JPH04117645A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH04117645A JPH04117645A JP27385390A JP27385390A JPH04117645A JP H04117645 A JPH04117645 A JP H04117645A JP 27385390 A JP27385390 A JP 27385390A JP 27385390 A JP27385390 A JP 27385390A JP H04117645 A JPH04117645 A JP H04117645A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、磁性
層間の磁気的結合力が良好に制御された多層膜よりなる
光磁気記録媒体に関する。
層間の磁気的結合力が良好に制御された多層膜よりなる
光磁気記録媒体に関する。
（従来の技術）
近年、初期補助磁界と磁性多層膜を用いることにより、
情報の重ね書きを可能にする光磁気記録方式が注目され
ている。この方式は、 （ａ）記録媒体として、垂直異方性を有する第１層を記
録再生層とし、垂直異方性を有する第２層を記録補助層
とする多層光磁気記録媒体を使用すること、（ｂ）前記
記録媒体を移動させること、（ｃ）初期補助磁界を印加
することによって、記録前に前記記録補助層の磁化のみ
を上向きまたは下向きのいずれか一方に揃えておくこと
、 （ｄ）レーザビームを前記記録媒体に照射すること、（
ｅ）前記レーザビームの強度を記録すべき２値化情報に
従って、パルス状に変調すること、 （Ｏ前記レーザビームを照射した前記記録媒体部分に記
録磁界を印加すること、 （ｇ）前記パルス状に変調したレーザビームの強度が高
レベルの時に上向き磁化を有するビットと下向き磁化を
有するビットのいずれか一方のビットを形成させ、レー
ザビームの強度が低レベルの時に他方のビットを形成さ
せること、 からなることを特徴とする重ね書き（オーバライド）可
能な記録方法である（例えば特開昭６２−１７５９４８
号公報参照）。
情報の重ね書きを可能にする光磁気記録方式が注目され
ている。この方式は、 （ａ）記録媒体として、垂直異方性を有する第１層を記
録再生層とし、垂直異方性を有する第２層を記録補助層
とする多層光磁気記録媒体を使用すること、（ｂ）前記
記録媒体を移動させること、（ｃ）初期補助磁界を印加
することによって、記録前に前記記録補助層の磁化のみ
を上向きまたは下向きのいずれか一方に揃えておくこと
、 （ｄ）レーザビームを前記記録媒体に照射すること、（
ｅ）前記レーザビームの強度を記録すべき２値化情報に
従って、パルス状に変調すること、 （Ｏ前記レーザビームを照射した前記記録媒体部分に記
録磁界を印加すること、 （ｇ）前記パルス状に変調したレーザビームの強度が高
レベルの時に上向き磁化を有するビットと下向き磁化を
有するビットのいずれか一方のビットを形成させ、レー
ザビームの強度が低レベルの時に他方のビットを形成さ
せること、 からなることを特徴とする重ね書き（オーバライド）可
能な記録方法である（例えば特開昭６２−１７５９４８
号公報参照）。
オーバライド可能な２層膜媒体のＭ−Ｈループは、環境
温度において、第２図に示すようなものでなければなら
ない。
温度において、第２図に示すようなものでなければなら
ない。
例えば、第１磁性層の磁化と第２磁性層の磁化が反対方
向の時にエネルギー的に安定なアンチパラレルタイプの
２層媒体において、第２図に示すようなＭ−Ｈループが
得られる条件は、 Ｈｃ２−σｗ ／ ２Ｍ５２ｔ２ ＞ ０Ｈｃ２；記録
補助層の保磁力 Ｍｓ２ ；記録補助層の飽和磁化 Ｌ２：記録補助層の膜厚 σＷ：単位面積当たりの界面磁壁エネルギーを満たすこ
とであるが、２層間の交換結合力が強すぎるとσ７が大
きくなりすぎるため、上式を満たさなくなり、Ｍ−Ｈル
ープは第３図に示したようなループになってしまう。
向の時にエネルギー的に安定なアンチパラレルタイプの
２層媒体において、第２図に示すようなＭ−Ｈループが
得られる条件は、 Ｈｃ２−σｗ ／ ２Ｍ５２ｔ２ ＞ ０Ｈｃ２；記録
補助層の保磁力 Ｍｓ２ ；記録補助層の飽和磁化 Ｌ２：記録補助層の膜厚 σＷ：単位面積当たりの界面磁壁エネルギーを満たすこ
とであるが、２層間の交換結合力が強すぎるとσ７が大
きくなりすぎるため、上式を満たさなくなり、Ｍ−Ｈル
ープは第３図に示したようなループになってしまう。
第２図のようなＭ−Ｈループを得るためには、記録層と
記録補助層の間の交換結合力を弱めることが必要である
。交換力を弱める方法としては、２層間にＧｄＦｅＣｏ
層を挾む方法が知られている（Ｋ、 Ａｒａｔａｎｉｅ
ｔ、 ａｌ、、 ５ＰＩＥ Ｖｏｌ、 １０７８． ｐ
、 ２５８．０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｔａ Ｓｔｏｒａｇ
ｅＭｅｅｔｉｎｇ、 １９８９）。
記録補助層の間の交換結合力を弱めることが必要である
。交換力を弱める方法としては、２層間にＧｄＦｅＣｏ
層を挾む方法が知られている（Ｋ、 Ａｒａｔａｎｉｅ
ｔ、 ａｌ、、 ５ＰＩＥ Ｖｏｌ、 １０７８． ｐ
、 ２５８．０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｔａ Ｓｔｏｒａｇ
ｅＭｅｅｔｉｎｇ、 １９８９）。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、２層間の交換結合力を調節するために用
いられていたＧｄＦｅＣｏ制御層は垂直異方性の大きな
膜なので、２層間の結合力を十分弱めることができなか
ったり、２層間の結合力を弱めるには２層間にかなり厚
く制御層を挟む必要があった。このため安定に良好なオ
ーバライド特性を実現できなかった。
いられていたＧｄＦｅＣｏ制御層は垂直異方性の大きな
膜なので、２層間の結合力を十分弱めることができなか
ったり、２層間の結合力を弱めるには２層間にかなり厚
く制御層を挟む必要があった。このため安定に良好なオ
ーバライド特性を実現できなかった。
本発明の目的は、光磁気記録膜を構成している各磁性層
間に交換結合力制御層を薄く挟むことにより、交換結合
力が適当な値になり、その結果、オーバライドができる
ような光磁気記録媒体を提供することにある。
間に交換結合力制御層を薄く挟むことにより、交換結合
力が適当な値になり、その結果、オーバライドができる
ような光磁気記録媒体を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、基板上に記録膜が形成され、レーザ光によっ
て情報の記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体におい
て、基板上には第１．第２および第３の磁性層が順次形
成され、該第２の磁性層は、下記式［Ｉ）で表されるＱ
； Ｑ＝Ｈｋ／４πＭｓ・・・（■） （式中、Ｈｋは異方性磁界、Ｍ５は飽和磁化を示す）が
３以下の膜で形成されていることを特徴とする光磁気記
録媒体である。
て情報の記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体におい
て、基板上には第１．第２および第３の磁性層が順次形
成され、該第２の磁性層は、下記式［Ｉ）で表されるＱ
； Ｑ＝Ｈｋ／４πＭｓ・・・（■） （式中、Ｈｋは異方性磁界、Ｍ５は飽和磁化を示す）が
３以下の膜で形成されていることを特徴とする光磁気記
録媒体である。
本発明において、第２の磁性層としては、例えばＮｄＤ
ｙＦｅＣｏ合金、ＮｄＴｂＦｅＣｏ合金、ＮｄＧｄＦｅ
Ｃｏ合金、ＤｙＧｄＦｅＣｏ合金、ＮｄＧｄＦｅ合金、
ＤｙＧｄＦｅ合金、ＮｄＦｅＣｏ合金、ＴｂＦｅＣｏ合
金膜、ＧｄＴｂＴｅＣｏ合金膜、ＤｙＦｅＣｏ合金膜、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金膜、ＤｙＴｂＦｅＣ。
ｙＦｅＣｏ合金、ＮｄＴｂＦｅＣｏ合金、ＮｄＧｄＦｅ
Ｃｏ合金、ＤｙＧｄＦｅＣｏ合金、ＮｄＧｄＦｅ合金、
ＤｙＧｄＦｅ合金、ＮｄＦｅＣｏ合金、ＴｂＦｅＣｏ合
金膜、ＧｄＴｂＴｅＣｏ合金膜、ＤｙＦｅＣｏ合金膜、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金膜、ＤｙＴｂＦｅＣ。
合金膜等が挙げられる。
（作用ン
２層膜のＭ−Ｈループが、第３図に示すような１段階の
反転磁界を持つループになるのは、１層目の磁化と２層
目の磁化が反平行になる磁化状態、即ち第４図（ａ）お
よび（ｂ）の磁化状態において、２層間の交換相互作用
によるエネルギーが太きいため、このような磁化状態が
存在できないからである。この２層間に垂直磁気異方性
の微弱な磁性層を挟むと、この層は第５図（ａ）および
（ｂ）のように、１層目と２層目の磁化をスムーズにつ
なぐ働きをするので、２層間の交換相互作用によるエネ
ルギーが減少し、１層目と２層目の磁化が反平行になる
ような磁化状態が存在できるようになり、Ｍ−Ｈループ
は第２図に示すような２段階の反転磁界を持つループに
なる。
反転磁界を持つループになるのは、１層目の磁化と２層
目の磁化が反平行になる磁化状態、即ち第４図（ａ）お
よび（ｂ）の磁化状態において、２層間の交換相互作用
によるエネルギーが太きいため、このような磁化状態が
存在できないからである。この２層間に垂直磁気異方性
の微弱な磁性層を挟むと、この層は第５図（ａ）および
（ｂ）のように、１層目と２層目の磁化をスムーズにつ
なぐ働きをするので、２層間の交換相互作用によるエネ
ルギーが減少し、１層目と２層目の磁化が反平行になる
ような磁化状態が存在できるようになり、Ｍ−Ｈループ
は第２図に示すような２段階の反転磁界を持つループに
なる。
（実施例）
次に本発明の実施例について、図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は、本発明の一実施例である光磁気記録媒体の部
分断面図である。媒体構成は、基板１／スペ一サ層２１
第１の磁性層３／第２の磁性層４／第３の磁性層５１保
護層６である。
分断面図である。媒体構成は、基板１／スペ一サ層２１
第１の磁性層３／第２の磁性層４／第３の磁性層５１保
護層６である。
ここで、基板１としては、ポリカーボネート樹脂、エポ
キシ樹脂またはガラス等を用いた基板を使用する。基板
はグループ付きでもグループ無しでも構わない。ガラス
の上に紫外線硬化樹脂等でグループを形成させたもので
もよい。スペーサ層２および保護層６としては、珪素の
窒化物、珪素の酸化物、タンタルの酸化物、アルミニウ
ムの窒化物、アルミニウムの酸化物等が使用できる。ま
た、第１の磁性層３および第３の磁性層５は希土類と遷
移金属の組み合わせからなるアモルファス合金薄膜であ
、る。この場合、希土類としては、例えばＴｂ、Ｇｄ、
Ｄｙ、Ｎｄ、Ｈｏ等の中から単独または複数の元素、遷
移金属としてはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の中から単独または
複数の元素を用いる。また、少量のＴｉ、Ｍｏ等を添加
することも可能である。
キシ樹脂またはガラス等を用いた基板を使用する。基板
はグループ付きでもグループ無しでも構わない。ガラス
の上に紫外線硬化樹脂等でグループを形成させたもので
もよい。スペーサ層２および保護層６としては、珪素の
窒化物、珪素の酸化物、タンタルの酸化物、アルミニウ
ムの窒化物、アルミニウムの酸化物等が使用できる。ま
た、第１の磁性層３および第３の磁性層５は希土類と遷
移金属の組み合わせからなるアモルファス合金薄膜であ
、る。この場合、希土類としては、例えばＴｂ、Ｇｄ、
Ｄｙ、Ｎｄ、Ｈｏ等の中から単独または複数の元素、遷
移金属としてはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の中から単独または
複数の元素を用いる。また、少量のＴｉ、Ｍｏ等を添加
することも可能である。
（１］記録層および補助層の膜厚が１８０人および６０
０人の場合 はじめに、ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒
化珪素（８００Å）／ＴｂＦｅＣｏ合金（１８０人）ｌ
ＧｄＴｂＦｅＣｏ合金（６００人）ｌ窒化珪素（８００
人）という膜構成の媒体を作成した。成膜はすべてＲＦ
マグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによる。Ｔｂ
ＦｅＣｏ層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の単層における緒
特性を第１表に示した。
０人の場合 はじめに、ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒
化珪素（８００Å）／ＴｂＦｅＣｏ合金（１８０人）ｌ
ＧｄＴｂＦｅＣｏ合金（６００人）ｌ窒化珪素（８００
人）という膜構成の媒体を作成した。成膜はすべてＲＦ
マグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによる。Ｔｂ
ＦｅＣｏ層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の単層における緒
特性を第１表に示した。
この媒体のカーループは、第３図に示すようなループと
なった。ＴｂＦｅＣｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層
間の磁気的結合力が強ずぎるためである。この媒体は、
オーバライドができなかった。
なった。ＴｂＦｅＣｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層
間の磁気的結合力が強ずぎるためである。この媒体は、
オーバライドができなかった。
（１）中間層にＮｄＤｙＦｅＣｏを用いる場合ポリカー
ボネート（グループ付き）基板／窒化珪素（８００人）
／ ＴｂＦｅＣｏ合金（１８０人） ／ ＮｄＤｙＦ
ｅＣｏ合金（６０人）／ ＧｄＴｂＦｅＣｏ合金（６０
０人）ｌ窒化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作
成した。ＮｄＤｙＦｅＣｏ層の単層での緒特性は第２表
に示すとおりである。
ボネート（グループ付き）基板／窒化珪素（８００人）
／ ＴｂＦｅＣｏ合金（１８０人） ／ ＮｄＤｙＦ
ｅＣｏ合金（６０人）／ ＧｄＴｂＦｅＣｏ合金（６０
０人）ｌ窒化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作
成した。ＮｄＤｙＦｅＣｏ層の単層での緒特性は第２表
に示すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すようなループに
なった。ＴｂＦｅＣｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層
間の磁気的結合力がＮｄＤｙＦｅＣｏ中間層により弱め
られたためである。このときのＴｂＦｅＣｏ層およびＧ
ｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ３０ｋＯｅお
よび０．５ｋＯｅであった。
なった。ＴｂＦｅＣｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層
間の磁気的結合力がＮｄＤｙＦｅＣｏ中間層により弱め
られたためである。このときのＴｂＦｅＣｏ層およびＧ
ｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ３０ｋＯｅお
よび０．５ｋＯｅであった。
次にこの媒体に対し、
た。
オーバライ
ドを実施し
まず、線速度１１．３ｍ／ｓ、記録周波数３．７ＭＨｚ
、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、記録
磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー４．
０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍＷ
の条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢが得
られた。
、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、記録
磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー４．
０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍＷ
の条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢが得
られた。
この上に、線速度１１．３ｍ／ｓ、記録周波数７．４Ｍ
Ｈｚ、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ＫＯｅ、
記録磁界３０００ｅ−１低レベルのレーザビームのパワ
ー４．ＯｍＷ高レベルのレーザビームのパワー１３．０
ｍＷの条件でオーバライドしたところ、４６ｄＢの再生
信号が得られた。エラー発生率は１０−５から１０−６
であった。このとき３．７ＭＨｚの信号（前の情報）は
全く現れなかった。
Ｈｚ、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ＫＯｅ、
記録磁界３０００ｅ−１低レベルのレーザビームのパワ
ー４．ＯｍＷ高レベルのレーザビームのパワー１３．０
ｍＷの条件でオーバライドしたところ、４６ｄＢの再生
信号が得られた。エラー発生率は１０−５から１０−６
であった。このとき３．７ＭＨｚの信号（前の情報）は
全く現れなかった。
（２）中間層にＮｄＴｂＦｅＣｏを用いる場合ポリカー
ボネート（グループ付き）基板／窒化珪素（８００人）
／ ＴｂＦｅＣｏ合金（１８０人） ／ ＮｄＴｂＦ
ｅＣｏ合金（７０人）ｌＧｄＴｂＦｅＣｏ合金（６００
人）ｌ窒化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作成
した。ＮｄＴｂＦｅＣｏ層の単層での緒特性は第３表に
示すとおりである。
ボネート（グループ付き）基板／窒化珪素（８００人）
／ ＴｂＦｅＣｏ合金（１８０人） ／ ＮｄＴｂＦ
ｅＣｏ合金（７０人）ｌＧｄＴｂＦｅＣｏ合金（６００
人）ｌ窒化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作成
した。ＮｄＴｂＦｅＣｏ層の単層での緒特性は第３表に
示すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すようなループに
なった。ＴｂＦｅＣｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層
間の磁気的結合力がＮｄＴｂＦｅＣｏ中間層により弱め
られたためである。このときのＴｂＦｅＣｏ層およびＧ
ｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ３２ｋＯｅお
よび０．７ｋＯｅであった。
なった。ＴｂＦｅＣｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層
間の磁気的結合力がＮｄＴｂＦｅＣｏ中間層により弱め
られたためである。このときのＴｂＦｅＣｏ層およびＧ
ｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ３２ｋＯｅお
よび０．７ｋＯｅであった。
次にこの媒体に対し、オーバライドを実施した。
まず、線速度１１．３ｍ／ｓ、記録周波数３．７ＭＨｚ
、ＤｕＴＹ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、記録
磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー４．
０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍＷ
の条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢが得
られた。
、ＤｕＴＹ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、記録
磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー４．
０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍＷ
の条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢが得
られた。
この上に、線速度１１．３ｍ／ｓ、記録周波数７．４Ｍ
Ｈｚ、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、
記録磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー
４．０ｍＷ。
Ｈｚ、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、
記録磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー
４．０ｍＷ。
高レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍＷの条件で
オーバライドしたところ、４４ｄＢの再生信号が得られ
た。−エラー発生率はＩＧ−４から１ｏ−５であった。
オーバライドしたところ、４４ｄＢの再生信号が得られ
た。−エラー発生率はＩＧ−４から１ｏ−５であった。
このとき３．７ＭＨｚの信号（前の情報）は全く現れな
かった。
かった。
（３）中間層にＮｄＧｄＦｅＣｏを用いる場合ポリカー
ボネート（グループ付き）基板／窒化珪素（８００人）
／ ＴｂＦｅＣｏ合金（１８０人）／ ＮｄＧｄＦｅ
Ｃｏ合金（５０人）ｌＧｄＴｂＦｅＣｏ合金（６００人
）／窒化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作成し
た。ＮｄＧｄＦｅＣｏ層の単層での諸特性は第４表に示
すとおりである。
ボネート（グループ付き）基板／窒化珪素（８００人）
／ ＴｂＦｅＣｏ合金（１８０人）／ ＮｄＧｄＦｅ
Ｃｏ合金（５０人）ｌＧｄＴｂＦｅＣｏ合金（６００人
）／窒化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作成し
た。ＮｄＧｄＦｅＣｏ層の単層での諸特性は第４表に示
すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すようなループに
なった。ＴｂＦｅＣｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層
間の磁気的結合力がＮｄＧｄＦｅＣｏ中間層により弱め
られたためである。このときのＴｂＦｅＣｏ層およびＧ
ｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、 ０．５ｋＯｅであった。
なった。ＴｂＦｅＣｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層
間の磁気的結合力がＮｄＧｄＦｅＣｏ中間層により弱め
られたためである。このときのＴｂＦｅＣｏ層およびＧ
ｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、 ０．５ｋＯｅであった。
それぞれ２９ｋＯｅおよび
次にこの媒体に対し、オーバライドを実施した。
まず、線速度１１．３ｍ／ｓ、記録周波数３．７ＭＨｚ
、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、記録
磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー４．
０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍＷ
の条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢが得
られた。
、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、記録
磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー４．
０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍＷ
の条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢが得
られた。
この上に、線速度１１．３ｍ／ｓ、記録周波数７．４Ｍ
Ｈｚ、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、
記録磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー
４．０ｍＷ。
Ｈｚ、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、
記録磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー
４．０ｍＷ。
高レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍＷの条件で
オーバライドしたところ、４７ｄＢの再生信号が得られ
た。エラー発生率は１０−５から１０−６であった。こ
のとき３．７ＭＨｚの信号（前の情報）は全く現れなか
った。
オーバライドしたところ、４７ｄＢの再生信号が得られ
た。エラー発生率は１０−５から１０−６であった。こ
のとき３．７ＭＨｚの信号（前の情報）は全く現れなか
った。
（４）中間層にＤｙＧｄＦｅＣｏを用いる場合ポリカー
ボネート（グループ付き）基板ｌ窒化珪素（８００人）
／ＴｂＦｅＣｏ合金（１８０人）／ＤｙＧｄＦｅＣｏ合
金（８０人）ｌＧｄＴｂＦｅＣｏ合金（６００人）／窒
化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作成した。Ｄ
ｙＧｄＦｅＣｏ層の単層での諸特性は第５表に示すとお
りである。
ボネート（グループ付き）基板ｌ窒化珪素（８００人）
／ＴｂＦｅＣｏ合金（１８０人）／ＤｙＧｄＦｅＣｏ合
金（８０人）ｌＧｄＴｂＦｅＣｏ合金（６００人）／窒
化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作成した。Ｄ
ｙＧｄＦｅＣｏ層の単層での諸特性は第５表に示すとお
りである。
この媒体のカーループは、第２図に示すようなループに
なった。ＴｂＦｅＣｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層
間の磁気的結合力がＤｙＧｄＦｅＣｏ中間層により弱め
られたためである。このときＴｂＦｅＣｏ層およびＧｄ
ＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ３７ｋＯｅおよ
び第５表 次にこの媒体に対し、オーバライドを実施した。
なった。ＴｂＦｅＣｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層
間の磁気的結合力がＤｙＧｄＦｅＣｏ中間層により弱め
られたためである。このときＴｂＦｅＣｏ層およびＧｄ
ＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ３７ｋＯｅおよ
び第５表 次にこの媒体に対し、オーバライドを実施した。
まず、線速度１１．３ｍ／ｓ、記録周波数３．７ＭＨｚ
、Ｄｕ、Ｔｙ被５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、記
録磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー４
．０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍ
Ｗの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５１ｄＢが
得られた。
、Ｄｕ、Ｔｙ被５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、記
録磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー４
．０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍ
Ｗの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５１ｄＢが
得られた。
この上に、線速度１１．３ｍ／ｓ、記録周波数７．４Ｍ
Ｈｚ、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、
記録磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー
４．０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．０
ｍＷの条件でオーバライドしたところ、４５ｄＢの再生
信号が得られた。エラー発生率は１０−５から１０−６
であった。このとき３．７ＭＨｚの信号（前の情報）は
全く現れなかった。
Ｈｚ、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、
記録磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー
４．０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．０
ｍＷの条件でオーバライドしたところ、４５ｄＢの再生
信号が得られた。エラー発生率は１０−５から１０−６
であった。このとき３．７ＭＨｚの信号（前の情報）は
全く現れなかった。
（５）中間層にＮｄＧｄＦｅを用いる場合ポリカーボネ
ート（グループ付き）基板／窒化珪素（８００人） ／
ＴｂＦｅＣｏ合金（１８０入） ／ ＮｄＧｄＦｅ合
金（４５人）ｌＧｄＴｂＦｅＣｏ合金（６００人）ｌ窒
化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作成した。Ｎ
ｄＧｄＦｅ層の単層での諸特性は第６表に示すとおりで
ある。
ート（グループ付き）基板／窒化珪素（８００人） ／
ＴｂＦｅＣｏ合金（１８０入） ／ ＮｄＧｄＦｅ合
金（４５人）ｌＧｄＴｂＦｅＣｏ合金（６００人）ｌ窒
化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作成した。Ｎ
ｄＧｄＦｅ層の単層での諸特性は第６表に示すとおりで
ある。
この媒体のカーループは、第２図に示すようなループに
なった。ＴｂＦｅＣｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層
間の磁気的結合力がＮｄＧｄＦｅ中間層により弱められ
たためである。このときのＴｂＦｅＣｏ層およびＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ３０ｋＯｅおよび
第６表 次にこの媒体に対し、オーバライドを実施した。
なった。ＴｂＦｅＣｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層
間の磁気的結合力がＮｄＧｄＦｅ中間層により弱められ
たためである。このときのＴｂＦｅＣｏ層およびＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ３０ｋＯｅおよび
第６表 次にこの媒体に対し、オーバライドを実施した。
まず、線速度１１．３ｍ／ｓ、記録周波数３．７ＭＨｚ
、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、記録
磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー４．
０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍＷ
の条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢが得
られた。
、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、記録
磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー４．
０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍＷ
の条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢが得
られた。
この上に、線速度１１．３ｒｎ／ｓ、記録周波数７．４
ＭＨｚ、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ
、記録磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワ
ー４．０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．
０ｍＷの条件でオーバライドしたところ、４６ｄＢの再
生信号が得られた。エラー発生率は１０−５から１０−
６であった。このとき３．７ＭＨｚの信号（前の情報）
は全く現われなかった。
ＭＨｚ、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ
、記録磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワ
ー４．０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．
０ｍＷの条件でオーバライドしたところ、４６ｄＢの再
生信号が得られた。エラー発生率は１０−５から１０−
６であった。このとき３．７ＭＨｚの信号（前の情報）
は全く現われなかった。
（６）中間層にＤｙＧｄＦｅを用いる場合ポリカーボネ
ート（グループ付き）基板ｌ窒化珪素（８００人） ／
ＴｂＦｅＣｏ合金（１８０人） ／ ＤｙＧｄＦｅ合
金（７０人）ｌＧｄＴｂＦｅＣｏ合金（６００人）ｌ窒
化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作成した。Ｄ
ｙＧｄＦｅ層の単層での諸特性は第７表に示すとおりで
ある。
ート（グループ付き）基板ｌ窒化珪素（８００人） ／
ＴｂＦｅＣｏ合金（１８０人） ／ ＤｙＧｄＦｅ合
金（７０人）ｌＧｄＴｂＦｅＣｏ合金（６００人）ｌ窒
化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作成した。Ｄ
ｙＧｄＦｅ層の単層での諸特性は第７表に示すとおりで
ある。
この媒体のカーループは、第２図に示すようなループに
なった。ＴｂＦｅＣｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層
間の磁気的結合力がＮｄＧｄＦｅ中間層により弱められ
たためである。このときのＴｂＦｅＣｏ層およびＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ２７ｋＯｅおよび
次にこの媒体に対し、オーバライドを実施した。
なった。ＴｂＦｅＣｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層
間の磁気的結合力がＮｄＧｄＦｅ中間層により弱められ
たためである。このときのＴｂＦｅＣｏ層およびＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ２７ｋＯｅおよび
次にこの媒体に対し、オーバライドを実施した。
まず、線速度１１．３ｍ／ｓ、記録周波数３．７ＭＨｚ
、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、記録
磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー４．
０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍＷ
の条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢが得
られた。
、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、記録
磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー４．
０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍＷ
の条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢが得
られた。
この上に、線速度１１．３ｍ／ｓ、記録周波数７．４Ｍ
Ｈｚ、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、
記録磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー
４．０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．０
ｍＷの条件でオーバライドしたところ、４５ｄＢの再生
信号が得られた。エラー発生率は１σ５から１０−６で
あった。このとき３．７ＭＨｚの信号（前の情報）は全
く現われなかった。
Ｈｚ、ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ｋＯｅ、
記録磁界３０００ｅ、低レベルのレーザビームのパワー
４．０ｍＷ、高レベルのレーザビームのパワー１３．０
ｍＷの条件でオーバライドしたところ、４５ｄＢの再生
信号が得られた。エラー発生率は１σ５から１０−６で
あった。このとき３．７ＭＨｚの信号（前の情報）は全
く現われなかった。
なお、Ｑが３以上の磁性膜を中間層に用いて３層膜を作
成したところ、得られたディスクはＣ／Ｎが低い、周波
数特性が悪いなどの症状があり、良好なオーバライド特
性は得られなかった。
成したところ、得られたディスクはＣ／Ｎが低い、周波
数特性が悪いなどの症状があり、良好なオーバライド特
性は得られなかった。
（２）記録層および補助層の膜厚が共に１０００人の場
合 ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒化珪素（８
００人）／ＴｂＦｅ合金（１０００人）／ＴｂＦｅＣ０
ＴｂＦｅＣｏ合金）ｌ窒化珪素（８００人）という膜構
成の媒体を作製した。成膜はすべてＲＦマグネトロンス
パッタ装置の連続スパッタによる。ＴｂＦｅ層およびＴ
ｂＦｅＣｏ層の単層における諸特性を第１表に示した。
合 ポリカーボネート（グループ付き）基板／窒化珪素（８
００人）／ＴｂＦｅ合金（１０００人）／ＴｂＦｅＣ０
ＴｂＦｅＣｏ合金）ｌ窒化珪素（８００人）という膜構
成の媒体を作製した。成膜はすべてＲＦマグネトロンス
パッタ装置の連続スパッタによる。ＴｂＦｅ層およびＴ
ｂＦｅＣｏ層の単層における諸特性を第１表に示した。
この媒体のカーループは、第３図に示すような１段階し
か反転磁界を持たないループとなった。
か反転磁界を持たないループとなった。
ＴｂＦｅ合金層とＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力
が強すぎるためである。
が強すぎるためである。
（１）中間層にＮｄＦｅＣｏを用いる場合衣に、ポリカ
ーボネート（グループ付き）基板ｌ窒化珪素（８００人
） ／ ＴｂＦｅ合金（１０００人） ／ ＮｄＦｅＣ
ｏ合金（５０人） ／ ＴｂＦｅＣｏ合金（１０００人
）ｌ窒化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作製し
た。ＮｄＦｅＣｏ層の単層での諸特性は第２表に示すと
おりである。
ーボネート（グループ付き）基板ｌ窒化珪素（８００人
） ／ ＴｂＦｅ合金（１０００人） ／ ＮｄＦｅＣ
ｏ合金（５０人） ／ ＴｂＦｅＣｏ合金（１０００人
）ｌ窒化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作製し
た。ＮｄＦｅＣｏ層の単層での諸特性は第２表に示すと
おりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すような２段階の
反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ合金層とＴｂ
ＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力がＮｄＦｅＣｏ中間層
により弱められたためである。このときのＴｂＦｅ層お
よびＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ８．２ｋＯ
ｅおよび４．７ｋＯｅであった。
反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ合金層とＴｂ
ＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力がＮｄＦｅＣｏ中間層
により弱められたためである。このときのＴｂＦｅ層お
よびＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ８．２ｋＯ
ｅおよび４．７ｋＯｅであった。
（２）中間層にＴｂＦｅＣｏを用いる場合衣に、ポリカ
ーボネート（グループ付き）基板ｌ窒化珪素（８００人
） ／ ＴｂＦｅ合金（１０００人）／ ＴｂＦｅＣｏ
合金（８０人）／ＴｂＦｅＣｏ合金（１０００人）ｌ窒
化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作製した。第
２層目のＴｂＦｅＣｏ層の単層での諸特性は第３表に示
すとおりである。
ーボネート（グループ付き）基板ｌ窒化珪素（８００人
） ／ ＴｂＦｅ合金（１０００人）／ ＴｂＦｅＣｏ
合金（８０人）／ＴｂＦｅＣｏ合金（１０００人）ｌ窒
化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作製した。第
２層目のＴｂＦｅＣｏ層の単層での諸特性は第３表に示
すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すような２段階の
反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ合金層とＴｂ
ＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力がＴｂＦｅＣｏ中間層
により弱められたためである。このときのＴｂＦｅ層お
よび第３層目のＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ
６．８ｋＯｅおよび５．５ｋＯｅであった。
反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ合金層とＴｂ
ＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力がＴｂＦｅＣｏ中間層
により弱められたためである。このときのＴｂＦｅ層お
よび第３層目のＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ
６．８ｋＯｅおよび５．５ｋＯｅであった。
第３表
（３）中間層にＧｄＴｂＦｅＣｏを用いる場合衣に、ポ
リカーボネート（グループ付き）基板ｌ窒化珪素（８０
０人）／ＴｂＦｅ合金（１０００人）／ ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ合金（１００人） ／ ＴｂＦｅＣｏ合金（１００
０人）ｌ窒化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作
製した。ＧｄＴｂＦｅＣｏ層の単層での緒特性は第４表
に示すとおりである。
リカーボネート（グループ付き）基板ｌ窒化珪素（８０
０人）／ＴｂＦｅ合金（１０００人）／ ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ合金（１００人） ／ ＴｂＦｅＣｏ合金（１００
０人）ｌ窒化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作
製した。ＧｄＴｂＦｅＣｏ層の単層での緒特性は第４表
に示すとおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すような２段階の
反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ合金層とＴｂ
ＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力がＧｄＴｂＦｅＣ。
反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ合金層とＴｂ
ＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力がＧｄＴｂＦｅＣ。
中間層により弱められたためである。このときのＴｂＦ
ｅ層およびＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ８．
０ｋＯｅおよび４．７ｋＯｅであった。
ｅ層およびＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ８．
０ｋＯｅおよび４．７ｋＯｅであった。
第４表
（４）中間層にＤｙＦｅＣｏを用いる場合衣に、ポリカ
ーボネート（グループ付き）基板ｌ窒化珪素（８００人
）／ＴｂＦｅ合金（１０００人）／ＤｙＦｅＣｏ合金（
１２０人）／ ＴｂＦｅＣｏ合金（１０００人）ｌ窒化
珪素（８００人）という膜構成で媒体を作製した。Ｄｙ
ＦｅＣｏ層の単層での緒特性は第５表に示すとおりであ
る。
ーボネート（グループ付き）基板ｌ窒化珪素（８００人
）／ＴｂＦｅ合金（１０００人）／ＤｙＦｅＣｏ合金（
１２０人）／ ＴｂＦｅＣｏ合金（１０００人）ｌ窒化
珪素（８００人）という膜構成で媒体を作製した。Ｄｙ
ＦｅＣｏ層の単層での緒特性は第５表に示すとおりであ
る。
この媒体のカーループは、第２図に示すような２段階の
反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ合金層とＴｂ
ＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力がＤｙＦｅＣｏ層によ
り弱められたためである。このときのＴｂＦｅ層および
ＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ７．２ｋＯｅお
よび５．３ｋＯｅであった。
反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ合金層とＴｂ
ＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力がＤｙＦｅＣｏ層によ
り弱められたためである。このときのＴｂＦｅ層および
ＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ７．２ｋＯｅお
よび５．３ｋＯｅであった。
第５表
（５）中間層にＧｄＤｙＦｅＣｏを用いる場合衣に、ポ
リカーボネート（グループ付き）基板ｌ窒化珪素（８０
０人）／ＴｂＦｅ合金（１０００人）／ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ合金（１５０人）／ＴｂＦｅＣｏ合金（１０００人）
ｌ窒化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作製した
。ＧｄＤｙＦｅＣｏ層の単層での緒特性は第６表に示す
とおりである。
リカーボネート（グループ付き）基板ｌ窒化珪素（８０
０人）／ＴｂＦｅ合金（１０００人）／ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ合金（１５０人）／ＴｂＦｅＣｏ合金（１０００人）
ｌ窒化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作製した
。ＧｄＤｙＦｅＣｏ層の単層での緒特性は第６表に示す
とおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すような２段階の
反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ合金層とＴｂ
ＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力がＧｄＤｙＦｅＣ。
反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ合金層とＴｂ
ＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力がＧｄＤｙＦｅＣ。
層により弱められたためである。このときのＴｂＦｅ層
およびＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ７．８ｋ
Ｏｅおよび５．２ｋＯｅであった。
およびＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ７．８ｋ
Ｏｅおよび５．２ｋＯｅであった。
第６表
（６）中間層にＤｙＴｂＦｅＣｏを用いる場合衣に、ポ
リカーボネート（グループ付き）基板ｌ窒化珪素（８０
０人）／ＴｂＦｅ合金（１０００人）／ＤｙＴｂＦｅＣ
ｏ合金（１３０人）／ＴｂＦｅＣｏ合金（１０００人）
ｌ窒化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作製した
。ＤｙＴｂＦｅＣｏ層の単層での緒特性は第７表に示す
とおりである。
リカーボネート（グループ付き）基板ｌ窒化珪素（８０
０人）／ＴｂＦｅ合金（１０００人）／ＤｙＴｂＦｅＣ
ｏ合金（１３０人）／ＴｂＦｅＣｏ合金（１０００人）
ｌ窒化珪素（８００人）という膜構成で媒体を作製した
。ＤｙＴｂＦｅＣｏ層の単層での緒特性は第７表に示す
とおりである。
この媒体のカーループは、第２図に示すような２段階の
反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ合金層とＴｂ
ＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力がＤｙＴｂＦｅＣ。
反転磁界を持つループになった。ＴｂＦｅ合金層とＴｂ
ＦｅＣｏ合金層間の磁気的結合力がＤｙＴｂＦｅＣ。
層により弱められたためである。このときのＴｂＦｅ層
およびＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ７．０ｋ
Ｏｅおよび５．４ｋＯｅであった。
およびＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ７．０ｋ
Ｏｅおよび５．４ｋＯｅであった。
第７表
なお、Ｑが３を超える磁性膜を中間層に用いて３層膜を
作製したところ、Ｍ−Ｈループは第３図に示すような一
段階の反転磁界しか持たないループになった。
作製したところ、Ｍ−Ｈループは第３図に示すような一
段階の反転磁界しか持たないループになった。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば磁性層間の磁気的
結合力を調整することが可能になる。
結合力を調整することが可能になる。
第１図は本発明の一実施例の部分断面図、第２図は本発
明の光磁気記録媒体の一例によるＭ−Ｈループを示す特
性図、第３図は従来例による光磁気記録媒体の一例のＭ
−Ｈループを示す特性図、第４図および第５図は本発明
の詳細な説明するための説明図である。
明の光磁気記録媒体の一例によるＭ−Ｈループを示す特
性図、第３図は従来例による光磁気記録媒体の一例のＭ
−Ｈループを示す特性図、第４図および第５図は本発明
の詳細な説明するための説明図である。
Claims (1)
- （１）基板上に記録膜が形成され、レーザ光によって情
報の記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体において、
基板上には第１、第２および第３の磁性層が順次形成さ
れ、該第２の磁性層は、 下記式〔 I 〕で表されるＱ； Ｑ＝Ｈ＿ｋ／４πＭ＿Ｓ・・・（ I ） （式中、Ｈ＿ｋは異方性磁界、Ｍ＿Ｓは飽和磁化を示す
）が３以下の膜で形成されていることを特徴とする光磁
気記録媒体。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27597789 | 1989-10-25 | ||
| JP15285790 | 1990-06-13 | ||
| JP2-152857 | 1990-06-13 | ||
| JP1-275977 | 1990-06-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04117645A true JPH04117645A (ja) | 1992-04-17 |
| JP2621630B2 JP2621630B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=26481648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27385390A Expired - Lifetime JP2621630B2 (ja) | 1989-10-25 | 1990-10-12 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621630B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0591684U (ja) * | 1992-05-19 | 1993-12-14 | 株式会社ニッショー | 心嚢ドレ−ンカテ−テル |
| JPH0636367A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP27385390A patent/JP2621630B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0591684U (ja) * | 1992-05-19 | 1993-12-14 | 株式会社ニッショー | 心嚢ドレ−ンカテ−テル |
| JPH0636367A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2621630B2 (ja) | 1997-06-18 |
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