JPH0635467Y2 - 縦型ｃｖｄ装置用石英製ウェ−ハホルダ - Google Patents
縦型ｃｖｄ装置用石英製ウェ−ハホルダInfo
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- JPH0635467Y2 JPH0635467Y2 JP6652787U JP6652787U JPH0635467Y2 JP H0635467 Y2 JPH0635467 Y2 JP H0635467Y2 JP 6652787 U JP6652787 U JP 6652787U JP 6652787 U JP6652787 U JP 6652787U JP H0635467 Y2 JPH0635467 Y2 JP H0635467Y2
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 title claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 16
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は縦型CVD装置を用いてウェーハ表面に低温酸化
膜（LTO膜）あるいはリンドープ低温酸化膜等のCVD膜を
生成する際に用いる石英製ウェーハホルダに関する。
膜（LTO膜）あるいはリンドープ低温酸化膜等のCVD膜を
生成する際に用いる石英製ウェーハホルダに関する。
まず、第３図を用いて縦型CVD装置のウェーハ搬送機構
部を説明する。
部を説明する。
カセット１に納められたウェーハ２は伸縮及び上下動機
構を持ったウェーハ立替機３のウェーハ搬送アーム４の
真空吸着部4a（第４図参照）に吸着されて石英製ウェー
ハボート５に１枚ずつ装填される。この時、ウェーハ２
の表面にポリシリコン膜、窒化膜などのCVD膜を生成す
るに際しては直接，石英製ウェーハボート５上にウェー
ハ２を装填するのであるが、SiH4とO2を用いたLTO膜
（生成温度300〜400℃）やPSG膜（LTO膜にリンをドープ
した膜）、あるいはSiH4とN2Oを用いる高温酸化膜（HTO
膜、生成温度700〜850℃）、リンドープポリシリコン膜
などの生成においては第２図に示すような石英製のウェ
ーハホルダ６が用いられている。
構を持ったウェーハ立替機３のウェーハ搬送アーム４の
真空吸着部4a（第４図参照）に吸着されて石英製ウェー
ハボート５に１枚ずつ装填される。この時、ウェーハ２
の表面にポリシリコン膜、窒化膜などのCVD膜を生成す
るに際しては直接，石英製ウェーハボート５上にウェー
ハ２を装填するのであるが、SiH4とO2を用いたLTO膜
（生成温度300〜400℃）やPSG膜（LTO膜にリンをドープ
した膜）、あるいはSiH4とN2Oを用いる高温酸化膜（HTO
膜、生成温度700〜850℃）、リンドープポリシリコン膜
などの生成においては第２図に示すような石英製のウェ
ーハホルダ６が用いられている。
この石英製ウェーハホルダ６はホルダ本体6a上に段差7a
を設けたつめ７が設けられており、ウェーハ２をホルダ
本体6a面より4mm程浮かせている。ウェーハ２をホルダ
６に装着あるいは脱着する時にはウェーハ２とホルダ本
体6aの間にウェーハ立替機３のウェーハ搬送アーム４の
真空吸着部4aを入れてウェーハ２の裏面を吸着して移動
を行う。
を設けたつめ７が設けられており、ウェーハ２をホルダ
本体6a面より4mm程浮かせている。ウェーハ２をホルダ
６に装着あるいは脱着する時にはウェーハ２とホルダ本
体6aの間にウェーハ立替機３のウェーハ搬送アーム４の
真空吸着部4aを入れてウェーハ２の裏面を吸着して移動
を行う。
なお、第３図中、８はカセットエレベータ、９はボート
移し替え機構、10,11は石英製ウェーハボート５の昇降
機構、12は反応管で、ボート移し替え機構９により膜生
成処理済のウェーハを載置したボート５と未処理ウェー
ハを載置したボート５を移し替え，昇降機構11により反
応管12内に下方よりボート５を入れたり出したりするよ
うになっており、入れた状態でガスインレット13より反
応ガスを供給して反応管12内でウェーハ表面にCVD膜を
生成することになる。
移し替え機構、10,11は石英製ウェーハボート５の昇降
機構、12は反応管で、ボート移し替え機構９により膜生
成処理済のウェーハを載置したボート５と未処理ウェー
ハを載置したボート５を移し替え，昇降機構11により反
応管12内に下方よりボート５を入れたり出したりするよ
うになっており、入れた状態でガスインレット13より反
応ガスを供給して反応管12内でウェーハ表面にCVD膜を
生成することになる。
従来の石英製ウェーハホルダ６は第２図示のようにホル
ダ本体6a上に、ウェーハ２を載置する段差7aを設けたつ
め７が設けられているため、当該ウェーハホルダ６を用
いて後記第１表の生成条件下においてLTO膜を生成した
場合には後記第２表No.2に示すようにウェーハ周辺部の
膜厚が厚くなり、ウェーハ周辺5mm部分の膜厚均一性は
±10％を超えてしまい全体の膜厚均一性は±４〜８％に
なる。
ダ本体6a上に、ウェーハ２を載置する段差7aを設けたつ
め７が設けられているため、当該ウェーハホルダ６を用
いて後記第１表の生成条件下においてLTO膜を生成した
場合には後記第２表No.2に示すようにウェーハ周辺部の
膜厚が厚くなり、ウェーハ周辺5mm部分の膜厚均一性は
±10％を超えてしまい全体の膜厚均一性は±４〜８％に
なる。
ここで第２表No.1に示すようにウェーハホルダ６にウェ
ーハ２を密着させて生成を行うと、周辺部が厚くなる傾
向はなくなり、全体の膜厚均一性は±２〜３％となり均
一な膜厚分布を持った膜が得られる。このことからウェ
ーハホルダよりウェーハを離して置く程、膜厚分布の均
一性が悪くなることが判る。
ーハ２を密着させて生成を行うと、周辺部が厚くなる傾
向はなくなり、全体の膜厚均一性は±２〜３％となり均
一な膜厚分布を持った膜が得られる。このことからウェ
ーハホルダよりウェーハを離して置く程、膜厚分布の均
一性が悪くなることが判る。
ウェーハ立替機３を用いてウェーハ２をホルダ６に着脱
する場合にはウェーハ搬送アーム４の厚さが2mm程有る
ためウェーハを4mm位，ホルダより離さなければならな
いので従来のホルダ６を改善して膜厚均一性を改良する
必要があった。
する場合にはウェーハ搬送アーム４の厚さが2mm程有る
ためウェーハを4mm位，ホルダより離さなければならな
いので従来のホルダ６を改善して膜厚均一性を改良する
必要があった。
〔考案が解決しようとする問題点〕 上記のように従来ホルダ６ではウェーハを載置するつめ
７に段差7aが設けられているため、全体の膜厚均一性が
±４〜８％と悪いという問題点があった。
７に段差7aが設けられているため、全体の膜厚均一性が
±４〜８％と悪いという問題点があった。
本考案ウェーハホルダは、第１図示のようにウェーハ２
の表面にLTO膜,PSG膜,HTO膜，ドープシリコン膜等を生
成するのに用い、円形で材質が石英製のウェーハホルダ
において、ウェーハホルダ本体6a上に馬蹄形板状体14を
設け、この板状体14に沿って複数個、ウェーハ移動防止
突起15を設けてなる。
の表面にLTO膜,PSG膜,HTO膜，ドープシリコン膜等を生
成するのに用い、円形で材質が石英製のウェーハホルダ
において、ウェーハホルダ本体6a上に馬蹄形板状体14を
設け、この板状体14に沿って複数個、ウェーハ移動防止
突起15を設けてなる。
ウェーハ搬送アーム４の真空吸着部4aに吸着されて搬送
されてきたウェーハ２は本考案ウェーハホルダの馬蹄形
板状体14に載置されるが、当該板状体14に段差が設けら
れていないため、反応ガスの流れを均一にでき、全体の
膜厚均一性が改善されることになる。
されてきたウェーハ２は本考案ウェーハホルダの馬蹄形
板状体14に載置されるが、当該板状体14に段差が設けら
れていないため、反応ガスの流れを均一にでき、全体の
膜厚均一性が改善されることになる。
以下図面に基づいて本考案の実施例を説明する。
第１図（ａ）は本考案ウェーハホルダの１実施例を示す
斜視図、第１図（ｂ）は本実施例にウェーハを載置した
状態を示す斜視図、第１図（ｃ）は第１図（ｂ）のＩ−
Ｉ線断面図である。
斜視図、第１図（ｂ）は本実施例にウェーハを載置した
状態を示す斜視図、第１図（ｃ）は第１図（ｂ）のＩ−
Ｉ線断面図である。
この実施例は、ウェーハホルダ本体6a上に保持部Ｈであ
る馬蹄形板状体14を設け、この板状体14上に周辺に沿っ
て複数個、この例では４個のウェーハ移動防止突起15を
設けてなるものである。
る馬蹄形板状体14を設け、この板状体14上に周辺に沿っ
て複数個、この例では４個のウェーハ移動防止突起15を
設けてなるものである。
ウェーハ２は馬蹄形板状体14上に載置され、４個のウェ
ーハ移動防止突起15によりその移動が阻止される。ウェ
ーハ搬送アーム４の真空吸着部4aは馬蹄形板状体14の厚
さより薄くなっているため、馬蹄形板状体14の開口部14
aより入出して上下動でき、ウェーハ２の自動搬送に支
障をきたす恐れはない。
ーハ移動防止突起15によりその移動が阻止される。ウェ
ーハ搬送アーム４の真空吸着部4aは馬蹄形板状体14の厚
さより薄くなっているため、馬蹄形板状体14の開口部14
aより入出して上下動でき、ウェーハ２の自動搬送に支
障をきたす恐れはない。
また、ウェーハ２を載置する馬蹄形板状体14に段差がな
いため、反応ガスの流れが均一になり、ウェーハ２の全
体の膜厚均一性は上記第２表No.3に示すように±２〜３
％となってウェーハホルダ６にウェーハ２を密着させた
場合の第２表No.1と比較し遜色がない。
いため、反応ガスの流れが均一になり、ウェーハ２の全
体の膜厚均一性は上記第２表No.3に示すように±２〜３
％となってウェーハホルダ６にウェーハ２を密着させた
場合の第２表No.1と比較し遜色がない。
なお、第３図に示したウェーハ搬送機構について捕捉し
ておく。
ておく。
石英製の円板形ウェーハホルダ６は縦形石英製ウェーハ
ボルド５上に約1.1°の角度をもって保持される。これ
は石英ボート５を回転させた時にウェーハ２が動かない
ために必要な角度である。
ボルド５上に約1.1°の角度をもって保持される。これ
は石英ボート５を回転させた時にウェーハ２が動かない
ために必要な角度である。
ウェーハ立替機３の搬送アーム４はカセット１よりウェ
ーハ２を吸着して取り出した後、90°回転してボート５
上に位置された石英製ウェーハホルダ６上に搬送され
る。ホルダ６上部にウェーハ２がくると搬送アーム４は
下降してウェーハ２をホルダ６に密着させる。同時に真
空吸着部4aによる吸着が解除されてウェーハ２はホルダ
６上に載せられる。搬送アーム４は更に下降し次いでア
ーム４を縮めて次のウェーハ２の搬送の準備をする。
ーハ２を吸着して取り出した後、90°回転してボート５
上に位置された石英製ウェーハホルダ６上に搬送され
る。ホルダ６上部にウェーハ２がくると搬送アーム４は
下降してウェーハ２をホルダ６に密着させる。同時に真
空吸着部4aによる吸着が解除されてウェーハ２はホルダ
６上に載せられる。搬送アーム４は更に下降し次いでア
ーム４を縮めて次のウェーハ２の搬送の準備をする。
上述より理解されるように本考案によれば、ウェーハ搬
送アーム４の真空吸着部4aによって吸着されてくるウェ
ーハ２を吸着解除してウェーハホルダ６上に支障なく載
置でき、またウェーハホルダ６上のウェーハ２を支障な
く吸着して搬送できるので、ウェーハ２の自動搬送に支
障をきたす恐れがないばかりでなく、本考案ウェーハホ
ルダを用いることにより均一な膜厚分布を持ったCVD膜
を得ることができ、かつウェーハ２の全体の膜厚均一性
をウェーハホルダ６にウェーハ２を密着させて場合と遜
色なくでき、従来例よりも向上できる。
送アーム４の真空吸着部4aによって吸着されてくるウェ
ーハ２を吸着解除してウェーハホルダ６上に支障なく載
置でき、またウェーハホルダ６上のウェーハ２を支障な
く吸着して搬送できるので、ウェーハ２の自動搬送に支
障をきたす恐れがないばかりでなく、本考案ウェーハホ
ルダを用いることにより均一な膜厚分布を持ったCVD膜
を得ることができ、かつウェーハ２の全体の膜厚均一性
をウェーハホルダ６にウェーハ２を密着させて場合と遜
色なくでき、従来例よりも向上できる。
第１図（ａ）は本考案ウェーハホルダの１実施例を示す
斜視図、第１図（ｂ）は本実施例にウェーハを載置した
状態を示す斜視図、第１図（ｃ）は第１図（ｂ）のＩ−
Ｉ線断面図、第２図（ａ）は従来ウェーハホルダの１例
を示す斜視図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のIV−IV線
断面図、第３図は縦形CVD装置のウェーハ搬送機構の１
例を示す斜視図、第４図は第３図で使用するウェーハ搬
送アームの斜視図である。 ２……ウェーハ、４……ウェーハ搬送アーム、4a……真
空吸着部、６……石英製ウェーハホルダ、6a……ウェー
ハホルダ本体、7a……段差、14……馬蹄形板状体、14a
……開口部、15……ウェーハ移動防止突起。
斜視図、第１図（ｂ）は本実施例にウェーハを載置した
状態を示す斜視図、第１図（ｃ）は第１図（ｂ）のＩ−
Ｉ線断面図、第２図（ａ）は従来ウェーハホルダの１例
を示す斜視図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のIV−IV線
断面図、第３図は縦形CVD装置のウェーハ搬送機構の１
例を示す斜視図、第４図は第３図で使用するウェーハ搬
送アームの斜視図である。 ２……ウェーハ、４……ウェーハ搬送アーム、4a……真
空吸着部、６……石英製ウェーハホルダ、6a……ウェー
ハホルダ本体、7a……段差、14……馬蹄形板状体、14a
……開口部、15……ウェーハ移動防止突起。
Claims (1)
- 【請求項１】ウェーハの表面にLTO膜,PSG膜,HTO膜，ド
ープポリシリコン膜等を生成するのに用い、円形で材質
が石英製のウェーハホルダにおいて、ウェーハホルダ本
体上に馬蹄形板状体を設け、この板状体に沿って複数
個、ウェーハ移動防止突起を設けたことを特徴とする縦
型CVD装置用石英製ウェーハホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6652787U JPH0635467Y2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 縦型ｃｖｄ装置用石英製ウェ−ハホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6652787U JPH0635467Y2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 縦型ｃｖｄ装置用石英製ウェ−ハホルダ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63177035U JPS63177035U (ja) | 1988-11-16 |
| JPH0635467Y2 true JPH0635467Y2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=30904615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6652787U Expired - Lifetime JPH0635467Y2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 縦型ｃｖｄ装置用石英製ウェ−ハホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0635467Y2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5584936A (en) * | 1995-12-14 | 1996-12-17 | Cvd, Incorporated | Susceptor for semiconductor wafer processing |
| TWI327339B (en) * | 2005-07-29 | 2010-07-11 | Nuflare Technology Inc | Vapor phase growing apparatus and vapor phase growing method |
| JP2010258288A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 固定治具およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2014060403A (ja) * | 2013-09-24 | 2014-04-03 | Kokusai Electric Semiconductor Service Inc | 基板保持具及びウェーハ支持方法 |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP6652787U patent/JPH0635467Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63177035U (ja) | 1988-11-16 |
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