JPH0636249B2

JPH0636249B2 - 光学ヘッド

Info

Publication number: JPH0636249B2
Application number: JP62196240A
Authority: JP
Inventors: 秀夫安東
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1987-08-07
Filing date: 1987-08-07
Publication date: 1994-05-11
Anticipated expiration: 2009-05-11
Also published as: JPS6371939A

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明はたとえばＤＡＤ用のＣＤ（コンパクトディス
ク）やビデオディスク、画像ファイル、静止画ファイ
ル、ＣＯＭ（コンピューターアウトプットメモリー）等
の情報記憶媒体に対して集束光を照射することにより少
なくとも情報を読取ることが可能な再生ないしは記録再
生装置等に用いられる光学ヘッドに関する。

（従来の技術）近時、第１図（イ）（ロ）（ハ）で示すように、情報形
成層ａ′から反射して対物レンズｂ′を通過した光ビー
ムの反射光路ｃの途中に、この光軸に関して非対称に抜
出す光抜出部材（ナイフウエッヂ等の遮光板）ｄ_１、レ
ンズｅ，および２つの光検出セルｆ，ｇを有した光検出
器ｈを設け、光検出器の所のスポットサイズによって焦
点ぼけを検知するのではなく、光検出器ｈ上でのビーム
スポットｉの移動（矢印ｊ方向）として焦点ぼけを検知
することにより回折の影響を受けにくいようにしたもの
が考えられるに至った。

なお、第２図の実線で示すように、焦点があっている場
合には「０」となり、また、対物レンズｂ′と情報形成
層ａ′とが近づいて上側の光検出セルｇにビームスポッ
トｉが当ってマイナスの信号が、また、対物レンズｂ′
と情報形成層ａ′とが離れすぎて下側の光検出セルｆに
ビームスポットｉが当ってプラス信号が得られるように
なっている。

しかしながら、第１図（ハ）の２点鎖線で示すように対
物レンズｂ′と情報形成層ａ′との距離がある値より離
れすぎるとビームスポットｉは光検出器ｈ上で中心線よ
り上にきてしまい、第２図の破線で示すようにあたかも
対物レンズｂ′と情報形成層ａ′とが近づきすぎた状態
と同じマイナスの信号が出力されるといった重大な問題
がある。そこで、ほんのわずか焦点がぼけただけで反転
してしまうと特性的には好ましくないので、比較的大き
く焦点がボケても補正できるようにする必要がある。

また、上記光学系に限らず、ナイフエッヂのかわりにア
パーチャーやスリット、プリズム、ミラー、フォトディ
テクター等を用いた例えば第３図や第４図のような光学
系でも同様の問題がある。なお、第３図中ｄ_２はアパー
チャ、ｄ_２′は透光部である。また、第４図中ｄ_３はバ
イプリズムである。

（発明が解決しようとする問題点）本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、その目
的とするところは、焦点ぼけ検出をより安定に、しかも
信頼性良く行なうことができるようにした光学ヘッドを
提供することにある。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段及び作用）本発明は、情報を記憶した記録層を有した情報記憶媒体
に光を集光する第１の集光手段と、情報記憶媒体の記録
層で反射し、第１の集光手段を通過した光を集光する第
２の集光手段と、この第２の集光手段により集光された
光を検出する光検出手段と、第２の集光手段と光検出手
段との間に設けられ、光軸に対して非対称な光を抜出す
光抜出部材とを具備し、第１の集光手段の焦点距離をｆ
_０，第１の集光手段の主点から集光点までの距離をＦ、
第１の集光手段の主点から光抜出部材までの距離をｘ，
第１の集光手段の主点から第２の集光手段の主点までの
距離をＬ、前記第２の集光手段の焦点距離をｆ_１、第２
の集光手段の主点から光抜出部材までの距離をＨ、情報
記憶媒体の記録層の第１の集光手段からの光の焦点から
の許容ずれ量をδ_tfとしたとき、ｘ≦ｆ_０＋ｆ_０ ^２／｛２δ_tf＋（Ｆ−ｆ_０）｝−Ｌ^２／
（ｆ_１−Ｈ）の条件を満足するように前記光抜出部材を設置したこと
を特徴とするものであり、焦点ぼけ検出を安定に、しか
も信頼性良く行なうことができるものである。

（実施例）以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明す
る。第５図は情報記録再生装置を概略的に示すもので、
図中２は情報記憶媒体としての光ディスクであり、この
光ディスク２は、１対の円板上透明プレート４，６を内
外スペーサ８，１０を介して貼合わされて形成され、そ
の透明プレート４，６の夫々の内面上には情報記録層と
しての光反射層１２，１４が蒸着によって形成されてい
る。この光反射層１２，１４の夫々には、ヘリカルにト
ラッキング・ガイド１６（第６図参照）が形成され、こ
のトラッキング・ガイド１６上にピットの形で情報が記
録されるようになっている。光ディスク２の中心には、
孔が穿けられ、図示しないターンテーブル上に光ディス
ク２が載置された際にこのターンテーブルのセンター・
スピンドル２０が光ディスク２の孔に挿入され、ターン
テーブルと光ディスク２の回転中心が一致されるように
なっている。ターンテーブルのセンター・スピンドル２
０には、更にチャック装置２２が装着され、このチャッ
ク装置２２によって光ディスク２がターンテーブル上に
固定されるようになっている。ターンテーブルは、回転
可能に支持台（図示せず）によって支持され、駆動モー
タ２４によって一定速度で回転されるようになってい
る。

また、２６は光学ヘッドであり、これはリニア・アクチ
エータ２８或は回転アームによって光ディスク２の半径
方向に移動可能に設けられ、この光学ヘッド２６内に
は、レーザ・ビームを発生するレーザ装置３０が設けら
れている。そして、情報を光ディスク２に書き込むに際
しては、書き込むべき情報に応じてその光強度が変調さ
れたレーザ・ビームがレーザ装置３０から発生され、情
報を光ディスク２から読み出す際には、一定の光強度を
有するレーザ・ビームがレーザ装置３０から発生され
る。レーザ装置３０から発生されたレーザ・ビームは、
凹レンズ３２によって発散され、凸レンズ３４によって
平行光束に変換され、偏光ビーム・スプリッタ３６に向
けられている。偏光ビーム・スプリッタ３６によって反
射された平行レーザ・ビームは１／４波長板３８を通過
して対物レンズ４０に入射され、この対物レンズ４０に
よって光ディスク２の光反射層１４に向けて集束され
る。対物レンズ４０は、ボイス・コイル４２によってそ
の光軸方向に移動可能に支持され、対物レンズ４０が所
定位置に位置されると、この対物レンズ４０から発せら
れた集束性レーザ・ビームのビーム・ウエイトが光反射
層１４の表面上に投射され、最小ビーム・スポットが光
反射層１４の表面上に形成される。この状態において、
対物レンズ４０は、合焦状態に保れ、情報の書き込み及
び読み出しが可能となる。情報を書き込む際には、光強
度変調されたレーザ・ビームによって光反射層１４上の
トラッキング・ガイド（プリグループ）１６にピットが
形成され、情報を読み出す際には、一定の光強度を有す
るレーザ・ビームはトラッキング・ガイド１６に形成さ
れたビットによって光強度変調されて反射される。

光ディスク２の光反射層１４から反射された発散性のレ
ーザ・ビームは、合焦時には対物レンズ４０によって平
行光束に変換され、再び１／４波長板３８を通過して偏
光ビーム・スプリッタ３６に戻される。レーザ・ビーム
が１／４波長板３８を往復することによってレーザ・ビ
ームは、偏光ビーム・スプリッタ３６で反射された際に
比べて偏波面が９０度回転し、この９０度だけ偏波面が
回転したレーザ・ビームは、偏光ビーム・スプリッタ３
６で反射されず、この偏光ビーム・スプリッタ３６を通
過することとなる。偏光ビーム・スプリッタを通過した
レーザ・ビームは、ハーフ・ミラーブロック４４によっ
て２系に分けられ、その一方は、凸レンズ４６によって
検出素子４８Ａ，４８Ｂよりなる第１の光検出器４８に
照射される。この第１の光検出器４８で検出された第１
の信号は、光ディスク２に記録された情報を含み、信号
処理装置５０に送られてデジタル・データに変換され、
トラッキング信号５０Ａおよびトータル信号５０Ｂとし
て出力される。ハーフミラーブロック４４によって分け
られた他方のレーザ・ビームは、遮光板（光抜出部材）
５２によって光軸５３から離間した領域を通過する成分
のみが取り出され、投射レンズ５４を通過した後ミラー
５６によって反射されて第２の光検出器５８に入射され
る。ここで、遮光板５２は、プリズム，アパーチャー・
スリット或は、ナイフ・エッジ等のいずれで構成されて
も良い。また、ハーフミラーブロック４４、遮光板５２
および投射レンズ５４は密着されている。第２の光検出
器５８で検出された信号は、フォーカス信号発生器６０
で処理され、このフォーカス信号発生器６０から発生さ
れたフォーカス信号がボイス・コイル駆動回路６２に与
えられる。ボイス・コイル駆動回路６２は、フォーカス
信号に応じてボイス・コイル４２を駆動し、対物レンズ
４０を合焦状態に維持することとなる。なお、光ディス
ク２の光反射層１４上に形成されたトラッキング・ガイ
ド１６を正確にトレースする場合には、第２の光検出器
４８からの信号を処理してリニア・アクチエータ２８を
作動させても良く、また、対物レンズ４０を横方向に移
動させたり、或は図示しないガルバノ・ミラーを作動さ
せても良い。

第５図に示した合焦時に検出する為の光学系を第６図に
単純化して示し、さらに説明を加えると、合焦検出に関
するレーザ・ビームの軌跡は、第７図（イ）（ロ）
（ハ）に示すように描れる。すなわち、対物レンズ４０
が合焦状態にある際には、光反射層１４上にビーム・ウ
エストが投射され、最小ビーム・スポット、すなわち、
ビーム・ウエスト・スポット６４が光反射層１４上に形
成される。通常、レーザ装置３０から対物レンズ４０に
入射されるレーザは、平行光束であるから、ビーム・ウ
エストは、対物レンズ４０の焦点上に形成される。しか
しながら、対物レンズ４０にレーザ装置３０から入射さ
れるレーザがわずかに発散或は、収束している場合に
は、ビーム・ウエストは、対物レンズ４０の焦点近傍に
形成される。第５図、第６図及び第７図（イ）（ロ）
（ハ）に示される光学系においては、光検出器５８の受
光面は、合焦状態においてそのビーム・ウエスト・スポ
ット６４の結像面に配列されている。従って、合焦時に
は、ビーム・ウエスト・スポット６４の像が光検出器５
８の受光面の中心に形成される。すなわち、第７図
（イ）に示すようにビーム・ウエスト・スポット６４が
光反射層１４上に形成され、この光反射層１４で反射さ
れたレーザ・ビームは、対物レンズ４０によって平行光
束に変換されて遮光板５２に向けられる。遮光板５２に
よって光軸５３から離間した領域を通る光成分のみが取
り出され、投射レンズ５４によって集束され、光検出器
５８上が最小に絞られ、ビーム・ウエスト・スポット像
がその上に形成される。次に対物レンズ４０が光反射層
１４に向けて近接すると、ビーム・ウエストは、第７図
（ロ）に示すようにレーザ・ビームが光反射層１４で反
射されて生ずる。すなわち、ビーム・ウエストは、対物
レンズ４０と光反射層１４間に生ずる。このような光合
焦時においては、ビーム・ウエストは、通常対物レンズ
４０の焦点距離内に生ずることから、ビーム・ウエスト
が光点として機能すると仮定すれば明らかなように光反
射層１４で反射され、対物レンズ４０から射出されるレ
ーザビームは、対物レンズ４０によって発散性のレーザ
・ビームに変換される。遮光板５２を通過したレーザ・
ビーム成分も同様に発散性であることから、このレーザ
・ビーム成分が投射レンズ５４によって集束されても光
検出器５８の受光面上で最小に絞られず、光検出器５８
よりも遠い点に向って集束されることとなる。従って、
光検出器５８の受光面の中心から図上上方に向ってレー
ザ・ビーム成分は、投射され、その受光面上には、ビー
ム・スポット像よりも大きなパターンが形成される。更
に、第７図（ハ）に示されるように対物レンズ４０が光
反射層１４から離間された場合には、ビーム・ウエスト
を形成した後レーザは、反射層１４で反射される。この
ような非合焦時には、通常ビーム・ウエストは、対物レ
ンズ４０の焦点距離外にあって対物レンズ４０と反射層
１４間に形成されることから、対物レンズ４０から遮光
板５２に向う反射レーザ・ビームは、収束性を有するこ
ととなる。従って、遮光板５２を通過したレーザ・ビー
ム成分は、投射レンズ５４によって更に収束され、収束
点を形成した後光検出器５８の受光面上に投射される。
その結果、光検出器５８の受光面上には、ビーム・ウエ
スト・スポットの像よりも大きなパターンが中心から図
上下方に形成される。

上述したレーザの軌跡の変化すなわち、光線軌跡の変化
は、幾何光学的に次のように説明され、レーザ・ビーム
成分が光検出器５８上で偏向される値ｈ_３を求めること
ができる。対物レンズ４０の幾何光学的な結像系は、第
８図に示すように表わすことができる。ここで、ｆ
_０は、対物レンズ４０の焦点距離をまた、δは合焦時か
ら非合焦時に至る際の対物レンズ４０すなわち、光ディ
スク２の光反射層１４の移動距離を示し、第８図におい
て実線で示される光線軌跡は、ビームウエストから発せ
られ、対物レンズ４０の主面上であって光軸５３から距
離ｈ_０だけ離間した点を通過し、集束されるものを示し
ている。第７図（イ）に示される合焦時には、明らかな
ようにδ＝０であり、第７図（ロ）に示される非合焦時
には、光ディスク２が距離δだけ対物レンズ４０に近接
し、ビーム・ウエストは、光反射層１４で反射されて形
成されることから、ビーム・ウエストはその２倍だけ対
物レンズ４０に近接することとなる。（近接する場合
は、δ＜０である。）また、第７図（ハ）に示される非
合焦時には、光ディスク２が距離δだけ対物レンズ４０
から離間され、ビーム・ウエストを形成した後レーザ・
ビームが光反射層１４から反射されることから、実質的
に光反射層１４の背後にビーム・ウエストが形成された
と同様であってビーム・ウエストは、２δだけ対物レン
ズ４０から離間することとなる。合焦時には、ビーム・
ウエストが対物レンズ４０の焦点位置に形成されるとす
れば、光ディスク２がδだけ移動した場合には、第８図
に示されるようにビーム・ウエストと対物レンズ４０の
主面間の距離は、（ｆ_０−２δ）で表わされる。ビーム
・ウエストを光点とみなせば、第８図における角度β_０
及びβ_１は、下記(1)及び(2)式で示される。

また、レンズの結像公式から従って、第９図は投射レンズ５４の光学系における光線軌跡を示
し、投射レンズ５４が１対の組み合せレンズ５４−１，
５４−２から成るものとして取り扱かっている。

ここで、レンズ５４−１，５４−２は、夫々焦点距離ｆ
_１，ｆ_２を有し、対物レンズ４０の主面からａだけ離間
した位置に遮光板５２が配置され、対物レンズ４０の主
面からＬだけ離間した位置にレンズ５４−１の主面が配
置され、更にこのレンズ５４−１の主面からＨだけ離間
してレンズ５４−２の主面が配列されていると仮定して
いる。図中実線で示される光線軌跡は、対物レンズ４０
で集束されて、遮光板５２の光透過面であって光軸５３
からｙだけ離間したものを示したいる。

距離ｙは、下記(3)式で表わされる。

ここで、Ｆ（δ）＝（ｆ_０＋ｆ_０ ^２／２δ）^-1とすれ
ば、(3)式は、次式で表わされる。

ｙ＝ｈ_０（１−aF（δ）） …(4) 従って、また、光線がレンズ５４−１の主面上を通る光軸５３上
から位置ｈ_１は、(6)式で表わされる。

(2)式と同様に角度β_２を求めれば、角度β_２は、(7)式
で表わされる。

以下同様にレンズ５４−２の主面上を通る光線の光軸５
３上から位置ｈ_２で表わされる。

第８図に示した光学系では、ビーム・ウエストが対物レ
ンズ４０の焦点に形成されると仮定したが、発散性又
は、集束性のレーザ・ビームが対物レンズ４０に入射す
る場合には、ビーム・ウエストは焦点からｂだけ偏位し
て形成される。従って、全光学系を１つの合成レンズと
みなし、２δ＝２δ′＋ｂと置くことができる。

次に、第１０図に焦点ぼけ量Ｘに対する焦点ぼけ検出信
号Ｙの関係を、また、第１１図に焦点ぼけ量Ｘに対する
焦点ぼけ検出用検出器である第２の光検出器５８で検出
される光量の和Ｚの関係をそれぞれ示す。

この図からもわかる通り、対物レンズ４０と光反射層１
４との間がある値より離れ過ぎると第７図（ハ）に二点
鎖線で示されるようにビーム・スポットは光検出器５８
上で中心線より上に来てしまい第１０図のδ_tf（対物レ
ンズ４０からの射出光の焦点からの光反射層１４の許容
ずれ量）よりも対物レンズ４０が遠い所ではあたかも対
物レンズ４０と光反射層（情報形成層）１４とが近付き
すぎた状態で同じプラスの信号が出る。この時第１０図
及び第１１図の曲線として３種類の異なる特性を示す。
すなわち、遮光板５２の端部（ナイフエッヂの端面また
はアパーチャー、スリットの周辺の端部）が光学系の光
軸の中心上にある場合には曲線Ａの特性を示す。また、
遮光板５２の端部が光軸５３の中心からはずれており、
しかも光軸の中心を通る光を遮光板５２により光路をさ
またげられずそのまま通過できた場合は曲線Ｂ、そして
光軸５３の中心を通る光が遮光板５２により光路をさま
たげられ第２の光検出器５８にまで到達できない場合に
は曲線Ｃのそれぞれ特性を示す。また、合焦点位置近傍
を除いては第１０図の曲線の焦点ぼけ検出信号の（つま
りＹ方向の）絶対値をとったものが第１１図のグラフに
ほぼ等しくなっている。また第１１図において合焦点位
置近傍では第２の光検出器５８上でのビーム・スポット
のうち、光検出セルと光検出セルの間に存在している光
不感知領域内に入ってしまう量が多いので光電流の流れ
る量が少なくなり検出光量の総和Ｚが小さくなる。

次に、第１２図のように対物レンズ４０の後側主点から
遮光板（ナイフエッヂ）５２″からなるレーザー光５３
の一部を抜出す部材までの距離をｘとし、ｘとδ_tfとの
間の関係を求めてみる。δ_tfだけ焦点がぼけて時、ナイ
フエッヂ５２″の所で光軸上にレーザー光は集光してい
る。

第１２図の場合には第９図の投射レンズ５４−２の位置
にナイフエッヂ５２″が置かれたことになるため、(8)
式に対しｈ_２＝０，ａ＝０でしかもＬ＋Ｈ＝ｘとおいてまた、情報記憶媒体の反射層１４に対して穴を開けるな
ど状態変化を起こして記録を行なう場合、焦点ぼけが生
じて反射層１４上でのスポットが大きくなると記録を行
ないにくくなる。合焦点時の反射層１４でのスポットサ
イズａはａ＝0.82λ／ＮＡ…(27)、（ただし、λは
レーザーの波長、ＮＡは開口数である。）で与えられる
とする。また、この時の強度分布はガウス分布に類似し
ており、ビーム・ウエストでの強度が中心強度の１／ｅ
^２となる輪帯の半径をω_０とした場合、そこからＺ′ず
れた所での半径ω（Ｚ′）、すなわちＺ′だけ焦点がぼ
けた時の反射層１４上での半径ω（Ｚ′）はとなる。したがって、この時のスポット中心強度はに減少する。記録が可能な最低中心強度をＩminとする
とより今λ＝0.83μｍ，ＮＡ＝0.6，Ｉmin＝0.7とすると λ＝0.83μｍ，ＮＡ＝0.5，Ｉmin＝0.7とするとより許容焦点ぼけ量は0.5〜2.0μｍ位である。これによ
ると許容焦点ぼけ量は大きく見て2.0μｍ位となる。し
たがってδ_tfは2.0μｍ以上は必要である。したがっ
て、第１２図の光学系の場合にはｘｆ_０＋ｆ_０ ^２／２
δ_tf＋（Ｆ−ｆ_０−Ｌ^２／ｆ_１−Ｈ）但し、δ_tfは2.0
μｍである必要がある。

情報記憶媒体方向で対物レンズ４０の前側主点から集光
点までの距離がｆ_０ではなく、Ｆ＝ｆ_０＋ｂの光学系の
場合には(a)式の２δ_tfの所に２δ_tf＋ｂ＝２δ_tf＋
（Ｆ−ｆ_０）が入り、ｘ≦ｆ_０＋ｆ_０ ^２／｛２δ_tf＋
（Ｆ−ｆ_０）｝−Ｌ^２／（ｆ_１−Ｈ）、但しδ_tfは2.0
μｍとなる。今（Ｆ−ｆ_０）＝ｂ＜０の場合、必ずｘ＞
０でなければならないのでかなりδ_tfとして大きな値に
なる。この場合に限り２δ_tf＋（Ｆ−ｆ_０）が＋2.0μ
ｍ以上であることが必要である。つまり、情報記憶媒体
の光反射層（ないしは記録層）１４で反射し、対物レン
ズ４０通過後の光は合焦点時発散性の性質を持つ。この
ため、かなり大きく焦点がぼけない限り遮光板５２の所
では集光しない。この場合、対物レンズ４０を通過した
光が平行になる所まで焦点をぼかし、さらに2.0μｍず
れた所まで焦点ぼけ検出信号が反転しないため２δ_tf＋
（Ｆ−ｆ_０）≧2.0μｍとした。

なお、第１２図ではレーザー光４の一部を抜出す部材と
してはナイフエッヂ５２′を用いたが、その他にアパー
チャー，プリズム，ミラー，フォトディテクター，スリ
ガラス，レンズ，光遮へい物等を用いることもでき、そ
れらを用いた場合にも本発明は適応される。

また第１２図では合焦点時に光検出器５８方向の集光点
（結像点）に光検出器５８を配置しているが、その位置
よりずらした光学系についても本発明は同様に適用され
る。

［発明の効果］以上説明したように本発明によれば、焦点ボケ検出をよ
り安定に、しかも信頼性良く行なうことができる等優れ
た効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は第１の従来光学系の合焦時および非合焦時にお
けるレーザビームの軌跡を示す説明図、第２図は光学検
出器上でのビームスポットの移動に伴う光検出量の変化
状態を示す説明図、第３図は第２の従来光学系の合焦時
および非合焦時におけるレーザビームの軌跡を示す説明
図、第４図は第３の従来光学系の合焦時および非合焦時
におけるレーザビームの軌跡を示す説明図、第５図〜第
１１図は本発明を説明するための図であり、第５図は情
報記録再生装置を示すブロック図、第６図は第５図に示
される光学系を示す図、第７図は合焦時および非合焦時
におけるレーザビームの軌跡を示す説明図、第８図は第
６図に示された対物レンズを通る光線の軌跡を解析する
ための図、第９図は第６図に示された投射レンズを通る
光線の軌跡を解析するための図、第１０図は焦点ぼけ量
と焦点ぼけ検出信号との関係図、第１１図は焦点ぼけ量
と焦点ぼけ検出用検出器で検出される光量の和との関係
図、第１２図は本発明の一実施例を示すものであり、集
光手段からの射出光の焦点からの記録層の許容ずれ量と
集光手段から光抜出部材までの距離との関係を解析する
ための図である。４０……集光手段（対物レンズ）、５２……光抜出部材
（遮光板）、５８……第２の光検出器。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】情報を記憶した記録層を有した情報記憶媒
体に光を集光する第１の集光手段と、前記情報記録媒体の記録層で反射し、前記第１の集光手
段を通過した光を集光する第２の集光手段と、この第２の集光手段により集光された光を検出する光検
出手段と、前記第２の集光手段と前記光検出手段との間に設けら
れ、光軸に対して非対対象な光を抜出す光抜出部材とを
具備し、前記第１の集光手段の焦点距離をｆ_０、前記第１の集光手段の主点から集光点までの距離をＦ、前記第１の集光手段の主点から前記光抜出部材までの距
離をｘ、前記第１の集光手段の主点から前記第２の集光手段の主
点までの距離をＬ、前記第２の集光手段の焦点距離をｆ_１、前記第２の集光手段の主点から前記光抜出部材までの距
離をＨ、前記情報記憶媒体の記録層の前記第１の集光手段からの
光の焦点からの許容ずれ量をδ_tfとしたとき、ｘ≦ｆ_０＋ｆ_０ ^２／｛２δ_tf＋（Ｆ−ｆ_０）｝−Ｌ^２／
（ｆ_１−Ｈ）の条件を満足するように前記光抜出部材を設置したこと
を特徴とする光学ヘッド。
【請求項２】Ｆ−ｆ_０≧０のときは２δ_tf＝２．０μｍ
とした特許請求の範囲第１項記載の光学ヘッド。
【請求項３】Ｆ−ｆ_０＜０のときは２δ_tf＋（Ｆ−
ｆ_０）＝２．０μｍとした特許請求の範囲第１項記載の
光学ヘッド。