JPH0636714A - X線イメージ管 - Google Patents
X線イメージ管Info
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- JPH0636714A JPH0636714A JP19117392A JP19117392A JPH0636714A JP H0636714 A JPH0636714 A JP H0636714A JP 19117392 A JP19117392 A JP 19117392A JP 19117392 A JP19117392 A JP 19117392A JP H0636714 A JPH0636714 A JP H0636714A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor layer
- discontinuous
- crystal
- light
- discontinuous phosphor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 分解能を向上させることができるX線イメー
ジ管を提供する。 【構成】 アルミニウム(Al)基板11上に面方向に、
不連続な多数の柱状結晶のファイバ体12a のよう化セシ
ウムの第1の不連続蛍光体層12を形成する。第1の不連
続蛍光体層12上に面方向に、ファイバ体12a より径小の
不連続な多数の柱状結晶のファイバ体13a のよう化セシ
ウムの第2の不連続蛍光体層13を積層させて入力蛍光ス
クリーン14を形成する。第1の不連続蛍光体層12のファ
イバ体12aおよび第2の不連続蛍光体層13のファイバ体1
3a により、界面の数が多くなり、減衰率を大きくし
て、それぞれ光の拡散を抑制する。面抵抗の低い光電面
15を形成し、入力蛍光スクリーン14の輝度が向上する。
ジ管を提供する。 【構成】 アルミニウム(Al)基板11上に面方向に、
不連続な多数の柱状結晶のファイバ体12a のよう化セシ
ウムの第1の不連続蛍光体層12を形成する。第1の不連
続蛍光体層12上に面方向に、ファイバ体12a より径小の
不連続な多数の柱状結晶のファイバ体13a のよう化セシ
ウムの第2の不連続蛍光体層13を積層させて入力蛍光ス
クリーン14を形成する。第1の不連続蛍光体層12のファ
イバ体12aおよび第2の不連続蛍光体層13のファイバ体1
3a により、界面の数が多くなり、減衰率を大きくし
て、それぞれ光の拡散を抑制する。面抵抗の低い光電面
15を形成し、入力蛍光スクリーン14の輝度が向上する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、分解能を向上させたX
線イメージ管に関する。
線イメージ管に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、X線イメージ管は、一般に医療用
のX線撮像装置や工業用の非破壊検査用のX線工業テレ
ビなどに広く応用されている。
のX線撮像装置や工業用の非破壊検査用のX線工業テレ
ビなどに広く応用されている。
【0003】また、従来のX線イメージ管は、X線が入
力される入力窓を有する真空外囲器を備えている。そし
て、この真空外囲器の内部には、入力窓に対向して彎曲
基板が配置され、彎曲基板の入力窓と反対面には、入力
蛍光スクリーンおよび光電面が順次積層されている。さ
らに、真空外囲器の出力側には、陽極および蛍光スクリ
ーンが配設され、真空外囲器の内部の側壁に沿って集束
電極が配設されている。
力される入力窓を有する真空外囲器を備えている。そし
て、この真空外囲器の内部には、入力窓に対向して彎曲
基板が配置され、彎曲基板の入力窓と反対面には、入力
蛍光スクリーンおよび光電面が順次積層されている。さ
らに、真空外囲器の出力側には、陽極および蛍光スクリ
ーンが配設され、真空外囲器の内部の側壁に沿って集束
電極が配設されている。
【0004】そして、X線管から放射されたX線は、被
写体を通り、入力窓と彎曲基板とを通過して入力蛍光ス
クリーンによって光に変換される。この光は、光電面に
よって電子に変換され、集束電極と陽極とによって構成
される電子レンズによって、加速、収束され、出力蛍光
スクリーンによって可視像に変換される。
写体を通り、入力窓と彎曲基板とを通過して入力蛍光ス
クリーンによって光に変換される。この光は、光電面に
よって電子に変換され、集束電極と陽極とによって構成
される電子レンズによって、加速、収束され、出力蛍光
スクリーンによって可視像に変換される。
【0005】そうして、この可視像は、テレビカメラ、
シネカメラまたはスポットカメラなどによって現像さ
れ、医療診断などが行なわれている。
シネカメラまたはスポットカメラなどによって現像さ
れ、医療診断などが行なわれている。
【0006】次に、上記X線イメージ管に用いる入力蛍
光スクリーンの一例を図9を参照して説明する。
光スクリーンの一例を図9を参照して説明する。
【0007】この図9に示す入力蛍光スクリーンは、ア
ルミニウム基板1上によう化セシウム(CsI)の不連
続蛍光体層2を形成し、この不連続蛍光体層2上によう
化セシウムの連続蛍光体層3を積層させ、光電面4を連
続して形成している。
ルミニウム基板1上によう化セシウム(CsI)の不連
続蛍光体層2を形成し、この不連続蛍光体層2上によう
化セシウムの連続蛍光体層3を積層させ、光電面4を連
続して形成している。
【0008】そうして、上述の入力蛍光スクリーンは、
まず、ライトガイド効果を有している。すなわち、よう
化セシウムは、波長420nm付近の発光に対する屈折率
が1.84であり、理論上、結晶中で生じた発光は、図
10に示すように、臨界角33°以上の鈍角で結晶と真
空との界面に達すると、全反射して結晶の外に出られな
くなる。このため、発光の一部は光電面4に到達し、光
は強制的に結晶成長方向に伝送される。
まず、ライトガイド効果を有している。すなわち、よう
化セシウムは、波長420nm付近の発光に対する屈折率
が1.84であり、理論上、結晶中で生じた発光は、図
10に示すように、臨界角33°以上の鈍角で結晶と真
空との界面に達すると、全反射して結晶の外に出られな
くなる。このため、発光の一部は光電面4に到達し、光
は強制的に結晶成長方向に伝送される。
【0009】また、結晶と真空の界面とでの光の減衰が
生ずる。したがって、臨界角33°以下の角度で結晶の
外に出た光は、再度隣接する別の不連続蛍光体層2に到
達する。このとき、ほとんどの光は、結晶内に取り込ま
れるが、一部は図10に示すようにフレネル反射により
元の結晶に戻される。なお、結晶から真空に出るときも
同様である。このようにして、横方向へ広がる光は次第
に減衰し、結晶成長方向から外れた光ほど界面を通る回
数が多くなり、減衰の度合いが大きくなる。そこで、発
光は結晶成長方向に近いほど少ない減衰量で光電面4に
到達する。
生ずる。したがって、臨界角33°以下の角度で結晶の
外に出た光は、再度隣接する別の不連続蛍光体層2に到
達する。このとき、ほとんどの光は、結晶内に取り込ま
れるが、一部は図10に示すようにフレネル反射により
元の結晶に戻される。なお、結晶から真空に出るときも
同様である。このようにして、横方向へ広がる光は次第
に減衰し、結晶成長方向から外れた光ほど界面を通る回
数が多くなり、減衰の度合いが大きくなる。そこで、発
光は結晶成長方向に近いほど少ない減衰量で光電面4に
到達する。
【0010】上述のように、不連続蛍光体層2で発光し
た光は、発光点からあまり離れていない光電面4上に到
達することになり、入力蛍光スクリーン単体としての分
解能が得られる。
た光は、発光点からあまり離れていない光電面4上に到
達することになり、入力蛍光スクリーン単体としての分
解能が得られる。
【0011】そして、近年のX線イメージ管は、被写体
を透過したX線信号をできるだけ多く拾うことを目的と
して、入力蛍光スクリーンの厚さを400μm以上に設
定してX線吸収効率の向上を図っている。
を透過したX線信号をできるだけ多く拾うことを目的と
して、入力蛍光スクリーンの厚さを400μm以上に設
定してX線吸収効率の向上を図っている。
【0012】また、上記作用のうち、ライトガイド効果
は、入力蛍光スクリーンの厚さに依存しないが、真空と
界面とでの光の減衰については、入力蛍光スクリーンの
厚さが厚くなると界面による減衰の効果が弱くなり、入
力蛍光スクリーンの分解能が低下する。
は、入力蛍光スクリーンの厚さに依存しないが、真空と
界面とでの光の減衰については、入力蛍光スクリーンの
厚さが厚くなると界面による減衰の効果が弱くなり、入
力蛍光スクリーンの分解能が低下する。
【0013】この分解能を補強するために、不連続蛍光
体層2の径を細くして面方向の光学的界面を密にするこ
とが考えられる。そして、このように光学的界面を密に
することにより、横方向へ広がる光は、単位光路長当た
り減衰される割合が増加すると考えられる。
体層2の径を細くして面方向の光学的界面を密にするこ
とが考えられる。そして、このように光学的界面を密に
することにより、横方向へ広がる光は、単位光路長当た
り減衰される割合が増加すると考えられる。
【0014】また、不連続蛍光体層2の径は、スクリー
ン蒸着工程における基板温度に依存するので、蒸着時に
基板温度を150℃に維持したまま、4.5Paの圧力
下でよう化セシウム膜を形成させたところ、6μmの結
晶柱の不連続蛍光体層2が形成され、基板温度を180
℃に維持したところ、9μmの不連続蛍光体層2が形成
された。
ン蒸着工程における基板温度に依存するので、蒸着時に
基板温度を150℃に維持したまま、4.5Paの圧力
下でよう化セシウム膜を形成させたところ、6μmの結
晶柱の不連続蛍光体層2が形成され、基板温度を180
℃に維持したところ、9μmの不連続蛍光体層2が形成
された。
【0015】これらの不連続蛍光体層2が形成された入
力蛍光スクリーンの解像度を測定したところ、20lp
/cmで、CTF(Contrast Transfer Function)値は
いずれも24%前後で略等しく、50lp/cmでも6
μmの入力蛍光スクリーンの方が1%上回ったにすぎな
かった。なお、この程度のCTFの差であると、入力蛍
光スクリーンをX線イメージ管内部に装着した場合、撮
像系を経てテレビ画面上に現れる差は小さい。
力蛍光スクリーンの解像度を測定したところ、20lp
/cmで、CTF(Contrast Transfer Function)値は
いずれも24%前後で略等しく、50lp/cmでも6
μmの入力蛍光スクリーンの方が1%上回ったにすぎな
かった。なお、この程度のCTFの差であると、入力蛍
光スクリーンをX線イメージ管内部に装着した場合、撮
像系を経てテレビ画面上に現れる差は小さい。
【0016】このような、柱状構造を持った入力蛍光ス
クリーンの分解能特性を向上させる別の手段として、柱
状構造によって形成される光学的な界面に光吸収材ある
いは光反射材の層を設けることが考えられる。
クリーンの分解能特性を向上させる別の手段として、柱
状構造によって形成される光学的な界面に光吸収材ある
いは光反射材の層を設けることが考えられる。
【0017】特に、真空と界面とでの光の減衰を向上さ
せるものとして、たとえば特開昭62−43046号公
報に記載されているように、不連続蛍光体層の結晶柱間
に光吸収層を介在させるもの、特開昭59−12173
3号公報に記載されているように、不連続蛍光体層の柱
状結晶間に光反射物質の粉末を充填するものが知られて
いる。
せるものとして、たとえば特開昭62−43046号公
報に記載されているように、不連続蛍光体層の結晶柱間
に光吸収層を介在させるもの、特開昭59−12173
3号公報に記載されているように、不連続蛍光体層の柱
状結晶間に光反射物質の粉末を充填するものが知られて
いる。
【0018】ところが、不連続蛍光体層の結晶柱間は1
μm程度であり、これら結晶柱間の間隙を加工すること
は非常に困難である。
μm程度であり、これら結晶柱間の間隙を加工すること
は非常に困難である。
【0019】このような構造を実現する最も簡単で、量
産性がある方法として特公昭54−40071号公報記
載の構成が知られている。この特公昭54−40071
号公報記載の構成は、光吸収材料を混入させ、酸化雰囲
気中でアニールすることにより、光学的界面に光吸収材
の酸化物を析出させるものである。
産性がある方法として特公昭54−40071号公報記
載の構成が知られている。この特公昭54−40071
号公報記載の構成は、光吸収材料を混入させ、酸化雰囲
気中でアニールすることにより、光学的界面に光吸収材
の酸化物を析出させるものである。
【0020】しかしながら、この特公昭54−4007
1号公報記載の構成では、結晶中に含まれる不純物が、
光学的界面に析出するためには、不純物が拡散移動する
ことができ、かつ、光学的界面で酸化が進行する結晶構
造とアニール条件とが整ってなければ、任意の柱状構造
の入力蛍光スクリーンに対して実現できるとは限らな
い。
1号公報記載の構成では、結晶中に含まれる不純物が、
光学的界面に析出するためには、不純物が拡散移動する
ことができ、かつ、光学的界面で酸化が進行する結晶構
造とアニール条件とが整ってなければ、任意の柱状構造
の入力蛍光スクリーンに対して実現できるとは限らな
い。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】上述の特開昭62−4
3046号公報または特開昭59−121733号公報
に記載のように、真空と界面とでの光の減衰を向上させ
るものとして、不連続蛍光体層の結晶柱間に光吸収層を
介在させたり、あるいは光反射物質の粉末を充填するこ
とは、不連続蛍光体層の結晶柱間が1μm程度であり、
これら結晶柱間の間隙を加工することは非常に困難であ
る問題を有している。
3046号公報または特開昭59−121733号公報
に記載のように、真空と界面とでの光の減衰を向上させ
るものとして、不連続蛍光体層の結晶柱間に光吸収層を
介在させたり、あるいは光反射物質の粉末を充填するこ
とは、不連続蛍光体層の結晶柱間が1μm程度であり、
これら結晶柱間の間隙を加工することは非常に困難であ
る問題を有している。
【0022】また、特開昭62−43046号公報記載
のように、不連続蛍光体層の結晶柱間に光吸収物質を介
在させ、不連続蛍光体層の結晶柱間で蛍光体からの光を
吸収するものの場合、分解能を十分に向上させることが
できない問題を有している。
のように、不連続蛍光体層の結晶柱間に光吸収物質を介
在させ、不連続蛍光体層の結晶柱間で蛍光体からの光を
吸収するものの場合、分解能を十分に向上させることが
できない問題を有している。
【0023】さらに、特公昭54−40071号公報記
載の構成では、結晶中に含まれる不純物が、光学的界面
に析出するためには、不純物が拡散移動することがで
き、かつ、光学的界面で酸化が進行する結晶構造とアニ
ール条件とが整ってなければ、任意の柱状構造の入力蛍
光スクリーンに対して実現できるとは限らない問題を有
している。
載の構成では、結晶中に含まれる不純物が、光学的界面
に析出するためには、不純物が拡散移動することがで
き、かつ、光学的界面で酸化が進行する結晶構造とアニ
ール条件とが整ってなければ、任意の柱状構造の入力蛍
光スクリーンに対して実現できるとは限らない問題を有
している。
【0024】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、簡単な構成で、分解能を向上させることができるX
線イメージ管を提供することを目的とする。
で、簡単な構成で、分解能を向上させることができるX
線イメージ管を提供することを目的とする。
【0025】
【課題を解決するための手段】本発明のX線イメージ管
は、基体と、この基体の上に形成されX線の入射により
蛍光体が発する光を吸収する光吸収物質を含有した柱状
結晶からなる第1の不連続蛍光体層と、この第1の不連
続蛍光体層の上に形成されX線の入射により蛍光体が発
する光を吸収する光吸収物質を含有し前記前記第1の不
連続蛍光体層の柱状結晶より径小の柱状結晶からなる第
2の不連続蛍光体層とを具備したものである。
は、基体と、この基体の上に形成されX線の入射により
蛍光体が発する光を吸収する光吸収物質を含有した柱状
結晶からなる第1の不連続蛍光体層と、この第1の不連
続蛍光体層の上に形成されX線の入射により蛍光体が発
する光を吸収する光吸収物質を含有し前記前記第1の不
連続蛍光体層の柱状結晶より径小の柱状結晶からなる第
2の不連続蛍光体層とを具備したものである。
【0026】
【作用】本発明のX線イメージ管は、基体の上にX線の
入射により蛍光体が発する光を吸収する光吸収物質を含
有した柱状結晶からなる第1の不連続蛍光体層を形成
し、第1の不連続蛍光体層の上にX線の入射により蛍光
体が発する光を吸収する光吸収物質を含有し第1の不連
続蛍光体層の柱状結晶より径小の柱状結晶からなる第2
の不連続蛍光体層とを形成したため、到達するまでに通
過する界面の数が多くなり、減衰率が大きくなるため、
光の散乱が抑えられ、輝度が向上する。
入射により蛍光体が発する光を吸収する光吸収物質を含
有した柱状結晶からなる第1の不連続蛍光体層を形成
し、第1の不連続蛍光体層の上にX線の入射により蛍光
体が発する光を吸収する光吸収物質を含有し第1の不連
続蛍光体層の柱状結晶より径小の柱状結晶からなる第2
の不連続蛍光体層とを形成したため、到達するまでに通
過する界面の数が多くなり、減衰率が大きくなるため、
光の散乱が抑えられ、輝度が向上する。
【0027】
【実施例】以下、本発明のX線イメージ管の一実施例を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【0028】図1に示すように、基体としてのアルミニ
ウム(Al)基板11上に面方向に、不連続なファイバ柱
状の多数の柱状結晶のファイバ体12a からなるよう化セ
シウム(CsI)の第1の不連続蛍光体層12を形成し、
この第1の不連続蛍光体層12上に面方向に、第1の不連
続蛍光体層12のファイバ体12a より径小の不連続なファ
イバ柱状の多数の柱状結晶のファイバ体13a からなるよ
う化セシウムの第2の不連続蛍光体層13を積層させて入
力蛍光スクリーン14を形成し、光電面15を連続して形成
している。
ウム(Al)基板11上に面方向に、不連続なファイバ柱
状の多数の柱状結晶のファイバ体12a からなるよう化セ
シウム(CsI)の第1の不連続蛍光体層12を形成し、
この第1の不連続蛍光体層12上に面方向に、第1の不連
続蛍光体層12のファイバ体12a より径小の不連続なファ
イバ柱状の多数の柱状結晶のファイバ体13a からなるよ
う化セシウムの第2の不連続蛍光体層13を積層させて入
力蛍光スクリーン14を形成し、光電面15を連続して形成
している。
【0029】そして、第1の不連続蛍光体層12には、平
均濃度0.1wt%以下、より好ましくは0.01〜
0.1wt%のよう化銅(CuI)が混入され、透明度
は低くなっており、第1の不連続蛍光体層12の結晶中の
表面には、酸化銅(CuO)の黒色膜16が形成されてい
る。なお、第1の不連続蛍光体層12は、基板付近で光吸
収物質の濃度が濃くなっている。
均濃度0.1wt%以下、より好ましくは0.01〜
0.1wt%のよう化銅(CuI)が混入され、透明度
は低くなっており、第1の不連続蛍光体層12の結晶中の
表面には、酸化銅(CuO)の黒色膜16が形成されてい
る。なお、第1の不連続蛍光体層12は、基板付近で光吸
収物質の濃度が濃くなっている。
【0030】また、第1の不連続蛍光体層12および第2
の不連続蛍光体層13には、タリウムイオン(Tl+ )、
ナトリウムイオン(Na+ )、カリウムイオン(K+ )
が発光効率向上のため、適当な濃度含有されている。
の不連続蛍光体層13には、タリウムイオン(Tl+ )、
ナトリウムイオン(Na+ )、カリウムイオン(K+ )
が発光効率向上のため、適当な濃度含有されている。
【0031】なお、第1の不連続蛍光体層12の隣接する
ファイバ体12a の間隔、すなわち光学的界面の間隔は、
0.1〜40μmが好ましく、より好ましくは0.1〜
3μmであり、0.1μmに形成され、ファイバ体12a
の径は40μm以下が好ましく、より好ましくは5〜1
5μmで、20μmに設定され、膜厚は200〜400
μmに設定されている。
ファイバ体12a の間隔、すなわち光学的界面の間隔は、
0.1〜40μmが好ましく、より好ましくは0.1〜
3μmであり、0.1μmに形成され、ファイバ体12a
の径は40μm以下が好ましく、より好ましくは5〜1
5μmで、20μmに設定され、膜厚は200〜400
μmに設定されている。
【0032】一方、第2の不連続蛍光体層13のファイバ
体13a の径は3〜6μmで、膜厚は20〜50μmに設
定されている。
体13a の径は3〜6μmで、膜厚は20〜50μmに設
定されている。
【0033】なお、アルミニウム基板11としては柱状結
晶を支持するため、別に他の物質たとえばチタン(T
i)や、場合によってはベリリウム(Be)などのX線
透過率の小さいものでもよい。
晶を支持するため、別に他の物質たとえばチタン(T
i)や、場合によってはベリリウム(Be)などのX線
透過率の小さいものでもよい。
【0034】次に、上記X線イメージ管の製造装置を図
2を参照して説明する。
2を参照して説明する。
【0035】図2は、入力蛍光スクリーンの製造装置で
ある。21は真空槽で、この真空槽21の内部には、アルミ
ニウム基板11が載置されている。そして、アルミニウム
基板11の上部には加熱ヒータ22、下部にはボート23,24
がそれぞれ配設されている。また、一方のボート23に
は、0.1wt%のよう化鉄(FeI2 )が混入された
よう化セシウム(CsI)が、他方のボート24には、よ
う化セシウム(CsI)が入れられている。
ある。21は真空槽で、この真空槽21の内部には、アルミ
ニウム基板11が載置されている。そして、アルミニウム
基板11の上部には加熱ヒータ22、下部にはボート23,24
がそれぞれ配設されている。また、一方のボート23に
は、0.1wt%のよう化鉄(FeI2 )が混入された
よう化セシウム(CsI)が、他方のボート24には、よ
う化セシウム(CsI)が入れられている。
【0036】そして、まず、加熱ヒータ22でアルミニウ
ム基板11を180℃に加熱し、真空槽21内の圧力を4.
5×10-1Paに保った状態で、一方のボート23を加熱
し、アルミニウム基板11に膜圧が380μmの柱状のフ
ァイバ体12a からなる第1の不連続蛍光体層12を形成す
る。一旦、この不連続蛍光体層12を空気中で280℃で
アニールした後、再度真空槽21内に戻し、アルミニウム
基板11を180℃に加熱し、真空槽21の圧力を10-3P
a以下の状態にして、他方のボート24を加熱し、第1の
不連続蛍光体層12上に約20μmの厚さのファイバ体12
a より径小の柱状のファイバ体13a からなる第2の不連
続蛍光体層13を形成する。そうして、これら第1の不連
続蛍光体層12および第2の不連続蛍光体層13が形成され
たアルミニウム基板11を、空気中にさらし280℃で5
時間ベーキングする。
ム基板11を180℃に加熱し、真空槽21内の圧力を4.
5×10-1Paに保った状態で、一方のボート23を加熱
し、アルミニウム基板11に膜圧が380μmの柱状のフ
ァイバ体12a からなる第1の不連続蛍光体層12を形成す
る。一旦、この不連続蛍光体層12を空気中で280℃で
アニールした後、再度真空槽21内に戻し、アルミニウム
基板11を180℃に加熱し、真空槽21の圧力を10-3P
a以下の状態にして、他方のボート24を加熱し、第1の
不連続蛍光体層12上に約20μmの厚さのファイバ体12
a より径小の柱状のファイバ体13a からなる第2の不連
続蛍光体層13を形成する。そうして、これら第1の不連
続蛍光体層12および第2の不連続蛍光体層13が形成され
たアルミニウム基板11を、空気中にさらし280℃で5
時間ベーキングする。
【0037】さらに、これら第1の不連続蛍光体層12お
よび第2の不連続蛍光体層13が形成される作用について
説明する。
よび第2の不連続蛍光体層13が形成される作用について
説明する。
【0038】まず、X線イメージ管の入力蛍光スクリー
ン14を構成する物質であるよう化セシウム(CsI)
は、イオン結晶であるから、格子中のセシウムイオン
(Cs+)もしくはよう素イオン(I- )は、容易に他
の化学種イオンと置き変わることができる。たとえば、
入力蛍光スクリーン14においては、発光効率を上げるた
めに、化学式1に示すように、タリウムイオン(T
l+ )、ナトリウムイオン(Na+ )を微量添加してい
る。
ン14を構成する物質であるよう化セシウム(CsI)
は、イオン結晶であるから、格子中のセシウムイオン
(Cs+)もしくはよう素イオン(I- )は、容易に他
の化学種イオンと置き変わることができる。たとえば、
入力蛍光スクリーン14においては、発光効率を上げるた
めに、化学式1に示すように、タリウムイオン(T
l+ )、ナトリウムイオン(Na+ )を微量添加してい
る。
【0039】
【化1】 この性質を利用すると、結晶格子を保ったまま、第1の
不連続蛍光体層12に光吸収物質を混入することができ
る。これは、多価イオンでも可能であり、添加量が少な
い場合は第1の不連続蛍光体層12の蛍光体本来の物性を
損ねることは少ない。また、たとえば1価の銅イオン
(Cu+ )の場合は、化学式2に示すようになる。
不連続蛍光体層12に光吸収物質を混入することができ
る。これは、多価イオンでも可能であり、添加量が少な
い場合は第1の不連続蛍光体層12の蛍光体本来の物性を
損ねることは少ない。また、たとえば1価の銅イオン
(Cu+ )の場合は、化学式2に示すようになる。
【0040】
【化2】 このようにして、ある種の化学種のイオンが混入した結
晶には、純よう化セシウム(CsI)もしくはナトリウ
ムイオン(Na+ )が加えられたよう化セシウム(Cs
I)にはなかった光吸収特性があり、もともとは、発光
に対してほぼ透明であった入力蛍光スクリーン14も光透
過率が小さくなる。
晶には、純よう化セシウム(CsI)もしくはナトリウ
ムイオン(Na+ )が加えられたよう化セシウム(Cs
I)にはなかった光吸収特性があり、もともとは、発光
に対してほぼ透明であった入力蛍光スクリーン14も光透
過率が小さくなる。
【0041】したがって、発光が第1の不連続蛍光体層
12の結晶方向から外れた方向に向かう光ほど光電面15に
到達する距離が長くなり、入力蛍光スクリーン14の透過
率が小さいほど、光電面15上で発光点から離れたところ
に到達する減衰は大きくなり、入力蛍光スクリーン14の
分解能は向上する。
12の結晶方向から外れた方向に向かう光ほど光電面15に
到達する距離が長くなり、入力蛍光スクリーン14の透過
率が小さいほど、光電面15上で発光点から離れたところ
に到達する減衰は大きくなり、入力蛍光スクリーン14の
分解能は向上する。
【0042】また、結晶中に注入する物質を選択するこ
とにより、混入物質の分布を変化させることができる。
たとえば均一に銅イオン(Cu+ )が混入されたよう化
銅(CuI)の結晶を酸素雰囲気中で加熱すると、化学
式3および化学式4のように第1の不連続蛍光体層12の
結晶の表面付近、すなわち光学的界面には、銅(Cu)
の酸化物が析出する。
とにより、混入物質の分布を変化させることができる。
たとえば均一に銅イオン(Cu+ )が混入されたよう化
銅(CuI)の結晶を酸素雰囲気中で加熱すると、化学
式3および化学式4のように第1の不連続蛍光体層12の
結晶の表面付近、すなわち光学的界面には、銅(Cu)
の酸化物が析出する。
【0043】
【化3】
【化4】 なお、このときセシウムイオン(Cs+ )は、銅イオン
(Cu+ )よりも酸素(O2 )に対して不活性なのでセ
シウム(Cs)の酸化物はできにくく、第1の不連続蛍
光体層12の蛍光膜の劣化は少ない。
(Cu+ )よりも酸素(O2 )に対して不活性なのでセ
シウム(Cs)の酸化物はできにくく、第1の不連続蛍
光体層12の蛍光膜の劣化は少ない。
【0044】さらに、第1の不連続蛍光体層12の表面付
近の酸化反応が進むにつれて銅イオン(Cu+ )が欠乏
するものの、加熱によりバルク中の銅イオン(Cu+ )
が拡散して補充されるから、反応はさらに進み、第1の
不連続蛍光体層12の結晶表面、すなわち光学的界面に近
いほど高濃度の酸化銅(CuO)の層が形成される。
近の酸化反応が進むにつれて銅イオン(Cu+ )が欠乏
するものの、加熱によりバルク中の銅イオン(Cu+ )
が拡散して補充されるから、反応はさらに進み、第1の
不連続蛍光体層12の結晶表面、すなわち光学的界面に近
いほど高濃度の酸化銅(CuO)の層が形成される。
【0045】このような反応により精製された入力蛍光
スクリーン14は、結晶バルク中の光吸収物質である光吸
収イオンの濃度が低くなり、第1の不連続蛍光体層12の
蛍光体の発光効率の低下を最小限に抑えることができ、
さらに、光吸収物質である鉄のような酸化物を選択する
と、光減衰性の機能も同等に保つことができる。
スクリーン14は、結晶バルク中の光吸収物質である光吸
収イオンの濃度が低くなり、第1の不連続蛍光体層12の
蛍光体の発光効率の低下を最小限に抑えることができ、
さらに、光吸収物質である鉄のような酸化物を選択する
と、光減衰性の機能も同等に保つことができる。
【0046】また、上述の条件では、柱状結晶の径は平
均12μm、光学的界面の幅は0.3〜1μmであっ
た。
均12μm、光学的界面の幅は0.3〜1μmであっ
た。
【0047】この黒色膜16が形成される反応が行なわれ
る場合の、十分な反応速度を得るための温度は、よう化
銅が酸化され酸化銅が形成される際のよう素ガス
(I2 )の量をモニターすることにより求めることがで
きる。
る場合の、十分な反応速度を得るための温度は、よう化
銅が酸化され酸化銅が形成される際のよう素ガス
(I2 )の量をモニターすることにより求めることがで
きる。
【0048】すなわち、図3に示すように、横軸に時
間、縦軸によう素ガスの発生総量を採り、測定値をプロ
ットしていくと、温度を280℃にまで上昇させたとき
に、急激によう素ガスの量が多くなるので、280℃の
温度が化学式3、化学式4の反応を起こすのに十分な温
度といえる。
間、縦軸によう素ガスの発生総量を採り、測定値をプロ
ットしていくと、温度を280℃にまで上昇させたとき
に、急激によう素ガスの量が多くなるので、280℃の
温度が化学式3、化学式4の反応を起こすのに十分な温
度といえる。
【0049】そして、上述のような結晶中の不純物を酸
素中で加熱することにより析出させることについては、
Journal of Crystal Growth 7 (1970)の259頁〜26
0頁の「GROWTH OF Mn2 O3 THIN FILMS BY IMPURITY
DIFFUSION FROM VOLUME TOSURFACE IN IMPURE NaCl CR
YSTALS 」などに記載されている。
素中で加熱することにより析出させることについては、
Journal of Crystal Growth 7 (1970)の259頁〜26
0頁の「GROWTH OF Mn2 O3 THIN FILMS BY IMPURITY
DIFFUSION FROM VOLUME TOSURFACE IN IMPURE NaCl CR
YSTALS 」などに記載されている。
【0050】したがって、上記実施例では、よう化セシ
ウム(CsI)粉末によう化銅粉末を混合したものをフ
ァイバ体12a からなる第1の不連続蛍光体層12を形成
し、次に、よう化セシウム(CsI)粉末を蒸着して柱
状結晶のファイバ体13a からなる第2の不連続蛍光体層
13を形成し、その後、空気中で280℃で5時間加熱す
ることにより、ファイバ体12a の光学的界面に高濃度の
酸化銅(CuO)の黒色膜16を容易に形成することが可
能である。この場合、第2の不連続蛍光体層13と接する
ファイバ体12a の表面は空気と接していないので、高濃
度の酸化銅(CuO)の黒色膜16は形成されていない。
ウム(CsI)粉末によう化銅粉末を混合したものをフ
ァイバ体12a からなる第1の不連続蛍光体層12を形成
し、次に、よう化セシウム(CsI)粉末を蒸着して柱
状結晶のファイバ体13a からなる第2の不連続蛍光体層
13を形成し、その後、空気中で280℃で5時間加熱す
ることにより、ファイバ体12a の光学的界面に高濃度の
酸化銅(CuO)の黒色膜16を容易に形成することが可
能である。この場合、第2の不連続蛍光体層13と接する
ファイバ体12a の表面は空気と接していないので、高濃
度の酸化銅(CuO)の黒色膜16は形成されていない。
【0051】一方、加熱条件及び結晶の寸法と、結晶表
面への不純物の析出状態との関係は、Revista Mexican
de Fisica 30 (4) (1984) 685頁〜692頁に記載さ
れている。この記載によると、加熱時間をt、結晶寸法
をlとすると、t/l2 が析出の進行状況を示すパラメ
ーターとなっている。言い換えると、結晶寸法をn倍に
すると、結晶表面に不純物が析出するに必要な加熱時間
はn2 にしなければならないことを示しており、結晶の
中の不純物が表面に到達する距離が長くなることが原因
である。
面への不純物の析出状態との関係は、Revista Mexican
de Fisica 30 (4) (1984) 685頁〜692頁に記載さ
れている。この記載によると、加熱時間をt、結晶寸法
をlとすると、t/l2 が析出の進行状況を示すパラメ
ーターとなっている。言い換えると、結晶寸法をn倍に
すると、結晶表面に不純物が析出するに必要な加熱時間
はn2 にしなければならないことを示しており、結晶の
中の不純物が表面に到達する距離が長くなることが原因
である。
【0052】このようなことから、第1の不連続蛍光体
層12を構成するファイバ体12a の径が大きい場合には、
極端に長い加熱時間が必要である。加熱時間が長くなる
と、量産性に劣るだけでなく、熱により結晶がくずれた
構造となる。実際に様々な径のファイバ体12a を製作し
たところ、ファイバ体12a の径が50μmを越えると、
24時間の加熱でCuOの黒色膜16の量は極端に少なく
なることが判明した。
層12を構成するファイバ体12a の径が大きい場合には、
極端に長い加熱時間が必要である。加熱時間が長くなる
と、量産性に劣るだけでなく、熱により結晶がくずれた
構造となる。実際に様々な径のファイバ体12a を製作し
たところ、ファイバ体12a の径が50μmを越えると、
24時間の加熱でCuOの黒色膜16の量は極端に少なく
なることが判明した。
【0053】また、ファイバ体12a の光学的界面は、ア
ニール工程において、酸素供給源となっている。したが
って、ファイバ体12a の間隔が狭いと、アニール工程の
途中で酸素が不足して反応速度が遅くなる。実験による
と、0.1μmより小さくなると、数10オングストロ
ーム程度の酸化膜でも形成が難しくなる。
ニール工程において、酸素供給源となっている。したが
って、ファイバ体12a の間隔が狭いと、アニール工程の
途中で酸素が不足して反応速度が遅くなる。実験による
と、0.1μmより小さくなると、数10オングストロ
ーム程度の酸化膜でも形成が難しくなる。
【0054】以上を考慮すると、空気中での加熱温度は
60〜350℃が好ましく、より好ましくは260〜3
00℃であり、加熱時間は24時間以下が好ましく、よ
り好ましくは3〜5時間である。
60〜350℃が好ましく、より好ましくは260〜3
00℃であり、加熱時間は24時間以下が好ましく、よ
り好ましくは3〜5時間である。
【0055】また、隣接するファイバ体12a の光学的界
面間の間隔は、加熱工程において酸素供給源となってい
る。したがって、この間隔が狭すぎると、加熱の途中で
酸素量が不足し、反応速度で遅くなる。実際に作成した
膜では、幅はすべて0.3μm以上であり、問題はなか
ったが、0.1μmより狭くなると、数10オングスト
ロームの酸化膜でも形成が困難となる。
面間の間隔は、加熱工程において酸素供給源となってい
る。したがって、この間隔が狭すぎると、加熱の途中で
酸素量が不足し、反応速度で遅くなる。実際に作成した
膜では、幅はすべて0.3μm以上であり、問題はなか
ったが、0.1μmより狭くなると、数10オングスト
ロームの酸化膜でも形成が困難となる。
【0056】次に、12μmの柱状結晶のファイバ体12
a の効果について、次に示す3種類の実施例を用いた場
合について説明する。
a の効果について、次に示す3種類の実施例を用いた場
合について説明する。
【0057】サンプルA:従来の入力蛍光スクリーンを
260℃で真空加温したもの サンプルB:0.02wt%のよう化銅を混入した入力
蛍光スクリーン14を、アニール工程を省略し、260℃
で真空加熱したもの サンプルC:0.02wt%のよう化銅を混入した入力
蛍光スクリーンを実施例に示す方法で作成し、さらに、
260℃で真空加温したもの なお、サンプルA,B,Cの260℃での真空加温は、
蛍光体の活性のための工程である。
260℃で真空加温したもの サンプルB:0.02wt%のよう化銅を混入した入力
蛍光スクリーン14を、アニール工程を省略し、260℃
で真空加熱したもの サンプルC:0.02wt%のよう化銅を混入した入力
蛍光スクリーンを実施例に示す方法で作成し、さらに、
260℃で真空加温したもの なお、サンプルA,B,Cの260℃での真空加温は、
蛍光体の活性のための工程である。
【0058】また、サンプルCは空気中で加温すること
により、酸化銅が形成され灰色に変色している。
により、酸化銅が形成され灰色に変色している。
【0059】そして、サンプルCは、図4に示すよう
に、CTF曲線はサンプルAに比べて大幅に向上してい
る。また、サンプルCは、外観が灰色であるにもかかわ
らず、発光量は図示しないがサンプルAの36%に達し
ている。この外観が灰色であるにもかかわらず発光量の
低下が少ないことについては、バルクの結晶中の銅イオ
ンが含まれず、図5に示すように、透明であることに起
因していると考えられる。
に、CTF曲線はサンプルAに比べて大幅に向上してい
る。また、サンプルCは、外観が灰色であるにもかかわ
らず、発光量は図示しないがサンプルAの36%に達し
ている。この外観が灰色であるにもかかわらず発光量の
低下が少ないことについては、バルクの結晶中の銅イオ
ンが含まれず、図5に示すように、透明であることに起
因していると考えられる。
【0060】逆に、サンプルBは、CTF曲線はサンプ
ルAに比べて差異がない。しかも、サンプルBは、透明
にもかかわらず、バルクの結晶中に銅イオンが多く含ま
れているため、蛍光体CsI/Na+ の発光を妨げ、発
光量は図示しないがサンプルAの29%にまで低下し
た。
ルAに比べて差異がない。しかも、サンプルBは、透明
にもかかわらず、バルクの結晶中に銅イオンが多く含ま
れているため、蛍光体CsI/Na+ の発光を妨げ、発
光量は図示しないがサンプルAの29%にまで低下し
た。
【0061】上述のように製造された入力蛍光スクリー
ンを入力視野9インチ、出力径直径25mmのX線イメ
ージ管に装着したら、図6に示すようにCTF曲線が向
上する効果が得られた。このとき、スクリーン単体の実
験のときと同様に、サンプルCはサンプルAに比べ、輝
度((cd/m2 )/mRisec )の低下が認められる
が、輝度の低下を防止するためには、光吸収材の濃度を
低下させるか、光吸収材を含む部分を入力蛍光スクリー
ンの厚さ方向の一部に限定すればよく、X線イメージ管
の各用途に必要な輝度に応じて濃度、構造を検討すれば
よい。
ンを入力視野9インチ、出力径直径25mmのX線イメ
ージ管に装着したら、図6に示すようにCTF曲線が向
上する効果が得られた。このとき、スクリーン単体の実
験のときと同様に、サンプルCはサンプルAに比べ、輝
度((cd/m2 )/mRisec )の低下が認められる
が、輝度の低下を防止するためには、光吸収材の濃度を
低下させるか、光吸収材を含む部分を入力蛍光スクリー
ンの厚さ方向の一部に限定すればよく、X線イメージ管
の各用途に必要な輝度に応じて濃度、構造を検討すれば
よい。
【0062】なお、上記実施例のように、0.02wt
%のよう化銅の混入では、十分な透明度が得られてお
り、光電面16からはなれた部分の発光にも寄与してお
り、X線イメージ管の重要な性能ファクターであり、入
射X線信号をできるだけ多く有効な信号として取り出す
能力の劣化は少ない。
%のよう化銅の混入では、十分な透明度が得られてお
り、光電面16からはなれた部分の発光にも寄与してお
り、X線イメージ管の重要な性能ファクターであり、入
射X線信号をできるだけ多く有効な信号として取り出す
能力の劣化は少ない。
【0063】上述のように、一旦、結晶中に光吸収材の
元となるイオンを混入させ、後の酸化処理により光吸収
材の元になるものを結晶界面に析出させる一連の工程
は、高分解性能が要求されるX線イメージ管のファイバ
構造を持った入力蛍光スクリーンの形成工程に組み合わ
せることにより、絶大な効果を発揮し、なおかつ、非常
に簡単な所望の構造が得られるので、工業的生産手段と
しても有用である。
元となるイオンを混入させ、後の酸化処理により光吸収
材の元になるものを結晶界面に析出させる一連の工程
は、高分解性能が要求されるX線イメージ管のファイバ
構造を持った入力蛍光スクリーンの形成工程に組み合わ
せることにより、絶大な効果を発揮し、なおかつ、非常
に簡単な所望の構造が得られるので、工業的生産手段と
しても有用である。
【0064】また、他の実施例として、酸化銅に代えて
酸化鉄を用いた構成について説明する。
酸化鉄を用いた構成について説明する。
【0065】そして、図1に示す実施例の第1の不連続
蛍光体層12に、銅に代えて平均濃度0.1wt%以下、
より好ましくは0.01〜0.1wt%の鉄(Fe)を
混入し、第1の不連続蛍光体層12の各ファイバ体12a の
結晶中の表面に、酸化鉄(Fe2 O3 )からなる黒色膜
16を被覆したものである。
蛍光体層12に、銅に代えて平均濃度0.1wt%以下、
より好ましくは0.01〜0.1wt%の鉄(Fe)を
混入し、第1の不連続蛍光体層12の各ファイバ体12a の
結晶中の表面に、酸化鉄(Fe2 O3 )からなる黒色膜
16を被覆したものである。
【0066】なお、鉄という元素は、蛍光体を主として
構成するたとえばナトリウム付活よう化セシウム(Cs
I:Na)などの元素イオンよりも、酸素に対して活性
であるとともに、第2の不連続蛍光体層13の結晶中で金
属イオンとして存在する場合よりも、結晶外で酸化物と
して存在する場合の方が、効果的に蛍光体の発光を吸収
するものである。
構成するたとえばナトリウム付活よう化セシウム(Cs
I:Na)などの元素イオンよりも、酸素に対して活性
であるとともに、第2の不連続蛍光体層13の結晶中で金
属イオンとして存在する場合よりも、結晶外で酸化物と
して存在する場合の方が、効果的に蛍光体の発光を吸収
するものである。
【0067】なお、同様に、隣接するファイバ体12a の
間隔、すなわち光学的界面の間隔は、0.1〜40μm
が好ましく、より好ましくは0.1〜3μmであり、フ
ァイバ体12a の径は40μm以下が好ましく、より好ま
しくは5〜15μmである。
間隔、すなわち光学的界面の間隔は、0.1〜40μm
が好ましく、より好ましくは0.1〜3μmであり、フ
ァイバ体12a の径は40μm以下が好ましく、より好ま
しくは5〜15μmである。
【0068】このように、鉄を用いる場合にも図2に示
す入力蛍光スクリーンの製造装置を使用する。
す入力蛍光スクリーンの製造装置を使用する。
【0069】このように鉄を用いる場合、一方のボート
23には、0.02wt%のよう化鉄(FeI2 )が混入
されたよう化セシウム(CsI)および微量のよう化ナ
トリウム(NaI)が、他方のボート24には、よう化セ
シウム(CsI)および微量のよう化ナトリウム(Na
I)が入れられている。そして、よう化銅を含んだ第1
の不連続蛍光体層12および第2の不連続蛍光体層13と同
様の動作を行ない、最後に、アルミニウム基板11を空気
中にさらし280℃で5時間ベーキングして形成する。
23には、0.02wt%のよう化鉄(FeI2 )が混入
されたよう化セシウム(CsI)および微量のよう化ナ
トリウム(NaI)が、他方のボート24には、よう化セ
シウム(CsI)および微量のよう化ナトリウム(Na
I)が入れられている。そして、よう化銅を含んだ第1
の不連続蛍光体層12および第2の不連続蛍光体層13と同
様の動作を行ない、最後に、アルミニウム基板11を空気
中にさらし280℃で5時間ベーキングして形成する。
【0070】さらに、上記入力蛍光スクリーンの構造が
得られる理由について説明する。
得られる理由について説明する。
【0071】X線イメージ管の入力蛍光スクリーンを構
成する物質であるよう化セシウム(CsI)は、イオン
結晶であるから、格子中のセシウムイオン(Cs+ )も
しくはよう素イオン(I- )は、容易に他の化学種イオ
ンと置き変わることができる。たとえば、入力蛍光スク
リーンにおいては、発光効率を上げるために、化学式5
に示すように、タリウムイオン(Tl+ )、ナトリウム
イオン(Na+ )を微量添加している。
成する物質であるよう化セシウム(CsI)は、イオン
結晶であるから、格子中のセシウムイオン(Cs+ )も
しくはよう素イオン(I- )は、容易に他の化学種イオ
ンと置き変わることができる。たとえば、入力蛍光スク
リーンにおいては、発光効率を上げるために、化学式5
に示すように、タリウムイオン(Tl+ )、ナトリウム
イオン(Na+ )を微量添加している。
【0072】
【化5】 この性質を利用すると、結晶格子を保ったまま、第1の
不連続蛍光体層12に光吸収物質を混入することができ
る。これは、多価イオンでも可能であり、添加量が少な
い場合は第1の不連続蛍光体層12の蛍光体本来の物性を
損ねることは少ない。また、たとえば2価の鉄イオン
(Fe++)の場合は、化学式6に示すようになる。
不連続蛍光体層12に光吸収物質を混入することができ
る。これは、多価イオンでも可能であり、添加量が少な
い場合は第1の不連続蛍光体層12の蛍光体本来の物性を
損ねることは少ない。また、たとえば2価の鉄イオン
(Fe++)の場合は、化学式6に示すようになる。
【0073】
【化6】 なお、このような構造の結晶は、よう化セシウムによう
化銅の粉末同士を混ぜ合わせたものを真空蒸着すること
により得られる。
化銅の粉末同士を混ぜ合わせたものを真空蒸着すること
により得られる。
【0074】また、鉄イオン(Fe++)は、蛍光体を構
成するセシウムイオン(Cs+ )およびよう素イオン
(I- )に比べて酸素(O2 )に対して活性であるか
ら、空気中にさらすことにより酸化させることができ
る。
成するセシウムイオン(Cs+ )およびよう素イオン
(I- )に比べて酸素(O2 )に対して活性であるか
ら、空気中にさらすことにより酸化させることができ
る。
【0075】このとき
【化7】 の反応式となる。そして、酸素は、第1の不連続蛍光体
層12の内部より、光学的界面に多く供給されるため、光
学的界面を中心に反応が生ずる。
層12の内部より、光学的界面に多く供給されるため、光
学的界面を中心に反応が生ずる。
【0076】さらに、不連続蛍光体層12の表面付近の酸
化反応が進むにつれて鉄イオン(Fe++)が欠乏するも
のの、加熱によりバルク中の鉄イオン(Fe++)が拡散
して補充されるから、反応はさらに進み、不連続蛍光体
層12の結晶表面、すなわち光学的界面に近いほど高濃度
の酸化鉄(Fe2 O3 )の黒色膜16が形成される。
化反応が進むにつれて鉄イオン(Fe++)が欠乏するも
のの、加熱によりバルク中の鉄イオン(Fe++)が拡散
して補充されるから、反応はさらに進み、不連続蛍光体
層12の結晶表面、すなわち光学的界面に近いほど高濃度
の酸化鉄(Fe2 O3 )の黒色膜16が形成される。
【0077】また、よう化セシウム(CsI)に含有す
る光吸収物質としては、鉄イオン(Fe++)、銅イオン
(Cu+ )以外の物質として、クロム(Cr)、ストロ
ンチウム(Sr)、マグネシウム(Mg)、水銀(H
g)のように鉄(Fe)に近い化学的性質を示し、よう
化セシウム(CsI)の結晶格子中に取り込まれる光吸
収物質なら、1個もしくは複数個の元素などを用いても
同様の効果が得られる。なお、蒸着プロセスにおいて、
よう化セシウム(CsI)に近い蒸気圧で、同時に蒸発
するものである必要はある。
る光吸収物質としては、鉄イオン(Fe++)、銅イオン
(Cu+ )以外の物質として、クロム(Cr)、ストロ
ンチウム(Sr)、マグネシウム(Mg)、水銀(H
g)のように鉄(Fe)に近い化学的性質を示し、よう
化セシウム(CsI)の結晶格子中に取り込まれる光吸
収物質なら、1個もしくは複数個の元素などを用いても
同様の効果が得られる。なお、蒸着プロセスにおいて、
よう化セシウム(CsI)に近い蒸気圧で、同時に蒸発
するものである必要はある。
【0078】さらに、酸素(O2 )以外のたとえば窒素
ガス(N2 )、アンモニアガスなどの気体雰囲気中で着
色する物質でも有効である。なお、窒素を含む雰囲気中
で熱処理を行なう場合には、クロム、鉄などを使用可能
である。
ガス(N2 )、アンモニアガスなどの気体雰囲気中で着
色する物質でも有効である。なお、窒素を含む雰囲気中
で熱処理を行なう場合には、クロム、鉄などを使用可能
である。
【0079】またさらに、第2の不連続蛍光体層13は光
電面15に近いため、光電面15の変質を避けるため、鉄
(Fe)のような光吸収物質を含まないものがよい場合
もある。
電面15に近いため、光電面15の変質を避けるため、鉄
(Fe)のような光吸収物質を含まないものがよい場合
もある。
【0080】以上説明したX線イメージ管は、X線管お
よび撮像装置と組み合わせて、X線撮影システムとして
使用することが可能で、たとえば図7は、透視系および
間接撮影系X線撮影システムの一例を示す図である。
よび撮像装置と組み合わせて、X線撮影システムとして
使用することが可能で、たとえば図7は、透視系および
間接撮影系X線撮影システムの一例を示す図である。
【0081】図7に示すように、X線管31に対して、X
線イメージ管32を配置し、このX線イメージ管32のX線
グリッド33に対向して被写体34を配置する。一方、X線
イメージ管32の出力側には、ハーフミラー35を配置し、
このハーフミラー35によりテレビジョンレンズ36を介し
てテレビジョンカメラ37に送られテレビジョンモニタ38
に映像できるようにするとともに、シネカメラ39および
スポットカメラ40に映像されるようになっている。
線イメージ管32を配置し、このX線イメージ管32のX線
グリッド33に対向して被写体34を配置する。一方、X線
イメージ管32の出力側には、ハーフミラー35を配置し、
このハーフミラー35によりテレビジョンレンズ36を介し
てテレビジョンカメラ37に送られテレビジョンモニタ38
に映像できるようにするとともに、シネカメラ39および
スポットカメラ40に映像されるようになっている。
【0082】また、X線イメージ管32は、図8に示すよ
うに、真空外囲器41の一面側に形成された入力窓42側の
内部側に、アルミニウム基板11に第1の不連続蛍光体層
12および第2の不連続蛍光体層13からなる入力蛍光スク
リーン14が形成されている。さらに、真空外囲器41の入
力窓42と反対側には、出力面43が形成され、この出力面
43の内面側には陽極44が設けられている。そして、入力
蛍光スクリーン14と陽極44間には、真空外囲器41の内面
に沿って集束電極45が複数形成されている。
うに、真空外囲器41の一面側に形成された入力窓42側の
内部側に、アルミニウム基板11に第1の不連続蛍光体層
12および第2の不連続蛍光体層13からなる入力蛍光スク
リーン14が形成されている。さらに、真空外囲器41の入
力窓42と反対側には、出力面43が形成され、この出力面
43の内面側には陽極44が設けられている。そして、入力
蛍光スクリーン14と陽極44間には、真空外囲器41の内面
に沿って集束電極45が複数形成されている。
【0083】そして、X線管31からX線が被写体34に照
射され、被写体34を透過してX線透視像が形成される。
このX線透視像は、X線グリッド33を通り、散乱X線が
除去されて、X線イメージ管32に入射する。また、X線
イメージ管32は、入力窓42からX線を入射し、入力蛍光
スクリーン14にて変換し、集束電極45にて集束し、陽極
44により出力面43に可視光像に変換して出力する。そし
て、透視系の場合にはテレビジョンレンズ36を透過して
テレビジョンカメラ37により撮像され、テレビジョンモ
ニタ38上にX線透視像が出力される。間接撮影系の場合
にはハーフミラー35により、光量の90%をシネカメラ
39に送り込み、残りの10%をテレビジョンカメラ37に
送ってテレビジョンモニタ38上にX線透視像が出力され
る。また、必要に応じて、ハーフミラー35が反転して9
0%の光がスポットカメラ40の側に送り込まれ、ロール
フィルムまたはカットフィルム上にX線透視像を印画す
る。
射され、被写体34を透過してX線透視像が形成される。
このX線透視像は、X線グリッド33を通り、散乱X線が
除去されて、X線イメージ管32に入射する。また、X線
イメージ管32は、入力窓42からX線を入射し、入力蛍光
スクリーン14にて変換し、集束電極45にて集束し、陽極
44により出力面43に可視光像に変換して出力する。そし
て、透視系の場合にはテレビジョンレンズ36を透過して
テレビジョンカメラ37により撮像され、テレビジョンモ
ニタ38上にX線透視像が出力される。間接撮影系の場合
にはハーフミラー35により、光量の90%をシネカメラ
39に送り込み、残りの10%をテレビジョンカメラ37に
送ってテレビジョンモニタ38上にX線透視像が出力され
る。また、必要に応じて、ハーフミラー35が反転して9
0%の光がスポットカメラ40の側に送り込まれ、ロール
フィルムまたはカットフィルム上にX線透視像を印画す
る。
【0084】このように、上記実施例のX線イメージ管
によれば、高感度撮像素子を組み合わせることによりS
/N比は従来と同等で、かつ高分解性能を有することが
できる。
によれば、高感度撮像素子を組み合わせることによりS
/N比は従来と同等で、かつ高分解性能を有することが
できる。
【0085】また、柱状結晶であるファイバ体12a に黒
色膜16を析出させているため、ファイバ体12a の一点で
発光した光が、ファイバ体12a 間を透過しないため、輝
度を下げることなく、コントラスト、解像度が向上す
る。
色膜16を析出させているため、ファイバ体12a の一点で
発光した光が、ファイバ体12a 間を透過しないため、輝
度を下げることなく、コントラスト、解像度が向上す
る。
【0086】さらに、第1の不連続蛍光体層12および第
2の不連続蛍光体層13はそれぞれファイバ体12a および
ファイバ体13a にて形成されているため、アルミニウム
基板11側から光電面15に出力されるまでに通過する界面
数が多くなり、減衰率が向上して光の散乱は抑えられ
る。また、面抵抗の小さい光電面15となるので、輝度の
向上が図れる。
2の不連続蛍光体層13はそれぞれファイバ体12a および
ファイバ体13a にて形成されているため、アルミニウム
基板11側から光電面15に出力されるまでに通過する界面
数が多くなり、減衰率が向上して光の散乱は抑えられ
る。また、面抵抗の小さい光電面15となるので、輝度の
向上が図れる。
【0087】また、入力蛍光スクリーン14を構成する蛍
光体柱状結晶の相互に隣接する側面には、内部より光吸
収元素の濃度が高い、この元素の化合物を含む光吸収層
が形成されているため、横方向の光の拡散が抑制され、
それによって分解能の向上が可能である。また、ファイ
バ体12a と第2の不連続蛍光体層13との界面には光吸収
層が存在しないため、発光効率および輝度の低下が少な
い。
光体柱状結晶の相互に隣接する側面には、内部より光吸
収元素の濃度が高い、この元素の化合物を含む光吸収層
が形成されているため、横方向の光の拡散が抑制され、
それによって分解能の向上が可能である。また、ファイ
バ体12a と第2の不連続蛍光体層13との界面には光吸収
層が存在しないため、発光効率および輝度の低下が少な
い。
【0088】
【発明の効果】本発明のX線イメージ管によれば、基体
の上にX線の入射により蛍光体が発する光を吸収する光
吸収物質を含有した柱状結晶からなる第1の不連続蛍光
体層を形成し、第1の不連続蛍光体層の上にX線の入射
により蛍光体が発する光を吸収する光吸収物質を含有し
第1の不連続蛍光体層の柱状結晶より径小の柱状結晶か
らなる第2の不連続蛍光体層とを形成したため、到達す
るまでに通過する界面の数が多くなり、減衰率が大きく
なるため、光の散乱が抑えられ、輝度が向上することが
できる。
の上にX線の入射により蛍光体が発する光を吸収する光
吸収物質を含有した柱状結晶からなる第1の不連続蛍光
体層を形成し、第1の不連続蛍光体層の上にX線の入射
により蛍光体が発する光を吸収する光吸収物質を含有し
第1の不連続蛍光体層の柱状結晶より径小の柱状結晶か
らなる第2の不連続蛍光体層とを形成したため、到達す
るまでに通過する界面の数が多くなり、減衰率が大きく
なるため、光の散乱が抑えられ、輝度が向上することが
できる。
【図1】本発明のX線イメージ管の入力蛍光スクリーン
の一実施例を示す断面図である。
の一実施例を示す断面図である。
【図2】同上X線イメージ管の入力蛍光スクリーンの製
造装置を示す説明図である。
造装置を示す説明図である。
【図3】同上入力面のアニール工程中のよう素ガス発生
総量の時間との関係を示すグラフである。
総量の時間との関係を示すグラフである。
【図4】同上X線イメージ管の入力蛍光スクリーンと従
来例の入力蛍光スクリーンとのCTF値を示すグラフで
ある。
来例の入力蛍光スクリーンとのCTF値を示すグラフで
ある。
【図5】同上入力面の分光透過光量を示すグラフであ
る。
る。
【図6】同上X線イメージ管の入力蛍光スクリーンと従
来例の入力蛍光スクリーンとのCTF値を示すグラフで
ある。
来例の入力蛍光スクリーンとのCTF値を示すグラフで
ある。
【図7】同上X線イメージ管を用いたシステムを示す説
明図である。
明図である。
【図8】同上X線イメージ管を示す説明図である。
【図9】従来例のX線イメージ管の入力蛍光スクリーン
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図10】入射角と反射との関係を示す説明図である。
11 基体としてのアルミニウム基板 12 第1の不連続蛍光体層 13 第2の不連続蛍光体層
Claims (1)
- 【請求項1】 基体と、 この基体の上に形成されX線の入射により蛍光体が発す
る光を吸収する光吸収物質を含有した柱状結晶からなる
第1の不連続蛍光体層と、 この第1の不連続蛍光体層の上に形成されX線の入射に
より蛍光体が発する光を吸収する光吸収物質を含有し前
記第1の不連続蛍光体層の柱状結晶より径小の柱状結晶
からなる第2の不連続蛍光体層とを具備したことを特徴
とするX線イメージ管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19117392A JPH0636714A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | X線イメージ管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19117392A JPH0636714A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | X線イメージ管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636714A true JPH0636714A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16270118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19117392A Pending JPH0636714A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | X線イメージ管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636714A (ja) |
-
1992
- 1992-07-17 JP JP19117392A patent/JPH0636714A/ja active Pending
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