JPH0783003B2 - ウエ−ハボ−トの搬送方法 - Google Patents
ウエ−ハボ−トの搬送方法Info
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- JPH0783003B2 JPH0783003B2 JP61162560A JP16256086A JPH0783003B2 JP H0783003 B2 JPH0783003 B2 JP H0783003B2 JP 61162560 A JP61162560 A JP 61162560A JP 16256086 A JP16256086 A JP 16256086A JP H0783003 B2 JPH0783003 B2 JP H0783003B2
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は反応炉を縦型に設置した拡散装置,CVD装置等の
縦型半導体製造装置に係り、特に縦型反応炉内に下方か
ら搬入出されるウェーハボートの搬送方法に関する。
縦型半導体製造装置に係り、特に縦型反応炉内に下方か
ら搬入出されるウェーハボートの搬送方法に関する。
従来の縦型半導体製造装置を第6図によって説明する
と、1は石英反応管2とその外周に設けたヒータ3とよ
りなる縦型反応炉、4はヒータベースである。5は縦型
反応炉1内に下から搬入出されるウェーハボートで、多
数の溝にウェーハ6を挿入して保持するウェーハチャー
ジ部7とこのチャージ部7の下端に一体に形成され炉内
の熱放散を防ぐ断熱材入りのキャップ部8とよりなる。
と、1は石英反応管2とその外周に設けたヒータ3とよ
りなる縦型反応炉、4はヒータベースである。5は縦型
反応炉1内に下から搬入出されるウェーハボートで、多
数の溝にウェーハ6を挿入して保持するウェーハチャー
ジ部7とこのチャージ部7の下端に一体に形成され炉内
の熱放散を防ぐ断熱材入りのキャップ部8とよりなる。
従来はウェーハボート5をボート搬送アーム9の先端載
置部9a上に載せて炉口の真下まで搬送し、次いでボート
搬送アーム9を昇降させることによりウェーハボート5
を反応炉1内に搬入出させていた。
置部9a上に載せて炉口の真下まで搬送し、次いでボート
搬送アーム9を昇降させることによりウェーハボート5
を反応炉1内に搬入出させていた。
従来のウェーハボート5はウェーハチャージ部7とキャ
ップ部8を一体に構成していたので、ウェーハボート5
を反応炉1内に搬入出するためには、装置を天井の高い
部屋に設置しなければならなかった。
ップ部8を一体に構成していたので、ウェーハボート5
を反応炉1内に搬入出するためには、装置を天井の高い
部屋に設置しなければならなかった。
従って天井の低い部屋に装置を設置する場合には、反応
炉1の長さとウェーハボート5の長さを短くする必要が
あるため、装置の設計変更を行わねばならないばかりで
なく、ウェーハ6の処理枚数が減りウェーハ処理能力
(スループット)が低下するという問題点があった。
炉1の長さとウェーハボート5の長さを短くする必要が
あるため、装置の設計変更を行わねばならないばかりで
なく、ウェーハ6の処理枚数が減りウェーハ処理能力
(スループット)が低下するという問題点があった。
本発明方法は上記の問題点を解決するため、第1図〜第
5図示のように縦型反応炉1内にウェーハチャージ部7
とキャップ部8よりなるウェーハボート5を下方より搬
入出する装置において、上記ウェーハボート5を、ウェ
ーハチャージ部7とキャップ部8に2分割し、ボート搬
入時はチャージ部搬送アーム12先端の2つの爪状載置部
12aに、ウェーハチャージ部7の下部10に設けた頸れ部
分11を挟み込んで載置し、このチャージ部搬送アーム12
をウェーハチャージ部7が搬送開始位置より縦型反応炉
1の真下位置にくるまでチャージ部搬送アーム12の移動
手段により移動した後、所定高さ位置までチャージ部搬
送アーム12の昇降手段により上昇させ、しかる後、先端
の載置部16aにキャップ部8の下面を嵌め込んで載置し
たキャップ部搬送アーム16を、待機位置より縦型反応炉
1の真下位置にくるまでキャップ部搬送アーム16の移動
手段により移動し、次いでキャップ部搬送アーム16の昇
降手段により上昇させてウェーハチャージ部7の下面を
キャップ部8の上面に嵌め込んで載置させ、ウェーハチ
ャージ部7の支持がチャージ部搬送アーム12先端の2つ
の爪状載置部12aよりキャップ部8に移行したら、チャ
ージ部搬送アーム12をその移動手段により移動させてウ
ェーハチャージ部7の頸れ部分11から爪状載置部12aを
離脱させ、しかる後、キャップ部搬送アーム16を,その
昇降手段によりウェーハチャージ部7とキャップ部8を
載置した状態で縦型反応炉1の最終ボート搬入位置まで
上昇して停止させ、ボート搬出は上記とは逆の過程で行
うようにしたウェーハボートの搬送方法である。
5図示のように縦型反応炉1内にウェーハチャージ部7
とキャップ部8よりなるウェーハボート5を下方より搬
入出する装置において、上記ウェーハボート5を、ウェ
ーハチャージ部7とキャップ部8に2分割し、ボート搬
入時はチャージ部搬送アーム12先端の2つの爪状載置部
12aに、ウェーハチャージ部7の下部10に設けた頸れ部
分11を挟み込んで載置し、このチャージ部搬送アーム12
をウェーハチャージ部7が搬送開始位置より縦型反応炉
1の真下位置にくるまでチャージ部搬送アーム12の移動
手段により移動した後、所定高さ位置までチャージ部搬
送アーム12の昇降手段により上昇させ、しかる後、先端
の載置部16aにキャップ部8の下面を嵌め込んで載置し
たキャップ部搬送アーム16を、待機位置より縦型反応炉
1の真下位置にくるまでキャップ部搬送アーム16の移動
手段により移動し、次いでキャップ部搬送アーム16の昇
降手段により上昇させてウェーハチャージ部7の下面を
キャップ部8の上面に嵌め込んで載置させ、ウェーハチ
ャージ部7の支持がチャージ部搬送アーム12先端の2つ
の爪状載置部12aよりキャップ部8に移行したら、チャ
ージ部搬送アーム12をその移動手段により移動させてウ
ェーハチャージ部7の頸れ部分11から爪状載置部12aを
離脱させ、しかる後、キャップ部搬送アーム16を,その
昇降手段によりウェーハチャージ部7とキャップ部8を
載置した状態で縦型反応炉1の最終ボート搬入位置まで
上昇して停止させ、ボート搬出は上記とは逆の過程で行
うようにしたウェーハボートの搬送方法である。
以下図面により本発明の実施例を説明する。
第1図は本発明ウェーハボートの一例を用いた縦型半導
体製造装置の簡略断面図、第2図は本発明ウェーハボー
トとその搬送系の斜視図である。
体製造装置の簡略断面図、第2図は本発明ウェーハボー
トとその搬送系の斜視図である。
まず、本発明に係る縦型半導体製造装置の構成を説明す
る。
る。
第1図,第2図において1は上記従来装置と同様に反応
管2とヒータ3とよりなる縦型反応炉である。5は縦型
反応炉1内に下から搬入出されるウェーハボートで、多
数の溝にウェーハ6を水平に近い角度で挿入して保持す
るウェーハチャージ部7と,炉内の熱放散を防ぐ石英ウ
ール等の断熱材17入りのキャップ部8の2部品よりな
る。換言すれば、従来の一体構造のウェーハボートをウ
ェーハチャージ部7とキャップ部8とに2分割したもの
である。
管2とヒータ3とよりなる縦型反応炉である。5は縦型
反応炉1内に下から搬入出されるウェーハボートで、多
数の溝にウェーハ6を水平に近い角度で挿入して保持す
るウェーハチャージ部7と,炉内の熱放散を防ぐ石英ウ
ール等の断熱材17入りのキャップ部8の2部品よりな
る。換言すれば、従来の一体構造のウェーハボートをウ
ェーハチャージ部7とキャップ部8とに2分割したもの
である。
ウェーハチャージ部7の下部10はドラムまたは糸巻き状
になっており、その頸れ部分11にチャージ部搬送アーム
12先端の2つの爪状載置部12aを嵌め込んで当該ウェー
ハチャージ部7を支持することができる。ウェーハチャ
ージ部7の下部10下面の中心部には円形穴13が設けられ
ている。
になっており、その頸れ部分11にチャージ部搬送アーム
12先端の2つの爪状載置部12aを嵌め込んで当該ウェー
ハチャージ部7を支持することができる。ウェーハチャ
ージ部7の下部10下面の中心部には円形穴13が設けられ
ている。
キャップ部8上面の中心部には円形突起14が設けられ、
ウェーハチャージ部7はキャップ部8上に突起14と穴13
が嵌入した状態でズレ落ちることなく支持することがで
きる。キャップ部8下面の中央部には円形突起15が設け
られ、キャップ部搬送アーム16先端のリング状載置部16
aの孔18に突起15が嵌入した状態で支持することができ
る。
ウェーハチャージ部7はキャップ部8上に突起14と穴13
が嵌入した状態でズレ落ちることなく支持することがで
きる。キャップ部8下面の中央部には円形突起15が設け
られ、キャップ部搬送アーム16先端のリング状載置部16
aの孔18に突起15が嵌入した状態で支持することができ
る。
また、ウェーハチャージ部7の下部10下面の中心部に円
形突起14を,キャップ部8上面の中央部に円形穴13を設
けてキャップ部8上にウェーハチャージ部7を位置出し
とズレ落ち防止を図って支持するようにしてもよいし、
同様にキャップ部8下面の中央部に円形孔18を設け、キ
ャップ部搬送アーム16先端の載置部16aを円形突起15を
有する載置部としてキャップ部搬送アーム16先端の載置
部16aにキャップ部8を位置出しとズレ落ち防止を図っ
て支持するようにしてもよい。
形突起14を,キャップ部8上面の中央部に円形穴13を設
けてキャップ部8上にウェーハチャージ部7を位置出し
とズレ落ち防止を図って支持するようにしてもよいし、
同様にキャップ部8下面の中央部に円形孔18を設け、キ
ャップ部搬送アーム16先端の載置部16aを円形突起15を
有する載置部としてキャップ部搬送アーム16先端の載置
部16aにキャップ部8を位置出しとズレ落ち防止を図っ
て支持するようにしてもよい。
次に本発明ウェーハボートの搬入出について説明する。
ボート搬入時は、チャージ部搬送アーム12の爪状載置部
12aにウェーハチャージ部7の頸れ部11を挟み込んで載
置し、当該チャージ部搬送アーム12をウェーハチャージ
部7が搬送開始位置より反応炉1の真下位置にくるまで
回転する。キャップ部8はキャップ部搬送アーム16の載
置部16aに載置し横で待機している(第3図(a),第
4図(a),第5図(a)参照)。
12aにウェーハチャージ部7の頸れ部11を挟み込んで載
置し、当該チャージ部搬送アーム12をウェーハチャージ
部7が搬送開始位置より反応炉1の真下位置にくるまで
回転する。キャップ部8はキャップ部搬送アーム16の載
置部16aに載置し横で待機している(第3図(a),第
4図(a),第5図(a)参照)。
しかる後、チャージ部搬送アーム12を上昇させ、ウェー
ハチャージ部7を反応炉1内に搬入開始する。ウェーハ
チャージ部7の下端がキャップ部8の上面より上まで上
昇したら、キャップ部搬送アーム16をキャップ部8がウ
ェーハチャージ部7の真下に位置するまで回転する(第
3図(b),第4図(b),第5図(b)参照)。
ハチャージ部7を反応炉1内に搬入開始する。ウェーハ
チャージ部7の下端がキャップ部8の上面より上まで上
昇したら、キャップ部搬送アーム16をキャップ部8がウ
ェーハチャージ部7の真下に位置するまで回転する(第
3図(b),第4図(b),第5図(b)参照)。
次いでキャップ部搬送アーム16を上昇させ、キャップ部
8の上面をウェーハチャージ部7の下面に接触させた
後、ウェーハチャージ部7の支持がチャージ部搬送アー
ム12からキャップ部8に移行するまで当該キャップ部搬
送アーム16を上昇させる。ウェーハチャージ部7の支持
がキャップ部8に完全に移行し、チャージ部搬送アーム
12がウェーハチャージ部7から離れたら、チャージ部搬
送アーム12を回転してウェーハチャージ部7の頸れ部11
から爪状載置部12a離脱させる(第3図(c),第4図
(c),第5図(c)参照)。
8の上面をウェーハチャージ部7の下面に接触させた
後、ウェーハチャージ部7の支持がチャージ部搬送アー
ム12からキャップ部8に移行するまで当該キャップ部搬
送アーム16を上昇させる。ウェーハチャージ部7の支持
がキャップ部8に完全に移行し、チャージ部搬送アーム
12がウェーハチャージ部7から離れたら、チャージ部搬
送アーム12を回転してウェーハチャージ部7の頸れ部11
から爪状載置部12a離脱させる(第3図(c),第4図
(c),第5図(c)参照)。
しかる後、キャップ部搬送アーム16を,ウェーハチャー
ジ部7とキャップ部8を載置した状態で反応炉1の最終
ボート搬入位置まで上昇して停止させ、ウェーハボート
5の搬入を終了する(第3図(d),第4図(d),第
5図(d)参照)。
ジ部7とキャップ部8を載置した状態で反応炉1の最終
ボート搬入位置まで上昇して停止させ、ウェーハボート
5の搬入を終了する(第3図(d),第4図(d),第
5図(d)参照)。
ボート搬出は上記とは逆の過程で行うことになる。
本発明においては、ウェーハチャージ部7とキャップ部
8を反応炉1の真下位置まで移動する手段として回転に
よる手段に限らず、横方向に移動する手段であってもよ
い。また、ウェーハチャージ部7とキャップ部8の昇降
手段も従来公知の手段を使用することができる。
8を反応炉1の真下位置まで移動する手段として回転に
よる手段に限らず、横方向に移動する手段であってもよ
い。また、ウェーハチャージ部7とキャップ部8の昇降
手段も従来公知の手段を使用することができる。
上述のように本発明によれば、縦型反応炉1内にウェー
ハチャージ部7とキャップ部8よりなるウェーハボート
5を下方より搬入出する装置において、上記ウェーハボ
ート5を、ウェーハチャージ部7とキャップ部8に2分
割し、ボート搬入時はチャージ部搬送アーム12先端の2
つの爪状載置部12aに、ウェーハチャージ部7の下部10
に設けた頸れ部分11を挟み込んで載置し、このチャージ
部搬送アーム12をウェーハチャージ部7が搬送開始位置
より縦型反応炉1の真下位置にくるまでチャージ部搬送
アーム12の移動手段により移動した後、所定高さ位置ま
でチャージ部搬送アーム12の昇降手段により上昇させ、
しかる後、先端の載置部16aにキャップ部8の下面を嵌
め込んで載置したキャップ部搬送アーム16を、待機位置
より縦型反応炉1の真下位置にくるまでキャップ部搬送
アーム16の移動手段により移動し、次いでキャップ部搬
送アーム16の昇降手段により上昇させてウェーハチャー
ジ部7の下面をキャップ部8の上面に嵌め込んで載置さ
せ、ウェーハチャージ部7の支持がチャージ部搬送アー
ム12先端の2つの爪状載置部12aよりキャップ部8に移
行したら、チャージ部搬送アーム12をその移動手段によ
り移動させてウェーハチャージ部7の頸れ部分11から爪
状載置部12aを離脱させ、しかる後、キャップ部搬送ア
ーム16を,その昇降手段によりウェーハチャージ部7と
キャップ部8を載置した状態で縦型反応炉1の最終ボー
ト搬入位置まで上昇して停止させ、ボート搬出は上記と
は逆の過程で行うようにしたウェーハボートの搬送方法
であるから、ウェーハチャージ部7とキャップ部8を一
体に構成した従来のウェーハボートの搬入出の場合に比
べてウェーハ処理能力を低下させることなくキャップ部
8の高さ分だけ装置の全高を低くでき、それだけ天井の
低い部屋に設置できる。換言すれば従来と同じ高さの部
屋に設置する場合、ウェーハ6の処理枚数をキャップ部
8の長さに対応する枚数だけ増大でき、ウェーハ処理能
力の向上を図ることができる。また、ウェーハボート5
の洗浄はウェーハチャージ部7とキャップ部8に分けて
行うことができるので容易になる。
ハチャージ部7とキャップ部8よりなるウェーハボート
5を下方より搬入出する装置において、上記ウェーハボ
ート5を、ウェーハチャージ部7とキャップ部8に2分
割し、ボート搬入時はチャージ部搬送アーム12先端の2
つの爪状載置部12aに、ウェーハチャージ部7の下部10
に設けた頸れ部分11を挟み込んで載置し、このチャージ
部搬送アーム12をウェーハチャージ部7が搬送開始位置
より縦型反応炉1の真下位置にくるまでチャージ部搬送
アーム12の移動手段により移動した後、所定高さ位置ま
でチャージ部搬送アーム12の昇降手段により上昇させ、
しかる後、先端の載置部16aにキャップ部8の下面を嵌
め込んで載置したキャップ部搬送アーム16を、待機位置
より縦型反応炉1の真下位置にくるまでキャップ部搬送
アーム16の移動手段により移動し、次いでキャップ部搬
送アーム16の昇降手段により上昇させてウェーハチャー
ジ部7の下面をキャップ部8の上面に嵌め込んで載置さ
せ、ウェーハチャージ部7の支持がチャージ部搬送アー
ム12先端の2つの爪状載置部12aよりキャップ部8に移
行したら、チャージ部搬送アーム12をその移動手段によ
り移動させてウェーハチャージ部7の頸れ部分11から爪
状載置部12aを離脱させ、しかる後、キャップ部搬送ア
ーム16を,その昇降手段によりウェーハチャージ部7と
キャップ部8を載置した状態で縦型反応炉1の最終ボー
ト搬入位置まで上昇して停止させ、ボート搬出は上記と
は逆の過程で行うようにしたウェーハボートの搬送方法
であるから、ウェーハチャージ部7とキャップ部8を一
体に構成した従来のウェーハボートの搬入出の場合に比
べてウェーハ処理能力を低下させることなくキャップ部
8の高さ分だけ装置の全高を低くでき、それだけ天井の
低い部屋に設置できる。換言すれば従来と同じ高さの部
屋に設置する場合、ウェーハ6の処理枚数をキャップ部
8の長さに対応する枚数だけ増大でき、ウェーハ処理能
力の向上を図ることができる。また、ウェーハボート5
の洗浄はウェーハチャージ部7とキャップ部8に分けて
行うことができるので容易になる。
第1図は本発明ウェーハボートの一例を用いた縦型半導
体製造装置の簡略断面図、第2図は本発明ウェーハボー
トとその搬送系の斜視図、第3図(a)〜(d)は本発
明におけるボート搬入過程の説明用斜視図、第4図
(a)〜(d)は同じくその説明用簡略断面図、第5図
(a)〜(d)は同じくその説明用平面図、第6図は従
来ウェーハボートの一例を用いた縦型半導体製造装置の
簡略断面図である。 1……縦型反応炉、5……ウェーハボート、6……ウェ
ーハ、7……ウェーハチャージ部、8……キャップ部、
10……下部、11……頸れ部分、12……チャージ部搬送ア
ーム、12a……爪状載置部、16……キャップ部搬送アー
ム、16a……(リング状)載置部。
体製造装置の簡略断面図、第2図は本発明ウェーハボー
トとその搬送系の斜視図、第3図(a)〜(d)は本発
明におけるボート搬入過程の説明用斜視図、第4図
(a)〜(d)は同じくその説明用簡略断面図、第5図
(a)〜(d)は同じくその説明用平面図、第6図は従
来ウェーハボートの一例を用いた縦型半導体製造装置の
簡略断面図である。 1……縦型反応炉、5……ウェーハボート、6……ウェ
ーハ、7……ウェーハチャージ部、8……キャップ部、
10……下部、11……頸れ部分、12……チャージ部搬送ア
ーム、12a……爪状載置部、16……キャップ部搬送アー
ム、16a……(リング状)載置部。
Claims (1)
- 【請求項1】縦型反応炉(1)内にウェーハチャージ部
(7)とキャップ部(8)よりなるウェーハボート
(5)を下方より搬入出する装置において、上記ウェー
ハボート(5)を、ウェーハチャージ部(7)とキャッ
プ部(8)に2分割し、ボート搬入時はチャージ部搬送
アーム(12)先端の2つの爪状載置部(12a)に、ウェ
ーハチャージ部(7)の下部(10)に設けた頸れ部分
(11)を挟み込んで載置し、このチャージ部搬送アーム
(12)をウェーハチャージ部(7)が搬送開始位置より
縦型反応炉(1)の真下位置にくるまでチャージ部搬送
アーム(12)の移動手段により移動した後、所定高さ位
置までチャージ部搬送アーム(12)の昇降手段により上
昇させ、しかる後、先端の載置部(16a)にキャップ部
(8)の下面を嵌め込んで載置したキャップ部搬送アー
ム(16)を、待機位置より縦型反応炉(1)の真下位置
にくるまでキャップ部搬送アーム(16)の移動手段によ
り移動し、次いでキャップ部搬送アーム(16)の昇降手
段により上昇させてウェーハチャージ部(7)の下面を
キャップ部(8)の上面に嵌め込んで載置させ、ウェー
ハチャージ部(7)の支持がチャージ部搬送アーム(1
2)先端の2つの爪状載置部(12a)よりキャップ部
(8)に移行したら、チャージ部搬送アーム(12)をそ
の移動手段により移動させてウェーハチャージ部(7)
の頸れ部分(11)から爪状載置部(12a)を離脱させ、
しかる後、キャップ部搬送アーム(16),その昇降手段
によりウェーハチャージ部(7)とキャップ部(8)を
載置した状態で縦型反応炉(1)の最終ボート搬入位置
まで上昇して停止させ、ボート搬出は上記とは逆の過程
で行うようにしたウェーハボートの搬送方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61162560A JPH0783003B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | ウエ−ハボ−トの搬送方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61162560A JPH0783003B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | ウエ−ハボ−トの搬送方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6317521A JPS6317521A (ja) | 1988-01-25 |
| JPH0783003B2 true JPH0783003B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=15756909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61162560A Expired - Fee Related JPH0783003B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | ウエ−ハボ−トの搬送方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783003B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128624A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-06-01 | Deisuko Haitetsuku:Kk | 縦型半導体熱処理装置でのウエ−ハボ−ト搬入出方法 |
| KR970008320B1 (ko) * | 1987-11-17 | 1997-05-23 | 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 | 열처리 장치 |
| JP2691752B2 (ja) * | 1988-10-13 | 1997-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| JPH03125453A (ja) * | 1989-10-09 | 1991-05-28 | Toshiba Corp | 半導体ウエハ移送装置 |
| JPH03270221A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 縦型処理容器へのボート搬入方法 |
| JP2536994Y2 (ja) * | 1990-11-30 | 1997-05-28 | 神鋼電機株式会社 | 半導体製造装置のボート搬送装置 |
| JP3218488B2 (ja) * | 1993-03-16 | 2001-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP3406488B2 (ja) * | 1997-09-05 | 2003-05-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
| TW432578B (en) | 1997-09-18 | 2001-05-01 | Tokyo Electron Ltd | A vacuum processing apparatus |
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1986
- 1986-07-09 JP JP61162560A patent/JPH0783003B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPS6317521A (ja) | 1988-01-25 |
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