JPH0636367A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0636367A JPH0636367A JP19205792A JP19205792A JPH0636367A JP H0636367 A JPH0636367 A JP H0636367A JP 19205792 A JP19205792 A JP 19205792A JP 19205792 A JP19205792 A JP 19205792A JP H0636367 A JPH0636367 A JP H0636367A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 第１磁性層と第２磁性層との間の交換力を効
果的に制御して、記録、再生特性ならびに生産性の向上
を図ることが可能な光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 第１および第２磁性層１３、１４間に、室温
での飽和磁化が２００〜５５０ｅｍｕ／ｃｍ3で希土類
副格子磁化優勢な希土類−遷移金属合金でなる交換力制
御用の第５磁性層１７を設ける。
果的に制御して、記録、再生特性ならびに生産性の向上
を図ることが可能な光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 第１および第２磁性層１３、１４間に、室温
での飽和磁化が２００〜５５０ｅｍｕ／ｃｍ3で希土類
副格子磁化優勢な希土類−遷移金属合金でなる交換力制
御用の第５磁性層１７を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光変調ダイレクト・
オーバーライト可能な光磁気記録媒体に係り、特に記録
再生特性ならびに生産性の向上に関するものである。
オーバーライト可能な光磁気記録媒体に係り、特に記録
再生特性ならびに生産性の向上に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は例えば特開平３−２１９４４９号
公報に示された従来の光磁気記録媒体を示す構成図、図
５は図４に示す光磁気記録媒体への記録を行う記録装置
の概要を示す斜視図である。図において、１は基板、２
はこの基板１上に形成され垂直磁気異方性を有する第１
磁性層、３はこの第１磁性層２に設けられ交換力で第１
磁性層２と結合される第２磁性層、４は第３磁性層、５
は第４磁性層で、これら１〜５で記録媒体１０を構成し
ている。６は記録媒体１０を回転駆動する駆動モータ、
７はレーザ光８を出射する半導体レーザ、９は半導体レ
ーザ７から出射されるレーザ光８を集光し、記録媒体１
０上に入射する集光レンズ、１１はバイアス磁界を発生
させるバイアス磁石である。
公報に示された従来の光磁気記録媒体を示す構成図、図
５は図４に示す光磁気記録媒体への記録を行う記録装置
の概要を示す斜視図である。図において、１は基板、２
はこの基板１上に形成され垂直磁気異方性を有する第１
磁性層、３はこの第１磁性層２に設けられ交換力で第１
磁性層２と結合される第２磁性層、４は第３磁性層、５
は第４磁性層で、これら１〜５で記録媒体１０を構成し
ている。６は記録媒体１０を回転駆動する駆動モータ、
７はレーザ光８を出射する半導体レーザ、９は半導体レ
ーザ７から出射されるレーザ光８を集光し、記録媒体１
０上に入射する集光レンズ、１１はバイアス磁界を発生
させるバイアス磁石である。
【０００３】次に、上記のように構成される従来の光磁
気記録媒体のオーバーライト動作について説明する。ま
ず、記録媒体１０は成膜後、第２〜第４磁性層３、４、
５の遷移金属副格子磁気モーメントを最初に一度だけ下
向きに配向させておき、バイアス磁界はバイアス磁石１
１により上向きに発生させる。図６において、白抜き矢
印は磁化を、白抜き矢印中の矢印または単独で示す矢印
は遷移金属副格子磁気モーメントを、斜線部は各磁性層
間で磁壁が生じている状態を、横棒線はキュリー温度以
上に昇温し強磁性が失われている状態をそれぞれ示して
いる。
気記録媒体のオーバーライト動作について説明する。ま
ず、記録媒体１０は成膜後、第２〜第４磁性層３、４、
５の遷移金属副格子磁気モーメントを最初に一度だけ下
向きに配向させておき、バイアス磁界はバイアス磁石１
１により上向きに発生させる。図６において、白抜き矢
印は磁化を、白抜き矢印中の矢印または単独で示す矢印
は遷移金属副格子磁気モーメントを、斜線部は各磁性層
間で磁壁が生じている状態を、横棒線はキュリー温度以
上に昇温し強磁性が失われている状態をそれぞれ示して
いる。
【０００４】図６（Ａ）において、まず、半導体レーザ
７の出力を再生時より上昇させ、レーザ光８の集光スポ
ット内の各磁性層を第１磁性層２のキュリー温度近傍ま
で昇温させると、第２磁性層３の副格子磁化方向は変化
せず、第２磁性層３の副格子磁化が第１磁性層２に転写
され、第１磁性層２の副格子磁化は下向きになる。この
とき、第３および第４磁性層４、５は動作に対して特に
寄与することはなく、第３磁性層４の磁化が消失しても
第４磁性層５との交換力で再び同方向に磁化され、状態
「０」、すなわち低パワープロセスが行われる。
７の出力を再生時より上昇させ、レーザ光８の集光スポ
ット内の各磁性層を第１磁性層２のキュリー温度近傍ま
で昇温させると、第２磁性層３の副格子磁化方向は変化
せず、第２磁性層３の副格子磁化が第１磁性層２に転写
され、第１磁性層２の副格子磁化は下向きになる。この
とき、第３および第４磁性層４、５は動作に対して特に
寄与することはなく、第３磁性層４の磁化が消失しても
第４磁性層５との交換力で再び同方向に磁化され、状態
「０」、すなわち低パワープロセスが行われる。
【０００５】又、図６（Ｂ）において、第２磁性層３の
キュリー温度近傍まで上記低パワープロセスと同様にし
て昇温させると、第１および第３磁性層２、４の磁化は
消失するが、第４磁性層５の副格子磁化方向は変化しな
い。そして、第１および第３磁性層２、４からの交換力
を受けず、第２磁性層３の副格子磁化はバイアス磁界に
より上向きになる。次に、第１磁性層２のキュリー温度
より降温させると、第２磁性層３の副格子磁化が第１磁
性層２に転写され、第１磁性層２の副格子磁化は上向き
になる。又、第３磁性層４のキュリー温度より降温させ
ると、第３磁性層４の副格子磁化は第４磁性層５と揃い
下向きになる。さらに温度が下がり第２磁性層３の副格
子磁化は第３磁性層４を介して第４磁性層５の副格子磁
化と揃い下向きとなって、状態「１」、すなわち高パワ
ープロセスが行われる。以上のようにして、記録レーザ
強度を少なくとも２値に変調することでオーバーライト
が可能になる。
キュリー温度近傍まで上記低パワープロセスと同様にし
て昇温させると、第１および第３磁性層２、４の磁化は
消失するが、第４磁性層５の副格子磁化方向は変化しな
い。そして、第１および第３磁性層２、４からの交換力
を受けず、第２磁性層３の副格子磁化はバイアス磁界に
より上向きになる。次に、第１磁性層２のキュリー温度
より降温させると、第２磁性層３の副格子磁化が第１磁
性層２に転写され、第１磁性層２の副格子磁化は上向き
になる。又、第３磁性層４のキュリー温度より降温させ
ると、第３磁性層４の副格子磁化は第４磁性層５と揃い
下向きになる。さらに温度が下がり第２磁性層３の副格
子磁化は第３磁性層４を介して第４磁性層５の副格子磁
化と揃い下向きとなって、状態「１」、すなわち高パワ
ープロセスが行われる。以上のようにして、記録レーザ
強度を少なくとも２値に変調することでオーバーライト
が可能になる。
【０００６】又、図７は特開平２−１２１１０３号公報
に示されるように、交換力を制御する磁性層を有する従
来の光磁気記録媒体の構成図であり、記録媒体１０は図
に示すように、第１磁性層２と第２磁性層３との間に、
希土類優勢金属膜でなり交換力を制御する第５磁性層１
２を有している。そして、この記録媒体２０に光変調ダ
イレクトオーバーライトを行う場合は、第２磁性層３の
副格子磁化の向きを予め一方向に揃えておかなければな
らないために、図５に示したバイアス磁石１１の他に、
初期化過程のために数ＫＯｅもの磁界強度を発生する外
部補助磁界装置１３が必要となる。
に示されるように、交換力を制御する磁性層を有する従
来の光磁気記録媒体の構成図であり、記録媒体１０は図
に示すように、第１磁性層２と第２磁性層３との間に、
希土類優勢金属膜でなり交換力を制御する第５磁性層１
２を有している。そして、この記録媒体２０に光変調ダ
イレクトオーバーライトを行う場合は、第２磁性層３の
副格子磁化の向きを予め一方向に揃えておかなければな
らないために、図５に示したバイアス磁石１１の他に、
初期化過程のために数ＫＯｅもの磁界強度を発生する外
部補助磁界装置１３が必要となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の光磁気記録媒体
は以上のように構成されており、第１磁性層２を第２磁
性層３の遷移金属副格子磁化の方向に揃える温度では、
第１磁性層２と第２磁性層３との間の交換力が強いた
め、室温近傍での初期化過程では外部補助磁界装置１３
により交換力を弱くする必要があるので装置として複雑
になり、又、交換力を弱くするためには第１および第２
磁性層２、３の膜厚を厚くしなければならない等の理由
で、第１および第２磁性層２、３の膜厚の作成マージン
が狭くなり安定して生産することが困難である等の問題
点があった。
は以上のように構成されており、第１磁性層２を第２磁
性層３の遷移金属副格子磁化の方向に揃える温度では、
第１磁性層２と第２磁性層３との間の交換力が強いた
め、室温近傍での初期化過程では外部補助磁界装置１３
により交換力を弱くする必要があるので装置として複雑
になり、又、交換力を弱くするためには第１および第２
磁性層２、３の膜厚を厚くしなければならない等の理由
で、第１および第２磁性層２、３の膜厚の作成マージン
が狭くなり安定して生産することが困難である等の問題
点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、装置を複雑化することなく第１
磁性層と第２磁性層との間の交換力を効果的に制御し
て、記録、再生特性ならびに生産性の向上を図ることが
可能な光磁気記録媒体を提供することを目的とするもの
である。
ためになされたもので、装置を複雑化することなく第１
磁性層と第２磁性層との間の交換力を効果的に制御し
て、記録、再生特性ならびに生産性の向上を図ることが
可能な光磁気記録媒体を提供することを目的とするもの
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
の光磁気記録媒体は、第１磁性層と第２磁性層との間に
室温での飽和磁化が２００〜５５０ｅｍｕ／ｃｍ3で希
土類副格子磁化優勢な希土類−遷移金属合金でなる交換
力制御用の磁性層を設けたものであり、又、請求項２の
光磁気記録媒体は、請求項１において交換力制御用の磁
性層の膜厚を４００オングストローム以下として、希土
類金属はＣｄを主成分とし遷移金属には少なくともＦｅ
またはＣｏのいずれか一方を含むようにしたものであ
る。
の光磁気記録媒体は、第１磁性層と第２磁性層との間に
室温での飽和磁化が２００〜５５０ｅｍｕ／ｃｍ3で希
土類副格子磁化優勢な希土類−遷移金属合金でなる交換
力制御用の磁性層を設けたものであり、又、請求項２の
光磁気記録媒体は、請求項１において交換力制御用の磁
性層の膜厚を４００オングストローム以下として、希土
類金属はＣｄを主成分とし遷移金属には少なくともＦｅ
またはＣｏのいずれか一方を含むようにしたものであ
る。
【００１０】
【作用】この発明における光磁気記録媒体の交換力制御
用の磁性層は、第１磁性層と第２磁性層との間の交換力
を効果的に制御する。
用の磁性層は、第１磁性層と第２磁性層との間の交換力
を効果的に制御する。
【００１１】
実施例１．以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の実施例１における光磁気記録媒体
を示す構成図である。図において、１１はバイアス磁界
を発生させるバイアス磁石、１２はガラスまたはプラス
チックの透明基板、１３ないし１６は互いに交換結合さ
れた第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層および第４磁
性層、１７は第１磁性層１３と第２磁性層１４との間に
設けられ、両磁性層１３、１４間の交換力を制御する第
５の磁性層で、これら各磁性層１３〜１７は透明基板１
２上に順次スパッタ法により成膜され記録媒体２０を構
成している。なお、図示はしないがこのように形成され
た磁性層は誘電体層および保護層により両側から挟持さ
れている。
る。図１はこの発明の実施例１における光磁気記録媒体
を示す構成図である。図において、１１はバイアス磁界
を発生させるバイアス磁石、１２はガラスまたはプラス
チックの透明基板、１３ないし１６は互いに交換結合さ
れた第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層および第４磁
性層、１７は第１磁性層１３と第２磁性層１４との間に
設けられ、両磁性層１３、１４間の交換力を制御する第
５の磁性層で、これら各磁性層１３〜１７は透明基板１
２上に順次スパッタ法により成膜され記録媒体２０を構
成している。なお、図示はしないがこのように形成され
た磁性層は誘電体層および保護層により両側から挟持さ
れている。
【００１２】以下に上記各構成部材の詳細を示す。 基板１２ ：１．２ｍｍｔ溝付きＰＣ基板 誘電体層 ：ＳｉＮX 第１磁性層１３：ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金 Ｔｂ24Ｆｅ72Ｃｏ4 膜厚：３００オングストローム 第５磁性層１７：ＧｄＦｅＣｏ３元系非晶質合金 Ｇｄ30Ｆｅ49Ｃｏ21 膜厚：１５０オングストローム ［飽和磁化Ｍｓ＝４５６ｅｍｕ／ｃｍ3］ 第２磁性層１４：ＤｙＦｅＣｏ３元系非晶質合金 Ｄｙ25Ｆｅ45Ｃｏ30 膜厚：５００オングストローム 第３磁性層１５：ＴｂＦｅ２元系非晶質合金 Ｔｂ18Ｆｅ84 膜厚：２００オングストローム 第４磁性層１６：ＴｂＣｏ２元系非晶質合金 Ｔｂ30Ｃｏ70 膜厚：４００オングストローム 保護層 ：ＳｉＮX
【００１３】上記のように構成された記録媒体２０を用
い、ビット長２μｍの信号上にビット長０．７６μｍの
信号を、線速１１ｍ／ｓｅｃ、印加磁界３００Ｏｅ、光
ビーム強度を１３ｍＷと５ｍＷで光変調して、光変調ダ
イレクトオーバーライトの動作確認を行った結果、消去
比４５ｄＢ以上でＣＮ比４７ｄＢが得られた。図２は第
５磁性層１７の飽和磁化Ｍｓを変化させた場合のビット
長０．７６μｍ（記録周波数４．９３ＭＨｚ、線速度
７．５ｍ／ｓｅｃ）におけるＣＮ比の飽和磁化Ｍｓ依存
性を示す。図からも明かなように、第５磁性層１７の飽
和磁化Ｍｓが２００〜５５０ｅｍｕ／ｃｍ3において、
４５ｄＢ以上の良好なＣＮ比が得られた。このときの第
５磁性層１７の膜厚は２００オングストロームであっ
た。すなわち、第５磁性層１７に２００ｅｍｕ／ｃｍ3
以下の飽和磁化Ｍｓのものを用いた場合は、第１および
第２磁性層１３、１４間の交換力を十分に制御できずノ
イズレベルが上昇し、又、５５０ｅｍｕ／ｃｍ3以上の
飽和磁化Ｍｓのものを用いた場合は、交換力の不足によ
り光変調ダイレクトオーバーライト記録後の消去比が低
下することによりＣＮ比が劣化する。
い、ビット長２μｍの信号上にビット長０．７６μｍの
信号を、線速１１ｍ／ｓｅｃ、印加磁界３００Ｏｅ、光
ビーム強度を１３ｍＷと５ｍＷで光変調して、光変調ダ
イレクトオーバーライトの動作確認を行った結果、消去
比４５ｄＢ以上でＣＮ比４７ｄＢが得られた。図２は第
５磁性層１７の飽和磁化Ｍｓを変化させた場合のビット
長０．７６μｍ（記録周波数４．９３ＭＨｚ、線速度
７．５ｍ／ｓｅｃ）におけるＣＮ比の飽和磁化Ｍｓ依存
性を示す。図からも明かなように、第５磁性層１７の飽
和磁化Ｍｓが２００〜５５０ｅｍｕ／ｃｍ3において、
４５ｄＢ以上の良好なＣＮ比が得られた。このときの第
５磁性層１７の膜厚は２００オングストロームであっ
た。すなわち、第５磁性層１７に２００ｅｍｕ／ｃｍ3
以下の飽和磁化Ｍｓのものを用いた場合は、第１および
第２磁性層１３、１４間の交換力を十分に制御できずノ
イズレベルが上昇し、又、５５０ｅｍｕ／ｃｍ3以上の
飽和磁化Ｍｓのものを用いた場合は、交換力の不足によ
り光変調ダイレクトオーバーライト記録後の消去比が低
下することによりＣＮ比が劣化する。
【００１４】図３は第１および第２の磁性層１３、１４
間の室温における交換力σｗの第５磁性層１７の飽和磁
化Ｍｓ依存性を示す。図に示すように、交換力σｗは飽
和磁化Ｍｓの上昇とともに減少し、又、第５磁性層１７
の膜厚が厚くなると低下する。これは第５磁性層１７の
垂直磁気異方性エネルギーの低下で説明される。これよ
り第１および第２磁性層１３、１４間の室温での交換力
σｗは、第５磁性層１７に高飽和磁化膜を用いること、
および膜厚をより薄くすることにより低下することが明
確である。なお、低飽和磁化膜でも膜厚を厚くすること
により交換力σｗを低下させることはできるが、総膜厚
が厚くなることにより記録感度が低下してしまう。例え
ば、第５磁性層１７に２００ｅｍｕ／ｃｍ3程度の膜を
用いた場合、交換力の制御のため第５磁性層１７の膜厚
を厚くする必要があるが記録感度において４００オング
ストロームが実用上問題のない上限の膜厚である。従っ
て、高飽和磁化膜を用いる方が第５磁性膜１７の膜を薄
くすることができ記録感度において望ましい。以上によ
り、第５磁性層１７としては飽和磁化Ｍｓと膜厚ｔを考
慮すると、Ｍｓ×ｔ＜１０-3ｅｍｕ／ｃｍ3が望まし
い。
間の室温における交換力σｗの第５磁性層１７の飽和磁
化Ｍｓ依存性を示す。図に示すように、交換力σｗは飽
和磁化Ｍｓの上昇とともに減少し、又、第５磁性層１７
の膜厚が厚くなると低下する。これは第５磁性層１７の
垂直磁気異方性エネルギーの低下で説明される。これよ
り第１および第２磁性層１３、１４間の室温での交換力
σｗは、第５磁性層１７に高飽和磁化膜を用いること、
および膜厚をより薄くすることにより低下することが明
確である。なお、低飽和磁化膜でも膜厚を厚くすること
により交換力σｗを低下させることはできるが、総膜厚
が厚くなることにより記録感度が低下してしまう。例え
ば、第５磁性層１７に２００ｅｍｕ／ｃｍ3程度の膜を
用いた場合、交換力の制御のため第５磁性層１７の膜厚
を厚くする必要があるが記録感度において４００オング
ストロームが実用上問題のない上限の膜厚である。従っ
て、高飽和磁化膜を用いる方が第５磁性膜１７の膜を薄
くすることができ記録感度において望ましい。以上によ
り、第５磁性層１７としては飽和磁化Ｍｓと膜厚ｔを考
慮すると、Ｍｓ×ｔ＜１０-3ｅｍｕ／ｃｍ3が望まし
い。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば第１磁
性層と第２磁性層との間に、室温での飽和磁化が２００
〜５５０ｅｍｕ／ｃｍ3で希土類副格子磁化優勢な希土
類−遷移金属合金でなる交換力制御用の磁性層とを備
え、又、交換力制御用の磁性層の膜厚を４００オングス
トローム以下とし、且つ希土類金属はＣｄを主成分とし
遷移金属には少なくともＦｅまたはＣｏのいずれか一方
を含有させることにより、第１磁性層と第２磁性層との
間の交換力を効果的に制御して、記録、再生特性ならび
に生産性の向上を図ることが可能な光磁気記録媒体を提
供することができる。
性層と第２磁性層との間に、室温での飽和磁化が２００
〜５５０ｅｍｕ／ｃｍ3で希土類副格子磁化優勢な希土
類−遷移金属合金でなる交換力制御用の磁性層とを備
え、又、交換力制御用の磁性層の膜厚を４００オングス
トローム以下とし、且つ希土類金属はＣｄを主成分とし
遷移金属には少なくともＦｅまたはＣｏのいずれか一方
を含有させることにより、第１磁性層と第２磁性層との
間の交換力を効果的に制御して、記録、再生特性ならび
に生産性の向上を図ることが可能な光磁気記録媒体を提
供することができる。
【図１】この発明の実施例１における光磁気記録媒体を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図２】第５磁性層の飽和磁化Ｍｓを変化させた場合に
おけるＣＮ比の飽和磁化Ｍｓ依存性を示す特性図であ
る。
おけるＣＮ比の飽和磁化Ｍｓ依存性を示す特性図であ
る。
【図３】第１および第２磁性層間の室温における交換力
σｗの第５磁性層の飽和磁化Ｍｓ依存性を示す特性図で
ある。
σｗの第５磁性層の飽和磁化Ｍｓ依存性を示す特性図で
ある。
【図４】従来の光磁気記録媒体を示す構成図である。
【図５】図４に示す光磁気記録媒体への記録を行う記録
装置の概要を示す斜視図である。
装置の概要を示す斜視図である。
【図６】図４に示す光磁気記録媒体への記録動作を説明
するための模式図である。
するための模式図である。
【図７】従来の交換力を制御する磁性層を有する光磁気
記録媒体を示す構成図である。
記録媒体を示す構成図である。
１、１２ 基板 ２、１３ 第１磁性層 ３、１４ 第２磁性層 ４、１５ 第３磁性層 ５、１６ 第４磁性層 ７ 半導体レーザ ８ レーザ光 ９ 集光レンズ １０、２０ 記録媒体 １１ バイアス磁石 １７ 第５磁性層（交換力調整用の磁性層）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１１月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】又、図７は特開平２−１２１１０３号公報
に示されるように、交換力を制御する磁性層を有する従
来の光磁気記録媒体の構成図であり、記録媒体１０は図
に示すように、第１磁性層２と第２磁性層３との間に、
希土類優勢金属膜でなり交換力を制御する第５磁性層１
２を有している。そして、この記録媒体２０に光変調ダ
イレクトオーバーライトを行う場合は、第２磁性層３の
副格子磁化の向きを予め一方向に揃えておかなければな
らないために、図５に示したバイアス磁石１１の他に、
初期化過程のために数ｋＯｅもの磁界強度を発生する外
部補助磁界装置１３が必要となる。
に示されるように、交換力を制御する磁性層を有する従
来の光磁気記録媒体の構成図であり、記録媒体１０は図
に示すように、第１磁性層２と第２磁性層３との間に、
希土類優勢金属膜でなり交換力を制御する第５磁性層１
２を有している。そして、この記録媒体２０に光変調ダ
イレクトオーバーライトを行う場合は、第２磁性層３の
副格子磁化の向きを予め一方向に揃えておかなければな
らないために、図５に示したバイアス磁石１１の他に、
初期化過程のために数ｋＯｅもの磁界強度を発生する外
部補助磁界装置１３が必要となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
の光磁気記録媒体は、第１磁性層と第２磁性層との間に
室温での飽和磁化が２００〜５５０ｅｍｕ／ｃｍ3で希
土類副格子磁化優勢な希土類−遷移金属合金でなる交換
力制御用の磁性層を設けたものであり、又、請求項２の
光磁気記録媒体は、請求項１において交換力制御用の磁
性層の膜厚を４００オングストローム以下として、希土
類金属はＧｄを主成分とし遷移金属には少なくともＦｅ
またはＣｏのいずれか一方を含むようにしたものであ
る。
の光磁気記録媒体は、第１磁性層と第２磁性層との間に
室温での飽和磁化が２００〜５５０ｅｍｕ／ｃｍ3で希
土類副格子磁化優勢な希土類−遷移金属合金でなる交換
力制御用の磁性層を設けたものであり、又、請求項２の
光磁気記録媒体は、請求項１において交換力制御用の磁
性層の膜厚を４００オングストローム以下として、希土
類金属はＧｄを主成分とし遷移金属には少なくともＦｅ
またはＣｏのいずれか一方を含むようにしたものであ
る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】以下に上記各構成部材の詳細を示す。 基板１２ ：１．２ｍｍｔ溝付きＰＣ基板 誘電体層 ：ＳｉＮX 第１磁性層１３：ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金 Ｔｂ24Ｆｅ72Ｃｏ4 膜厚：３００オングストローム 第５磁性層１７：ＧｄＦｅＣｏ３元系非晶質合金 Ｇｄ30Ｆｅ49Ｃｏ21 膜厚：１５０オングストローム ［飽和磁化Ｍｓ＝４５６ｅｍｕ／ｃｍ3］ 第２磁性層１４：ＤｙＦｅＣｏ３元系非晶質合金 Ｄｙ25Ｆｅ45Ｃｏ30 膜厚：５００オングストローム 第３磁性層１５：ＴｂＦｅ２元系非晶質合金Ｔｂ16 Ｆｅ84 膜厚：２００オングストローム 第４磁性層１６：ＴｂＣｏ２元系非晶質合金 Ｔｂ30Ｃｏ70 膜厚：４００オングストローム 保護層 ：ＳｉＮＸ
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】図３は第１および第２の磁性層１３、１４
間の室温における交換力を決める界面磁壁エネルギーσ
ｗ（以下、交換力σｗ）の第５磁性層１７の飽和磁化Ｍ
ｓ依存性を示す。図に示すように、交換力σｗは飽和磁
化Ｍｓの上昇とともに減少し、又、第５磁性層１７の膜
厚が厚くなると低下する。これは第５磁性層１７の垂直
磁気異方性エネルギーの低下で説明される。これより第
１および第２磁性層１３、１４間の室温での交換力σｗ
は、第５磁性層１７に高飽和磁化膜を用いること、およ
び膜厚をより厚くすることにより低下することが明確で
ある。なお、低飽和磁化膜でも膜厚を厚くすることによ
り交換力σｗを低下させることはできるが、総膜厚が厚
くなることにより記録感度が低下してしまう。例えば、
第５磁性層１７に２００ｅｍｕ／ｃｍ３程度の膜を用い
た場合、交換力の制御のため第５磁性層１７の膜厚を厚
くする必要があるが記録感度において４００オングスト
ロームが実用上問題のない上限の膜厚である。従って、
高飽和磁化膜を用いる方が第５磁性膜１７の膜を薄くす
ることができ記録感度において望ましい。以上により、
第５磁性層１７としては飽和磁化Ｍｓと膜厚ｔを考慮す
ると、Ｍｓ×ｔ＜１０-3ｅｍｕ／ｃｍ3が望ましい。
間の室温における交換力を決める界面磁壁エネルギーσ
ｗ（以下、交換力σｗ）の第５磁性層１７の飽和磁化Ｍ
ｓ依存性を示す。図に示すように、交換力σｗは飽和磁
化Ｍｓの上昇とともに減少し、又、第５磁性層１７の膜
厚が厚くなると低下する。これは第５磁性層１７の垂直
磁気異方性エネルギーの低下で説明される。これより第
１および第２磁性層１３、１４間の室温での交換力σｗ
は、第５磁性層１７に高飽和磁化膜を用いること、およ
び膜厚をより厚くすることにより低下することが明確で
ある。なお、低飽和磁化膜でも膜厚を厚くすることによ
り交換力σｗを低下させることはできるが、総膜厚が厚
くなることにより記録感度が低下してしまう。例えば、
第５磁性層１７に２００ｅｍｕ／ｃｍ３程度の膜を用い
た場合、交換力の制御のため第５磁性層１７の膜厚を厚
くする必要があるが記録感度において４００オングスト
ロームが実用上問題のない上限の膜厚である。従って、
高飽和磁化膜を用いる方が第５磁性膜１７の膜を薄くす
ることができ記録感度において望ましい。以上により、
第５磁性層１７としては飽和磁化Ｍｓと膜厚ｔを考慮す
ると、Ｍｓ×ｔ＜１０-3ｅｍｕ／ｃｍ3が望ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば第１磁
性層と第２磁性層との間に、室温での飽和磁化が２００
〜５５０ｅｍｕ／ｃｍ3で希土類副格子磁化優勢な希土
類−遷移金属合金でなる交換力制御用の磁性層とを備
え、又、交換力制御用の磁性層の膜厚を４００オングス
トローム以下とし、且つ希土類金属はＧｄを主成分とし
遷移金属には少なくともＦｅまたはＣｏのいずれか一方
を含有させることにより、第１磁性層と第２磁性層との
間の交換力を効果的に制御して、記録、再生特性ならび
に生産性の向上を図ることが可能な光磁気記録媒体を提
供することができる。
性層と第２磁性層との間に、室温での飽和磁化が２００
〜５５０ｅｍｕ／ｃｍ3で希土類副格子磁化優勢な希土
類−遷移金属合金でなる交換力制御用の磁性層とを備
え、又、交換力制御用の磁性層の膜厚を４００オングス
トローム以下とし、且つ希土類金属はＧｄを主成分とし
遷移金属には少なくともＦｅまたはＣｏのいずれか一方
を含有させることにより、第１磁性層と第２磁性層との
間の交換力を効果的に制御して、記録、再生特性ならび
に生産性の向上を図ることが可能な光磁気記録媒体を提
供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 深見 達也 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社材料デバイス研究所内 (72)発明者 川野 裕司 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社材料デバイス研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 垂直磁気異方性を有する第１磁性層と、
この第１磁性層に設けられ上記第１磁性層と交換力で結
合された第２磁性層と、上記第１磁性層と第２磁性層と
の間に設けられ室温での飽和磁化が２００〜５５０ｅｍ
ｕ／ｃｍ3で希土類副格子磁化優勢な希土類−遷移金属
合金でなる交換力制御用の磁性層とを備えたことを特徴
とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 交換力制御用の磁性層の膜厚は４００オ
ングストローム以下であり、希土類金属はＣｄを主成分
とし遷移金属には少なくともＦｅまたはＣｏのいずれか
一方が含まれていることを特徴とする請求項１記載の光
磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19205792A JPH0636367A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 光磁気記録媒体 |
| US08/209,258 US5547751A (en) | 1992-04-10 | 1994-03-14 | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same |
| US08/543,517 US5593791A (en) | 1992-04-10 | 1995-10-16 | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19205792A JPH0636367A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636367A true JPH0636367A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16284903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19205792A Pending JPH0636367A (ja) | 1992-04-10 | 1992-07-20 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636367A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04117645A (ja) * | 1989-10-25 | 1992-04-17 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP19205792A patent/JPH0636367A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04117645A (ja) * | 1989-10-25 | 1992-04-17 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
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