JPH063539A - スリット付き光導波路の製造方法 - Google Patents
スリット付き光導波路の製造方法Info
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- JPH063539A JPH063539A JP16591892A JP16591892A JPH063539A JP H063539 A JPH063539 A JP H063539A JP 16591892 A JP16591892 A JP 16591892A JP 16591892 A JP16591892 A JP 16591892A JP H063539 A JPH063539 A JP H063539A
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Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】スリット内を鏡面加工でき、低損失で、クリー
ンな雰囲気で加工でき、光導波路の汚染、機械的破損な
どを受けない。 【構成】光導波路１は、Ｓｉ基板２上に形成され、高屈
折率ｎw のコアが低屈折率ｎc （ｎw ＞ｎc ）のクラッ
ド３１及び３２内に埋め込まれる。光導波路１は、水平
に対して角度（π／２−θ）だけ傾けて設置される。炭
酸ガスレーザ１４のレーザビーム１５２は光導波路１上
に角度θの傾きで照射される。炭酸ガスレーザビームを
照射しつつ、光導波路１か、あるいはレーザビーム１５
２をＸ方向に連続的にスライドさせて、コア４を横断す
るスリット５を形成する。炭酸ガスレーザ光はＳｉ基板
中に吸収されないため、Ｓｉ基板２にはスリット５は形
成されない。
ンな雰囲気で加工でき、光導波路の汚染、機械的破損な
どを受けない。 【構成】光導波路１は、Ｓｉ基板２上に形成され、高屈
折率ｎw のコアが低屈折率ｎc （ｎw ＞ｎc ）のクラッ
ド３１及び３２内に埋め込まれる。光導波路１は、水平
に対して角度（π／２−θ）だけ傾けて設置される。炭
酸ガスレーザ１４のレーザビーム１５２は光導波路１上
に角度θの傾きで照射される。炭酸ガスレーザビームを
照射しつつ、光導波路１か、あるいはレーザビーム１５
２をＸ方向に連続的にスライドさせて、コア４を横断す
るスリット５を形成する。炭酸ガスレーザ光はＳｉ基板
中に吸収されないため、Ｓｉ基板２にはスリット５は形
成されない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導波路からの光を反
射により取り出したり、外部からの光を反射により光導
波路へ取り込むためのスリットを光導波路に形成したス
リット付き光導波路の製造方法に関するものである。
射により取り出したり、外部からの光を反射により光導
波路へ取り込むためのスリットを光導波路に形成したス
リット付き光導波路の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光導波路において、光信号を垂直方向に
曲げる技術は、光導波路の小形化、高機能化を実現する
上で重要である。従来、光信号を垂直方向に曲げる方法
として、薄いセラミックブレードを高速に回転させたマ
イクロ加工装置によって、図７に示すように、光導波路
１中に４５°の切り込み３を入れて全反射面を形成する
方法が検討されている。
曲げる技術は、光導波路の小形化、高機能化を実現する
上で重要である。従来、光信号を垂直方向に曲げる方法
として、薄いセラミックブレードを高速に回転させたマ
イクロ加工装置によって、図７に示すように、光導波路
１中に４５°の切り込み３を入れて全反射面を形成する
方法が検討されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、検討されてい
る従来の方法には次のような問題点があった。
る従来の方法には次のような問題点があった。
【０００４】（１）加工状態が良い場合でも、切り込み
を入れたスリット部の損失は１．２ｄＢ近い値であり、
損失が大きい。
を入れたスリット部の損失は１．２ｄＢ近い値であり、
損失が大きい。
【０００５】（２）ブレードによる機械的な加工方法で
あるため、エッジ部分に無数の欠けが発生し、損失が増
大する。
あるため、エッジ部分に無数の欠けが発生し、損失が増
大する。
【０００６】（３）ブレードを高速回転させながら加工
するので、光導波路の機械的破損（われ、チッピング、
キズの発生など）を生じやすい。特に、石英系ガラスの
ような硬い材質に対してはその傾向が強い。
するので、光導波路の機械的破損（われ、チッピング、
キズの発生など）を生じやすい。特に、石英系ガラスの
ような硬い材質に対してはその傾向が強い。
【０００７】（４）さらに切り込みを入れたスリット部
分の内壁面は平坦ではないため、低損失化を実現するた
めに鏡面状態に加工する必要があるが、スリット内を加
工することは難しく、低損失化は困難である。
分の内壁面は平坦ではないため、低損失化を実現するた
めに鏡面状態に加工する必要があるが、スリット内を加
工することは難しく、低損失化は困難である。
【０００８】（５）加工時に研磨材や水の吹き付けを必
要とするため、クリーンな雰囲気で加工できず、光導波
路の汚染、機械的破損などを受ける。
要とするため、クリーンな雰囲気で加工できず、光導波
路の汚染、機械的破損などを受ける。
【０００９】本発明の目的は、前記した従来技術の欠点
を解消し、低損失で反射させることができ、かつ光導波
路に不要なダメージを与えずにスリットを形成すること
が可能なスリット付き光導波路の製造方法を提供するこ
とにある。
を解消し、低損失で反射させることができ、かつ光導波
路に不要なダメージを与えずにスリットを形成すること
が可能なスリット付き光導波路の製造方法を提供するこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のスリット付き光
導波路の製造方法は、基板上に形成された低屈折率ｎ 0
のクラッドおよび高屈折率ｎw のコアと低屈折率ｎ
c （ｎw ＞ｎc ）のクラッドからなる光導波路上面に所
望角度θで炭酸ガスレーザのビームを照射しつつ、光導
波路かビームのいずれか又は両方を移動させることによ
り、光導波路上にコアを横断するスリットを形成するよ
うにしたものである。
導波路の製造方法は、基板上に形成された低屈折率ｎ 0
のクラッドおよび高屈折率ｎw のコアと低屈折率ｎ
c （ｎw ＞ｎc ）のクラッドからなる光導波路上面に所
望角度θで炭酸ガスレーザのビームを照射しつつ、光導
波路かビームのいずれか又は両方を移動させることによ
り、光導波路上にコアを横断するスリットを形成するよ
うにしたものである。
【００１１】スリットの幅を光導波路の深さ方向に変化
させるようにしてもよい。また、光導波路はガラス材料
で構成することが好まく、基板としてはガラス、半導
体、強誘電体のいずれかを用いてもよい。
させるようにしてもよい。また、光導波路はガラス材料
で構成することが好まく、基板としてはガラス、半導
体、強誘電体のいずれかを用いてもよい。
【００１２】
【作用】本発明によれば、炭酸ガスレーザビームを照射
することによってスリットを形成するので、スリットの
内壁面は熱エネルギーによってほぼ平坦で荒れのない面
に加工することができる。従って、このスリット部によ
る損失を１ｄＢ以下に低く抑えることができる。また、
エッジ部分に欠けが発生して、損失が増大するようなこ
とはない。また、石英系ガラスのような硬い材質であっ
ても、スリットを支障なく形成でき、しかも数分以内の
短時間作業であるので、製造時間を大幅に短縮できる。
また、加工時に従来のような研磨材や水の吹き付けを必
要とせず、空気、窒素、アルゴンなどのクリーンなガス
を吹き付けながらの雰囲気下で加工できるので、光導波
路の汚染、機械的破損などを受けない。しかも、炭酸ガ
スレーザのパワ、照射時間、ビームのスポット径、スラ
イド速度などを調節することによって、スリットの幅、
深さなどを容易に制御することができる。
することによってスリットを形成するので、スリットの
内壁面は熱エネルギーによってほぼ平坦で荒れのない面
に加工することができる。従って、このスリット部によ
る損失を１ｄＢ以下に低く抑えることができる。また、
エッジ部分に欠けが発生して、損失が増大するようなこ
とはない。また、石英系ガラスのような硬い材質であっ
ても、スリットを支障なく形成でき、しかも数分以内の
短時間作業であるので、製造時間を大幅に短縮できる。
また、加工時に従来のような研磨材や水の吹き付けを必
要とせず、空気、窒素、アルゴンなどのクリーンなガス
を吹き付けながらの雰囲気下で加工できるので、光導波
路の汚染、機械的破損などを受けない。しかも、炭酸ガ
スレーザのパワ、照射時間、ビームのスポット径、スラ
イド速度などを調節することによって、スリットの幅、
深さなどを容易に制御することができる。
【００１３】
【実施例】図１に本発明の光導波路上にスリットを形成
するスリット付き光導波路の製造方法の実施例を示す。
光導波路１はＳｉ基板２上に形成されており、高屈折率
ｎw のコアが低屈折率ｎc （ｎw ＞ｎc ）のクラッド３
１及び３２内に埋め込まれた埋め込み型光導波路であ
り、図ではその側面図が示され、水平に対して角度（π
／２−θ）だけ傾けて設置されている。炭酸ガスレーザ
１４のレーザビーム１５１はミラー１６、レンズ１７を
介して１５２のごとく光導波路上面に角度θの傾きで照
射される。この角度θは理想的には４５°が好ましい
が、この値に限ることはない。すなわち、ＴＥモードと
ＴＭモードによる反射率をほぼ同じようにする場合には
４５°よりも小さい値に設定する。
するスリット付き光導波路の製造方法の実施例を示す。
光導波路１はＳｉ基板２上に形成されており、高屈折率
ｎw のコアが低屈折率ｎc （ｎw ＞ｎc ）のクラッド３
１及び３２内に埋め込まれた埋め込み型光導波路であ
り、図ではその側面図が示され、水平に対して角度（π
／２−θ）だけ傾けて設置されている。炭酸ガスレーザ
１４のレーザビーム１５１はミラー１６、レンズ１７を
介して１５２のごとく光導波路上面に角度θの傾きで照
射される。この角度θは理想的には４５°が好ましい
が、この値に限ることはない。すなわち、ＴＥモードと
ＴＭモードによる反射率をほぼ同じようにする場合には
４５°よりも小さい値に設定する。
【００１４】また炭酸ガスレーザ１４のレーザビーム１
５２を光導波路１上に照射する前に、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
１８の光をミラー１６、レンズ１７を介して光導波路１
上に照射し、照射位置設定用として用いる。コア４を横
断するようにスリット５を形成するために、炭酸ガスレ
ーザビーム１５２を照射しつつ、光導波路１か、あるい
はレーザビーム１５２をＸ方向（紙面に垂直な方向）に
連続的に移動させる。コア４及びクラッド３１、３２に
ガラスを用いた場合のスリットの幅と深さの実施例につ
いて述べる。すなわち、コア４にＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 ガ
ラスを用い、その厚みを１０μｍとし、基板側のクラッ
ド３１にＳｉＯ2 ガラスを用い、その厚みを５μｍと
し、コアを覆う側のクラッド３２にＳｉＯ2 −Ｐ2 Ｏ5
−Ｂ2 Ｏ3 ガラスを用い、その厚みを２０μｍとし、Ｓ
ｉ基板２に厚み０．４５ｍｍのものを用いた場合、幅
０．４ｍｍのスリットを光導波路１の上面（すなわち、
クラッド３２の上面）から下面（すなわちクラッド３１
の下面）まで形成するには、炭酸ガスレーザ１４のパワ
は約７０Ｗで、光導波路１をＸ方向に約０．１〜０．３
ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動すればよいことが実験的にわ
かった。なお、このときのレーザビーム１５２のビーム
スポット径は約０．１ｍｍとした。Ｓｉ基板２にはスリ
ットは形成されない。なぜならば、炭酸ガスレーザ光は
Ｓｉ基板中に吸収されないためである。炭酸ガスレーザ
１４のパワを増大すれば、光導波路１のＸ方向への移動
速度をさらに速くすることができる。
５２を光導波路１上に照射する前に、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
１８の光をミラー１６、レンズ１７を介して光導波路１
上に照射し、照射位置設定用として用いる。コア４を横
断するようにスリット５を形成するために、炭酸ガスレ
ーザビーム１５２を照射しつつ、光導波路１か、あるい
はレーザビーム１５２をＸ方向（紙面に垂直な方向）に
連続的に移動させる。コア４及びクラッド３１、３２に
ガラスを用いた場合のスリットの幅と深さの実施例につ
いて述べる。すなわち、コア４にＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 ガ
ラスを用い、その厚みを１０μｍとし、基板側のクラッ
ド３１にＳｉＯ2 ガラスを用い、その厚みを５μｍと
し、コアを覆う側のクラッド３２にＳｉＯ2 −Ｐ2 Ｏ5
−Ｂ2 Ｏ3 ガラスを用い、その厚みを２０μｍとし、Ｓ
ｉ基板２に厚み０．４５ｍｍのものを用いた場合、幅
０．４ｍｍのスリットを光導波路１の上面（すなわち、
クラッド３２の上面）から下面（すなわちクラッド３１
の下面）まで形成するには、炭酸ガスレーザ１４のパワ
は約７０Ｗで、光導波路１をＸ方向に約０．１〜０．３
ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動すればよいことが実験的にわ
かった。なお、このときのレーザビーム１５２のビーム
スポット径は約０．１ｍｍとした。Ｓｉ基板２にはスリ
ットは形成されない。なぜならば、炭酸ガスレーザ光は
Ｓｉ基板中に吸収されないためである。炭酸ガスレーザ
１４のパワを増大すれば、光導波路１のＸ方向への移動
速度をさらに速くすることができる。
【００１５】図２は図１の方法によって光導波路１中に
スリット５を形成した光デバイスの実施例を示す。この
スリット５はコア４と直交するように形成されている。
ここで、スリット５の長さＬはコア４の幅Ｗc の数倍か
ら数百倍程度の長さに形成される。長さＬの制御は光導
波路１をＸ−Ｘ′方向に移動させることで実現できる。
スリット５の幅Ｗは光導波路１の上面から下面にわたり
一定値（すなわち、Ｗ1 ＝Ｗ2 ）になるようにしてもよ
く、またＷ1 ＞Ｗ2 のように表面から裏面に向って縮径
していくテーパ状に形成してもよい。幅Ｗの制御は光導
波路をＹ−Ｙ′方向又はＺ−Ｚ′方向に移動させること
により実現できる。スリット５を形成した光導波路１の
基板２の真下に受光素子６を配置し、スリット５の傾斜
角度θを光軸に対して正確に４５°にすることにより、
コア４内に入射した入力光信号７１はスリット５により
全反射され、矢印７２のように進んで受光素子６で受光
される。
スリット５を形成した光デバイスの実施例を示す。この
スリット５はコア４と直交するように形成されている。
ここで、スリット５の長さＬはコア４の幅Ｗc の数倍か
ら数百倍程度の長さに形成される。長さＬの制御は光導
波路１をＸ−Ｘ′方向に移動させることで実現できる。
スリット５の幅Ｗは光導波路１の上面から下面にわたり
一定値（すなわち、Ｗ1 ＝Ｗ2 ）になるようにしてもよ
く、またＷ1 ＞Ｗ2 のように表面から裏面に向って縮径
していくテーパ状に形成してもよい。幅Ｗの制御は光導
波路をＹ−Ｙ′方向又はＺ−Ｚ′方向に移動させること
により実現できる。スリット５を形成した光導波路１の
基板２の真下に受光素子６を配置し、スリット５の傾斜
角度θを光軸に対して正確に４５°にすることにより、
コア４内に入射した入力光信号７１はスリット５により
全反射され、矢印７２のように進んで受光素子６で受光
される。
【００１６】図３も図１の方法によって光導波路１中に
スリット５を形成し、光導波路１の上面に受光素子６を
置いて受光する方法の実施例を示したものである。この
場合もスリット５で入力光信号７２を全反射させるため
に、光軸とのなす角度θは４５°に設定してある。
スリット５を形成し、光導波路１の上面に受光素子６を
置いて受光する方法の実施例を示したものである。この
場合もスリット５で入力光信号７２を全反射させるため
に、光軸とのなす角度θは４５°に設定してある。
【００１７】図４は基板２２に、Ｓｉの代わりにガラス
（たとえば、石英ガラス、高珪酸ガラス（商品名：バイ
コールガラス）など）を用いて貫通形のスリット５を形
成した場合の実施例を示したものである。基板２がガラ
スであるので、光導波路１の上面より図１の方法で炭酸
ガスレーザビームを照射すれば、ガラス基板２の中にも
スリット５を形成することができる。このようにする
と、ガラス中への炭酸ガスレーザビームのエネルギの吸
収時間が長くなるため、スリット５の内壁面が上記エネ
ルギによって鏡面のごとく滑らかになり、結果的にスリ
ット内での損失を大幅に低減することができる。ガラス
基板２２が厚いほど、上記効果は顕著に得られ、かつＷ
1 ＞Ｗ2 のようにテーパ状に形成される。また、照射パ
ワ、照射時間を調節することによってスリットの深さ、
スリットの幅Ｗ1 およびＷ2 を制御することができる。
照射パワとしては２０Ｗ以上、数百Ｗ、照射時間は０．
１ｍｍ／ｓｅｃ〜１０数ｍｍ／ｓｅｃ、ビームスポット
径としては数十μｍφ〜数百μｍφから選ばれる。ガラ
ス基板２２の厚みとしては０．５ｍｍから数ｍｍのもの
を用いる。石英ガラス、バイコールガラス（コーニング
ガラス社の商品名）、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ
酸ガラスなどを用いることができる。このようにスリッ
トの幅を制御して光導波路の厚さ方向に変化させると、
スリット５で反射した光信号のビーム広がりを抑えるこ
とができ、ガラス基板２２の下に配置した受光素子６
（図２参照）に効率良く光を入射させることができる。
（たとえば、石英ガラス、高珪酸ガラス（商品名：バイ
コールガラス）など）を用いて貫通形のスリット５を形
成した場合の実施例を示したものである。基板２がガラ
スであるので、光導波路１の上面より図１の方法で炭酸
ガスレーザビームを照射すれば、ガラス基板２の中にも
スリット５を形成することができる。このようにする
と、ガラス中への炭酸ガスレーザビームのエネルギの吸
収時間が長くなるため、スリット５の内壁面が上記エネ
ルギによって鏡面のごとく滑らかになり、結果的にスリ
ット内での損失を大幅に低減することができる。ガラス
基板２２が厚いほど、上記効果は顕著に得られ、かつＷ
1 ＞Ｗ2 のようにテーパ状に形成される。また、照射パ
ワ、照射時間を調節することによってスリットの深さ、
スリットの幅Ｗ1 およびＷ2 を制御することができる。
照射パワとしては２０Ｗ以上、数百Ｗ、照射時間は０．
１ｍｍ／ｓｅｃ〜１０数ｍｍ／ｓｅｃ、ビームスポット
径としては数十μｍφ〜数百μｍφから選ばれる。ガラ
ス基板２２の厚みとしては０．５ｍｍから数ｍｍのもの
を用いる。石英ガラス、バイコールガラス（コーニング
ガラス社の商品名）、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ
酸ガラスなどを用いることができる。このようにスリッ
トの幅を制御して光導波路の厚さ方向に変化させると、
スリット５で反射した光信号のビーム広がりを抑えるこ
とができ、ガラス基板２２の下に配置した受光素子６
（図２参照）に効率良く光を入射させることができる。
【００１８】図５は光導波路１中に光合分波器８を構成
し、波長λ1 の光信号（矢印１０１）を発光する半導体
レーザ９と、波長λ2 の光信号（矢印１１１）を受光す
る受光素子６とを実装した双方向伝送用光デバイスの実
施例を示したものである。すなわち、半導体レーザ９か
らの波長λ1 の光信号（矢印１０１）は光合分波器８を
介して矢印１０２のごとく送出される。逆に、矢印１１
１のごとく光導波路１内に入射した波長λ2 の光信号は
光合分波器８を介して矢印１１２のごとく分波され、受
光素子６で受光される。このように、スリット５１およ
び５２を設けることにより、半導体レーザ９、受光素子
６などの光能動素子を表面実装することができ、光デバ
イスの小型化を図ることができる。また実装が容易にで
きるというメリットもある。
し、波長λ1 の光信号（矢印１０１）を発光する半導体
レーザ９と、波長λ2 の光信号（矢印１１１）を受光す
る受光素子６とを実装した双方向伝送用光デバイスの実
施例を示したものである。すなわち、半導体レーザ９か
らの波長λ1 の光信号（矢印１０１）は光合分波器８を
介して矢印１０２のごとく送出される。逆に、矢印１１
１のごとく光導波路１内に入射した波長λ2 の光信号は
光合分波器８を介して矢印１１２のごとく分波され、受
光素子６で受光される。このように、スリット５１およ
び５２を設けることにより、半導体レーザ９、受光素子
６などの光能動素子を表面実装することができ、光デバ
イスの小型化を図ることができる。また実装が容易にで
きるというメリットもある。
【００１９】図６は光導波路１中に１入力４出力の光ス
ターカプラ１２を構成し、その後にスリット５を形成
し、スリット５によって全反射された光信号を受光素子
６１〜６４で受光する構成とした、いわゆる光分配用デ
バイスの実施例を示したものである。光信号は、受光素
子６１〜６４で電気信号に変換した後、電気回路（プリ
アンプ回路などを含む）１３１〜１３４で増幅整形さ
れ、出力端子（導電端子）１９１〜１９４より取り出す
ようにした光デバイスである。
ターカプラ１２を構成し、その後にスリット５を形成
し、スリット５によって全反射された光信号を受光素子
６１〜６４で受光する構成とした、いわゆる光分配用デ
バイスの実施例を示したものである。光信号は、受光素
子６１〜６４で電気信号に変換した後、電気回路（プリ
アンプ回路などを含む）１３１〜１３４で増幅整形さ
れ、出力端子（導電端子）１９１〜１９４より取り出す
ようにした光デバイスである。
【００２０】なお、図１において、レーザビーム１５２
を覆うように空気、窒素、アルゴンなどのガスを吹き付
けて、揮散したガラス微粉末を吹き飛ばすことと、レー
ザビーム１５２をクリーンな雰囲気に保ってガラス中に
不純物が混入しないようにすることが好ましい。
を覆うように空気、窒素、アルゴンなどのガスを吹き付
けて、揮散したガラス微粉末を吹き飛ばすことと、レー
ザビーム１５２をクリーンな雰囲気に保ってガラス中に
不純物が混入しないようにすることが好ましい。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明には次のよう
な効果がある。
な効果がある。
【００２２】（１）請求項１、３及び４に記載のスリッ
ト付き光導波路の製造方法によれば、炭酸ガスレーザ光
によりスリットを形成するので、低損失な反射伝送路を
実現することができ、しかも単時間（数分以内）でスリ
ットを形成することができ、スリット形成時に、機械的
破損、汚染の心配がない。また、スリットの幅、深さな
どの制御性が良い。
ト付き光導波路の製造方法によれば、炭酸ガスレーザ光
によりスリットを形成するので、低損失な反射伝送路を
実現することができ、しかも単時間（数分以内）でスリ
ットを形成することができ、スリット形成時に、機械的
破損、汚染の心配がない。また、スリットの幅、深さな
どの制御性が良い。
【００２３】（２）請求項２に記載のスリット付き光導
波路の製造方法によれば、スリットの幅が光導波路の深
さ方向に変化しているので、スリットで反射した光信号
のビーム広がりを抑えることができる。
波路の製造方法によれば、スリットの幅が光導波路の深
さ方向に変化しているので、スリットで反射した光信号
のビーム広がりを抑えることができる。
【図１】本発明の実施例による光導波路上にスリットを
形成するスリット付き光導波路の製造方法を示す説明
図。
形成するスリット付き光導波路の製造方法を示す説明
図。
【図２】本発明の実施例により得られたスリット付き光
導波路の構成図。
導波路の構成図。
【図３】本発明の実施例により得られたスリット付き光
導波路で上面に受光素子を取り付けた構成図。
導波路で上面に受光素子を取り付けた構成図。
【図４】本発明の実施例により得られた貫通形スリット
付き光導波路の構成図。
付き光導波路の構成図。
【図５】本発明の実施例により得られたスリット付き光
導波路型合分波器で上面に半導体レーザ及び受光素子を
取り付けた構成図。
導波路型合分波器で上面に半導体レーザ及び受光素子を
取り付けた構成図。
【図６】本発明の実施例により得られたスリット付き光
導波路型スターカプラで上面に受光素子及び電気回路を
取り付けた構成図。
導波路型スターカプラで上面に受光素子及び電気回路を
取り付けた構成図。
【図７】従来のスリット形成方法の説明図。
１ 光導波路 ２ Ｓｉ基板 ４ コア ５ スリット １４ 炭酸ガスレーザ １６ ミラー １７ レンズ １８ Ｈｅ−Ｎｅレーザ ３１ クラッド ３２ クラッド １５１ レーザビーム １５２ レーザビーム
Claims (4)
- 【請求項１】基板上に形成された屈折率ｎw のコアと、
これよりも低い屈折率ｎc のクラッドとからなる光導波
路の上に、所望角度θで炭酸ガスレーザのビームを照射
しつつ、光導波路かビームのいずれか又は両方を移動さ
せることにより、光導波路上にコアを横断するスリット
を形成するようにしたスリット付き光導波路の製造方
法。 - 【請求項２】上記スリットの幅は光導波路の深さ方向に
変化していることを特徴とする請求項１に記載のスリッ
ト付き光導波路の製造方法。 - 【請求項３】上記光導波路はガラス材料で構成されてい
ることを特徴とする請求項１または２に記載のスリット
付き光導波路の製造方法。 - 【請求項４】上記基板として、ガラス、半導体、強誘電
体のいずれかを用いたことを特徴とする請求項１ないし
３のいずれかに記載のスリット付き光導波路の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16591892A JPH063539A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | スリット付き光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16591892A JPH063539A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | スリット付き光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH063539A true JPH063539A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15821491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16591892A Pending JPH063539A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | スリット付き光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063539A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997006458A1 (en) * | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical device and method of manufacturing it |
| EP0908747A1 (en) * | 1997-09-17 | 1999-04-14 | Lucent Technologies Inc. | Integrated optical circuit having planar waveguide turning mirrors |
| EP0903596A3 (en) * | 1997-09-17 | 1999-06-02 | Lucent Technologies Inc. | Method of forming integrated optical circuit planar waveguide turning mirrors |
| JP2003207661A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Omron Corp | 光導波路装置 |
| JP2009522622A (ja) * | 2006-10-11 | 2009-06-11 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | 集積化されたｄｗｄｍ受信器のための方法とシステム |
| JP2013222075A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体上の発光素子または受光素子と光導波路との間の光の接続損失を低減させることに役立つ、スペーサ樹脂パターンの設計 |
| JP2016009151A (ja) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 光結合構造、半導体デバイス、マルチ・チップ・モジュールのための光インターコネクト構造、および光結合構造のための製造方法 |
| US10022927B2 (en) | 2014-12-26 | 2018-07-17 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method of manufacturing optical waveguide device and laser processing apparatus |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP16591892A patent/JPH063539A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997006458A1 (en) * | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical device and method of manufacturing it |
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| US10022927B2 (en) | 2014-12-26 | 2018-07-17 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method of manufacturing optical waveguide device and laser processing apparatus |
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