JPH0635460Y2 - セラミックコンデンサ - Google Patents
セラミックコンデンサInfo
- Publication number
- JPH0635460Y2 JPH0635460Y2 JP14363788U JP14363788U JPH0635460Y2 JP H0635460 Y2 JPH0635460 Y2 JP H0635460Y2 JP 14363788 U JP14363788 U JP 14363788U JP 14363788 U JP14363788 U JP 14363788U JP H0635460 Y2 JPH0635460 Y2 JP H0635460Y2
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- Japan
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- reinforcing metal
- metal plate
- soldering
- voltage
- ceramic
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Links
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案はセラミックコンデンサに係り、特に高電圧電力
機器用として高い雷インパルス耐電圧及びさい断波耐電
圧特性が必要とされる高電圧セラミックコンデンサの改
良に関するものである。
機器用として高い雷インパルス耐電圧及びさい断波耐電
圧特性が必要とされる高電圧セラミックコンデンサの改
良に関するものである。
従来の技術 一般に、この種のセラミックコンデンサにおいては高電
圧の印加に伴って逆圧電効果の影響でセラミック素体に
さい断波が加わることにより圧電現象で機械的エネルギ
ーが内部に発生し、その機械的エネルギーによる応力が
セラミック素体の破壊応力を上回ると機械的破壊を発生
し、更には絶縁破壊を惹起することが知られている。
圧の印加に伴って逆圧電効果の影響でセラミック素体に
さい断波が加わることにより圧電現象で機械的エネルギ
ーが内部に発生し、その機械的エネルギーによる応力が
セラミック素体の破壊応力を上回ると機械的破壊を発生
し、更には絶縁破壊を惹起することが知られている。
この絶縁破壊の発生を防止するべく、従来、円板の厚み
と直径との比を一定値に設定したセラミック素体を用
い、その両端面に形成する電極層の少なくとも片面に所
定値以上の直径を持つ端子板兼用の補強金属板を当接さ
せて半田付け固定することによりセラミック素体を堅牢
に保持することが提案されている（特開昭56−48124
号）。
と直径との比を一定値に設定したセラミック素体を用
い、その両端面に形成する電極層の少なくとも片面に所
定値以上の直径を持つ端子板兼用の補強金属板を当接さ
せて半田付け固定することによりセラミック素体を堅牢
に保持することが提案されている（特開昭56−48124
号）。
唯、この補強金属板を半田付け固定する際に補強金属板
の半田付け面が全く平面状であると半田付け時のフラッ
クスが板中央側で抜け切れない事態が生ずる。その場合
にはセラミック素体と補強金属板の界面である半田付け
部が気泡で巣状になってセラミック素体を十分に接続固
定できないため、上述したセラミックコンデンサでは補
強金属板の半田付け面に放射状及び同心円状に凹溝を設
け、或いは多数の透孔を板面に散在させて設けることに
より半田を流れ易くすることが行われている。
の半田付け面が全く平面状であると半田付け時のフラッ
クスが板中央側で抜け切れない事態が生ずる。その場合
にはセラミック素体と補強金属板の界面である半田付け
部が気泡で巣状になってセラミック素体を十分に接続固
定できないため、上述したセラミックコンデンサでは補
強金属板の半田付け面に放射状及び同心円状に凹溝を設
け、或いは多数の透孔を板面に散在させて設けることに
より半田を流れ易くすることが行われている。
考案が解決しようとする課題 然し、この補強金属板の半田付け面に凹溝を設けるだけ
では半田用フラックスを補強金属板の外周側に全部を完
全に抜き出すのは困難で依然として半田付け面にフラッ
クスが残存することにより十分な接着強度を持ってセラ
ミック素体を接続固定することができない。また、補強
金属板に多数の透孔を散在させて設ける場合には半田用
フラックスを抜き出すことはできても、電圧の印加に伴
ってセラミック素体の内部に生ずる圧電現象による振動
エネルギーを効果的に抑え得る板面領域が多数の透孔で
分断されてしまうため、前者の場合も含めて雷インパル
ス耐電圧のフルウエーブ波の破壊電圧よりも極めて低い
電圧で機械的破壊が生ずることを免れ得ない。
では半田用フラックスを補強金属板の外周側に全部を完
全に抜き出すのは困難で依然として半田付け面にフラッ
クスが残存することにより十分な接着強度を持ってセラ
ミック素体を接続固定することができない。また、補強
金属板に多数の透孔を散在させて設ける場合には半田用
フラックスを抜き出すことはできても、電圧の印加に伴
ってセラミック素体の内部に生ずる圧電現象による振動
エネルギーを効果的に抑え得る板面領域が多数の透孔で
分断されてしまうため、前者の場合も含めて雷インパル
ス耐電圧のフルウエーブ波の破壊電圧よりも極めて低い
電圧で機械的破壊が生ずることを免れ得ない。
茲において、本考案は半田用フラックスの影響を受けず
に補強金属板を確実に半田付けすることにより高いさい
断波破壊電圧が得られて機械的エネルギーで絶縁破壊を
確実に防止できるセラミックコンデンサを提供するとを
目的とする。
に補強金属板を確実に半田付けすることにより高いさい
断波破壊電圧が得られて機械的エネルギーで絶縁破壊を
確実に防止できるセラミックコンデンサを提供するとを
目的とする。
課題を解決するための手段 本考案に係るセラミックコンデンサにおいては、円板形
セラミック素体にAg等の焼付電極層を形成し、少なくと
も片面に中心孔を持つドーナツ板状の補強金属板を同心
円上に当接させて半田付け固着するものであり、その補
強金属板としては補強金属板の直径比で６〜26％程度の
中心孔を占有するものを組付けて構成されている。
セラミック素体にAg等の焼付電極層を形成し、少なくと
も片面に中心孔を持つドーナツ板状の補強金属板を同心
円上に当接させて半田付け固着するものであり、その補
強金属板としては補強金属板の直径比で６〜26％程度の
中心孔を占有するものを組付けて構成されている。
作用 このセラミックコンデンサでは補強金属板を半田付け固
定する際に半田用フラックスが外周側のみならず、中心
孔の口径側よりも確実に抜け出るから十分な機械的強度
を持って半田付け固定でき、また、補強金属板がドーナ
ツ板状でセラミック素体の内部に発生する機械的エネル
ギーを抑制するのに必要な有効面積を持つからセラミッ
ク素体を十分な力で抑え得ることによりさい断波破壊電
圧を著しく向上されて機械的エネルギーで絶縁破壊を確
実に防止できるようになる。
定する際に半田用フラックスが外周側のみならず、中心
孔の口径側よりも確実に抜け出るから十分な機械的強度
を持って半田付け固定でき、また、補強金属板がドーナ
ツ板状でセラミック素体の内部に発生する機械的エネル
ギーを抑制するのに必要な有効面積を持つからセラミッ
ク素体を十分な力で抑え得ることによりさい断波破壊電
圧を著しく向上されて機械的エネルギーで絶縁破壊を確
実に防止できるようになる。
実施例 以下、添付図面を参照して説明すれば、次の通りであ
る。
る。
このセラミックコンデンサは第1,2図で示すように円板
状のセラミック素体１を用い、その両端面に電極層2,3
をAg,Cu等のペーストで焼付形成すると共に、好ましい
実施例として電極層2,3の夫々に当接させて端子板を兼
ねた補強金属板4,5を同心円上に半田付け固着すること
により組立てられている。この補強金属板4,5には中心
孔6,7を持つドーナツ形に真鍮等で形成したものを用い
ることができ、また、それは電極層２または３の少なく
とも片側に当てがって半田付け固定するだけでも足り
る。この半田付け時には補強金属板4,5と相対する電極
層2,3の端面に半田付着するが、その半田を加熱で溶融
するに伴って補強金属板4,5がドーナツ形であるから半
田用フラックスが補強金属板4,5の外周縁乃至は中心孔
６の口径側に確実に抜け出て補強金属板4,5と電極層2,3
との相対個所に残留することがない。従って、補強金属
板4,5は半田フラックスの影響を受けずに半田層8,9で十
分な機械的強度を持って固着できるようになる。
状のセラミック素体１を用い、その両端面に電極層2,3
をAg,Cu等のペーストで焼付形成すると共に、好ましい
実施例として電極層2,3の夫々に当接させて端子板を兼
ねた補強金属板4,5を同心円上に半田付け固着すること
により組立てられている。この補強金属板4,5には中心
孔6,7を持つドーナツ形に真鍮等で形成したものを用い
ることができ、また、それは電極層２または３の少なく
とも片側に当てがって半田付け固定するだけでも足り
る。この半田付け時には補強金属板4,5と相対する電極
層2,3の端面に半田付着するが、その半田を加熱で溶融
するに伴って補強金属板4,5がドーナツ形であるから半
田用フラックスが補強金属板4,5の外周縁乃至は中心孔
６の口径側に確実に抜け出て補強金属板4,5と電極層2,3
との相対個所に残留することがない。従って、補強金属
板4,5は半田フラックスの影響を受けずに半田層8,9で十
分な機械的強度を持って固着できるようになる。
このように構成するセラミックコンデンサでは補強金属
板4,5が半田層8,9で十分な機械的強度を持って電極層2,
3に固着されているのに加えて、補強金属板4,5がドーナ
ツ板状に形成されているから板面全体が一つになってセ
ラミック素体１を十分に抑えられるようになる。従っ
て、電圧の印加に伴ってセラミック素体１の内部に機械
的エネルギーが発生しても、その機械的エネルギーによ
る応力を確実に抑止することができるから高いさい断波
破壊電圧を得て機械的エネルギーで絶縁破壊を引き起こ
さず、特に遮断器等の高電圧機器用として必要とされる
雷インパルス耐電圧及びさい断波耐電圧特性の優れたも
のに構成することができる。
板4,5が半田層8,9で十分な機械的強度を持って電極層2,
3に固着されているのに加えて、補強金属板4,5がドーナ
ツ板状に形成されているから板面全体が一つになってセ
ラミック素体１を十分に抑えられるようになる。従っ
て、電圧の印加に伴ってセラミック素体１の内部に機械
的エネルギーが発生しても、その機械的エネルギーによ
る応力を確実に抑止することができるから高いさい断波
破壊電圧を得て機械的エネルギーで絶縁破壊を引き起こ
さず、特に遮断器等の高電圧機器用として必要とされる
雷インパルス耐電圧及びさい断波耐電圧特性の優れたも
のに構成することができる。
因みに、次の（Ｉ）〜（II）で示す誘導体磁器材料でセ
ラミック素体をφ39t10mmに形成し、 I:BaTiO3−SrTiO3−Bi2O3・3TiO2系 II:SrTiO3−PbTiO3−CaTiO3−Bi2O3・3TiO2系 また、真鍮でφ35t13mmに形成した補強金属板を用いて
構成したセラミックコンデンサについて、中心孔の直径
を違えたもの毎にさい断波1.2×３μsecでインパルス破
壊電圧を測定したところ、第３図で示す通りであった。
ラミック素体をφ39t10mmに形成し、 I:BaTiO3−SrTiO3−Bi2O3・3TiO2系 II:SrTiO3−PbTiO3−CaTiO3−Bi2O3・3TiO2系 また、真鍮でφ35t13mmに形成した補強金属板を用いて
構成したセラミックコンデンサについて、中心孔の直径
を違えたもの毎にさい断波1.2×３μsecでインパルス破
壊電圧を測定したところ、第３図で示す通りであった。
この第３図で明らかな如く、本考案に係るセラミックコ
ンデンサでは高いインパルス破壊電圧を得られ、そのな
かでも中心孔の直径が補強金属板の直径比で６〜26％程
度を占有するものが最も特性的に優れることが判明し
た。
ンデンサでは高いインパルス破壊電圧を得られ、そのな
かでも中心孔の直径が補強金属板の直径比で６〜26％程
度を占有するものが最も特性的に優れることが判明し
た。
考案の効果 以上の如く、本考案に係るセラミックコンデンサによれ
ば、十分な機械的強度を持ってドーナツ板状の補強金属
板をセラミック素体に半田付け固定することによりセラ
ミック素体を堅牢に保持するから、さい断波破壊電圧を
高くできると共にセラミック素体の機械的エネルギーで
絶縁破壊を確実に防止できるようになる。
ば、十分な機械的強度を持ってドーナツ板状の補強金属
板をセラミック素体に半田付け固定することによりセラ
ミック素体を堅牢に保持するから、さい断波破壊電圧を
高くできると共にセラミック素体の機械的エネルギーで
絶縁破壊を確実に防止できるようになる。
第１図は本考案に係るセラミックコンデンサの側断面
図、第２図は同コンデンサの平面図、第３図は本考案に
係るコンデンサで補強金属板の中心孔を違えたものから
得られたインパルス破壊電圧の平均的な数値を示すグラ
フである。 1:セラミック素体、2,3:電極層、4,5:補強金属板、6,7:
中心孔。
図、第２図は同コンデンサの平面図、第３図は本考案に
係るコンデンサで補強金属板の中心孔を違えたものから
得られたインパルス破壊電圧の平均的な数値を示すグラ
フである。 1:セラミック素体、2,3:電極層、4,5:補強金属板、6,7:
中心孔。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 佐藤 司 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)考案者 渡辺 義春 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)考案者 佐々木 則夫 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】円板形セラミック素体（１）の両端面に電
極層（2,3）を形成し、少なくとも片面に中心孔（6,7）
を持つドーナツ板状の補強金属板（4,5）を同心円上に
当接させて半田付け固着するセラミックコンデンサにお
いて、上記中心孔（6,7）が補強金属板（4,5）の直径比
で６〜26％程度を占有することを特徴とするセラミック
コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14363788U JPH0635460Y2 (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14363788U JPH0635460Y2 (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0263523U JPH0263523U (ja) | 1990-05-11 |
| JPH0635460Y2 true JPH0635460Y2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=31410636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14363788U Expired - Lifetime JPH0635460Y2 (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0635460Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-11-02 JP JP14363788U patent/JPH0635460Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0263523U (ja) | 1990-05-11 |
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