフトマスクのマスクパターンの
データを作成する際に、前記マスクパターンのデータを
実パターンのデータを有する実パターンデータ層および
前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパ
ターンデータ層に分離する工程と、前記位相シフトパタ
ーンのデータを用いて前記マスクパターンのデータから
位相シフトパターンの配置されている位相シフトパター
ン付きの実パターンを削除し、位相シフトパターンの配
置されていない位相シフトパターン無しの実パターンの
データを作成する工程と、前記位相シフトパターン無し
の実パターンのデータの良否を検証する工程と、前記検
証の結果が良となるまで検証および修正を繰り返す工程
とを有し、前記マスクパターンのデータの作成工程によ
って作成された実パターンおよび位相シフトパターンの
データに基づいて、それぞれ遮光パターン描画データお
よび位相シフトパターン描画データを作成する工程と、
前記遮光パターン描画データに基づいて、前記マスク基
板上に遮光パターンを形成する工程と、前記位相シフト
パターン描画データに基づいて、前記マスク基板上に位
相シフトパターンを形成する工程と、前記遮光パターン
および位相シフトパターンを有する位相シフトマスクを
用いて半導体ウエハの表面上のレジスト膜に対して所定
の半導体集積回路パターンを転写する工程とを有する半
導体集積回路装置の製造方法である。

【００１７】第５の発明は、マスク基板上に位相シフト
パターンを有する位相シフトマスクのマスクパターンの
データを作成する際に、前記マスクパターンのデータを
実パターンのデータを有する実パターンデータ層および
前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパ
ターンデータ層に分離する工程と、前記位相シフトパタ
ーンのデータを用いて、前記マスクパターンのデータか
ら位相シフトパターンの配置されている実パターンを削
除し、位相シフトパターンの配置されていない位相シフ
トパターン無しの実パターンを作成する工程と、前記位
相シフトパターンおよび前記位相シフトパターン無しの
実パターンを用いて、前記位相シフトパターンの配置さ
れている位相シフトパターン付きの実パターンおよび前
記位相シフトパターン無しの実パターンの相互関係の良
否を検証する工程と、前記検証の結果が良となるまで検
証および修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパタ
ーンのデータの作成工程によって作成された実パターン
および位相シフトパターンのデータに基づいて、それぞ
れ遮光パターン描画データおよび位相シフトパターン描
画データを作成する工程と、前記遮光パターン描画デー
タに基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成
する工程と、前記位相シフトパターン描画データに基づ
いて、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成す
る工程とを有する位相シフトマスクの製造方法である。

【００１８】第６の発明は、マスク基板上に位相シフト
パターンを有する位相シフトマスクのマスクパターンの
データを作成する際に、前記マスクパターンのデータを
実パターンのデータを有する実パターンデータ層および
前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパ
ターンデータ層に分離する工程と、前記位相シフトパタ
ーンのデータを用いて、前記マスクパターンのデータか
ら位相シフトパターンの配置されている実パターンを削
除し、位相シフトパターンの配置されていない位相シフ
トパターン無しの実パターンを作成する工程と、前記位
相シフトパターンおよび前記位相シフトパターン無しの
実パターンを用いて、前記位相シフトパターンの配置さ
れている位相シフトパターン付きの実パターンおよび前
記位相シフトパターン無しの実パターンの相互関係の良
否を検証する工程と、前記検証の結果が良となるまで検
証および修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパタ
ーンのデータの作成工程によって作成された実パターン
および位相シフトパターンのデータに基づいて、それぞ
れ遮光パターン描画データおよび位相シフトパターン描
画データを作成する工程と、前記遮光パターン描画デー
タに基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成
する工程と、前記位相シフトパターン描画データに基づ
いて、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成す
る工程と、前記遮光パターンおよび位相シフトパターン
を有する位相シフトマスクを用いて半導体ウエハの表面
上のレジスト膜に対して所定の半導体集積回路パターン
を転写する工程とを有する半導体集積回路装置の製造方
法である。

【００１９】第７の発明は、マスク基板上に位相シフト
パターンを有する位相シフトマスクのマスクパターンの
データを作成する際に、前記マスクパターンのデータを
実パターンのデータを有する実パターンデータ層および
前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパ
ターンデータ層に分離する工程と、前記位相シフトパタ
ーンのデータを用いて、前記マスクパターンのデータか
ら位相シフトパターンの配置されている実パターンを削
除し、位相シフトパターンの配置されていない位相シフ
トパターン無しの実パターンを作成する工程と、前記位
相シフトパターンおよび前記位相シフトパターン無しの
実パターンを用いて、前記位相シフトパターンの配置さ
れている位相シフトパターン付きの実パターンと前記位
相シフトパターン無しの実パターンとの間隔および幅が
規定値に対して適合しているかを検証する工程と、前記
検証の結果が良となるまで検証および修正を繰り返す工
程とを有し、前記マスクパターンのデータの作成工程に
よって作成された実パターンおよび位相シフトパターン
のデータに基づいて、それぞれ遮光パターン描画データ
および位相シフトパターン描画データを作成する工程
と、前記遮光パターン描画データに基づいて、前記マス
ク基板上に遮光パターンを形成する工程と、前記位相シ
フトパターン描画データに基づいて、前記マスク基板上
に位相シフトパターンを形成する工程とを有する位相シ
フトマスクの製造方法である。

【００２０】第８の発明は、マスク基板上に位相シフト
パターンを有する位相シフトマスクのマスクパターンの
データを作成する際に、前記マスクパターンのデータを
実パターンのデータを有する実パターンデータ層および
前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパ
ターンデータ層に分離する工程と、前記位相シフトパタ
ーンのデータを用いて、前記マスクパターンのデータか
ら位相シフトパターンの配置されている実パターンを削
除し、位相シフトパターンの配置されていない位相シフ
トパターン無しの実パターンを作成する工程と、前記位
相シフトパターンおよび前記位相シフトパターン無しの
実パターンを用いて、前記位相シフトパターンの配置さ
れている位相シフトパターン付きの実パターンと前記位
相シフトパターン無しの実パターンとの間隔および幅が
規定値に対して適合しているかを検証する工程と、前記
検証の結果が良となるまで検証および修正を繰り返す工
程とを有し、前記マスクパターンのデータの作成工程に
よって作成された実パターンおよび位相シフトパターン
のデータに基づいて、それぞれ遮光パターン描画データ
および位相シフトパターン描画データを作成する工程
と、前記遮光パターン描画データに基づいて、前記マス
ク基板上に遮光パターンを形成する工程と、前記位相シ
フトパターン描画データに基づいて、前記マスク基板上
に位相シフトパターンを形成する工程と、前記遮光パタ
ーンおよび位相シフトパターンを有する位相シフトマス
クを用いて半導体ウエハの表面上のレジスト膜に対して
所定の半導体集積回路パターンを転写する工程とを有す
る半導体集積回路装置の製造方法である。

【００２１】第９の発明は、マスク基板上に位相シフト
パターンを有する位相シフトマスクのマスクパターンの
データを作成する際に、前記マスクパターンのデータを
実パターンのデータを有する実パターンデータ層および
前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパ
ターンデータ層に分離する工程と、前記位相シフトパタ
ーンが対応する実パターンと正確に一致しているか否か
を検証する工程と、前記検証の結果が一致するまで検証
および修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパター
ンのデータの作成工程によって作成された実パターンお
よび位相シフトパターンのデータに基づいて、それぞれ
遮光パターン描画データおよび位相シフトパターン描画
データを作成する工程と、前記遮光パターン描画データ
に基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成す
る工程と、前記位相シフトパターン描画データに基づい
て、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する
工程とを有する位相シフトマスクの製造方法である。

【００２２】第１０の発明は、マスク基板上に位相シフ
トパターンを有する位相シフトマスクのマスクパターン
のデータを作成する際に、前記マスクパターンのデータ
を実パターンのデータを有する実パターンデータ層およ
び前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフト
パターンデータ層に分離する工程と、前記位相シフトパ
ターンが対応する実パターンと正確に一致しているか否
かを検証する工程と、前記検証の結果が一致するまで検
証および修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパタ
ーンのデータの作成工程によって作成された実パターン
および位相シフトパターンのデータに基づいて、それぞ
れ遮光パターン描画データおよび位相シフトパターン描
画データを作成する工程と、前記遮光パターン描画デー
タに基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成
する工程と、前記位相シフトパターン描画データに基づ
いて、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成す
る工程と、前記遮光パターンおよび位相シフトパターン
を有する位相シフトマスクを用いて半導体ウエハの表面
上のレジスト膜に対して所定の半導体集積回路パターン
を転写する工程とを有する半導体集積回路装置の製造方
法である。

【００２３】第１１の発明は、マスク基板上に位相シフ
トパターンを有する位相シフトマスクのマスクパターン
のデータを作成する際に、前記マスクパターンのデータ
を実パターンのデータを有する実パターンデータ層、補
助パターンのデータを有する補助パターンデータ層およ
び位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパタ
ーンデータ層に分離する工程と、予め用意されている穴
パターン用セルを用いて穴パターンのデータを作成する
工程と、前記穴パターンを構成する穴パターン用セルを
穴パターンデータのない空セルに置き換える工程と、そ
の置き換え工程後に残ったパターンの有無および良否を
検証する工程と、前記検証の結果が良となるまで検証お
よび修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパターン
のデータの作成工程によって作成された実パターンおよ
び補助パターンのデータに基づいて遮光パターン描画デ
ータを作成する工程と、前記マスクパターンのデータの
作成工程によって作成された位相シフトパターンのデー
タに基づいて位相シフトパターン描画データを作成する
工程と、前記遮光パターン描画データに基づいて、前記
マスク基板上に遮光パターンを形成する工程と、前記位
相シフトパターン描画データに基づいて、前記マスク基
板上に位相シフトパターンを形成する工程とを有する位
相シフトマスクの製造方法である。

【００２４】第１２の発明は、マスク基板上に位相シフ
トパターンを有する位相シフトマスクのマスクパターン
のデータを作成する際に、前記マスクパターンのデータ
を実パターンのデータを有する実パターンデータ層、補
助パターンのデータを有する補助パターンデータ層およ
び位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパタ
ーンデータ層に分離する工程と、予め用意されている穴
パターン用セルを用いて穴パターンのデータを作成する
工程と、前記穴パターンを構成する穴パターン用セルを
穴パターンデータのない空セルに置き換える工程と、そ
の置き換え工程後に残ったパターンの有無および良否を
検証する工程と、前記検証の結果が良となるまで検証お
よび修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパターン
のデータの作成工程によって作成された実パターンおよ
び補助パターンのデータに基づいて遮光パターン描画デ
ータを作成する工程と、前記マスクパターンのデータの
作成工程によって作成された位相シフトパターンのデー
タに基づいて位相シフトパターン描画データを作成する
工程と、前記遮光パターン描画データに基づいて、前記
マスク基板上に遮光パターンを形成する工程と、前記位
相シフトパターン描画データに基づいて、前記マスク基
板上に位相シフトパターンを形成する工程と、前記遮光
パターンおよび位相シフトパターンを有する位相シフト
マスクを用いて半導体ウエハの表面上のレジスト膜に対
して所定の半導体集積回路パターンを転写する工程とを
有する半導体集積回路装置の製造方法である。

【００２５】第１３の発明は、マスク基板上に位相シフ
トパターンを有する位相シフトマスクのマスクパターン
のデータを作成する際に、前記マスクパターンのデータ
を実パターンのデータを有する実パターンデータ層、補
助パターンのデータを有する補助パターンデータ層およ
び位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパタ
ーンデータ層に分離する工程と、予め用意されている穴
パターン用セルを用いて穴パターンのデータを作成する
工程と、前記穴パターンを構成する穴パターン用セルを
検証用セルに置き換える工程と、前記検証用セルの相互
間の関係の良否を検証する工程と、前記検証の結果が良
となるまで検証および修正を繰り返す工程とを有し、前
記マスクパターンのデータの作成工程によって作成され
た実パターンおよび補助パターンのデータに基づいて遮
光パターン描画データを作成する工程と、前記マスクパ
ターンのデータの作成工程によって作成された位相シフ
トパターンのデータに基づいて位相シフトパターン描画
データを作成する工程と、前記遮光パターン描画データ
に基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成す
る工程と、前記位相シフトパターン描画データに基づい
て、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する
工程とを有する位相シフトマスクの製造方法である。

【００２６】第１４の発明は、マスク基板上に位相シフ
トパターンを有する位相シフトマスクのマスクパターン
のデータを作成する際に、前記マスクパターンのデータ
を実パターンのデータを有する実パターンデータ層、補
助パターンのデータを有する補助パターンデータ層およ
び位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパタ
ーンデータ層に分離する工程と、予め用意されている穴
パターン用セルを用いて穴パターンのデータを作成する
工程と、前記穴パターンを構成する穴パターンセルを検
証用セルに置き換える工程と、前記検証用セルの相互間
の関係の良否を検証する工程と、前記検証の結果が良と
なるまで検証および修正を繰り返す工程とを有し、前記
マスクパターンのデータの作成工程によって作成された
実パターンおよび補助パターンのデータに基づいて遮光
パターン描画データを作成する工程と、前記マスクパタ
ーンのデータの作成工程によって作成された位相シフト
パターンのデータに基づいて位相シフトパターン描画デ
ータを作成する工程と、前記遮光パターン描画データに
基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成する
工程と、前記位相シフトパターン描画データに基づい
て、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する
工程と、前記遮光パターンおよび位相シフトパターンを
有する位相シフトマスクを用いて半導体ウエハの表面上
のレジスト膜に対して所定の半導体集積回路パターンを
転写する工程とを有する半導体集積回路装置の製造方法
である。

【００２７】第１５の発明は、マスク基板上に位相シフ
トパターンを有する位相シフトマスクのマスクパターン
のデータを作成する際に、前記マスクパターンのデータ
を実パターンのデータを有する実パターンデータ層、補
助パターンのデータを有する補助パターンデータ層およ
び位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパタ
ーンデータ層に分離する工程と、前記マスクパターンの
データのうち、配線パターンのデータと、穴パターンの
データとで異なる検証を行う工程と、前記検証の結果が
良となるまで検証および修正を繰り返す工程とを有し、
前記マスクパターンのデータの作成工程によって作成さ
れた実パターンおよび補助パターンのデータに基づいて
遮光パターン描画データを作成する工程と、前記マスク
パターンのデータの作成工程によって作成された位相シ
フトパターンのデータに基づいて位相シフトパターン描
画データを作成する工程と、前記遮光パターン描画デー
タに基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成
する工程と、前記位相シフトパターン描画データに基づ
いて、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成す
る工程とを有する位相シフトマスクの製造方法である。

【００２８】第１６の発明は、マスク基板上に位相シフ
トパターンを有する位相シフトマスクのマスクパターン
のデータを作成する際に、前記マスクパターンのデータ
を実パターンのデータを有する実パターンデータ層、補
助パターンのデータを有する補助パターンデータ層およ
び位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパタ
ーンデータ層に分離する工程と、前記マスクパターンの
データのうち、配線パターンのデータと、穴パターンの
データとで異なる検証を行う工程と、前記検証の結果が
良となるまで検証および修正を繰り返す工程とを有し、
前記マスクパターンのデータの作成工程によって作成さ
れた実パターンおよび補助パターンのデータに基づいて
遮光パターン描画データを作成する工程と、前記マスク
パターンのデータの作成工程によって作成された位相シ
フトパターンのデータに基づいて位相シフトパターン描
画データを作成する工程と、前記遮光パターン描画デー
タに基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成
する工程と、前記位相シフトパターン描画データに基づ
いて、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成す
る工程と、前記遮光パターンおよび位相シフトパターン
を有する位相シフトマスクを用いて半導体ウエハの表面
上のレジスト膜に対して所定の半導体集積回路パターン
を転写する工程とを有する半導体集積回路装置の製造方
法である。

【００２９】第１７の発明は、マスク基板上に位相シフ
トパターンを有する位相シフトマスクのマスクパターン
のデータを作成する際に、前記マスクパターンのデータ
を実パターンのデータを有する実パターンデータ層およ
び前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフト
パターンデータ層に分離する工程と、前記マスクパター
ンのデータが、互いに隣接するパターンを透過した各々
の光が同位相となる同位相パターンの間隔の規定を満足
するか否かを検証する工程と、前記検証の結果が良とな
るまで検証および修正を繰り返す工程とを有し、前記マ
スクパターンのデータの作成工程によって作成された実
パターンおよび位相シフトパターンのデータに基づい
て、それぞれ遮光パターン描画データおよび位相シフト
パターン描画データを作成する工程と、前記遮光パター
ン描画データに基づいて、前記マスク基板上に遮光パタ
ーンを形成する工程と、前記位相シフトパターン描画デ
ータに基づいて、前記マスク基板上に位相シフトパター
ンを形成する工程とを有する位相シフトマスクの製造方
法である。

【００３０】第１８の発明は、マスク基板上に位相シフ
トパターンを有する位相シフトマスクのマスクパターン
のデータを作成する際に、前記マスクパターンのデータ
を実パターンのデータを有する実パターンデータ層およ
び前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフト
パターンデータ層に分離する工程と、前記位相シフトパ
ターンの隣接パターン間隔を検証することによって、前
記位相シフトパターンが配置されている位相シフトパタ
ーン付きの実パターンの隣接パターン間隔の良否を検証
する工程と、前記検証の結果が良となるまで検証および
修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパターンのデ
ータの作成工程によって作成された実パターンおよび位
相シフトパターンのデータに基づいて、それぞれ遮光パ
ターン描画データおよび位相シフトパターン描画データ
を作成する工程と、前記遮光パターン描画データに基づ
いて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成する工程
と、前記位相シフトパターン描画データに基づいて、前
記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する工程と
を有する位相シフトマスクの製造方法である。

【００３１】第１９の発明は、マスク基板上に位相シフ
トパターンを有する位相シフトマスクのマスクパターン
のデータを作成する際に、前記マスクパターンのデータ
を実パターンのデータを有する実パターンデータ層およ
び前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフト
パターンデータ層に分離する工程と、前記位相シフトパ
ターンのデータを用いて前記マスクパターンのデータか
ら位相シフトパターンの配置されている位相シフトパタ
ーン付きの実パターンを削除し、位相シフトパターンの
配置されていない位相シフトパターン無しの実パターン
のデータを作成する工程と、前記位相シフトパターン無
しの実パターンの隣接パターン間隔の良否を検証する工
程と、前記検証の結果が良となるまで検証および修正を
繰り返す工程とを有し、前記マスクパターンのデータの
作成工程によって作成された実パターンおよび位相シフ
トパターンのデータに基づいて、それぞれ遮光パターン
描画データおよび位相シフトパターン描画データを作成
する工程と、前記遮光パターン描画データに基づいて、
前記マスク基板上に遮光パターンを形成する工程と、前
記位相シフトパターン描画データに基づいて、前記マス
ク基板上に位相シフトパターンを形成する工程とを有す
る位相シフトマスクの製造方法である。

【００３２】第２０の発明は、マスク基板上に位相シフ
トパターンを有する位相シフトマスクのマスクパターン
のデータを作成する際に、前記マスクパターンのデータ
を実パターンのデータを有する実パターンデータ層およ
び前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフト
パターンデータ層に分離する工程と、前記マスクパター
ンのデータが、互いに隣接するパターンを透過した各々
の光が同位相となる同位相パターンの幅の規定を満足す
るか否かを検証する工程と、前記検証の結果が良となる
まで検証および修正を繰り返す工程とを有し、前記マス
クパターンのデータの作成工程によって作成された実パ
ターンおよび位相シフトパターンのデータに基づいて、
それぞれ遮光パターン描画データおよび位相シフトパタ
ーン描画データを作成する工程と、前記遮光パターン描
画データに基づいて、前記マスク基板上に遮光パターン
を形成する工程と、前記位相シフトパターン描画データ
に基づいて、前記マスク基板上に位相シフトパターンを
形成する工程とを有する位相シフトマスクの製造方法で
ある。

【００３３】第２１の発明は、マスク基板上に位相シフ
トパターンを有する位相シフトマスクのマスクパターン
のデータを作成する際に、前記マスクパターンのデータ
を実パターンのデータを有する実パターンデータ層およ
び前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフト
パターンデータ層に分離する工程と、前記マスクパター
ンのデータが、互いに隣接するパターンを透過した各々
の光が同位相となる同位相パターンの間隔および幅の規
定を満足するか否かを検証する工程とを有し、前記マス
クパターンのデータの作成工程によって作成された実パ
ターンおよび位相シフトパターンのデータに基づいて、
それぞれ遮光パターン描画データおよび位相シフトパタ
ーン描画データを作成する工程と、前記遮光パターン描
画データに基づいて、前記マスク基板上に遮光パターン
を形成する工程と、前記位相シフトパターン描画データ
に基づいて、前記マスク基板上に位相シフトパターンを
形成する工程とを有する位相シフトマスクの製造方法で
ある。

【００３４】第２２の発明は、マスク基板上に位相シフ
トパターンを有する位相シフトマスクのマスクパターン
のデータを作成する際に、前記マスクパターンのデータ
を実パターンのデータを有する実パターンデータ層およ
び前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフト
パターンデータ層に分離する工程と、前記マスクパター
ンのデータが、互いに隣接するパターンを透過した各々
の光が異位相となる異位相パターンの間隔の規定を満足
するか否かを検証する工程と、前記検証の結果が良とな
るまで検証および修正を繰り返す工程とを有し、前記マ
スクパターンのデータの作成工程によって作成された実
パターンおよび位相シフトパターンのデータに基づい
て、それぞれ遮光パターン描画データおよび位相シフト
パターン描画データを作成する工程と、前記遮光パター
ン描画データに基づいて、前記マスク基板上に遮光パタ
ーンを形成する工程と、前記位相シフトパターン描画デ
ータに基づいて、前記マスク基板上に位相シフトパター
ンを形成する工程とを有する位相シフトマスクの製造方
法である。

【００３５】第２３の発明は、マスク基板上に位相シフ
トパターンを有する位相シフトマスクのマスクパターン
のデータを作成する際に、前記マスクパターンのデータ
を実パターンのデータを有する実パターンデータ層およ
び前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフト
パターンデータ層に分離する工程と、前記マスクパター
ンのデータのうち、片側孤立配線または両側孤立配線を
形成するパターンが、前記片側孤立配線または両側孤立
配線に規定されたパターン幅の規則を満足するか否かを
検証する工程と、前記検証の結果が良となるまで検証お
よび修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパターン
のデータの作成工程によって作成された実パターンおよ
び位相シフトパターンのデータに基づいて、それぞれ遮
光パターン描画データおよび位相シフトパターン描画デ
ータを作成する工程と、前記遮光パターン描画データに
基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成する
工程と、前記位相シフトパターン描画データに基づい
て、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する
工程とを有する位相シフトマスクの製造方法である。

【００３６】

【作用】上記した手段によれば、位相シフトマスクのマ
スクパターンのデータを検証および修正することがで
き、位相シフトマスクの正しいマスクパターンのデータ
を作成することが可能となる。

【００３７】そして、その正しいマスクパターンのデー
タを用いて作成された位相シフトマスクを用いて、半導
体ウエハの表面上のフォトレジスト膜に所定の半導体集
積回路パターンを転写することにより、微細パターンを
有する信頼性の高い半導体集積回路装置を製造すること
が可能となる。

【００３８】

【実施例１】図１は本発明の一実施例である位相シフト
マスクのマスクパターンの検証工程を説明する工程図、
図２は位相シフトマスクのマスクパターンのデータ作成
に用いるパターンデータ作成装置の説明図、図３はマス
クパターン例の平面図、図４は図３のマスクパターンの
分離工程の説明図、図５は図３のマスクパターンにおけ
る検証中の位相シフトパターンの平面図、図６は位相シ
フトパターンの配置されていない実パターンの抽出工程
の説明図、図７は位相シフトパターンの配置されていな
い実パターンの平面図、図８は位相シフトパターンの配
置されていない実パターンと位相シフトパターンとを合
成して検証用パターンを作成する工程の説明図、図９は
図８で説明した検証用パターンの平面図、図１０は図１
の検証４によるエラーパターンの抽出工程の説明図、図
１１および図１２は図１の検証５によるエラーパターン
の抽出工程の説明図、図１３は欠けのある位相シフトパ
ターンが配置されているマスクパターンの平面図、図１
４は位相シフトマスクの要部断面図、図１５は図１４の
位相シフトマスクの製造工程を説明する工程図、図１６
は図１４の位相シフトマスクを用いる縮小投影露光装置
の説明図である。

【００３９】以下、本実施例１においては、例えば半導
体集積回路装置の製造工程の１工程である露光工程で用
いられる位相シフトマスクの製造技術について図１〜図
１５によって説明する。なお、マスクには、レチクルも
含むとする。

【００４０】まず、位相シフトマスクのマスクパターン
のデータ作成技術について説明する。ここで、マスクパ
ターンとは、後述するマスク基板上に形成された遮光パ
ターンおよび位相シフトパターン（以下、シフタパター
ンという）である。

【００４１】本実施例１の位相シフトマスクのマスクパ
ターンのデータの作成および検証に用いるパターンデー
タ作成装置を図２に示す。

【００４２】パターンデータ作成装置１は、ワークステ
ーションシステム２と、大形計算機システム３とを有し
ており、ワークステーションシステム２と、大形計算機
システム３とは、データ伝送用のケーブル４を通じて電
気的に接続されている。

【００４３】ワークステーションシステム２は、入力装
置２ａと、ワークステーション本体２ｂと、ディスプレ
イ２ｃと、ワークステーション用の外部記憶装置２ｄと
を有している。

【００４４】入力装置２ａは、例えばキーボードやマウ
ス等、ワークステーション本体２ｂに対して所定の情報
を入力するための装置である。ワークステーション本体
２ｂは、入力装置２ａから入力された情報に基づいて、
マスクパターンの作成および検証に関する所定の情報処
理を行う装置である。ディスプレイ２ｃは、作成中およ
び検証中等のマスクパターン等を表示するための出力装
置である。なお、図示はしないが、ワークステーション
本体２ｂには、ディスプレイ２ｃの他に、プリンタやプ
ロッタ等のような他の出力装置も電気的に接続されてい
る。

【００４５】大形計算機システム３は、大形計算機本体
３ａと、大形計算機用の外部記憶装置３ｂとを有してい
る。大形計算機用の外部記憶装置３ｂには、検証前マス
クパターンデータ領域３ｂ₁、ルールチェックプログラ
ム領域３ｂ₂、検証中マスクパターンデータ領域３ｂ₃
および検証後マスクパターンデータ領域３ｂ₄が設定さ
れている。

【００４６】検証前マスクパターンデータ領域３ｂ
₁は、良否を検証する前のマスクパターンの形状、配置
位置座標および回転座標等のようなマスクパターンに関
するデータが格納されている領域である。

【００４７】ルールチェックプログラム領域３ｂ₂は、
位相シフトマスクのマスクパターンにおいて、例えば以
下の第１〜第５の規則が守られているか否かをチェック
するプログラムが格納されている領域である。なお、本
実施例１においては、線幅0.３５μｍの配線パターンを
フォトレジスト膜に転写する場合を例として、その規則
について説明する。

【００４８】第１の規則は次の通りである。すなわち、
互いに隣接するパターンを透過した各々の光の位相が同
一となる場合、それらのパターン（以下、同位相パター
ンという）の間隔は、例えば0.５μｍ以上でなければな
らない。

【００４９】第２の規則は次の通りである。すなわち、
互いに隣接するパターンを透過した各々の光の位相が互
いに異なる場合、それらのパターン（以下、異位相パタ
ーンという）の間隔は、例えば0.３５〜0.５μｍ未満で
なければならない。

【００５０】このように、互いに隣接するパターン間の
寸法を規定する理由は、次の通りである。位相シフト法
は、互いに隣接するパターンを透過した各々の光のｎ次
のピークを重ね合わせ、その重ね合わせ部分での光の強
度を強めたり弱めたりすることにより、パターン像の解
像度を高める技術である。ここで、互いに隣接するパタ
ーンの間隔が設計値と異なってしまうと、重ね合わせる
べき各々の光のｎ次のピークの相対的な位置がずれてし
まう結果、その光の強め合いや弱め合いが設計者の意図
した通りに行われなくなってしまうからである。

【００５１】第３の規則は次の通りである。すなわち、
パターンの幅は、原則として、例えば0.３５μｍでなけ
ればならない。

【００５２】第４の規則は次の通りである。すなわち、
パターンが片側孤立配線または両側孤立配線を形成する
ためのパターンである場合、そのパターンの幅は、例え
ば0.４μｍ以上でなければならない。

【００５３】ここで、片側孤立配線とは、配線の片側の
所定の定まった距離、例えば0.５μｍ未満に他のパター
ンがない配線をいい、両側孤立配線とは、配線の両側の
所定の定まった距離、例えば0.５μｍ未満に他のパター
ンがない配線をいう。

【００５４】このように、片側孤立配線または両側孤立
配線を形成するパターンの幅を最小加工寸法よりも広く
する理由は、例えば位相シフト法による光の操作を充分
に行えないために発生するパターン像の細りを補正する
ためである。

【００５５】第５の規則は次の通りである。すなわち、
同位相パターンのパターン幅は、例えば0.５μｍ以上で
なければならない。

【００５６】第６の規則は次の通りである。すなわち、
実パターンと、それに対応するシフタパターンとは、正
確に重なり一致していなければならない。例えば単独の
シフタパターンが存在する、シフタパターンが欠けてい
る、シフタパターンが実パターン内に包含されている、
または、実パターンとシフタパターンとが交差している
等はこの規則に反する。

【００５７】パターンデータ作成装置１の検証中マスク
パターンデータ領域３ｂ₃は、検証および作成中のマス
クパターンが格納される領域である。また、検証後マス
クパターンデータ領域３ｂ₄は、完成された正しいマス
クパターンのデータが格納される領域である。

【００５８】次に、位相シフトマスクのマスクパターン
のデータの検証技術について説明する。

【００５９】まず、図３にそのデータの作成中における
マスクパターンＭＰの例を示す。マスクパターンＭＰ
は、実パターン５ｔ₁〜５ｔ₁₀と、実パターン５ｔ₂,５
ｔ₄,５ｔ₆,５ｔ₉上に重ねられた斜線で示すシフタパタ
ーン５ｓ₁〜５ｓ₄とを有している。

【００６０】ここで、実パターン５ｔ₁〜５ｔ₁₀は、半
導体ウエハ上に形成しようとしているパターンと同一形
状のパターンを、マスク基板上に形成するためのパター
ンである。また、シフタパターン５ｓ₁〜５ｓ₄は、マ
スク基板を透過する光に位相差を生じさせる位相シフト
膜をマスク基板上に形成するためのパターンである。

【００６１】ただし、図３には、本実施例１の検証工程
を説明するために、例えば次のようなエラーＥ₁〜Ｅ₉
が含まれている。

【００６２】第１のエラーＥ₁は、実パターン５ｔ₁の
幅が、配線パターンの最小加工寸法（例えば0.３５μ
ｍ）未満である。すなわち、上記第３の規則に反する。

【００６３】第２のエラーＥ₂は、実パターン５ｔ₄,５
ｔ₆およびシフタパターン５ｓ₂,５ｓ₃の間隔が一部に
おいて、同位相パターンにおける最小間隔未満（例えば
0.５μｍ未満）の箇所がある。すなわち、上記第１の規
則に反する。

【００６４】第３のエラーＥ₃は、実パターン５ｔ₄,５
ｔ₆およびシフタパターン５ｓ₂,５ｓ₃が一部において
同位相パターンとなっている箇所があるのに、実パター
ン５ｔ₄,５ｔ₆およびシフタパターン５ｓ₂,５ｓ₃の幅
が、配線パターンの最小加工寸法である。すなわち、上
記第５の規則に反する。

【００６５】第４のエラーＥ₄は、互いに隣接する実パ
ターン５ｔ₇,５ｔ₈の間隔が、同位相パターンにおける
最小間隔未満の箇所がある。すなわち、上記第１の規則
に反する。

【００６６】第５のエラーＥ₅は、実パターン５ｔ₇,５
ｔ₈が同位相パターンとなっている箇所があるのに、実
パターン５ｔ₇,５ｔ₈の幅が、配線パターンの最小加工
寸法である。すなわち、上記第５の規則に反する。

【００６７】第６のエラーＥ₆は、実パターン５ｔ₉お
よびシフタパターン５ｓ₄と、実パターン５ｔ₁₀との間
隔が、異位相パターン間の最大間隔（例えばえ0.５μ
ｍ）よりも大きく、実パターン５ｔ₉およびシフタパタ
ーン５ｓ₄と、実パターン５ｔ₁₀との幅が最小加工寸法
である。すなわち、上記第２の規則に反する。

【００６８】第７のエラーＥ₇は、実パターン５ｔ
₈と、実パターン５ｔ₉およびシフタパターン５ｓ₄と
の間隔が、異位相パターンの最小間隔（例えば0.３５μ
ｍ）未満である。すなわち、上記第２の規則に反する。

【００６９】第８のエラーＥ₈は、実パターン５ｔ₁の
上側に他のパターンが無く、実パターン５ｔ₁の幅が片
側孤立配線の最小加工寸法未満である。すなわち、上記
第４の規則に反する。

【００７０】第９のエラーＥ₉は、実パターン５ｔ₁₀の
下側に他のパターンが無く、実パターン５ｔ₁₀の幅が片
側孤立配線の最小加工寸法未満である。すなわち、上記
第４の規則に反する。

【００７１】次いで、このようなマスクパターンＭＰを
例として、本実施例１の位相シフトマスクのマスクパタ
ーンの検証方法を、図１の工程１００〜工程１０６に沿
って、図３〜図１３によって説明する。

【００７２】なお、位相シフトマスクのマスクパターン
のデータ作成技術については、武隈（Ｔａｋｅｋｕｍ
ａ）等の日本特願平３−１１７３５５号（１９９１年５
月２２日出願）に示されているので、それをもって本願
の記載の一部とする。

【００７３】まず、図４に示すように、上記したマスク
パターンＭＰを、実パターン５ｔ₁〜５ｔ₁₀のデータの
みを有する実パターンデータ層と、シフタパターン５ｓ
₁〜５ｓ₄のデータのみを有するシフタパターンデータ
層とに分離する（工程１００）。

【００７４】続いて、本実施例１においては、例えば同
位相パターンの間隔を検証する（検証１，２）。

【００７５】検証１においては、例えば図３のマスクパ
ターンＭＰの実パターン５ｔ₁〜５ｔ₁₀うち、シフタパ
ターン５ｓ₁〜５ｓ₄が配置されているシフタパターン
付きの実パターン５ｔ₂,５ｔ₄,５ｔ₆,５ｔ₉の各々の間
隔を検証する。

【００７６】ここで、シフタパターン付きの実パターン
５ｔ₂,５ｔ₄,５ｔ₆,５ｔ₉は、シフタパターン５ｓ₁〜
５ｓ₄と一致しているので、シフタパターン付きの実パ
ターン５ｔ₂,５ｔ₄,５ｔ₆,５ｔ₉の各々の間隔を検証す
るには、シフタパターン５ｓ₁〜５ｓ₄の各々の間隔を
検証すれば良い。図５に、シフタパターン５ｓ₁〜５ｓ
₄を示す。

【００７７】そして、このようなシフタパターン５ｓ₁
〜５ｓ₄の各々の間隔が、同位相パターンの間隔の規
則、すなわち、上記第１の規則に反しないかを検証する
（工程１０１）。これにより、シフタパターン５Ｓ₂,５
Ｓ₃の間隔の一部に、同位相パターンの最小間隔未満の
箇所、すなわち、上記エラーＥ₂を見い出すことができ
る。ここで、作業者は、そのエラーＥ₂を修正し、修正
後のマスクパターンのデータを検証用マスクパターンデ
ータ領域３ｂ₃（図２参照）に記憶するも可能である。

【００７８】検証２においては、例えば図３のマスクパ
ターンＭＰの実パターン５ｔ₁〜５ｔ₁₀のうち、シフタ
パターン５ｓ₁〜５ｓ₄が配置されていないシフタパタ
ーン無しの実パターン５ｔ₁,５ｔ₃,５ｔ₅,５ｔ₇,５ｔ₈,
５ｔ₁₀の各々の間隔を検証する。

【００７９】ここでは、まず、図６に示すように、全て
の実パターン５ｔ₁〜５ｔ₁₀からシフタパターン付きの
実パターン５ｔ₂,５ｔ₄,５ｔ₆,５ｔ₉を取り除いて、シ
フタパターン無しの実パターン５ｔ₁,５ｔ₃,５ｔ₅,５ｔ
₇,５ｔ₈,５ｔ₁₀を抽出する（工程１０２ａ）。図７に、
シフタパターン無しの実パターン５ｔ₁,５ｔ₃,５ｔ₅,５
ｔ₇,５ｔ₈,５ｔ₁₀を示す。

【００８０】そして、このようなシフタパターン無しの
実パターン５ｔ₁,５ｔ₃,５ｔ₅,５ｔ₇,５ｔ₈,５ｔ₁₀の各
々の間隔が、同位相パターンの最小間隔の規則、すなわ
ち、第１の規則に反しないかを検証する（工程１０２
ｂ）。

【００８１】これにより、実パターン５ｔ₇,５ｔ₈の間
隔において、同位相パターンの最小間隔未満の箇所、す
なわち、上記エラーＥ₄を見い出すことができる。ここ
で、作業者は、そのエラーＥ₄を修正し、修正後のマス
クパターンのデータを検証用マスクパターンデータ領域
３ｂ₃（図２参照）に記憶するも可能である。

【００８２】検証２の後、本実施例１においては、例え
ば異位相パターンの間隔を検証する（検証３）。

【００８３】検証３においては、例えば図８に示すよう
に、上述のようにして抽出されたシフタパターン無しの
実パターン５ｔ₁,５ｔ₃,５ｔ₅,５ｔ₇,５ｔ₈,５ｔ₁₀と、
シフタパターン５ｓ₁〜５ｓ₄とを合成して第１検証用
パターンＶＰ₁を作成する。

【００８４】図９に、第１検証用パターンＶＰ₁を示
す。

【００８５】そして、このような第１検証用パターンＶ
Ｐ₁の各々のパターンの間隔が、異位相パターンの最小
間隔の規則、すなわち、第２の規則に反しないかを検証
する（工程１０３）。

【００８６】これにより、実パターン５ｔ₈と、シフタ
パターン５ｓ₄との間隔および実パターン５ｔ₁₀と、シ
フタパターン５ｓ₄との間隔が、異位相パターンの規定
間隔でない、すなわち、上記エラーＥ₆,Ｅ₇を見い出す
ことができる。ここで、作業者は、そのエラーＥ₆,Ｅ₇
を修正し、修正後のマスクパターンのデータを検証用マ
スクパターンデータ領域３ｂ₃（図２参照）に記憶する
ことも可能である。

【００８７】なお、第１検証用パターンＶＰ₁は、マス
クパターンの検証のために仮に形成されたパターンであ
る。

【００８８】検証３の後、本実施例１においては、例え
ばパターンの幅を検証する（検証４）。

【００８９】検証４においては、例えば図１０に示すよ
うに、マスクパターンＭＰの各パターンが、配線パター
ンの幅の最小加工寸法の規則、すなわち、上記第３の規
則に反しないかを検証する（工程１０４）。

【００９０】これにより、エラーパターンとして、パタ
ーンの幅が最小加工寸法未満である実パターン５ｔ₁、
すなわち、エラーＥ₁を見い出すことができる。ここ
で、作業者は、そのエラーＥ₁を修正し、修正後のマス
クパターンのデータを検証用マスクパターンデータ領域
３ｂ₃（図２参照）に記憶することも可能である。

【００９１】検証４の後、本実施例１においては、例え
ば相互に関係するパターン間隔と幅とを検証する（検証
５）。

【００９２】検証５においては、図６に示した全ての実
パターン５ｔ₁〜５ｔ₁₀からシフタパターン付きの実パ
ターン５ｔ₂,５ｔ₄,５ｔ₆,５ｔ₉を取り除いて、シフタ
パターン無しの実パターン５ｔ₁,５ｔ₃,５ｔ₅,５ｔ₈,５
ｔ₁₀を作成し、これらのパターンに基づいて、図１１に
示す第２検証用パターンＶＰ₂を作成する。

【００９３】続いて、片側孤立配線および両側孤立配線
の最小線幅の規則を満足する配線と、同位相パターンお
よび異位相パターンの場合のそれぞれの最小線幅の規則
を満足するパターンとを抽出する（工程１０５ａ，１０
５ｂ）。

【００９４】その後、図１２に示すように、第２検証用
パターンＶＰ₂からそれらの規則を満足するパターンを
取り除いて、エラーパターンを抽出する。

【００９５】これにより、エラーＥ₁〜Ｅ₉を見い出す
ことができる。ここで、作業者は、そのエラーＥ₁〜Ｅ
₉を修正し、修正後のマスクパターンのデータを検証用
マスクパターンデータ領域３ｂ₃（図２参照）に記憶す
ることも可能である。

【００９６】ただし、本実施例１においては、検証５に
際して、規則を満足するパターンを抽出した後、第２検
証用パターンＶＰ₂からその規則を満足するパターンを
取り除き、エラーパターンを抽出したが、直接、エラー
パターンを抽出することも可能である。

【００９７】最後に、本実施例１においては、実パター
ンと、シフタパターンとの重なり等について検証する
（検証６）。これを図１３に示すマスクパターンＭＰを
用いて説明する。

【００９８】図１３は、検証６を説明するために、実パ
ターン５ｔ₂に配置されたシフタパターン５ｓ₅に欠け
がマスクパターンＭＰを示している。

【００９９】検証６においては、図１３に示すマスクパ
ターンＭＰに対して、実パターン５ｔ₁〜５ｔ₁₀と、そ
れに対応するシフタパターン５ｓ₂〜５ｓ₅とが正確に
重なっているか、例えば単独のシフタパターンがない
か、シフタパターンに欠けはないか、実パターンとシフ
タパターンとが交差していないか、また、シフタパター
ンが実パターン内に包含されていないか等、上記第６の
規則に反していないかの検証を行う（工程１０６）。

【０１００】これにより、本来、実パターン５ｔ₂の全
体に重ならなければならないシフタパターン５ｓ₅が、
実パターン５ｔ₂の一部にしか重なっていない、エラー
Ｅ₁₀を見い出すことができる。ここで、作業者は、その
エラーＥ₁₀を修正し、修正後のマスクパターンのデータ
を検証用マスクパターンデータ領域３ｂ₃（図２参照）
に記憶することも可能である。

【０１０１】以上のような検証１〜検証４の工程１００
〜工程１０６を経て、位相シフトマスクの正しいマスク
パターンのデータを作成し、そのデータを上記した図２
の検証後マスクパターンデータ領域３ｂ₃に記憶する。

【０１０２】その後、その正しいマスクパターンのデー
タを、実パターンのデータおよびシフタパターンのデー
タに分けて、そのうちの実パターンのデータに基づいて
遮光パターンの描画データを作成し、シフタパターンの
データに基づいてシフタの描画データを作成する。

【０１０３】ここで、描画データとは、マスク基板上に
遮光パターンまたはシフタパターンを形成するために用
いる描画装置で用いるパターン描画用のデータである。

【０１０４】次に、本実施例１の位相シフトマスクにつ
いて説明する。図１４に、本実施例１の位相シフトマス
ク６の要部断面図を示す。同図において、７は合成石英
ガラス等からなるマスク基板、８ａ〜８ｄはクロム（Ｃ
ｒ）等からなる遮蔽膜、９ａおよび９ｂは位相シフト膜
またはシフタ、１０はマスク基板露出部または非シフト
光透過部である。なお、基板露出部といっても、必ずし
も石英ガラス基板そのものが露出しているとは限らず、
上記基板そのものが基板本体となる石英ガラス基板とそ
の表面に形成された薄い透明膜とから構成されていても
良い。

【０１０５】上記位相シフト膜９ａ，９ｂは、透明材質
の屈折率と透過光の波長によって決まる透明材質の厚さ
（シフタ開口中央部での厚さ）を指定したものであり、
ＳＯＧ（Spin On Glass)、酸化インジューム（Ｉｎ
Ｏ_X) 等からなる透明な薄膜である。

【０１０６】次に、上記位相シフトマスク６の作成方法
を図１５の工程１００〜工程１１９に沿って説明する。

【０１０７】まず、合成石英ガラス板の表面を研磨、洗
浄して図１４に示したマスク基板７を作成した後（工程
１００）、その主面上の全面に、例えば0.０５〜0.３μ
ｍ程度のクロム（Ｃｒ）からなる金属遮光膜（図示せ
ず）をスパッタリング法等によって堆積する（工程１０
１）。

【０１０８】続いて、その金属遮光膜上の全面に、例え
ば膜厚0.１〜0.８μｍの感電子レジスト膜（図示せず）
をスピンコート法等によって塗布した後（工程１０
２）、そのレジスト膜を、例えば電子線露光装置による
直接描画法によって露光し、金属膜上の感電子レジスト
膜に所望の半導体集積回路パターンを転写する。

【０１０９】この電子線直接描画処理に際しては、上記
マスクパターンのデータ作成方法によって作成され、か
つ、パターンデータ作成装置１の検証後マスクパターン
データ領域３ｂ₄に格納された正しいマスクパターンデ
ータのうちの実パターンのデータに基づいて作成された
描画データに従って、電子線をマスク基板７の指定位置
に照射し、上記感電子レジスト膜上に指定形状の半導体
集積回路パターンを転写する。

【０１１０】その後、上記感電子レジスト膜がポジ型の
場合は、露光部分を所定の現像液によって除去した後
（工程１０４）、残された感電子レジスト膜をエッチン
グマスクとして上記金属遮光膜をウエットエッチング法
等によってエッチングし、所定形状の遮光パターンをマ
スク基板７上に形成する（工程１０５）。

【０１１１】一方、上記感電子レジスト膜がネガ型の場
合は、未露光部分を所定の現像液によって除去した後
（工程１０４）、残された感電子レジスト膜をエッチン
グマスクとして上記金属遮光膜をウエットエッチング法
等によってエッチングし、所定形状のパターンをマスク
基板７上に形成する（工程１０５）。これにより、マス
ク基板７上に所定形状の遮光領域と透過領域とを形成す
る。

【０１１２】次いで、レジスト膜除去工程１０６、遮光
膜欠け修正工程１０７、遮光膜残り修正工程１０８およ
びマスク洗浄工程１０９を経た後、マスク基板７上に透
過光の位相をシフトさせる、例えばＳＯＧ等からなる位
相シフト膜をスピンコート法等によって堆積する（工程
１１０）。

【０１１３】ここで、ＳＯＧは、上記マスク基板７上に
塗布した後、高温ベークする。その際、光の位相を反転
させるには、位相シフト膜の厚さｄは、透過光の波長を
λ、透明膜の屈折率をｎとすると、ｄ＝λ／２（ｎ−
１）の関係を満たすようにする。

【０１１４】例えば露光に用いる光の波長λを0.３６５
μｍ（ｉ線）、位相シフト膜の屈折率ｎを、例えば1.５
とすると、位相シフト膜の厚さは、約0.３７μｍとすれ
ば良い。

【０１１５】続いて、位相シフト膜上に、例えば厚さが
0.０５μｍのアルミニウム（Ａｌ）からなる帯電防止膜
をスパッタリング法等によって堆積した後（工程１１
１）、位相シフト膜をパターニングするための感電子レ
ジスト膜を帯電防止膜上に塗布する（工程１１２）。

【０１１６】その後、そのレジスト膜を、上記と同様
に、電子線露光装置による直接描画法等によって露光
し、感電子レジスト膜に所望のシフタパターンを転写す
る（工程１１３）。

【０１１７】この電子線直接描画処理に際しては、上記
パターンデータ作成装置１の検証後マスクパターンデー
タ領域３ｂ₄に格納された正しいマスクパターンデータ
のうちのシフタパターンに基づいて作成された描画デー
タに従って、電子線をマスク基板７の指定位置に照射
し、感電子レジスト膜上に指定形状のシフタパターンを
転写する。

【０１１８】その後、現像工程１１４、現像処理によっ
て形成されたレジストパターンをエッチングマスクとし
て上記位相シフト膜をエッチングするエッチング工程１
１５、レジスト膜の除去工程１１６、シフタ欠け修正工
程１１７、シフタ残り修正工程１１８およびマスク洗浄
工程１１９を経て位相シフトマスク６を作成する。

【０１１９】次に、本実施例１の位相シフトマスク６を
用いた露光技術について説明する。

【０１２０】まず、図１６に、本実施例１の露光工程で
使用する縮小投影露光装置１１を示す。この露光に適用
可能なレンズ式ステップアンドリピート方式ｉ線５：１
縮小投影露光装置としては、例えば日本光学（Ｎｉｋｏ
ｎ）のｉ線ステッパＮＲＳ−１７５５ｉ７Ａ（ＮＡ＝0.
５、露光エリア＝１7.５mm角）がある。

【０１２１】同図において、１２は、例えば５〜８イン
チのシリコン（Ｓｉ）単結晶等からなる半導体ウエハ、
１３は露光光源である高圧水銀ランプ、１４は集光ミラ
ー、１５は第１平面反射鏡、１６はシャッタ、１７はフ
ライアイレンズ、１８はコヒーレンスファクタσ（本実
施例１では、σ＝0.５で使用した。）を調整するための
アパーチャ、１９はｉ線（３６５nm）の場合にｉ線より
も短波長の遠紫外をカットするためのショートカットフ
ィルタ、２０は第２平面反射鏡、２１は転写領域の範囲
を決めるためのマスクブラインド、２２はケーラー（Ｋ
ｏｅｈｌｅｒ）正面を形成するためのコンデンサレン
ズ、２３は位相シフトマスク６を保持して少なくともＺ
軸方向に微動可能なマスクホルダ、２４は一般に多数の
レンズ群からなる縮小投影レンズであり、上記例示した
縮小投影露光装置１１では上記半導体ウエハ１２側がテ
レセントリックに構成されている。なお、位相シフトマ
スク６側もテレセントリックに構成することもできる。
２５は、半導体ウエハ７を吸着するウエハ吸着台、２６
はＺ軸移動台（高さ方向）、２７はＸ軸移動台（水平横
方向）、２８はＹ軸移動台（水平前後方向）であり、上
記Ｘ軸移動台２７とともにＸＹステージを構成する。

【０１２２】露光処理に際しては、高圧水銀ランプ１３
から放射された光を、第１平面反射鏡１５、シャッタ１
６、フライアイレンズ１７、アパーチャ１８、ショート
カットフィルタ１９、第２平面反射鏡２０、マスクブラ
インド２１、コンデンサレンズ２２、位相シフトマスク
６および縮小投影レンズ２４を介して、半導体ウエハ１
２の表面に照射する。

【０１２３】これによって、半導体ウエハ１２上に塗布
されたフォトレジスト膜に、例えば0.３５μｍの微細な
配線パターンを有する所定の半導体集積回路パターンを
転写することが可能となる。

【０１２４】なお、上記位相シフトマスクの露光技術に
ついては、日本特願平３−１７０９４６号（１９９１年
７月１１日出願）に示されているので、それをもって本
願の記載の一部とする。

【０１２５】以上、本実施例１によれば、位相シフトマ
スク６のマスクパターンのデータ作成に際して、上記検
証１〜検証６を行うことにより、位相シフトマスク６の
マスクパターンのデータを検証および修正することがで
き、位相シフトマスクの正しいマスクパターンのデータ
を作成することが可能となる。

【０１２６】そして、この位相シフトマスクを用いて、
半導体ウエハの表面上のフォトレジスト膜に露光処理を
行うことにより、例えば0.３５μｍの微細な配線パター
ンを有する信頼性の高い半導体集積回路装置を製造する
ことが可能となる。

【０１２７】

【実施例２】図１７および図１８は本発明の他の実施例
である位相シフトマスクのマスクパターンの検証工程を
説明する工程図、図１９は本実施例２の検証工程におい
て用いる複数の接続穴パターン用セルの平面図、図２０
はマスクパターン例の平面図、図２１はマスクパターン
の分離工程の説明図、図２２は孤立パターンの抽出工程
の説明図、図２３は図１９の接続穴用セルを用いて作成
した検証用セルの平面図、図２４は図２３の検証用セル
の作成方法の説明図、図２５は図２０のマスクパターン
を検証用セルで置き換えたパターンの平面図、図２６は
隣接する検証用セルのうち重なるセルを抽出したパター
ンの平面図である。

【０１２８】本実施例２においては、位相シフト法を用
いる接続穴パターン（以下、単に穴パターンという）の
データ作成方法を図１７〜図２６によって説明する。

【０１２９】ここで、穴パターンとは、半導体集積回路
装置において異なる配線層間および半導体ウエハと配線
層との間を接続する接続穴のパターンを、半導体ウエハ
上に塗布されたフォトレジスト膜に転写するためのマス
ク基板上に形成されたマスクパターンのことである。

【０１３０】ところで、位相シフト法を用いる穴パター
ンのレイアウトにおいては、例えば以下の第１〜第９の
規則が守られていなければならない。

【０１３１】第１の規則は、次の通りである。すなわ
ち、穴パターンを構成する実パターンの寸法が設計値通
りでなければならない。

【０１３２】第２の規則は、次の通りである。すなわ
ち、穴パターンを構成する補助パターンの寸法が設計値
通りでなければならない。ここで、補助パターンとは、
半導体ウエハ上には転写されないが、半導体ウエハ上に
所定のパターンを形成する上で必要なマスク基板上のパ
ターンを作成するためのレイアウトパターンである。

【０１３３】第３の規則は、次の通りである。すなわ
ち、補助パターンの長辺が実パターンの辺と向かい合っ
ていなければならない。

【０１３４】第４の規則は、次の通りである。すなわ
ち、孤立実パターン、孤立補助パターンおよび孤立シフ
タパターンは存在してはならない。

【０１３５】ここで、孤立実パターンとは、実パターン
のみで形成され、これだけでは所望する径の穴パターン
を転写することができないパターンである。孤立補助パ
ターンとは、補助パターンのみで形成され、これだけで
は穴パターンを転写することができないパターンであ
る。また、孤立シフタパターンとは、シフタパターンの
みで形成されているパターンである。

【０１３６】第５の規則は、次の通りである。すなわ
ち、実パターンと、それに対応する補助パターンとの相
対的な位置がずれてはならない。

【０１３７】第６の規則は、次の通りである。すなわ
ち、異なる穴パターンを構成する各々の実パターンが最
小間隔で並ぶ場合は、各々の実パターンの相対的な位置
がずれてはならない。

【０１３８】第７の規則は、次の通りである。すなわ
ち、実パターンと、補助パターンとの最小間隔が設計値
通りでなければならない。

【０１３９】第８の規則は、次の通りである。すなわ
ち、実パターンの四辺近傍には、必ず実パターンを透過
した光に対して、透過した光の位相が異なるパターンが
存在しなければならない。

【０１４０】第９の規則は、次の通りである。すなわ
ち、異なる実パターンが隣接する場合、これらの実パタ
ーン間の間隔および異なる穴パターンが隣接する場合の
補助パターン間の間隔が設計値通りでなければならな
い。

【０１４１】そこで、本実施例２においては、以上のよ
うな規則を満足する穴パターンのマスクパターンデータ
を作成するために、次のようにする。

【０１４２】まず、本実施例２においては、図１９に示
すような穴パターン用セル（以下、単に穴用セルとい
う）Ｃ₁〜Ｃ₁₄を用意する。

【０１４３】図１９の穴用セルＣ₁は、中央にレイアウ
トされた四角形状の実パターンＴ₁と、実パターンＴ₁
の四辺近傍にそれぞれ配置された四角形状の補助パター
ンＡ₁〜Ａ₄と、補助パターンＡ₁〜Ａ₄上にそれぞれ
配置された斜線で示すシフタパターンＳ₁〜Ｓ₄とから
構成されている。

【０１４４】穴用セルＣ₂は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ₂と、実パターンＴ₂上に配置された
斜線で示すシフタパターンＳ₅と、実パターンＴ₂の四
辺近傍にそれぞれ配置された補助パターンＡ₅〜Ａ₈と
から構成されている。

【０１４５】穴用セルＣ₃は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ₃と、図１９において実パターンＴ₃
の左辺および上下の辺の近傍にそれぞれ配置された四角
形状の補助パターンＡ₉〜Ａ₁₁と、補助パターンＡ₉〜
Ａ₁₁上にそれぞれ配置された斜線で示すシフタパターン
Ｓ₆〜Ｓ₈とから構成されている。

【０１４６】穴用セルＣ₄は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ₄と、実パターンＴ₄上に配置された
斜線で示すシフタパターンＳ₉と、図１９において実パ
ターンＴ₄の左辺および上下の辺の近傍にそれぞれ配置
された四角形状の補助パターンＡ₁₂〜Ａ₁₄とから構成さ
れている。

【０１４７】穴用セルＣ₅は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ₅と、図１９において実パターンＴ₅
の右辺および上下の辺の近傍にそれぞれ配置された四角
形状の補助パターンＡ₁₅〜Ａ₁₇と、補助パターンＡ₁₅〜
Ａ₁₇上にそれぞれ配置された斜線で示すシフタパターン
Ｓ₁₀〜Ｓ₁₂とから構成されている。

【０１４８】穴用セルＣ₆は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ₆と、実パターンＴ₆上に配置された
斜線で示すシフタパターンＳ₁₃と、図１９において実パ
ターンＴ₆の右辺および上下の辺の近傍にそれぞれ配置
された四角形状の補助パターンＡ₁₈〜Ａ₂₀とから構成さ
れている。

【０１４９】穴用セルＣ₇は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ₇と、図１９において実パターンＴ₇
の左右の辺および下辺の近傍に配置された四角形状の補
助パターンＡ₂₁〜Ａ₂₃と、補助パターンＡ₂₁〜Ａ₂₃上に
配置された斜線で示すシフタパターンＳ₁₄〜Ｓ₁₆とから
構成されている。

【０１５０】穴用セルＣ₈は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ₈と、実パターンＴ₈上に配置された
斜線で示すシフタパターンＳ₁₇と、図１９において実パ
ターンＴ₈の左右の辺および下辺の近傍に配置された四
角形状の補助パターンＡ₂₄〜Ａ₂₆とから構成されてい
る。

【０１５１】穴用セルＣ₉は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ₉と、図１９において実パターンＴ₉
の左右の辺および上辺の近傍に配置された四角形状の補
助パターンＡ₂₇〜Ａ₂₉と、補助パターンＡ₂₇〜Ａ₂₉上に
それぞれ配置された斜線で示すシフタパターンＳ₁₈〜Ｓ
₂₀とから構成されている。

【０１５２】穴用セルＣ₁₀は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ₁₀と、実パターンＴ₁₀上に配置された
斜線で示すシフタパターンＳ₂₁と、図１９において実パ
ターンＴ₁₀の左右の辺および上辺の近傍に配置された四
角形状の補助パターンＡ₃₀〜Ａ₃₂とから構成されてい
る。

【０１５３】穴用セルＣ₁₁は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ₁₁と、図１９において実パターンＴ₁₁
の上下の辺の近傍に配置された四角形状の補助パターン
Ａ₃₃，Ａ₃₄と、補助パターンＡ₃₃，Ａ₃₄上にそれぞれ配
置されたシフタパターンＳ₂₂，Ｓ₂₃とから構成されてい
る。

【０１５４】穴用セルＣ₁₂は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ₁₂と、実パターンＴ₁₂上に配置された
シフタパターンＳ₂₄と、図１９において実パターンＴ₁₂
の上下の辺の近傍に配置された四角形状の補助パターン
Ａ₃₅，Ａ₃₆とから構成されている。

【０１５５】穴用セルＣ₁₃は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ₁₃と、図１９において実パターンＴ₁₃
の左右の辺の近傍に配置された四角形状の補助パターン
Ａ₃₇，Ａ₃₈と、補助パターンＡ₃₇，Ａ₃₈上に配置された
シフタパターンＳ₂₅，Ｓ₂₆とから構成されている。

【０１５６】穴用セルＣ₁₄は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ₁₄と、実パターンＴ₁₄上に配置された
シフタパターンＳ₂₇と、図１９において実パターンＴ₁₄
の左右の辺の近傍に配置された四角形状の補助パターン
Ａ₃₉，Ａ₄₀とから構成されている。

【０１５７】なお、穴用セルＣ₁〜Ｃ₁₄を構成する実パ
ターンＴ₁〜Ｔ₁₄、補助パターンＡ₁〜Ａ₄₀およびシフ
タパターンＳ₁〜Ｓ₂₇は、寸法、位置関係等のデータ
が、正しく設定されている。

【０１５８】続いて、本実施例２の図１７に示す検証１
においては、次のようにする。まず、位相シフト法を用
いる全ての穴パターンを、上記穴用セルＣ₁〜Ｃ₁₄を用
いてレイアウト平面にレイアウトし（工程１００）、例
えば図２０に示すようなマスクパターンＭＰを作成す
る。ただし、穴用セルＣ₁〜Ｃ₁₄を用いないで個々の穴
パターンを形成する場合もある。

【０１５９】マスクパターンＭＰは、穴パターン２９ａ
〜２９ｏと、孤立補助パターン３０と、孤立実パターン
３１とを有している。

【０１６０】穴パターン２９ａ，２９ｉ，２９ｊ，２９
ｎ，２９ｏは、図１９の穴用セルＣ₁を用いてレイアウ
トされたパターンである。穴パターン２９ｂ，２９ｆ，
２９ｋは、図１９の穴用セルＣ₃を用いてレイアウトさ
れたパターンである。穴パターン２９ｃ，２９ｄ，２９
ｇ，２９ｌは、図１９の穴用セルＣ₁₂を用いてレイアウ
トされたパターンである。穴パターン２９ｅ，２９ｈ，
２９ｍは、図１９の穴用セルＣ₅を用いてレイアウトさ
れたパターンである。

【０１６１】そして、図２０には、本実施例２のマスク
パターンのデータ検証方法を説明するために、例えば次
のようなエラーＥ₁〜Ｅ₅が含まれている。

【０１６２】第１のエラーＥ₁は、孤立補助パターン３
０および孤立実パターン３１が存在することである。

【０１６３】第２のエラーＥ₂は、透過する光の位相が
同一である穴パターン２９ｃ，２９ｄ同士が近接した状
態で配置されていることである。

【０１６４】第３のエラーＥ₃は、穴パターン２９ｇの
位置が隣接する他の穴パターン２９ｆ，２９ｈの位置と
比較して図２０の下方にずれていることである。

【０１６５】第４のエラーＥ₄は、穴パターン２９ｌ，
２９ｍが規定間隔よりも大きく、離れ過ぎている。

【０１６６】第５のエラーＥ₅は、穴パターン２９ｎ，
２９ｏが重なっている。

【０１６７】このようなマスクパターンは、図２１に示
すように、実パターンデータ層、補助パターンデータ層
およびシフタパターンデータ層に分離される。

【０１６８】実パターンデータ層は、実パターンＴ₁〜
Ｔ₁₄，３１のデータのみを有している。補助パターンデ
ータ層は、補助パターンＡ₁〜Ａ₄₀，３０のデータのみ
を有している。シフタパターンデータ層は、シフタパタ
ーンＳ₁〜Ｓ₂₇のデータのみを有している。

【０１６９】それぞれのパターンデータ層は、個々独立
して図形処理が可能であるとともに、パターンデータ層
同士の合成等、パターンデータ層間の図形処理も可能で
ある。

【０１７０】続いて、本実施例２の図１７に示す検証１
においては、図２２に示すように、マスクパターンＭＰ
のうち、穴用セルＣ₁〜Ｃ₁₄を用いて形成した穴パター
ン２９ａ〜２９ｏを空セルに置き換える（工程１０
１）。

【０１７１】ここで、空セルとは、パターンを持たな
い、セルの領域のみの情報を持ったセルである。本実施
例２においては、穴パターンの情報を持たないセルとし
ている。また、セルとは、マスクパターンをレイアウト
する時のパターンの基本単位をいい、１以上のレイアウ
トパターンから構成されている。セルを定義することに
より、同一のパターンを多数レイアウトするときにレイ
アウト時間を短縮できる。

【０１７２】そして、このような置き換え処理により、
穴用セル以外のパターン、すなわち、孤立補助パターン
３０や孤立実パターン３１等をレイアウト平面上に抽出
することができ、エラーＥ₁をチェックすることができ
る（工程１０２）。

【０１７３】ただし、マスクパターンの中に位相シフト
法を用いない、大径の穴パターンが混在する場合もあ
る。その場合には、上記置き換え工程１０２の後に、穴
パターンの径をチェックすることにより、エラーである
孤立実パターンか、エラーでない実パターンのみのパタ
ーンかを判定することができ、エラーである孤立実パタ
ーンのみを抽出することができる。

【０１７４】次に、本実施例２の図１８の検証２を工程
１００〜工程１０５に沿って図２０および図２３〜図２
６によって説明する。

【０１７５】まず、本実施例２においては、検証処理に
先立って、図２３に示すように、穴用セルＣ₁〜Ｃ₁₄を
用いて、検証用セルＶＣ₁〜ＶＣ₁₄を作成する。検証用
セルＶＣ₁〜ＶＣ₁₄は、レイアウトルールの検証を行う
ために、穴用セルＣ₁〜Ｃ₁₄と置換されたセルである。

【０１７６】検証用セルＶＣ₁〜ＶＣ₁₄のうち、破線で
示されているのは、穴用セルＣ₁〜Ｃ₁₄の実パターンに
シフタパターンが配置されているセルである。

【０１７７】また、検証用セルの所定の辺に付された四
角形状のマークｍは、その辺に補助パターンが存在しな
いことを示すマークである。そして、そのマークの付さ
れた検証用セルＶＣ₃〜ＶＣ₁₄のうち、実パターンにシ
フタパターンが配置されているものには、そのマークｍ
内に左斜線、実パターンにシフタパターンが配置されて
いないものには、そのマークｍ内に右斜線が記されてい
る。

【０１７８】このような検証用セルＶＣ₁〜ＶＣ₁₄は、
穴用セルＣ₁〜Ｃ₁₄の実パターンおよび補助パターンを
太らせたパターンを合成することによって作成されてい
る。

【０１７９】ここで、検証用セルＶＣ₁を例として、検
証用セルＣ₁〜Ｃ₁₄の作成方法を図２４によって説明す
る。

【０１８０】まず、穴用セルＣ₁の実パターンＴ₁と、
補助パターンＡ₁〜Ａ₄とを分離する。続いて、その実
パターンＴ₁と、補助パターンＡ₁〜Ａ₄を所定量太ら
せる処理を行い、それぞれパターンＶＴ，ＶＡを形成す
る。

【０１８１】この場合のパターンを太らせる量は、検証
セルＣ₁〜Ｃ₁₄のうちの隣接するセル間の間隔を判定で
きるように設定するものである。

【０１８２】本実施例２においては、実パターンＴ₁を
太らせる量は、例えば穴パターンの最小間隔の半分程度
である。また、補助パターンＡ₁〜Ａ₄を太らせる量
は、例えば補助パターンの最小間隔の半分程度である。

【０１８３】その後、パターンＶＴ，ＶＡを位置を合わ
せた状態で合成し、検証用セルＶＣ₁を作成する。

【０１８４】次いで、本実施例２の検証２においては、
まず、位相シフト法を用いる全ての穴パターンを、上記
穴用セルＣ₁〜Ｃ₁₄を用いてレイアウト平面にレイアウ
トし（図１８の工程１００）、例えば図２０に示したマ
スクパターンＭＰを作成する。

【０１８５】続いて、そのマスクパターンＭＰにおける
穴用セルＣ₁〜Ｃ₁₄を、上記検証用セルＶＣ₁〜ＶＣ₁₄
に置き換えて（図１８の工程１０１）、図２５に示すよ
うな第３検証用パターンＶＰ₃を作成する。第３検証用
パターンＶＰ₃は、検証用セル３２ａ〜３２ｏを有して
いる。

【０１８６】続いて、検証用セル３２ａ〜３２ｏの配置
位置、配置順序を検証する（工程１０２）。ここでは、
例えば全てのマークｍが右斜線の付されたマークと、左
斜線の付されたマークとで重なっていること、すなわ
ち、孤立右斜線のマークｍや孤立左斜線のマークｍが存
在しないことをチェックする。

【０１８７】ここで、検証用セル３２ｃ，３２ｄの間に
おいては、１つの孤立左斜線のマークｍが配置されてい
るので、誤りであることを判定することができ、エラー
Ｅ₂を見い出すことができる。

【０１８８】また、検証用セル３２ｆ，３２ｇ，３２ｈ
においても、孤立左斜線のマークｍおよび孤立右斜線の
マークｍが配置されているので、誤りであることを判定
することができ、エラーＥ₃を見い出すことができる。
しかも、この場合は、検証用セル３２ｆ，３２ｇ，３２
ｈの枠線の関係および孤立右斜線のマークｍと孤立左斜
線のマークｍとの位置関係から、検証用セル３２ｇの位
置が、検証用セル３２ｆ，３２ｈの位置よりも下方にず
れていると判定することができる。

【０１８９】さらに、検証用セル３２ｌ，３２ｍにおい
ても、孤立左斜線のマークｍおよび孤立右斜線のマーク
ｍが配置されているので、誤りであることを判定するこ
とができ、エラーＥ₄を見い出すことができる。しか
も、この場合は、孤立右斜線のマークｍと、孤立左斜線
のマークとの位置関係から、検証用セル３２ｌと検証用
セル３２ｍとが離れ過ぎていると判定することができ
る。

【０１９０】その後、検証用セル３２ａ〜３２ｏのう
ち、互いに重なり合っている検証用セル３２ｉ，３２ｊ
および検証用セル３２ｎ，３２ｏを抽出する（図１８の
工程１０３）。これにより抽出された第４検証用パター
ンＶＰ₄を図２６に示す。同図の斜線は重なりを示して
いる。

【０１９１】ここで、図２６に示す検証用パターンＶＰ
₄のうち、実線の検証用セル同士または破線の検証用セ
ル同士が重なる場合は正しく、実線の検証用セルと破線
の検証用セルとが重なる場合は誤りである。

【０１９２】続いて、第４検証用パターンＶＰ₄から実
パターン間に補助パターンが１つだけ介在されているパ
ターン、すなわち、孤立穴用セルが最小間隔で配置され
検証用セルで表示すると重なってしまうが正しいパター
ン、例えば図２０に示す穴用セル２９ｉ，２９ｊに当た
る検証用セル３２ｉ，３２ｊを抽出する（図１８の工程
１０４）。

【０１９３】その後、工程１０３によって抽出された第
４検証用パターンＶＰ₄から工程１０４によって抽出さ
れたパターンを削除する。これにより、誤った重なり方
をしている検証用セル３２ｎ，３２ｏが抽出され、エラ
ーＥ₅を見い出すことができる。

【０１９４】このように、本実施例２によれば、位相シ
フトマスクのマスクパターンのデータ作成に際して、上
記検証１，検証２を行うことによって、位相シフトマス
クのマスクパターンのデータを検証および修正すること
ができ、正しい位相シフトマスクのマスクパターンのデ
ータを作成することが可能となる。

【０１９５】そして、この位相シフトマスクを用いて、
半導体ウエハの表面上のフォトレジスト膜に所定のパタ
ーンを転写することにより、微細な穴パターンを有する
信頼性の高い半導体集積回路装置を製造することが可能
となる。

【０１９６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１，２に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【０１９７】例えば前記実施例２においては、穴用セル
から検証用セルを作成する際に、実パターンおよび補助
パターンを太らせる量を、それぞれ穴パターンの最小間
隔の半分および補助パターンの最小間隔の半分とした
が、これに限定されるものではなく、例えばそれより小
さくして検証用セル間の間隔を検証するようにしても良
い。

【０１９８】また、前記実施例においては、説明上、配
線パターンと穴パターンとで実施例を分けて説明した
が、位相シフト法を用いる配線パターンと穴パターンと
を有するマスクパターンに対しては、その配線パターン
とその穴パターンとで、それぞれ実施例１，２の異なる
検証を行うことにより、そのマスクパターンのデータを
検証することができる。

【０１９９】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
集積回路装置の製造方法に適用した場合について説明し
たが、これに限定されず種々適用可能であり、例えばフ
ォトマスクや液晶基板に所定のパターンを転写する際に
用いる位相シフトマスクの製造方法等のような他の位相
シフトマスクの製造方法に適用することも可能である。

【０２００】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【０２０１】すなわち、前記した手段によれば、位相シ
フトマスクのマスクパターンのデータを検証および修正
することができ、位相シフトマスクの正しいマスクパタ
ーンのデータを作成することが可能となる。

【０２０２】そして、その正しいマスクパターンのデー
タを用いて作成された位相シフトマスクを用いて、半導
体ウエハの表面上のフォトレジスト膜に所定の半導体集
積回路パターンを転写することにより、微細パターンを
有する信頼性の高い半導体集積回路装置を製造すること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である位相シフトマスクのマ
スクパターンの検証工程を説明する工程図である。

【図２】位相シフトマスクのマスクパターンのデータ作
成に用いるパターンデータ作成装置の説明図である。

【図３】マスクパターン例の平面図である。

【図４】図３のマスクパターンの分離工程の説明図であ
る。

【図５】図３のマスクパターンにおける検証中の位相シ
フトパターンの平面図である。

【図６】位相シフトパターンの配置されていない実パタ
ーンの抽出工程の説明図である。

【図７】位相シフトパターンの配置されていない実パタ
ーンの平面図である。

【図８】位相シフトパターンの配置されていない実パタ
ーンと位相シフトパターンとを合成して検証用パターン
を作成する工程の説明図である。

【図９】図８で説明した検証用パターンの平面図であ
る。

【図１０】図１の検証４によるエラーパターンの抽出工
程の説明図である。

【図１１】図１の検証５によるエラーパターンの抽出工
程の説明図である。

【図１２】図１の検証５によるエラーパターンの抽出工
程の説明図である。

【図１３】欠けのある位相シフトパターンが配置されて
いるマスクパターンの平面図である。

【図１４】位相シフトマスクの要部断面図である。

【図１５】図１４の位相シフトマスクの製造工程を説明
する工程図である。

【図１６】図１４の位相シフトマスクを用いる縮小投影
露光装置の説明図である。

【図１７】本発明の他の実施例である位相シフトマスク
のマスクパターンの検証工程を説明する工程図である。

【図１８】本発明の他の実施例である位相シフトマスク
のマスクパターンの検証工程を説明する工程図である。

【図１９】本実施例２の検証工程において用いる複数の
接続穴パターン用セルの平面図である。

【図２０】マスクパターン例の平面図である。

【図２１】マスクパターンの分離工程の説明図である。

【図２２】孤立パターンの抽出工程の説明図である。

【図２３】図１９の接続穴用セルを用いて作成した検証
用セルの平面図である。

【図２４】図２３の検証用セルの作成方法の説明図であ
る。

【図２５】図２０のマスクパターンを検証用セルで置き
換えたパターンの平面図である。

【図２６】隣接する検証用セルのうち重なるセルを抽出
したパターンの平面図である。

【符号の説明】

１パターンデータ作成装置２ワークステーションシステム２ａ入力装置２ｂワークステーション本体２ｃディスプレイ２ｄ外部記憶装置３大形計算機システム３ａ大形計算機本体３ｂ外部記憶装置３ｂ₁ 検証前マスクパターンデータ領域３ｂ₂ ルールチェックプログラム領域３ｂ₃ 検証中マスクパターンデータ領域３ｂ₄ 検証後マスクパターンデータ領域４ケーブル５ｔ₁ 実パターン５ｔ₂ 実パターン５ｔ₃ 実パターン５ｔ₄ 実パターン５ｔ₅ 実パターン５ｔ₆ 実パターン５ｔ₇ 実パターン５ｔ₈ 実パターン５ｔ₉ 実パターン５ｔ₁₀ 実パターン５ｓ₁ 位相シフトパターン５ｓ₂ 位相シフトパターン５ｓ₃ 位相シフトパターン５ｓ₄ 位相シフトパターン５ｓ₅ 位相シフトパターン６位相シフトマスク７マスク基板８ａ遮蔽膜８ｂ遮蔽膜８ｃ遮蔽膜８ｄ遮蔽膜９ａ位相シフト膜（シフタ）９ｂ位相シフト膜（非シフト光透過部）１０マスク基板露出部１１縮小投影露光装置１２半導体ウエハ１３高圧水銀ランプ１４集光ミラー１５第１平面反射板１６シャッタ１７フライアイレンズ１８アパーチャ１９ショートカットフィルタ２０第２平面反射板２１マスクブラインド２２コンデンサレンズ２３マスクホルダ２４縮小投影レンズ２５ウエハ吸着台２６Ｚ軸移動台２７Ｘ軸移動台２８Ｙ軸移動台２９ａ穴パターン２９ｂ穴パターン２９ｃ穴パターン２９ｄ穴パターン２９ｅ穴パターン２９ｆ穴パターン２９ｇ穴パターン２９ｈ穴パターン２９ｉ穴パターン２９ｊ穴パターン２９ｋ穴パターン２９ｌ穴パターン２９ｍ穴パターン２９ｎ穴パターン２９ｏ穴パターン３０孤立補助パターン３１孤立実パターン３２ａ検証用セル３２ｂ検証用セル３２ｃ検証用セル３２ｄ検証用セル３２ｅ検証用セル３２ｆ検証用セル３２ｇ検証用セル３２ｈ検証用セル３２ｉ検証用セル３２ｊ検証用セル３２ｋ検証用セル３２ｌ検証用セル３２ｍ検証用セル３２ｎ検証用セル３２ｏ検証用セルＭＰマスクパターンＶＰ₁ 第１検証用パターンＶＰ₂ 第２検証用パターンＶＰ₃ 第３検証用パターンＶＰ₄ 第４検証用パターンＣ₁ 穴パターン用セルＣ₂ 穴パターン用セルＣ₃ 穴パターン用セルＣ₄ 穴パターン用セルＣ₅ 穴パターン用セルＣ₆ 穴パターン用セルＣ₇ 穴パターン用セルＣ₈ 穴パターン用セルＣ₉ 穴パターン用セルＣ₁₀ 穴パターン用セルＣ₁₁ 穴パターン用セルＣ₁₂ 穴パターン用セルＣ₁₃ 穴パターン用セルＣ₁₄ 穴パターン用セルＴ₁ 実パターンＴ₂ 実パターンＴ₃ 実パターンＴ₄ 実パターンＴ₅ 実パターンＴ₆ 実パターンＴ₇ 実パターンＴ₈ 実パターンＴ₉ 実パターンＴ₁₀ 実パターンＴ₁₁ 実パターンＴ₁₂ 実パターンＴ₁₃ 実パターンＴ₁₄ 実パターンＳ₁ 位相シフトパターンＳ₂ 位相シフトパターンＳ₃ 位相シフトパターンＳ₄ 位相シフトパターンＳ₅ 位相シフトパターンＳ₆ 位相シフトパターンＳ₇ 位相シフトパターンＳ₈ 位相シフトパターンＳ₉ 位相シフトパターンＳ₁₀ 位相シフトパターンＳ₁₁ 位相シフトパターンＳ₁₂ 位相シフトパターンＳ₁₃ 位相シフトパターンＳ₁₄ 位相シフトパターンＳ₁₅ 位相シフトパターンＳ₁₆ 位相シフトパターンＳ₁₇ 位相シフトパターンＳ₁₈ 位相シフトパターンＳ₁₉ 位相シフトパターンＳ₂₀ 位相シフトパターンＳ₂₁ 位相シフトパターンＳ₂₂ 位相シフトパターンＳ₂₃ 位相シフトパターンＳ₂₄ 位相シフトパターンＳ₂₅ 位相シフトパターンＳ₂₆ 位相シフトパターンＳ₂₇ 位相シフトパターンＡ₁ 補助パターンＡ₂ 補助パターンＡ₃ 補助パターンＡ₄ 補助パターンＡ₅ 補助パターンＡ₆ 補助パターンＡ₇ 補助パターンＡ₈ 補助パターンＡ₉ 補助パターンＡ₁₀ 補助パターンＡ₁₁ 補助パターンＡ₁₂ 補助パターンＡ₁₃ 補助パターンＡ₁₄ 補助パターンＡ₁₅ 補助パターンＡ₁₆ 補助パターンＡ₁₇ 補助パターンＡ₁₈ 補助パターンＡ₁₉ 補助パターンＡ₂₀ 補助パターンＡ₂₁ 補助パターンＡ₂₂ 補助パターンＡ₂₃ 補助パターンＡ₂₄ 補助パターンＡ₂₅ 補助パターンＡ₂₆ 補助パターンＡ₂₇ 補助パターンＡ₂₈ 補助パターンＡ₂₉ 補助パターンＡ₃₀ 補助パターンＡ₃₁ 補助パターンＡ₃₂ 補助パターンＡ₃₃ 補助パターンＡ₃₄ 補助パターンＡ₃₅ 補助パターンＡ₃₆ 補助パターンＡ₃₇ 補助パターンＡ₃₈ 補助パターンＡ₃₉ 補助パターンＡ₄₀ 補助パターンＶＣ₁ 検証用セルＶＣ₂ 検証用セルＶＣ₃ 検証用セルＶＣ₄ 検証用セルＶＣ₅ 検証用セルＶＣ₆ 検証用セルＶＣ₇ 検証用セルＶＣ₈ 検証用セルＶＣ₉ 検証用セルＶＣ₁₀ 検証用セルＶＣ₁₁ 検証用セルＶＣ₁₂ 検証用セルＶＣ₁₃ 検証用セルＶＣ₁₄ 検証用セルＶＴパターンＶＡパターンＥ₁ エラーＥ₂ エラーＥ₃ エラーＥ₄ エラーＥ₅ エラーＥ₆ エラーＥ₇ エラーＥ₈ エラーＥ₉ エラーＥ₁₀ エラー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者井伊晴雄東京都小平市上水本町５丁目20番１号日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社内 (72)発明者伊藤和弥東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスク基板上に位相シフトパターンを有
する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成
する際に、前記マスクパターンのデータを実パターンの
データを有する実パターンデータ層および前記位相シフ
トパターンのデータを有する位相シフトパターンデータ
層に分離する工程と、前記位相シフトパターンのデータ
を用いて前記位相シフトパターンが配置されている位相
シフトパターン付きの実パターンのデータの良否を検証
する工程と、前記検証の結果が良となるまで検証および
修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパターンのデ
ータの作成工程によって作成された実パターンおよび位
相シフトパターンのデータに基づいて、それぞれ遮光パ
ターン描画データおよび位相シフトパターン描画データ
を作成する工程と、前記遮光パターン描画データに基づ
いて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成する工程
と、前記位相シフトパターン描画データに基づいて、前
記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する工程と
を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方
法。
【請求項２】マスク基板上に位相シフトパターンを有
する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成
する際に、前記マスクパターンのデータを実パターンの
データを有する実パターンデータ層および前記位相シフ
トパターンのデータを有する位相シフトパターンデータ
層に分離する工程と、前記位相シフトパターンのデータ
を用いて前記位相シフトパターンが配置されている位相
シフトパターン付きの実パターンのデータの良否を検証
する工程と、前記検証の結果が良となるまで検証および
修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパターンのデ
ータの作成工程によって作成された実パターンおよび位
相シフトパターンのデータに基づいて、それぞれ遮光パ
ターン描画データおよび位相シフトパターン描画データ
を作成する工程と、前記遮光パターン描画データに基づ
いて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成する工程
と、前記位相シフトパターン描画データに基づいて、前
記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する工程
と、前記遮光パターンおよび位相シフトパターンを有す
る位相シフトマスクを用いて半導体ウエハの表面上のレ
ジスト膜に対して所定の半導体集積回路パターンを転写
する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装
置の製造方法。
【請求項３】マスク基板上に位相シフトパターンを有
する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成
する際に、前記マスクパターンのデータを実パターンの
データを有する実パターンデータ層および前記位相シフ
トパターンのデータを有する位相シフトパターンデータ
層に分離する工程と、前記位相シフトパターンのデータ
を用いて前記マスクパターンのデータから位相シフトパ
ターンの配置されている位相シフトパターン付きの実パ
ターンを削除し、位相シフトパターンの配置されていな
い位相シフトパターン無しの実パターンのデータを作成
する工程と、前記位相シフトパターン無しの実パターン
のデータの良否を検証する工程と、前記検証の結果が良
となるまで検証および修正を繰り返す工程とを有し、前
記マスクパターンのデータの作成工程によって作成され
た実パターンおよび位相シフトパターンのデータに基づ
いて、それぞれ遮光パターン描画データおよび位相シフ
トパターン描画データを作成する工程と、前記遮光パタ
ーン描画データに基づいて、前記マスク基板上に遮光パ
ターンを形成する工程と、前記位相シフトパターン描画
データに基づいて、前記マスク基板上に位相シフトパタ
ーンを形成する工程とを有することを特徴とする位相シ
フトマスクの製造方法。
【請求項４】マスク基板上に位相シフトパターンを有
する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成
する際に、前記マスクパターンのデータを実パターンの
データを有する実パターンデータ層および前記位相シフ
トパターンのデータを有する位相シフトパターンデータ
層に分離する工程と、前記位相シフトパターンのデータ
を用いて前記マスクパターンのデータから位相シフトパ
ターンの配置されている位相シフトパターン付きの実パ
ターンを削除し、位相シフトパターンの配置されていな
い位相シフトパターン無しの実パターンのデータを作成
する工程と、前記位相シフトパターン無しの実パターン
のデータの良否を検証する工程と、前記検証の結果が良
となるまで検証および修正を繰り返す工程とを有し、前
記マスクパターンのデータの作成工程によって作成され
た実パターンおよび位相シフトパターンのデータに基づ
いて、それぞれ遮光パターン描画データおよび位相シフ
トパターン描画データを作成する工程と、前記遮光パタ
ーン描画データに基づいて、前記マスク基板上に遮光パ
ターンを形成する工程と、前記位相シフトパターン描画
データに基づいて、前記マスク基板上に位相シフトパタ
ーンを形成する工程と、前記遮光パターンおよび位相シ
フトパターンを有する位相シフトマスクを用いて半導体
ウエハの表面上のレジスト膜に対して所定の半導体集積
回路パターンを転写する工程とを有することを特徴とす
る半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】マスク基板上に位相シフトパターンを有
する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成
する際に、前記マスクパターンのデータを実パターンの
データを有する実パターンデータ層および前記位相シフ
トパターンのデータを有する位相シフトパターンデータ
層に分離する工程と、前記位相シフトパターンのデータ
を用いて、前記マスクパターンのデータから位相シフト
パターンの配置されている実パターンを削除し、位相シ
フトパターンの配置されていない位相シフトパターン無
しの実パターンを作成する工程と、前記位相シフトパタ
ーンおよび前記位相シフトパターン無しの実パターンを
用いて、前記位相シフトパターンの配置されている位相
シフトパターン付きの実パターンおよび前記位相シフト
パターン無しの実パターンの相互関係の良否を検証する
工程と、前記検証の結果が良となるまで検証および修正
を繰り返す工程とを有し、前記マスクパターンのデータ
の作成工程によって作成された実パターンおよび位相シ
フトパターンのデータに基づいて、それぞれ遮光パター
ン描画データおよび位相シフトパターン描画データを作
成する工程と、前記遮光パターン描画データに基づい
て、前記マスク基板上に遮光パターンを形成する工程
と、前記位相シフトパターン描画データに基づいて、前
記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する工程と
を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方
法。
【請求項６】マスク基板上に位相シフトパターンを有
する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成
する際に、前記マスクパターンのデータを実パターンの
データを有する実パターンデータ層および前記位相シフ
トパターンのデータを有する位相シフトパターンデータ
層に分離する工程と、前記位相シフトパターンのデータ
を用いて、前記マスクパターンのデータから位相シフト
パターンの配置されている実パターンを削除し、位相シ
フトパターンの配置されていない位相シフトパターン無
しの実パターンを作成する工程と、前記位相シフトパタ
ーンおよび前記位相シフトパターン無しの実パターンを
用いて、前記位相シフトパターンの配置されている位相
シフトパターン付きの実パターンおよび前記位相シフト
パターン無しの実パターンの相互関係の良否を検証する
工程と、前記検証の結果が良となるまで検証および修正
を繰り返す工程とを有し、前記マスクパターンのデータ
の作成工程によって作成された実パターンおよび位相シ
フトパターンのデータに基づいて、それぞれ遮光パター
ン描画データおよび位相シフトパターン描画データを作
成する工程と、前記遮光パターン描画データに基づい
て、前記マスク基板上に遮光パターンを形成する工程
と、前記位相シフトパターン描画データに基づいて、前
記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する工程
と、前記遮光パターンおよび位相シフトパターンを有す
る位相シフトマスクを用いて半導体ウエハの表面上のレ
ジスト膜に対して所定の半導体集積回路パターンを転写
する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装
置の製造方法。
【請求項７】マスク基板上に位相シフトパターンを有
する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成
する際に、前記マスクパターンのデータを実パターンの
データを有する実パターンデータ層および前記位相シフ
トパターンのデータを有する位相シフトパターンデータ
層に分離する工程と、前記位相シフトパターンのデータ
を用いて、前記マスクパターンのデータから位相シフト
パターンの配置されている実パターンを削除し、位相シ
フトパターンの配置されていない位相シフトパターン無
しの実パターンを作成する工程と、前記位相シフトパタ
ーンおよび前記位相シフトパターン無しの実パターンを
用いて、前記位相シフトパターンの配置されている位相
シフトパターン付きの実パターンと前記位相シフトパタ
ーン無しの実パターンとの間隔および幅が規定値に対し
て適合しているかを検証する工程と、前記検証の結果が
良となるまで検証および修正を繰り返す工程とを有し、
前記マスクパターンのデータの作成工程によって作成さ
れた実パターンおよび位相シフトパターンのデータに基
づいて、それぞれ遮光パターン描画データおよび位相シ
フトパターン描画データを作成する工程と、前記遮光パ
ターン描画データに基づいて、前記マスク基板上に遮光
パターンを形成する工程と、前記位相シフトパターン描
画データに基づいて、前記マスク基板上に位相シフトパ
ターンを形成する工程とを有することを特徴とする位相
シフトマスクの製造方法。
【請求項８】マスク基板上に位相シフトパターンを有
する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成
する際に、前記マスクパターンのデータを実パターンの
データを有する実パターンデータ層および前記位相シフ
トパターンのデータを有する位相シフトパターンデータ
層に分離する工程と、前記位相シフトパターンのデータ
を用いて、前記マスクパターンのデータから位相シフト
パターンの配置されている実パターンを削除し、位相シ
フトパターンの配置されていない位相シフトパターン無
しの実パターンを作成する工程と、前記位相シフトパタ
ーンおよび前記位相シフトパターン無しの実パターンを
用いて、前記位相シフトパターンの配置されている位相
シフトパターン付きの実パターンと前記位相シフトパタ
ーン無しの実パターンとの間隔および幅が規定値に対し
て適合しているかを検証する工程と、前記検証の結果が
良となるまで検証および修正を繰り返す工程とを有し、
前記マスクパターンのデータの作成工程によって作成さ
れた実パターンおよび位相シフトパターンのデータに基
づいて、それぞれ遮光パターン描画データおよび位相シ
フトパターン描画データを作成する工程と、前記遮光パ
ターン描画データに基づいて、前記マスク基板上に遮光
パターンを形成する工程と、前記位相シフトパターン描
画データに基づいて、前記マスク基板上に位相シフトパ
ターンを形成する工程と、前記遮光パターンおよび位相
シフトパターンを有する位相シフトマスクを用いて半導
体ウエハの表面上のレジスト膜に対して所定の半導体集
積回路パターンを転写する工程とを有することを特徴と
する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】マスク基板上に位相シフトパターンを有
する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成
する際に、前記マスクパターンのデータを実パターンの
データを有する実パターンデータ層および前記位相シフ
トパターンのデータを有する位相シフトパターンデータ
層に分離する工程と、前記位相シフトパターンが対応す
る実パターンと正確に一致しているか否かを検証する工
程と、前記検証の結果が一致するまで検証および修正を
繰り返す工程とを有し、前記マスクパターンのデータの
作成工程によって作成された実パターンおよび位相シフ
トパターンのデータに基づいて、それぞれ遮光パターン
描画データおよび位相シフトパターン描画データを作成
する工程と、前記遮光パターン描画データに基づいて、
前記マスク基板上に遮光パターンを形成する工程と、前
記位相シフトパターン描画データに基づいて、前記マス
ク基板上に位相シフトパターンを形成する工程とを有す
ることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１０】マスク基板上に位相シフトパターンを
有する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作
成する際に、前記マスクパターンのデータを実パターン
のデータを有する実パターンデータ層および前記位相シ
フトパターンのデータを有する位相シフトパターンデー
タ層に分離する工程と、前記位相シフトパターンが対応
する実パターンと正確に一致しているか否かを検証する
工程と、前記検証の結果が一致するまで検証および修正
を繰り返す工程とを有し、前記マスクパターンのデータ
の作成工程によって作成された実パターンおよび位相シ
フトパターンのデータに基づいて、それぞれ遮光パター
ン描画データおよび位相シフトパターン描画データを作
成する工程と、前記遮光パターン描画データに基づい
て、前記マスク基板上に遮光パターンを形成する工程
と、前記位相シフトパターン描画データに基づいて、前
記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する工程
と、前記遮光パターンおよび位相シフトパターンを有す
る位相シフトマスクを用いて半導体ウエハの表面上のレ
ジスト膜に対して所定の半導体集積回路パターンを転写
する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装
置の製造方法。
【請求項１１】マスク基板上に位相シフトパターンを
有する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作
成する際に、前記マスクパターンのデータを実パターン
のデータを有する実パターンデータ層、補助パターンの
データを有する補助パターンデータ層および位相シフト
パターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層
に分離する工程と、予め用意されている穴パターン用セ
ルを用いて穴パターンのデータを作成する工程と、前記
穴パターンを構成する穴パターン用セルを穴パターンデ
ータのない空セルに置き換える工程と、その置き換え工
程後に残ったパターンの有無および良否を検証する工程
と、前記検証の結果が良となるまで検証および修正を繰
り返す工程とを有し、前記マスクパターンのデータの作
成工程によって作成された実パターンおよび補助パター
ンのデータに基づいて遮光パターン描画データを作成す
る工程と、前記マスクパターンのデータの作成工程によ
って作成された位相シフトパターンのデータに基づいて
位相シフトパターン描画データを作成する工程と、前記
遮光パターン描画データに基づいて、前記マスク基板上
に遮光パターンを形成する工程と、前記位相シフトパタ
ーン描画データに基づいて、前記マスク基板上に位相シ
フトパターンを形成する工程とを有することを特徴とす
る位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１２】マスク基板上に位相シフトパターンを
有する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作
成する際に、前記マスクパターンのデータを実パターン
のデータを有する実パターンデータ層、補助パターンの
データを有する補助パターンデータ層および位相シフト
パターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層
に分離する工程と、予め用意されている穴パターン用セ
ルを用いて穴パターンのデータを作成する工程と、前記
穴パターンを構成する穴パターン用セルを穴パターンデ
ータのない空セルに置き換える工程と、その置き換え工
程後に残ったパターンの有無および良否を検証する工程
と、前記検証の結果が良となるまで検証および修正を繰
り返す工程とを有し、前記マスクパターンのデータの作
成工程によって作成された実パターンおよび補助パター
ンのデータに基づいて遮光パターン描画データを作成す
る工程と、前記マスクパターンのデータの作成工程によ
って作成された位相シフトパターンのデータに基づいて
位相シフトパターン描画データを作成する工程と、前記
遮光パターン描画データに基づいて、前記マスク基板上
に遮光パターンを形成する工程と、前記位相シフトパタ
ーン描画データに基づいて、前記マスク基板上に位相シ
フトパターンを形成する工程と、前記遮光パターンおよ
び位相シフトパターンを有する位相シフトマスクを用い
て半導体ウエハの表面上のレジスト膜に対して所定の半
導体集積回路パターンを転写する工程とを有することを
特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】マスク基板上に位相シフトパターンを
有する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作
成する際に、前記マスクパターンのデータを実パターン
のデータを有する実パターンデータ層、補助パターンの
データを有する補助パターンデータ層および位相シフト
パターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層
に分離する工程と、予め用意されている穴パターン用セ
ルを用いて穴パターンのデータを作成する工程と、前記
穴パターンを構成する穴パターン用セルを検証用セルに
置き換える工程と、前記検証用セルの相互間の関係の良
否を検証する工程と、前記検証の結果が良となるまで検
証および修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパタ
ーンのデータの作成工程によって作成された実パターン
および補助パターンのデータに基づいて遮光パターン描
画データを作成する工程と、前記マスクパターンのデー
タの作成工程によって作成された位相シフトパターンの
データに基づいて位相シフトパターン描画データを作成
する工程と、前記遮光パターン描画データに基づいて、
前記マスク基板上に遮光パターンを形成する工程と、前
記位相シフトパターン描画データに基づいて、前記マス
ク基板上に位相シフトパターンを形成する工程とを有す
ることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１４】マスク基板上に位相シフトパターンを
有する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作
成する際に、前記マスクパターンのデータを実パターン
のデータを有する実パターンデータ層、補助パターンの
データを有する補助パターンデータ層および位相シフト
パターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層
に分離する工程と、予め用意されている穴パターン用セ
ルを用いて穴パターンのデータを作成する工程と、前記
穴パターンを構成する穴パターンセルを検証用セルに置
き換える工程と、前記検証用セルの相互間の関係の良否
を検証する工程と、前記検証の結果が良となるまで検証
および修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパター
ンのデータの作成工程によって作成された実パターンお
よび補助パターンのデータに基づいて遮光パターン描画
データを作成する工程と、前記マスクパターンのデータ
の作成工程によって作成された位相シフトパターンのデ
ータに基づいて位相シフトパターン描画データを作成す
る工程と、前記遮光パターン描画データに基づいて、前
記マスク基板上に遮光パターンを形成する工程と、前記
位相シフトパターン描画データに基づいて、前記マスク
基板上に位相シフトパターンを形成する工程と、前記遮
光パターンおよび位相シフトパターンを有する位相シフ
トマスクを用いて半導体ウエハの表面上のレジスト膜に
対して所定の半導体集積回路パターンを転写する工程と
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。
【請求項１５】マスク基板上に位相シフトパターンを
有する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作
成する際に、前記マスクパターンのデータを実パターン
のデータを有する実パターンデータ層、補助パターンの
データを有する補助パターンデータ層および位相シフト
パターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層
に分離する工程と、前記マスクパターンのデータのう
ち、配線パターンのデータと、穴パターンのデータとで
異なる検証を行う工程と、前記検証の結果が良となるま
で検証および修正を繰り返す工程とを有し、前記マスク
パターンのデータの作成工程によって作成された実パタ
ーンおよび補助パターンのデータに基づいて遮光パター
ン描画データを作成する工程と、前記マスクパターンの
データの作成工程によって作成された位相シフトパター
ンのデータに基づいて位相シフトパターン描画データを
作成する工程と、前記遮光パターン描画データに基づい
て、前記マスク基板上に遮光パターンを形成する工程
と、前記位相シフトパターン描画データに基づいて、前
記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する工程と
を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方
法。
【請求項１６】マスク基板上に位相シフトパターンを
有する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作
成する際に、前記マスクパターンのデータを実パターン
のデータを有する実パターンデータ層、補助パターンの
データを有する補助パターンデータ層および位相シフト
パターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層
に分離する工程と、前記マスクパターンのデータのう
ち、配線パターンのデータと、穴パターンのデータとで
異なる検証を行う工程と、前記検証の結果が良となるま
で検証および修正を繰り返す工程とを有し、前記マスク
パターンのデータの作成工程によって作成された実パタ
ーンおよび補助パターンのデータに基づいて遮光パター
ン描画データを作成する工程と、前記マスクパターンの
データの作成工程によって作成された位相シフトパター
ンのデータに基づいて位相シフトパターン描画データを
作成する工程と、前記遮光パターン描画データに基づい
て、前記マスク基板上に遮光パターンを形成する工程
と、前記位相シフトパターン描画データに基づいて、前
記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する工程
と、前記遮光パターンおよび位相シフトパターンを有す
る位相シフトマスクを用いて半導体ウエハの表面上のレ
ジスト膜に対して所定の半導体集積回路パターンを転写
する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装
置の製造方法。
【請求項１７】マスク基板上に位相シフトパターンを
有する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作
成する際に、前記マスクパターンのデータを実パターン
のデータを有する実パターンデータ層および前記位相シ
フトパターンのデータを有する位相シフトパターンデー
タ層に分離する工程と、前記マスクパターンのデータ
が、互いに隣接するパターンを透過した各々の光が同位
相となる同位相パターンの間隔の規定を満足するか否か
を検証する工程と、前記検証の結果が良となるまで検証
および修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパター
ンのデータの作成工程によって作成された実パターンお
よび位相シフトパターンのデータに基づいて、それぞれ
遮光パターン描画データおよび位相シフトパターン描画
データを作成する工程と、前記遮光パターン描画データ
に基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成す
る工程と、前記位相シフトパターン描画データに基づい
て、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する
工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの製
造方法。
【請求項１８】マスク基板上に位相シフトパターンを
有する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作
成する際に、前記マスクパターンのデータを実パターン
のデータを有する実パターンデータ層および前記位相シ
フトパターンのデータを有する位相シフトパターンデー
タ層に分離する工程と、前記マスクパターンのデータ
が、互いに隣接するパターンを透過した各々の光が同位
相となる同位相パターンの幅の規定を満足するか否かを
検証する工程と、前記検証の結果が良となるまで検証お
よび修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパターン
のデータの作成工程によって作成された実パターンおよ
び位相シフトパターンのデータに基づいて、それぞれ遮
光パターン描画データおよび位相シフトパターン描画デ
ータを作成する工程と、前記遮光パターン描画データに
基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成する
工程と、前記位相シフトパターン描画データに基づい
て、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する
工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの製
造方法。
【請求項１９】マスク基板上に位相シフトパターンを
有する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作
成する際に、前記マスクパターンのデータを実パターン
のデータを有する実パターンデータ層および前記位相シ
フトパターンのデータを有する位相シフトパターンデー
タ層に分離する工程と、前記マスクパターンのデータ
が、互いに隣接するパターンを透過した各々の光が同位
相となる同位相パターンの間隔および幅の規定を満足す
るか否かを検証する工程とを有し、前記マスクパターン
のデータの作成工程によって作成された実パターンおよ
び位相シフトパターンのデータに基づいて、それぞれ遮
光パターン描画データおよび位相シフトパターン描画デ
ータを作成する工程と、前記遮光パターン描画データに
基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成する
工程と、前記位相シフトパターン描画データに基づい
て、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する
工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの製
造方法。
【請求項２０】マスク基板上に位相シフトパターンを
有する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作
成する際に、前記マスクパターンのデータを実パターン
のデータを有する実パターンデータ層および前記位相シ
フトパターンのデータを有する位相シフトパターンデー
タ層に分離する工程と、前記マスクパターンのデータ
が、互いに隣接するパターンを透過した各々の光が異位
相となる異位相パターンの間隔の規定を満足するか否か
を検証する工程と、前記検証の結果が良となるまで検証
および修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパター
ンのデータの作成工程によって作成された実パターンお
よび位相シフトパターンのデータに基づいて、それぞれ
遮光パターン描画データおよび位相シフトパターン描画
データを作成する工程と、前記遮光パターン描画データ
に基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成す
る工程と、前記位相シフトパターン描画データに基づい
て、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する
工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの製
造方法。